JPH0963970A - 薄膜素子の製造装置および製造方法 - Google Patents
薄膜素子の製造装置および製造方法Info
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- JPH0963970A JPH0963970A JP22127895A JP22127895A JPH0963970A JP H0963970 A JPH0963970 A JP H0963970A JP 22127895 A JP22127895 A JP 22127895A JP 22127895 A JP22127895 A JP 22127895A JP H0963970 A JPH0963970 A JP H0963970A
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- thin film
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- film forming
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】
【課題】ステッピング方式で可撓性基板上に成膜する場
合に、真空成膜空間形成のためのシール部材の基板との
粘着による基板搬送トラブルの発生を防止する。 【解決手段】（１）シール部材の材料をふっ素樹脂にす
る。（２）シール部材の表面に金属、金属酸化物、ふっ
素樹脂などの粘着防止膜をコーティングする。（３）シ
ール部材を冷却する。（４）シール部材の接触面を綾状
面とする。（５）粘着した基板を押圧してシール部材か
らはずす。
合に、真空成膜空間形成のためのシール部材の基板との
粘着による基板搬送トラブルの発生を防止する。 【解決手段】（１）シール部材の材料をふっ素樹脂にす
る。（２）シール部材の表面に金属、金属酸化物、ふっ
素樹脂などの粘着防止膜をコーティングする。（３）シ
ール部材を冷却する。（４）シール部材の接触面を綾状
面とする。（５）粘着した基板を押圧してシール部材か
らはずす。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、可撓性基板上に各
層をステッピングロール方式で成膜する薄膜光電変換素
子などの薄膜素子の製造装置および製造方法に関する。
層をステッピングロール方式で成膜する薄膜光電変換素
子などの薄膜素子の製造装置および製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばアモルファスシリコン (以下ａ−
Ｓｉと記す) を主材料とした光電変換層を含む各層を長
尺の高分子材料あるいはステンレス鋼などの金属からな
る可撓性基板上に形成して薄膜光電変換素子を製造する
方法は、生産性の点ですぐれている。長尺の可撓性基板
上に複数の層を成膜する方式として、各成膜室内を移動
する基板上に成膜するロールツーロール方式と、成膜室
内で停止させた基板上に成膜したのち成膜の終わった基
板部分を成膜室外へ送り出すステッピングロール方式と
がある。プラズマＣＶＤ法を用いて成膜するステッピン
グロール方式では、成膜室開放−基板１フレーム移動−
成膜室封止−原料ガス導入−圧力制御−放電開始−放電
終了−原料ガス停止−ガス引き−成膜室開放の操作が繰
り返される。
Ｓｉと記す) を主材料とした光電変換層を含む各層を長
尺の高分子材料あるいはステンレス鋼などの金属からな
る可撓性基板上に形成して薄膜光電変換素子を製造する
方法は、生産性の点ですぐれている。長尺の可撓性基板
上に複数の層を成膜する方式として、各成膜室内を移動
する基板上に成膜するロールツーロール方式と、成膜室
内で停止させた基板上に成膜したのち成膜の終わった基
板部分を成膜室外へ送り出すステッピングロール方式と
がある。プラズマＣＶＤ法を用いて成膜するステッピン
グロール方式では、成膜室開放−基板１フレーム移動−
成膜室封止−原料ガス導入−圧力制御−放電開始−放電
終了−原料ガス停止−ガス引き−成膜室開放の操作が繰
り返される。
【０００３】このステッピングロール方式を採用した成
膜装置は、通常のロールツーロール成膜に比べ以下の点
で優れている。 (1) 隣接する成膜室とのガス相互拡散がない。 (2) 装置がコンパクトである。 図２ (ａ) 、 (ｂ) はステッピングロール方式の成膜室
の開放時および封止時の断面をそれぞれ示す。断続的に
搬送されてくる可撓性基板１の上下に函状の下部成膜室
壁体２１と上部成膜室壁体２２が対向している。下部成
膜室には電源４に接続された高電圧電極３１が、上部成
膜室にはヒータ３３を内蔵した接地電極３２が備えられ
ている。成膜時には、図２ (ｂ) に示すように、上部成
膜室壁体２２が下降し、接地電極３２が基板１を抑えて
下部成膜室壁体２１の開口側端面に取付けられたシール
材５に接触させる。これにより、下部成膜室壁体２１と
基板１により、排気管６１に連通する気密に密閉された
成膜空間６が形成され、高電圧電極３１への高周波電圧
の印加によりプラズマを成膜空間６に発生させ、図示し
ない導入管から導入された原料ガスを分解して基板１上
に膜を形成する。
膜装置は、通常のロールツーロール成膜に比べ以下の点
で優れている。 (1) 隣接する成膜室とのガス相互拡散がない。 (2) 装置がコンパクトである。 図２ (ａ) 、 (ｂ) はステッピングロール方式の成膜室
の開放時および封止時の断面をそれぞれ示す。断続的に
搬送されてくる可撓性基板１の上下に函状の下部成膜室
壁体２１と上部成膜室壁体２２が対向している。下部成
膜室には電源４に接続された高電圧電極３１が、上部成
膜室にはヒータ３３を内蔵した接地電極３２が備えられ
ている。成膜時には、図２ (ｂ) に示すように、上部成
膜室壁体２２が下降し、接地電極３２が基板１を抑えて
下部成膜室壁体２１の開口側端面に取付けられたシール
材５に接触させる。これにより、下部成膜室壁体２１と
基板１により、排気管６１に連通する気密に密閉された
成膜空間６が形成され、高電圧電極３１への高周波電圧
の印加によりプラズマを成膜空間６に発生させ、図示し
ない導入管から導入された原料ガスを分解して基板１上
に膜を形成する。
【０００４】図３は、平成４年特許願第３４７３９４号
ほかの明細書に記載されている基板１と上部成膜室壁体
とによって囲まれた空間も真空気密に保つシール構造を
示し、下部成膜室壁体２１の端面には、二つの帯状端板
２３、２４が、また上部成膜室壁体２２の端面には二つ
の帯状端板２５、２６がそれぞれねじ止めされ、その間
に形成されるあり溝にシール材５を脱落しないように保
持している。成膜時には、基板１を下部成膜室側の端板
２３、２４の表面およびその間のシール材５と、上部成
膜室側の端板２５、２６の表面およびその間のシール材
５とではさむことによって上部および下部成膜室の空間
６および６２が真空に保たれる。
ほかの明細書に記載されている基板１と上部成膜室壁体
とによって囲まれた空間も真空気密に保つシール構造を
示し、下部成膜室壁体２１の端面には、二つの帯状端板
２３、２４が、また上部成膜室壁体２２の端面には二つ
の帯状端板２５、２６がそれぞれねじ止めされ、その間
に形成されるあり溝にシール材５を脱落しないように保
持している。成膜時には、基板１を下部成膜室側の端板
２３、２４の表面およびその間のシール材５と、上部成
膜室側の端板２５、２６の表面およびその間のシール材
５とではさむことによって上部および下部成膜室の空間
６および６２が真空に保たれる。
【０００５】図４（ａ）、（ｂ）は平成７年特許願第２
３５６号明細書に記載されたシール構造の成膜室開放時
および閉鎖時の断面がそれぞれ示す。トッププレート２
７の開口４５に近接した部分の上には、図３に示したと
同様にシール材５は端板２３、２４の間に保持されてい
る。一方、上部成膜室壁体２２の端面には、ふっ素ゴム
よりなるリップ (唇状体) ７の基部が角環状のＬ形パッ
キン７１の凹部に挿し込まれ、リップ押さえ７２との間
にはさみ込むことにより保持されている。リップ７の先
端部は１辺４８０ｍｍの正方形である。Ｌ形パッキン７
１およびリップ押さえ７２は壁体２２の端面にねじ止め
で固定されており、従ってリップ７の着脱が容易であ
る。リップ７は、方形の壁体２２の各辺ごとに４分割さ
れていることが望ましい。。成膜室開放時にはリップ７
は可撓性基板１の面に外方に向かって４５〜６０°傾斜
しており、Ｌ形パッキン７１の下端より約５ｍｍ下方へ
突出している。リップ押さえ７２の縁部は例えば３０°
の面取りが施されている。アクチュエータ４１によりハ
ウジング２８と共に壁体２２が矢印５１の方向に下降し
始めると、リップ７の先端が鎖線で示した基板に接触
し、さらに基板１を押し込みトッププレート２７上の端
板２３、２４の表面上に到達する。そのまま壁体２２が
矢印５３の方向に下降すると、リップ７の先端は端板２
３、２４の表面に平行に外側に向かって滑って変形す
る。この横方向への変形のストロークは４ｍｍである。
リップ押さえ７２の縁部が面取りされているので、変形
したリップ７の端部はこの面取り部へ逃げることができ
る。その際に、リップ７の先端と断面２３、２４上の基
板１との間に摩擦が発生し、基板１を矢印５４の方向に
外側へ引っ張るので、図４（ｂ）に示すように基板１の
外周は端板２３、２４の表面上を、中心から外側に向か
う矢印５４の放射状方向に摺動し、しわが伸びる。そし
て、下降の継続によりＬ形パッキン７１は、下方の基板
１をシール材５および端板２３、２４に対して押し付け
ることにより、基板１の下方の成膜空間６および基板１
の上方の壁体２２によって囲まれた空間を真空封じす
る。さらに、接地電極３２を矢印５５の方向に下降さ
せ、基板１を強制的に矢印５６の方向に引っ張ることに
より、しわをさらに伸ばす。この例では、上部成膜室も
真空にすることができるが、図２に示したような高電圧
電極を収容する成膜室のみを真空にする薄膜光電変換素
子の製造装置においても同様な構造にすることができ
る。
３５６号明細書に記載されたシール構造の成膜室開放時
および閉鎖時の断面がそれぞれ示す。トッププレート２
７の開口４５に近接した部分の上には、図３に示したと
同様にシール材５は端板２３、２４の間に保持されてい
る。一方、上部成膜室壁体２２の端面には、ふっ素ゴム
よりなるリップ (唇状体) ７の基部が角環状のＬ形パッ
キン７１の凹部に挿し込まれ、リップ押さえ７２との間
にはさみ込むことにより保持されている。リップ７の先
端部は１辺４８０ｍｍの正方形である。Ｌ形パッキン７
１およびリップ押さえ７２は壁体２２の端面にねじ止め
で固定されており、従ってリップ７の着脱が容易であ
る。リップ７は、方形の壁体２２の各辺ごとに４分割さ
れていることが望ましい。。成膜室開放時にはリップ７
は可撓性基板１の面に外方に向かって４５〜６０°傾斜
しており、Ｌ形パッキン７１の下端より約５ｍｍ下方へ
突出している。リップ押さえ７２の縁部は例えば３０°
の面取りが施されている。アクチュエータ４１によりハ
ウジング２８と共に壁体２２が矢印５１の方向に下降し
始めると、リップ７の先端が鎖線で示した基板に接触
し、さらに基板１を押し込みトッププレート２７上の端
板２３、２４の表面上に到達する。そのまま壁体２２が
矢印５３の方向に下降すると、リップ７の先端は端板２
３、２４の表面に平行に外側に向かって滑って変形す
る。この横方向への変形のストロークは４ｍｍである。
リップ押さえ７２の縁部が面取りされているので、変形
したリップ７の端部はこの面取り部へ逃げることができ
る。その際に、リップ７の先端と断面２３、２４上の基
板１との間に摩擦が発生し、基板１を矢印５４の方向に
外側へ引っ張るので、図４（ｂ）に示すように基板１の
外周は端板２３、２４の表面上を、中心から外側に向か
う矢印５４の放射状方向に摺動し、しわが伸びる。そし
て、下降の継続によりＬ形パッキン７１は、下方の基板
１をシール材５および端板２３、２４に対して押し付け
ることにより、基板１の下方の成膜空間６および基板１
の上方の壁体２２によって囲まれた空間を真空封じす
る。さらに、接地電極３２を矢印５５の方向に下降さ
せ、基板１を強制的に矢印５６の方向に引っ張ることに
より、しわをさらに伸ばす。この例では、上部成膜室も
真空にすることができるが、図２に示したような高電圧
電極を収容する成膜室のみを真空にする薄膜光電変換素
子の製造装置においても同様な構造にすることができ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】可撓性基板を搬送する
ために、基板の搬送方向に向けてテンションをかけてい
る。装置距離が長くなることで、可撓性基板を支持する
ロールの数を増やさなければならず、ロール軸での機械
ロスが増え、その結果、可撓性基板にかかる力は弱くな
る。また、接地電極３２は、基板を２００℃以上に加熱
するためのヒータを内蔵しているため、ヒータ周辺部の
壁体２２は、Ｌ型パッキン７１、リップ７、リップ押さ
え７２、端板２３、２４、トッププレート２７、シール
材５は、加熱される。従って、例えばふっ素ゴムで作製
されているＬ型パッキン７１、リップ７、リップ押さえ
７２、シール材５は加熱されることにより、粘度が増
す。このため、成膜終了後、あるいは、成膜室封止後に
上部成膜室を上昇し、可撓性基板１を搬送してコマ送り
する際に、図２、図３の例ではシール材５、図４の例で
はシール材５、あるいはＬ型パッキン７１のどちらか一
方に粘着し、可撓性基板が搬送できない問題が生じた。
ために、基板の搬送方向に向けてテンションをかけてい
る。装置距離が長くなることで、可撓性基板を支持する
ロールの数を増やさなければならず、ロール軸での機械
ロスが増え、その結果、可撓性基板にかかる力は弱くな
る。また、接地電極３２は、基板を２００℃以上に加熱
するためのヒータを内蔵しているため、ヒータ周辺部の
壁体２２は、Ｌ型パッキン７１、リップ７、リップ押さ
え７２、端板２３、２４、トッププレート２７、シール
材５は、加熱される。従って、例えばふっ素ゴムで作製
されているＬ型パッキン７１、リップ７、リップ押さえ
７２、シール材５は加熱されることにより、粘度が増
す。このため、成膜終了後、あるいは、成膜室封止後に
上部成膜室を上昇し、可撓性基板１を搬送してコマ送り
する際に、図２、図３の例ではシール材５、図４の例で
はシール材５、あるいはＬ型パッキン７１のどちらか一
方に粘着し、可撓性基板が搬送できない問題が生じた。
【０００７】本発明の目的は、上述の問題を解決し、シ
ール部材によって可撓性基板の搬送しか妨げられること
のない薄膜素子の製造装置ならびに製造方法を提供する
ことにある。
ール部材によって可撓性基板の搬送しか妨げられること
のない薄膜素子の製造装置ならびに製造方法を提供する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、請求項１記載の本発明は、可撓性基板を函状の成
膜室壁体の開口周囲の端面と弾性をもつシール部材を介
して密着させ、壁体と基板とにより囲まれた成膜室内を
真空にし、この空間内に収容された電極に電圧を印加し
て基板上に薄膜を形成するための薄膜素子の製造装置に
おいて、シール部材がふっ素樹脂よりなるものとする。
ふっ素樹脂は、高分子材料あるいは金属よりなる可撓性
基板の表面と粘着性がふっ素ゴム等より少ないため、基
板の搬送を妨げる粘着が生じない。請求項２記載の本発
明は、同じく可撓性基板を函状の成膜室壁体の開口周囲
の端面と弾性をもつシール部材を介して密着させ、壁体
と基板とにより囲まれた成膜室内を真空にし、この空間
内に収容された電極に電圧を印加して基板上に薄膜を形
成するための薄膜素子の製造装置において、シール部材
の可撓性基板との接触面が、弾性のある母材よりも基板
に対する粘着力が少ない材料よりなる表面膜によって覆
われたものとする。この表面膜により、シール部材と基
板との粘着が防止される。シール部材の母材がふっ素ゴ
ムであり、表面膜が金属よりなること、その金属がＡ
ｇ、Ａｌ、Ｔｉ、ＣｕおよびＣｒのうちの一つであるこ
とがよい。シール部材の母材がふっ素ゴムであり、表面
膜が金属酸化物よりなること、その金属酸化物がＺｎ
Ｏ、ＩＴＯおよびＳｎＯ2 のうちの一つであることもよ
い。シール部材の母材がふっ素ゴムであり、表面膜がふ
っ素樹脂よりなることもよい。ふっ素樹脂は、シール部
材の材料として用いる場合を含めて、ポリテトラフルオ
ロエチレン（以下ＰＴＦＥと記す）あるいはポリクロロ
トリフルオロエチレン（以下ＰＣＴＦＥと記す）である
こともよい。さらに、シール部材の母材がふっ素ゴムで
あり、表面膜がシリコン系化合物あるいは窒化ほう素よ
りなることもよい。請求項１０記載の本発明は、可撓性
基板を函状の成膜室壁体の開口周囲の端面と弾性をもつ
シール部材を介して密着させ、壁体と基板とにより囲ま
れた成膜室内を真空にし、この空間内に収容された電極
に電圧を印加して基板上に薄膜を形成するための薄膜素
子の製造装置において、シール部材の近傍にシール部材
の温度を１００℃以下にするための冷却手段を備えたも
のとする。これにより、シール部材の粘着性を低く抑え
ることができ、シール部材の基板への粘着を防ぐことが
できる。請求項１１記載の本発明は、可撓性基板を函状
の成膜室壁体の開口周囲の端面と弾性をもつシール部材
を介して密着させ、壁体と基板とにより囲まれた成膜室
内を真空にし、この空間内に収容された電極に電圧を印
加して基板上に薄膜を形成するための薄膜素子の製造装
置において、シール部材の可撓性基板との接触面が稜状
であるものとする。接触面を稜状とすることにより、シ
ール部材が基板に押圧されても接触面積を小さくするこ
とができ、粘着しにくくなる。
めに、請求項１記載の本発明は、可撓性基板を函状の成
膜室壁体の開口周囲の端面と弾性をもつシール部材を介
して密着させ、壁体と基板とにより囲まれた成膜室内を
真空にし、この空間内に収容された電極に電圧を印加し
て基板上に薄膜を形成するための薄膜素子の製造装置に
おいて、シール部材がふっ素樹脂よりなるものとする。
ふっ素樹脂は、高分子材料あるいは金属よりなる可撓性
基板の表面と粘着性がふっ素ゴム等より少ないため、基
板の搬送を妨げる粘着が生じない。請求項２記載の本発
明は、同じく可撓性基板を函状の成膜室壁体の開口周囲
の端面と弾性をもつシール部材を介して密着させ、壁体
と基板とにより囲まれた成膜室内を真空にし、この空間
内に収容された電極に電圧を印加して基板上に薄膜を形
成するための薄膜素子の製造装置において、シール部材
の可撓性基板との接触面が、弾性のある母材よりも基板
に対する粘着力が少ない材料よりなる表面膜によって覆
われたものとする。この表面膜により、シール部材と基
板との粘着が防止される。シール部材の母材がふっ素ゴ
ムであり、表面膜が金属よりなること、その金属がＡ
ｇ、Ａｌ、Ｔｉ、ＣｕおよびＣｒのうちの一つであるこ
とがよい。シール部材の母材がふっ素ゴムであり、表面
膜が金属酸化物よりなること、その金属酸化物がＺｎ
Ｏ、ＩＴＯおよびＳｎＯ2 のうちの一つであることもよ
い。シール部材の母材がふっ素ゴムであり、表面膜がふ
っ素樹脂よりなることもよい。ふっ素樹脂は、シール部
材の材料として用いる場合を含めて、ポリテトラフルオ
ロエチレン（以下ＰＴＦＥと記す）あるいはポリクロロ
トリフルオロエチレン（以下ＰＣＴＦＥと記す）である
こともよい。さらに、シール部材の母材がふっ素ゴムで
あり、表面膜がシリコン系化合物あるいは窒化ほう素よ
りなることもよい。請求項１０記載の本発明は、可撓性
基板を函状の成膜室壁体の開口周囲の端面と弾性をもつ
シール部材を介して密着させ、壁体と基板とにより囲ま
れた成膜室内を真空にし、この空間内に収容された電極
に電圧を印加して基板上に薄膜を形成するための薄膜素
子の製造装置において、シール部材の近傍にシール部材
の温度を１００℃以下にするための冷却手段を備えたも
のとする。これにより、シール部材の粘着性を低く抑え
ることができ、シール部材の基板への粘着を防ぐことが
できる。請求項１１記載の本発明は、可撓性基板を函状
の成膜室壁体の開口周囲の端面と弾性をもつシール部材
を介して密着させ、壁体と基板とにより囲まれた成膜室
内を真空にし、この空間内に収容された電極に電圧を印
加して基板上に薄膜を形成するための薄膜素子の製造装
置において、シール部材の可撓性基板との接触面が稜状
であるものとする。接触面を稜状とすることにより、シ
ール部材が基板に押圧されても接触面積を小さくするこ
とができ、粘着しにくくなる。
【０００９】請求項１２記載の本発明は、可撓性基板を
函状の成膜室壁体の開口周囲の端面と弾性をもつシール
部材を介して密着させ、壁体と基板とにより囲まれた成
膜室内を真空にし、この空間内に収容された電極に電圧
を印加して基板上に薄膜を形成する薄膜素子の製造方法
において、薄膜を形成し、成膜室壁体端面を基板に密着
させる圧力を解除したのち、基板を一面側から他面側に
向けて押圧するものとする。これにより、シール部材に
粘着した基板をはずすことができる。その場合、基板を
基板面が成膜室壁体の開口面より４ｍｍ以上突出するま
で押圧することが有効で、４ｍｍ未満ではシール部材か
ら基板をはずすことの出来ない場合がある。
函状の成膜室壁体の開口周囲の端面と弾性をもつシール
部材を介して密着させ、壁体と基板とにより囲まれた成
膜室内を真空にし、この空間内に収容された電極に電圧
を印加して基板上に薄膜を形成する薄膜素子の製造方法
において、薄膜を形成し、成膜室壁体端面を基板に密着
させる圧力を解除したのち、基板を一面側から他面側に
向けて押圧するものとする。これにより、シール部材に
粘着した基板をはずすことができる。その場合、基板を
基板面が成膜室壁体の開口面より４ｍｍ以上突出するま
で押圧することが有効で、４ｍｍ未満ではシール部材か
ら基板をはずすことの出来ない場合がある。
【００１０】
【発明の実施の形態】シール部材自体が可撓性基板に粘
着しないようにするためにはシール部材をＰＴＦＥある
いはＰＣＴＦＥなどのふっ素ゴムより耐熱性のよいふっ
素樹脂で作製する。シール部材に従来同様にふっ素ゴム
などを用いる場合は、その表面にシール部材より可撓性
基板との粘着性の少ない材料の膜を形成する。そのよう
な表面膜の材料としてはＡｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｒ
などの金属、あるいはＺｎＯ、ＩＴＯ、ＳｎＯ2 などの
金属酸化物を用いる。表面膜のコーティングは、スパッ
タリング法、蒸着法、塗布法など何でも良い。しかしな
がら、金属膜あるいは金属酸化膜のコーティングには、
蒸着法よりもスパッタリング法の方がシール部材との付
着力が強化されるため望ましい。その他塗布膜として、
ＰＴＦＥ、ＰＣＴＦＥをコーティングすることや、シリ
コン系の化合物や窒化ほう素もコーティングすることも
良い。シール部材の温度を１００℃以下にするために
は、シール部材に直接、あるいはその周囲に水冷などの
冷却体をおく。シール部材、例えばパッキンと基板との
接触面を小さくするためには、二つの平面が交差する稜
状接触面にする。また、粘着した基板をシール部材から
はずすために成膜空間内に押込むためには、例えば基板
のしわ伸ばしにも用いる接地電極を利用する。
着しないようにするためにはシール部材をＰＴＦＥある
いはＰＣＴＦＥなどのふっ素ゴムより耐熱性のよいふっ
素樹脂で作製する。シール部材に従来同様にふっ素ゴム
などを用いる場合は、その表面にシール部材より可撓性
基板との粘着性の少ない材料の膜を形成する。そのよう
な表面膜の材料としてはＡｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｒ
などの金属、あるいはＺｎＯ、ＩＴＯ、ＳｎＯ2 などの
金属酸化物を用いる。表面膜のコーティングは、スパッ
タリング法、蒸着法、塗布法など何でも良い。しかしな
がら、金属膜あるいは金属酸化膜のコーティングには、
蒸着法よりもスパッタリング法の方がシール部材との付
着力が強化されるため望ましい。その他塗布膜として、
ＰＴＦＥ、ＰＣＴＦＥをコーティングすることや、シリ
コン系の化合物や窒化ほう素もコーティングすることも
良い。シール部材の温度を１００℃以下にするために
は、シール部材に直接、あるいはその周囲に水冷などの
冷却体をおく。シール部材、例えばパッキンと基板との
接触面を小さくするためには、二つの平面が交差する稜
状接触面にする。また、粘着した基板をシール部材から
はずすために成膜空間内に押込むためには、例えば基板
のしわ伸ばしにも用いる接地電極を利用する。
【００１１】
【実施例】以下、図２ないし図４を含めて共通の部分に
同一の符号を付した図を引用して本発明の実施例につい
て説明する。図１は本発明の実施される薄膜素子の製造
装置および製造方法の成膜室開放時に示す。可撓性基板
１は紙面に垂直方向に搬送される。高電圧電極３１を収
容する下部成膜室は壁体２１と開口部を有するトッププ
レート２７とで構成され、真空排気管６１に接続されて
いる。図示しないヒータを内蔵する接地電極３２を収容
する上部成膜室は、壁体２２とハウジング２８とで構成
され、ハウジング２８に接地電極３２の支持チューブ３
４が上下に移動可能に嵌合している。ハウジング２８の
端部に移動プレート２９が取付けられている。移動プレ
ート２９は上下駆動ガイド３０にガイドされてアクチュ
エ−タ４１により矢印５１に示すように上下方向に駆動
される。上下駆動ガイド３０およびアクチュエ−タ４１
はマウント４２に固定され、成膜室チャンバ３５の上の
上部フランジ３６上に載置されている。支持チューブ３
４は円筒状で、内部の空洞は上端で真空排気管６３と連
通し、下端で貫通孔３７により上部成膜室の内部空間に
連通している。真空排気管６１と真空排気管６３は可撓
性配管６４により接続されている。一方、接地電極の支
持チューブ３４は、移動プレート２９に固定されたアク
チュエ−タ４４により別の移動プレート４３を介してハ
ウジング２８内を移動でき、それによって接地電極３２
は矢印５２に示すように上下方向に駆動される。また、
上部成膜室の壁体２２の下端と下部成膜室のトッププレ
ート２７の間には、図４に示したリップ７、Ｌ型パッキ
ン７１などのしわ伸ばし構造が形成されている。 実施例１：シール材５、リップ７、Ｌ型パッキン７１、
リップ押さえ７２の材料を、従来用いていたふっ素ゴム
からふっ素樹脂のＰＴＦＥに変更した。ＰＴＦＥは、ふ
っ素ゴムよりも耐熱性が高く、可撓性基板１のプラスチ
ックフィルムとの粘着性が少ない。この結果、ヒータ温
度３５０℃に加熱してもシール部材５、７１、７２の可
撓性基板１との粘着は起こらなかった。また、ガスの封
止も良好で、成膜空間６、６２からガスの漏れは認めら
れなかった。他のふっ素樹脂としてＰＣＴＦＥを用いた
場合にも、ＰＴＦＥを用いた場合と同様の結果が得られ
た。この装置を用い、成膜室を封止し、成膜空間６内の
圧力を０．５Ｔｏｒｒ、ヒータ温度を２５０℃にして基
板１上にａ−Ｓｉ膜を約２００ｎｍの厚さに成膜した。
シール材５、リップ７、リップ押さえ７１にふっ素樹脂
が用いることにより、シール部材からの温度部材からの
温度上昇によるガス発生が減少し、高品質のａ−Ｓｉ膜
が成膜できた。 実施例２：シール部材のシール材５、リップ７、Ｌ型パ
ッキン７１の材料としては、従来通りふっ素ゴムを用い
たが、可撓性基板１と接する部分にスパッタリング法に
よりＡｇを約５０ｎｍの厚さにコーティングした。この
結果、シール部材への可撓性基板１の粘着はなくなり、
搬送がスムーズに行えた。また、ガスの封止も良好であ
った。コーティング材にＺｎＯ、ＰＴＦＥ、シリコン酸
化物、窒化ほう素を用いてコーティングした場合も同様
の結果を得た。シール部材にその材料により可撓性基板
との粘着性の低い材料の膜をコーティングすることで、
シール部材からの温度上昇によるガス発生が減少し、高
品質なａ−Ｓｉ膜が形成できた。 実施例３：成膜室空間６、６２外周で可撓性基板１と接
触して真空を気密にするシール部材５、７をトッププレ
ート２７および上部成膜室壁体２２の端部に取付けた図
示しない水冷冷却体によって冷却し、１００℃以上に保
った。これにより、温度上昇によるシール部材５、７の
粘着性の増大を抑えた。材料にふっ素ゴムを用いたシー
ル部材５、７の温度が１５０℃以上の時は、成膜室開放
後毎回可撓性基板が粘着したが、１００℃以下になるよ
うに周辺を冷却した場合には、１００回中８回に減少し
た。さらに５０℃以下にすることで粘着を完全に防止す
ることができた。この実施例でもシール部材を冷却する
ことで、シール部材からの温度上昇によるガス発生が減
少し、高品質なａ−Ｓｉ膜が形成できた。 実施例４：図５あるいは図６に示すように、しわ伸ばし
構造のＬ型パッキン７１の基板１との接触面を、図４に
示したような平面ではなく凸状面にされている。すなわ
ち、図５では部分円柱面、図６では断面３角形の稜状面
となっている。このような凸状面に形成しても、成膜室
が閉じられてガスを封止する際には、ふっ素ゴムででき
たパッキン材７１は弾性が大きいため押しつぶされ真空
を気密するのに十分な接触面積を得られる。次に成膜室
が開放され、押しつぶされる力がかからなくなるとＬ型
パッキン７１は弾力性によりもとの形状に戻る。この場
合、可撓性基板１と接触する面積は小さくなり、接触部
分が平面の場合に比較して基板は粘着しにくくなった。
しかし、通常のＯリング等に近い図５のような接触面で
なく、図６に示すような稜状接触面の法が粘着防止に有
効であった。 実施例５：図４（ｂ）に示すように、基板１のしわをさ
らに伸ばすために接地電極〜２を矢印５５の方向に下降
させ、基板を２．０〜２．５ｍｍのｄだけ押し込む。こ
の実施例では成膜室開放−基板１フレーム移動の一連の
操作において、成膜室開放後に可撓性基板がシール部材
７、７１に粘着して搬送不可能な場合、接地電極３２を
ｄが４ｍｍ以上になるように押し出す。これにより、シ
ール部材に粘着した可撓性基板１は、接地電極３２に押
し出されてシール部材よりはずれる。そして、接地電極
３２を引っ込ませた後、可撓性基板１を搬送する。これ
により、問題なく搬送することが可能となった。
同一の符号を付した図を引用して本発明の実施例につい
て説明する。図１は本発明の実施される薄膜素子の製造
装置および製造方法の成膜室開放時に示す。可撓性基板
１は紙面に垂直方向に搬送される。高電圧電極３１を収
容する下部成膜室は壁体２１と開口部を有するトッププ
レート２７とで構成され、真空排気管６１に接続されて
いる。図示しないヒータを内蔵する接地電極３２を収容
する上部成膜室は、壁体２２とハウジング２８とで構成
され、ハウジング２８に接地電極３２の支持チューブ３
４が上下に移動可能に嵌合している。ハウジング２８の
端部に移動プレート２９が取付けられている。移動プレ
ート２９は上下駆動ガイド３０にガイドされてアクチュ
エ−タ４１により矢印５１に示すように上下方向に駆動
される。上下駆動ガイド３０およびアクチュエ−タ４１
はマウント４２に固定され、成膜室チャンバ３５の上の
上部フランジ３６上に載置されている。支持チューブ３
４は円筒状で、内部の空洞は上端で真空排気管６３と連
通し、下端で貫通孔３７により上部成膜室の内部空間に
連通している。真空排気管６１と真空排気管６３は可撓
性配管６４により接続されている。一方、接地電極の支
持チューブ３４は、移動プレート２９に固定されたアク
チュエ−タ４４により別の移動プレート４３を介してハ
ウジング２８内を移動でき、それによって接地電極３２
は矢印５２に示すように上下方向に駆動される。また、
上部成膜室の壁体２２の下端と下部成膜室のトッププレ
ート２７の間には、図４に示したリップ７、Ｌ型パッキ
ン７１などのしわ伸ばし構造が形成されている。 実施例１：シール材５、リップ７、Ｌ型パッキン７１、
リップ押さえ７２の材料を、従来用いていたふっ素ゴム
からふっ素樹脂のＰＴＦＥに変更した。ＰＴＦＥは、ふ
っ素ゴムよりも耐熱性が高く、可撓性基板１のプラスチ
ックフィルムとの粘着性が少ない。この結果、ヒータ温
度３５０℃に加熱してもシール部材５、７１、７２の可
撓性基板１との粘着は起こらなかった。また、ガスの封
止も良好で、成膜空間６、６２からガスの漏れは認めら
れなかった。他のふっ素樹脂としてＰＣＴＦＥを用いた
場合にも、ＰＴＦＥを用いた場合と同様の結果が得られ
た。この装置を用い、成膜室を封止し、成膜空間６内の
圧力を０．５Ｔｏｒｒ、ヒータ温度を２５０℃にして基
板１上にａ−Ｓｉ膜を約２００ｎｍの厚さに成膜した。
シール材５、リップ７、リップ押さえ７１にふっ素樹脂
が用いることにより、シール部材からの温度部材からの
温度上昇によるガス発生が減少し、高品質のａ−Ｓｉ膜
が成膜できた。 実施例２：シール部材のシール材５、リップ７、Ｌ型パ
ッキン７１の材料としては、従来通りふっ素ゴムを用い
たが、可撓性基板１と接する部分にスパッタリング法に
よりＡｇを約５０ｎｍの厚さにコーティングした。この
結果、シール部材への可撓性基板１の粘着はなくなり、
搬送がスムーズに行えた。また、ガスの封止も良好であ
った。コーティング材にＺｎＯ、ＰＴＦＥ、シリコン酸
化物、窒化ほう素を用いてコーティングした場合も同様
の結果を得た。シール部材にその材料により可撓性基板
との粘着性の低い材料の膜をコーティングすることで、
シール部材からの温度上昇によるガス発生が減少し、高
品質なａ−Ｓｉ膜が形成できた。 実施例３：成膜室空間６、６２外周で可撓性基板１と接
触して真空を気密にするシール部材５、７をトッププレ
ート２７および上部成膜室壁体２２の端部に取付けた図
示しない水冷冷却体によって冷却し、１００℃以上に保
った。これにより、温度上昇によるシール部材５、７の
粘着性の増大を抑えた。材料にふっ素ゴムを用いたシー
ル部材５、７の温度が１５０℃以上の時は、成膜室開放
後毎回可撓性基板が粘着したが、１００℃以下になるよ
うに周辺を冷却した場合には、１００回中８回に減少し
た。さらに５０℃以下にすることで粘着を完全に防止す
ることができた。この実施例でもシール部材を冷却する
ことで、シール部材からの温度上昇によるガス発生が減
少し、高品質なａ−Ｓｉ膜が形成できた。 実施例４：図５あるいは図６に示すように、しわ伸ばし
構造のＬ型パッキン７１の基板１との接触面を、図４に
示したような平面ではなく凸状面にされている。すなわ
ち、図５では部分円柱面、図６では断面３角形の稜状面
となっている。このような凸状面に形成しても、成膜室
が閉じられてガスを封止する際には、ふっ素ゴムででき
たパッキン材７１は弾性が大きいため押しつぶされ真空
を気密するのに十分な接触面積を得られる。次に成膜室
が開放され、押しつぶされる力がかからなくなるとＬ型
パッキン７１は弾力性によりもとの形状に戻る。この場
合、可撓性基板１と接触する面積は小さくなり、接触部
分が平面の場合に比較して基板は粘着しにくくなった。
しかし、通常のＯリング等に近い図５のような接触面で
なく、図６に示すような稜状接触面の法が粘着防止に有
効であった。 実施例５：図４（ｂ）に示すように、基板１のしわをさ
らに伸ばすために接地電極〜２を矢印５５の方向に下降
させ、基板を２．０〜２．５ｍｍのｄだけ押し込む。こ
の実施例では成膜室開放−基板１フレーム移動の一連の
操作において、成膜室開放後に可撓性基板がシール部材
７、７１に粘着して搬送不可能な場合、接地電極３２を
ｄが４ｍｍ以上になるように押し出す。これにより、シ
ール部材に粘着した可撓性基板１は、接地電極３２に押
し出されてシール部材よりはずれる。そして、接地電極
３２を引っ込ませた後、可撓性基板１を搬送する。これ
により、問題なく搬送することが可能となった。
【００１２】図７は、図１に示したようなＣＶＤ成膜室
あるいはステッピングロール成膜方式のスパッタリング
成膜室など５個の成膜室８０を組み合わせて共通室８１
の中に構成した薄膜光電変換素子製造装置を示す。この
装置においても、上記の各実施例による可撓性基板１の
粘着防止を行うことができる。可撓性基板１を搬送する
ために、基板の搬送方向に張力をかけている。装置距離
が長くなることで、可撓性基板を支持するロールの数を
増やさなければならず、ロール軸での機械ロスが増え、
その結果、可撓性基板にかかる力は弱くなる。張力が弱
いと基板にシール部材が粘着しやすくなるが、図７の装
置を用いて送り出しロール８２から巻き取りロール８３
まで搬送される幅５０８ｍｍの可撓性基板１上に成膜し
た場合には、成膜室間で測定する基板幅方向の張力が１
０ｋｇｆ／幅になるように搬送方向に張力をかけた。
あるいはステッピングロール成膜方式のスパッタリング
成膜室など５個の成膜室８０を組み合わせて共通室８１
の中に構成した薄膜光電変換素子製造装置を示す。この
装置においても、上記の各実施例による可撓性基板１の
粘着防止を行うことができる。可撓性基板１を搬送する
ために、基板の搬送方向に張力をかけている。装置距離
が長くなることで、可撓性基板を支持するロールの数を
増やさなければならず、ロール軸での機械ロスが増え、
その結果、可撓性基板にかかる力は弱くなる。張力が弱
いと基板にシール部材が粘着しやすくなるが、図７の装
置を用いて送り出しロール８２から巻き取りロール８３
まで搬送される幅５０８ｍｍの可撓性基板１上に成膜し
た場合には、成膜室間で測定する基板幅方向の張力が１
０ｋｇｆ／幅になるように搬送方向に張力をかけた。
【００１３】以上、真空を気密にするシール部材での可
撓性基板の粘着を防ぐ方策、あるいは、粘着した場合の
対策について記述したが、このいくつかを組み合わせる
とさらに有効である。以上の実施例では、可撓性基板が
成膜中に水平方向に支持される薄膜製造装置の例で示し
たが、むろん、成膜中に垂直方向に支持される薄膜製造
装置であっても良い。
撓性基板の粘着を防ぐ方策、あるいは、粘着した場合の
対策について記述したが、このいくつかを組み合わせる
とさらに有効である。以上の実施例では、可撓性基板が
成膜中に水平方向に支持される薄膜製造装置の例で示し
たが、むろん、成膜中に垂直方向に支持される薄膜製造
装置であっても良い。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、可撓性基板上にステッ
ピンロール方式で薄膜を形成する際に、真空成膜空間を
つくるためのシール部材の停止させた基板への粘着を、
シール部材の材料にふっ素樹脂を用いること、シール部
材表面に粘着防止用の膜を形成すること、シール部材の
冷却、シール部材接触面の稜状面化、あるいは、粘着し
た基板を押圧してシール部材から引きはがす方法などに
より防止することができた。これにより、可撓性基板の
搬送トラブルがなくなり、またシール部材よりのガス発
生が減少する副次効果も得られた。
ピンロール方式で薄膜を形成する際に、真空成膜空間を
つくるためのシール部材の停止させた基板への粘着を、
シール部材の材料にふっ素樹脂を用いること、シール部
材表面に粘着防止用の膜を形成すること、シール部材の
冷却、シール部材接触面の稜状面化、あるいは、粘着し
た基板を押圧してシール部材から引きはがす方法などに
より防止することができた。これにより、可撓性基板の
搬送トラブルがなくなり、またシール部材よりのガス発
生が減少する副次効果も得られた。
【図１】本発明の実施される薄膜素子の製造装置の成膜
開放時の断面図
開放時の断面図
【図２】従来の薄膜素子の製造装置を示し（ａ）が成膜
室開放時、（ｂ）が成膜室封止時の断面図
室開放時、（ｂ）が成膜室封止時の断面図
【図３】薄膜素子の製造装置の基板両面シール構造部の
一例の断面図
一例の断面図
【図４】薄膜素子の製造装置の可撓性基板のかわ伸ばし
方法の一例を（ａ）、（ｂ）の順に示す断面図
方法の一例を（ａ）、（ｂ）の順に示す断面図
【図５】薄膜素子の製造装置のシール構造部の一例の断
面図
面図
【図６】本発明の一実施例の薄膜素子の製造装置のシー
ル構造部の断面図
ル構造部の断面図
【図７】本発明の実施される薄膜素子の製造装置の別の
例の断面図
例の断面図
１ 可撓性基板 ２１ 下部成膜室壁体 ２２ 上部成膜室壁体 ２７ トッププレート ２８ ハウジング ２９、４３ 移動プレート ３０ 上下駆動ガイド ３１ 高電圧電極 ３２ 接地電極 ４１、４４ アクチュエ−タ ６、６２ 成膜空間 ６１ 真空排気管 ７ リップ ７１ Ｌ形パッキン ７２ リップ押さえ
Claims (13)
- 【請求項１】可撓性基板を函状の成膜室壁体の開口周囲
の端面と弾性をもつシール部材を介して密着させ、壁体
と基板とにより囲まれた成膜室内を真空にし、この空間
内に収容された電極に電圧を印加して基板上に薄膜を形
成するための薄膜素子の製造装置において、シール部材
がふっ素樹脂よりなることを特徴とする薄膜素子の製造
装置。 - 【請求項２】可撓性基板を函状の成膜室壁体の開口周囲
の端面と弾性をもつシール部材を介して密着させ、壁体
と基板とにより囲まれた成膜室内を真空にし、この空間
内に収容された電極に電圧を印加して基板上に薄膜を形
成するための薄膜素子の製造装置において、シール部材
の可撓性基板との接触面が、弾性のある母材よりも基板
に対する粘着力が少ない材料よりなる表面膜によって覆
われたことを特徴とする薄膜素子の製造装置。 - 【請求項３】シール部材の母材がふっ素ゴムであり、表
面膜が金属よりなる請求項２記載の薄膜素子の製造装
置。 - 【請求項４】金属が銀、アルミニウム、チタン、銅およ
びクロムのうちの一つである請求項３記載の薄膜素子の
製造装置。 - 【請求項５】シール部材の母材がふっ素ゴムであり、表
面膜が金属酸化物よりなる請求項２記載の薄膜素子の製
造装置。 - 【請求項６】金属酸化物が酸化亜鉛、酸化インジウムす
ずおよび酸化すずのうちの一つである請求項５記載の薄
膜素子の製造装置。 - 【請求項７】シール部材の母材がふっ素ゴムであり、表
面膜がふっ素樹脂よりなる請求項２記載の薄膜素子の製
造装置。 - 【請求項８】ふっ素樹脂がポリテトラフルオロチレンあ
るいはポリクロロトリフルオロエチレンである請求項１
あるいは７記載の薄膜素子の製造装置。 - 【請求項９】シール部材がふっ素ゴムであり、表面膜が
シリコン系化合物あるいは窒化ほう素よりなる請求項２
記載の薄膜素子の製造装置。 - 【請求項１０】可撓性基板を函状の成膜室壁体の開口周
囲の端面と弾性をもつシール部材を介して密着させ、壁
体と基板とにより囲まれた成膜室内を真空にし、この空
間内に収容された電極に電圧を印加して基板上に薄膜を
形成するための薄膜素子の製造装置において、シール部
材の近傍にシール部材の温度を１００℃以下にするため
の冷却手段を備えたことを特徴とする薄膜素子の製造装
置。 - 【請求項１１】可撓性基板を函状の成膜室壁体の開口周
囲の端面と弾性をもつシール部材を介して密着させ、壁
体と基板とにより囲まれた成膜室内を真空にし、この空
間内に収容された電極に電圧を印加して基板上に薄膜を
形成するための薄膜素子の製造装置において、シール部
材の可撓性基板との接触面が稜状であることを特徴とす
る薄膜素子の製造装置。 - 【請求項１２】可撓性基板を函状の成膜室壁体の開口周
囲の端面と弾性をもつシール部材を介して密着させ、壁
体と基板とにより囲まれた成膜室内を真空にし、この空
間内に収容された電極に電圧を印加して基板上に薄膜を
形成する薄膜素子の製造方法において、薄膜を形成し、
成膜室壁体端面を基板に密着させる圧力を解除したの
ち、基板を一面側から他面側に向けて押圧することを特
徴とする薄膜素子の製造方法。 - 【請求項１３】基板を、基板面が成膜室壁体の開口面よ
り４ｍｍ以上突出するまで押圧する請求項１２記載の薄
膜素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22127895A JPH0963970A (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | 薄膜素子の製造装置および製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22127895A JPH0963970A (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | 薄膜素子の製造装置および製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0963970A true JPH0963970A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=16764281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22127895A Pending JPH0963970A (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | 薄膜素子の製造装置および製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0963970A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001288569A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-19 | Dainippon Printing Co Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP2002208563A (ja) * | 2001-01-09 | 2002-07-26 | Ebara Corp | 被加工物の加工装置及び加工方法 |
| JP2006045593A (ja) * | 2004-08-02 | 2006-02-16 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2009084662A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 薄膜製造装置 |
| JP2010199325A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 薄膜光変換素子の製造装置及び製造方法 |
| JP2011001578A (ja) * | 2009-06-17 | 2011-01-06 | V Tex:Kk | ゲートバルブおよびフィルムのゲートバルブ通過方法 |
| CN102277561A (zh) * | 2010-06-14 | 2011-12-14 | 硅绝缘体技术有限公司 | 用于多个基板的气体处理的系统和方法 |
| JP2012256637A (ja) * | 2011-06-07 | 2012-12-27 | Philtech Inc | 膜成長装置および太陽電池の製造装置 |
| WO2013160948A1 (ja) * | 2012-04-25 | 2013-10-31 | 株式会社ニッシン | 減圧処理装置 |
| WO2013168195A1 (ja) * | 2012-05-09 | 2013-11-14 | 株式会社ニッシン | パターン形成方法 |
-
1995
- 1995-08-30 JP JP22127895A patent/JPH0963970A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001288569A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-19 | Dainippon Printing Co Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
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| CN102277561A (zh) * | 2010-06-14 | 2011-12-14 | 硅绝缘体技术有限公司 | 用于多个基板的气体处理的系统和方法 |
| JP2012256637A (ja) * | 2011-06-07 | 2012-12-27 | Philtech Inc | 膜成長装置および太陽電池の製造装置 |
| WO2013160948A1 (ja) * | 2012-04-25 | 2013-10-31 | 株式会社ニッシン | 減圧処理装置 |
| WO2013168195A1 (ja) * | 2012-05-09 | 2013-11-14 | 株式会社ニッシン | パターン形成方法 |
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