JPH07101663B2 - マスク保持装置 - Google Patents

マスク保持装置

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JPH07101663B2
JPH07101663B2 JP62026456A JP2645687A JPH07101663B2 JP H07101663 B2 JPH07101663 B2 JP H07101663B2 JP 62026456 A JP62026456 A JP 62026456A JP 2645687 A JP2645687 A JP 2645687A JP H07101663 B2 JPH07101663 B2 JP H07101663B2
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は高集積半導体回路素子の製造のためのリソグラ
フィ工程、特に転写工程で用いるマスク保持装置に関す
るものであり、特にＸ線露光装置用のマスク保持装置に
関するものである。
［従来の技術］ 従来のマスク保持装置として、マスク保持は真空吸着に
よるものと磁力によって吸着するものとがある。磁力に
よって吸着、固定する方法には、永久磁石を使ったもの
と電磁石を使ったものとがある。
ところで、マスクメンブレンの平面度はマスク保持装置
の吸着面の平面度、メンブレンを貼るためのマスクフレ
ーム（リップ面、吸着面）の平面度、マスクの自重たわ
みなどの総合精度として決まることが知られている。従
ってマスクをマスク保持装置に吸着、固定すると、ある
平面度が定まり、そしてその平面度を改善し、平面を矯
正することはできない。
［発明が解決しようとする問題点］ 本発明の目的は所要の平面度を得られるようマスクメン
ブレンの平面を矯正できるマスク保持装置を提供するこ
とである。
［問題点を解決するための手段］ この目的を達成するため本発明のマスク保持装置は、マ
スクの複数の位置を吸着する複数の吸着手段と、該複数
の吸着手段のそれぞれの吸着力を独立に制御する制御手
段とを備えたことを特徴とする。
［作用］ これによれば、マスクは複数の吸着手段により、Ｘ線露
光装置等に保持されるが、その際、吸着手段の吸着力
は、マスクの平面度が高められるように、それぞれ独立
して制御される。
［実施例］ 添付図を参照して本発明の実施例を説明する。第1a図と
第1b図とを参照する。
第1a図はＸ線マスクチャックに応用した第１の実施例の
マスク保持装置の平面図であり、第1b図はマスクフレー
ムを取りつけたときのＡ−Ａ断面図を示す。同図におい
て、１はマスクメンブレン、２はマスクメンブレン１と
永久磁石による磁力で保持するため磁性材料で作られた
マスクフレームである。３はマスクホルダー、4a,4b,4
c,4dはマスクフレーム２を吸着するためにマスクホルダ
ー３に固定された永久磁石、5a,5b,5c,5dはマスクフレ
ーム２の吸着力を可変にするための磁力を発生させるソ
レノイドコイルである。6a,6b,6c,6dは個々のソレノイ
ドコイルに電流を流すためのリード線である。この実施
例では永久磁石、ソレノイドコイルおよびリード線のユ
ニットがマスクホルダーに相互に90度離して周縁に配置
している。
上記構成において、マスクフレーム２をマスクホルダー
３に近ずけると永久磁石4a,4b,4c,4dによりマスクホル
ダー３は吸着される。吸着後のマスクメンブレン１の平
面度はある値に定まる。あらかじめマスクメンブレン１
のたわみ形状の情報を平面度測定用干渉計システムによ
り得ていれば、マスクホルダー３の吸着時にマスクメン
ブレンのどこの部分がでばっていて、どこの部分がくぼ
んでいるのかがわかる。そこで、このデータをもとにソ
レノイドコイルにリード線を介して個々に制御した電流
を流すことにより平面の矯正を行なえる。極性を変え電
流の流す方向を変えれば、マスクフレーム２を吸着させ
ることも永久磁石の発生する磁力線を相殺する向きの磁
力線を発生させ離脱させることができる。また吸着力の
大きさは電流値によって変えることもできる。吸着力の
大きい場所では、マスクフレーム２は２の吸着力によっ
て外形がマスクホルダー３方向に微小変位し、この部分
付近のマスクメンブレン１のでばりはなくなる。吸着力
の小さい場所では、マスクメンブレン１のくぼみはなく
なる。このようにしてマスクメンブレン１の平面度を損
なう成分は取り除かれ、所要の平面に矯正することがで
きる。このため例え平面度が良くないマスクメンブレン
１を使用しても十分な平面度を得ることができる。
マスクメンブレン１のたわみ形状を露光前に露光機外で
測定してもよいが、更に露光機上でマスクフレームの取
付け位置、個々のソレノイドに流す電流値および極性の
データを収集しておき、そのデータに従って矯正時のマ
スクメンブレンの平面度が得られるように構成しておけ
ば、所望のマスクメンブレンの平面度を再現できるよう
になる。
第２図は本発明の第２の実施例を示す第1b図と同様な断
面図である。第１の実施例では、永久磁石、ソレノイド
コイル、およびリード線のユニットはマスクホルダー内
に設けているが、このユニットの一部もしくは全部をマ
スクフレーム内に設けることもできる。
第２図において、永久磁石4a,4cはマスクフレーム２の
内部に設定してあり、7a,7cは磁路を分離するためのセ
パレータ、8a,8cはヨークである。その作用は第１の実
施例と全く同じである。いずれの実施例も永久磁石を使
用しているが、電磁石のみの使用でも所要の平面度を得
られる。
［発明の効果］ 以上から明らかなように、マスクに対しての複数の吸着
手段による吸着力をそれぞれ独立に制御するようにした
ので、マスクの平面性を損なう成分を減じて所要の平面
度を得ることができる。高精度が要求される半導体製造
用の転写マスク、特にＸ線マスクのチャッキングに好適
である。
【図面の簡単な説明】
第1a図は本発明の第１の実施例の平面図、第1b図は第1a
図のＡ−Ａ断面図である。第２図は本発明の第２の実施
例の第1a図と同様の縦断面図である。 図中、 1:マスクメンブレン、2:マスクフレーム、3:マスクホル
ダー、4a,4b,4c,4d:永久磁石、5a,5b,5c,5d:ソレノイド
コイル、6a,6b,6c,6d:リード線、7a,7c:セパレータ、8
a,8c:ヨークまたはコア。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５３１ Ｍ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】マスクの複数の位置を吸着する複数の吸着
    手段と、 該複数の吸着手段のそれぞれの吸着力を独立に制御する
    制御手段と を備えたことを特徴とするマスク保持装置。
  2. 【請求項２】前記吸着手段は各々電磁石を有し、前記制
    御手段は該各々の電磁石のソレノイドコイルに流す電流
    を独立に制御することを特徴とする特許請求の範囲第１
    項に記載のマスク保持装置。
  3. 【請求項３】前記制御手段は、予め得られたマスクのた
    わみ形状の情報に基づいて各吸着手段の吸着力を制御す
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のマス
    ク保持装置。
  4. 【請求項４】マスクパターンが形成されたメンブレンと
    該メンブレンを保持するマスクフレームとを備えるマス
    ク、の該マスクフレームの複数位置を前記吸着手段によ
    って吸着してマスクを保持することを特徴とする特許請
    求の範囲第１項に記載のマスク保持装置。
  5. 【請求項５】前記マスクはＸ線マスクであることを特徴
    とする特許請求の範囲第４項に記載のマスク保持装置。
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