JP5138600B2 - メタルマスクを用いたウエハのアライメント装置 - Google Patents
メタルマスクを用いたウエハのアライメント装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5138600B2 JP5138600B2 JP2008539667A JP2008539667A JP5138600B2 JP 5138600 B2 JP5138600 B2 JP 5138600B2 JP 2008539667 A JP2008539667 A JP 2008539667A JP 2008539667 A JP2008539667 A JP 2008539667A JP 5138600 B2 JP5138600 B2 JP 5138600B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- metal mask
- mask
- holder
- alignment apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 75
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 75
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 8
- 229910000828 alnico Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- KPLQYGBQNPPQGA-UHFFFAOYSA-N cobalt samarium Chemical compound [Co].[Sm] KPLQYGBQNPPQGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910000938 samarium–cobalt magnet Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 3
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
そこで、従来のアライメント装置として、特開2005−101040号公報(以下、特許文献1という。)の図1に示されるように、光学手段を用いて前記位置合わせを行う方法が提案されている。
また、特開2005−8947号公報(以下、特許文献2という。)には、スパッタ成膜装置におけるメタルマスクとウエハとの位置合わせのために、磁性材料よりなるメタルマスクを磁力によって、被成膜用基板の成膜側の面側にメタルマスクを配し、平板状の非磁性材料からなるホルダにN極、S極の2組以上の多極磁石を用いたスパッタ装置が提案されている(特許文献2の図1参照)。
ところが、上述の背景技術における特許文献1および特許文献2に記載されている技術的事項は、いずれも超精密なメタルマスクを用いたアライメント装置には適していない。
すなわち、特許文献1において、位置合わせにおける精度を高くするためには、光学系の機構が煩雑で高価になるばかりでなく、その操作が容易でない欠点がある。さらに、特許文献2に記載されている技術では、ウエハ(被成膜用基板180)が載置されるホルダ110に永久磁石(多極磁石115)が取り付けられているため、メタルマスクをウエハ(被成膜用基板180)に近づけたときメタルマスクが磁力に影響され、所期の目的であるメタルマスクとウエハとの正確な位置合わせが完全に行えない可能性がある。
そこで、本発明は、温度に対する特性である膨張係数を極めて低く設定できるメタルマスクを用いて、たとえば、100mmで±0.5μmの精度が得られるアライメント装置を提供することを目的としている。
すなわち、本発明のアライメント装置は、ウエハ1をx軸方向、y軸方向、z軸方向、および所定のΘ方向に駆動可能なテーブル6と、前記テーブル6上に保磁力を有しない磁性材からなるワーク受プレート14を介してウエハ1を載置するウエハホルダ2と、前記ワーク受プレート14に相対向して配置されるとともに、前記ウエハ1の表面に蒸着される半導体素子回路パターンを形成するメタルマスク3が張架されている吸着枠16を取り付けるマスクホルダ4と、前記ウエハ1と前記メタルマスク3とを位置合わせした後、ウエハ1とメタルマスク3とを密着させる重合手段5と、前記重合手段5に直流または交流を供給することによって前記ウエハ1およびメタルマスク3の密着あるいは離間を行うように制御する制御手段7と、から少なくとも構成されていることを特徴とする。本明細書でいう保持力を有しない磁性材とは、サマリウムコバルト、フェライト、あるいはアルニコ(鉄(Fe)、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)等からなる合金)等の材料に所定電流を流し、飽和磁化させることにより、残留磁化を一定以上にして保持力を持たせるものではなく、前記所定電流以下にして、磁化が残らないような状態にした磁性材である。
また、本発明のメタルマスクを用いたウエハのアライメント装置は、ウエハ1に所定の半導体素子回路パターンを蒸着する際に、ウエハ1とメタルマスク3との位置合わせを行うためのものである。テーブル6は、x軸方向、y軸方向、z軸方向、および所定のΘ方向に駆動可能に構成されている。前記ウエハホルダ2に載置されたワーク受プレート14は、前記保磁力を有しない磁性材から成り、前記メタルマスク3に相対向して配置される。また、前記マスクホルダ4は、前記ウエハ1に蒸着される半導体素子回路パターンを形成するためのメタルマスク3が吸着枠16に張架されている。前記メタルマスク3が張架されている吸着枠16は、たとえば、吸着手段8によって吸着固定されている。
前記重合手段5は、前記ウエハ1と前記メタルマスク3とを密着させるためのものである。前記重合手段5は、たとえば、制御手段7から送られる直流または交流の制御信号によって磁力を発生する磁性体15及び電磁コイル5aで構成することができる。制御手段7は、前記制御信号により、前記ウエハ1およびメタルマスク3が密着あるいは離間を行い、前記ウエハホルダ2とマスクホルダ4が密着、離間を行うように前記重合手段5の磁力を制御する。このように、本発明は、重合手段5に制御信号を送るだけでウエハホルダ1とマスクホルダ3との密着あるいは離間が行えるため、制御を行うための特別な機械的構成を無くすことができる。
また、前記重合手段5は、上記のように電磁コイル5aが備えられており、前記ウエハ1とメタルマスク3との密着あるいは離間に対して電磁力を制御する構成において、前記ウエハ1と前記メタルマスク3との位置合わせ時に、前記電磁コイル5aから磁力がない状態で、前記位置合わせ作業が容易に行える状態に設定することができる。一方、蒸着時に、前記制御手段7から前記電磁コイル5aに直流の制御信号を送り、前記電磁コイル5aと、磁性体15として設けた保磁力を有するコアによって前記ワーク受プレート14に磁力を発生させ、メタルマスク3を取り付けた吸着枠16に対する磁力による吸引力で、前記ウエハ1と前記メタルマスク3とを密着固定状態に保持することができる。このように、前記ウエハ1と前記メタルマスク3とを自由に位置合わせ状態に設定するとともに、前記制御手段7からの制御信号によって両者を密着固定することができる。
或いは、前記重合手段5の他の構成として、少なくとも一つの電磁コイル5aが備えられており、前記ウエハ1とメタルマスク3との位置合わせ時に、前記ウエハ1と前記メタルマスク3とを自由に位置合わせができる状態に設定することができる。また、前記位置合わせが終了すると、前記制御手段7は、制御信号としてワーク受プレート14に対して吸引力を発生する極性の直流信号を前記電磁コイル5aに供給して、前記ウエハ1と前記メタルマスク3の両者が対向する位置で密着固定させる。前記重合手段5は、前記電磁コイル5aに対する制御信号により、ウエハ1とメタルマスク3の位置合わせおよび離間を、迅速且つ自在に行うことができる。
ワーク受プレート14を構成する保磁力を有しない材料として、鉄−ニッケル合金等の合金を用い、磁性体15を構成する保磁力を有する材料として、サマリウムコバルト、フェライト、あるいはアルニコを用いることが好ましい。
このような材料を用いて前記ワーク受プレート14及び磁性体15を構成することにより、ウエハ1とメタルマスク3の位置合わせ時、或いはウエハ1に対するマスクによる蒸着工程時、また該蒸着工程の完了後において、前記電磁コイル5aに対する制御信号によって、重合手段5は、容易かつ迅速に、前記ウエハ1及びメタルマスク3を密着或いは離間させることができる。
前記ウエハ1と前記メタルマスク3は、前記磁性体15が消磁状態で磁力がない状態で位置合わせを行なう。同工程が終了後、前記ウエハ1とメタルマスク3の両者を密着固定するため、電磁コイル5aに直流の制御信号を加えてウエハホルダ2とマスクホルダ4を密着状態に設定する。次いで、ウエハ1に所定の半導体素子回路パターンの蒸着を行う。
前記重合手段5は、電磁コイルと磁性材を組み合わせ、前記制御手段7からの制御信号を前記電磁コイルに送るだけで、ウエハ1とメタルマスク3の密着あるいは離間が容易で、かつ、自由にできるだけでなく、制御信号として種々の形態が選択できるようになった。さらに、本発明の構成は、前記重合手段5に電磁コイルと前記保持力を有しない磁性材よりなる磁性体を配置し、ウエハ1とメタルマスク3との位置合わせ時に前記電磁コイルに制御手段7からの制御信号によって前記保持力を有しない磁性材よりなる磁性体を消磁し、前記ウエハ1とメタルマスク3とを自由に位置合わせできる状態に設定し、両者の位置合わせ完了後は両者を密着固定させるものである。
第2図(a)は、本発明のメタルマスクを用いたウエハのアライメント装置の全体的な構成を示す要部断面概略図である。
第2図(b)は、第2図(a)に記載のアライメント装置を使用したウエハの製造工程において、ウエハホルダ2とマスクホルダ4が密着状態に設定された状態を示す要部断面概略図である。
第2図(c)は、第2図(a)に記載のアライメント装置を使用したウエハの製造工程において、蒸着完了後、ウエハ1とメタルマスク3が分離された状態を示す要部断面概略図である。
第3図は、本発明におけるメタルマスクを用いたウエハのアライメント装置によってウエハに対して蒸着によって回路パターンを形成するプロセスを示すフローチャートである。
第1図および第2図(a)乃至(c)において、本発明に係わるメタルマスクを用いたウエハのアライメント装置100は、各種の電子回路を構成する半導体素子を形成するためのウエハ1と、前記ウエハ1を保持するためのウエハホルダ2と、前記ウエハ1に前記半導体素子に相当する半導体素子パターンを蒸着するためのメタルマスク3が張架された吸着枠16と、吸着手段8の吸着力によって前記吸着枠16を吸着するマスクホルダ4と、前記ウエハホルダ2と前記マスクホルダ4とを互いに密着させる、あるいは、離間させる重合手段5と、前記ウエハホルダ2を所定の位置に動かすx軸方向、y軸方向、z軸方向、および所定のΘ方向の位置および角度を調整することができるテーブル6と、前記重合手段5の密着あるいは離間を制御する制御信号を発生するように電源を含む制御手段7とから少なくとも構成されている。
前記ウエハホルダ2は、上部に設けられているワーク受プレート14と、下部に設けられている磁性体15および電磁コイル5aと、上部に前記ワーク受プレート14を設ける凹部2′と、前記凹部2′に設けられたウエハ載置凹部14′と、前記ワーク受プレート14、磁性体15、および電磁コイル5aを固定する固定ホルダー13とから少なくとも構成されている。前記ワーク受プレート14の上部に設けられたウエハ載置凹部14′には、ウエハ側アライメントマーク10が設けられたウエハ1が嵌合されて位置決めされている。前記ワーク受プレート14は、保磁力を有しない材料、たとえば、鉄−ニッケル合金等の合金を用い、一方、前記磁性体15のコアとしては保磁力を有する材料、たとえば、サマリウムコバルト、フェライト、アルニコを用いる。
前記マスクホルダ4は、下部に設けられ、メタルマスク3をその上側から吸着して持ち上げる吸着枠16と、前記メタルマスク3を吸着枠16に吸着させる吸着手段8と、前記吸着手段8と吸着枠16を結ぶエア吸着孔9と、マスク側アライメントマーク11を観察する観察窓18とから構成されている。
テーブル6は、駆動装置6′によって、x軸方向、y軸方向、z軸方向、および所定のΘ方向に駆動され、ウエハ1とメタルマスク3の位置および角度調整を行う。また、重合手段5は、前記制御手段7からの制御信号が供給されるように電気接続用のコネクタ12が設けられている。前記磁性体15は、磁界発生手段として電磁コイル5aの内部に収納されているコアからなり、たとえば、前述のようにアルニコが利用される。
重合手段5は、前記電磁コイル5aと前記磁性体15からなり、前記制御手段7から制御信号が供給されて、前記電磁コイル5aと前記磁性体15とによって磁力を発生するとともに、その電磁力が制御される。二視野顕微鏡カメラ17は、観察窓18から前記ウエハ側アライメントマーク10およびマスク側アライメントマーク11が一致するように観測されるまで、前記テーブル6を移動させる。なお、前記メタルマスクを用いたウエハアライメント装置100は、概略図であるため、一部の機構が省略されている。
次に、本発明のメタルマスクを用いたウエハアライメント装置100によってウエハに対してメタルマスクで蒸着を行う工程について図面を参照して説明する。第3図は本発明におけるメタルマスクを用いたウエハのアライメント装置によってウエハに対して蒸着によって回路パターンを形成するプロセスを示すフローチャートである。第3図において、最初に、ウエハ1およびメタルマスク3を予め作成しておき、準備状態にしておく(ステップ31、ステップ32)。
本発明のメタルマスクを用いたアライメント装置100は、マスクホルダ4を吸着手段8にエアを用いて吸着させ、ウエハ1をウエハホルダ2に設けたワーク受プレート14上で保持し、ウエハ1に対して重合させて位置合わせするためにメタルマスク3をマスクホルダ4の吸着枠16に張架しておき、ウエハホルダ2にマスクホルダ4を重ね合わせる。
このとき、吸着枠16に対して前記重合手段5から磁力を発生させないようにしておけば、マスクホルダ4は、ウエハホルダ2に容易に接近可能となる。この場合、制御手段7から何等制御信号を発生させないでおいて重合手段5からの磁力を実質ゼロにして、ワーク受プレート14を脱磁状態にする。それによって、ウエハホルダ2は、マスクホルダ4に対して何ら磁力が働かない状態に保たれているので、自由に位置決めが可能であり、前記ウエハ側アライメントマーク10とマスク側アライメントマーク11との位置合わせが正確に行える(ステップ33)。
位置合わせ完了後、保持力を有する磁性材よりなる磁性体15の磁力による吸引力が利用される。すなわち、離間していたウエハホルダ2とマスクホルダ4とは、制御手段7からの直流信号の印加によって発生した磁性体15の電磁力で互いに吸引されて密着状態に設定され、両者が合体された状態となる(ステップ34)。
この後、所定のプロセスを経て蒸着工程を終了すると、メタルマスク3によってウエハ1に所定の回路パターンが形成され、蒸着が完了する(ステップ35)。前記制御手段7からの交流信号による制御信号でワーク受プレート14を脱磁すれば、吸着枠16との磁力がゼロとなり、ウエハ1とメタルマスク3が分離できる(ステップ36)。次に、ウエハホルダ2内のワーク受プレート14上に載置されたウエハ1を取り出せば、ウエハの取り出しで全工程が終了する(ステップ37)。前記吸着枠16は、保磁力を有する材料、たとえば、ニッケル合金、鉄合金、アルミニウム合金で磁性を有するもので構成される。
ここで、前記磁性体15にアルニコを用いる場合、単一の電磁コイルで前記磁性体15の磁力、磁気の方向を変化させることが可能となる。制御手段7からの交流信号の印加によってワーク受プレート14は消磁されるので、吸着枠16との間の脱磁状態となって吸着力はなくなり、ウエハホルダ2とマスクホルダ4とは、特に残留磁気の影響がないので、ウエハ1とメタルマスク3はスムーズに離間が行える。前記ウエハホルダ2とマスクホルダ4は、いずれも保磁力を有する材料、たとえば、ニッケル合金、鉄合金、アルミニウム合金で磁性を有するもので構成される。
以上、本発明の実施例を詳述したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではない。そして、本発明は、特許請求の範囲に記載された事項を逸脱することがなければ、種々の設計変更を行うことが可能である。たとえば、本発明のマスクホルダあるいはウエハホルダは、ウエハおよびメタルマスクを保持し、アライメントマークが合わせ易いものであれば、設計変更が可能である。また、本発明を構成するテーブル駆動手段、吸着手段、および制御手段として、公知または周知のものを使用し、必要に応じて設計変更が可能である。また、本発明は、重合手段において、一方を保持力を有する磁性体、他方を電磁コイルとしたが、一方を電磁コイル、他方を磁性体とするその逆の組み合わせ、あるいはその他の種々の組み合わせが可能である。
また、本発明は、上記実施例において、その重合手段として、電磁コイルと、その中心に保持力を有する磁性体を配置する構成としたが、外側に磁性体を配置し、該磁性体の中心に電磁コイルを配置する構成、或いは複数の電磁コイルと磁性体を配置する等、種々の組み合わせで構成することが可能である。
したがって、一般の蒸着マスクに比して温度特性の良好な、すなわち、膨張係数の低い、また、極めて精度の高いメタルマスクを用いて蒸着する場合に上述の効果は大いに発揮できるものである。
また、本発明のアライメント装置では、重合手段によるウエハホルダとマスクホルダとの密着あるいは離間の制御を電磁コイルに供給する制御信号で行えるので、機械的な構成を極減できる利点が得られる。また、前記ウエハホルダは、前記保磁力を有しない磁性材からなるワーク受プレートを介してウエハを載置しているため、前記ウエハが残留磁化の影響により浮いた状態にならず、安定した取り付けが可能になった。
さらに、本発明のアライメント装置によれば、構成素子に最適な材料を選択することよって前記重合手段に各々の磁性材料の組合せで、電気的な制御信号による電磁力の制御で、ウエハホルダとマスクホルダとの密着あるいは離間が可能となるので、制御信号として種々の形態が選択できる利点が得られる。
Claims (1)
- ウエハ1に所定の半導体素子回路パターンを蒸着する際にウエハ1とメタルマスク3との位置合わせを行うためのアライメント装置であって、
前記ウエハ1をx軸方向、y軸方向、z軸方向、および所定のΘ方向に駆動可能なテーブル6と、
前記テーブル6上に保磁力を有しない磁性材からなるワーク受プレート14を介してウエハ1を載置するウエハホルダ2と、
前記ワーク受プレート14に相対向して配置されるとともに、前記ウエハ1の表面に蒸着される半導体素子回路パターンを形成するメタルマスク3が張架されている吸着枠16を取り付けるマスクホルダ4と、
前記ウエハ1と前記メタルマスク3とを位置合わせした後、前記ウエハ1と前記メタルマスク3とを密着させる重合手段5と、
前記重合手段5に直流または交流を供給することにより、前記ウエハ1およびメタルマスク3の密着あるいは離間を行うように制御する制御手段7と、
から少なくとも構成されていることを特徴としたメタルマスクを用いたウエハのアライメント装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2006/320997 WO2008047458A1 (fr) | 2006-10-17 | 2006-10-17 | Appareil d'alignement d'une tranche utilisant un masque de métal |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2008047458A1 JPWO2008047458A1 (ja) | 2010-02-18 |
JP5138600B2 true JP5138600B2 (ja) | 2013-02-06 |
Family
ID=39313716
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008539667A Expired - Fee Related JP5138600B2 (ja) | 2006-10-17 | 2006-10-17 | メタルマスクを用いたウエハのアライメント装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5138600B2 (ja) |
WO (1) | WO2008047458A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103952665A (zh) * | 2014-04-18 | 2014-07-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 磁性装置和oled蒸镀装置 |
CN106920767B (zh) * | 2017-03-29 | 2023-06-09 | 华东师范大学 | 一种掩膜版与样品的贴合及分离装置 |
CN107858650B (zh) * | 2017-11-22 | 2020-07-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种蒸镀设备和蒸镀方法 |
CN110129721A (zh) * | 2019-04-26 | 2019-08-16 | 华东师范大学 | 一种用于铁磁性掩膜版的热蒸发镀膜器基板 |
CN112442657A (zh) * | 2020-11-24 | 2021-03-05 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 蒸镀方法、蒸镀装置及其吸附组件 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004106437A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Renesas Technology Corp | スクリーン印刷方法、印刷マスクの製造方法 |
JP2006188731A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Seiko Epson Corp | マスク成膜方法,マスク |
-
2006
- 2006-10-17 WO PCT/JP2006/320997 patent/WO2008047458A1/ja active Application Filing
- 2006-10-17 JP JP2008539667A patent/JP5138600B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004106437A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Renesas Technology Corp | スクリーン印刷方法、印刷マスクの製造方法 |
JP2006188731A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Seiko Epson Corp | マスク成膜方法,マスク |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2008047458A1 (ja) | 2010-02-18 |
WO2008047458A1 (fr) | 2008-04-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4375232B2 (ja) | マスク成膜方法 | |
JP5348631B2 (ja) | 加工装置及び加工方法 | |
US7517721B2 (en) | Linear actuator and apparatus utilizing the same | |
JP5150155B2 (ja) | リニアアクチュエータおよびリニアアクチュエータを利用した装置 | |
US20100170086A1 (en) | Device, unit, system and method for the magnetically-assisted assembling of chip-scale, and nano and micro-scale components onto a substrate | |
JP4058149B2 (ja) | 真空成膜装置のマスク位置合わせ方法 | |
JP5138600B2 (ja) | メタルマスクを用いたウエハのアライメント装置 | |
WO2011114829A1 (ja) | マスク保持装置及び薄膜形成装置 | |
WO2010041771A2 (en) | Planar motor with wedge shaped magnets and diagonal magnetization directions | |
KR101229020B1 (ko) | 쉐도우 마스크의 자성제거 방법 및 그 장치 | |
WO2019101319A1 (en) | Substrate carrier for supporting a substrate, mask chucking apparatus, vacuum processing system, and method of operating a substrate carrier | |
JPH07101663B2 (ja) | マスク保持装置 | |
KR102146631B1 (ko) | 스위칭 마그넷의 자력을 이용한 기판홀딩장치 | |
JPS6044809B2 (ja) | 電磁石装置 | |
JP5892003B2 (ja) | 半導体製造装置、半導体装置の製造方法 | |
JP2020158829A (ja) | 真空装置、運搬装置、アラインメント方法 | |
JP2020164943A (ja) | 真空装置、運搬装置、アラインメント方法 | |
CN115312434B (zh) | 一种巨量转移装置和方法 | |
KR102009564B1 (ko) | 스위칭 마그넷의 자력을 이용한 기판홀딩장치 | |
JP2004311656A (ja) | 保持方法、保持装置及び露光装置 | |
JPWO2004114285A1 (ja) | スピンスタンド | |
CN117712112A (zh) | 发光装置及发光装置的制作方法 | |
JP2006291262A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JP3045133B2 (ja) | ボール搭載方法および転写基板 | |
WO2019238244A1 (en) | Apparatus for lifting off a mask from a substrate, substrate carrier, vacuum processing system, and method of operating an electropermanent magnet assembly |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100531 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100531 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20100602 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100531 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120731 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120924 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121030 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121114 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5138600 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151122 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |