JPS6068341A - リソグラフィ−用マスク構造体 - Google Patents
リソグラフィ−用マスク構造体Info
- Publication number
- JPS6068341A JPS6068341A JP58177288A JP17728883A JPS6068341A JP S6068341 A JPS6068341 A JP S6068341A JP 58177288 A JP58177288 A JP 58177288A JP 17728883 A JP17728883 A JP 17728883A JP S6068341 A JPS6068341 A JP S6068341A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- holding
- mask material
- thin film
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はリソグラフィーにおいて用いられるマスク構造
体に関する。
体に関する。
リソグラフィー技術を用いて被加工材表面を部分的に変
質せしめることにより各種製品を製造することが工業上
特に電子工業の分野において広く利用されておシ、この
方法によればパターンが同一の表面変質部を有する製品
を大量に製造できる。
質せしめることにより各種製品を製造することが工業上
特に電子工業の分野において広く利用されておシ、この
方法によればパターンが同一の表面変質部を有する製品
を大量に製造できる。
被加工材の表面変質は各種エネルギーの照射により行な
われ、この際の・臂ターン形成のため、部分的にエネル
ギー遮断材を配置してなるマスクが用いられる。この様
なマスクとしては、照射エネルギーが可視光の場合には
ガラス又は石英等の透明基板上に黒色の塗料を部分的に
塗布したり又は金属等の可視光不透過性の薄板を部分的
に付与したものが用いられていた。
われ、この際の・臂ターン形成のため、部分的にエネル
ギー遮断材を配置してなるマスクが用いられる。この様
なマスクとしては、照射エネルギーが可視光の場合には
ガラス又は石英等の透明基板上に黒色の塗料を部分的に
塗布したり又は金属等の可視光不透過性の薄板を部分的
に付与したものが用いられていた。
しかるに、近年よシ微細なパターン形成がめられ更によ
り短時間でのリソグラフィー加工がめられるにつれて、
照射エネルギーとしてＸ線更にはイオン線等の粒子線が
用いられる様になってきた。これらのエネルギーは上記
可視光の場合にマスク形成部材として用いられたガラス
板や石英板を通過せしめると大部分吸収される。このた
め、これらエネルギーを用いる場合にはガラス板や石英
板を用いてマスクを形成することは好ましくない。そこ
で、Ｘ線や粒子線を照射エネルギーとして用いるリソグ
ラフィーにおいては各種の無機薄膜たとえばチッ化シリ
コン、チッ化ホウ素又は酸化シリコン等の薄膜、あるい
は各種の有機薄膜たとえばポリイミド、Ｉリアミド又は
ポリエステル等の薄膜、更にはこれらの複合薄膜をエネ
ルギー透過体として用い、とれらの面上に金、白金、ニ
ッケル、／ヤラジウム、ロジウム又はインジウム等の金
属をエネルギー不透過体として部分的に付与することに
より、マスクを形成することが行われている。このマス
クは自己保形性がないので適宜の保持体に支持される。
り短時間でのリソグラフィー加工がめられるにつれて、
照射エネルギーとしてＸ線更にはイオン線等の粒子線が
用いられる様になってきた。これらのエネルギーは上記
可視光の場合にマスク形成部材として用いられたガラス
板や石英板を通過せしめると大部分吸収される。このた
め、これらエネルギーを用いる場合にはガラス板や石英
板を用いてマスクを形成することは好ましくない。そこ
で、Ｘ線や粒子線を照射エネルギーとして用いるリソグ
ラフィーにおいては各種の無機薄膜たとえばチッ化シリ
コン、チッ化ホウ素又は酸化シリコン等の薄膜、あるい
は各種の有機薄膜たとえばポリイミド、Ｉリアミド又は
ポリエステル等の薄膜、更にはこれらの複合薄膜をエネ
ルギー透過体として用い、とれらの面上に金、白金、ニ
ッケル、／ヤラジウム、ロジウム又はインジウム等の金
属をエネルギー不透過体として部分的に付与することに
より、マスクを形成することが行われている。このマス
クは自己保形性がないので適宜の保持体に支持される。
保持体としては通常環状保持基板が用いられる。即ち、
エネルギー吸収性のマスク材を所望の・平ターンにて片
面に付与されたエネルギー透過性の保持薄膜の周辺部を
環状保持基板の一端面に付着せしめることにより、マス
ク構造体が形成されている。
エネルギー吸収性のマスク材を所望の・平ターンにて片
面に付与されたエネルギー透過性の保持薄膜の周辺部を
環状保持基板の一端面に付着せしめることにより、マス
ク構造体が形成されている。
ところで、この様なマスク構造体を用いてリソグラフィ
ーを行うと、マスク材は照射エネルギーを吸収して発熱
する。上記の如き従来の保持薄膜はいずれも熱伝導性が
低いため、マスク材の発熱が続くと保持薄膜は次第に高
温となシ熱膨張する。
ーを行うと、マスク材は照射エネルギーを吸収して発熱
する。上記の如き従来の保持薄膜はいずれも熱伝導性が
低いため、マスク材の発熱が続くと保持薄膜は次第に高
温となシ熱膨張する。
これにより保持薄膜にたるみが発生し平面度が悪くなり
、ひいては加工精度が低下する。更に、この様な熱膨張
と収縮とを繰返すと保持薄膜は疲労劣化して破損するお
それもある。
、ひいては加工精度が低下する。更に、この様な熱膨張
と収縮とを繰返すと保持薄膜は疲労劣化して破損するお
それもある。
本発明は、以上の如き従来技術に鑑み、保持基板にマス
ク材保持薄膜を付着せしめてなるリソグラフィー用マス
ク構造体の熱的安定性を向上させることを目的とする。
ク材保持薄膜を付着せしめてなるリソグラフィー用マス
ク構造体の熱的安定性を向上させることを目的とする。
第１図は本発明によるマスク構造体の一実施例の断面図
である。マスク材１は保持薄膜２の内部に所望のパター
ンにて付与されている。マスク材１としてはたとえば金
、白金、ニッケル、ノやラジウム、ロジウム、インジウ
ム等の０．７μ程度の薄膜が用いられる。保持薄膜２は
熱伝導層２ａを含み、マスク材１は該熱伝導層２ａに接
触して位置せしめられている。熱伝導層２ａは良好な熱
伝導性を有する薄膜であり、たとえば金、銀、銅、アル
ミニウム、ベリリウム、スズ等の金属薄膜が用いられ、
その厚さはたとえば５０〜３０００Ｘである。熱伝導層
２１Ｌとしては金属薄膜以外にケイ素、炭素等の薄膜を
使用することもできる。２ｂは照射エネルギーを透過し
且つ熱伝導層２ａとともにマスク材１を保持するための
層であり、該層２ｂとしてはたとえばチッ化ホウ素、チ
ッ化シリコン、酸化シリコン等の無機薄膜又はポリイミ
ド、ポリアミド、ポリエステル等の有機薄膜が用いられ
、その厚さはたとえば２〜１２μである。保持薄膜２の
周辺部は環状特に円環状の保持基板３に接着されている
。尚、第２図は保持基板３の平面図である。保持基板３
は良好な熱伝導性を有する熱伝導体からなる。この様な
熱伝導体としては鉄、コバルト、ニッケル、タングステ
ン、モリブデン等の金属又はそれらを含む合金たとえば
黄銅、リン青銅等が例示できる。保持基板３の厚さは適
度の剛性を有する限シにおいて特に制限がないが、たと
えば５震である。尚、この保持基板３として鉄、ニッケ
ル、コバルト又はこれらを含む合金類を用いれば、リソ
グラフィー装置への着脱をマグ（５） ネチックチャックにより行うことができる。また、保持
薄膜２の熱伝導層２ａは保持基板３と直接接触している
のが好ましいが、それらの間の熱伝導に大きな影響を与
えない限りにおいて適宜の媒介層を介在せしめてもよい
。
である。マスク材１は保持薄膜２の内部に所望のパター
ンにて付与されている。マスク材１としてはたとえば金
、白金、ニッケル、ノやラジウム、ロジウム、インジウ
ム等の０．７μ程度の薄膜が用いられる。保持薄膜２は
熱伝導層２ａを含み、マスク材１は該熱伝導層２ａに接
触して位置せしめられている。熱伝導層２ａは良好な熱
伝導性を有する薄膜であり、たとえば金、銀、銅、アル
ミニウム、ベリリウム、スズ等の金属薄膜が用いられ、
その厚さはたとえば５０〜３０００Ｘである。熱伝導層
２１Ｌとしては金属薄膜以外にケイ素、炭素等の薄膜を
使用することもできる。２ｂは照射エネルギーを透過し
且つ熱伝導層２ａとともにマスク材１を保持するための
層であり、該層２ｂとしてはたとえばチッ化ホウ素、チ
ッ化シリコン、酸化シリコン等の無機薄膜又はポリイミ
ド、ポリアミド、ポリエステル等の有機薄膜が用いられ
、その厚さはたとえば２〜１２μである。保持薄膜２の
周辺部は環状特に円環状の保持基板３に接着されている
。尚、第２図は保持基板３の平面図である。保持基板３
は良好な熱伝導性を有する熱伝導体からなる。この様な
熱伝導体としては鉄、コバルト、ニッケル、タングステ
ン、モリブデン等の金属又はそれらを含む合金たとえば
黄銅、リン青銅等が例示できる。保持基板３の厚さは適
度の剛性を有する限シにおいて特に制限がないが、たと
えば５震である。尚、この保持基板３として鉄、ニッケ
ル、コバルト又はこれらを含む合金類を用いれば、リソ
グラフィー装置への着脱をマグ（５） ネチックチャックにより行うことができる。また、保持
薄膜２の熱伝導層２ａは保持基板３と直接接触している
のが好ましいが、それらの間の熱伝導に大きな影響を与
えない限りにおいて適宜の媒介層を介在せしめてもよい
。
第３図は本発明によるマスク構造体の他の実施例の断面
図である。この実施例においては、保持基板３が内側層
３ａ及び外側層３ｂからなり、内側層３＆は黄銅であυ
、外側層３ｂは磁性体たとえば鉄である。また、この実
施列においては熱伝導層２ａの周辺部下面が内側層３ａ
に接触しており、周辺部外側面が外側層３ｂに接触して
いる。
図である。この実施例においては、保持基板３が内側層
３ａ及び外側層３ｂからなり、内側層３＆は黄銅であυ
、外側層３ｂは磁性体たとえば鉄である。また、この実
施列においては熱伝導層２ａの周辺部下面が内側層３ａ
に接触しており、周辺部外側面が外側層３ｂに接触して
いる。
第４図は本発明によるマスク構造体の更に他の実施例の
断面図である。この実施例においては、保持基板３が上
側層３Ｃ及び下側層３ｄからなり、上側層３ｃは黄銅で
あり、下側層３ｄは磁性体たとえば鉄である。
断面図である。この実施例においては、保持基板３が上
側層３Ｃ及び下側層３ｄからなり、上側層３ｃは黄銅で
あり、下側層３ｄは磁性体たとえば鉄である。
以上の如き本発明のマスク構造体によれば、リソグラフ
ィー加工時のエネルギー照射によシマス（６） り材に発生する熱は直ちに保持薄膜の熱伝導層を通って
保持基板へと伝達し、これによりマスク構造体は全体的
にわずかに温度が上昇するのみであり、局部発熱による
劣化は生じにくい。
ィー加工時のエネルギー照射によシマス（６） り材に発生する熱は直ちに保持薄膜の熱伝導層を通って
保持基板へと伝達し、これによりマスク構造体は全体的
にわずかに温度が上昇するのみであり、局部発熱による
劣化は生じにくい。
第１図は本発明によるマスク構造体の断面図であり、第
２図はその保持基板の平面図である。第３図及び第４図
はいずれも本発明によるマスク構造体の断面図である。 Ｉ：マスク材 ２二保持薄膜 ２ａ：熱伝導層３：保持
基板 （７） 第 １ 図 第２図 第３図 ０ 第 ４ 図 手続補正書（方式） ％式％ １、 事件の表示 特願昭５８−１７７２８８号 ２、 発明の名称 リソグラフィー用マスク構造体 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （１００）キャノン株式会社 ４、代理人
２図はその保持基板の平面図である。第３図及び第４図
はいずれも本発明によるマスク構造体の断面図である。 Ｉ：マスク材 ２二保持薄膜 ２ａ：熱伝導層３：保持
基板 （７） 第 １ 図 第２図 第３図 ０ 第 ４ 図 手続補正書（方式） ％式％ １、 事件の表示 特願昭５８−１７７２８８号 ２、 発明の名称 リソグラフィー用マスク構造体 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （１００）キャノン株式会社 ４、代理人
Claims (1)
- （１） 所望の・母ターンにてマスク材を付与してなる
マスク材保持薄膜の周辺部を環状保持基板の上端面上に
保持せしめたリソグラフィー用マスク構造体において、
マスク材保持薄膜が熱伝導層を有し、該熱伝導層が熱伝
導上実質的に熱伝導性保持基板に接触していることを特
徴とする、リソグラフィー用マスク構造体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58177288A JPS6068341A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | リソグラフィ−用マスク構造体 |
| DE19843435178 DE3435178A1 (de) | 1983-09-26 | 1984-09-25 | Gegenstand mit maskenstruktur fuer die lithografie |
| GB8424302A GB2148540A (en) | 1983-09-26 | 1984-09-26 | Lithographic mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58177288A JPS6068341A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | リソグラフィ−用マスク構造体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6068341A true JPS6068341A (ja) | 1985-04-18 |
Family
ID=16028400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58177288A Pending JPS6068341A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | リソグラフィ−用マスク構造体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6068341A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02310A (ja) * | 1987-12-29 | 1990-01-05 | Canon Inc | Ｘ線用マスクとそれを用いた露光方法 |
| WO2012172684A1 (ja) | 2011-06-17 | 2012-12-20 | 三菱電機株式会社 | ヒートポンプ装置、空気調和機および冷凍機 |
| WO2013102999A1 (ja) | 2012-01-04 | 2013-07-11 | 三菱電機株式会社 | ヒートポンプ装置、空気調和機および冷凍機 |
| WO2013157074A1 (ja) | 2012-04-16 | 2013-10-24 | 三菱電機株式会社 | ヒートポンプ装置、空気調和機および冷凍機 |
| WO2014002251A1 (ja) | 2012-06-29 | 2014-01-03 | 三菱電機株式会社 | ヒートポンプ装置、ヒートポンプシステム、空気調和機および冷凍機 |
| US9496816B2 (en) | 2009-12-17 | 2016-11-15 | Mitsubishi Electric Corporation | Air conditioner controlling prheating power of compressor and mechanism providing preheating power for compressor |
| US9543887B2 (en) | 2010-10-15 | 2017-01-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Heat pump device, heat pump system, and method for controlling three-phase inverter |
-
1983
- 1983-09-26 JP JP58177288A patent/JPS6068341A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02310A (ja) * | 1987-12-29 | 1990-01-05 | Canon Inc | Ｘ線用マスクとそれを用いた露光方法 |
| US9496816B2 (en) | 2009-12-17 | 2016-11-15 | Mitsubishi Electric Corporation | Air conditioner controlling prheating power of compressor and mechanism providing preheating power for compressor |
| US9543887B2 (en) | 2010-10-15 | 2017-01-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Heat pump device, heat pump system, and method for controlling three-phase inverter |
| WO2012172684A1 (ja) | 2011-06-17 | 2012-12-20 | 三菱電機株式会社 | ヒートポンプ装置、空気調和機および冷凍機 |
| WO2013102999A1 (ja) | 2012-01-04 | 2013-07-11 | 三菱電機株式会社 | ヒートポンプ装置、空気調和機および冷凍機 |
| WO2013157074A1 (ja) | 2012-04-16 | 2013-10-24 | 三菱電機株式会社 | ヒートポンプ装置、空気調和機および冷凍機 |
| WO2014002251A1 (ja) | 2012-06-29 | 2014-01-03 | 三菱電機株式会社 | ヒートポンプ装置、ヒートポンプシステム、空気調和機および冷凍機 |
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