JPH0234916A - 放射誘導によるパターン付着法 - Google Patents

放射誘導によるパターン付着法

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JPH0234916A
JPH0234916A JP1049707A JP4970789A JPH0234916A JP H0234916 A JPH0234916 A JP H0234916A JP 1049707 A JP1049707 A JP 1049707A JP 4970789 A JP4970789 A JP 4970789A JP H0234916 A JPH0234916 A JP H0234916A
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エリオット　ヴィ　クック
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は一般的には材料を表面に付着させる方式と装置
とに係り、特にパターンを形成するために材料を固体層
から表面に付着させるにあたっての放射エネルギーの斬
新な応用法に関するものである。
（従来の技術） 樹脂、半導体、金属、紙を含めた多くの素材の表面上に
所定のパターンをつくり出すために、広範に渡る多様な
平版的手法が用いられてきた。その応用の多（の場合、
これらの手法は複雑な機械や工程を必要とする。エレク
トロニクス産業での回路製造に用いられるようない（つ
かの再生産手法は極めて高コストで時間を消費するもの
であり、従ってコスト的に有効なものであるためには大
規模生産が必要となるのである。このことが新たな回路
コンセプトの評価や、回路デザイン試作品のテストを試
みるにあたっての重い足かせとなっている。
回路構造の上に金属のパターンを付着させるための多数
の手法でフォトマスクのコストのかかる準備を必要とし
た。もっと最近では絶縁面上に伝導性材料を付着する課
程でのレーザーを用いた工程が詮索されている。例えば
マシアス（Ｍａｔｈｉａｓ）による米国特許第４，４９
６，６０７号では、基板上にトラックを溶かして作り出
し、と同時にその中に伝導性の粒子をぶつけるのにレー
ザービームを利用することを開示している。マシアスの
特許で開示された方法では伝導性粒子をパターン内に融
合させるには基板に溶解による線をつける必要があるこ
とから、表面物質が温度の制約を受けるときにはその手
法の実用性は限られたものである。
薄膜のパターンを「直接に描画」するのに集束レーザー
ビームを用いた光化学的付着法の工程も又いくつか明示
されている。一般に分解手法、例えば金属フィルムのレ
ーザー誘導式〇ＶＤは半真空状態で行われ、反応性ガス
を利用する。ことが必要である。これらの多くは連続段
階を含む手法であり、従って製造向きの光化学リトグラ
フィーに比べると本質的に遅い。
ヒガシとフレミング（Ｈｉｇａｓｈｉ　ａｎｄ　Ｆｌｅ
ｍｉｎｇ）による論文、１９８５年に刊行の−〈：１４
ル厚ｌより（Ｄ　拡玉理翰（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ　Ａｂｓ
ｔｒａｃｔｓ　Ｂｅａｍ　Ｉｎｄｕｃｅｄ　Ｃｈｅｌｌ
ｌｉｃａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓ）の中での「投影パターン
の光付着法による伝導性アルミニウムフィルムにおける
空間的解像の限界」　（“５ｐａｔｉａｌ　Ｒｅｓｏｌ
ｕｔｉｏｎＬｉｍｉｔｓ　Ｏｎ　Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ
　Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ　ＰｈｏｔｏｄｅｐｏｓｔｅｄＣ
ｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　Ａｌｕｍｉｎｕｍ　Ｆｉｌｍｓ”
）　　（素材研究学会の１９８５年秋の会合、シンポジ
ウムＤの紀要〕はこの手法の有効性を限られたものとし
ているそのスピードの限度に対する解決法を示唆してい
る。
この論文はレーザー光線をフォトマスクを通し、透過性
セルの中に位置する基質上に像を描かせる投影パターン
手法を明示している。トリメチルアルミニウムなどのガ
スがそのセルを通過し、分解されてアルミニウムのパタ
ーンを成長させる。しかし室温付着での抵抗率は１００
オーム・センチメーター程度で、付着セルの温度の上昇
はパターンを施した層の伝導性を向上させる一方、付着
速度の例えば毎秒０．４オングストロームへの低下を伴
っている。
一般に被付着面を局部的真空状態にさらす必要のある手
法は、その面の大きさやこわれやすい性質によっては多
くの応用において不適当である。
（本発明の解決しようとする課題） この本発明の一実施例に従って、被付着面上に材料のパ
ターンを形成するシステムと、そのシステムを操作する
方法とがもたらされる。パターンの材料を含む層が被付
着面に隣接して据えられ、その面にパターンの材料の一
部を付着させるためにその層の一部分が加熱される。こ
の方法の一つの形態では、パターンの材料が溶解され、
その材料を被付着面上で凝固させることによって付着が
達成される。
この発明のもう一つの実施例では、フォトマスクをパタ
ーンの材料を含む層と関連させて用い伝導性の高い回路
パターンを創出し、従って過去において多数の直接描画
レーザーシステムの特徴であった時間を費やすパターン
の材料を逐次的に付着させる工程から異なった方向へ出
発した。
この発明の目的の一つは単一の工程でパターンの材料を
付着させる手段を提供することにある。
この発明のもう一つの目的は、真空付着手法やその他の
形式による外界との隔絶を必要とせずに、表面に所定の
パターンで材料をトランスファするのに適切な手法を提
供することである。従って、この発明は大気の温度と圧
力の下で表面に材料のパターンを付着させる手段を特徴
としている。
この発明の更にもう一つの目的は、数多くの従来の技術
で必要とされた複数段階の工程を必要とせずに、以前に
定められたパターン間の接続をするための限定された量
の材料を特定的に付着させる手段を提供することにある
。
この発明のこれら及びその他の目的は以下のこの発明の
詳細な説明から明白であろう。
（発明の実施例） パターン製造の分野で幅広く応用されると考えられるこ
の題目の発明は、こわれやすい電子回路構造上にシンボ
ルを形成する技術の限界を克服するためにデザインされ
たプログラムの中で開発された。ここに開示される概念
は、電子技術分野外でも、多様な物質面上での一般的な
パターンの形成に、応用が可能である。従って、ここに
示すこの方法の特定の実施例は、より一般的な発明の典
型例にすぎず、この発明の範囲はこの説明に続く請求に
よってのみ限定をされる。
第１図において、この方法の多数の実施例を明示するの
に適切な装置を図示する。回路組み立てに用いられるタ
イプの基板（１２）を、平行面上で自由度２で移動可能
な平面台（１４）上に設置する。この技術分野でよく知
られるタイプのプログラム可能な駆動メカニズム（１６
）を、選択的移動のためにその台に取り付けることもで
きる。
パターン材料を含む箔（１８）を基板上に位置させ、基
板の所定のパターンが形成される面（２０）にきわめて
接近するようにする。レーザを備えた光学的システム（
２２）を、面（２２）と向き合わない箔の面（２４）の
一部分に固定ビーム（２３）が向けられるように位置さ
せる。台に対する箔の移動を最小限にするため、箔を一
定の位置に固定することもある。この方法の応用例の多
くでは、箔は面（２０）上に単に置かれることもある。
レーザーシステム（２２）は細く強力なビーム（２３）
を箔の上にあてる。箔（１８）は面（２０）がレーザー
ビームに直接に放射されることを有効に防いでいる。し
かし、ビームは箔の中に存在するパターン材料を気化さ
せるのに充分なエネルギー密度のものである。箔（１８
）と基板の間に生ずる気化した材料は比較的低温度の面
（２０）上で固体化される。レーザービームに対する台
の選択的移動に直接対応して面（２０）に沿って適切な
パターンを連続的に形成する目的で、材料の固体化に従
って台を移動させるために駆動メカニズム（１６）が用
いられることがある。できれば箔は、パターン形成中に
未使用の箔がレーザービームの前に用意されるように台
と一緒に移動することが望ましい。
この発明の特徴の一つは付着に用いられるパターン材料
の物体的形態にある。過去において、多数の直接描画レ
ーザー手法が化学物質気体付着や光分解反応を取り入れ
ていた。ここに開示される方法はこれらの技術から決別
したものであり、パターン材料が物理的状態の変化を誘
導することによって固体の層、即ち箔又は仮から付着面
へ直接に移され、如何なる化学変換も必要としない。こ
のような描画手法が現在可能となったのは、固体層を通
しての熱トランスフ１プロセスによってパターン材料の
付着がされるようその固体層の構造ができているからで
ある。この固体層は面（２０）への直接放射を遮断する
ために必要な一体性を保つ。もしそうでなく相当量の放
射が固体層を通過すると、求められるパターンを正確に
写し出す機能が損なわれ、即ち材料が所定の位置で凝縮
又は固体化するのを放射が妨げ得る。更にこの放射のエ
ネルギー密度によっては、被付着面へ直接の放射があた
ることが好ましくない温度上昇の結果となり得てこの方
法の有用性を限られたものにする。
従って、箔はパターン材料と光間物質を含むもので、こ
のうちパターン材料は比較的低い気化温度を有し、光間
物質は比較的高い気化温度を有するべきである。できれ
ば、全工程を通して比較的薄い箔に本質的な構造的一体
性を持たせるためには、光間物質の溶解温度がパターン
材料の気化温度よりずっと高いことが望ましい。
固体層、即ち箔（１８）の最適の構造や厚さはこの方法
の個別の応用例によって異なる。例としての箔（１８）
は均等に分散されたパターン材料と放射を通過させない
光間物質とを含んでいる。
面（２０）に面した箔の面から気化するパターン材料は
きわめて容易に凝縮し求められたパターンを形成する。
もし該当のパターン材料が金属であるなら、その該当の
金属と適当な光間物質とを含んだ合金が前記個体層とし
ての役目を果たす。あるいはパターン材料は半導体の微
量添加物、絶縁体もしくは他の適当な性質を有する素材
を含んでいる。充間要素が二つ以上の物質を含み得るの
は勿論のことである。
あるいは箔は二層構造か又は他の薄い層からなる構造で
あり得る。第２図において、パターン材料の第−層（２
６）が面（２０）に対面して位置し、それに隣接する第
二層（２８）がレーザービーム（２３）又は他の放射源
からの放射を受けるよう位置するところを簡単に図示し
た。この二層構造はパターン材料が貴金属であるときや
、光間物質と共に箔全体に行き渡るようにすることが容
易でないときには優先して用いられるかもしれない。こ
の構造は箔の面（２４）からのパターン材料の気化を防
ぐことからも有用である。第−層（２６）を第二層（２
８）に合わせるには中間接合材が必要であることがある
。
箔（１８）が面（２０）に物理的に接触していることは
必ずしも必要ではない。しかし、線パターンの解像度は
基板（１２）と箔（１８）の間隔の関数であり箔の厚さ
、光間物質とパターン材料の熱伝導特性によっても変化
する。線の幅は箔（１８）と面（２０）の距離を変動さ
せることによっである程度調節される。
出力５ワツトで、比較的広いビーム幅、例えば０、０２
８ミリメーターを有するＹＡＧレーザを用いたテストに
成功している。ニッケルでめっきした鉄の合金の厚さ０
．０５１ミリメーターの箔を、面（２０）に０．０２５
ミリメ一ター以内というような接触状態で、ニッケルの
層がガラスの基板の面に対面するように位置させた。レ
ーザービーム下でのこの箔のおよそ毎秒１ミリメーター
の移動が、ガラス面上に金属のパターンを生ずる結果と
なった。この方式で付着させられたパターンは驚くべき
一定の線幅、ビームの幅より約１３０パーセント広いも
のを提示した。
ここまでに開示された方法は伝導性、非伝導性の材料を
含めた広範、多種の材料を多様な表面に付着させるのに
有用である。付着によってパターン材料は面（２０）と
の間に化学的又は粘着性の結合を生じる。パターン材料
の付着力は在来の手法によって付着させた材料のそれに
ひげを取らない。この普遍的方法による金属の付着は大
体一定の線の幅と厚さとの特徴を示している。この工程
はプログラム可能な駆動メカニズムと結びつけて表面を
シンボル化するの用いられて来た。
この方法に従えば、第１図の装置は回路組み立てシステ
ムとしても使用され得る。更なる例として、マイクロ波
の下での作動に適した抵抗器やコンデンサーなどの受動
の要素を形成させるのに適当な抵抗特質を備えたパター
ン材料を選び出すことによって、マイクロ波回路をこの
装置で造り出すことが可能である。このアプローチはソ
フトウェアから回路を直接に描画、即ちＣＡＤマスクの
利益を、フォトマスクの準備を総て省略させてもたらす
。従って本発明によって、回路のプロトタイプを作った
り、改良したりするのに要する時間を数週間、数ケ月か
ら１時間以内に短縮することが可能である。
各金属のおおよその溶解、沸点を下記の第１表において
示した。比較的高い溶解点を有するタングステンが箔の
構造上の光間質とし最も一般的に適切な素材かもしれな
い。パターン材料も又合金やその他の混合物であり得る
。例えばおおよそ２０パーセントのスズと８０パーセン
トの金からなる箔を使って、おおよそ８０パーセントの
スズと２０パーセントの金とからなる金属のパターンを
付着させた。この課程で、残存する箔の構成要素は本質
的な構造上の一体性をもたらし、箔を通しこの放射の実
質的な伝送を防いだ。一般に、生じるパターンの構成は
少なくとも箔の構成、レーザー出力密度、そして箔の構
成要素の相対的な溶解、沸点の関数であると考えられて
いる。
捜）絹Ｌ１１） 琲’ｉ　（”Ｃ） 複雑な集積回路は欠陥部分を切り離すのにレーザーが使
えるようにデザインされることが多い。
その代わりとして、本方法も又限定されたパターン化が
求められているときにはこれらやその他の回路の修復又
は修正のような単純な仕事を遂行するのに応用され得る
。表面の波と薄膜マイクロ波回路機構の難しい部分修復
、それにリジッド又はフレキシブル回路盤の金属クラッ
ドの修理がこの方法によってより簡単な仕事となった。
この方法のこれら又はその他の応用例では箔が独立して
取り付けられることも又注目される。第３図において、
パターン材料を含むディスク型の層（３２）を図示した
。層（３２）は回転可能軸（３４）に取り付けられてい
る。所定のパターンを写すために台（１４）が動く際に
は軸（３４）が台（１４）と共に移動し、パターンが生
じるのに従って常に未使用の箔が付着に供されることが
望ましい。勿論、これ又は他の実施例において放射ビー
ムが被付着面に対して移動し、台が静止する場合もある
。どちらのやり方にしろ、箔の一定地域のパターン材料
のかなりが消費されたときには、箔は軸（３４）により
回転し、更なるレーザ付着に未使用の地域を供給する。
軸（３４）の回りの回転を制御するのに、モーター駆動
システム（３８）を用いることができる。
第４図は公開されたワークステーション（４０）を図式
的に示すものであり、供給リール（４２）と巻き取りリ
ール（４４）とを含む簡単なスプールメカニズムが−巻
きの箔（４６）を被付着面（２２）の上で動かし、複雑
なパターンをつくり出したり、パターンを修復したりす
る。レーザシステム（４８）は複数のビーム（４９）を
供給し、その各々が独立して動くようにプログラムが可
能であり、複数の線を面（２２）上に同時に付着させる
。このようなワークステーションは複雑で冗長なパター
ンを迅速につ（り出すことのできる一貫したシステムを
もたらす。このシステムは又箔の材料の有効的な活用を
確実にする。
ワークステーション（４０）は例えば、ベルト状の素材
上に製造出来るようなタイプの太陽電池での導体パター
ンを作り出すのに有用であり、そのベルトは第二供給リ
ール（５０）から第二巻き取りリール（５２）へ台に沿
って移動する。レーザービーム（４９）は銀などの高伝
導素材をそのベルトの面（２２）の上にパターン化する
ことができる。この応用例は太陽電池の低コスト、大量
生産をもたらしつつ、貴金属の浪費を最小限にする。こ
の方法は特に０．１３ミリメーターの大きさの粒子やあ
る種の太陽電池の製造に使われるタイプのケイ素微粒な
どを含むような比較的一定でない表面に一定質のフィラ
メントを付着させなければならないときに有用である。
第５図にフォトマスクの修復のためのこの方法の応用例
を図示した。グラスマスク（５３）は放射のビームを先
ずマスク（５３）の非乳濁側面（５６）を通し、光間物
質（６２）から成る一層と光間物質とマスク（５３）の
間に位置するパターン材料（６４）の−層とを含む二層
構造（６０）にあてることによって修復される。この放
射はマスク（５３）のガラス部分並びにパターン材料（
６４）に対して透過性の高いものであることが望ましい
。適切なビーム（５４）は紫外レーザーによるもので有
り得る。この方法の一つの特徴は放射光がパターン材料
の層と境界面を接する光間物質（６２）の表面に投射す
ることにある。この仕組みの方が第１図に示したような
光間物質（６２）のもう一つの面に直接放射するものよ
り高い解像度を得られるかもしれない。光間物質（６２
）による放射エネルギーの吸収がパターン材料を気化さ
せ、そして比較的低温のマスク（５３）上に凝縮させ、
既存のマスクパターンを修復又は変更する。
この方法は又多層回路にみられる方式の多様な層間接続
をつくるに用いられ得る。例としては、過去において製
造業者が回路構造の中で大きく離れた層を内部接続する
のを困難としていたことが挙げられる。第６図は多層構
造（７０）を示し、上層（７２）と下層（７６）との間
は一層又はそれ以上の中間層（７７）によって隔絶され
ている。
このような配列では、上、下層、（７２）と（７６）と
を接触穴（８０）の側壁（７８）に沿って金属で接続す
る必要があり得る。従来の金属接合手法では、きわめて
深い穴の側壁に沿って充分な里の伝導性金属を施すのに
ある程度の困難を伴った。
本発明は深い接触穴を形成する際のこの困難を克服する
ために応用され得る。それに応じて、レーザービーム（
８１）を接触穴（８０）の上に位置させ、構造（７０）
に対して静止状態に保つ。
それから箔をレーザービーム（８１）の下で例えば第４
図に示した組み合わせによって移動し、厚さ層の金属を
付着させ、穴の境界をずっと越えてかなりの量を付着さ
せることなしにその穴を充たす。変動要素の値を適切に
選択すれば、この選択式付着によって、回路の他の部分
をショートさせることなしに多様な大きさの穴を効果的
に充たすことができる。
この発明は又、フォトパターン式と異なって、被付着面
が平坦であることを必要としない技術を提供する。この
方法はでこぼこや湾曲した面、並びに先の尖った角を有
する面に応用できる。従って例えば、それをカメラなど
のエレクトロメカニカル装置、器具の湾曲回路盤、フレ
ーム又はおおいの上に回路や内部接続線を形成するのに
使用できる。
この方法は又製造分野で、フォトマスクや回路パターン
の全体を創り出すのにも応用できる。第７図に回路パタ
ーンの大量生産に適する迅速手法を示す。エキシマ−レ
ーザーによって生じるような高エネルギー放射ビーム（
８２）を、放射をよく反射するパターンを有するフォト
マスク（８４）を通過させる。フォトマスクの構造部分
は放射をよく透過させる。パターン材料（２６）と光間
物質（２８）を含む多層構造の層（８６）（第２図に示
される様式）を、フォトマスクと被加工基板（９４）の
被加工面（９２）との１間に位置させる。
放射ビームはフォトマスクから面（９２）上に投影され
生ずる画像を縮小するように焦点を合わせることができ
る。全画像をパターン材料の連続的付着を要することな
く面（９２）に写すことができる。回路構造に直接的金
属処理を施すのに加えて、回路組み立て工程での他の段
階、例えばマスクレベル、デバイス隔絶層に用いられる
材料、その場での反応により付着がされる材料がこの方
法で塗られる。
被付着面にパターンを描くためのこの方法とシステムの
他の応用例はパターン製造の当業者には明白であろう。
この発明を付着層の厚さ、幅などの特徴を最適にするた
めに幾通りものやり方で部分変更できることも明らかで
きる。多様な種類の放射ビームも又光間物質を熱するの
に用いることができる。これらには粒子ビームと極短波
長電磁放射が含まれる。
この方法の推奨される形式ではパターン材料の気化と凝
縮を伴うが、この発明はより一般的な性質のものであり
、固体層からパターン材料を溶かす工程と、その後に溶
解した材料を被付着面に付着させそこで所定のパターン
を生じるよう凝固させることとを含む。
ここで述べた方法は集積回路構成要素の製造に使われる
規模の金属や絶縁体のパターンを含めた多様な線幅と厚
さのパターンを形成するのに応用できる。
以上の記載に関連して、以下の各項を開示する。
１、被付着面の上に材料のパターンを形成する方法にお
いて： パターン材料を前記表面に隣接するよう据え置く段階と
； 前記パターン材料の一部を前記表面の上に付着させるた
めに前記層の一部分を加熱する段階とを特徴とする方法
。
２、前記層を加熱する段階が、エネルギーを放射源から
前記層へ移送することによって遂行されることを特徴と
する前記第１項記載の方法。
３、前記加熱をする段階が、エレクトロンビームを前記
層の一部分にあてることによって遂行されることを特徴
とする前記第２項記載の方法。
４、前記加熱をする段階が、収束干渉性放射を前記層の
一部分にあてることによって遂行されることを特徴とす
る前記第２項記載の方法。
５、前記パターン材料を含む前記層が多層構造の部分で
あり、前記多層゛構造が第二層を含み、前記パターン材
料を付着させる前記段階が：前記構造の前記第二層を放
射で加熱することと； パターン材料を前記構造から放出させるために熱を前記
第二層から第一層の一部へ移送することとで達成される
ことを特徴とする前記第２項記載の方法。
６、前記パターン材料が前記放射を比較的によく通過さ
せ、前記第二層が比較的には前記放射をよく通過させな
いことを特徴とする前記第５項記載の方法。
７、前記パターン材料が気化作用によって前記構造から
放出されることを特徴とする前記第５項記載の方法。
８、前記パターン材料が比較的に低い気化温度を有する
ことと、前記第二層が比較的に高い気化温度を有するこ
ととを特徴とする前記第５項記載の方法。
９、前記層が更に前記パターン材料の沸点より高い沸点
を有する第二物質を含むことと前記層を加熱する段階が
放射源から前記層の表面へのエネルギーの移送により遂
行されることと、前記第二物質がパターン材料が付着さ
せられる際の前記層を通しての直接放射の透過を緩和す
ることとを特徴とする前記第１項記載の方法。
１０、付着がパターン材料を気化させることと、気体を
被付着面上に凝縮させることとで達成されることを特徴
とする前述の項の何れかに記載の方法。
１１、前記パターン材料が伝導性であることと、前記層
を前記被付着面に隣接するよう据え置く前記段階が前記
層と前記付着面間の物理的接触を生じさせる結果となる
ことを特徴とする前記第１項記載の方法。
１２、更に前記放射を前記被付着面を通過させる段階を
含むことを特徴とする前述の項の何れかに記載の方法。
１３、面の上線をパターン化する方法において：パター
ン材料を含む層を前記面に隣接するよう据え置く段階と
； 前記面の一部分に沿って前記パターン材料を気化させる
ために、前記層に沿って放射ビームをあてる段階と； 前記面の上に気化した材料を凝縮させる段階とを含むこ
とを特徴とする方法。
１４、前記面がエレクトロニクデバイスを含むことと、
前記気化した材料が凝縮して少なくとも二個のデバイス
を電気的に接続する線を形成することとを特徴とする前
記第１３項記載の方法。
１５、放射が前記被付着面を通過した後に前記パターン
材料を熱することを特徴とする前記第１３項記載の方法
。
１６、前記パターン材料が比較的透明であることと、前
記パターン材料を含む前記層が多層構造の部分であるこ
とと、前記多層構造が比較的不透明な第二層を含んでい
ることと、パターン材料の前記層を前記被付着面に隣接
するよう据え置く段階がパターン材料の前記層を前記被
付着面と前記第二層の間に位置させることで達成される
こととを特徴とする前記第１５項記載の方法。
１７、前記パターン材料のいくらかを前記被付着面の上
に付着する段階が： 前記構造の前記第二層を放射で加熱することと； 前記構造から前記パターン材料を放出させるために熱を
前記第二層から前記第−層の一部分へ移送することとで
達成されることを特徴とする前記第１６項記載の方法。
１８、前記面が回路構造の中に形成された穴を含むこと
と、前記パターン材料が気化作用と凝縮作用によって前
記穴を限定する前記面に沿って付着させられることとを
特徴とする前記第１３゜１４．１５．１６．１７項の何
れかに記載の方法。
１９、前記面が平坦でないことを特徴とする前記第１３
．１４，１５，１６．１７．１８項の何れかに記載の方
法。
２０、前記面がＯ，ＯＯ５センチメ一ター以上の直径を
有す粒状ケイ素粒子を含むことを特徴とする前記第１９
項記載の方法。
２１、パターン材料が固体層から被付着面に移される大
気状況下で前記被付着面にパターンを形成するためのシ
ステムにおいて、前記システムが：加熱されたパターン
材料を受けるよう前記被付着面を位置させるための支え
と； 固体材料の層を前記被付着面上に移動可能に位置させる
ために取り付けた移送メカニズムと；前記固体材料の層
の一部分を選択的に加熱させて、パターン材料を前記被
付着面上に移すための装置とを特徴とするシステム。
２２、前記加熱装置が放射のビームによって前記固体材
料の層に熱を供給することと、前記システムが更に加熱
システムと固体層の間で移動をさせるために操作可能に
取り付けたメカニズムを含むこととを特徴とする前記第
２１項記載の前記システム。
２３、前記移送メカニズムが前記固体材料の層を前記被
付着面上で送るための供給リールと巻き取りリールとを
含むことを特徴とする前記第２１項記載の前記システム
。
２４、面（２０）上に金属の層などのパターンを形成す
るためのシステムと方法。パターン材料を含む層（１８
）を被付着面（２０）と隣接するよう位置させ、パター
ン材料の幾分かを面（２０）上に付着させるために１（
１８）の−部分を加熱する。この発明は大気温度、圧力
の状況下でパターンを写す手段をもたらす。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明による被付着面上に材料のパターンを
形成するための装置を示した図；第２図はパターン材料
を含む二層構造を示した図； 第３図はパターン材料を含む箔又は他の固体層を回転可
能に取り付けた面をパターン化するための配列を示した
図； 第４図はこの発明による方法を実施するためのワークス
テーションの配列を図式的に示した図；第５図はこの方
法によるフォトマスクパターンの修復のための配列の断
面図； 第６図は接触穴を金属で覆うためのこの方法の応用例を
示す断面図； 第７図は面の上に回路パターンを創り出すのにフォトマ
スクを用いたこの発明の応用例を示した図である。 図において、（１２）は被付着基板、（１４）は台、（
１８）は箔、（２０）は被付着面、（２３）は放射ビー
ムである。 なお、図中同様の項目を示すのに同様の参照番号を用い
た。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 　被付着面の上に材料のパターンを形成する方法におい
    て： パターン材料を前記表面に隣接するよう据え置く段階と
    ； 前記パターン材料の一部を前記表面の上に付着させるた
    めに前記層の一部分を加熱する段階とを特徴とする方法
    。
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