JP3045133B2 - ボール搭載方法および転写基板 - Google Patents
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- H01L2924/01029—Copper [Cu]
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フリップチップ、
チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）、ボールグリッドア
レイ（ＢＧＡ）などの半導体装置や、配線基板に、ボー
ルを用いてバンプ電極を形成する際に配線基板または半
導体チップの電極パッドにボールを搭載するためのボー
ル搭載方法および、そのボール搭載方法で用いられる転
写基板に関する。特に、本発明は、ボールを電磁気力に
より転写基板に吸着させ、転写基板に吸着したボール
を、配線基板または半導体チップの電極パッドに搭載す
るボール搭載方法および、そのボール搭載方法で用いら
れる転写基板に関する。
チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）、ボールグリッドア
レイ（ＢＧＡ）などの半導体装置や、配線基板に、ボー
ルを用いてバンプ電極を形成する際に配線基板または半
導体チップの電極パッドにボールを搭載するためのボー
ル搭載方法および、そのボール搭載方法で用いられる転
写基板に関する。特に、本発明は、ボールを電磁気力に
より転写基板に吸着させ、転写基板に吸着したボール
を、配線基板または半導体チップの電極パッドに搭載す
るボール搭載方法および、そのボール搭載方法で用いら
れる転写基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップの実装において、フリップ
チップ、チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）、ボールグ
リッドアレイ（ＢＧＡ）などの半導体装置にバンプ電極
を形成する方法としては、半田ボールに代表される導電
性のボールを半導体装置の一面に配列させる方法があ
る。
チップ、チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）、ボールグ
リッドアレイ（ＢＧＡ）などの半導体装置にバンプ電極
を形成する方法としては、半田ボールに代表される導電
性のボールを半導体装置の一面に配列させる方法があ
る。
【０００３】従来、配線基板上または半導体チップ上に
ボールを配列させる方法では、配線基板または半導体チ
ップなどの電極パッドに対応する位置に吸着穴が形成さ
れた吸着用プレートが用いられている。その吸着用プレ
ートの吸着穴を通してボールを真空吸引して、その吸着
穴にボールを吸着させる。そして、吸着用プレートにボ
ールを吸着させた状態で、例えば配線基板上に吸着用プ
レートを配置し、配線基板上で吸着穴の真空吸引を解除
することにより、配線基板の電極パッド上にボールが搭
載されると共に配線基板上にボールが配列される。その
後、配列されたボールを溶融することで、配線基板の電
極パッド上にバンプ電極が形成される。このような、真
空吸引を利用してバンプを形成する方法が既に実用化さ
れている。
ボールを配列させる方法では、配線基板または半導体チ
ップなどの電極パッドに対応する位置に吸着穴が形成さ
れた吸着用プレートが用いられている。その吸着用プレ
ートの吸着穴を通してボールを真空吸引して、その吸着
穴にボールを吸着させる。そして、吸着用プレートにボ
ールを吸着させた状態で、例えば配線基板上に吸着用プ
レートを配置し、配線基板上で吸着穴の真空吸引を解除
することにより、配線基板の電極パッド上にボールが搭
載されると共に配線基板上にボールが配列される。その
後、配列されたボールを溶融することで、配線基板の電
極パッド上にバンプ電極が形成される。このような、真
空吸引を利用してバンプを形成する方法が既に実用化さ
れている。
【０００４】しかし、上述した真空吸引を利用した方法
では、ボールが吸着プレートの吸着穴に吸着した際にボ
ールが変形することがある。あるいは、ボールが吸着穴
にはまり込むことで、真空吸引を解除してもボールが吸
着プレートから離脱せず、配線基板または半導体チップ
などにボールを搭載して配列させることができないこと
があるという問題点があった。
では、ボールが吸着プレートの吸着穴に吸着した際にボ
ールが変形することがある。あるいは、ボールが吸着穴
にはまり込むことで、真空吸引を解除してもボールが吸
着プレートから離脱せず、配線基板または半導体チップ
などにボールを搭載して配列させることができないこと
があるという問題点があった。
【０００５】このような問題点の対策のために、ボール
を半導体チップなどに搭載する際にボールを吸着する方
法として、磁気力によりボールを吸着する方法がいくつ
か提案されている。電磁気力を利用してボールを吸着
し、そのボールを半導体装置に搭載するボール搭載方法
としては、特開平７−２８３５２１号公報に示されるも
のがある。
を半導体チップなどに搭載する際にボールを吸着する方
法として、磁気力によりボールを吸着する方法がいくつ
か提案されている。電磁気力を利用してボールを吸着
し、そのボールを半導体装置に搭載するボール搭載方法
としては、特開平７−２８３５２１号公報に示されるも
のがある。
【０００６】図５は、特開平７−２８３５２１号公報に
示されるボール搭載方法について説明するための図であ
る。特開平７−２８３５２１号公報に示されるボール搭
載方法について、図５を参照して説明する。
示されるボール搭載方法について説明するための図であ
る。特開平７−２８３５２１号公報に示されるボール搭
載方法について、図５を参照して説明する。
【０００７】まず、図５（ａ）において、磁性体の球１
１２ａの表面全体を半田１１２ｂにより被覆して成る半
田ボール１１２を準備する。
１２ａの表面全体を半田１１２ｂにより被覆して成る半
田ボール１１２を準備する。
【０００８】次に、図５（ｂ）において、複数の半田ボ
ール１１２を供給機構１１３に収容する。供給機構１１
３の上方には、転写基板としての鉄製の保持機構１１４
が配置されている。保持機構１１４の供給機構１１３側
の面には、格子状に並設された、非磁性体から成る仕切
り１１４ａが形成されている。保持機構１１４の上面に
は、保持機構１１４を支持する搬送アーム１１４ｂが設
けられている。搬送アーム１１４ｂにはコイル１１８が
巻かれている。コイル１１８の一端は直流電源１１６と
電気的に接続され、コイル１１８の他端はスイッチ１１
５と電気的に接続されている。また、スイッチ１１５は
直流電源１１６と電気的に接続されている。
ール１１２を供給機構１１３に収容する。供給機構１１
３の上方には、転写基板としての鉄製の保持機構１１４
が配置されている。保持機構１１４の供給機構１１３側
の面には、格子状に並設された、非磁性体から成る仕切
り１１４ａが形成されている。保持機構１１４の上面に
は、保持機構１１４を支持する搬送アーム１１４ｂが設
けられている。搬送アーム１１４ｂにはコイル１１８が
巻かれている。コイル１１８の一端は直流電源１１６と
電気的に接続され、コイル１１８の他端はスイッチ１１
５と電気的に接続されている。また、スイッチ１１５は
直流電源１１６と電気的に接続されている。
【０００９】次に、図５（ｃ）において、スイッチ１１
５を閉じてコイル１１８の他端を直流電源１１６と電気
的に接続し、コイル１１８に直流電流を流す。これによ
り、鉄製の保持機構１１４は電磁石となり、保持機構１
１４の電磁気力により半田ボール１１２が保持機構１１
４に吸引される。従って、半田ボール１１２は供給機構
１１３から離れて保持機構１１４の供給機構１１３側の
面に吸着し、仕切り１１４ａ内に半田ボール１１２が保
持される。
５を閉じてコイル１１８の他端を直流電源１１６と電気
的に接続し、コイル１１８に直流電流を流す。これによ
り、鉄製の保持機構１１４は電磁石となり、保持機構１
１４の電磁気力により半田ボール１１２が保持機構１１
４に吸引される。従って、半田ボール１１２は供給機構
１１３から離れて保持機構１１４の供給機構１１３側の
面に吸着し、仕切り１１４ａ内に半田ボール１１２が保
持される。
【００１０】次に、図５（ｄ）において、保持機構１１
４の下方に、複数の電極パッド１１７ａを有する半導体
装置１１７を搬送する。これにより、半導体装置１１７
の上方に、半田ボール１１２が吸着された保持機構１１
４が配置される。
４の下方に、複数の電極パッド１１７ａを有する半導体
装置１１７を搬送する。これにより、半導体装置１１７
の上方に、半田ボール１１２が吸着された保持機構１１
４が配置される。
【００１１】次に、図５（ｅ）において、スイッチ１５
を開く。これにより、保持機構１１４の電磁気力による
半田ボール１１２の保持が解除されるので、半田ボール
１１２は保持機構１１４から離脱し、半導体装置１１７
上の複数の電極パッド１１７ａのそれぞれに半田ボール
１１２が搭載される。
を開く。これにより、保持機構１１４の電磁気力による
半田ボール１１２の保持が解除されるので、半田ボール
１１２は保持機構１１４から離脱し、半導体装置１１７
上の複数の電極パッド１１７ａのそれぞれに半田ボール
１１２が搭載される。
【００１２】図５に基づいて説明したボール搭載方法で
は、電磁気力で保持機構１１４に半田ボール１１２を吸
着させるので、保持機構１１４に真空吸引用の穴を形成
する必要がなく、半田ボール１１２がその穴にはまりこ
んで変形したり、保持機構１１４から離脱しなくなった
りすることがない。
は、電磁気力で保持機構１１４に半田ボール１１２を吸
着させるので、保持機構１１４に真空吸引用の穴を形成
する必要がなく、半田ボール１１２がその穴にはまりこ
んで変形したり、保持機構１１４から離脱しなくなった
りすることがない。
【００１３】他のボール搭載方法としては、特開昭６４
−５１６３９号公報に示されるものがある。図６は、特
開昭６４−５１６３９号公報に示されるボール搭載方法
について説明するための図である。このボール搭載方法
について図６を参照して説明する。
−５１６３９号公報に示されるものがある。図６は、特
開昭６４−５１６３９号公報に示されるボール搭載方法
について説明するための図である。このボール搭載方法
について図６を参照して説明する。
【００１４】まず、図６（ａ）において、基板１１９の
表面に導体配線層１２０を形成する。そして、導体配線
層１２０表面の、接続用のバンプ電極が必要な部分に、
保磁力の高い材料からなる強磁性膜パッド１２１をリン
グ状に形成する。
表面に導体配線層１２０を形成する。そして、導体配線
層１２０表面の、接続用のバンプ電極が必要な部分に、
保磁力の高い材料からなる強磁性膜パッド１２１をリン
グ状に形成する。
【００１５】次に、図６（ｂ）において、強磁性膜パッ
ド１２１を一様に磁化する。
ド１２１を一様に磁化する。
【００１６】次に、図６（ｃ）において、磁化された強
磁性膜パッド１２１上に、半田１２２により被覆された
鉄ボール１２３を強磁性膜パッド１２１の磁力により吸
着させる。
磁性膜パッド１２１上に、半田１２２により被覆された
鉄ボール１２３を強磁性膜パッド１２１の磁力により吸
着させる。
【００１７】このようなボール搭載方法では、基板１１
９表面の任意の位置に、鉄ボール１２３を簡単に搭載す
ることができ、接続に使用する半田の量が少なくてす
む。従って、基板１１９では、隣り合うバンプ電極同士
の、半田流れによるショート事故がなく、信頼性の高い
バンプ接続を行うことができる。
９表面の任意の位置に、鉄ボール１２３を簡単に搭載す
ることができ、接続に使用する半田の量が少なくてす
む。従って、基板１１９では、隣り合うバンプ電極同士
の、半田流れによるショート事故がなく、信頼性の高い
バンプ接続を行うことができる。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
７−２８３５２１号公報に示されるボール搭載方法で
は、半導体装置が微細化すると、保持機構１１４に微細
なパターンや不規則なパターンの仕切り１１４ａを設け
ることが困難になるという問題点がある。特に、配線基
板または半導体チップの電極パッドが１００μｍ以下の
微細ピッチまたは不規則なパターン配置である場合、保
持機構の仕切りを設けることができなくなり、電極パッ
ドにボールを搭載することが困難になる。
７−２８３５２１号公報に示されるボール搭載方法で
は、半導体装置が微細化すると、保持機構１１４に微細
なパターンや不規則なパターンの仕切り１１４ａを設け
ることが困難になるという問題点がある。特に、配線基
板または半導体チップの電極パッドが１００μｍ以下の
微細ピッチまたは不規則なパターン配置である場合、保
持機構の仕切りを設けることができなくなり、電極パッ
ドにボールを搭載することが困難になる。
【００１９】また、特開昭６４−５１６３９号公報に示
されるボール搭載方法では、配線基板や半導体チップな
どの、バンプが形成される部分全てに強磁性膜パッドを
形成しなければならず、製造工程が複雑になり、かつ、
コストが高くなるという問題点がある。また、この強磁
性膜パッドは保磁力が高く、バンプ電極を形成した後も
強磁性膜パッドの磁力は残留しているため、強磁性膜パ
ッドから恒常的に発生する磁界により、強磁性膜パッド
の周辺の他の機器へ悪影響を及ぼすことがあるという問
題点もある。
されるボール搭載方法では、配線基板や半導体チップな
どの、バンプが形成される部分全てに強磁性膜パッドを
形成しなければならず、製造工程が複雑になり、かつ、
コストが高くなるという問題点がある。また、この強磁
性膜パッドは保磁力が高く、バンプ電極を形成した後も
強磁性膜パッドの磁力は残留しているため、強磁性膜パ
ッドから恒常的に発生する磁界により、強磁性膜パッド
の周辺の他の機器へ悪影響を及ぼすことがあるという問
題点もある。
【００２０】本発明の目的は、配線基板または半導体チ
ップにバンプ電極を形成するために、ボールを転写基板
に吸着させてボールを配線基板または半導体チップに搭
載する際、微細なかつ不規則なパターンを有する配線基
板または半導体チップに、容易に、かつ歩留まり良くボ
ールを搭載できるボール搭載方法および転写基板を提供
することにある。
ップにバンプ電極を形成するために、ボールを転写基板
に吸着させてボールを配線基板または半導体チップに搭
載する際、微細なかつ不規則なパターンを有する配線基
板または半導体チップに、容易に、かつ歩留まり良くボ
ールを搭載できるボール搭載方法および転写基板を提供
することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、強磁性を有するボールを電磁気力により
転写基板に吸着させ、転写基板に吸着した前記ボール
を、配線基板または半導体チップに設けられた電極パッ
ド上に搭載するボール搭載方法において、転写基板の、
配線基板または半導体チップの電極パッドに対応する部
分に環状の配線を形成する段階と、環状の配線に電流を
流すことにより電磁気力を発生させ、前記電磁気力によ
り転写基板にボールを吸着させる段階と、配線基板また
は半導体チップの上方で環状の配線による電磁気力を減
少または消失させることによりボールを転写基板から離
脱し、配線基板または半導体チップの電極パッド上にボ
ールを搭載する段階とを有する。
に、本発明は、強磁性を有するボールを電磁気力により
転写基板に吸着させ、転写基板に吸着した前記ボール
を、配線基板または半導体チップに設けられた電極パッ
ド上に搭載するボール搭載方法において、転写基板の、
配線基板または半導体チップの電極パッドに対応する部
分に環状の配線を形成する段階と、環状の配線に電流を
流すことにより電磁気力を発生させ、前記電磁気力によ
り転写基板にボールを吸着させる段階と、配線基板また
は半導体チップの上方で環状の配線による電磁気力を減
少または消失させることによりボールを転写基板から離
脱し、配線基板または半導体チップの電極パッド上にボ
ールを搭載する段階とを有する。
【００２２】上記の発明では、転写基板にボールを吸着
させるために、転写基板の、配線基板または半導体チッ
プの電極パッドに対応する部分に環状の配線を形成する
ことにより、配線基板または半導体チップの電極パッド
の微細なピッチまたは不規則なパターンに対応して、微
細なピッチまたは不規則な配置で転写基板に複数の環状
の配線を形成できる。これにより、複数の環状の配線に
電流を流してそれぞれの環状の配線に電磁気力を発生さ
せ、その電磁気力により転写基板にボールを吸着させて
から配線基板または半導体チップにボールを搭載する
際、微細なピッチまたは不規則なパターンの電極パッド
を有する配線基板または半導体チップにも、容易に、か
つ、歩留まり良くボールを搭載することができる。ま
た、配線基板または半導体チップにボールを搭載した後
にボールに磁気が残留しないので、配線基板または半導
体チップ上のボールの周囲の機器などに磁界による悪影
響が及ぼされるということがない。
させるために、転写基板の、配線基板または半導体チッ
プの電極パッドに対応する部分に環状の配線を形成する
ことにより、配線基板または半導体チップの電極パッド
の微細なピッチまたは不規則なパターンに対応して、微
細なピッチまたは不規則な配置で転写基板に複数の環状
の配線を形成できる。これにより、複数の環状の配線に
電流を流してそれぞれの環状の配線に電磁気力を発生さ
せ、その電磁気力により転写基板にボールを吸着させて
から配線基板または半導体チップにボールを搭載する
際、微細なピッチまたは不規則なパターンの電極パッド
を有する配線基板または半導体チップにも、容易に、か
つ、歩留まり良くボールを搭載することができる。ま
た、配線基板または半導体チップにボールを搭載した後
にボールに磁気が残留しないので、配線基板または半導
体チップ上のボールの周囲の機器などに磁界による悪影
響が及ぼされるということがない。
【００２３】また、本発明は、強磁性を有するボールを
電磁気力により吸着し、吸着した前記ボールを、配線基
板または半導体チップに設けられた電極パッド上に搭載
するために用いられる転写基板において、転写基板の、
配線基板または半導体チップの電極パッドに対応する部
分の表面に環状の配線が形成されている。
電磁気力により吸着し、吸着した前記ボールを、配線基
板または半導体チップに設けられた電極パッド上に搭載
するために用いられる転写基板において、転写基板の、
配線基板または半導体チップの電極パッドに対応する部
分の表面に環状の配線が形成されている。
【００２４】上記の発明では、配線基板または半導体チ
ップの電極パッド上にボールを搭載するために用いられ
る転写基板において、転写基板の、配線基板または半導
体チップの電極パッドに対応する部分の表面に環状の配
線を形成することにより、配線基板または半導体チップ
の電極パッドの微細なピッチまたは不規則なパターンに
対応して、微細なピッチまたは不規則な配置で転写基板
に複数の環状の配線を形成できる。従って、前述したの
と同様に、それぞれの環状の配線に電流を流して電磁気
力により転写基板にボールを吸着させ、吸着させたボー
ルを配線基板または半導体チップに搭載する際、微細な
ピッチまたは不規則なパターンの電極パッドを有する配
線基板または半導体チップにも、容易に、かつ、歩留ま
り良くボールを搭載することができる。また、配線基板
または半導体チップにボールを搭載した後にボールに磁
気が残留しないので、配線基板または半導体チップ上の
ボールの周囲の機器などに磁界によって悪影響が及ぼさ
れるということがない。
ップの電極パッド上にボールを搭載するために用いられ
る転写基板において、転写基板の、配線基板または半導
体チップの電極パッドに対応する部分の表面に環状の配
線を形成することにより、配線基板または半導体チップ
の電極パッドの微細なピッチまたは不規則なパターンに
対応して、微細なピッチまたは不規則な配置で転写基板
に複数の環状の配線を形成できる。従って、前述したの
と同様に、それぞれの環状の配線に電流を流して電磁気
力により転写基板にボールを吸着させ、吸着させたボー
ルを配線基板または半導体チップに搭載する際、微細な
ピッチまたは不規則なパターンの電極パッドを有する配
線基板または半導体チップにも、容易に、かつ、歩留ま
り良くボールを搭載することができる。また、配線基板
または半導体チップにボールを搭載した後にボールに磁
気が残留しないので、配線基板または半導体チップ上の
ボールの周囲の機器などに磁界によって悪影響が及ぼさ
れるということがない。
【００２５】あるいは、転写基板の、配線基板または半
導体チップの電極パッドに対応する部分の表面に、環状
の配線として螺旋状の配線が形成されていてもよい。
導体チップの電極パッドに対応する部分の表面に、環状
の配線として螺旋状の配線が形成されていてもよい。
【００２６】上記のように、転写基板に環状の配線とし
て螺旋状の配線が形成されていることにより、螺旋状の
配線に電流を流して電磁気力を発生させ、その電磁気力
により転写基板にボールが吸着する。螺旋状の配線も、
配線基板または半導体チップの複数の電極パッドの微細
なピッチまたは不規則なパターンに対応して、微細なピ
ッチまたは不規則な配置で転写基板に複数形成すること
ができる。従って、微細なピッチまたは不規則なパター
ンの電極パッドを有する配線基板または半導体チップに
も、容易に、かつ、歩留まり良くボールを搭載すること
ができる。
て螺旋状の配線が形成されていることにより、螺旋状の
配線に電流を流して電磁気力を発生させ、その電磁気力
により転写基板にボールが吸着する。螺旋状の配線も、
配線基板または半導体チップの複数の電極パッドの微細
なピッチまたは不規則なパターンに対応して、微細なピ
ッチまたは不規則な配置で転写基板に複数形成すること
ができる。従って、微細なピッチまたは不規則なパター
ンの電極パッドを有する配線基板または半導体チップに
も、容易に、かつ、歩留まり良くボールを搭載すること
ができる。
【００２７】さらに、前記転写基板の前記環状の配線側
の面における前記環状の配線の内側の部分に、穴が形成
されていたり、高透磁率の材料から成るパッドが形成さ
れていたりすることが好ましい。
の面における前記環状の配線の内側の部分に、穴が形成
されていたり、高透磁率の材料から成るパッドが形成さ
れていたりすることが好ましい。
【００２８】上記のように、前記転写基板の前記環状の
配線側の面における前記環状の配線の内側の部分に穴が
形成されることにより、環状の配線により発生した磁気
力によりボールを転写基板に吸着させる際に、その穴に
ボールがはまり込み、転写基板の表面でボールが位置決
めされると共に、その位置決めされた位置にボールを固
定しやすくなる。また、前記転写基板の前記環状の配線
側の面における前記環状の配線の内側の部分に、高透磁
率の材料から成るパッドが形成されていることにより、
環状の配線に電流を流した際に、そのパッドが電磁石の
コア材（磁心）の役割を果たし、環状の配線により発生
する電磁気力が増大する。
配線側の面における前記環状の配線の内側の部分に穴が
形成されることにより、環状の配線により発生した磁気
力によりボールを転写基板に吸着させる際に、その穴に
ボールがはまり込み、転写基板の表面でボールが位置決
めされると共に、その位置決めされた位置にボールを固
定しやすくなる。また、前記転写基板の前記環状の配線
側の面における前記環状の配線の内側の部分に、高透磁
率の材料から成るパッドが形成されていることにより、
環状の配線に電流を流した際に、そのパッドが電磁石の
コア材（磁心）の役割を果たし、環状の配線により発生
する電磁気力が増大する。
【００２９】さらに、転写基板としてシリコン基板が用
いられると共に、転写基板の表面に絶縁層を介して環状
の配線が形成されており、転写基板と、環状の配線と
が、絶縁層に形成されたスルーホールを介して電気的に
接続されていてもよい。
いられると共に、転写基板の表面に絶縁層を介して環状
の配線が形成されており、転写基板と、環状の配線と
が、絶縁層に形成されたスルーホールを介して電気的に
接続されていてもよい。
【００３０】なお、前記環状の配線が、フォトリソグラ
フィ法を用いて形成されたものであることが好ましい。
フォトリソグラフィ法を用いて環状の配線を形成するこ
とにより、特に、１００μｍ以下の微細なピッチまたは
不規則な配置でも容易に複数の環状の配線を転写基板に
形成することができる。
フィ法を用いて形成されたものであることが好ましい。
フォトリソグラフィ法を用いて環状の配線を形成するこ
とにより、特に、１００μｍ以下の微細なピッチまたは
不規則な配置でも容易に複数の環状の配線を転写基板に
形成することができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００３２】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施形態のボール搭載方法について説明するための
図である。図１（ａ）が、本実施形態のボール搭載方法
に用いられる転写基板を示す平面図であり、図１（ｂ）
が、図１（ａ）に示した転写基板を用いて配線基板また
は半導体チップにボールを搭載する方法について説明す
るための図である。
１の実施形態のボール搭載方法について説明するための
図である。図１（ａ）が、本実施形態のボール搭載方法
に用いられる転写基板を示す平面図であり、図１（ｂ）
が、図１（ａ）に示した転写基板を用いて配線基板また
は半導体チップにボールを搭載する方法について説明す
るための図である。
【００３３】本実施形態のボール搭載方法では、図１
（ａ）に示す転写基板１が用いられる。転写基板１は、
後述するようにボールを吸着し、吸着したボールを、不
図示の配線基板または半導体チップの、バンプ電極を形
成する部分に搭載させるためのものである。その配線基
板または半導体チップの、バンプ電極を形成する部分に
は、あらかじめ電極パッドが形成されており、その電極
パッドは配線基板または半導体チップに複数形成されて
いる。複数の電極パッドのそれぞれにボールが搭載され
る。
（ａ）に示す転写基板１が用いられる。転写基板１は、
後述するようにボールを吸着し、吸着したボールを、不
図示の配線基板または半導体チップの、バンプ電極を形
成する部分に搭載させるためのものである。その配線基
板または半導体チップの、バンプ電極を形成する部分に
は、あらかじめ電極パッドが形成されており、その電極
パッドは配線基板または半導体チップに複数形成されて
いる。複数の電極パッドのそれぞれにボールが搭載され
る。
【００３４】図１（ａ）に示すように、転写基板１の表
面の、配線基板または半導体チップの複数の電極パッド
に対応する部分にはそれぞれ、環状配線２が形成されて
いる。それらの複数の環状配線２は配線２ａにより直列
に電気的に接続されている。配線２ａの一端が配線端３
であり、配線２ａの他端が配線端４である。
面の、配線基板または半導体チップの複数の電極パッド
に対応する部分にはそれぞれ、環状配線２が形成されて
いる。それらの複数の環状配線２は配線２ａにより直列
に電気的に接続されている。配線２ａの一端が配線端３
であり、配線２ａの他端が配線端４である。
【００３５】環状配線２および配線２ａを含む配線パタ
ーンは、フォトリソグラフィ法などを用いて転写基板１
の表面に形成される。その配線パターンの材質として
は、低抵抗率の導体、例えばＣｕ、ＡｕまたはＡｌなど
を用いる。なお、転写基板１の材質としては、シリコ
ン、セラミックまたはガラスエポキシなど、導体配線を
形成可能なものを用いる。
ーンは、フォトリソグラフィ法などを用いて転写基板１
の表面に形成される。その配線パターンの材質として
は、低抵抗率の導体、例えばＣｕ、ＡｕまたはＡｌなど
を用いる。なお、転写基板１の材質としては、シリコ
ン、セラミックまたはガラスエポキシなど、導体配線を
形成可能なものを用いる。
【００３６】図１（ｂ）に示すように、ボールストッカ
ー７には、例えばＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、またはそれらの合
金、フェライトなどの強磁性材料を含有して強磁性を有
するボール６が収容されている。このボールストッカー
７の上方に転写基板１が配置され、転写基板１の環状配
線２側の面がボールストッカー７内のボール６に向けら
れている。
ー７には、例えばＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、またはそれらの合
金、フェライトなどの強磁性材料を含有して強磁性を有
するボール６が収容されている。このボールストッカー
７の上方に転写基板１が配置され、転写基板１の環状配
線２側の面がボールストッカー７内のボール６に向けら
れている。
【００３７】そして、転写基板１の配線端３および４を
それぞれ、直流電源５と電気的に接続し、それぞれの環
状配線２に直流電流を流す。それぞれの環状配線２に電
流が流れることで、それぞれの環状配線２の中央部や周
囲に電磁界が発生する。この状態で、転写基板１の環状
配線２側の面をボールストッカー７内のボール６に近づ
けると、転写基板１の、環状配線２が形成された部分の
みに電磁気力によりボール６が吸着される。この環状配
線２による電磁気力の強さは、直流電源５で電流値を調
整することにより制御可能なので、１つの環状配線２に
１つのボール６が吸着されるように、転写基板１の吸着
力を調整することができる。
それぞれ、直流電源５と電気的に接続し、それぞれの環
状配線２に直流電流を流す。それぞれの環状配線２に電
流が流れることで、それぞれの環状配線２の中央部や周
囲に電磁界が発生する。この状態で、転写基板１の環状
配線２側の面をボールストッカー７内のボール６に近づ
けると、転写基板１の、環状配線２が形成された部分の
みに電磁気力によりボール６が吸着される。この環状配
線２による電磁気力の強さは、直流電源５で電流値を調
整することにより制御可能なので、１つの環状配線２に
１つのボール６が吸着されるように、転写基板１の吸着
力を調整することができる。
【００３８】次に、ボール６が吸着した転写基板１を配
線基板または半導体チップの上方に配置させて、配線基
板または半導体チップと、転写基板１との位置合わせを
行った後、直流電源５のスイッチを切る。これにより、
それぞれの環状配線２による電磁気力は消失し、ボール
６の、転写基板１への吸着は解除されるので、ボール６
は転写基板１から離脱して配線基板または半導体チップ
の電極パッド上に搭載されて転写される。ここで、直流
電源５のスイッチを切らずに、直流電源５で環状配線２
の電流値を調整して、転写基板１からボール６が離脱す
るように電磁気力を減少させても良い。
線基板または半導体チップの上方に配置させて、配線基
板または半導体チップと、転写基板１との位置合わせを
行った後、直流電源５のスイッチを切る。これにより、
それぞれの環状配線２による電磁気力は消失し、ボール
６の、転写基板１への吸着は解除されるので、ボール６
は転写基板１から離脱して配線基板または半導体チップ
の電極パッド上に搭載されて転写される。ここで、直流
電源５のスイッチを切らずに、直流電源５で環状配線２
の電流値を調整して、転写基板１からボール６が離脱す
るように電磁気力を減少させても良い。
【００３９】その後、配線基板または半導体チップの電
極パッド上に搭載されたボール６を溶融または熱圧着な
どすることにより、半導体チップ上または配線基板上に
バンプ電極が形成される。なお、本実施形態では、環状
配線２は１つの環から成るものであるが、環状配線２が
二重またはそれ以上の環から成っていても良い。また、
全ての環状配線２が１本の配線でつながってなくとも良
い。
極パッド上に搭載されたボール６を溶融または熱圧着な
どすることにより、半導体チップ上または配線基板上に
バンプ電極が形成される。なお、本実施形態では、環状
配線２は１つの環から成るものであるが、環状配線２が
二重またはそれ以上の環から成っていても良い。また、
全ての環状配線２が１本の配線でつながってなくとも良
い。
【００４０】以上で説明したように、本実施形態のバン
プ電極の形成方法では、転写基板１の、配線基板または
半導体チップの電極パッドに対応する部分に環状配線２
を形成し、この環状配線２に電流を流して電磁気力を発
生させることで、強磁性を有するボール６を、発生させ
た電磁気力により転写基板１に吸着させる。そして、ボ
ール６を吸着させた転写基板１を配線基板または半導体
チップに上方に配置させた後に、環状配線２による電磁
気力を消失または減少させてボール６を転写基板１から
離脱し、ボール６を配線基板または半導体チップの電極
パッドに搭載して転写する。このようにして、ボール６
を配線基板または半導体チップに搭載する方法では、特
に１００μｍ以下の微細なピッチ、不規則なパターンあ
るいは不規則な配置でも、フォトリソグラフィ法を用い
て転写基板１に環状配線２を複数形成することができ
る。従って、微細ピッチ、不規則なパターンの配線基板
または半導体チップにボール６を転写して配線基板また
は半導体チップにバンプ電極を形成することができる。
また、配線基板または半導体チップにバンプ電極を形成
した後に、そのバンプ電極には磁力が残留しないので、
磁界によるバンプ電極の周囲への悪影響がない。
プ電極の形成方法では、転写基板１の、配線基板または
半導体チップの電極パッドに対応する部分に環状配線２
を形成し、この環状配線２に電流を流して電磁気力を発
生させることで、強磁性を有するボール６を、発生させ
た電磁気力により転写基板１に吸着させる。そして、ボ
ール６を吸着させた転写基板１を配線基板または半導体
チップに上方に配置させた後に、環状配線２による電磁
気力を消失または減少させてボール６を転写基板１から
離脱し、ボール６を配線基板または半導体チップの電極
パッドに搭載して転写する。このようにして、ボール６
を配線基板または半導体チップに搭載する方法では、特
に１００μｍ以下の微細なピッチ、不規則なパターンあ
るいは不規則な配置でも、フォトリソグラフィ法を用い
て転写基板１に環状配線２を複数形成することができ
る。従って、微細ピッチ、不規則なパターンの配線基板
または半導体チップにボール６を転写して配線基板また
は半導体チップにバンプ電極を形成することができる。
また、配線基板または半導体チップにバンプ電極を形成
した後に、そのバンプ電極には磁力が残留しないので、
磁界によるバンプ電極の周囲への悪影響がない。
【００４１】（第２の実施の形態）図２は、本発明の第
２の実施形態の転写基板を示す平面図である。本実施形
態の転写基板では、第１の実施形態で用いたものと比較
して、転写基板の環状配線側の面における環状配線の内
側の部分に、高透磁率の材料から成るパッドが形成され
ている点が異なっている。図２では、第１の実施形態と
同一の構成部品に同一の符号を付してある。以下では、
第１の実施形態と異なる点を中心に説明する。
２の実施形態の転写基板を示す平面図である。本実施形
態の転写基板では、第１の実施形態で用いたものと比較
して、転写基板の環状配線側の面における環状配線の内
側の部分に、高透磁率の材料から成るパッドが形成され
ている点が異なっている。図２では、第１の実施形態と
同一の構成部品に同一の符号を付してある。以下では、
第１の実施形態と異なる点を中心に説明する。
【００４２】配線基板または半導体チップにボールを搭
載する際に用いられる本実施形態の転写基板では、図２
に示すように、転写基板１の環状配線２側の面における
それぞれの環状配線２の内側の部分に、高透磁率の材料
から成るパッドであるコア層８が形成されている。コア
層８の材質としては、Ｆｅまたはフェライトなど、高透
磁率を有するものを用いる。これにより、それぞれの環
状配線２に電流を流した時に、コア層８が電磁石のコア
材（磁心）の役割を果たし、それぞれの環状配線２によ
り発生する電磁気力が増大する。従って、転写基板１
に、より強い吸着力が必要とされる場合には、コア層８
を形成することが非常に効果的である。このような転写
基板１を用いて配線基板または半導体チップにバンプを
形成する方法としては、第１の実施形態と同様であるの
で、その説明を省略する。
載する際に用いられる本実施形態の転写基板では、図２
に示すように、転写基板１の環状配線２側の面における
それぞれの環状配線２の内側の部分に、高透磁率の材料
から成るパッドであるコア層８が形成されている。コア
層８の材質としては、Ｆｅまたはフェライトなど、高透
磁率を有するものを用いる。これにより、それぞれの環
状配線２に電流を流した時に、コア層８が電磁石のコア
材（磁心）の役割を果たし、それぞれの環状配線２によ
り発生する電磁気力が増大する。従って、転写基板１
に、より強い吸着力が必要とされる場合には、コア層８
を形成することが非常に効果的である。このような転写
基板１を用いて配線基板または半導体チップにバンプを
形成する方法としては、第１の実施形態と同様であるの
で、その説明を省略する。
【００４３】（第３の実施の形態）図３は、本発明の第
３の実施形態の転写基板を示す平面図である。本実施形
態の転写基板では、第１の実施形態で用いたものと比較
して、転写基板の環状配線側の面における環状配線の内
側の部分に、エッチングにより穴が形成されている点が
異なっている。図３では、第１の実施形態と同一の構成
部品に同一の符号を付してある。以下では、第１の実施
形態と異なる点を中心に説明する。
３の実施形態の転写基板を示す平面図である。本実施形
態の転写基板では、第１の実施形態で用いたものと比較
して、転写基板の環状配線側の面における環状配線の内
側の部分に、エッチングにより穴が形成されている点が
異なっている。図３では、第１の実施形態と同一の構成
部品に同一の符号を付してある。以下では、第１の実施
形態と異なる点を中心に説明する。
【００４４】配線基板または半導体チップにボールを搭
載する際に用いられる本実施形態の転写基板では、図３
に示すように、転写基板１の環状配線２側の面における
それぞれの環状配線２の内側の部分にエッチング穴１１
が形成されている。転写基板１はシリコン基板から成
り、転写基板１表面の、配線基板または半導体チップの
電極パッドに対応する部分に、予め、異方性エッチング
法を用いてエッチング穴１１を形成しておく。このと
き、転写基板１として、表面が（１００）面のシリコン
基板を用いれば、エッチング穴１１の形状は均一な四角
錐となる。エッチング穴１１の大きさは、エッチング穴
１１にボール６が吸着した時にボール６の一部分がエッ
チング穴１１内に隠れる程度にすれば良い。
載する際に用いられる本実施形態の転写基板では、図３
に示すように、転写基板１の環状配線２側の面における
それぞれの環状配線２の内側の部分にエッチング穴１１
が形成されている。転写基板１はシリコン基板から成
り、転写基板１表面の、配線基板または半導体チップの
電極パッドに対応する部分に、予め、異方性エッチング
法を用いてエッチング穴１１を形成しておく。このと
き、転写基板１として、表面が（１００）面のシリコン
基板を用いれば、エッチング穴１１の形状は均一な四角
錐となる。エッチング穴１１の大きさは、エッチング穴
１１にボール６が吸着した時にボール６の一部分がエッ
チング穴１１内に隠れる程度にすれば良い。
【００４５】このような転写基板１を用いて配線基板ま
たは半導体チップにバンプを形成する方法としては、第
１の実施形態と同様であるので、その説明を省略する。
たは半導体チップにバンプを形成する方法としては、第
１の実施形態と同様であるので、その説明を省略する。
【００４６】このようなエッチング穴１１を転写基板２
１に形成することによって、転写基板１にボール６を吸
着させた際にボール６がエッチング穴１１にはまり込む
ことで、転写基板１の表面でボール６が位置決めされる
と共に、その位置決めされた位置にボール６を固定しや
すくなる。
１に形成することによって、転写基板１にボール６を吸
着させた際にボール６がエッチング穴１１にはまり込む
ことで、転写基板１の表面でボール６が位置決めされる
と共に、その位置決めされた位置にボール６を固定しや
すくなる。
【００４７】なお、エッチング穴１１を形成する方法と
しては、異方性エッチング以外の方法、例えば等方性エ
ッチング法などを用いてもよい。
しては、異方性エッチング以外の方法、例えば等方性エ
ッチング法などを用いてもよい。
【００４８】（第４の実施の形態）図４は、本発明の第
４の実施形態のボール搭載方法について説明するための
図である。図４（ａ）が、転写基板を用いて配線基板ま
たは半導体チップにボールを搭載する方法について説明
するための図であり、図４（ｂ）が、図４（ａ）に示さ
れる転写基板に形成される環状の配線としての螺旋状配
線を示す平面図である。本実施形態のバンプ電極の形成
方法では、第１の実施形態と比較して転写基板が異なっ
ている。図４では、第１の実施形態と同一の構成部品に
同一の符号を付してある。以下では、第１の実施形態と
異なる点を中心に説明する。
４の実施形態のボール搭載方法について説明するための
図である。図４（ａ）が、転写基板を用いて配線基板ま
たは半導体チップにボールを搭載する方法について説明
するための図であり、図４（ｂ）が、図４（ａ）に示さ
れる転写基板に形成される環状の配線としての螺旋状配
線を示す平面図である。本実施形態のバンプ電極の形成
方法では、第１の実施形態と比較して転写基板が異なっ
ている。図４では、第１の実施形態と同一の構成部品に
同一の符号を付してある。以下では、第１の実施形態と
異なる点を中心に説明する。
【００４９】本実施形態のボール搭載方法では、図４
（ａ）に示すように、転写基板２１が用いられる。転写
基板２１としては、低抵抗率の導体基板であるシリコン
基板が用いられている。このシリコン基板から成る転写
基板２１の表面全体には絶縁層９が形成されている。絶
縁層９の表面には、図４（ａ）および図４（ｂ）に示
す、環状の配線としての螺旋状配線２２が複数形成され
ている。複数の螺旋状配線２２はそれぞれ、転写基板２
１の、配線基板および半導体チップの複数の電極パッド
のそれぞれに対応する部分に形成されている。それらの
螺旋状配線２２は、配線２２ａを介して直列に電気的に
接続されている。
（ａ）に示すように、転写基板２１が用いられる。転写
基板２１としては、低抵抗率の導体基板であるシリコン
基板が用いられている。このシリコン基板から成る転写
基板２１の表面全体には絶縁層９が形成されている。絶
縁層９の表面には、図４（ａ）および図４（ｂ）に示
す、環状の配線としての螺旋状配線２２が複数形成され
ている。複数の螺旋状配線２２はそれぞれ、転写基板２
１の、配線基板および半導体チップの複数の電極パッド
のそれぞれに対応する部分に形成されている。それらの
螺旋状配線２２は、配線２２ａを介して直列に電気的に
接続されている。
【００５０】螺旋状配線２２および配線２２ａを含む配
線パターンは、フォトリソグラフィ法などを用いて転写
基板２１の表面に形成される。その配線パターンの材質
としては、低抵抗率の導体、例えばＣｕ、ＡｕまたはＡ
ｌなどを用いる。絶縁層９の、螺旋状配線２２の中心に
対応する部分には、スルーホール１０が形成されてい
る。このスルーホール１０には、螺旋状配線２２の中心
部の終端が接続されている。これにより、スルーホール
１０を介して螺旋状配線２２が転写基板２１と電気的に
接続されている。それぞれの螺旋状配線２２の中心は、
スルーホール１０が形成されたことで開口している。
線パターンは、フォトリソグラフィ法などを用いて転写
基板２１の表面に形成される。その配線パターンの材質
としては、低抵抗率の導体、例えばＣｕ、ＡｕまたはＡ
ｌなどを用いる。絶縁層９の、螺旋状配線２２の中心に
対応する部分には、スルーホール１０が形成されてい
る。このスルーホール１０には、螺旋状配線２２の中心
部の終端が接続されている。これにより、スルーホール
１０を介して螺旋状配線２２が転写基板２１と電気的に
接続されている。それぞれの螺旋状配線２２の中心は、
スルーホール１０が形成されたことで開口している。
【００５１】配線２２ａの一方の端部である配線端２３
および、転写基板２１の裏面に直流電源５を接続し、そ
れぞれの螺旋状配線２２に直流電流を流す。これによ
り、螺旋状配線２２の中央部および周囲に磁界が発生し
て、転写基板２１にボール６を吸着させるための電磁気
力が生じる。また、より強い電磁気力を発生させるため
には、螺旋状配線２２の中心部分に、第２の実施形態と
同様に、Ｆｅ、フェライト等の高透磁率の材料によりコ
ア層を形成すれば良い。
および、転写基板２１の裏面に直流電源５を接続し、そ
れぞれの螺旋状配線２２に直流電流を流す。これによ
り、螺旋状配線２２の中央部および周囲に磁界が発生し
て、転写基板２１にボール６を吸着させるための電磁気
力が生じる。また、より強い電磁気力を発生させるため
には、螺旋状配線２２の中心部分に、第２の実施形態と
同様に、Ｆｅ、フェライト等の高透磁率の材料によりコ
ア層を形成すれば良い。
【００５２】このような転写基板２１を用いて配線基板
または半導体チップにバンプを形成する方法は、第１の
実施形態と同様であるので、その説明を省略する。
または半導体チップにバンプを形成する方法は、第１の
実施形態と同様であるので、その説明を省略する。
【００５３】本実施形態で用いた転写基板２１におい
て、転写基板２１の螺旋状配線２２側の面における螺旋
状配線２２の中央部に、第３の実施形態と同様に、エッ
チングにより穴を形成しても良い。
て、転写基板２１の螺旋状配線２２側の面における螺旋
状配線２２の中央部に、第３の実施形態と同様に、エッ
チングにより穴を形成しても良い。
【００５４】以上で説明した第１〜第４の実施形態にお
いて、転写基板の表面に形成される環状の配線の形状と
しては、図に示した環状配線２および螺旋状配線２２の
形状に制限されない。配線基板または半導体チップの複
数の電極パッドの微細なピッチまたは不規則なパターン
に対応して、微細なピッチまたは不規則な配置で転写基
板に複数の環状の配線を形成でき、かつ、転写基板にボ
ールを吸着させることができる電磁気力を発生すること
ができれば、環状の配線の形状はどのようなものであっ
ても良い。
いて、転写基板の表面に形成される環状の配線の形状と
しては、図に示した環状配線２および螺旋状配線２２の
形状に制限されない。配線基板または半導体チップの複
数の電極パッドの微細なピッチまたは不規則なパターン
に対応して、微細なピッチまたは不規則な配置で転写基
板に複数の環状の配線を形成でき、かつ、転写基板にボ
ールを吸着させることができる電磁気力を発生すること
ができれば、環状の配線の形状はどのようなものであっ
ても良い。
【００５５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、転写基板
にボールを吸着させるために、転写基板の、配線基板ま
たは半導体チップの電極パッドに対応する部分に環状の
配線を形成することにより、微細なピッチまたは不規則
な配置で転写基板に複数の環状の配線を形成できるの
で、微細なピッチまたは不規則なパターンの電極パッド
を複数有する配線基板または半導体チップにも、容易
に、かつ、歩留まり良くボールを搭載することができる
という効果がある。また、配線基板または半導体チップ
にボールを搭載した後にボールに磁気が残留しないの
で、ボールを溶融して形成されたバンプにも磁気が残留
せず、配線基板または半導体チップ上のバンプ電極の周
囲の機器などに磁界によって悪影響が及ぼされることが
ないという効果がある。。
にボールを吸着させるために、転写基板の、配線基板ま
たは半導体チップの電極パッドに対応する部分に環状の
配線を形成することにより、微細なピッチまたは不規則
な配置で転写基板に複数の環状の配線を形成できるの
で、微細なピッチまたは不規則なパターンの電極パッド
を複数有する配線基板または半導体チップにも、容易
に、かつ、歩留まり良くボールを搭載することができる
という効果がある。また、配線基板または半導体チップ
にボールを搭載した後にボールに磁気が残留しないの
で、ボールを溶融して形成されたバンプにも磁気が残留
せず、配線基板または半導体チップ上のバンプ電極の周
囲の機器などに磁界によって悪影響が及ぼされることが
ないという効果がある。。
【００５６】特に、環状の配線をフォトリソグラフィ法
によって転写基板に形成することにより、１００μｍ以
下の微細ピッチまたは不規則な配置で複数の環状の配線
を転写基板に形成することができ、その転写基板を用い
ることで、微細なピッチまたは不規則なパターンの複数
の電極パッドを有する配線基板または半導体チップにで
も容易にボールを搭載することができる。
によって転写基板に形成することにより、１００μｍ以
下の微細ピッチまたは不規則な配置で複数の環状の配線
を転写基板に形成することができ、その転写基板を用い
ることで、微細なピッチまたは不規則なパターンの複数
の電極パッドを有する配線基板または半導体チップにで
も容易にボールを搭載することができる。
【図１】本発明の第１の実施形態のボール搭載方法につ
いて説明するための図である。
いて説明するための図である。
【図２】本発明の第２の実施形態の転写基板を示す平面
図である。
図である。
【図３】本発明の第３の実施形態の転写基板を示す平面
図である。
図である。
【図４】本発明の第４の実施形態のボール搭載方法につ
いて説明するための図である。
いて説明するための図である。
【図５】従来の技術によるボール搭載方法について説明
するための図である。
するための図である。
【図６】従来の技術によるボール搭載方法について説明
するための図である。
するための図である。
１、２１ 転写基板 ２ 環状配線 ２ａ、２２ａ 配線 ３、４、２３ 配線端 ５ 直流電源 ６ ボール ７ ボールストッカー ８ コア層 ９ 絶縁層 １０ スルーホール １１ エッチング穴 １２ シリコン基板 ２２ 螺旋状配線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 3/32 - 3/34 B23K 3/06 H01L 23/12
Claims (7)
- 【請求項１】 強磁性を有するボールを電磁気力により
転写基板に吸着させ、前記転写基板に吸着した前記ボー
ルを、配線基板または半導体チップに設けられた電極パ
ッド上に搭載するボール搭載方法において、 前記転写基板の、前記配線基板または前記半導体チップ
の電極パッドに対応する部分に環状の配線を形成する段
階と、 前記環状の配線に電流を流すことにより電磁気力を発生
させ、前記電磁気力により前記転写基板に前記ボールを
吸着させる段階と、 前記配線基板または前記半導体チップの上方で前記環状
の配線による電磁気力を減少または消失させることによ
り前記ボールを前記転写基板から離脱し、前記配線基板
または前記半導体チップの電極パッド上に前記ボールを
搭載する段階とを有することを特徴とするボール搭載方
法。 - 【請求項２】 強磁性を有するボールを電磁気力により
吸着し、吸着した前記ボールを、配線基板または半導体
チップに設けられた電極パッド上に搭載するために用い
られる転写基板において、 前記転写基板の、前記配線基板または前記半導体チップ
の電極パッドに対応する部分の表面に、環状の配線が形
成されていることを特徴とする転写基板。 - 【請求項３】 前記転写基板の、前記配線基板または前
記半導体チップの電極パッドに対応する部分の表面に、
前記環状の配線として螺旋状の配線が形成されている請
求項２に記載の転写基板。 - 【請求項４】 前記転写基板の前記環状の配線側の面に
おける前記環状の配線の内側の部分に、穴が形成されて
いる請求項２または３に記載の転写基板。 - 【請求項５】 前記転写基板の前記環状の配線側の面に
おける前記環状の配線の内側の部分に、高透磁率の材料
から成るパッドが形成されている請求項２または３に記
載の転写基板。 - 【請求項６】 前記転写基板としてシリコン基板が用い
られると共に、前記転写基板の表面に絶縁層を介して前
記環状の配線が形成されており、前記転写基板と前記環
状の配線とが、前記絶縁層に形成されたスルーホールを
介して電気的に接続されている請求項２〜５のいずれか
１項に記載の転写基板。 - 【請求項７】 前記環状の配線が、フォトリソグラフィ
法を用いて形成されたものである請求項２〜６のいずれ
か１項に記載の転写基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8411198A JP3045133B2 (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | ボール搭載方法および転写基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8411198A JP3045133B2 (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | ボール搭載方法および転写基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11284323A JPH11284323A (ja) | 1999-10-15 |
| JP3045133B2 true JP3045133B2 (ja) | 2000-05-29 |
Family
ID=13821424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8411198A Expired - Fee Related JP3045133B2 (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | ボール搭載方法および転写基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3045133B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105522248B (zh) * | 2014-09-30 | 2018-04-27 | 苏州沃特维自动化系统有限公司 | 一种搬丝装置 |
-
1998
- 1998-03-30 JP JP8411198A patent/JP3045133B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11284323A (ja) | 1999-10-15 |
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