JPH0564454B2 - - Google Patents
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- JPH0564454B2 JPH0564454B2 JP17728783A JP17728783A JPH0564454B2 JP H0564454 B2 JPH0564454 B2 JP H0564454B2 JP 17728783 A JP17728783 A JP 17728783A JP 17728783 A JP17728783 A JP 17728783A JP H0564454 B2 JPH0564454 B2 JP H0564454B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はＸ線リソグラフイーにおいて用いられ
るマスク構造体のＸ線リソグラフイー装置への保
持方法に関する。
るマスク構造体のＸ線リソグラフイー装置への保
持方法に関する。
リソグラフイー技術を用いて被加工材表面を部
分的に変質せしめることにより各種製品を製造す
ることが工業上特に電子工業の分野において広く
利用されており、この方法によればパターンが同
一の表面変質部を有する製品を大量に製造でき
る。被加工材の表面変質は各種エネルギーの照射
により行われ、この際のパターン形成のため、部
分的にエネルギー遮断材を配置してなるマスクが
用いられる。この様なマスクとしては、照射エネ
ルギーが可視光の場合にはガラス又は石英等の透
明基板上に黒色の塗料を部分的に塗布したり又は
金属等の可視光不透過性の薄板を部分的に付与し
たものが用いられていた。
分的に変質せしめることにより各種製品を製造す
ることが工業上特に電子工業の分野において広く
利用されており、この方法によればパターンが同
一の表面変質部を有する製品を大量に製造でき
る。被加工材の表面変質は各種エネルギーの照射
により行われ、この際のパターン形成のため、部
分的にエネルギー遮断材を配置してなるマスクが
用いられる。この様なマスクとしては、照射エネ
ルギーが可視光の場合にはガラス又は石英等の透
明基板上に黒色の塗料を部分的に塗布したり又は
金属等の可視光不透過性の薄板を部分的に付与し
たものが用いられていた。
しかるに、近年、より微細なパターン形成が求
められ更により短時間でのリソグラフイー加工が
求められるにつれて、照射エネルギーとしてＸ線
更にはイオン線等の粒子線が用いられる様になつ
てきた。これらのエネルギーは上記可視光の場合
にマスク形成部材として用いられたガラス板や石
英板を通過せしめると大部分が吸収される。この
ため、これらエネルギーを用いる場合にはガラス
板や石英板を用いてマスクを形成することは好ま
しくない。そこで、Ｘ線粒子を線を照射エネルギ
ーとして用いるリソグラフイーにおいては各種の
無機薄膜たとえばチツ化シリコン、チツ化ホウ素
又は酸化シリコン等の薄膜、あるいは各種の有機
薄膜たとえはポリミイド、ポリアミド又はポリエ
ステル等の薄膜、更にこれらの複合薄膜をエネル
ギー透過体として用い、これらの面上に金、白
金、ニツケル、パラジウム、ロジウム又はインジ
ウム等の金属をエネルギー不透過体として部分的
に付与することにより、マスクを形成するこが行
われている。このマスクは自己保形性がないので
適宜の保持体に支持される。保持体としては通常
環状保持基板が用いられる。即ち、エネルギー吸
収性のマスク材を所望のパターンにて片面に付与
されたエネルギー透過性の保持薄膜の周辺部を環
状保持基板の一端面に付着せしめることにより、
マスク構造体が形成されている。
められ更により短時間でのリソグラフイー加工が
求められるにつれて、照射エネルギーとしてＸ線
更にはイオン線等の粒子線が用いられる様になつ
てきた。これらのエネルギーは上記可視光の場合
にマスク形成部材として用いられたガラス板や石
英板を通過せしめると大部分が吸収される。この
ため、これらエネルギーを用いる場合にはガラス
板や石英板を用いてマスクを形成することは好ま
しくない。そこで、Ｘ線粒子を線を照射エネルギ
ーとして用いるリソグラフイーにおいては各種の
無機薄膜たとえばチツ化シリコン、チツ化ホウ素
又は酸化シリコン等の薄膜、あるいは各種の有機
薄膜たとえはポリミイド、ポリアミド又はポリエ
ステル等の薄膜、更にこれらの複合薄膜をエネル
ギー透過体として用い、これらの面上に金、白
金、ニツケル、パラジウム、ロジウム又はインジ
ウム等の金属をエネルギー不透過体として部分的
に付与することにより、マスクを形成するこが行
われている。このマスクは自己保形性がないので
適宜の保持体に支持される。保持体としては通常
環状保持基板が用いられる。即ち、エネルギー吸
収性のマスク材を所望のパターンにて片面に付与
されたエネルギー透過性の保持薄膜の周辺部を環
状保持基板の一端面に付着せしめることにより、
マスク構造体が形成されている。
ところが、上記の如きマスク構造体を使用して
リソグラフイーを行うには該構造体をリソグラフ
イー装置に固定しなければならないが、このマス
ク構造体は前記可視光線リソグラフイーの場合と
異なり均一且つ均質の平板ではないため、可視光
線リソグラフイーの場合の様に真空チヤツクが利
用できない。このため機械的手段等を用いて固定
が行われるが、これではマスク変換、マスク位置
移動又はアライメント等の操作が極めて困難であ
り、且つ損傷を受け易い等の問題があつた。
リソグラフイーを行うには該構造体をリソグラフ
イー装置に固定しなければならないが、このマス
ク構造体は前記可視光線リソグラフイーの場合と
異なり均一且つ均質の平板ではないため、可視光
線リソグラフイーの場合の様に真空チヤツクが利
用できない。このため機械的手段等を用いて固定
が行われるが、これではマスク変換、マスク位置
移動又はアライメント等の操作が極めて困難であ
り、且つ損傷を受け易い等の問題があつた。
本発明は、以上の如き従来技術に鑑み、保持基
板にマスク材保持薄膜の周辺部を付着せしめてな
るＸ線リソグラフイー用マスク構造体のＸ線リソ
グラフイー装置への着脱操作性を向上させ、アラ
イメント精度を向上させ、更にマスク材保持薄膜
の変形を防止してＸ線リソグラフイーの精度を向
上させることを目的とするものである。
板にマスク材保持薄膜の周辺部を付着せしめてな
るＸ線リソグラフイー用マスク構造体のＸ線リソ
グラフイー装置への着脱操作性を向上させ、アラ
イメント精度を向上させ、更にマスク材保持薄膜
の変形を防止してＸ線リソグラフイーの精度を向
上させることを目的とするものである。
［発明の概要］
本発明によれば、以上の如き目的は、表面に所
望のパターンにてマスク材を付与してなるマスク
材保持薄膜の周辺部を保持基板の上端面上に保持
せしめ前記保持基板の少なくとも一部を磁性体に
より構成したＸ線照射を行うためのＸ線リソグラ
フイー用マスク構造体の、Ｘ線リソグラフイー装
置への保持を、前記Ｘ線リソグラフイー用マスク
構造体を着脱可能とするマグネツトチヤツクを使
用して行うことを特徴とする、Ｘ線リソグラフイ
ー用マスク構造体の保持方法、により達成され
る。
望のパターンにてマスク材を付与してなるマスク
材保持薄膜の周辺部を保持基板の上端面上に保持
せしめ前記保持基板の少なくとも一部を磁性体に
より構成したＸ線照射を行うためのＸ線リソグラ
フイー用マスク構造体の、Ｘ線リソグラフイー装
置への保持を、前記Ｘ線リソグラフイー用マスク
構造体を着脱可能とするマグネツトチヤツクを使
用して行うことを特徴とする、Ｘ線リソグラフイ
ー用マスク構造体の保持方法、により達成され
る。
第１図は本発明方法の実施に使用されるマスク
構造体の一実施例の断面図である。マスク材１は
保持薄膜２の片面に所望のパターンに付与されて
いる。マスク材１は0.7μ厚の金薄膜であるが、マ
スク材１としては金以外にたとえば白金、ニツケ
ル、パラジウム、ロジウム、インジウム等の薄膜
が用いられる。保持薄膜２はポリイミド12μ厚の
ポリイミド薄膜２ａと0.03μ厚のクロム薄膜２ｂ
との二層膜であるが、保持薄膜２としてはその他
たとえばチツ化シリコン、チツ化ホウ素、酸化シ
リコン等の無機薄膜又はポリアミド、ポリエステ
ル等の有機薄膜が用いられる。保持薄膜２の周辺
部は環状特に円環状の保持基板３に接着されてい
る。尚第２図は保持基板３の平面図である。保持
基板３は磁性体であり、たとえば鉄、ニツケル、
コバルト又はこれらを含む合金類である。保持基
板３の厚さは有効な磁性効果を発揮し且つ適度の
剛性を有する限りにおいて特に制限はないが、た
とえば５mm程度である。保持基板３は全体的に磁
性体により構成してもよいが、部分的に磁性体と
し他は非磁性体とすることもできる。この場合に
は第２図において点線で示される如く、基板３の
環形状に関し対照的に磁性体部分３ａを配するの
が好ましい。３ｂは非磁性体部分である。
構造体の一実施例の断面図である。マスク材１は
保持薄膜２の片面に所望のパターンに付与されて
いる。マスク材１は0.7μ厚の金薄膜であるが、マ
スク材１としては金以外にたとえば白金、ニツケ
ル、パラジウム、ロジウム、インジウム等の薄膜
が用いられる。保持薄膜２はポリイミド12μ厚の
ポリイミド薄膜２ａと0.03μ厚のクロム薄膜２ｂ
との二層膜であるが、保持薄膜２としてはその他
たとえばチツ化シリコン、チツ化ホウ素、酸化シ
リコン等の無機薄膜又はポリアミド、ポリエステ
ル等の有機薄膜が用いられる。保持薄膜２の周辺
部は環状特に円環状の保持基板３に接着されてい
る。尚第２図は保持基板３の平面図である。保持
基板３は磁性体であり、たとえば鉄、ニツケル、
コバルト又はこれらを含む合金類である。保持基
板３の厚さは有効な磁性効果を発揮し且つ適度の
剛性を有する限りにおいて特に制限はないが、た
とえば５mm程度である。保持基板３は全体的に磁
性体により構成してもよいが、部分的に磁性体と
し他は非磁性体とすることもできる。この場合に
は第２図において点線で示される如く、基板３の
環形状に関し対照的に磁性体部分３ａを配するの
が好ましい。３ｂは非磁性体部分である。
第３図は本発明方法の実施に使用されるマスク
構造体の他の実施例の断面図である。この実施例
においては、保持薄膜２は2μ厚のチツ化シリコ
ン薄膜であり、保持基板３は二酸化シリコン層３
ｃ、300μ厚程度のシリコン層３ｄ、二酸化シリ
コン層３ｅ、2μ厚のチツ化シリコン層３ｆ及び
300μ厚の磁性体層３ｇからなる。磁性体層の厚
みは磁性体の種類によつては20μ程度でも可能で
ある。
構造体の他の実施例の断面図である。この実施例
においては、保持薄膜２は2μ厚のチツ化シリコ
ン薄膜であり、保持基板３は二酸化シリコン層３
ｃ、300μ厚程度のシリコン層３ｄ、二酸化シリ
コン層３ｅ、2μ厚のチツ化シリコン層３ｆ及び
300μ厚の磁性体層３ｇからなる。磁性体層の厚
みは磁性体の種類によつては20μ程度でも可能で
ある。
以上の如き本発明方法によれば、Ｘ線リソグラ
フイー用マスク構造体のＸ線リソグラフイー装置
への保持をマグネツトチヤツクにより行うので、
マスク交換、マスク位置移動又はアライメント等
の操作を極めて容易に行うことができ、アライメ
ント精度を向上させることができ、更にマスク材
保持薄膜の変形が防止されるのでＸ線リソグラフ
イーの精度を向上させることができる。
フイー用マスク構造体のＸ線リソグラフイー装置
への保持をマグネツトチヤツクにより行うので、
マスク交換、マスク位置移動又はアライメント等
の操作を極めて容易に行うことができ、アライメ
ント精度を向上させることができ、更にマスク材
保持薄膜の変形が防止されるのでＸ線リソグラフ
イーの精度を向上させることができる。
第１図及び第３図はいづれも本発明方法の実施
に使用されるマスク構造体の断面図であり、第２
図は保持基板の平面図である。 １……マスク材、２……保持薄膜、３……保持
基板。
に使用されるマスク構造体の断面図であり、第２
図は保持基板の平面図である。 １……マスク材、２……保持薄膜、３……保持
基板。
Claims (1)
- １ 表面に所望のパターンにてマスク材を付与し
てなるマスク材保持薄膜の周辺部を保持基板の上
端面上に保持せしめ前記保持基板の少なくとも一
部を磁性体により構成したＸ線照射を行うための
Ｘ線リソグラフイー用マスク構造体の、Ｘ線リソ
グラフイー装置への保持を、前記Ｘ線リソグラフ
イー用マスク構造体を着脱可能とするマグネツト
チヤツクを使用して行うことを特徴とする、Ｘ線
リソグラフイー用マスク構造体の保持方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58177287A JPS6068340A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体の保持方法 |
| DE19843435178 DE3435178A1 (de) | 1983-09-26 | 1984-09-25 | Gegenstand mit maskenstruktur fuer die lithografie |
| GB8424302A GB2148540A (en) | 1983-09-26 | 1984-09-26 | Lithographic mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58177287A JPS6068340A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体の保持方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6068340A JPS6068340A (ja) | 1985-04-18 |
| JPH0564454B2 true JPH0564454B2 (ja) | 1993-09-14 |
Family
ID=16028384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58177287A Granted JPS6068340A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体の保持方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6068340A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07101663B2 (ja) * | 1987-02-09 | 1995-11-01 | キヤノン株式会社 | マスク保持装置 |
| JPS6351633A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-04 | Nec Corp | Ｘ線露光マスク |
| EP0361516B1 (en) * | 1988-09-30 | 1996-05-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of making X-ray mask structure |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57132147A (en) * | 1981-02-09 | 1982-08-16 | Nec Corp | Photomask and its mask handler |
-
1983
- 1983-09-26 JP JP58177287A patent/JPS6068340A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57132147A (en) * | 1981-02-09 | 1982-08-16 | Nec Corp | Photomask and its mask handler |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6068340A (ja) | 1985-04-18 |
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