JPS61134763A - リソグラフイ−用マスク構造体 - Google Patents
リソグラフイ−用マスク構造体Info
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- JPS61134763A JPS61134763A JP59257960A JP25796084A JPS61134763A JP S61134763 A JPS61134763 A JP S61134763A JP 59257960 A JP59257960 A JP 59257960A JP 25796084 A JP25796084 A JP 25796084A JP S61134763 A JPS61134763 A JP S61134763A
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- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 40
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 20
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 6
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004830 Super Glue Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- FGBJXOREULPLGL-UHFFFAOYSA-N ethyl cyanoacrylate Chemical compound CCOC(=O)C(=C)C#N FGBJXOREULPLGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、X線等を利用するリソグラフィーにおいて用
いられるリソグラフィー用マスク構造体に関する。
いられるリソグラフィー用マスク構造体に関する。
(従来の技術〕
リソグラフィー技術を用いて被加工材表面な部分的に変
質せしめることにより各種製品を製造することが工業上
特に電子工業の分野において広く利用されており、この
方法によればパターンが同一の表面変質部を有する製品
を大量に製造することができる。
質せしめることにより各種製品を製造することが工業上
特に電子工業の分野において広く利用されており、この
方法によればパターンが同一の表面変質部を有する製品
を大量に製造することができる。
被加工材の表面変質は各種エネルギーの照射により行わ
れ、この際のパターン形成のため、部分的にエネルギー
遮断材を配置してなるマスクが用いられる。この様なマ
スクとしては、照射エネルギーが可視光の場合にはガラ
ス又は石英等の透明基板上に黒色の塗料を部分的に塗布
したり又は金属等の可視光不透過性の薄板を部分的に付
午したものが用いられていた。
れ、この際のパターン形成のため、部分的にエネルギー
遮断材を配置してなるマスクが用いられる。この様なマ
スクとしては、照射エネルギーが可視光の場合にはガラ
ス又は石英等の透明基板上に黒色の塗料を部分的に塗布
したり又は金属等の可視光不透過性の薄板を部分的に付
午したものが用いられていた。
しかるに、近年、より微細なパターン形成が求められ更
により短詩間でのリソグラフィー加工が求められるにつ
れて、照射エネルギーとしてX線更にはイオン線等の粒
子像が用いられる様になってきた。これらのエネルギー
は上記可視光の場合にマスク形成部材として用いられた
ガラス板や石英板を通過せしめると大部分吸収されてし
まう。
により短詩間でのリソグラフィー加工が求められるにつ
れて、照射エネルギーとしてX線更にはイオン線等の粒
子像が用いられる様になってきた。これらのエネルギー
は上記可視光の場合にマスク形成部材として用いられた
ガラス板や石英板を通過せしめると大部分吸収されてし
まう。
このため、これらエネルギーを用いる場合にはガラス板
や石英板を用いてマスクを形成することは好ましくない
。そこで、X線や粒子線を照射エネルギーとして用いる
リソグラフィーにおいては各種の無機filv膜例えば
チッ化シリコン、チッ化ホウ素又は酸化シリコン等の薄
膜、あるいは各種の有機薄膜例えばポリイミド、ポリア
ミド又はポリエステル等の薄膜、更にはこれらの複合薄
膜をエネルギー透過体として用い、これらの面」−に金
、白金、ニッケル、パラジウム、ロジウム又はインジウ
ム等の金属をエネルギー不透過体として部分的に付与す
ることにより、マスクを形成することが行われている。
や石英板を用いてマスクを形成することは好ましくない
。そこで、X線や粒子線を照射エネルギーとして用いる
リソグラフィーにおいては各種の無機filv膜例えば
チッ化シリコン、チッ化ホウ素又は酸化シリコン等の薄
膜、あるいは各種の有機薄膜例えばポリイミド、ポリア
ミド又はポリエステル等の薄膜、更にはこれらの複合薄
膜をエネルギー透過体として用い、これらの面」−に金
、白金、ニッケル、パラジウム、ロジウム又はインジウ
ム等の金属をエネルギー不透過体として部分的に付与す
ることにより、マスクを形成することが行われている。
このマスクは自己保形性がないので適宜の保持体に保持
される。かくして構成されるマスク構造体として、従来
第4図に断面図を示す如きものが用いられていた。これ
はエネルギー吸収性のマスク部材1を所望のパターンに
て片面に付与されたエネルギー透過性の保持薄膜2の周
辺部を環状保持基板3の一端面(図においては」ニ端面
)に接着剤4を用いて接着することにより形成されてい
た。尚、第5図は保持基板3の平面図である。
される。かくして構成されるマスク構造体として、従来
第4図に断面図を示す如きものが用いられていた。これ
はエネルギー吸収性のマスク部材1を所望のパターンに
て片面に付与されたエネルギー透過性の保持薄膜2の周
辺部を環状保持基板3の一端面(図においては」ニ端面
)に接着剤4を用いて接着することにより形成されてい
た。尚、第5図は保持基板3の平面図である。
ところが、以1−の如き従来のマスク構造体においては
、接着剤4の塗布のやり方によりその厚みに不均一が生
じたり、保持薄膜2の周辺部から接着剤がはみ出したり
、更に接着後の保持薄膜2の周辺部切除によるめくれ」
−りが生じたりするため、保持薄膜2の平面度を良好に
保つことが困難であった。これにともないリソグラフィ
ーにおける精度不良が発生し易かった。又、平面度を保
つため保持薄膜2に引っばり応力等を加えるとリソグラ
フィー行程中に接着のはがれが生じ、破損し曝 たりマスク部材1が表面に出ているため、マスクの繰り
返し使用の際、パターンが変形したりする事が度々あっ
た。
、接着剤4の塗布のやり方によりその厚みに不均一が生
じたり、保持薄膜2の周辺部から接着剤がはみ出したり
、更に接着後の保持薄膜2の周辺部切除によるめくれ」
−りが生じたりするため、保持薄膜2の平面度を良好に
保つことが困難であった。これにともないリソグラフィ
ーにおける精度不良が発生し易かった。又、平面度を保
つため保持薄膜2に引っばり応力等を加えるとリソグラ
フィー行程中に接着のはがれが生じ、破損し曝 たりマスク部材1が表面に出ているため、マスクの繰り
返し使用の際、パターンが変形したりする事が度々あっ
た。
又X線リソグラフィーでは、半影ぼけなどの防止のため
、マスクとそのパターンを転写する基板との高精度のア
ライメントが要求され、装置製作上では大きな問題の1
つとなっている。
、マスクとそのパターンを転写する基板との高精度のア
ライメントが要求され、装置製作上では大きな問題の1
つとなっている。
本発明は以]−の如き従来技術に鑑み成されたもので、
保持基板にマスク材保持薄膜を接着してなるリソグラフ
ィー用マスク構造体において、保持薄膜と保持基板と接
着力を強化し、また保持薄膜の平面度を向」ニさせ、マ
スク材を保護しアライメントを簡便にする事を目的とす
る。
保持基板にマスク材保持薄膜を接着してなるリソグラフ
ィー用マスク構造体において、保持薄膜と保持基板と接
着力を強化し、また保持薄膜の平面度を向」ニさせ、マ
スク材を保護しアライメントを簡便にする事を目的とす
る。
本発明はマスク部材を保持するマスク部材保持薄膜と、
該マスク部材保持薄膜の周辺部を間に挟持する内側及び
外側2つの環状保持基板とを具備するリソグラフィー用
マスク構造体において、前記内側保持基板の最上部より
下方位置で、前記マスク部材保持薄膜は前記内側及び外
側の保持基板とに接着され且つ前記外側保持基板の最上
部が前記内側保持基板の最上部より上方に位置している
事を特徴とする。
該マスク部材保持薄膜の周辺部を間に挟持する内側及び
外側2つの環状保持基板とを具備するリソグラフィー用
マスク構造体において、前記内側保持基板の最上部より
下方位置で、前記マスク部材保持薄膜は前記内側及び外
側の保持基板とに接着され且つ前記外側保持基板の最上
部が前記内側保持基板の最上部より上方に位置している
事を特徴とする。
第1図は本発明によるマスク構造体の第1の実施例の断
面図である。マスク材1は保持薄膜2の片面に所望のパ
ターンにて伺与されている。マスク材1としては例えば
金、白金、ニッケル、パラジウム、ロジウム、インジウ
ム等の0.71L程度の薄膜が用いられる。保持薄膜2
としては例えばチツ化シリコン、チツ化ホウ素、酸化シ
リコン。
面図である。マスク材1は保持薄膜2の片面に所望のパ
ターンにて伺与されている。マスク材1としては例えば
金、白金、ニッケル、パラジウム、ロジウム、インジウ
ム等の0.71L程度の薄膜が用いられる。保持薄膜2
としては例えばチツ化シリコン、チツ化ホウ素、酸化シ
リコン。
チタン等の無aS膜又はポリイミド、ポリアミド、ポリ
エステル等の有機薄膜又はこれらの複合膜が用いられ、
その厚さは例えば2〜12ILであるのが望ましい。保
持薄膜2の周辺部は接着剤4により環状保持基板3及び
5に接着されている。
エステル等の有機薄膜又はこれらの複合膜が用いられ、
その厚さは例えば2〜12ILであるのが望ましい。保
持薄膜2の周辺部は接着剤4により環状保持基板3及び
5に接着されている。
尚、第2図は内側保持基板3の平面図である。内側保持
基板3の最」二部平端面3aには接着剤5が塗布されて
おらず、該平端面3aの外側に角度θにて交わる面3b
にのみ接着剤4が塗布されている。角度θは0度を超え
る値であれば特に制限はないが、好ましくは5〜90度
、より好ましくは5〜60度、最適には15〜30度と
されるのが望ましい。
基板3の最」二部平端面3aには接着剤5が塗布されて
おらず、該平端面3aの外側に角度θにて交わる面3b
にのみ接着剤4が塗布されている。角度θは0度を超え
る値であれば特に制限はないが、好ましくは5〜90度
、より好ましくは5〜60度、最適には15〜30度と
されるのが望ましい。
又、第3図は外側保持基板5の平面図である。
外側保持基板5の下側斜面部5bは上記の平端面3bと
同じ角度の面であり、接着剤が塗布されている。また、
外側保持基板5のに端面5aは内側保持基板3の最−1
一部平端面3aより−L方に位置する。5a−3a間の
距離は第6図のように露光装置の機能によって定められ
る。
同じ角度の面であり、接着剤が塗布されている。また、
外側保持基板5のに端面5aは内側保持基板3の最−1
一部平端面3aより−L方に位置する。5a−3a間の
距離は第6図のように露光装置の機能によって定められ
る。
保持基板3.5としては例えばシリコン、ガラス、イン
バー、石莢、リン青銅、色調、鉄、ニッケル、ステンレ
ス等が用いられる。接着剤4としては例えば溶剤型接着
剤(ブタジェン系合成ゴム接着剤、クロロブレン系合成
ゴム接着剤等)、無溶剤型接着剤(エポキシ接着剤、シ
アノアクリレート接着剤等)が用いられてる。
バー、石莢、リン青銅、色調、鉄、ニッケル、ステンレ
ス等が用いられる。接着剤4としては例えば溶剤型接着
剤(ブタジェン系合成ゴム接着剤、クロロブレン系合成
ゴム接着剤等)、無溶剤型接着剤(エポキシ接着剤、シ
アノアクリレート接着剤等)が用いられてる。
第7図は本発明によるマスク構造体の第2の実施例の断
面図である。この場合、外側保持基板5は内側保持基板
3」二に固定される。
面図である。この場合、外側保持基板5は内側保持基板
3」二に固定される。
第8図は本発明によるマスク構造体の第3の実施例の断
面図である。この場合は0が90°に相当し、汁つ接着
剤塗布面として更に第3の面5cが形成されている。
面図である。この場合は0が90°に相当し、汁つ接着
剤塗布面として更に第3の面5cが形成されている。
pjS9図は本発明によるマスク構造体の第4の実施例
の断面図である。この場合、内側保持基板3は第8図と
同様の形をなすが、外側保持基板5は内側保持基板31
−に固定される。
の断面図である。この場合、内側保持基板3は第8図と
同様の形をなすが、外側保持基板5は内側保持基板31
−に固定される。
第10図は本発明によるマスク構造体の第5の実施例の
断面図である。この場合、内側保持基板3の最上部上端
面3aの外側に、該平端面3aと滑らかに連なる面3b
が形成されている。面3bは曲面となっており、外側保
持基板5の下側面5bも核部3bと同形状となっている
。
断面図である。この場合、内側保持基板3の最上部上端
面3aの外側に、該平端面3aと滑らかに連なる面3b
が形成されている。面3bは曲面となっており、外側保
持基板5の下側面5bも核部3bと同形状となっている
。
第11図は本発明によるマスク構造体の第6の実施例の
断面図である。この場合、内側保持基板3は第10図と
同様の形をなすが、外側保持基板5は内側保持基板3上
に固定される。 1〔効 果〕 以」−の如き本発明のマスク構造体によれば、保持薄膜
2と保持基板3,5との接着は保持薄膜2のマスク材1
保持平面外において行われるので、接着剤4の塗布及び
保持薄膜2の周辺切除によっでは、マスク材1保持面の
平面度は影響を受けず良好な平面度を保ち、外側保持基
板5によって保護されるため、繰り返し使用中にもパタ
ーンの変形が起こることなく且つ保持薄膜2が2つの保
持基板3,5間に保持されているため、保持薄膜2と保
持基板3.5の接着力を強化することができ、使用する
露光装置の機能に従って5a−3a間の距離が定められ
、外側保持基板5が作成されているので、高精度のアラ
イメントを簡便に行うことができる。従って、リソグラ
フィー行程中に本発明マスク構造体の構造を雑持し容易
に扱う事ができる。
断面図である。この場合、内側保持基板3は第10図と
同様の形をなすが、外側保持基板5は内側保持基板3上
に固定される。 1〔効 果〕 以」−の如き本発明のマスク構造体によれば、保持薄膜
2と保持基板3,5との接着は保持薄膜2のマスク材1
保持平面外において行われるので、接着剤4の塗布及び
保持薄膜2の周辺切除によっでは、マスク材1保持面の
平面度は影響を受けず良好な平面度を保ち、外側保持基
板5によって保護されるため、繰り返し使用中にもパタ
ーンの変形が起こることなく且つ保持薄膜2が2つの保
持基板3,5間に保持されているため、保持薄膜2と保
持基板3.5の接着力を強化することができ、使用する
露光装置の機能に従って5a−3a間の距離が定められ
、外側保持基板5が作成されているので、高精度のアラ
イメントを簡便に行うことができる。従って、リソグラ
フィー行程中に本発明マスク構造体の構造を雑持し容易
に扱う事ができる。
第1図は本発明によるマスク構造体の断面図であり、第
2図はその内側保持基板の平面図であり、第3図はその
外側保持基板の平面図である。 第4図は従来のマスク構造体の断面図であり、第5図は
その保持基板の平面図である。 第6図は第1図乃至第3図で説明したマスク構造体を露
光装置内にセットした場合の模式的断面図である。 第7図、第8図、第9図、第10図、第11図はいずれ
も本発明によるマスク構造体の別の実施例の模式的断面
図である。 1;マスク材 2;保持薄膜 3;内側保持基板 4;
接着剤 5;外側保持基板 6;レジスト 7;基板
8.X!!等
2図はその内側保持基板の平面図であり、第3図はその
外側保持基板の平面図である。 第4図は従来のマスク構造体の断面図であり、第5図は
その保持基板の平面図である。 第6図は第1図乃至第3図で説明したマスク構造体を露
光装置内にセットした場合の模式的断面図である。 第7図、第8図、第9図、第10図、第11図はいずれ
も本発明によるマスク構造体の別の実施例の模式的断面
図である。 1;マスク材 2;保持薄膜 3;内側保持基板 4;
接着剤 5;外側保持基板 6;レジスト 7;基板
8.X!!等
Claims (1)
- マスク部材を保持するマスク部材保持薄膜と、該マス
ク部材保持薄膜の周辺部を間に挟持する内側及び外側2
つの環状保持基板とを具備するリソグラフィー用マスク
構造体において、前記内側保持基板の最上部より下方位
置で、前記マスク部材保持薄膜は前記内側及び外側の保
持基板とに接着され且つ前記外側保持基板の最上部が前
記内側保持基板の最上部より上方に位置している事を特
徴とするリソグラフィー用マスク構造体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59257960A JPS61134763A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | リソグラフイ−用マスク構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59257960A JPS61134763A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | リソグラフイ−用マスク構造体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61134763A true JPS61134763A (ja) | 1986-06-21 |
Family
ID=17313597
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59257960A Pending JPS61134763A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | リソグラフイ−用マスク構造体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61134763A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0338749A2 (en) * | 1988-04-18 | 1989-10-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Structure of X-ray mask |
US6093372A (en) * | 1997-06-06 | 2000-07-25 | Texaco Inc. | Oxygen flow control for gasification |
-
1984
- 1984-12-06 JP JP59257960A patent/JPS61134763A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0338749A2 (en) * | 1988-04-18 | 1989-10-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Structure of X-ray mask |
US6093372A (en) * | 1997-06-06 | 2000-07-25 | Texaco Inc. | Oxygen flow control for gasification |
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