JPS6132425A - Ｘ線露光マスク - Google Patents
Ｘ線露光マスクInfo
- Publication number
- JPS6132425A JPS6132425A JP15364584A JP15364584A JPS6132425A JP S6132425 A JPS6132425 A JP S6132425A JP 15364584 A JP15364584 A JP 15364584A JP 15364584 A JP15364584 A JP 15364584A JP S6132425 A JPS6132425 A JP S6132425A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- ray
- diamond
- substrate
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 22
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 8
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- -1 5INx Substances 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000003287 bathing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、倣細パターンの高精度転写技術として注目さ
れているＸ線露光法に於いて用いられるＸａ露光マスク
およびその製造方法に関するものである。
れているＸ線露光法に於いて用いられるＸａ露光マスク
およびその製造方法に関するものである。
（従来技術とその問題点）
ＸＩＩｍ露光マスクは、従来Ｘ線吸収体パターンの支持
基板として、例えばＰ Ｓｌ 、 ５１ｓＮ４ 、５１
ｇＮ４／Ｓｉｎ、 ／ ５ＩＮｘ三層膜、 Ａｌｌ０．
、 ＢＮ、 ＳｉＣ及び５ＩＮｘ等の無機材料から成
る薄膜や、ポリイミド。
基板として、例えばＰ Ｓｌ 、 ５１ｓＮ４ 、５１
ｇＮ４／Ｓｉｎ、 ／ ５ＩＮｘ三層膜、 Ａｌｌ０．
、 ＢＮ、 ＳｉＣ及び５ＩＮｘ等の無機材料から成
る薄膜や、ポリイミド。
カプトン、パリレン等の有機高分子薄膜、若しくは上記
薄膜の組み合せによる複合膜を用いたものが知られてい
る。ところが、上記薄膜の中、Ｐ Ｓｌ 。
薄膜の組み合せによる複合膜を用いたものが知られてい
る。ところが、上記薄膜の中、Ｐ Ｓｌ 。
ＳｉＣ及びＢＮは可視光に対する透明度が低く、光大き
く、熱膨張によるマスクパターンの位置ずれが大きいと
いう欠点がある。またＳｔ、Ｎ、は、内部応力が大きい
為、実用上必要な寸法の薄膜基板を形成することが困難
であり、Ｓｉ３Ｎ４ ／ ５ｉｆｔ／５１ｍＮ４三層膜
は、製造工程が複雑で実用的でない。
く、熱膨張によるマスクパターンの位置ずれが大きいと
いう欠点がある。またＳｔ、Ｎ、は、内部応力が大きい
為、実用上必要な寸法の薄膜基板を形成することが困難
であり、Ｓｉ３Ｎ４ ／ ５ｉｆｔ／５１ｍＮ４三層膜
は、製造工程が複雑で実用的でない。
５ｉＮＸは、プラズマＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法で、成膜
条件を適当に制御することにより、ＳｉとＮの化学当量
比をＳｉ、Ｎ、に比べて大きくしたものであるが、適度
の引張シ応力を持ち、可視光に対する透明度も高く、Ｓ
ｉに近い熱膨張率と優れた耐薬品性を有する等、Ｘ線露
光マスク基板として要求される特性を比較的良く満足し
ている。
条件を適当に制御することにより、ＳｉとＮの化学当量
比をＳｉ、Ｎ、に比べて大きくしたものであるが、適度
の引張シ応力を持ち、可視光に対する透明度も高く、Ｓ
ｉに近い熱膨張率と優れた耐薬品性を有する等、Ｘ線露
光マスク基板として要求される特性を比較的良く満足し
ている。
ところが、ＳｉＮｘ膜は、熱伝導率が約０．０３〜Ｑ、
０７ ａｄ−７ｃｍ・池・℃と小さい為、ｘｖｉｍ光
工程に於けるマスク基板の熱膨張による転写パターンの
位置ずれが大きｂという欠点を有する。上記の問題は、
現在サブミクロンレベルの倣細パターンの重ね合せ露光
全必要とするデバイスプロセスに於いて支障となってい
るが、Ｘ線源として、プラズマ励起型高輝度パルスＸ線
等を用いた場合には、より重大な障害となることが明ら
かである。
０７ ａｄ−７ｃｍ・池・℃と小さい為、ｘｖｉｍ光
工程に於けるマスク基板の熱膨張による転写パターンの
位置ずれが大きｂという欠点を有する。上記の問題は、
現在サブミクロンレベルの倣細パターンの重ね合せ露光
全必要とするデバイスプロセスに於いて支障となってい
るが、Ｘ線源として、プラズマ励起型高輝度パルスＸ線
等を用いた場合には、より重大な障害となることが明ら
かである。
（発明の目的）
本発明は、このような従来のＸ線露光マスクの欠点を一
掃し、サブミクロンレベルの超微細パターンの高精度転
写を可能くする実用Ｘ線露光ｉスクを提供するものであ
る。
掃し、サブミクロンレベルの超微細パターンの高精度転
写を可能くする実用Ｘ線露光ｉスクを提供するものであ
る。
（発明の構成）
本発明のＸ線露光マスクは、重金属から成るＸ線吸収体
パターンの支持基板として、有機高分子薄膜とダイヤモ
ンド若しくはダイヤモンド状炭素薄膜との積層膜を用い
、この積層膜の周辺をＳｉ単結晶基板若しくは石英等の
補強支持枠に固定したことを特徴とするものである。
パターンの支持基板として、有機高分子薄膜とダイヤモ
ンド若しくはダイヤモンド状炭素薄膜との積層膜を用い
、この積層膜の周辺をＳｉ単結晶基板若しくは石英等の
補強支持枠に固定したことを特徴とするものである。
（構成の詳細な説明）
本発明は、先ずＸ線露光時に於けるＸ線露光マスクの温
度上昇を極力小さく抑える為、有機材料の中にあって金
属並みの高い熱伝導率を有ししかも可視光に対する透明
度の高いダイヤモンド膜若しくはダイヤモンド状炭素膜
を、Ｘ線吸収体パターン支持膜の基体とし、この薄膜上
には、表面を平坦化する為と前記ダイヤモンドあるいは
ダイヤモンド状炭素膜の補強としてポリイミド等の有機
高分子膜を約１μｍ以下μｍの厚さに塗布し、加熱硬化
させた。更に上記積層膜の補強支持枠には、熱膨張係数
がダイヤモンド膜（約１．０Ｘ１０７℃）のそれと同程
度に小さい５ｔ（２，５ｘｌＯ７℃）又は石英（５Ｘ１
０−’／１：：）若しくはポロシリク−トガラス（３３
Ｘ１０７℃）を用い、温度上昇の影響を極力小さくする
構造とした。
度上昇を極力小さく抑える為、有機材料の中にあって金
属並みの高い熱伝導率を有ししかも可視光に対する透明
度の高いダイヤモンド膜若しくはダイヤモンド状炭素膜
を、Ｘ線吸収体パターン支持膜の基体とし、この薄膜上
には、表面を平坦化する為と前記ダイヤモンドあるいは
ダイヤモンド状炭素膜の補強としてポリイミド等の有機
高分子膜を約１μｍ以下μｍの厚さに塗布し、加熱硬化
させた。更に上記積層膜の補強支持枠には、熱膨張係数
がダイヤモンド膜（約１．０Ｘ１０７℃）のそれと同程
度に小さい５ｔ（２，５ｘｌＯ７℃）又は石英（５Ｘ１
０−’／１：：）若しくはポロシリク−トガラス（３３
Ｘ１０７℃）を用い、温度上昇の影響を極力小さくする
構造とした。
（実施列）
以下本発明の実施列金、図面を参照しながら詳細に説明
する。
する。
第１図（ａ）から（ｄ）は本発明の第１の実施例の製造
工程を順次示す複式断面図である。
工程を順次示す複式断面図である。
先ず第１図（ａ）に示すように（１００）Ｓｉ単結晶基
板１１の一表面上ＫＣＶＤ法等の方法によシ数百＾ない
し数千＾厚のシリコン窒化膜を堆積し、通常の光学露光
法及びドライエ、チング法を用いて前記シリコン窒化膜
を所望の形状１２にパターニングする。
板１１の一表面上ＫＣＶＤ法等の方法によシ数百＾ない
し数千＾厚のシリコン窒化膜を堆積し、通常の光学露光
法及びドライエ、チング法を用いて前記シリコン窒化膜
を所望の形状１２にパターニングする。
次に、Ｓｉ単結晶基板１１の他方の表面上にＣＨ。
及びＨ，ガスを用いた高温ＣＶＤ法着しくけプラズマＣ
ＶＤ法又はＣＨ４ガスを用いたイオン化蒸着法等によシ
、数千大ないし数μｍ厚のダイヤモンド膜又はダイヤモ
ンド状炭素膜１３を形成する。上記各成膜方法に於いて
、基板温度９反応ガス流量。
ＶＤ法又はＣＨ４ガスを用いたイオン化蒸着法等によシ
、数千大ないし数μｍ厚のダイヤモンド膜又はダイヤモ
ンド状炭素膜１３を形成する。上記各成膜方法に於いて
、基板温度９反応ガス流量。
真空度、ＲＦパワー等の条件は、各成膜装置に応じて、
適正な条件を設定する。
適正な条件を設定する。
例えば両温ＣＶＤ装置に於いては、基板温度を約１００
０℃、 ＣＨ，とＨ３の流量比を１／１ｏないし”／’
ａｏ−ガス総流量を約１００ないし３００ＳＣＣＭ。
０℃、 ＣＨ，とＨ３の流量比を１／１ｏないし”／’
ａｏ−ガス総流量を約１００ないし３００ＳＣＣＭ。
真空度を約１〜１０’ｌ’ｏｒｒとすることにより、Ｓ
ｉ基板上に多結晶ダイヤモンド膜が形成される。上記薄
膜は、可視光に対する透明度が高く、化学的には極めて
安定であり、硬度は天然ダイヤモンドに近い値を有して
いる。但し、表面には、数百大ないし数千大の凹凸が生
ずるので、数千大ないし数μｍ厚のポリイミド膜１４を
スピンコードし、加熱硬化して表面を平坦化させる（第
１図の））。このポリイミド膜１４は、表面を平坦化さ
せて、サブミクロンレベルの微細Ｘ線吸収体パターンの
形成を可能にするばかりでなく、前記ダイヤモンド膜１
３ｔ−補強する効果もあるが、一方熱放散性を低下させ
るので、膜厚は約１μｍ以下であることが望ましい。
ｉ基板上に多結晶ダイヤモンド膜が形成される。上記薄
膜は、可視光に対する透明度が高く、化学的には極めて
安定であり、硬度は天然ダイヤモンドに近い値を有して
いる。但し、表面には、数百大ないし数千大の凹凸が生
ずるので、数千大ないし数μｍ厚のポリイミド膜１４を
スピンコードし、加熱硬化して表面を平坦化させる（第
１図の））。このポリイミド膜１４は、表面を平坦化さ
せて、サブミクロンレベルの微細Ｘ線吸収体パターンの
形成を可能にするばかりでなく、前記ダイヤモンド膜１
３ｔ−補強する効果もあるが、一方熱放散性を低下させ
るので、膜厚は約１μｍ以下であることが望ましい。
次に、前記ポリイミド膜１４上にＡｕ、ｐｔ、Ｗ等の重
金属から成る任意のＸ線吸収体パターン１５を、例えば
選択メッキ法、イオンミリング法若しくは反応性スバ、
タエ、チング法等の方法によ多形成する。（第１図（Ｃ
）） 最後に前記Ｓｉ単結晶基板１１の一部を、先に形成した
シリコン窒化膜パターン１２を保護膜にして、水酸化カ
リウム水溶液等の異方性蝕刻液を用いて蝕刻除去すると
、第１図（ｄ）に示すごとく、Ｘ線吸収体パターン１５
を支持するポリイミド１４とダイヤモンド膜１３の積層
膜がＳｉ単結晶の枠に固定された、本発明のＸ線露光マ
スクが得られる。
金属から成る任意のＸ線吸収体パターン１５を、例えば
選択メッキ法、イオンミリング法若しくは反応性スバ、
タエ、チング法等の方法によ多形成する。（第１図（Ｃ
）） 最後に前記Ｓｉ単結晶基板１１の一部を、先に形成した
シリコン窒化膜パターン１２を保護膜にして、水酸化カ
リウム水溶液等の異方性蝕刻液を用いて蝕刻除去すると
、第１図（ｄ）に示すごとく、Ｘ線吸収体パターン１５
を支持するポリイミド１４とダイヤモンド膜１３の積層
膜がＳｉ単結晶の枠に固定された、本発明のＸ線露光マ
スクが得られる。
上記実施例に於すて、Ｓｉ単結晶基板１１の代シに、石
英基板着しくけボロシリケートガラス等を用いることも
可能である。
英基板着しくけボロシリケートガラス等を用いることも
可能である。
第２図は、本発明のＭ２の実施列を示す模式断面図であ
る。この実施列は、前記第１の実施例に於いて、Ｘ線吸
収体パターン１５を形成した後、イオン化蒸着法若しく
はプラズマＣＶＤ法等の方法により、２００℃ないし３
００℃の温度で全面に約千大ないし２千大厚のダイヤモ
ンド膜若しくはダイヤモンド状炭素＠２６を堆積した事
を特徴とするもので、該ダイヤモンド膜１３の表面を平
坦化する為に形成した有機高分子膜１４をダイヤモンド
膜２６で被覆することによって、耐薬品性が高められる
と共に、Ｘ線露光工程に於いてＸ線吸収体パターン１５
から放出される二次電子を捕獲し、パターン転写精度を
高める効果を得ることができる。
る。この実施列は、前記第１の実施例に於いて、Ｘ線吸
収体パターン１５を形成した後、イオン化蒸着法若しく
はプラズマＣＶＤ法等の方法により、２００℃ないし３
００℃の温度で全面に約千大ないし２千大厚のダイヤモ
ンド膜若しくはダイヤモンド状炭素＠２６を堆積した事
を特徴とするもので、該ダイヤモンド膜１３の表面を平
坦化する為に形成した有機高分子膜１４をダイヤモンド
膜２６で被覆することによって、耐薬品性が高められる
と共に、Ｘ線露光工程に於いてＸ線吸収体パターン１５
から放出される二次電子を捕獲し、パターン転写精度を
高める効果を得ることができる。
（発明の効果）
本発ＢＡヲ、従来のｘｔｓｍ元マスクと比較すると、放
熱性及び機械的強度に優れている為シンクロトロン軌道
放射Ｘ線やプラズマ励起Ｘ線等の高輝度Ｘ線源を用いた
Ｘ線露光装置に於いても、マスク基板の熱膨張が軽減で
き、より高精度のマスク位置合せが可能になるほか、該
マスク基板の款Ｘ線に対する透過率が高い為、霧光時間
も短縮される。
熱性及び機械的強度に優れている為シンクロトロン軌道
放射Ｘ線やプラズマ励起Ｘ線等の高輝度Ｘ線源を用いた
Ｘ線露光装置に於いても、マスク基板の熱膨張が軽減で
き、より高精度のマスク位置合せが可能になるほか、該
マスク基板の款Ｘ線に対する透過率が高い為、霧光時間
も短縮される。
また可視光に対する透過率も高いので光を使った高精度
位置合せができる。
位置合せができる。
第１図（ａ）〜（ｄ）及び第２図は、本発明によるＸ線
露光マスクの実施例を示す模式断面図である。図に於い
て、 １１・・・Ｓｉ単結晶基板、１２・・・シリコン窒化膜
。 １３・・・ダイヤモンド膜若しくはダイヤモンド状炭素
膜、１４・・・有機高分子膜、１５・・・Ｘ＃ｉ！吸収
体パターン、１１′・・・シリコン単結晶基板１１の一
部で形成した枠、２６・・・ダイヤモンド膜若しくはダ
イヤモンド状炭素膜 寥 １ 図 年 ２ 起 手続補正書（自発） １．事件の表示 昭和５９年 特許 願第１５３６
４５号２、発明の名称 Ｘ線、ｋＭ光マスク３、補
正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 ４、代理人 電話東京（０３）４５６−３１１１（大代表）５、補正
の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書第２頁第４行目に［８ｉＮ４ｊとあるのを
ｒｓｉｊＮ４Ｊと補正する。
露光マスクの実施例を示す模式断面図である。図に於い
て、 １１・・・Ｓｉ単結晶基板、１２・・・シリコン窒化膜
。 １３・・・ダイヤモンド膜若しくはダイヤモンド状炭素
膜、１４・・・有機高分子膜、１５・・・Ｘ＃ｉ！吸収
体パターン、１１′・・・シリコン単結晶基板１１の一
部で形成した枠、２６・・・ダイヤモンド膜若しくはダ
イヤモンド状炭素膜 寥 １ 図 年 ２ 起 手続補正書（自発） １．事件の表示 昭和５９年 特許 願第１５３６
４５号２、発明の名称 Ｘ線、ｋＭ光マスク３、補
正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 ４、代理人 電話東京（０３）４５６−３１１１（大代表）５、補正
の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書第２頁第４行目に［８ｉＮ４ｊとあるのを
ｒｓｉｊＮ４Ｊと補正する。
Claims (1)
- Ｘ線吸収体パターンと、このＸ線吸収体パターンを支
持するＸ線透過性薄膜と、この薄膜を補強支持する補強
枠とを少なくとも備えたＸ線露光マスクに於いて、前記
Ｘ線透過薄膜が、少なくともダイヤモンドもしくはダイ
ヤモンド状炭素薄膜と有機高分子膜との積層構造を備え
ていることを特徴とするＸ線露光マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15364584A JPS6132425A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | Ｘ線露光マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15364584A JPS6132425A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | Ｘ線露光マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6132425A true JPS6132425A (ja) | 1986-02-15 |
Family
ID=15567057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15364584A Pending JPS6132425A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | Ｘ線露光マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6132425A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63185892A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-08-01 | Res Dev Corp Of Japan | 光学用窓材及びその製造方法 |
| JPS63254727A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-21 | Nissin Electric Co Ltd | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
| JPS63185224U (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-29 | ||
| JPH01161717A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Nec Corp | Ｘ線露光マスクおよびその製造方法 |
| JPH02268414A (ja) * | 1989-04-10 | 1990-11-02 | Fujitsu Ltd | Ｘ線マスク及びその製造方法 |
| US6509124B1 (en) | 1999-11-10 | 2003-01-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of producing diamond film for lithography |
-
1984
- 1984-07-24 JP JP15364584A patent/JPS6132425A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63185892A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-08-01 | Res Dev Corp Of Japan | 光学用窓材及びその製造方法 |
| JPS63254727A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-21 | Nissin Electric Co Ltd | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
| JPS63185224U (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-29 | ||
| JPH01161717A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Nec Corp | Ｘ線露光マスクおよびその製造方法 |
| JPH02268414A (ja) * | 1989-04-10 | 1990-11-02 | Fujitsu Ltd | Ｘ線マスク及びその製造方法 |
| US6509124B1 (en) | 1999-11-10 | 2003-01-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of producing diamond film for lithography |
| KR100725670B1 (ko) * | 1999-11-10 | 2007-06-08 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 리쏘그라피용 다이아몬드막의 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0020455B1 (en) | Arrangement with radiation window or mask structure | |
| JP3105990B2 (ja) | Ｘ線マスクおよびｘ線マスクの製造方法 | |
| US4994141A (en) | Method of manufacturing a mask support of SiC for radiation lithography masks | |
| JPS6132425A (ja) | Ｘ線露光マスク | |
| KR930004236B1 (ko) | X-선 노광마스크 제조방법 | |
| US5882826A (en) | Membrane and mask, and exposure apparatus using the mask, and device producing method using the mask | |
| JPH04332115A (ja) | Ｘ線リソグラフィ−マスク用ｘ線透過膜 | |
| JPH0345526B2 (ja) | ||
| JP3437389B2 (ja) | 電子線およびｘ線リソグラフィ用マスクメンブレン | |
| JP3219619B2 (ja) | Ｘ線マスクと該マスクの製造方法、ならびに該マスクを用いたデバイス生産方法 | |
| JPS6061750A (ja) | Ｘ線露光マスクの製造方法 | |
| JPS595628A (ja) | メンブラン・マスク | |
| JP3127037B2 (ja) | Ｘ線マスク支持体、ｘ線マスク構造体及びｘ線露光方法 | |
| JPH02197115A (ja) | Ｘ線露光マスクの製造方法 | |
| JPH02281614A (ja) | 多結晶シリコン薄膜の製造方法 | |
| JPH02260414A (ja) | Ｘ線露光マスク | |
| JPH0536590A (ja) | Ｘ線マスクおよびｘ線マスクの製造方法 | |
| JPH0251215A (ja) | Ｘ線露光用マスク | |
| JPH0521227B2 (ja) | ||
| JPS61269313A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPH02177530A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPH02309A (ja) | Ｘ線用マスクとそれをを用いた露光方法 | |
| JPH03273611A (ja) | Ｘ線リソグラフィ用マスクおよびその製造方法 | |
| JPH0936016A (ja) | メンブレン及びマスク、これを用いた露光装置やデバイス生産方法 | |
| JPS62120027A (ja) | Ｘ線露光マスク及びその製造方法 |