JP2001288569A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 基材の両面に配線形成用の導体成膜を行う場
合において、カールが無く、平坦な状態で基材を、真空
成膜法（スパッタリング法）により処理することがで
き、同時に、小口径の貫通孔部（ホール）に接続部を形
成する際に、貫通孔部（ホール）に確実に導体成膜がで
きるプラズマ処理方法、装置を提供する。 【解決手段】 容器内においてプラズマを励起させ、プ
ラズマ中で、絶縁体、導体、もしくはそれらを組み合わ
せた積層体からなる帯状に連続する被処理物１８０に対
し、シート状にして、被処理物の両面から同時に所定の
プラズマ処理を施すプラズマ処理部１１０，１２０，１
３０を有する、プラズマ処理装置であって、プラズマ処
理を行うための容器と、ガス供給システムと、排気シス
テムと対電極と高周波電源を備え、対向する対電極の一
方と他方とに、互いに、逆位相の高周波を加印しながら
処理を行うものである。
合において、カールが無く、平坦な状態で基材を、真空
成膜法（スパッタリング法）により処理することがで
き、同時に、小口径の貫通孔部（ホール）に接続部を形
成する際に、貫通孔部（ホール）に確実に導体成膜がで
きるプラズマ処理方法、装置を提供する。 【解決手段】 容器内においてプラズマを励起させ、プ
ラズマ中で、絶縁体、導体、もしくはそれらを組み合わ
せた積層体からなる帯状に連続する被処理物１８０に対
し、シート状にして、被処理物の両面から同時に所定の
プラズマ処理を施すプラズマ処理部１１０，１２０，１
３０を有する、プラズマ処理装置であって、プラズマ処
理を行うための容器と、ガス供給システムと、排気シス
テムと対電極と高周波電源を備え、対向する対電極の一
方と他方とに、互いに、逆位相の高周波を加印しながら
処理を行うものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，帯状に連続する被
処理物に高性能なプラスマ処理を施すことができるプラ
ズマ処理装置に関し、特にフレキシブルプリント基板等
の、半導体搭載用の部材の製造において行われるプラズ
マ処理に用いられるプラズマ処理装置に関する。
処理物に高性能なプラスマ処理を施すことができるプラ
ズマ処理装置に関し、特にフレキシブルプリント基板等
の、半導体搭載用の部材の製造において行われるプラズ
マ処理に用いられるプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の組立用部材として用いられ
ているパッケージは、高性能化と軽薄短小化傾向から、
半導体をますます高集積、高機能搭載にするため、より
多くのゲートを基板内に収容でき、さらに、基板サイズ
を小さくすることができるように多種の方法が開発され
てきた。従来より用いられている代表的な高密度面実装
型の半導体装置であるＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａ
ｒｒａｙ）は、半導体素子の電極パッドから、周囲の回
路との接続を行うために、導通層の金属と絶縁層を積層
させ、導通層の各層間をスルーホールにて電気的な接続
を行って、２次元的配線を積層した、より高密度な３次
元的配線の構造をとっている。また、近年、実装部材
は、より薄型にするためには、従来から使用されている
ガラスエポキシ材から、ポリイミドに代表されるフレキ
シブルな基材へ変更されている。また従来、前述までの
絶縁層上の配線は金属箔をラミネート法等で貼りつけ、
それをエッチングして作製されていた。また、基材に設
けられた貫通孔部（ホールとも言う）の上下、即ち、基
材の表裏にある配線の導通は、最も使用されている無電
解めっきによりスルーホールを形成する無電解めっき
法、貫通孔部に導体を充填させる導体埋め込み法、ある
いは、導電性の高剛性突起物を基材（絶縁材）に差し込
み接続する差し込み方法等により、接続部（接続配線
部）を形成することにより行われていた。
ているパッケージは、高性能化と軽薄短小化傾向から、
半導体をますます高集積、高機能搭載にするため、より
多くのゲートを基板内に収容でき、さらに、基板サイズ
を小さくすることができるように多種の方法が開発され
てきた。従来より用いられている代表的な高密度面実装
型の半導体装置であるＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａ
ｒｒａｙ）は、半導体素子の電極パッドから、周囲の回
路との接続を行うために、導通層の金属と絶縁層を積層
させ、導通層の各層間をスルーホールにて電気的な接続
を行って、２次元的配線を積層した、より高密度な３次
元的配線の構造をとっている。また、近年、実装部材
は、より薄型にするためには、従来から使用されている
ガラスエポキシ材から、ポリイミドに代表されるフレキ
シブルな基材へ変更されている。また従来、前述までの
絶縁層上の配線は金属箔をラミネート法等で貼りつけ、
それをエッチングして作製されていた。また、基材に設
けられた貫通孔部（ホールとも言う）の上下、即ち、基
材の表裏にある配線の導通は、最も使用されている無電
解めっきによりスルーホールを形成する無電解めっき
法、貫通孔部に導体を充填させる導体埋め込み法、ある
いは、導電性の高剛性突起物を基材（絶縁材）に差し込
み接続する差し込み方法等により、接続部（接続配線
部）を形成することにより行われていた。
【０００３】しかしながら、基材がフレキシブルな基材
に、特にポリイミド等の機能性高分子材料に変更され
て、かつ、ホール寸法が小口径に変化している場合に
は、従来から使用されている無電解めっき法では、めっ
き形成された接続部は基材とのピール強度が不足し、無
電解めっき特有の欠陥が発生するようになっている。
に、特にポリイミド等の機能性高分子材料に変更され
て、かつ、ホール寸法が小口径に変化している場合に
は、従来から使用されている無電解めっき法では、めっ
き形成された接続部は基材とのピール強度が不足し、無
電解めっき特有の欠陥が発生するようになっている。
【０００４】これに対応するため、基材がフレキシブル
な基材で、特にポリイミド等の機能性高分子材料で、か
つ、ホール寸法が小口径の場合、半導体製造技術である
スパッタ法に代表される真空成膜法を採り入れ、接続部
を形成する方法が採られるようになってきた。しかし、
この方法を採る場合、従来、片面づつ成膜する必要があ
り、成膜した金属と基材との熱膨張の差で基材がカール
することもあり、また片面ずつ両面を成膜しても成膜条
件の差で平坦な基材を得ることが難しかった。
な基材で、特にポリイミド等の機能性高分子材料で、か
つ、ホール寸法が小口径の場合、半導体製造技術である
スパッタ法に代表される真空成膜法を採り入れ、接続部
を形成する方法が採られるようになってきた。しかし、
この方法を採る場合、従来、片面づつ成膜する必要があ
り、成膜した金属と基材との熱膨張の差で基材がカール
することもあり、また片面ずつ両面を成膜しても成膜条
件の差で平坦な基材を得ることが難しかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、基材が
フレキシブルな基材で、特にポリイミド等の機能性高分
子材料で、且つ、ホール寸法が小口径で、接続部を形成
する方法として真空成膜法を採り入れた場合、従来は、
片面づつ成膜する必要があり、片面成膜においてはカー
ルの問題があり、片面ずつ両面を成膜しても、平坦な基
材を得ることができないという問題があった。本発明
は、これに対応するもので、基材がフレキシブルな基材
で、特にポリイミド等の機能性高分子材料で、その両面
に配線形成用の導体成膜を行う場合において、カールが
無く、平坦な状態で基材を、真空成膜法（スパッタリン
グ法）により処理することができ、同時に、小口径の貫
通孔部（ホール）に接続部を形成する際に、貫通孔部
（ホール）に確実に導体成膜ができるプラズマ処理方
法、装置を提供しようとするものである。
フレキシブルな基材で、特にポリイミド等の機能性高分
子材料で、且つ、ホール寸法が小口径で、接続部を形成
する方法として真空成膜法を採り入れた場合、従来は、
片面づつ成膜する必要があり、片面成膜においてはカー
ルの問題があり、片面ずつ両面を成膜しても、平坦な基
材を得ることができないという問題があった。本発明
は、これに対応するもので、基材がフレキシブルな基材
で、特にポリイミド等の機能性高分子材料で、その両面
に配線形成用の導体成膜を行う場合において、カールが
無く、平坦な状態で基材を、真空成膜法（スパッタリン
グ法）により処理することができ、同時に、小口径の貫
通孔部（ホール）に接続部を形成する際に、貫通孔部
（ホール）に確実に導体成膜ができるプラズマ処理方
法、装置を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマ処理装
置は、容器内においてプラズマを励起させ、プラズマ中
で、絶縁体、導体、もしくはそれらを組み合わせた積層
体からなる帯状に連続する被処理物に対し、シート状に
して、被処理物の両面から同時に所定のプラズマ処理を
施すプラズマ処理部を有する、プラズマ処理装置であっ
て、プラズマ処理部は、その中で、プラズマを励起さ
せ、処理を行うための容器と、プラズマに必要な原料ガ
スを供給するガス供給システムと、排気し容器内を減圧
にするための排気システムを有し、容器の内部に、シー
ト状の被処理物を挟み、それぞれ該被処理物から等距離
に略平行に対峙して配置された、対向する対電極を設
け、且つ、対向する対電極の一方と他方とに、互いに、
逆位相の高周波を加印する、高周波電源を備え、対向す
る対電極の一方と他方とに、互いに、逆位相の高周波を
加印しながら処理を行うものであることを特徴とするも
のである。そして、上記において、プラズマ処理部の処
理は、シート状にした被処理物をほぼ鉛直方向に張った
状態で処理を行うものであることを特徴とするものであ
る。そしてまた、上記において、ロール形態の被処理物
を、処理を行うための容器へ、シート状にして供給する
巻き出し部と、処理されたシート状の被処理物を、ロー
ル形態に巻き取る巻き取り部とを備え、被処理物は、巻
き出し部からプラズマ処理部を経て巻き取り部へと連続
的に搬送されるものであることを特徴とするものであ
る。また、上記において、異なるもしくは同じ所定の処
理を施すプラズマ処理部を、２つ以上備えていることを
特徴とするものである。また、上記において、プラズマ
処理部の所定の処理が、プラズマによる表面改質処理、
被処理物の表面洗浄処理、被処理物上への導体成膜処理
であることを特徴とするものである。尚、ここでは、シ
ート状とは、ほぼ一平面に沿う状態を意味している。以
降も同様である。
置は、容器内においてプラズマを励起させ、プラズマ中
で、絶縁体、導体、もしくはそれらを組み合わせた積層
体からなる帯状に連続する被処理物に対し、シート状に
して、被処理物の両面から同時に所定のプラズマ処理を
施すプラズマ処理部を有する、プラズマ処理装置であっ
て、プラズマ処理部は、その中で、プラズマを励起さ
せ、処理を行うための容器と、プラズマに必要な原料ガ
スを供給するガス供給システムと、排気し容器内を減圧
にするための排気システムを有し、容器の内部に、シー
ト状の被処理物を挟み、それぞれ該被処理物から等距離
に略平行に対峙して配置された、対向する対電極を設
け、且つ、対向する対電極の一方と他方とに、互いに、
逆位相の高周波を加印する、高周波電源を備え、対向す
る対電極の一方と他方とに、互いに、逆位相の高周波を
加印しながら処理を行うものであることを特徴とするも
のである。そして、上記において、プラズマ処理部の処
理は、シート状にした被処理物をほぼ鉛直方向に張った
状態で処理を行うものであることを特徴とするものであ
る。そしてまた、上記において、ロール形態の被処理物
を、処理を行うための容器へ、シート状にして供給する
巻き出し部と、処理されたシート状の被処理物を、ロー
ル形態に巻き取る巻き取り部とを備え、被処理物は、巻
き出し部からプラズマ処理部を経て巻き取り部へと連続
的に搬送されるものであることを特徴とするものであ
る。また、上記において、異なるもしくは同じ所定の処
理を施すプラズマ処理部を、２つ以上備えていることを
特徴とするものである。また、上記において、プラズマ
処理部の所定の処理が、プラズマによる表面改質処理、
被処理物の表面洗浄処理、被処理物上への導体成膜処理
であることを特徴とするものである。尚、ここでは、シ
ート状とは、ほぼ一平面に沿う状態を意味している。以
降も同様である。
【０００７】本発明のプラズマ処理方法は、所定の位置
に貫通孔部を設けた、絶縁体、導体、もしくはそれらを
組み合わせた積層体からなる帯状に連続する被処理物
の、両面および貫通孔部に成膜し、且つ、成膜された両
面の導体を成膜された貫通孔部の導体を介して導通させ
る導体成膜処理であって、被処理物を、シート状にし
て、被処理物の両面から同時にスパッタリングによる導
体成膜処理を施すもので、シート状の被処理物を挟み、
それぞれ該被処理物から等距離に略平行に対峙して配置
された、対向する一対のスパッタ電極の一方と他方と
に、互いに、逆位相の高周波を加印しながらスパッタリ
ングによる導体成膜処理を行うものであることを特徴と
するものである。そして、上記において、被処理物が、
配線形成用部材であることを特徴とするものである。そ
してまた、上記において、導体成膜処理は、シート状に
した被処理物をほぼ鉛直方向に張った状態で処理を行う
ものであることを特徴とするものである。
に貫通孔部を設けた、絶縁体、導体、もしくはそれらを
組み合わせた積層体からなる帯状に連続する被処理物
の、両面および貫通孔部に成膜し、且つ、成膜された両
面の導体を成膜された貫通孔部の導体を介して導通させ
る導体成膜処理であって、被処理物を、シート状にし
て、被処理物の両面から同時にスパッタリングによる導
体成膜処理を施すもので、シート状の被処理物を挟み、
それぞれ該被処理物から等距離に略平行に対峙して配置
された、対向する一対のスパッタ電極の一方と他方と
に、互いに、逆位相の高周波を加印しながらスパッタリ
ングによる導体成膜処理を行うものであることを特徴と
するものである。そして、上記において、被処理物が、
配線形成用部材であることを特徴とするものである。そ
してまた、上記において、導体成膜処理は、シート状に
した被処理物をほぼ鉛直方向に張った状態で処理を行う
ものであることを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】本発明のプラズマ処理装置は、上記のような構
成にすることにより、被処理物が、フレキシブルな基材
で、特にポリイミド等の機能性高分子材料で、その両面
に配線形成用の導体成膜を行う場合において、カールが
無く、平坦な状態で基材を、真空成膜法（スパッタリン
グ法）により処理することができ、同時に、小口径の貫
通孔部（ホール）に接続部を形成する際に、貫通孔部
（ホール）に確実に導体成膜ができるプラズマ処理装置
の提供を可能としている。具体的には、プラズマ処理部
は、その中で、プラズマを励起させ、処理を行うための
容器と、プラズマに必要な原料ガスを供給するガス供給
システムと、排気し容器内を減圧にするための排気シス
テムを有し、容器の内部に、シート状の被処理物を挟
み、それぞれ該被処理物から等距離に略平行に対峙して
配置された、対向する対電極を設け、且つ、対向する対
電極の一方と他方とに、互いに、逆位相の高周波を加印
する、高周波電源を備え、対向する対電極の一方と他方
とに、互いに、逆位相の高周波を加印しながら処理を行
うものであることにより、これを可能にしている。即
ち、シート状の被処理物の両面にほぼ同じ条件でプラズ
マ処理を行うことを可能とし、スパッタリング法により
その両面に配線形成用の導体成膜を行う場合において、
カールが無い、平坦な状態での成膜を可能としている。
また、スパッタリング法による導体成膜には、方向性は
ないため、被処理物に設けられた貫通孔部への成膜が確
実に行える。また、プラズマ処理部の処理が、シート状
にした被処理物をほぼ鉛直方向に張った状態で処理を行
うものであることにより、被処理物の自重によるたわみ
の発生を無いものとできる。被処理物上への導体成膜処
理においては、被処理物を貫通する形状、被処理物が多
層の場合で各層を貫通する形状、あるいは、これらの組
み合わせの形状を有する被処理物の、孔の側壁を被処理
物の両表面成膜と同時に確実に成膜することができる。
成にすることにより、被処理物が、フレキシブルな基材
で、特にポリイミド等の機能性高分子材料で、その両面
に配線形成用の導体成膜を行う場合において、カールが
無く、平坦な状態で基材を、真空成膜法（スパッタリン
グ法）により処理することができ、同時に、小口径の貫
通孔部（ホール）に接続部を形成する際に、貫通孔部
（ホール）に確実に導体成膜ができるプラズマ処理装置
の提供を可能としている。具体的には、プラズマ処理部
は、その中で、プラズマを励起させ、処理を行うための
容器と、プラズマに必要な原料ガスを供給するガス供給
システムと、排気し容器内を減圧にするための排気シス
テムを有し、容器の内部に、シート状の被処理物を挟
み、それぞれ該被処理物から等距離に略平行に対峙して
配置された、対向する対電極を設け、且つ、対向する対
電極の一方と他方とに、互いに、逆位相の高周波を加印
する、高周波電源を備え、対向する対電極の一方と他方
とに、互いに、逆位相の高周波を加印しながら処理を行
うものであることにより、これを可能にしている。即
ち、シート状の被処理物の両面にほぼ同じ条件でプラズ
マ処理を行うことを可能とし、スパッタリング法により
その両面に配線形成用の導体成膜を行う場合において、
カールが無い、平坦な状態での成膜を可能としている。
また、スパッタリング法による導体成膜には、方向性は
ないため、被処理物に設けられた貫通孔部への成膜が確
実に行える。また、プラズマ処理部の処理が、シート状
にした被処理物をほぼ鉛直方向に張った状態で処理を行
うものであることにより、被処理物の自重によるたわみ
の発生を無いものとできる。被処理物上への導体成膜処
理においては、被処理物を貫通する形状、被処理物が多
層の場合で各層を貫通する形状、あるいは、これらの組
み合わせの形状を有する被処理物の、孔の側壁を被処理
物の両表面成膜と同時に確実に成膜することができる。
【０００９】プラズマ処理部の所定の処理としては、プ
ラズマによる表面改質処理、被処理物の表面洗浄処理、
被処理物上への導体成膜処理が挙げられ、異なるもしく
は同じ所定の処理を施すプラズマ処理部を、２つ以上備
えることにより、種々の処理を組み合わせた複合処理を
行うことができる。
ラズマによる表面改質処理、被処理物の表面洗浄処理、
被処理物上への導体成膜処理が挙げられ、異なるもしく
は同じ所定の処理を施すプラズマ処理部を、２つ以上備
えることにより、種々の処理を組み合わせた複合処理を
行うことができる。
【００１０】本発明のプラズマ処理方法は、上記のよう
な構成にすることにより、被処理物である基材がフレキ
シブルな基材で、特にポリイミド等の機能性高分子材料
で、その両面に配線形成用の導体成膜を行う場合におい
て、カールが無く、平坦な状態で基材を、真空成膜法
（スパッタリング法）により処理することができ、同時
に、小口径の貫通孔部（ホール）に接続部を形成する際
に、貫通孔部（ホール）に確実に導体成膜ができるプラ
ズマ処理方法の提供を可能としている。特に、被処理物
が、配線形成用部材である場合には有効である。
な構成にすることにより、被処理物である基材がフレキ
シブルな基材で、特にポリイミド等の機能性高分子材料
で、その両面に配線形成用の導体成膜を行う場合におい
て、カールが無く、平坦な状態で基材を、真空成膜法
（スパッタリング法）により処理することができ、同時
に、小口径の貫通孔部（ホール）に接続部を形成する際
に、貫通孔部（ホール）に確実に導体成膜ができるプラ
ズマ処理方法の提供を可能としている。特に、被処理物
が、配線形成用部材である場合には有効である。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明のプラズマ処理装置の実施
の形態の１例を図に基づいて説明する。図１は本発明の
プラズマ処理装置の実施の形態の１例の概略断面図、図
２は導体成膜処理を説明するための概略図（図１の第２
の処理部の構成を拡大して示した概略図でもある）、図
３は本発明のプラズマ処理方法を用いた配線基板の製造
工程図である。図１、図２、図３中、１１０は第１のプ
ラズマ処理部、１１１は第１電極、１１２は第２電極、
１１５はＲＦ電源（高周波電源）、１１６、１１７は配
線、１１８は第１の真空室（真空容器）、１２０は第２
のプラズマ処理部、１２１は第１電極、１２２は第２電
極、１２５はＲＦ電源（高周波電源）、１２６、１２７
は配線、１２８は第２の真空室（真空容器）、１３０は
第３のプラズマ処理部、１３１は第１電極、１３２は第
２電極、１３５はＲＦ電源（高周波電源）、１３６、１
３７は配線、１３８は第３の真空室（真空容器）、１４
１、１４２、１４３、１４４はスリット、１４５は壁
部、１５１、１５２、１５３、１５４はガス導入管、１
６０は巻き出し部、１６１はロール支持棒、１６５はテ
ンションコントロールロール、１６６、１６７は配線、
１６８はロール巻き出し室、１７０は巻き取り部、１７
１はロール支持棒、１７５はテンションコントロールロ
ール、１７６、１７７は配線、１７８はロール巻き取り
室、１８０は被処理物（基材とも言う）、１８５は貫通
孔部、１９０は導体膜、２１０は基材、２２０、２２５
はレジスト、２４０は電解めっき層、２４２、２４２は
配線部、２４５は接続部である。
の形態の１例を図に基づいて説明する。図１は本発明の
プラズマ処理装置の実施の形態の１例の概略断面図、図
２は導体成膜処理を説明するための概略図（図１の第２
の処理部の構成を拡大して示した概略図でもある）、図
３は本発明のプラズマ処理方法を用いた配線基板の製造
工程図である。図１、図２、図３中、１１０は第１のプ
ラズマ処理部、１１１は第１電極、１１２は第２電極、
１１５はＲＦ電源（高周波電源）、１１６、１１７は配
線、１１８は第１の真空室（真空容器）、１２０は第２
のプラズマ処理部、１２１は第１電極、１２２は第２電
極、１２５はＲＦ電源（高周波電源）、１２６、１２７
は配線、１２８は第２の真空室（真空容器）、１３０は
第３のプラズマ処理部、１３１は第１電極、１３２は第
２電極、１３５はＲＦ電源（高周波電源）、１３６、１
３７は配線、１３８は第３の真空室（真空容器）、１４
１、１４２、１４３、１４４はスリット、１４５は壁
部、１５１、１５２、１５３、１５４はガス導入管、１
６０は巻き出し部、１６１はロール支持棒、１６５はテ
ンションコントロールロール、１６６、１６７は配線、
１６８はロール巻き出し室、１７０は巻き取り部、１７
１はロール支持棒、１７５はテンションコントロールロ
ール、１７６、１７７は配線、１７８はロール巻き取り
室、１８０は被処理物（基材とも言う）、１８５は貫通
孔部、１９０は導体膜、２１０は基材、２２０、２２５
はレジスト、２４０は電解めっき層、２４２、２４２は
配線部、２４５は接続部である。
【００１２】本例のプラズマ処理装置は、巻き出し部１
６０、第１の処理部１１０、第２の処理部１２０、第３
の処理部１３０、巻き取り部１７０を、上から順に備
え、帯状に連続するフレキシブルな基材（被処理物）１
８０をシート状にした状態で、鉛直方向に搬送しなが
ら、順次、第１の処理部１１０、第２の処理部１２０、
第３の処理部１３０において、それぞれ、基材（被処理
物）１８０の両面、同時に、第１のプラズマ処理、第２
のプラズマ処理、第３のプラズマ処理を行うことができ
るものである。そして、各プラズマ処理部は、その中
で、プラズマを励起させ、処理を行うための容器（真空
室）１１８、１２８、１３８と、プラズマを励起させる
ために必要な原料ガスを供給するガス供給システム（図
２の１５１〜１５４にはガス導入管を示す）と、排気し
容器内を減圧にするための排気システム（図示していな
い）を有し、容器の内部に、シート状の被処理物１８０
を挟み、それぞれ該被処理物１８０から等距離に略平行
に対峙して配置された、対向する対電極（１１１、１１
２）、（１２１、１２２）、（１３１、１３２）を設
け、且つ、対向する対電極の一方と他方とに、互いに、
逆位相の高周波を加印する、高周波電源１１５、１２
５、１３５を備え、対向する対電極の一方と他方とに、
互いに、逆位相の高周波を加印しながらプラズマ処理を
行うものである。各処理部における、各プラズマ処理
は、いずれも、基材１８０の両面を同時に、略同じ条件
下での処理することができ、従来の片面ずつの処理のよ
うに、成膜した金属と基材との熱膨張の差で、あるいは
両面の成膜条件の差で、基材がカールすることもなく、
両面成膜された平坦な基材を得ることができる。
６０、第１の処理部１１０、第２の処理部１２０、第３
の処理部１３０、巻き取り部１７０を、上から順に備
え、帯状に連続するフレキシブルな基材（被処理物）１
８０をシート状にした状態で、鉛直方向に搬送しなが
ら、順次、第１の処理部１１０、第２の処理部１２０、
第３の処理部１３０において、それぞれ、基材（被処理
物）１８０の両面、同時に、第１のプラズマ処理、第２
のプラズマ処理、第３のプラズマ処理を行うことができ
るものである。そして、各プラズマ処理部は、その中
で、プラズマを励起させ、処理を行うための容器（真空
室）１１８、１２８、１３８と、プラズマを励起させる
ために必要な原料ガスを供給するガス供給システム（図
２の１５１〜１５４にはガス導入管を示す）と、排気し
容器内を減圧にするための排気システム（図示していな
い）を有し、容器の内部に、シート状の被処理物１８０
を挟み、それぞれ該被処理物１８０から等距離に略平行
に対峙して配置された、対向する対電極（１１１、１１
２）、（１２１、１２２）、（１３１、１３２）を設
け、且つ、対向する対電極の一方と他方とに、互いに、
逆位相の高周波を加印する、高周波電源１１５、１２
５、１３５を備え、対向する対電極の一方と他方とに、
互いに、逆位相の高周波を加印しながらプラズマ処理を
行うものである。各処理部における、各プラズマ処理
は、いずれも、基材１８０の両面を同時に、略同じ条件
下での処理することができ、従来の片面ずつの処理のよ
うに、成膜した金属と基材との熱膨張の差で、あるいは
両面の成膜条件の差で、基材がカールすることもなく、
両面成膜された平坦な基材を得ることができる。
【００１３】ロール形態の帯状に連続する基材（被処理
物）１８０は、ロール巻き出し室１６８からスリット１
４１を通り第１の処理部１１０の第１の真空室１１８
へ、第１の真空室１１８からスリット１４２を通り第２
の処理部１２０の第２の真空室１２８へ、第２の真空室
１２８からスリット１４３を通り第３の処理部１３０の
第３の真空室１３８へ、第３の真空室１３８からスリッ
ト１４４を通り巻き取り室１７８へと搬送される。
物）１８０は、ロール巻き出し室１６８からスリット１
４１を通り第１の処理部１１０の第１の真空室１１８
へ、第１の真空室１１８からスリット１４２を通り第２
の処理部１２０の第２の真空室１２８へ、第２の真空室
１２８からスリット１４３を通り第３の処理部１３０の
第３の真空室１３８へ、第３の真空室１３８からスリッ
ト１４４を通り巻き取り室１７８へと搬送される。
【００１４】基材巻き出し室１６８および基材巻き取り
室１７８以外の各処理室にはそれぞれ図示していないガ
ス導入管でそれそれの室の目的にあったガスが導入さ
れ、図示していない排気系と、グロー放電が維持できる
真空度に保たれる。このときガス導入管は各処理の妨げ
にならないように各電極の周囲に配置されることが普通
である。導体成膜の場合、スパッタリングガスとして
は、不活性ガス（通常はアルゴンガス）が用いられ、各
処理室の圧力としては、０．０５Ｐａ〜１００Ｐａの範
囲で維持されるが成膜する材料や側壁への回り込みや、
かつ電極内に設置する磁石にもより、一般には０．５〜
１０Ｐａの範囲がより望ましい。
室１７８以外の各処理室にはそれぞれ図示していないガ
ス導入管でそれそれの室の目的にあったガスが導入さ
れ、図示していない排気系と、グロー放電が維持できる
真空度に保たれる。このときガス導入管は各処理の妨げ
にならないように各電極の周囲に配置されることが普通
である。導体成膜の場合、スパッタリングガスとして
は、不活性ガス（通常はアルゴンガス）が用いられ、各
処理室の圧力としては、０．０５Ｐａ〜１００Ｐａの範
囲で維持されるが成膜する材料や側壁への回り込みや、
かつ電極内に設置する磁石にもより、一般には０．５〜
１０Ｐａの範囲がより望ましい。
【００１５】被処理物１１０としては、絶縁体、導体、
もしくはそれらを組み合わせた積層体からなる帯状に連
続するものが適用できる。特に、本例の装置では、テン
ションコントロールロール１６５、１７５により制御
し、シート状にした状態で、鉛直方向に搬送するもの
で、被処理物１１０の自重によるたわみを発生させない
で、各プラズマ処理を行うことができる。搬送速度は、
通常、１〜２０００ｍｍ／分で行うが、製造速度、基材
の温度上昇および成膜厚にもよるが、導体成膜処理を伴
う場合には３００ｍｍ／分前後が望ましい。そして、被
処理物を貫通する形状、被処理物が多層の場合で各層を
貫通する形状、あるいは、これらの組み合わせの形状を
有する被処理物の、孔の側壁を被処理物の両表面成膜と
同時に確実に成膜することができる。
もしくはそれらを組み合わせた積層体からなる帯状に連
続するものが適用できる。特に、本例の装置では、テン
ションコントロールロール１６５、１７５により制御
し、シート状にした状態で、鉛直方向に搬送するもの
で、被処理物１１０の自重によるたわみを発生させない
で、各プラズマ処理を行うことができる。搬送速度は、
通常、１〜２０００ｍｍ／分で行うが、製造速度、基材
の温度上昇および成膜厚にもよるが、導体成膜処理を伴
う場合には３００ｍｍ／分前後が望ましい。そして、被
処理物を貫通する形状、被処理物が多層の場合で各層を
貫通する形状、あるいは、これらの組み合わせの形状を
有する被処理物の、孔の側壁を被処理物の両表面成膜と
同時に確実に成膜することができる。
【００１６】また、各プラズマ処理部の所定の処理とし
ては、プラズマによる表面改質処理、被処理物の表面洗
浄処理、被処理物上への導体成膜処理が挙げられ、本例
のプラズマ処理装置においては、第１の処理部１１０、
第２の処理部１２０、第３の処理部１３０において、プ
ラズマによる表面改質処理、被処理物の表面洗浄処理、
被処理物上への導体成膜処理を目的に応じて、割り振る
ことにより、種々の複合処理ができる。第１の処理部１
１０、第２の処理部１２０、第３の処理部１３０におい
て、それぞれ異なる処理を施す、あるいは同じ所定の処
理を分割して施すことができ、あるいは、特定の処理部
のみの処理を行うことができ、種々の複合処理、単一処
理ができる。例えば、基材（被処理物）１８０に対し導
体成膜を行う場合、第１の処理部１１０で被処理物の表
面洗浄処を行い、第２の処理部１２０で下地の導体成膜
を行い、第３の処理部で目的とする導体成膜を行うこと
もできる。尚、導体性膜処理でなく、電極のスパッタリ
ングを行わない場合、処理電極に高周波が印加されるの
で、処理電極を構成している電極材料と印加する高周波
のパワーに注意しないと電極材料がスパツタされてしま
う。
ては、プラズマによる表面改質処理、被処理物の表面洗
浄処理、被処理物上への導体成膜処理が挙げられ、本例
のプラズマ処理装置においては、第１の処理部１１０、
第２の処理部１２０、第３の処理部１３０において、プ
ラズマによる表面改質処理、被処理物の表面洗浄処理、
被処理物上への導体成膜処理を目的に応じて、割り振る
ことにより、種々の複合処理ができる。第１の処理部１
１０、第２の処理部１２０、第３の処理部１３０におい
て、それぞれ異なる処理を施す、あるいは同じ所定の処
理を分割して施すことができ、あるいは、特定の処理部
のみの処理を行うことができ、種々の複合処理、単一処
理ができる。例えば、基材（被処理物）１８０に対し導
体成膜を行う場合、第１の処理部１１０で被処理物の表
面洗浄処を行い、第２の処理部１２０で下地の導体成膜
を行い、第３の処理部で目的とする導体成膜を行うこと
もできる。尚、導体性膜処理でなく、電極のスパッタリ
ングを行わない場合、処理電極に高周波が印加されるの
で、処理電極を構成している電極材料と印加する高周波
のパワーに注意しないと電極材料がスパツタされてしま
う。
【００１７】尚、図１では、ガス供給システム（図２の
１５１〜１５４にはガス導入管を示す）と、排気システ
ム、電極の冷却水等は、省略して示していないが、これ
らは、基材（被処理物）１８０の両面の処理がほぼ同じ
状態で行われるように、ほぼ基材に対し、対称に配置さ
れている。
１５１〜１５４にはガス導入管を示す）と、排気システ
ム、電極の冷却水等は、省略して示していないが、これ
らは、基材（被処理物）１８０の両面の処理がほぼ同じ
状態で行われるように、ほぼ基材に対し、対称に配置さ
れている。
【００１８】また、第１の処理部１１０の第１の真空室
１１８、第２の処理部１２０の第２の真空室１２８、第
３の処理部１３０の第３の真空室１３８は、それぞれの
高周波（ＲＦ波）に極力干渉しないように壁部１４５で
仕切られている。また、本例では１つのＲＦ電源のデュ
アルカソード電源であるが、対峙する電極の位相が正確
に逆位相で得られれば２つのＲＦ電源を使用しても問題
ない。
１１８、第２の処理部１２０の第２の真空室１２８、第
３の処理部１３０の第３の真空室１３８は、それぞれの
高周波（ＲＦ波）に極力干渉しないように壁部１４５で
仕切られている。また、本例では１つのＲＦ電源のデュ
アルカソード電源であるが、対峙する電極の位相が正確
に逆位相で得られれば２つのＲＦ電源を使用しても問題
ない。
【００１９】次に、本発明のプラズマ処理方法の実施の
形態の１例を図２に基づいて説明する。また、これを以
って、図１に示すプラズマ処理装置の、各処理部の各部
の基本的な動作説明とする。ここでは、基材（被処理
物）１８０を所定の位置に貫通孔が設けられた絶縁性層
からなるフィルムシート（ポリイミドフィルム）とし、
この表面部に金属膜を成膜するプラズマ処理を説明す
る。処理は第１の処理部１１０の第１の処理室１１８で
行うとする。図示しない排気システムと、ガス供給シス
テム（全体は図示されていない）のガス導入管１５１〜
１５４からのスパッタ用ガスで、グロー放電が可能な真
空度に維持された真空室（真空チャンバー、単に容器と
も言う）１１８（内に、対向する第１の電極１１１と電
極第２の１１２の中間の位置（図でＬ１＝Ｌ２）に、シ
ート状の基材（被処理物）１８０が、図１に示すロール
巻き出し室１６８からスリット１４１を通し送られてく
る。ここで、ＲＦ電源１１５より第１の電極１１１およ
び第２の電極１１２に高周波が印加される。このとき第
２の電極１１２は第１の電極１１１に対し位相が逆にな
るよう印加される。グロー放電が可能に維持されている
ので、第１の電極１１１と第２の電極１１２の間でグロ
ー放電が行われる。このとき基材１８０が図中にある矢
印方向に移動した場合、グロー放電で電極１１１および
電極１１２からスパッタリングされた金属が基材１８０
の両面上ににほぼ同じ条件で成膜され、成膜膜１９０が
形成される。第１の電極１１１および第２の電極１１２
は、図示していない冷却水で冷却される。上記成膜にお
いて特徴的なのは、従来成膜等で使用されている蒸着法
とくらべ、成膜される金属が異方性をもたずに等方的に
動くため、基材１８０にある貫通孔部（ホール）１８５
側壁にも成膜膜１９０が確実に形成される。尚、成膜速
度を向上さるせために電極裏面にマグネトロンを取り付
けても良い。本例は、基材（被処理物）１８０が、配線
形成用部材であり、貫通孔部（ホール）１８５が小口径
の場合において有効で、両面への導体成膜、孔部（ホー
ル）１８５への接続部の形成を、同時に確実に行え、且
つ、カールが無く、平坦な両面成膜基材を得ることがで
きる。
形態の１例を図２に基づいて説明する。また、これを以
って、図１に示すプラズマ処理装置の、各処理部の各部
の基本的な動作説明とする。ここでは、基材（被処理
物）１８０を所定の位置に貫通孔が設けられた絶縁性層
からなるフィルムシート（ポリイミドフィルム）とし、
この表面部に金属膜を成膜するプラズマ処理を説明す
る。処理は第１の処理部１１０の第１の処理室１１８で
行うとする。図示しない排気システムと、ガス供給シス
テム（全体は図示されていない）のガス導入管１５１〜
１５４からのスパッタ用ガスで、グロー放電が可能な真
空度に維持された真空室（真空チャンバー、単に容器と
も言う）１１８（内に、対向する第１の電極１１１と電
極第２の１１２の中間の位置（図でＬ１＝Ｌ２）に、シ
ート状の基材（被処理物）１８０が、図１に示すロール
巻き出し室１６８からスリット１４１を通し送られてく
る。ここで、ＲＦ電源１１５より第１の電極１１１およ
び第２の電極１１２に高周波が印加される。このとき第
２の電極１１２は第１の電極１１１に対し位相が逆にな
るよう印加される。グロー放電が可能に維持されている
ので、第１の電極１１１と第２の電極１１２の間でグロ
ー放電が行われる。このとき基材１８０が図中にある矢
印方向に移動した場合、グロー放電で電極１１１および
電極１１２からスパッタリングされた金属が基材１８０
の両面上ににほぼ同じ条件で成膜され、成膜膜１９０が
形成される。第１の電極１１１および第２の電極１１２
は、図示していない冷却水で冷却される。上記成膜にお
いて特徴的なのは、従来成膜等で使用されている蒸着法
とくらべ、成膜される金属が異方性をもたずに等方的に
動くため、基材１８０にある貫通孔部（ホール）１８５
側壁にも成膜膜１９０が確実に形成される。尚、成膜速
度を向上さるせために電極裏面にマグネトロンを取り付
けても良い。本例は、基材（被処理物）１８０が、配線
形成用部材であり、貫通孔部（ホール）１８５が小口径
の場合において有効で、両面への導体成膜、孔部（ホー
ル）１８５への接続部の形成を、同時に確実に行え、且
つ、カールが無く、平坦な両面成膜基材を得ることがで
きる。
【００２０】
【実施例】実施例は、図１に示す、３つの処理部を持つ
プラズマ処理装置を用い、所定位地に貫通孔を設けたフ
レキシブルなポリイミドフィルム（デュポン製、カプト
ン）からなる基材に、クロム層を下地として銅層を主層
とする金属膜を成膜する例である。スパッタリングによ
り、基材であるポリイミドフィルムの両面に前記金属膜
を形成すると同時に、ポリイミドフィルムに設けられた
貫通孔部にも、金属膜を設け、貫通孔部の接続用の金属
膜により、両面の金属膜同志を接続して、基材を金属膜
で覆った配線部材を作製する例である。尚、作製された
配線部材は、形成された金属膜を給電層として、部分電
気めっきにより、直接、あるいは、電気めっきにより、
全体に厚付けし、更に所定形状にエッチングして、配線
部を形成するための部材である。図１に示すプラズマ処
理装置の第１の処理部１１０、第２の処理部１２０、第
３の処理部１３０で、順に、それぞれ、成膜前の表面処
理、密着層（下地層）であるクロム膜の形成（導体性
膜）、目的とする銅膜の導体成膜を行ったものである。
図１に示すように、各処理室には基材１８０を挟むよう
に電極を対峙させており、実施例では、第１の処理部の
第１の処理室１１８にはイオン表面処理電極としてアル
ミニウム電極（１１１、１１２）、第２の処理部１２０
の第２の処理室１２８にはクロム電極（１２１、１２
２）、第３の処理部１３０の第３の処理室１３８には銅
電極（１３１、１３２）を配設し、各電極を図示してい
ない冷却水で冷した。
プラズマ処理装置を用い、所定位地に貫通孔を設けたフ
レキシブルなポリイミドフィルム（デュポン製、カプト
ン）からなる基材に、クロム層を下地として銅層を主層
とする金属膜を成膜する例である。スパッタリングによ
り、基材であるポリイミドフィルムの両面に前記金属膜
を形成すると同時に、ポリイミドフィルムに設けられた
貫通孔部にも、金属膜を設け、貫通孔部の接続用の金属
膜により、両面の金属膜同志を接続して、基材を金属膜
で覆った配線部材を作製する例である。尚、作製された
配線部材は、形成された金属膜を給電層として、部分電
気めっきにより、直接、あるいは、電気めっきにより、
全体に厚付けし、更に所定形状にエッチングして、配線
部を形成するための部材である。図１に示すプラズマ処
理装置の第１の処理部１１０、第２の処理部１２０、第
３の処理部１３０で、順に、それぞれ、成膜前の表面処
理、密着層（下地層）であるクロム膜の形成（導体性
膜）、目的とする銅膜の導体成膜を行ったものである。
図１に示すように、各処理室には基材１８０を挟むよう
に電極を対峙させており、実施例では、第１の処理部の
第１の処理室１１８にはイオン表面処理電極としてアル
ミニウム電極（１１１、１１２）、第２の処理部１２０
の第２の処理室１２８にはクロム電極（１２１、１２
２）、第３の処理部１３０の第３の処理室１３８には銅
電極（１３１、１３２）を配設し、各電極を図示してい
ない冷却水で冷した。
【００２１】以下、図１、図３に基づいて実施例を説明
する。先ず、所定位置に貫通孔を設けたフレキシブルな
ポリイミドフィルム（デュポン製、カプトン）からなる
基材を用意した。（図３（ｃ）） 例えば、以下のようにして、孔の開いていないフレキシ
ブルなポリイミドフィルム（デュポン製、カプトン）の
所定位置に貫通孔を設ける。まず、図３（ａ）のような
孔の開いていないレキシブルなポリイミドフィルム（デ
ュポン製、カプトン）からなる基材２１０に、形成する
貫通孔に対応した形状にレジストパターン２２０を作製
する。（図３（ｂ）） 次に、レジストパターン２２０を耐エッチングマスクと
して、基材２１０の露出した部分をウェットエッチング
で加工した後、レジストパターン２２０を剥離する。
（図３（ｃ）） レジストパターン２２０としては、例えば、ニチゴーモ
ートン製ラミナーＧＡを加熱ラミネートもしくは真空ラ
ミネートで形成し、平行光露光機でおよそ１００ｍＪ／
ｃｍ2 で露光し、炭酸ナトリウム１．５ｗｔ％溶液で現
像して得ることができる。尚、ここで必要ならポストベ
イクも行う。また、エッチング液としては、水酸化カリ
ウム２ｗｔ％、エタノール５ｗｔ％の水溶液、ヒドラジ
ンを添加した水溶液等が挙げられる。レジストパターン
２２０の剥離には、水酸化ナトリウム５ｗｔ％水溶液、
６０℃等がしようできる。上記例では、ウェットエッチ
ング方法で基材２１０を孔開け加工しているが、図３
（ｂ）の工程を無くしてレーザー加工、あるいは、図３
（ｂ）工程を通し、プラズマ加工して、孔開け加工して
も良い。
する。先ず、所定位置に貫通孔を設けたフレキシブルな
ポリイミドフィルム（デュポン製、カプトン）からなる
基材を用意した。（図３（ｃ）） 例えば、以下のようにして、孔の開いていないフレキシ
ブルなポリイミドフィルム（デュポン製、カプトン）の
所定位置に貫通孔を設ける。まず、図３（ａ）のような
孔の開いていないレキシブルなポリイミドフィルム（デ
ュポン製、カプトン）からなる基材２１０に、形成する
貫通孔に対応した形状にレジストパターン２２０を作製
する。（図３（ｂ）） 次に、レジストパターン２２０を耐エッチングマスクと
して、基材２１０の露出した部分をウェットエッチング
で加工した後、レジストパターン２２０を剥離する。
（図３（ｃ）） レジストパターン２２０としては、例えば、ニチゴーモ
ートン製ラミナーＧＡを加熱ラミネートもしくは真空ラ
ミネートで形成し、平行光露光機でおよそ１００ｍＪ／
ｃｍ2 で露光し、炭酸ナトリウム１．５ｗｔ％溶液で現
像して得ることができる。尚、ここで必要ならポストベ
イクも行う。また、エッチング液としては、水酸化カリ
ウム２ｗｔ％、エタノール５ｗｔ％の水溶液、ヒドラジ
ンを添加した水溶液等が挙げられる。レジストパターン
２２０の剥離には、水酸化ナトリウム５ｗｔ％水溶液、
６０℃等がしようできる。上記例では、ウェットエッチ
ング方法で基材２１０を孔開け加工しているが、図３
（ｂ）の工程を無くしてレーザー加工、あるいは、図３
（ｂ）工程を通し、プラズマ加工して、孔開け加工して
も良い。
【００２２】次いで、所定位置に貫通孔を設けたフレキ
シブルなポリイミドフィルム（デュポン製、カプトン）
からなる基材をロール状にして、巻き出し部１６０のロ
ール支持棒１６１にセットし、テンションコントロール
ロール１６５、１７５により、張りながら、巻き出し部
１６０、巻き取り部１７０により、速度３００ｍｍ／分
で、各処理室中を、鉛直方向に搬送している状態で、各
処理を行った。処理ガスとしてアルゴンガスを導入し、
各処理室の圧力を、３〜７Ｐａの範囲で制御して、各処
理を行った。各室は、処理するときの真空度以下の高真
空に一旦排気し、その後、所定の圧力に制御した。
シブルなポリイミドフィルム（デュポン製、カプトン）
からなる基材をロール状にして、巻き出し部１６０のロ
ール支持棒１６１にセットし、テンションコントロール
ロール１６５、１７５により、張りながら、巻き出し部
１６０、巻き取り部１７０により、速度３００ｍｍ／分
で、各処理室中を、鉛直方向に搬送している状態で、各
処理を行った。処理ガスとしてアルゴンガスを導入し、
各処理室の圧力を、３〜７Ｐａの範囲で制御して、各処
理を行った。各室は、処理するときの真空度以下の高真
空に一旦排気し、その後、所定の圧力に制御した。
【００２３】第１の処理部１１０では、電極材料にアル
ミニウムを用いているので、電極材料であるアルミニウ
ムがスパッタリングされ、成膜されないように、イオン
エネルギー１３ｅＶ以下で処理を行った。第２の処理部
１２０では、１. ５Ｗ／ｃｍ2 のパワーでクロム膜厚が
５０ｎｍ程度の膜厚になるように制御した。尚、実施例
では、クロムを下地層とするためクロムを電極材料とし
たが、ニッケル、チタン、タングステン、あるいはこれ
らの合金を下地層とすることもでき、それらの場合に
は、それぞれに対応した電極材料を用い、対応した処理
条件で成膜する。第３の処理部１３０では、３Ｗ／ｃｍ
2 のパワーで銅膜厚が３００ｎｍ程度になるように制御
した。成膜された銅膜は、後続する電気めっき工程で
の、給電層として使用するので、極力厚い方が有利であ
る。このようにして、基材（被処理物）１８０を巻き出
し部１６０から各処理部を通り、巻き取り部１７０まで
搬送し、その両面にクロム層を下地層とし、主層である
銅層を成膜した配線部材を形成した。（図３（ｄ）） 以上までの工程を経て基材２０１上へスパッタ膜２０３
が成膜される。
ミニウムを用いているので、電極材料であるアルミニウ
ムがスパッタリングされ、成膜されないように、イオン
エネルギー１３ｅＶ以下で処理を行った。第２の処理部
１２０では、１. ５Ｗ／ｃｍ2 のパワーでクロム膜厚が
５０ｎｍ程度の膜厚になるように制御した。尚、実施例
では、クロムを下地層とするためクロムを電極材料とし
たが、ニッケル、チタン、タングステン、あるいはこれ
らの合金を下地層とすることもでき、それらの場合に
は、それぞれに対応した電極材料を用い、対応した処理
条件で成膜する。第３の処理部１３０では、３Ｗ／ｃｍ
2 のパワーで銅膜厚が３００ｎｍ程度になるように制御
した。成膜された銅膜は、後続する電気めっき工程で
の、給電層として使用するので、極力厚い方が有利であ
る。このようにして、基材（被処理物）１８０を巻き出
し部１６０から各処理部を通り、巻き取り部１７０まで
搬送し、その両面にクロム層を下地層とし、主層である
銅層を成膜した配線部材を形成した。（図３（ｄ）） 以上までの工程を経て基材２０１上へスパッタ膜２０３
が成膜される。
【００２４】更に、このようにして作製された配線部材
を用いた配線基板を作製してみた。図３（ｅ）〜図３
（ｇ）に基づいて、簡単に説明しておく。作製された配
線部材の両面に、表裏の配線もしくは貫通孔部（ホー
ル）に形成する接続用の配線に合せ、所定形状に開口を
設け、電解めっき膜を形成する際のめっきマスクとなる
レジストパターン２２５を形成した。（図３（ｅ）） レジストパターン２２５は、旭化成製ＡＱ一５０３５を
加熱ラミネートもしくは真空ラミネートで形成し、平行
光露光機でおよそ５０ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、炭酸ナト
リウム１ｗｔ％溶液で現像して得た。次いで、レジスト
パターン２２５の開口から露出した部分に、以下の条件
で、電解硫酸銅めっきを施し、銅めっき層を形成した。
（図３（ｆ）） 硫酸銅めっき浴は、硫酸銅７０ｇ／ｌ、硫酸２５０ｇ／
ｌ溶液に村上工業製の硫酸銅めっき用添加剤スルカップ
を適量添加し、カソード電流２Ａ／ｄｍ2 で目的厚まで
めっきした。
を用いた配線基板を作製してみた。図３（ｅ）〜図３
（ｇ）に基づいて、簡単に説明しておく。作製された配
線部材の両面に、表裏の配線もしくは貫通孔部（ホー
ル）に形成する接続用の配線に合せ、所定形状に開口を
設け、電解めっき膜を形成する際のめっきマスクとなる
レジストパターン２２５を形成した。（図３（ｅ）） レジストパターン２２５は、旭化成製ＡＱ一５０３５を
加熱ラミネートもしくは真空ラミネートで形成し、平行
光露光機でおよそ５０ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、炭酸ナト
リウム１ｗｔ％溶液で現像して得た。次いで、レジスト
パターン２２５の開口から露出した部分に、以下の条件
で、電解硫酸銅めっきを施し、銅めっき層を形成した。
（図３（ｆ）） 硫酸銅めっき浴は、硫酸銅７０ｇ／ｌ、硫酸２５０ｇ／
ｌ溶液に村上工業製の硫酸銅めっき用添加剤スルカップ
を適量添加し、カソード電流２Ａ／ｄｍ2 で目的厚まで
めっきした。
【００２５】次に、レジストパターン２２５を剥離除去
し、洗浄等を行った後、露出した、電解銅めっきの給電
層である配線部材（３（ｄ））の金属膜１９０を剥離し
て、配線基板を作製した。（図３（ｇ））。レジストパ
ターン２２５は水酸化ナトリウム３ｗｔ％溶液、５０℃
で剥離し、露出した金属膜１９０のスパッタ銅は硝酸第
２セリウムアンモニウム２００ｇ／ｌ溶液で、スパッタ
クロムはフェリシアン化カリウム１５０ｇ／ｌと水酸化
ナトリウム５０ｇ／ｌの混合溶液でそれぞれ剥離した。
このようにして、配線部材（図３（ｄ））に対し、表裏
の配線、接続用配線を形成した。これらは、半導体用の
インターポーザー、フレキシブルなプリントボード等に
使用される。また、多層配線の形成にも適用できる。
し、洗浄等を行った後、露出した、電解銅めっきの給電
層である配線部材（３（ｄ））の金属膜１９０を剥離し
て、配線基板を作製した。（図３（ｇ））。レジストパ
ターン２２５は水酸化ナトリウム３ｗｔ％溶液、５０℃
で剥離し、露出した金属膜１９０のスパッタ銅は硝酸第
２セリウムアンモニウム２００ｇ／ｌ溶液で、スパッタ
クロムはフェリシアン化カリウム１５０ｇ／ｌと水酸化
ナトリウム５０ｇ／ｌの混合溶液でそれぞれ剥離した。
このようにして、配線部材（図３（ｄ））に対し、表裏
の配線、接続用配線を形成した。これらは、半導体用の
インターポーザー、フレキシブルなプリントボード等に
使用される。また、多層配線の形成にも適用できる。
【００２６】尚、上記配線部材（図３（ｄ））の作製工
程は基材２１０（図３（ａ））上への両面への成膜であ
るが、その上に絶縁体を成膜し、同じような工程を経る
ことで多層構造にすることも可能である。
程は基材２１０（図３（ａ））上への両面への成膜であ
るが、その上に絶縁体を成膜し、同じような工程を経る
ことで多層構造にすることも可能である。
【００２７】尚、上記、実施例の配線部材の形成では、
主に導体膜１９０の形成について述べたが、本発明の装
置は、各電極材料や条件を変えることで基材の表面洗
浄、親水性の付加等の表面処理、孔開け加工に使用され
るレーザー加工のデスミア処理等にも使用することがで
きる。
主に導体膜１９０の形成について述べたが、本発明の装
置は、各電極材料や条件を変えることで基材の表面洗
浄、親水性の付加等の表面処理、孔開け加工に使用され
るレーザー加工のデスミア処理等にも使用することがで
きる。
【００２８】
【発明の効果】本発明は、上記のように、被処理物が、
フレキシブルな基材で、特にポリイミド等の機能性高分
子材料で、その両面に配線形成用の導体成膜を行う場合
において、カールが無く、平坦な状態で基材を、真空成
膜法（スパッタリング法）により処理することができ、
同時に、小口径の貫通孔部（ホール）に接続部を形成す
る際に、貫通孔部（ホール）に確実に導体成膜ができる
プラズマ処理方法、および装置の提供を可能とした。本
発明のプラズマ処理方法（導体成膜方法）は、特に、半
導体用のインターポーザー、フレキシブルなプリントボ
ード等の配線基板を形成する際に適用されると有効であ
る。
フレキシブルな基材で、特にポリイミド等の機能性高分
子材料で、その両面に配線形成用の導体成膜を行う場合
において、カールが無く、平坦な状態で基材を、真空成
膜法（スパッタリング法）により処理することができ、
同時に、小口径の貫通孔部（ホール）に接続部を形成す
る際に、貫通孔部（ホール）に確実に導体成膜ができる
プラズマ処理方法、および装置の提供を可能とした。本
発明のプラズマ処理方法（導体成膜方法）は、特に、半
導体用のインターポーザー、フレキシブルなプリントボ
ード等の配線基板を形成する際に適用されると有効であ
る。
【図１】本発明のプラズマ処理装置の実施の形態の１例
の概略断面図
の概略断面図
【図２】導体成膜処理を説明するための概略図（図１の
第２の処理部の構成を拡大して示した概略図でもある）
第２の処理部の構成を拡大して示した概略図でもある）
【図３】本発明のプラズマ処理方法を用いた配線基板の
製造工程図
製造工程図
１１０ 第１のプラズマ処理部 １１１ 第１電極 １１２ 第２電極 １１５ ＲＦ電源（高周波電源） １１６、１１７ 配線 １１８ 第１の真空室（真空容器） １２０ 第２のプラズマ処理部 １２１ 第１電極 １２２ 第２電極 １２５ ＲＦ電源（高周波電源） １２６、１２７ 配線 １２８ 第２の真空室（真空容器） １３０ 第３のプラズマ処理部 １３１ 第１電極 １３２ 第２電極 １３５ ＲＦ電源（高周波電源） １３６、１３７ 配線 １３８ 第３の真空室（真空容器） １４１、１４２、１４３、１４４ スリット １４５ 壁部 １５１、１５２、１５３、１５４ ガス導入管 １６０ 巻き出し部 １６１ ロール支持棒 １６５ テンションコントロールロー
ル １６６、１６７ 配線 １６８ ロール巻き出し室 １７０ 巻き取り部 １７１ ロール支持棒 １７５ テンションコントロールロー
ル １７６、１７７ 配線 １７８ ロール巻き取り室 １８０ 被処理物（基材とも言う） １８５ 貫通孔部 １９０ 導体膜 ２１０ 基材 ２２０、２２５ レジスト ２４０ 電解めっき層 ２４２、２４２ 配線部 ２４５ 接続部
ル １６６、１６７ 配線 １６８ ロール巻き出し室 １７０ 巻き取り部 １７１ ロール支持棒 １７５ テンションコントロールロー
ル １７６、１７７ 配線 １７８ ロール巻き取り室 １８０ 被処理物（基材とも言う） １８５ 貫通孔部 １９０ 導体膜 ２１０ 基材 ２２０、２２５ レジスト ２４０ 電解めっき層 ２４２、２４２ 配線部 ２４５ 接続部
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ２３Ｃ 14/06 Ｃ２３Ｃ 14/06 Ｎ 14/14 14/14 Ｇ Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｓ Ｆターム(参考） 4G075 AA24 BC02 BC06 CA25 CA47 CA65 DA02 EA01 EB01 EB42 EC21 ED04 ED09 FB12 4K029 AA11 BA07 BA08 BB02 BB04 BC03 BD01 CA05 DC03 DC16 DC28 DC35 FA04 FA05 GA05 HA07 JA10 KA01 5F103 AA08 NN04 NN06
Claims (8)
- 【請求項１】 容器内においてプラズマを励起させ、プ
ラズマ中で、絶縁体、導体、もしくはそれらを組み合わ
せた積層体からなる帯状に連続する被処理物に対し、シ
ート状にして、被処理物の両面から同時に所定のプラズ
マ処理を施すプラズマ処理部を有する、プラズマ処理装
置であって、プラズマ処理部は、その中で、プラズマを
励起させ、処理を行うための容器と、プラズマに必要な
原料ガスを供給するガス供給システムと、排気し容器内
を減圧にするための排気システムを有し、容器の内部
に、シート状の被処理物を挟み、それぞれ該被処理物か
ら等距離に略平行に対峙して配置された、対向する対電
極を設け、且つ、対向する対電極の一方と他方とに、互
いに、逆位相の高周波を加印する、高周波電源を備え、
対向する対電極の一方と他方とに、互いに、逆位相の高
周波を加印しながら処理を行うものであることを特徴と
するプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 請求項１において、プラズマ処理部の処
理は、シート状にした被処理物をほぼ鉛直方向に張った
状態で処理を行うものであることを特徴とするプラズマ
処理装置。 - 【請求項３】 請求項１ないし２において、ロール形態
の被処理物を、処理を行うための容器へ、シート状にし
て供給する巻き出し部と、処理されたシート状の被処理
物を、ロール形態に巻き取る巻き取り部とを備え、被処
理物は、巻き出し部からプラズマ処理部を経て巻き取り
部へと連続的に搬送されるものであることを特徴とする
プラズマ処理装置。 - 【請求項４】 請求項１ないし３において、異なるもし
くは同じ所定の処理を施すプラズマ処理部を、２つ以上
備えていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項５】 請求項１ないし４において、プラズマ処
理部の所定の処理が、プラズマによる表面改質処理、被
処理物の表面洗浄処理、被処理物上への導体成膜処理で
あることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項６】 所定の位置に貫通孔部を設けた、絶縁
体、導体、もしくはそれらを組み合わせた積層体からな
る帯状に連続する被処理物の、両面および貫通孔部に成
膜し、且つ、成膜された両面の導体を成膜された貫通孔
部の導体を介して導通させる導体成膜処理であって、被
処理物を、シート状にして、被処理物の両面から同時に
スパッタリングによる導体成膜処理を施すもので、シー
ト状の被処理物を挟み、それぞれ該被処理物から等距離
に略平行に対峙して配置された、対向する一対のスパッ
タ電極の一方と他方とに、互いに、逆位相の高周波を加
印しながらスパッタリングによる導体成膜処理を行うも
のであることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項７】 請求項６において、被処理物が、配線形
成用部材であることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項８】 請求項６ないし７において、導体成膜処
理は、シート状にした被処理物をほぼ鉛直方向に張った
状態で処理を行うものであることを特徴とするプラズマ
処理方法。
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|---|---|
| JP2001288569A true JP2001288569A (ja) | 2001-10-19 |
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8610353B2 (en) | 2010-09-16 | 2013-12-17 | Tokyo Electron Limited | Plasma generating apparatus, plasma processing apparatus and plasma processing method |
| KR101404132B1 (ko) * | 2012-04-09 | 2014-06-13 | 한국기계연구원 | 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치 및 이를 이용한 대상물의 가공방법 |
| US9403382B2 (en) | 2013-09-13 | 2016-08-02 | Ricoh Company, Ltd. | Printing apparatus, printing system, and printed material manufacturing method |
| CN106795623A (zh) * | 2014-10-14 | 2017-05-31 | 凸版印刷株式会社 | 通过气相沉积法在挠性基板上成膜的方法 |
| KR101879297B1 (ko) * | 2016-09-22 | 2018-07-17 | 주식회사 토바 | 롤투롤을 활용한 비접촉 이중 증착 시스템 |
| WO2019003809A1 (ja) * | 2017-06-30 | 2019-01-03 | 凸版印刷株式会社 | フィルムの処理方法及びフィルムの製造方法 |
| JP2022128059A (ja) * | 2021-02-22 | 2022-09-01 | 常州欣盛半導體技術股▲ふん▼有限公司 | 両面及び複数層ｆｐｃ用基板及びその加工方法 |
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| KR101268101B1 (ko) | 2011-01-06 | 2013-05-29 | 성균관대학교산학협력단 | 기판 양면 코팅 장치 및 그 방법 |
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| JPH04136167A (ja) * | 1990-09-27 | 1992-05-11 | Showa Shinku:Kk | 連続式スパッタリング装置 |
| JPH05255854A (ja) * | 1992-03-11 | 1993-10-05 | Sumitomo Wiring Syst Ltd | 電気接点用材料の製造方法および製造装置 |
| JPH06212405A (ja) * | 1991-10-31 | 1994-08-02 | Hoechst Celanese Corp | ポリフェニレンサルファイド支持体上に銅をめっきする方法 |
| JPH0813143A (ja) * | 1994-06-24 | 1996-01-16 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び処理装置 |
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| JP2000026631A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-25 | Ueno Tekkusu Kk | プラズマ表面処理装置 |
-
2000
- 2000-03-31 JP JP2000098355A patent/JP4580496B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| CN110832108B (zh) * | 2017-06-30 | 2023-03-31 | 凸版印刷株式会社 | 膜处理方法及膜制造方法 |
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