JP2003069193A

JP2003069193A - フレキシブルプリント基板、その製造方法及び装置

Info

Publication number: JP2003069193A
Application number: JP2001255669A
Authority: JP
Inventors: Ari Ide; 亜里井手; Shingo Hakamata; 真悟袴田; Daisuke Okuyama; 大介奥山; Sotaro Takenouchi; 壮太郎竹ノ内
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 2001-08-27
Filing date: 2001-08-27
Publication date: 2003-03-07

Abstract

(57)【要約】【課題】金属薄膜と高分子フィルムとの密着性を確保し
ながらも、フレキシブルプリント基板における回路の微
細化及び高密度化に対応し、同時に工程数の大幅な削減
による劇的なコストダウンが可能なフレキシブルプリン
ト基板を製造する。【解決手段】高分子フィルムの表面に銅、ニッケル、ク
ロムまたはその他の金属を単一層または多層に真空蒸着
する際、回路パターンを成形したマスクまたはそれに類
似する方法で高分子フィルムの表面を覆い、その後、そ
のマスクされた高分子フィルムの表面に蒸着を施すこと
により、膜形成と同時に回路を作り込むようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、金属薄膜の蒸着後に電
気的、機械的およびその他の方法によるエッチングを必
要としないフレキシブルプリント基板の製造方法に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】フレキシブルプリント基板は、ポリエス
テル、ポリイミドなどの高分子フィルムをベースにして
その表面に導体パターンを形成したもので、可撓性に富
み、軽量、安価であることから、電気・電子機器、電子
部品等の接続に広く用いられている。このようなフレキ
シブルプリント基板の製造方法としては、高分子フィル
ム上に金属薄膜を蒸着した後、それを適当な大きさに切
断し、レジストを塗布し、パターニングを施したマスク
を用いて露光した後、電解液の中に浸して化学的なエッ
チングによりレジストパターンを除去することにより製
造されている。（例えば、特開平６−２１６２０号公報
を参照されたい。）

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】近年、パソコン、ＰＣ
カード等に搭載するマルチチップモジュール、携帯電話
等の移動体通信機器用の電子部品等に対して、小型化、
軽量化や、高密度化、高精細化、高信頼性等の要求が高
まってきている。これに伴い、フレキシブルプリント基
板における回路の微細化、高密度化さらにコストダウン
がこれまで以上に求められてきている。従来の技術で
は、金属薄膜形成後のエッチングの際に、電解液などの
影響により金属薄膜と高分子フィルムとの界面が浸食さ
れ、フレキシブルプリント基板に欠くことの出来ない性
能の一つであるそれらの密着性が低下し、上記の微細
化、高密度化に対応できないと指摘される。また従来の
方法では、工程が数多く、今後大幅なコストダウンは難
しい。ガラスや樹脂で構成される肉厚の基板の回路製造
方法として、基板の表面に直接回路パターンを形成する
方法も既に知られているが、高分子フィルムのような薄
膜に直接回路パターンを形成することは、これまでなさ
れてこなかった。その理由は、高分子フィルムに対する
高密度の配線パターン形成の際に、パターンの微細化に
よりパターンと高分子フィルム間の密着強度を維持する
ことができず、高精度の回路形成は困難と考えられてい
たためである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は、斯かる従来の
問題点に鑑みてなされたもので、金属薄膜と高分子フィ
ルムとの密着性を確保しながらも、フレキシブルプリン
ト基板における回路の微細化及び高密度化に対応し、同
時に工程数の大幅な削減による劇的なコストダウンが可
能なフレキシブルプリント基板の製造方法及び装置を提
供しようとするものである。具体的には、金属薄膜形成
時に同時に一工程で回路を作り込み、エッチングの行程
を省略するようにした製造方法及びそのための装置を提
供しようとするものである。上記課題を解決するために
本願の第１番目の発明は、高分子フィルムの表面に銅、
ニッケル、クロムまたはその他の金属を単一層または多
層に真空蒸着する際、回路パターンを成形したマスクま
たはそれに類似する方法で高分子フィルムの表面を覆
い、その後、そのマスクされた高分子フィルムの表面に
蒸着を施すことにより、膜形成と同時に回路を作り込む
ようにした。また、本願の第２番目の発明は、まず、酸
素、窒素、アルゴン及びその他のイオンビームを高分子
フィルム表面に照射し、次いで、回路パターンを成形し
たマスクまたはそれに類似する方法で高分子フィルムの
表面を覆い、その後、そのマスクされた高分子フィルム
の表面に蒸着を施すことにより、膜形成と同時に回路を
作り込むようにした。また、これらの方法を実現するた
めの装置を提供した。さらに、これらの方法で製造され
たフレキシブルプリント基板を提供した。

【作用】図１は従来の方法と本願の第１番目の発明の方
法とを比較したものである。本願の第１番目の発明によ
れば、真空等の雰囲気中を直線的に飛ぶ金属蒸気の一部
は、マスクに遮られるため、高分子フィルムまで到達せ
ず、マスクに遮られない金属蒸気だけが高分子フィルム
に到達し付着する。これにより金属の蒸着と同時に回路
パターンを作り込むことができるので、その後電解液等
の影響を受けることなく、薄膜形成時の密着強度を保っ
た製品が作成される。また薄膜形成後に回路パターンを
形成するための加工が不必要となり、それに伴うコスト
を大幅に削減できる。また、本願の第２番目の発明によ
れば、イオンが高分子表面に衝突することにより、高分
子表面に吸着した不純物をはじき飛ばしてクリーニング
すると同時に、スパッタリングにより，表面の粗度あげ
ることができる。また、これとあわせて、高分子を構成
する分子の再構成やイオンの高分子内への取り込みなど
による新たな化学種を形成することができるため、大幅
に密着性を高めることができ、回路の微細化に対応した
フレキシブルプリント基板を作成することが可能とな
る。

【実施例】次に、本願発明の一実施例を図面に従って説
明する。本願の第二番目の発明に係るフレキシブルプリ
ント基板製造装置の一実施例を図２に示す。この装置
は、連続的に高分子フィルムを加工する大量生産設備を
念頭に置いたもので、高分子フィルムの送り巻き取り装
置１１、高分子フィルムの支持ロール１２、マスクの送
り巻き取り装置２１、マスクの支持ロール２２、マスク
装置の油圧式昇降機２３、イオンビーム照射装置３１、
電子ビーム蒸着装置４１、４２を備えている。これらの
装置は真空ポンプ５１により真空引きされ、高真空状態
に保たれたチャンバ６１内に設置される。高分子フィル
ムの送り巻き取り装置１１、マスクの送り巻き取り装置
２１、イオン照射装置３１、複数の電子ビーム蒸着装置
４１、４２はそれぞれチャンバ外部におかれた制御装置
及び電源装置６１から制御される。イオンビーム照射装
置３１には、開閉弁３２を介してガス供給源３３が接続
してある。高分子フィルムの送り巻き取り装置１１は長
い高分子フィルムを等速度で連続に送ることができるよ
うな機構を備えている。途中、高分子フィルムの張力を
保持するために高分子フィルム支持ロール１２を備えて
いる。マスクの送り巻き取り装置２１は、通過する金属
蒸気が目的の回路構造をなすためのパターンが開けられ
たマスクを、高分子フィルムと等速度で送ることができ
る機構を備える。高分子フィルムはまずイオンビーム照
射装置３１による前処理が行われ、続いて複数の電子ビ
ーム蒸着装置４１とマスクの送り巻き取り装置２１によ
り送られるマスクによって高分子フィルム上に回路が形
成される。マスク送り巻き取り装置２１はマスクを高分
子フィルムと等速度で送る機構を有するが、マスクのみ
固定させて、マスクを複数回利用することもできる。こ
のとき、高分子フィルム搬送時はマスクは高分子送り巻
き取り装置１１から離れており、蒸着を行う際にのみマ
スク装置油圧式昇降機２３により高分子フィルムとマス
クは接触するようになっている。金属蒸着の方法は電子
ビームに限らず、スパッタ蒸着やその他の蒸着法であっ
ても良い。さらに図２は高分子フィルムやマスクの送り
方法を単純化して示しており、それらは図２に示すとお
りの物に限らない。また、イオンビーム照射装置、真空
ポンプ等は必ずしも１台に限るものではなく、複数台で
あっても良い。次に図２の装置を使用した際のフレキシ
ブルプリント基板の作製過程の一例を示す。まず高分子
フィルムは高分子フィルム送り巻き取り装置１１に取り
付けられる。配線パターンを開けられたマスクはマスク
送り巻き取り装置に取り付けられる。電子ビーム蒸着装
置４１、４２には配線パターンの材料が与えられる。そ
の後真空チャンバ７１は真空ポンプ５１により真空排気
される。真空チャンバ７１内の真空が十分に排気された
後、制御装置６１により高分子フィルム送り巻き取り装
置１１とイオン照射装置３１が作動し高分子フィルムは
連続的に表面処理を施される。高分子フィルムの送り速
度は、密着強度を最もよく増加させるようなイオンの照
射量になるように決められる。イオン照射を施された高
分子フィルムが蒸着域程度の長さになると、イオン照射
は中止され、イオン照射を施された高分子フィルムは蒸
着域に送られる。送られた後、油圧式マスク装置昇降機
２３によりマスクは高分子フィルムと接触する。次に電
子ビーム蒸着装置４１、４２によりマスクの配線パター
ンに沿って蒸着が行われる。蒸着による生成した金属薄
膜が十分な膜圧に達すると、電子ビーム蒸着は中止され
る。その後高分子フィルム送り巻き取り装置１１により
高分子フィルムは巻き取られる。これらの過程は全て制
御装置６１により制御される。また効率よくフレキシブ
ルプリント基板を作製するために、金属薄膜を蒸着させ
た高分子フィルムを巻き取るとき、同時にイオン照射も
行われる。次に図２の装置を使用した際のフレキシブル
プリント基板の作製過程のほかの例を示す。まず高分子
フィルムは高分子フィルム送り巻き取り装置１１に取り
付けられる。配線パターンを開けられたマスクはマスク
送り巻き取り装置に取り付けられる。電子ビーム蒸着装
置４１、４２には配線パターンの材料が与えられる。そ
の後真空チャンバ７１は真空ポンプ５１により真空排気
される。真空チャンバ７１内の真空が十分に排気された
後、制御装置６１により高分子フィルム送り巻き取り装
置１１、イオン照射装置３１、マスク送り巻き取り装置
２１、電子ビーム蒸着装置４１が作動し高分子フィルム
は連続的に表面処理を施された後、蒸着により配線パタ
ーンが作製される。この間、高分子フィルム送り巻き取
り装置１１とマスク送り巻き取り装置２１は厳密に等し
い速度で送られる。またこの送り速度は金属薄膜の蒸着
速度及び密着強度を改善させるイオン照射量により決定
される。次に第二番目の発明に係るフレキシブルプリン
ト基板製造装置の他の実施例を図３に示す。これはイオ
ン照射による前処理と高分子フィルムへの配線パターン
の作製を別々の装置により行うものである。イオン照射
による前処理装置は、高分子フィルム送り巻き取り装置
１１、イオンビーム照射装置２１、真空ポンプ３１より
構成される。真空チャンバ５１は高真空状態に保たれ、
イオンビームの照射及び高分子フィルム送り巻き取り装
置１１は制御装置４１により制御される。また高分子フ
ィルムへの配線パターンの作製を行う装置は高分子フィ
ルムの送り巻き取り装置６１、高分子フィルムの支持ロ
ール６２、マスクの送り巻き取り装置７１、マスクの支
持ロール７２、マスク装置の油圧式昇降機７３、電子ビ
ーム蒸着装置８１、８２を備えている。これらの装置は
真空ポンプ９１により真空引きされ、高真空状態に保た
れたチャンバ１１１内に設置される。これら一連の作業
は制御装置１０１により制御される。イオンビームの照
射エネルギーは酸素を用いた場合１００eV〜１５００eV
程度が好ましいが、本発明はこの数値に限定するもので
はなく、高分子フィルムやイオンビームの種類、もしく
は期待する効果により最適な条件を使用すればよい。イ
オンが高分子表面に衝突すると、高分子表面に吸着した
不純物をはじき飛ばすクリーニング効果、または高分子
を構成する分子の再構成やイオンの高分子内への取り込
みなどによる新たな化学種の形成、スパッタリングによ
る表面形状の変化などの効果が得られる。金属薄膜を蒸
着する直前にこれらの効果を得ることにより、最大の密
着性の向上効果を得ることができる。図４はアルゴンイ
オンビームをそのエネルギーを５００eVから３０００eV
まで変化させてポリイミド表面に照射した後、電子ビー
ム蒸着法で厚さ０．１umの銅薄膜を蒸着したサンプルに
ついて、スクラッチテスト法を採用して、薄膜を剥離さ
せるのに要する力Ｆ（ｇｆ）を実測した結果を示したも
のである。図中の破線はイオンビームの照射を行わずに
蒸気の薄膜を蒸着したサンプルについてのスクラッチテ
スト法による結果である。イオンビームのエネルギーが
１５００eVの時に最良の密着性が得られ、本発明の効果
を示している、

【０００５】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、第１発
明によれば、高分子フィルム表面に金属薄膜を蒸着する
と同時に必要な回路パターンを形成する。このため、こ
の第１発明に係るフレキシブルプリント基板はその後の
回路のパターニング作業が必要なく、薄膜形成時の密着
性を保ったまま微細で高密度な製品となる。同時に多く
の工程を省略することにより大幅なコストダウンが可能
となる。また、第２発明によれば、表面の不純物層を取
り除いたり、または表面に活性基を形成したり、または
表面粗さを変化させたりすることにより、金属薄膜と高
分子フィルムの密着性が向上するようにしてある。この
ため、厚さ１０μｍから数百μｍのオーダで、金属薄膜
の膜厚を調節して、密着性に優れた微細で高集積の回路
を持ったフレキシブルプリント基板を低コストで製造す
ることが可能になるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１、第２発明に係るフレキシブルプリント基
板の作製過程の一例と従来の方法によるフレキシブルプ
リント基板を比較した図である。

【図２】第１、第２発明に係るフレキシブルプリント基
板の製造方法が適用され、第４発明に係るフレキシブル
プリント基板を連続的に生産する大量生産設備装置の概
略を示す図である。

【図３】第１、第２発明に係るフレキシブルプリント基
板の製造法が適用され、第３発明に係るフレキシブルプ
リント基板を生産する装置の概略を示す図である。

【図４】イオンビーム照射におけるイオンビームのエネ
ルギーと薄膜を剥離させるのに要する力との関係を示す
図である。

【符号の説明】

図１１高分子フィルム２金属薄膜３レジスト４マスク図２１１高分子フィルム送り巻き取り装置１２高分子フィルム支持ロール２１マスク送り巻き取り装置２２マスク支持ロール２３油圧式マスク装置昇降機３１イオンビーム照射装置３２ガス開閉弁３３ガス供給源４１電子ビーム蒸着装置４２電子ビーム蒸着装置５１真空ポンプ６１制御装置７１真空チャンバ図３１１高分子フィルム送り巻き取り装置２１イオンビーム照射装置２２ガス開閉弁２３ガス供給源３１真空ポンプ４１制御装置５１真空チャンバ６１高分子フィルム送り巻き取り装置６２高分子フィルム支持ロール７１マスク送り巻き取り装置７２マスク支持ロール７３油圧式マスク装置昇降機８１電子ビーム蒸着装置８２電子ビーム蒸着装置９１真空ポンプ１０１制御装置１１１真空チャンバ

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１４年２月１９日（２００２．２．１
９）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００１

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、イオンビームで表面改
質を行った後、金属薄膜の蒸着させ、そのあとに電気
的、機械的及びその他の方法によるエッチングを必要と
しないフレキシブルプリント基板の製造方法に関するも
のである。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００４

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は、斯かる従来の
問題点に鑑みてなされたもので、イオンビームによる表
面改質を行うことで金属薄膜と高分子フィルムとの密着
性を確保しながらも、フレキシブルプリント基板におけ
る回路の微細化及び高密度化に対応したフレキシブルプ
リント基板の製造方法及び装置を提供しようとするもの
である。本願の第１番目の発明は、まず、酸素、窒素、
アルゴン及びその他のイオンビームを高分子フィルム表
面に照射し、次いで、回路パターンを成形したマスクま
たはそれに類似する方法で高分子フィルムの表面を覆
い、その後、そのマスクされた高分子フィルムの表面に
蒸着を施すことにより、膜形成と同時に密着性の良い回
路を作り込むようにした。また、これらの方法を実現す
るための装置を提供した。さらに、これらの方法で製造
されたフレキシブルプリント基板を提供した。

【作用】本願の第１番目の発明によれば、イオンが高分
子表面に衝突することにより、高分子表面に吸着した不
純物をはじき飛ばしてクリーニングすると同時に、スパ
ッタリングにより，表面の粗度あげることができる。ま
た、これとあわせて、高分子を構成する分子の再構成や
イオンの高分子内への取り込みなどによる新たな化学種
を形成することができるため、大幅に密着性を高めるこ
とができ、回路の微細化に対応したフレキシブルプリン
ト基板を作成することが可能となる。図１は従来の方法
と本願の発明の方法とを比較したものである。真空等の
雰囲気中を直線的に飛ぶ金属蒸気の一部は、マスクに遮
られるため、高分子フィルムまで到達せず、マスクに遮
られない金属蒸気だけがイオンビームによる表面改質を
施された高分子フィルムに到達し付着する。

【実施例】次に、本願発明の一実施例を図面に従って説
明する。本願の第一番目の発明に係るフレキシブルプリ
ント基板製造装置の一実施例を図２に示す。この装置
は、連続的に高分子フィルムを加工する大量生産設備を
念頭に置いたもので、高分子フィルムの送り巻き取り装
置１１、高分子フィルムの支持ロール１２、マスクの送
り巻き取り装置２１、マスクの支持ロール２２、マスク
装置の油圧式昇降機２３、イオンビーム照射装置３１、
電子ビーム蒸着装置４１、４２を備えている。これらの
装置は真空ポンプ５１により真空引きされ、高真空状態
に保たれたチャンバ６１内に設置される。高分子フィル
ムの送り巻き取り装置１１、マスクの送り巻き取り装置
２１、イオン照射装置３１、複数の電子ビーム蒸着装置
４１、４２はそれぞれチャンバ外部におかれた制御装置
及び電源装置６１から制御される。イオンビーム照射装
置３１には、開閉弁３２を介してガス供給源３３が接続
してある。高分子フィルムの送り巻き取り装置１１は長
い高分子フィルムを等速度で連続に送ることができるよ
うな機構を備えている。途中、高分子フィルムの張力を
保持するために高分子フィルム支持ロール１２を備えて
いる。マスクの送り巻き取り装置２１は、通過する金属
蒸気が目的の回路構造をなすためのパターンが開けられ
たマスクを、高分子フィルムと等速度で送ることができ
る機構を備える。高分子フィルムはまずイオンビーム照
射装置３１による前処理が行われ、続いて複数の電子ビ
ーム蒸着装置４１とマスクの送り巻き取り装置２１によ
り送られるマスクによって高分子フィルム上に回路が形
成される。マスク送り巻き取り装置２１はマスクを高分
子フィルムと等速度で送る機構を有するが、マスクのみ
固定させて、マスクを複数回利用することもできる。こ
のとき、高分子フィルム搬送時はマスクは高分子送り巻
き取り装置１１から離れており、蒸着を行う際にのみマ
スク装置油圧式昇降機２３により高分子フィルムとマス
クは接触するようになっている。金属蒸着の方法は電子
ビームに限らず、スパッタ蒸着やその他の蒸着法であっ
ても良い。さらに図２は高分子フィルムやマスクの送り
方法を単純化して示しており、それらは図２に示すとお
りの物に限らない。また、イオンビーム照射装置、真空
ポンプ等は必ずしも１台に限るものではなく、複数台で
あっても良い。次に図２の装置を使用した際のフレキシ
ブルプリント基板の作製過程の一例を示す。まず高分子
フィルムは高分子フィルム送り巻き取り装置１１に取り
付けられる。配線パターンを開けられたマスクはマスク
送り巻き取り装置に取り付けられる。電子ビーム蒸着装
置４１、４２には配線パターンの材料が与えられる。そ
の後真空チャンバ７１は真空ポンプ５１により真空排気
される。真空チャンバ７１内の真空が十分に排気された
後、制御装置６１により高分子フィルム送り巻き取り装
置１１とイオン照射装置３１が作動し高分子フィルムは
連続的に表面処理を施される。高分子フィルムの送り速
度は、密着強度を最もよく増加させるようなイオンの照
射量になるように決められる。イオン照射を施された高
分子フィルムが蒸着域程度の長さになると、イオン照射
は中止され、イオン照射を施された高分子フィルムは蒸
着域に送られる。送られた後、油圧式マスク装置昇降機
２３によりマスクは高分子フィルムと接触する。次に電
子ビーム蒸着装置４１、４２によりマスクの配線パター
ンに沿って蒸着が行われる。蒸着による生成した金属薄
膜が十分な膜圧に達すると、電子ビーム蒸着は中止され
る。その後高分子フィルム送り巻き取り装置１１により
高分子フィルムは巻き取られる。これらの過程は全て制
御装置６１により制御される。また効率よくフレキシブ
ルプリント基板を作製するために、金属薄膜を蒸着させ
た高分子フィルムを巻き取るとき、同時にイオン照射も
行われる。次に図２の装置を使用した際のフレキシブル
プリント基板の作製過程のほかの例を示す。まず高分子
フィルムは高分子フィルム送り巻き取り装置１１に取り
付けられる。配線パターンを開けられたマスクはマスク
送り巻き取り装置に取り付けられる。電子ビーム蒸着装
置４１、４２には配線パターンの材料が与えられる。そ
の後真空チャンバ７１は真空ポンプ５１により真空排気
される。真空チャンバ７１内の真空が十分に排気された
後、制御装置６１により高分子フィルム送り巻き取り装
置１１、イオン照射装置３１、マスク送り巻き取り装置
２１、電子ビーム蒸着装置４１が作動し高分子フィルム
は連続的に表面処理を施された後、蒸着により配線パタ
ーンが作製される。この間、高分子フィルム送り巻き取
り装置１１とマスク送り巻き取り装置２１は厳密に等し
い速度で送られる。またこの送り速度は金属薄膜の蒸着
速度及び密着強度を改善させるイオン照射量により決定
される。次に第一番目の発明に係るフレキシブルプリン
ト基板製造装置の他の実施例を図３に示す。これはイオ
ン照射による前処理と高分子フィルムへの配線パターン
の作製を別々の装置により行うものである。イオン照射
による前処理装置は、高分子フィルム送り巻き取り装置
１１、イオンビーム照射装置２１、真空ポンプ３１より
構成される。真空チャンバ５１は高真空状態に保たれ、
イオンビームの照射及び高分子フィルム送り巻き取り装
置１１は制御装置４１により制御される。また高分子フ
ィルムへの配線パターンの作製を行う装置は高分子フィ
ルムの送り巻き取り装置６１、高分子フィルムの支持ロ
ール６２、マスクの送り巻き取り装置７１、マスクの支
持ロール７２、マスク装置の油圧式昇降機７３、電子ビ
ーム蒸着装置８１、８２を備えている。これらの装置は
真空ポンプ９１により真空引きされ、高真空状態に保た
れたチャンバ１１１内に設置される。これら一連の作業
は制御装置１０１により制御される。イオンビームの照
射エネルギーは酸素を用いた場合１００eV〜１５００eV
程度が好ましいが、本発明はこの数値に限定するもので
はなく、高分子フィルムやイオンビームの種類、もしく
は期待する効果により最適な条件を使用すればよい。イ
オンが高分子表面に衝突すると、高分子表面に吸着した
不純物をはじき飛ばすクリーニング効果、または高分子
を構成する分子の再構成やイオンの高分子内への取り込
みなどによる新たな化学種の形成、スパッタリングによ
る表面形状の変化などの効果が得られる。金属薄膜を蒸
着する直前にこれらの効果を得ることにより、最大の密
着性の向上効果を得ることができる。図４はアルゴンイ
オンビームをそのエネルギーを５００eVから３０００eV
まで変化させてポリイミド表面に照射した後、電子ビー
ム蒸着法で厚さ０．１マイクロメートルの銅薄膜を蒸着
したサンプルについて、スクラッチテスト法を採用し
て、薄膜を剥離させるのに要する力Ｆ（ｇｆ）を実測し
た結果を示したものである。図中の破線はイオンビーム
の照射を行わずに蒸気の薄膜を蒸着したサンプルについ
てのスクラッチテスト法による結果である。イオンビー
ムのエネルギーが１５００eVの時に最良の密着性が得ら
れ、本発明の効果を示している、

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００５

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００５】

【発明の効果】本第一発明によれば、イオンビームを高
分子フィルム表面に照射し表面改質を行うことで、表面
の不純物層を取り除いたり、または表面に活性基を形成
したり、または表面粗さを変化させたりすることによ
り、金属薄膜と高分子フィルムの密着性が向上するよう
にしてある。このため線幅10〜100マイクロメートルの
密着性に優れた微細で高集積の回路を持ったフレキシブ
ルプリント基板を低コストで製造することが可能になる
という効果を奏する。

【手続補正５】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図４

【補正方法】変更

【補正内容】

【図４】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者竹ノ内壮太郎京都府宇治市大久保町上ノ山22−１三和研磨工業株式会社内Ｆターム(参考） 4K029 AA11 AA25 BA02 BA07 BA08 BA12 BA21 BB03 BC03 BD02 CA01 FA05 HA03 KA01 5E343 AA03 AA12 AA33 AA39 BB24 BB38 BB44 BB71 DD23 EE32 FF09 FF16 FF20 GG02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】高分子フィルムの表面に、銅、ニッケル、
クロム、その他の金属または合金を単一層または複数層
に蒸着することによってパターンを形成するようにした
フレキシブルプリント基板の製造方法であって、まず、
回路パターンを成形したマスクまたはそれに類似する方
法で高分子フィルムの表面を覆い、その後、そのマスク
された高分子フィルムの表面に蒸着を施すことにより、
膜形成と同時に線幅10〜100 mmの回路を作り込むように
したことを特徴とする、フレキシブルプリント基板の製
造方法。
【請求項２】高分子フィルムの表面に、銅、ニッケル、
クロム、その他の金属または合金を単一層または複数層
に蒸着することによってパターンを形成するようにした
フレキシブルプリント基板の製造方法であって、まず、
酸素、窒素、アルゴン及びその他のイオンビームを高分
子フィルム表面に照射し、次いで、回路パターンを成形
したマスクまたはそれに類似する方法で高分子フィルム
の表面を覆い、その後、そのマスクされた高分子フィル
ムの表面に蒸着を施すことにより、膜形成と同時に回路
を作り込むようにしたことを特徴とする、フレキシブル
プリント基板の製造方法。
【請求項３】まず、回路パターンを成形したマスクまた
はそれに類似する方法で高分子フィルムの表面を覆い、
その後、そのマスクされた高分子フィルムの表面に、
銅、ニッケル、クロム、その他の金属または合金を単一
層または複数層に蒸着することによってパターンを形成
するようにしたフレキシブルプリント基板の製造装置で
あって、高分子フィルム搬送装置と、マスク装置と、蒸
着装置からなるフレキシブルプリント基板製造装置。
【請求項４】まず、酸素、窒素、アルゴン及びその他の
イオンビームを高分子フィルム表面に照射し、次いで、
回路パターンを成形したマスクまたはそれに類似する方
法で高分子フィルムの表面を覆い、その後、そのマスク
された高分子フィルムの表面に、銅、ニッケル、クロ
ム、その他の金属または合金を単一層または複数層に蒸
着することによってパターンを形成するようにしたフレ
キシブルプリント基板の製造装置であって、高分子フィ
ルム搬送装置と、マスク装置と、イオンビーム照射装置
と、蒸着装置からなるフレキシブルプリント基板製造装
置。
【請求項５】前記高分子フィルム搬送装置が、高分子フ
ィルムを搭載して連続的又は間欠的に搬送するための搬
送用ベルトと、巻き戻しロール及び巻き取りロールから
構成されており、前記マスク装置が、予め回路パターン
が連続して成形された帯状マスクと、このマスクを前記
高分子フィルム搬送装置と同期して連続的又は間欠的に
走行させるための巻き戻しロール及び巻き取りロールか
ら構成されており、かつ、前記マスク装置の巻き戻しロ
ールは、前記高分子フィルム搬送装置の巻き戻しロール
よりも搬送方向に一定距離だけ前方にあり、前記イオン
ビーム照射装置が、前記マスク装置の巻き戻しロールよ
りも走行方向前方に位置する高分子フィルムに対してイ
オンビームを照射できるように配置されており、前記蒸
着装置が、帯状マスクと同期して連続的に又は間欠的に
移動する高分子フィルムに対して金属を蒸着させるよう
に配置されていることを特徴とする、請求項４に記載の
フレキシブルプリント基板製造装置。
【請求項６】高分子フィルムの表面に、銅、ニッケル、
クロム、その他の金属または合金を単一層または複数層
に蒸着を施すことにより、膜形成と同時に線幅10〜100
mmの回路を作り込むようにして製造されたことを特徴と
するフレキシブルプリント基板。
【請求項７】高分子フィルムの表面に、酸素、窒素、ア
ルゴン及びその他のイオンビームを高分子フィルム表面
に照射し、その後、銅、ニッケル、クロム、その他の金
属または合金を単一層または複数層に蒸着を施すことに
より、膜形成と同時に線幅10〜100 mmの回路を作り込む
ようにして製造されたことを特徴とするフレキシブルプ
リント基板。