KR101404132B1 - 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치 및 이를 이용한 대상물의 가공방법 - Google Patents

플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치 및 이를 이용한 대상물의 가공방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 플라즈마의 선택적인 분포를 정밀하게 확보하고 대상물 상에 다중(multi) 증착을 동시에 진행할 수 있는 대기압 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치 및 이를 이용한 대상물 가공방법을 위하여, 서로 이격되어 배치된 복수의 도전체 패턴들을 포함하는 제1전극과 상기 복수의 도전체 패턴들 중의 적어도 일부와 직접 접촉하면서 상기 제1전극 상에 배치되는 대상물과 상기 대상물과 이격되며 상기 제1전극과 대향하는 위치에 서로 이격되어 배치되고 상기 대상물과의 사이에서 대기압 플라즈마가 각각 발생될 수 있는 복수의 제2전극들을 구비하는 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치가 제공된다.

Description

플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치 및 이를 이용한 대상물의 가공방법{Plasma generating apparatus and methods for processing an object using the same}
본 발명은 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 플라즈마의 선택적인 분포를 정밀하게 확보할 수 있는 대기압 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치 및 이를 이용하여 다층의 물질막을 형성하는 대상물의 가공방법에 관한 것이다.
일반적으로 플라즈마는 전기가 통하는 중성의 전리가스, 즉 대량의 전리가 일어나지 않는 기체 중에 이온이나 전자가 희박하게 존재하는 거의 중성에 가까운 기체 상태로 그 온도에 따라 고온 및 저온 플라즈마로 나누어지며 화학적 또는 물리적으로 반응성이 대단히 강하다. 플라즈마를 이용한 기판 처리 기술은 근래 여러 산업 분야, 예컨대 반도체 소자, 태양전지, 디스플레이 등의 분야에 널리 사용되고 있다.
예를 들어, 저온 플라즈마는 금속, 반도체, 폴리머, 나일론, 플라스틱, 종이, 섬유 및 오존 등의 각종 물질 또는 재료를 합성하거나 표면특성을 변화시켜 접합강도를 높이고 염색, 인쇄능을 비롯한 각종 특성을 향상시키는 분야 및 반도체, 금속 및 세라믹 박막합성, 세정 등 다양한 분양에 널리 사용되고 있다.
하지만, 저온 플라즈마는 통상 낮은 압력의 진공 용기 내에서 발생되기 때문에, 진공유지를 위한 고가의 장치가 필요하여 대구경의 대상물을 처리하기 위해 이용되는 데 제약이 있다. 이를 극복하기 위해서 대기압 근처에서 플라즈마를 발생시키기 위한 노력이 있다. 하지만, 대기압 근처에서 플라즈마를 발생시키기 위한 장치에는 플라즈마가 아크로 전이되는 현상이 발생하며, 대기압 플라즈마를 정밀하고 선택적으로 발생시킬 수 없어서 대상물 상에 증착 공정을 진행할 경우 추가적인 후속공정이 필요하며, 처리물의 크기가 클 경우 처리가 곤란하다는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 대기압 근처에서 플라즈마를 정밀하고 선택적으로 발생시킬 수 있는 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치 및 이를 이용한 대상물의 가공방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 서로 이격되어 배치된 복수의 도전체 패턴들을 포함하는 제1전극; 상기 복수의 도전체 패턴들 중의 적어도 일부와 직접 접촉하면서 상기 제1전극 상에 배치되는 대상물; 및 상기 대상물과 이격되며 상기 제1전극과 대향하는 위치에 서로 이격되어 배치되고, 상기 대상물과의 사이에서 대기압 플라즈마가 각각 발생될 수 있는 복수의 제2전극들;을 구비하는 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치가 제공된다.
상기 제1전극은 상기 복수의 도전체 패턴들 사이에 개재되는 절연체 부재를 더 포함할 수 있다.
상기 제1전극과 상기 복수의 제2전극들에 각각 전기적으로 연결되는 전원부를 더 구비할 수 있다. 나아가, 상기 복수의 제2전극들의 각각과 상기 전원부 사이의 전기적 연결의 개폐를 제어하며, 상기 대상물 및 상기 제1전극의 이동 방향과 속도를 제어하는 제어부를 더 구비할 수 있다.
상기 제2전극은 상기 대상물 상에 증착되는 물질막의 고체소스를 제공할 수 있다. 나아가, 상기 제2전극은 실리콘(Si), 알루미늄(Al) 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 제2전극과 상기 대상물 사이에 반응가스가 공급되며, 상기 대기압 플라즈마는 상기 고체소스와 반응가스의 결합체를 포함할 수 있다. 상기 반응가스는 대기압의 수소가스를 포함할 수 있다.
상기 대상물은 부도체를 포함할 수 있다. 상기 대상물은 유리, 섬유, 종이 및 폴리머로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 대기압 플라즈마는 상기 대상물과 직접 접촉하는 상기 복수의 도전체 패턴들의 위치에 대응하여 상기 제2전극과 상기 대상물 사이에서 발생될 수 있다.
상기 제1전극은 원통형의 몸체부 및 상기 몸체부 상에 이격되어 배치되는 상기 복수의 도전체 패턴들을 포함할 수 있고, 상기 대상물은 상기 복수의 도전체 패턴들 중의 적어도 일부와 직접 접촉하면서 상기 제1전극의 적어도 일부를 감아 둘러싸며 배치될 수 있고, 상기 복수의 제2전극들의 각각은 대향하는 상기 대상물과 일정한 이격거리를 가지도록 상기 제1전극의 곡률과 동일한 곡률을 가질 수 있다.
상기 제1전극은 서로 이격되어 배치되는 상기 복수의 도전체 패턴들을 포함하는 판상형 전극일 수 있고, 상기 복수의 제2전극들의 각각은 상기 대상물과 일정한 이격거리를 가지도록 배치된 판상형 전극일 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 따르면, 서로 이격되어 배치된 복수의 도전체 패턴들을 포함하는 제1전극과 상기 제1전극과 대향하는 위치에 서로 이격되어 배치되는 복수의 제2전극들을 구비하는 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치를 준비하는 단계; 상기 복수의 도전체 패턴들 중의 적어도 일부와 직접 접촉하도록 대상물을 상기 제1전극 상에 배치하는 단계; 및 상기 제1전극과 상기 복수의 제2전극들 중에 선택된 적어도 하나 이상의 제2전극에 전원을 인가하여 상기 선택된 적어도 하나 이상의 제2전극과 상기 대상물 사이에 대기압 플라즈마를 발생시키는 단계;를 포함하는 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치를 이용한 대상물의 가공방법이 제공된다.
상기 대기압 플라즈마를 발생시키는 단계는, 상기 제2전극과 상기 대상물 사이에 반응가스를 공급하는 단계; 및 상기 제2전극으로부터 제공되는 고체소스와 상기 반응가스의 결합체를 포함하는 플라즈마를 발생시키는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 대상물을 상기 제1전극 상에 이동시키는 단계; 및 상기 대상물 상에 상기 고체소스를 포함하는 물질막을 증착하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 대상물 상에 대기압 플라즈마를 정밀하고 선택적으로 발생시켜 대상물의 표면을 효과적으로 처리할 수 있으며, 대상물 상에 별도의 리소그래피 공정 없이 증착 공정을 효과적으로 수행할 수 있다. 나아가 대상물 상에 다층(multi layer) 물질막 증착을 동시에 진행할 수 있어서 대상물의 단위시간당 처리가공량(throughput)을 향상시킬 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치를 이용하여 대상물을 가공하는 방법을 도해하는 순서도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치를 이용하여 대상물을 가공하는 방법을 도해하는 단면도이다.
도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치를 이용하여 가공된 대상물의 구조를 도해하는 단면도이다.
도 4a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치를 이용하여 대상물을 가공하는 방법을 도해하는 단면도이다.
도 4b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치를 이용하여 가공된 대상물의 구조를 도해하는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있는 것으로, 이하의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다.
이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치는 서로 이격되어 배치된 복수의 도전체 패턴들(124)을 포함하는 제1전극(120)을 포함한다. 복수의 도전체 패턴들(124) 중의 적어도 일부와 직접 접촉하면서 제1전극(120) 상에 대상물(130)이 배치될 수 있다. 나아가 본 실시예에 따른 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치는 대상물(130)과 소정 거리(d1, d2, d3)만큼 이격되며 제1전극(120)과 대향하는 위치에 서로 이격되어 배치되고, 대상물(130)과의 사이에서 대기압 플라즈마가 각각 발생될 수 있는 복수의 제2전극들(150a, 150b, 150c)을 포함한다.
제1전극(120)은 원통형의 몸체부(126) 및 몸체부(126) 상에 이격되어 배치되는 복수의 도전체 패턴들(124)을 포함하며, 선택적으로 복수의 도전체 패턴들(124) 사이에 개재되는 절연체 부재(122)를 더 포함할 수 있다. 변형된 실시예에서는 복수의 도전체 패턴들(124) 사이는 절연체 부재(122)가 없는 빈 공간일 수 있다. 제1전극(120)은 원통형의 몸체부(126)의 중심을 관통하는 회전축(125)을 축으로 회전할 수 있다.
복수의 도전체 패턴들(124)의 각각의 폭(w)은 모두 동일한 일정한 값을 가질 수 있으나, 변형된 실시예에서 복수의 도전체 패턴들(124)의 각각의 폭(w)은 다양한 값을 가질 수도 있다. 또한 복수의 도전체 패턴들(124) 사이의 이격거리(s)는 모두 동일한 일정한 값을 가질 수 있으나, 변형된 실시예에서 복수의 도전체 패턴들(124)의 각각의 이격거리(s)는 다양한 값을 가질 수도 있다.
대상물(130)은 복수의 도전체 패턴들(124) 중의 적어도 일부와 직접 접촉하면서 제1전극(120)의 적어도 일부를 감아 둘러싸며 배치될 수 있다. 원통형의 회전전극인 제1전극(120)의 적어도 일부를 감아 둘러싸기 위해서 대상물(130)은 유연한(flexible) 재질로 형성될 수 있다. 대기압 플라즈마가 대상물(130) 상에 발생되기 위하여 대상물(130)은 부도체를 포함할 수 있으며, 예를 들어, 섬유, 종이 및 폴리머로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 그러나 본 발명의 변형된 실시예에서 대상물(130)은 이에 한정되지 않으며 반도체 또는 도체를 포함할 수도 있다.
대상물(130)은 한 쌍의 롤들 사이에서 롤투롤(roll to roll) 공정 방식을 이용하여 연속적으로 회전될 수 있다. 예를 들어, 원통형의 회전전극인 제1전극(120)이 상기 한 쌍의 롤들 중에서 하나의 롤의 역할을 하며, 제1전극(120)과 대향하는 방향에 배치된 또 하나의 롤(미도시)이 상기 한 쌍의 롤들 중에서 나머지 하나의 롤의 역할을 할 수 있다. 대상물(130)은 상기 한 쌍의 롤들에 바로 결합되어 회전될 수 있다. 또는 대상물(130)은 상기 한 쌍의 롤들에 결합되어 회전하는 벨트(미도시) 상에 결합되어 회전될 수도 있다. 이와 같은 롤투롤 공정은 대기압 플라즈마 장치를 이용하여 대면적의 대상물(130)을 대용량으로 처리할 때 유용할 수 있다. 상기 한 쌍의 롤들의 회전방향과 속도를 제어함으로써 대상물(130) 상에 다층의 물질을 증착할 수 있다. 한편, 대상물(130)이 진행하는 방향을 가이드 할 수 있도록 추가적인 롤들이 더 배치될 수 있다. 변형된 실시예에서 대상물(130)은 원통형의 회전전극인 제1전극(120)을 이용한 롤투플레이트(roll to plate) 공정 방식을 이용하여 연속적으로 회전될 수도 있다.
복수의 제2전극들(150a, 150b, 150c)의 각각은 대향하는 대상물(130)과 일정한 이격거리(d1, d2, d3)를 가지도록 제1전극(120)의 곡률과 동일한 곡률을 가질 수 있다. 도 1에서는 복수의 제2전극들이 3개로 구성되었으나, 2 이상의 임의의 개수로 구성될 수도 있음은 본 발명의 기술적 사상에 근거하여 명백하다. 복수의 제2전극들(150a, 150b, 150c)의 각각은 실리콘(Si), 티타늄(Ti) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으며, 대상물(130) 상에 증착되는 물질(도 3b 또는 도 4b의 210)의 고체소스를 제공할 수 있다. 하지만, 본 발명의 기술적 사상은 제2전극들(150a, 150b, 150c)을 구성하는 상기 예시적인 물질들에 한정되지 않음은 명백하다. 예를 들어, 제2전극들(150a, 150b, 150c)을 구성하는 물질은 스퍼터링 기술 분야에서 알려진 임의의 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치는 제1전극(120)과 복수의 제2전극들(150a, 150b, 150c)에 각각 전기적으로 연결되는 전원부(160)를 더 포함할 수 있으며, 복수의 제2전극들(150a, 150b, 150c)의 각각과 전원부(160) 사이의 전기적 연결의 개폐를 제어하며, 대상물(130) 및 제1전극(120)의 이동 방향과 속도를 제어하는 제어부(170)를 더 포함할 수 있으며, 복수의 제2전극들(150a, 150b, 150c)과 대상물(130) 사이에 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부(미도시)를 더 포함할 수 있다. 상기 반응가스는, 예를 들어, 대기압의 수소가스(H2)를 포함할 수 있다. 복수의 제2전극들(150a, 150b, 150c)과 대상물(130) 사이에서 발생되는 대기압 플라즈마는 제2전극에서 제공되는 고체소스와 상기 반응가스의 결합체를 포함할 수 있다.
구체적으로, 전원부(160)는 직류 또는 교류 전원 장치일 수 있다. 예를 들어, 전원부(160)는 50Hz 내지 10GHz 범위의 주파수 대역을 가지는 교류 전원을 공급할 수 있다. 전원부(160)의 일단은 접지될 수 있다. 상기 반응가스 공급부는 제2전극(150) 주변부에 배치되거나 제2전극(150)과 대상물(130) 사이에 배치될 수 있으며 또는 제2전극(150)을 관통하여 배치될 수도 있다.
대기압 플라즈마는 이온, 전자 및/또는 라디칼 등으로 이루어진 활성족(active species)의 가스 상태를 의미한다. 이러한 활성족은 제2전극들(150a, 150b, 150c)과 대상물(130) 사이에 공급되는 반응가스가 제2전극들(150a, 150b, 150c)이 제공하는 고체소스와 반응한 결합체를 포함할 수 있다. 이러한 활성족은 대상물(130)의 표면에서 상기 고체소스를 포함하는 물질막을 증착하는 공정에 기여할 수 있다. 대기압 플라즈마(도 3a의 140a 내지 140c)는 대상물(130)과 직접 접촉하는 복수의 도전체 패턴들(124)의 위치에 대응하여 복수의 제2전극들(150a, 150b, 150c) 중의 적어도 하나 이상과 대상물(130) 사이에서 발생될 수 있다. 따라서 복수의 도전체 패턴들(124)이 위치하는 영역에 대응하는 대상물(130) 상에서만 대기압 플라즈마(140)에 의하여 물질이 선택적으로 증착될 수 있다.
발명자는 요철 형상을 가지는 복수의 도전체 패턴들(124)과 대상물(130)이 직접 접촉하여 배치될 때 대상물(130) 상에 발생되는 대기압 플라즈마(140)의 선택적 발생이 더욱 정밀하게 구현된다는 것을 발견하였다. 예를 들어, 요철 형상을 가지는 복수의 도전체 패턴들(124)과 대상물(130)이 이격되어 배치되는 경우에 비하여 대상물(130) 상에 발생되는 대기압 플라즈마(140)의 선택적 발현이 더욱 정밀하게 제어될 수 있음을 발견하였다.
일반적으로 복수의 도전체 패턴들(124) 중의 어느 하나의 도전체 패턴 상에 대기압 플라즈마(140)가 발생될 때 상기 어느 하나의 도전체 패턴에 인접한 다른 도전체 패턴에 의해 전계 간섭을 받을 수 있다. 본 발명에서는 요철 형상을 가지는 복수의 도전체 패턴들(124)과 대상물(130)이 직접 접촉하므로, 인접하는 도전체 패턴들(124) 사이의 전계 간섭을 부도체인 대상물(130)이 효과적으로 상쇄할 수 있다. 대기압 플라즈마(140)의 선택적 발생을 더욱 정밀하게 제어할 수 있다는 것은 대상물(130) 상에 수행되는 증착 공정에서 패턴의 경계부분을 더욱 선명하게 처리할 수 있다는 것을 의미한다.
한편, 제1전극(120)은 회전축(125)을 중심으로 회전할 수 있으므로 복수의 제2전극들(150a, 150b, 150c)보다 큰 대구경의 대상물(130) 상에서도 대기압 플라즈마 처리를 수행할 수 있다. 나아가 대상물(130)과 복수의 제2전극들(150a, 150b, 150c) 사이의 이격 거리(d1, d2, d3)를 가변적으로 적절하게 조절하여 대기압 플라즈마 발생에 필요한 절연 파괴(breakdown) 현상을 유도할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치에 의하면, 대상물(130) 상에 대기압 플라즈마를 정밀하고 선택적으로 발생시켜 대상물(130)의 표면을 효과적으로 처리할 수 있으며, 대상물(130) 상에 별도의 리소그래피 공정 없이 증착 공정을 효과적으로 수행할 수 있다. 나아가 대상물(130) 상에 다중(multi) 증착을 동시에 진행할 수 있어서 대상물(130)의 단위시간당 처리가공량(throughput)을 향상시킬 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치를 이용하여 대상물을 가공하는 방법을 도해하는 순서도이다. 나아가, 도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치를 이용하여 대상물을 가공하는 방법을 도해하는 단면도이고, 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치를 이용하여 가공된 대상물의 구조를 도해하는 단면도이다.
도 2, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치를 이용하여 대상물을 가공하는 방법은 서로 이격되어 배치된 복수의 도전체 패턴들(124)을 포함하는 제1전극(120)과 제1전극(120)과 대향하는 위치에 서로 이격되어 배치되는 복수의 제2전극들(150a, 150b, 150c)을 구비하는 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치를 준비하는 단계(S10), 복수의 도전체 패턴들(124) 중의 적어도 일부와 직접 접촉하도록 대상물을 제1전극(120) 상에 배치하는 단계(S20), 제1전극(120)과 복수의 제2전극들(150a, 150b, 150c) 중에 선택된 적어도 하나 이상의 제2전극에 전원을 인가하여 상기 선택된 적어도 하나 이상의 제2전극과 대상물(130) 사이에 대기압 플라즈마(140a, 140b, 140c)를 발생시키는 단계(S30, S40), 대상물(130)을 제1전극(120) 상에서 이동(이송)시키는 단계(S50) 및 대상물(130) 상에 단일층 또는 다층의 물질막(210)을 증착하는 단계(S60)를 포함할 수 있다. 구체적으로, 대기압 플라즈마를 발생시키는 단계는 제2전극(150a, 150b, 150c)과 대상물(130) 사이에 반응가스를 공급하는 단계(S30) 및 제2전극(150a, 150b, 150c)으로부터 제공되는 고체소스와 상기 반응가스의 결합체를 포함하는 플라즈마를 발생시키는 단계(S40)를 포함할 수 있다.
한편, 반응가스를 공급하는 단계(S30), 플라즈마 발생 단계(S40), 대상물 이송 단계(S50) 및 물질막 증착 단계(S60)는 적어도 일부의 단계들이 순차적으로 수행되거나 동시에 수행될 수도 있다. 나아가, 상기 단계들의 적어도 일부의 단계들은 역순으로 수행될 수도 있다. 또한, 상기 단계들의 적어도 일부의 단계들은 모듈 단위로 반복하여 수행될 수도 있다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 도 1에 도시된 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치를 준비하고 복수의 도전체 패턴들(124) 중의 적어도 일부와 직접 접촉하도록 대상물(130)을 제1전극(120) 상에 배치한다. 계속하여 복수의 제2전극들(150a, 150b, 150c) 중에 선택된 적어도 하나 이상의 제2전극(150a, 150b, 150c)과 제1전극(120)에 전원을 인가하여, 선택된 적어도 하나 이상의 제2전극(150a, 150b, 150c)과 대상물(130) 사이에 대기압 플라즈마(140a, 140b, 140c)를 발생시킨다.
예를 들어, 제2전극(150a)은 실리콘을 포함하며, 제2전극(150b)은 티타늄을 포함하고, 제2전극(150c)은 알루미늄을 포함할 수 있으며, 제2전극(150a, 150b, 150c)과 대상물(130) 사이에 대기압의 수소가스(H2)를 반응가스로 제공할 수 있다. 이 경우, 발생되는 대기압 플라즈마(140a)는 실리콘과 수소가 결합한 SiH2를 포함하며, 대기압 플라즈마(140b)는 티타늄과 수소가 결합한 TiH2를 포함하며, 대기압 플라즈마(140c)는 알루미늄과 수소가 결합한 AlH2를 포함할 수 있다.
이 경우, 대기압 플라즈마(140a)가 발생하는 대상물(130) 상에는 실리콘을 포함하는 제1물질막(210a)이 증착될 수 있으며, 대기압 플라즈마(140b)가 발생하는 대상물(130) 상에는 티타늄을 포함하는 제2물질막(210b)이 증착될 수 있으며, 대기압 플라즈마(140c)가 발생하는 대상물(130) 상에는 알루미늄을 포함하는 제3물질막(210c)이 순차적으로 증착될 수 있다. 대기압 플라즈마(140a, 140b, 140c)가 발생하는 동안 대상물(130)을 제1전극(120) 상에서 시계 방향으로 이송하는 경우, 대상물(130) 상에 형성된 물질막(210)은 실리콘을 포함하는 제1물질막(210a), 티타늄을 포함하는 제2물질막(210b) 및 알루미늄을 포함하는 제3물질막(210c)이 차례로 적층된 구조체로 구성될 수 있다.
한편, 대상물(130)이 제1전극(120) 상에서 이송하는 속도, 전원부(160)와 복수의 제2전극들(150a, 150b, 150c)이 전기적으로 연결되는 조합과 순서를 결합하면, 대상물(130) 상에 형성되는 물질막(210)은 다양한 형태를 가질 수 있을 것이다.
도 4a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치를 이용하여 대상물을 가공하는 방법을 도해하는 단면도이고, 도 4b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치를 이용하여 가공된 대상물의 구조를 도해하는 단면도이다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 도 1에 도시된 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치를 준비하고 복수의 도전체 패턴들(124) 중의 적어도 일부와 직접 접촉하도록 대상물(130)을 제1전극(120) 상에 배치한다. 계속하여 복수의 제2전극들(150a, 150b, 150c) 중에 선택된 적어도 하나 이상의 제2전극(150b, 150c)과 제1전극(120)에 전원을 인가하여, 선택된 적어도 하나 이상의 제2전극(150b, 150c)과 대상물(130) 사이에 대기압 플라즈마(140b, 140c)를 발생시킨다.
예를 들어, 제2전극(150a)은 실리콘을 포함하며, 제2전극(150b)은 티타늄을 포함하고, 제2전극(150c)은 알루미늄을 포함할 수 있으며, 제2전극(150a, 150b, 150c)과 대상물(130) 사이에 대기압의 수소가스(H2)를 반응가스로 제공할 수 있다. 이 경우, 발생되는 대기압 플라즈마(140b)는 티타늄과 수소가 결합한 TiH2를 포함하며, 대기압 플라즈마(140c)는 알루미늄과 수소가 결합한 AlH2를 포함할 수 있다.
이 경우, 대기압 플라즈마(140b)가 발생하는 대상물(130) 상에는 티타늄을 포함하는 제2물질막(210b)이 증착될 수 있으며, 대기압 플라즈마(140c)가 발생하는 대상물(130) 상에는 알루미늄을 포함하는 제3물질막(210c)이 순차적으로 증착될 수 있다. 대기압 플라즈마(140b, 140c)가 발생하는 동안 대상물(130)을 제1전극(120) 상에서 시계 방향으로 이송하는 경우, 대상물(130) 상에 형성된 물질막(210)은 티타늄을 포함하는 제2물질막(210b) 및 알루미늄을 포함하는 제3물질막(210c)이 차례로 적층된 구조체로 구성될 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치는 서로 이격되어 배치된 복수의 도전체 패턴들(124)을 포함하는 제1전극(120)을 포함하고, 복수의 도전체 패턴들(124) 중의 적어도 일부와 직접 접촉하면서 제1전극(120) 상에 배치되는 대상물(130)을 포함한다. 나아가 본 실시예에 따른 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치는 대상물(130)과 소정 거리(d1, d2, d3)만큼 이격되며 제1전극(120)과 대향하는 위치에 서로 이격되어 배치되고, 대상물(130)과의 사이에서 대기압 플라즈마(140a, 140b, 140c)가 각각 발생될 수 있는 복수의 제2전극들(150a, 150b, 150c)을 포함한다.
판상형의 제1전극(120)은 서로 이격되어 배치되는 복수의 도전체 패턴들(124)을 포함하며 복수의 도전체 패턴들(124) 사이에 개재되는 절연체 부재(122)를 더 포함할 수 있다. 변형된 실시예에서는 복수의 도전체 패턴들(124) 사이는 절연체 부재(122)가 없는 빈 공간으로서 공기로 채워질 수도 있다. 제1전극(120)은 스테이지(110) 상에 장착되어 상하좌우로 이동될 수 있다.
대상물(130)은 한 쌍의 롤들(미도시) 사이에서 롤투롤(roll to roll) 공정 방식을 이용하여 연속적으로 이동될 수 있다. 대상물(130)은 상기 한 쌍의 롤들에 바로 결합되어 회전될 수 있다. 또는 대상물(130)은 상기 한 쌍의 롤들에 결합되어 회전하는 벨트(미도시) 상에 결합되어 회전될 수도 있다. 변형된 실시예에서 대상물(130)은 릴투릴(reel to reel) 공정 방식을 이용하여 연속적으로 이동될 수 있다.
복수의 제2전극들(150a, 150b, 150c)의 각각은 대향하는 대상물(130)과 일정한 이격거리(d1, d2, d3)를 가지는 판상형 전극들일 수 있다. 도 5에서는 복수의 제2전극들이 3개로 구성되었으나, 2 이상의 임의의 개수로 구성될 수도 있음은 본 발명의 기술적 사상에 근거하여 명백하다.
나아가, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치는 제1전극(120)과 복수의 제2전극들(150a, 150b, 150c)에 각각 전기적으로 연결되는 전원부(160)를 더 포함할 수 있으며, 복수의 제2전극들(150a, 150b, 150c)의 각각과 전원부(160) 사이의 전기적 연결의 개폐를 제어하며, 대상물(130) 및 제1전극(120)의 이동 방향과 속도를 제어하는 제어부(170)를 더 포함할 수 있으며, 복수의 제2전극들(150a, 150b, 150c)과 대상물(130) 사이에 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부(미도시)를 더 포함할 수 있다.
그 외의 구성 및 효과에 대한 설명은 도 1 내지 도 4b를 참조하여 설명한 본 발명의 실시예들의 경우와 동일하므로 여기에서는 생략한다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
120 : 제1전극
122 : 절연체 부재
124 : 복수의 도전체 패턴들
130 : 대상물
140a, 140b, 140c : 대기압 플라즈마
150a, 150b, 150c : 복수의 제2전극들
160 : 전원부
170 : 제어부

Claims (15)

  1. 서로 이격되어 배치된 복수의 도전체 패턴들을 포함하는 제1전극으로서, 상기 제1전극 상에 배치된 대상물이 상기 복수의 도전체 패턴들 중의 적어도 일부와 직접 접촉하는, 상기 제1 전극; 및
    상기 대상물과 이격되며 상기 제1전극과 대향하는 위치에 서로 이격되어 배치되고, 상기 대상물과의 사이에서 대기압 플라즈마가 각각 발생될 수 있는 복수의 제2전극들;
    을 구비하고,
    상기 제1전극은 원통형의 몸체부 및 상기 몸체부 상에 이격되어 배치되는 상기 복수의 도전체 패턴들을 포함하고,
    상기 대상물은 상기 복수의 도전체 패턴들 중의 적어도 일부와 직접 접촉하면서 상기 제1전극의 적어도 일부를 감아 둘러싸며 배치되고,
    상기 대기압 플라즈마는 상기 복수의 도전체 패턴들 중에서 상기 대상물과 직접 접촉하는 도전체 패턴에 대응하여 상기 제2전극과 상기 대상물 사이에서만 발생되는, 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1전극은 상기 복수의 도전체 패턴들 사이에 개재되는 절연체 부재를 더 포함하는, 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1전극과 상기 복수의 제2전극들의 각각에 전기적으로 연결되는 전원부; 및
    상기 복수의 제2전극들의 각각과 상기 전원부 사이의 전기적 연결의 개폐를 제어하며, 상기 대상물 및 상기 제1전극의 이동 방향과 속도를 제어하는 제어부;
    를 더 구비하는, 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2전극은 상기 대상물 상에 증착되는 물질막의 고체소스를 제공하는, 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2전극은 실리콘(Si), 알루미늄(Al) 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는, 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제2전극과 상기 대상물 사이에 반응가스가 공급되며, 상기 대기압 플라즈마는 상기 고체소스와 반응가스의 결합체를 포함하는, 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 반응가스는 대기압의 수소가스를 포함하는, 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 대상물은 부도체를 포함하는, 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 대상물은 유리, 섬유, 종이 및 폴리머로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는, 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 대기압 플라즈마는 상기 대상물과 직접 접촉하는 상기 복수의 도전체 패턴들의 위치에 대응하여 상기 제2전극과 상기 대상물 사이에서 발생되는, 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 제2전극들의 각각은 대향하는 상기 대상물과 일정한 이격거리를 가지도록 상기 제1전극의 곡률과 동일한 곡률을 가지는, 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치.
  12. 삭제
  13. 서로 이격되어 배치된 복수의 도전체 패턴들을 포함하는 제1전극과 상기 제1전극과 대향하는 위치에 서로 이격되어 배치되는 복수의 제2전극들을 구비하는 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치를 준비하는 단계;
    상기 복수의 도전체 패턴들 중의 적어도 일부와 직접 접촉하도록 대상물을 상기 제1전극 상에 배치하는 단계; 및
    상기 제1전극과 상기 복수의 제2전극들 중에 선택된 적어도 하나 이상의 제2전극에 전원을 인가하여 상기 선택된 적어도 하나 이상의 제2전극과 상기 대상물 사이에 대기압 플라즈마를 발생시키는 단계;
    를 포함하고,
    상기 제1전극은 원통형의 몸체부 및 상기 몸체부 상에 이격되어 배치되는 상기 복수의 도전체 패턴들을 포함하고,
    상기 대상물은 상기 복수의 도전체 패턴들 중의 적어도 일부와 직접 접촉하면서 상기 제1전극의 적어도 일부를 감아 둘러싸며 배치되고,
    상기 대기압 플라즈마는 상기 복수의 도전체 패턴들 중에서 상기 대상물과 직접 접촉하는 도전체 패턴에 대응하여 상기 제2전극과 상기 대상물 사이에서만 발생되는, 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치를 이용한 대상물의 가공방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 대기압 플라즈마를 발생시키는 단계는,
    상기 제2전극과 상기 대상물 사이에 반응가스를 공급하는 단계; 및
    상기 제2전극으로부터 제공되는 고체소스와 상기 반응가스의 결합체를 포함하는 플라즈마를 발생시키는 단계;를 포함하는, 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치를 이용한 대상물의 가공방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 대상물을 상기 제1전극 상에 이동시키는 단계; 및
    상기 대상물 상에 상기 고체소스를 포함하는 물질막을 증착하는 단계;를 더 포함하는, 플라즈마를 국부적으로 발생시키는 장치를 이용한 대상물의 가공방법.

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001288569A (ja) * 2000-03-31 2001-10-19 Dainippon Printing Co Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US6320157B1 (en) * 1998-06-17 2001-11-20 Fritz Bloss Corona station for the preliminary processing of a strip material
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Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6320157B1 (en) * 1998-06-17 2001-11-20 Fritz Bloss Corona station for the preliminary processing of a strip material
JP2001288569A (ja) * 2000-03-31 2001-10-19 Dainippon Printing Co Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2003317998A (ja) * 2002-04-22 2003-11-07 Sekisui Chem Co Ltd 放電プラズマ処理方法及びその装置

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