JPS63194332A - リソグラフイ−用マスク構造体およびリソグラフイ−法 - Google Patents
リソグラフイ−用マスク構造体およびリソグラフイ−法Info
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- JPS63194332A JPS63194332A JP62026459A JP2645987A JPS63194332A JP S63194332 A JPS63194332 A JP S63194332A JP 62026459 A JP62026459 A JP 62026459A JP 2645987 A JP2645987 A JP 2645987A JP S63194332 A JPS63194332 A JP S63194332A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、リソグラフィー用マスク構造体およびリソグ
ラフィー法に関する。
ラフィー法に関する。
[従来の技術]
リソグラフィーは、照射エネルギーをマスクを通して感
光性材料に照射し、マスク上に予め形成されたパターン
を感光性材料に投影する方法である。このようなリソグ
ラフィーのうち例えばX線リソグラフィーは、X線固有
の直進性、非干渉性、低回折性等に基づき、これまでの
可視光や紫外光によるリソグラフィーよりイ憂れた多く
の点を持っており、サブミクロンリソグラフィーの有力
な手段としてt1目されつつある。
光性材料に照射し、マスク上に予め形成されたパターン
を感光性材料に投影する方法である。このようなリソグ
ラフィーのうち例えばX線リソグラフィーは、X線固有
の直進性、非干渉性、低回折性等に基づき、これまでの
可視光や紫外光によるリソグラフィーよりイ憂れた多く
の点を持っており、サブミクロンリソグラフィーの有力
な手段としてt1目されつつある。
X線リソグラフィーは可視光や紫外光によるリソグラフ
ィーに比較して多くの優位点を持ちながらも、X線源の
パワー不足、レジストの低感度、アライメントの困難さ
、マスク材料の選定および加工方法の困難さ等から、生
産性が低く、コストが高いという欠点があり、実用化が
遅れている。
ィーに比較して多くの優位点を持ちながらも、X線源の
パワー不足、レジストの低感度、アライメントの困難さ
、マスク材料の選定および加工方法の困難さ等から、生
産性が低く、コストが高いという欠点があり、実用化が
遅れている。
その中でX線リソグラフィー用マスクを取上げてみると
、可視光および紫外光リソグラフィーでは、マスク材保
持体(すなわち光線透過体)としてガラス板および石英
板が利用されてきたが、X線リソグラフィーにおいては
利用できる光線の波長が1〜200人とされており、こ
れまでのガラス板や石英板はこのX線波長域での吸収が
大きく且つ厚さも1〜2mmと厚くせざるを得ないため
x fsを充分に透過させないので、これらはX線リソ
グラフィー用マスク材保持体の材料としては不適である
。
、可視光および紫外光リソグラフィーでは、マスク材保
持体(すなわち光線透過体)としてガラス板および石英
板が利用されてきたが、X線リソグラフィーにおいては
利用できる光線の波長が1〜200人とされており、こ
れまでのガラス板や石英板はこのX線波長域での吸収が
大きく且つ厚さも1〜2mmと厚くせざるを得ないため
x fsを充分に透過させないので、これらはX線リソ
グラフィー用マスク材保持体の材料としては不適である
。
第10図は、従来のマスクの断面図である。X線透過率
は一般に物質の密度に依存するため、X線リソグラフィ
ー用マスク材保持体(即ちX線透過材)2の材料として
密度の低い無機物や有機物が検討されつつある。このよ
うな材料としては、−例えばベリリウム(Be)、チタ
ン(T i ) 、ケイ素(St)、ホウ素(B)の単
体およびそれらの化合物等の無機物、またはポリイミド
、ポリアミド、ポリエステル、パリレン等の有機物が挙
げられる。
は一般に物質の密度に依存するため、X線リソグラフィ
ー用マスク材保持体(即ちX線透過材)2の材料として
密度の低い無機物や有機物が検討されつつある。このよ
うな材料としては、−例えばベリリウム(Be)、チタ
ン(T i ) 、ケイ素(St)、ホウ素(B)の単
体およびそれらの化合物等の無機物、またはポリイミド
、ポリアミド、ポリエステル、パリレン等の有機物が挙
げられる。
これらの物質をX線リソグラフィー用マスク材保持体の
材料として実際に用いるためには、X線透過量をできる
だけ大きくするためにマスク材保持膜として薄膜化する
ことが必要であり、無機物の場合で数μm以下、有機物
の場合で数十μm以下の厚さに形成することが要求され
ている。このためこのマスクには自己保形性がないので
、適宜、フレーム3に持着される。通常、このフレーム
3として環状支持基板を用いることによりマスク構造体
が形成される。
材料として実際に用いるためには、X線透過量をできる
だけ大きくするためにマスク材保持膜として薄膜化する
ことが必要であり、無機物の場合で数μm以下、有機物
の場合で数十μm以下の厚さに形成することが要求され
ている。このためこのマスクには自己保形性がないので
、適宜、フレーム3に持着される。通常、このフレーム
3として環状支持基板を用いることによりマスク構造体
が形成される。
一方、以上のようなマスク材保持薄膜上に保持されるX
線リソグラフィー用マスク材1(即ちX線吸収体)は、
一般に密度の高い物質例えば金、白金、タングステン、
タンタル、銅、ニッケル等の薄膜、望ましくは0.5〜
1μm厚の薄膜からなるものが好ましい。このようなマ
スク材は、例えば上記のようなX線を透過するマスク材
保持薄膜上に一様に上記高密度物質の薄膜を形成した後
、レジストを塗布し、該レジストに電子ビーム、光等に
より所望のパターン描画を行ない、しかる後にエツチン
グ等の手段を用いて所望パターンに作成される。
線リソグラフィー用マスク材1(即ちX線吸収体)は、
一般に密度の高い物質例えば金、白金、タングステン、
タンタル、銅、ニッケル等の薄膜、望ましくは0.5〜
1μm厚の薄膜からなるものが好ましい。このようなマ
スク材は、例えば上記のようなX線を透過するマスク材
保持薄膜上に一様に上記高密度物質の薄膜を形成した後
、レジストを塗布し、該レジストに電子ビーム、光等に
より所望のパターン描画を行ない、しかる後にエツチン
グ等の手段を用いて所望パターンに作成される。
[発明が解決しようとする問題点]
ところで、X線に限らずこのようなリソグラフィーを行
なう際には、マスクが照射エネルギーを吸収して熱膨張
等の熱変形を起こすという問題点があった。このため、
X線吸収体等のマスク材で形成されたマスクパターンの
位置ずれを起こすおそれもあり、高精度マスクとしては
ふされしくなかった。
なう際には、マスクが照射エネルギーを吸収して熱膨張
等の熱変形を起こすという問題点があった。このため、
X線吸収体等のマスク材で形成されたマスクパターンの
位置ずれを起こすおそれもあり、高精度マスクとしては
ふされしくなかった。
本発明は、上述の従来形の問題点に鑑み、リソグラフィ
ー用マスク構造体の熱的安定性を向上させ、マスク材保
持薄膜であるマスクメンブレン内に描かれである回路パ
ターンの所定寸法を維持して、高精度のリソグラフィー
を可能とするリソグラフィー用マスク構造体およびリソ
グラフィー法を提供することを目的とする。
ー用マスク構造体の熱的安定性を向上させ、マスク材保
持薄膜であるマスクメンブレン内に描かれである回路パ
ターンの所定寸法を維持して、高精度のリソグラフィー
を可能とするリソグラフィー用マスク構造体およびリソ
グラフィー法を提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段および作用]上記の目的
を達成するため、本発明は、所望のパターンにて照射エ
ネルギー吸収材(マスク材)を付与してなる照射エネル
ギー透過膜Sマスク材保持膜)の周辺部を環状支持基板
(フレーム)の一端面上に接着せしめたリソグラフィー
用マスク構造体において、支持基板の温度を一定にする
ことによって透過膜の寸法制御を行なうことを特徴とす
る。
を達成するため、本発明は、所望のパターンにて照射エ
ネルギー吸収材(マスク材)を付与してなる照射エネル
ギー透過膜Sマスク材保持膜)の周辺部を環状支持基板
(フレーム)の一端面上に接着せしめたリソグラフィー
用マスク構造体において、支持基板の温度を一定にする
ことによって透過膜の寸法制御を行なうことを特徴とす
る。
即ち本発明者等は、まずX線透過膜2が張力をもって支
持基板(支持体)3に保持されている従来のマスク(第
10図)を用いて温度差によるX線透過膜2の位置ずれ
を測定した。第11図は、その測定結果を示すグラフで
ある。第11図の結果から、X線透過膜2の熱膨張率を
以下の式を用いて計算した。
持基板(支持体)3に保持されている従来のマスク(第
10図)を用いて温度差によるX線透過膜2の位置ずれ
を測定した。第11図は、その測定結果を示すグラフで
ある。第11図の結果から、X線透過膜2の熱膨張率を
以下の式を用いて計算した。
(Xtはt’cにおける長さ)
ここでは35℃と5℃の測定を行なったので、io:x
、とおき計算した。その結果、X線透過膜の熱膨張率は
第1表のようになり、第2表と比べるとX線透過膜2の
熱膨張は支持基板3の熱膨張に依存することが判明した
。
、とおき計算した。その結果、X線透過膜の熱膨張率は
第1表のようになり、第2表と比べるとX線透過膜2の
熱膨張は支持基板3の熱膨張に依存することが判明した
。
第1表 X線透過膜の熱膨張率測定値
第2表 フレーム材の熱膨張率
以上より上述した目的は、照射エネルギーによる支持基
板の温度変化を制御し、この温度を一定にすることによ
ってX線等の照射エネルギーを透過する膜であるマスク
材保持膜の寸法を制御することを特徴とする本発明のリ
ソグラフィー用マスク構造体によって達成されるのであ
る。
板の温度変化を制御し、この温度を一定にすることによ
ってX線等の照射エネルギーを透過する膜であるマスク
材保持膜の寸法を制御することを特徴とする本発明のリ
ソグラフィー用マスク構造体によって達成されるのであ
る。
[実施例コ
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明の第1の実施例に係るリングラフイー
用マスク構造体の断面図である。本実施例のマスク構造
体は、X線リソグラフィー用のマスク構造体である。
用マスク構造体の断面図である。本実施例のマスク構造
体は、X線リソグラフィー用のマスク構造体である。
同図において、X線吸収体1はX線透過@(マスク材保
持膜)2上に所望のパターンにて形成される。X線吸収
体1としては、例えばX線吸収率の高い金属である金、
白金、タンタル、タングステン、パラジウム、ロジウム
、インジウム、ニッケル等の0.5〜1μm程度の薄膜
が用いられる。
持膜)2上に所望のパターンにて形成される。X線吸収
体1としては、例えばX線吸収率の高い金属である金、
白金、タンタル、タングステン、パラジウム、ロジウム
、インジウム、ニッケル等の0.5〜1μm程度の薄膜
が用いられる。
X線透過膜2としては、例えばX線透過率の良いポリイ
ミド、ポリアミド、ポリエステル、パリレン等の有機薄
膜や窒化ホウ素、窒化シリコン、窒化アルミ、シリコン
カーバイド、チタン等の無機薄膜とこれらの複合膜が用
いられる。X線透過膜2は張力をもって支持基板3に保
持されている。
ミド、ポリアミド、ポリエステル、パリレン等の有機薄
膜や窒化ホウ素、窒化シリコン、窒化アルミ、シリコン
カーバイド、チタン等の無機薄膜とこれらの複合膜が用
いられる。X線透過膜2は張力をもって支持基板3に保
持されている。
支持基板3としては良好な熱伝導率を有する鉄、ニッケ
ル、コバルト、黄銅、タングステン、モリブデン等の金
属、またはその合金類、熱膨張率の低いパイレックスガ
ラス、石英等が用いられる。支持基板3には絶縁体4を
介在し、電気抵抗体膜5が形成されている。絶縁体4と
しては薄膜でも充分な抵抗値を示す有機物であるポリイ
ミド、ポリアミド、ポリエステル、テフロン等およびグ
ラスウール、石綿等が熱を充分に伝導する厚さ1〜10
0μmで用いられる。また、電気抵抗体膜5は主にヒー
タとして使用され、N i、 A u %ニクロム等の
金属類または酸化インジウム、酸化銀等が用いられる。
ル、コバルト、黄銅、タングステン、モリブデン等の金
属、またはその合金類、熱膨張率の低いパイレックスガ
ラス、石英等が用いられる。支持基板3には絶縁体4を
介在し、電気抵抗体膜5が形成されている。絶縁体4と
しては薄膜でも充分な抵抗値を示す有機物であるポリイ
ミド、ポリアミド、ポリエステル、テフロン等およびグ
ラスウール、石綿等が熱を充分に伝導する厚さ1〜10
0μmで用いられる。また、電気抵抗体膜5は主にヒー
タとして使用され、N i、 A u %ニクロム等の
金属類または酸化インジウム、酸化銀等が用いられる。
支持基板3の中には管6が設けられ、流体7が通され主
に冷却の作用を行なう。流体7としては液体または気体
のどちらでもかまわないが、主に水、ヘリウムまたは窒
素が用いられるつ管6は流体7によって決められるが、
ステンレス、真鍮、銅等が用いられる。8は電気抵抗体
5に電流を供給するためのリード線であり、9は支持基
板3の温度を検知する温度センサであり、最も安定であ
る白金測温抵抗体(制御幅±0.0001℃)等を用い
る。
に冷却の作用を行なう。流体7としては液体または気体
のどちらでもかまわないが、主に水、ヘリウムまたは窒
素が用いられるつ管6は流体7によって決められるが、
ステンレス、真鍮、銅等が用いられる。8は電気抵抗体
5に電流を供給するためのリード線であり、9は支持基
板3の温度を検知する温度センサであり、最も安定であ
る白金測温抵抗体(制御幅±0.0001℃)等を用い
る。
管6は第2図(a)のようにフレキシブルバイブ11等
を用いて接続される。流体供給装置12との間の結合部
13における取付けおよび取りはずしは、第2図(b)
または(C)のように真空吸着力または電磁力を用いて
行なわれる。電気抵抗体膜5も第3図(a)のように電
源14と接続される。その接続部15における取付けお
よび取りはずしも、第3図(b)または(C)のように
真空吸着力または電磁力を用いて接続される。パイプの
数やリード線の数は制御する温度幅によって自由に変え
ることができる。
を用いて接続される。流体供給装置12との間の結合部
13における取付けおよび取りはずしは、第2図(b)
または(C)のように真空吸着力または電磁力を用いて
行なわれる。電気抵抗体膜5も第3図(a)のように電
源14と接続される。その接続部15における取付けお
よび取りはずしも、第3図(b)または(C)のように
真空吸着力または電磁力を用いて接続される。パイプの
数やリード線の数は制御する温度幅によって自由に変え
ることができる。
第4図は、支持基板であるマスクフレームの温度の制御
ブロック図である。本ブロック図に示すように、マスク
フレームの温度は温度センサにより検出さ゛れ、その結
果がフィードバックされる。
ブロック図である。本ブロック図に示すように、マスク
フレームの温度は温度センサにより検出さ゛れ、その結
果がフィードバックされる。
そして、温度センサの検出結果より制御部がヒータまた
は冷却管を動作させる。これによりマスクフレームの温
度は予め設定されているフレーム設定温度になるよう制
御されるのである。
は冷却管を動作させる。これによりマスクフレームの温
度は予め設定されているフレーム設定温度になるよう制
御されるのである。
第5図は、本発明の第2の実施例に係るリソグラフィー
用マスク構造体であり、流体7の温度を変化させること
によって支持基板3の温度を一定にするものである。
用マスク構造体であり、流体7の温度を変化させること
によって支持基板3の温度を一定にするものである。
第す図は、本発明の第3の実施例に係るリソグラフィー
用マスク構造体であり、第2の実施例の改良例である。
用マスク構造体であり、第2の実施例の改良例である。
これは管6が支持基板3を兼ねるものである。
第7図は、本発明の第4の実施例に係るリソグラフィー
用マスク構造体であり、マスクチャックlOを第1の実
施例と同様に温度制御することにより、支持基板3の温
度を一定にするものである。
用マスク構造体であり、マスクチャックlOを第1の実
施例と同様に温度制御することにより、支持基板3の温
度を一定にするものである。
磁石11により支持基板3はマスクチャック10にチャ
ッキングされる。
ッキングされる。
第8図は、本発明の第5の実施例に係るリソグラフィー
用マスク構造体の断面図であり、第9図は平面図である
。マスクチャック10には流体7を流す管6がフレキシ
ブルパイプとなりつながれている。従フて、上記第4の
実施例と同様にマスクチャック10の温度を制御するこ
とにより、支持基板3の温度を一定とすることができる
。
用マスク構造体の断面図であり、第9図は平面図である
。マスクチャック10には流体7を流す管6がフレキシ
ブルパイプとなりつながれている。従フて、上記第4の
実施例と同様にマスクチャック10の温度を制御するこ
とにより、支持基板3の温度を一定とすることができる
。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、照射エネルギー
による支持基板の温度変化を制御し、この温度を一定に
することによってマスク材保持膜の寸法を制御している
ので、リソグラフィー用マスク構造体の熱的安定性を向
上させ、マスク材保持薄膜内に描かれたパターンの所定
寸法を維持して、高精度のリソグラフィーを可能とする
効果がある。
による支持基板の温度変化を制御し、この温度を一定に
することによってマスク材保持膜の寸法を制御している
ので、リソグラフィー用マスク構造体の熱的安定性を向
上させ、マスク材保持薄膜内に描かれたパターンの所定
寸法を維持して、高精度のリソグラフィーを可能とする
効果がある。
第1図〜第9図は、本発明の実施例、
第10図は、従来のマスクの断面図、
第11図は、熱による膜の移動量の測定結果である。
1:X線吸収材、
2:X線透過膜、
3:支持基板、
4:絶縁体、
5:霊気抵抗体膜、
6:管、
フ:流体、
8:リード線、
9:温度センサ、
10:マスクチャック、
ll:磁石。
特許出願人 キャノン株式会社
代理人 弁理士 伊 東 辰 雄
代理人 弁理士 伊 東 哲 也
第5図
第6図
第10図
し々レン又 レングス(mm) (15坤)0】Cフ
L−ム】4本才判考)x、棉縫 第11図
L−ム】4本才判考)x、棉縫 第11図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、表面に所望のパターンにてマスク材を付与すべきマ
スク材保持膜の周辺部を環状支持基板の端面上に接着せ
しめたX線リソグラフィー用マスク構造体の該支持基板
の温度を制御する手段を備えることを特徴とするリソグ
ラフィー用マスク構造体。 2、前記温度制御手段が、前記支持基板の温度検出手段
と前記支持基板を加熱するヒータおよび冷却する冷却流
体供給手段とを含み、前記支持基板の温度を所定の設定
温度とする特許請求の範囲第1項記載のリソグラフィー
用マスク構造体。 3、前記温度制御手段が、流体供給手段により前記支持
基板内部に供給する流体の温度を変化させることにより
前記支持基板の温度を一定とするものである特許請求の
範囲第1項記載のリソグラフィー用マスク構造体。 4、前記流体供給手段が、支持基板を兼ねている特許請
求の範囲第3項記載のリソグラフィー用マスク構造体。 5、照射エネルギーをマスクを通して感光性材料に照射
し該マスクのマスク材保持膜上に予め形成されたパター
ンを該感光性材料に投影するリソグラフィーの該マスク
材保持膜をその周辺部において接着する環状支持基板の
温度を一定にすることによって該マスク材保持膜の寸法
制御を行なうことを特徴とするリソグラフィー法。 6、前記環状支持基板の温度制御が、前記マスクをチャ
ッキングするマスクチャックを温度制御することにより
行なわれる特許請求の範囲第5項記載のリソグラフィー
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62026459A JPS63194332A (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | リソグラフイ−用マスク構造体およびリソグラフイ−法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62026459A JPS63194332A (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | リソグラフイ−用マスク構造体およびリソグラフイ−法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63194332A true JPS63194332A (ja) | 1988-08-11 |
Family
ID=12194091
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62026459A Pending JPS63194332A (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | リソグラフイ−用マスク構造体およびリソグラフイ−法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63194332A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0567562A (ja) * | 1991-03-28 | 1993-03-19 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 倍率可変型マスク |
EP1120690A2 (en) * | 1999-12-27 | 2001-08-01 | Svg Lithography Systems, Inc. | EUV reticle thermal management |
EP1376239A2 (en) * | 2002-06-25 | 2004-01-02 | Nikon Corporation | Cooling device for an optical element |
-
1987
- 1987-02-09 JP JP62026459A patent/JPS63194332A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0567562A (ja) * | 1991-03-28 | 1993-03-19 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 倍率可変型マスク |
EP1120690A2 (en) * | 1999-12-27 | 2001-08-01 | Svg Lithography Systems, Inc. | EUV reticle thermal management |
EP1120690A3 (en) * | 1999-12-27 | 2004-12-15 | Svg Lithography Systems, Inc. | EUV reticle thermal management |
EP1376239A2 (en) * | 2002-06-25 | 2004-01-02 | Nikon Corporation | Cooling device for an optical element |
EP1376239A3 (en) * | 2002-06-25 | 2005-06-29 | Nikon Corporation | Cooling device for an optical element |
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