JPS6068340A - Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体の保持方法 - Google Patents
Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体の保持方法Info
- Publication number
- JPS6068340A JPS6068340A JP58177287A JP17728783A JPS6068340A JP S6068340 A JPS6068340 A JP S6068340A JP 58177287 A JP58177287 A JP 58177287A JP 17728783 A JP17728783 A JP 17728783A JP S6068340 A JPS6068340 A JP S6068340A
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- Japan
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- film
- mask
- thickness
- thin
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はリソグラフィーにおいて用いられるマスク構造
体に関する。
体に関する。
リソグラフィー技術を用いて被加工材表面を部分的に変
質せしめる仁とにより各種製品を製造することが工業上
特に電子工業の分野において広く（１） 利用されておシ、との方法によればパターンが同一の表
面変質部を有する製品を大量に製造できる。
質せしめる仁とにより各種製品を製造することが工業上
特に電子工業の分野において広く（１） 利用されておシ、との方法によればパターンが同一の表
面変質部を有する製品を大量に製造できる。
被加工材の表面変質は各種エネルギーの照射によ ９行
われ、この際のパターン形成のため、部分的にエネルギ
ー遮断材を配置してなるマスクが用いられる。この様な
マスクとしては、照射エネルギーが可視光の場合にはガ
ラス又は石英等の透明基板上に黒色の塗料を部分的に塗
布したシ又は金属等の可視光不透過性の薄板を部分的に
付与したものが用いられていた。
われ、この際のパターン形成のため、部分的にエネルギ
ー遮断材を配置してなるマスクが用いられる。この様な
マスクとしては、照射エネルギーが可視光の場合にはガ
ラス又は石英等の透明基板上に黒色の塗料を部分的に塗
布したシ又は金属等の可視光不透過性の薄板を部分的に
付与したものが用いられていた。
しかるに、近年、よシ微細な・母ターン形成がめられ更
によシ短時間でのリソグラフィー加工がめられるにつれ
て、照射エネルギーとしてＸ線更にはイオン線等の粒子
線が用いられる様になってきた。これらのエネルギーは
上記可視光の場合にマスク形成部材として用いられたガ
ラス板や石英板を通過せしめると大部分吸収される。こ
のため、これらエネルギーを用いる場合にはガラス板や
石英板を用いてマスクを形成することは好ましくない。
によシ短時間でのリソグラフィー加工がめられるにつれ
て、照射エネルギーとしてＸ線更にはイオン線等の粒子
線が用いられる様になってきた。これらのエネルギーは
上記可視光の場合にマスク形成部材として用いられたガ
ラス板や石英板を通過せしめると大部分吸収される。こ
のため、これらエネルギーを用いる場合にはガラス板や
石英板を用いてマスクを形成することは好ましくない。
そこで、Ｘ線や粒子線を照射エネルギー（ｙ’＋
として用いるリソグラフィーにおいては各種の無機薄膜
たとえばチッ化シリコン、チッ化ホウ素又は酸化シリコ
ン尋の薄膜、あるいは各種の有機薄膜たとえばポリイミ
ド、ポリアミド又はポリエステル等の薄膜、更にはこれ
らの複合薄膜をエネルギー透過体として用い、これらの
面上に金、白金、ニッケル、パラジウム、ロジウム又は
インジウム等の金属をエネルギー不透過体として部分的
に付与することによシ、マスクを形成することが行われ
ている。このマスクは自己保形性がないので適宜の保持
体に支持される。保持体としては通常環状保持基板が用
いられる。即ち、エネルギー吸収性のマスク材を所望の
Ａ？ターンにて片面に付与されたエネルギー透過性の保
持薄膜の周辺部を環状保持基板の一端面に付着せしめる
ことによシ、マスク構造体が形成されている。
たとえばチッ化シリコン、チッ化ホウ素又は酸化シリコ
ン尋の薄膜、あるいは各種の有機薄膜たとえばポリイミ
ド、ポリアミド又はポリエステル等の薄膜、更にはこれ
らの複合薄膜をエネルギー透過体として用い、これらの
面上に金、白金、ニッケル、パラジウム、ロジウム又は
インジウム等の金属をエネルギー不透過体として部分的
に付与することによシ、マスクを形成することが行われ
ている。このマスクは自己保形性がないので適宜の保持
体に支持される。保持体としては通常環状保持基板が用
いられる。即ち、エネルギー吸収性のマスク材を所望の
Ａ？ターンにて片面に付与されたエネルギー透過性の保
持薄膜の周辺部を環状保持基板の一端面に付着せしめる
ことによシ、マスク構造体が形成されている。
ところで、上記の如きマスク構造体を使用してリソグラ
フィーを行うには該構造体をリソグラフィー装置に固定
し力ければならないが、このマスク構造体は前記可視光
線リソグラフィーの場合と異なシ均−且つ均質の平板で
はないため、可視光線リソグラフィーの場合の様に真空
チャックが利用できない。このため機械的手段等を用い
て固定が行われるが、これではマスク変換、マスク位置
移動又はアライメント等の操作が極めて困難であり、且
つ損傷を受け易い等の問題があった。
フィーを行うには該構造体をリソグラフィー装置に固定
し力ければならないが、このマスク構造体は前記可視光
線リソグラフィーの場合と異なシ均−且つ均質の平板で
はないため、可視光線リソグラフィーの場合の様に真空
チャックが利用できない。このため機械的手段等を用い
て固定が行われるが、これではマスク変換、マスク位置
移動又はアライメント等の操作が極めて困難であり、且
つ損傷を受け易い等の問題があった。
本発明は、以上の如き従来技術に鑑み、環状保持基板に
マスク材保持薄膜の周辺部を付着せしめてなるリソグラ
フィー用マスク構造体のリソグラフィー装置への着脱操
作性を向上させることを目的とする。
マスク材保持薄膜の周辺部を付着せしめてなるリソグラ
フィー用マスク構造体のリソグラフィー装置への着脱操
作性を向上させることを目的とする。
第１図は本発明によるマスク構造体の一実施例の断面図
である。マスク材ｌは保持薄膜２の片面に所望のパター
ンにて付与されている。マスク材１は０．７μ厚の金薄
膜であるが、マスク材ｌとしては全以外にたとえば白金
、ニッケル、ａ４ラジウム、ロジウム、インジウム等の
薄膜が用いられる。
である。マスク材ｌは保持薄膜２の片面に所望のパター
ンにて付与されている。マスク材１は０．７μ厚の金薄
膜であるが、マスク材ｌとしては全以外にたとえば白金
、ニッケル、ａ４ラジウム、ロジウム、インジウム等の
薄膜が用いられる。
保持薄膜２はポリイミド１２μ厚のポリイミド薄膜２ａ
と０．０３μ厚のクロム薄膜２ｂとの二層膜であるが、
保持薄膜２としてはその他たとえばチッ化シリコン、チ
ッ化ホウ素、酸化シリコン等の無機薄膜又は−リアミド
、Ｉリエステル等の有機薄膜が用いられる。保持薄膜２
の周辺部は環状特に円環状の保持基板３に接着されてい
る。尚第４図は保持基板３の平面図である。保持基板３
は磁性体であシ、たとえば鉄、ニッケル、コバルト又は
これらを含む合金類である。保持基板３の厚さは有効な
磁性効果を発揮し且つ適度の剛性を有する限シにおいて
特に制限は力いが、たとえば５朋程度である。保持基板
３は全体的に磁性体によ多構成してもよいが、部分的に
磁性体とし他は非磁性体とすることもできる。この場合
には第２図において点線で示される如く、基板３の環形
状に関し対称的に磁性体部分３ａを配するのが好ましい
。
と０．０３μ厚のクロム薄膜２ｂとの二層膜であるが、
保持薄膜２としてはその他たとえばチッ化シリコン、チ
ッ化ホウ素、酸化シリコン等の無機薄膜又は−リアミド
、Ｉリエステル等の有機薄膜が用いられる。保持薄膜２
の周辺部は環状特に円環状の保持基板３に接着されてい
る。尚第４図は保持基板３の平面図である。保持基板３
は磁性体であシ、たとえば鉄、ニッケル、コバルト又は
これらを含む合金類である。保持基板３の厚さは有効な
磁性効果を発揮し且つ適度の剛性を有する限シにおいて
特に制限は力いが、たとえば５朋程度である。保持基板
３は全体的に磁性体によ多構成してもよいが、部分的に
磁性体とし他は非磁性体とすることもできる。この場合
には第２図において点線で示される如く、基板３の環形
状に関し対称的に磁性体部分３ａを配するのが好ましい
。
３ｂは非磁性体部分である。
第３図は本発明によるマスク構造体の他の実施例の断面
図である。この実施例においては、保持薄膜２は２μ厚
のチッ化シリコン薄膜であり、保（５） 持基板３は二酸化シリコン層３ａ、ａｏｏμ厚程度のシ
リコン層３ｄ、二酸化シリコン層３６１２μ厚のチッ化
シリコン層３ｆ及び３００μ厚の磁性体層３ｇからなる
。磁性体層の厚みは磁性体の種類によっては２０μ程度
でも可能である。
図である。この実施例においては、保持薄膜２は２μ厚
のチッ化シリコン薄膜であり、保（５） 持基板３は二酸化シリコン層３ａ、ａｏｏμ厚程度のシ
リコン層３ｄ、二酸化シリコン層３６１２μ厚のチッ化
シリコン層３ｆ及び３００μ厚の磁性体層３ｇからなる
。磁性体層の厚みは磁性体の種類によっては２０μ程度
でも可能である。
以上の如き本発明のマスク構造体によれば、リソグラフ
ィー装置への着脱をマグネチックチャックによシ行うこ
とができ、従ってマスク交換、マスク位置移動又はアラ
イメント等の操作を極めて容易に行うことができる。
ィー装置への着脱をマグネチックチャックによシ行うこ
とができ、従ってマスク交換、マスク位置移動又はアラ
イメント等の操作を極めて容易に行うことができる。
第１図及び第３図はいづれも本発明によるマスク構造体
の断面図であわ、第２図は保持基板の平面図である。 ｌ・・・マスク材、２・・・保持薄膜、３・・・保持基
板。 （（１） 第 」 図 ＩＩ２図 １Ｂ３図 手続補正書（方式） ％式％ １、 事件の表示 特願昭５８−１７７２８７号 ２、 発明の名称 リソグラフィー用マスク構造体 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （１００）キャノン株式会社 ４、代理人 住所 東京都港区虎ノ門五丁目１３番１号虎ノ門４０森
ビル別紙の通り
の断面図であわ、第２図は保持基板の平面図である。 ｌ・・・マスク材、２・・・保持薄膜、３・・・保持基
板。 （（１） 第 」 図 ＩＩ２図 １Ｂ３図 手続補正書（方式） ％式％ １、 事件の表示 特願昭５８−１７７２８７号 ２、 発明の名称 リソグラフィー用マスク構造体 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （１００）キャノン株式会社 ４、代理人 住所 東京都港区虎ノ門五丁目１３番１号虎ノ門４０森
ビル別紙の通り
Claims (2)
- （１）表面に所望のパターンにてマスク材を伺与してな
るマスク材保持薄膜の周辺部を環状保持基板の上端面上
に保持せしめたリソグラフィー用マスク構造体において
、保持基板の少なくとも一部が磁性体によ多構成されて
いることを特徴とする、リソグラフィー用マスク構造体
。 - （２）磁性体が保持基板の環形状に関し実質上対称的に
配置されている、第１項のマスク構造体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58177287A JPS6068340A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体の保持方法 |
| DE19843435178 DE3435178A1 (de) | 1983-09-26 | 1984-09-25 | Gegenstand mit maskenstruktur fuer die lithografie |
| GB8424302A GB2148540A (en) | 1983-09-26 | 1984-09-26 | Lithographic mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58177287A JPS6068340A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体の保持方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6068340A true JPS6068340A (ja) | 1985-04-18 |
| JPH0564454B2 JPH0564454B2 (ja) | 1993-09-14 |
Family
ID=16028384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58177287A Granted JPS6068340A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体の保持方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6068340A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6351633A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-04 | Nec Corp | Ｘ線露光マスク |
| JPS63194331A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-11 | Canon Inc | マスク保持装置 |
| US5656398A (en) * | 1988-09-30 | 1997-08-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of making X-ray mask structure |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57132147A (en) * | 1981-02-09 | 1982-08-16 | Nec Corp | Photomask and its mask handler |
-
1983
- 1983-09-26 JP JP58177287A patent/JPS6068340A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57132147A (en) * | 1981-02-09 | 1982-08-16 | Nec Corp | Photomask and its mask handler |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6351633A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-04 | Nec Corp | Ｘ線露光マスク |
| JPS63194331A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-11 | Canon Inc | マスク保持装置 |
| US5656398A (en) * | 1988-09-30 | 1997-08-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of making X-ray mask structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0564454B2 (ja) | 1993-09-14 |
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