DE19859172A1 - Selektive Oberflächenbehandlung durch magnetische Maskenhalterung - Google Patents
Selektive Oberflächenbehandlung durch magnetische MaskenhalterungInfo
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Abstract
Die Oberfläche eines Substrats wird einer ortsselektiven Behandlung (z. B. Beschichtung) unter Verwendung von Maskierungsmitteln ausgesetzt, die ein weich- oder permanentmagnetisches Material enthalten und durch ein Magnetfeld in Position gehalten werden. Die ortsselektive Oberflächenbehandlung ist zur Bedampfung von piezoelektrischen Substraten zur Bildung von Ultraschallwandlern verwendbar.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Behandlung von Ober
flächen unter Verwendung von ortsselektiven Maskierungs
mitteln, insbesondere ein Beschichtungsverfahren mit Substrat
maskierung, und eine Vorrichtung zur Durchführung des Ver
fahrens.
Bei Verfahren zur Behandlung (Bearbeitung, Beschichtung,
Bestrahlung oder dgl.) von festen Substratoberflächen besteht
häufig ein Interesse daran, nur bestimmte Oberflächenbereiche
zu behandeln und die übrige Substratoberfläche unbehandelt zu
lassen (ortsselektive Behandlung). Ortsselektive Oberflächen
behandlungen werden bei so unterschiedlichen Techniken wie
beispielsweise der Prozessierung von Halbleitermaterialien
(Bedampfen, Belichten, Ätzen, Dotieren oder dgl.) oder der
Beschichtung von Festkörpern (Auftragen von Farb- oder Schutz
schichten) realisiert. Eine spezielle Anwendung ist die Her
stellung piezoelektrischer Ultraschallwandler, deren Ober
flächen an bestimmten Stellen mit einem Metall beschichtet
sind.
Die ortsselektive Oberflächenbehandlung erfordert einen
Schutz derjenigen Oberflächenbereiche, die nicht behandelt
werden sollen, mit abdeckenden Maskierungsmitteln. Aus dem
Stand der Technik sind allgemein verschiedene Maskierungsmit
tel bekannt, die jeweils an die Anforderungen des jeweiligen
Behandlungsverfahrens angepaßt sind. So ist es beispielsweise
möglich, auf die nicht zu behandelnden Oberflächenbereiche
eine abdeckende Schicht (Lack) aufzubringen. Diese Schicht
besteht aus einem geeignet gewählten, für das jeweilige Behand
lungsmittel nicht durchlässigen Material. In der Halbleiter
prozeßtechnik erfolgt eine Maskierung beispielsweise durch
photolitographische Techniken.
Die Verwendung von Abdeckschichten ist nachteilig, da ihre
Aufbringung aufwendig ist und den Ablauf komplexer Behand
lungsvorgänge erschwert und da bei Entfernung einer Abdeck
schicht eine Beschädigung der Substratoberfläche möglich ist.
Weitere Nachteile bestehen darin, daß beispielsweise Lack
schichten die Qualität eines Hochvakuums verschlechtern, daß
die Abdeckschichten bei Substraterwärmungen gegebenenfalls
Verformungen zeigen und daß mit ihrer Entfernung mindestens
ein zusätzlicher Arbeitsgang verbunden ist.
Diese Nachteile sind nicht bei Maskierungsmitteln gegeben, die
von der zu behandelnden Oberfläche beabstandet oder lösbar auf
der Oberfläche angeordnet werden (z. B. Lochmasken oder
Schablonen). Derartige Masken sind jedoch hinsichtlich der
Halterung und Justierung nachteilig. In der Regel sind
lediglich Grobjustierungen möglich. Präzisionsjustierungen
(insbesondere bei Anwendungen der Feinmechanik oder Mikro
systemtechnik) erfordern hingegen aufwendige mechanische
Halterungen. Ein weiteres Problem separater Masken ergibt sich
aus deren Dicke. Im Unterschied zu den obengenannten Abdeck
schichten müssen mechanisch gehalterte Masken eine genügende
Stabilität und somit eine genügend Materialdicke aufweisen.
Dies führt zu unerwünschten Randeffekten (Schattierung,
Gräbenbildung bei Ätzung). Bei minimalen Maskendicken ver
größern sich noch die genannten Halterungs- und Justierungs
probleme.
Ein weiteres, allgemein bekanntes Verfahren zur ortsselektiven
Behandlung beschichteter Oberflächen besteht darin, zunächst
eine Beschichtung auf die gesamte, zu bearbeitende Oberfläche
aufzutragen und anschließend diese Beschichtung ortsselektiv
zu strukturieren. Diese Technik ist nachteilig, da die Orts
selektivität der nachträglichen Strukturierung ungenügend
reproduzierbar ist. Ferner kann sich das jeweilige Strukturie
rungsverfahren (mechanisch, chemisch oder dgl.) nachteilig auf
die zu behandelnde Oberfläche auswirken.
Die Aufgabe der Erfindung ist es, ein verbessertes Verfahren
zur ortsselektiven Oberflächenbehandlung anzugeben, bei dem
Maskierungsmittel einfach und mit hoher Genauigkeit posi
tionierbar sind. Die Aufgabe der Erfindung besteht ferner
darin, eine Vorrichtung zur Durchführung eines derartigen
verbesserten Behandlungsverfahrens anzugeben.
Diese Aufgaben werden mit dem Verfahren zusätzlich der Vor
richtung gelöst, die die Merkmale der Ansprüche 1 bzw. 8
aufweisen. Vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung
ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
Die Erfindung basiert auf der Idee, bei einem ortsselektiven
Oberflächenbehandlungsverfahren Maskierungsmittel durch ein
Magnetfeld in Position zu halten. Es wurde erstmalig festge
stellt, daß ein Magnetfeld genügend hoher Feldstärke und
genügend genau abgegrenzter Feldmaxima generierbar ist, mit
dem die mechanischen und geometrischen Anforderungen an eine
Maskierungshalterung in wesentlich verbesserter Weise erfüll
bar sind. Dementsprechend umfaßt eine erfindungsgemäße Vor
richtung insbesondere Maskierungsmittel zum selektiven
Bedecken der Substratoberfläche, die ein permanent- oder
weichmagnetisches Material enthalten, und Halterungsmittel in
Form mindestens einer Magneteinrichtung.
Die Erfindung ist generell bei sämtlichen Behandlungsverfahren
sowohl unter Vakuum als auch unter atmosphärischem Druck und
bei beliebigen Behandlungen, bei denen die Substratoberfläche
einem Teilchenstrahl oder einer elektromagnetischen Bestrah
lung ausgesetzt ist, anwendbar.
Die erfindungsgemäße magnetische Maskenhalterung besitzt die
folgenden Vorteile. Die Verwendung eines Magnetfelds zur
Halterung der Maskierungsmittel erfüllt bei geeignet gewählter
Magnetfeldform eine Doppelfunktion. Einerseits werden die
Maskierungsmittel mechanisch gehaltert. Andererseits werden
die Maskierungsmittel simultan in ihrer Position mit hoher
Genauigkeit justiert.
Die magnetische Maskenhalterung ist ein- bzw. ausschaltbar.
Damit lassen sich die Maskierungsmittel ohne zusätzliche
mechanische Betätigungsmittel einfach von der Substratober
fläche entfernen, so daß sich das erfindungsgemäße Behand
lungsverfahren einfach in einen komplizierteren technolo
gischen Prozeß integrieren läßt.
Schließlich kann das Substrat, dessen Oberfläche ortsselektiv
behandelt wird, mit den Maskierungsmitteln selbst gehalten
werden. Damit werden jegliche Beschränkungen hinsichtlich der
Form der zu behandelnden Bereiche aufgehoben. Bei geeignet
gewählter Form der Maskierungsmittel und des Magnetfeldes
können die Maskierungsmittel ein Muster bilden, in denen die
zu behandelnden Bereiche eine geschlossene Umgrenzung der
nicht zu behandelnden Bereiche bilden (sogenannte "Rundum
bedampfung"). So ist es beispielsweise mit geringstem Aufwand
möglich, einen Streifenbereich in Form einer geschlossenen
Kurve (z. B. Kreis oder eine achterförmige Kurve) der Behand
lung zu unterziehen.
Ausführungsformen der Erfindung werden im folgenden unter
Bezug auf die Zeichnungen beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Seitenansicht einer Vakuum-Beschich
tungseinrichtung zur Illustration der Handhabung erfin
dungsgemäßer Vorrichtungen;
Fig. 2 ein erstes Beispiel eines nach dem erfindungsgemäßen
Verfahren ortsselektiv bedampften Substrats;
Fig. 3 eine schematische Seitenansicht einer ersten Ausfüh
rungsform einer erfindungsgemäßen Magneteinrichtung;
Fig. 4 eine weitere Seitenansicht der in Fig. 3 gezeigten
Magneteinrichtung;
Fig. 5 eine schematische Draufsicht auf die zum Substrat
weisenden Seite einer Magneteinrichtung gemäß den
Fig. 3 und 4; und
Fig. 6 ein zweites Beispiel eines nach dem erfindungsgemäßen
Verfahren ortsselektiv behandelten Substrats und
schematische Darstellungen zur Illustration zugehöriger
Maskierungsmittel und Polschuhformen.
Im folgenden wird die Erfindung beispielhaft unter Bezug auf
die Herstellung von Ultraschallwandlern bzw. unter Bezug auf
die Beschriftung von Anzeigemitteln beschrieben. Die Erfindung
ist jedoch nicht auf diese Anwendungen beschränkt, sondern
kann vielmehr bei beliebigen ortsselektiven Substratbehand
lungen angewendet werden.
Unter Bezug auf die Fig. 1 bis 5 wird die Anwendung der
Erfindung bei der Herstellung von Ultraschallwandlern
erläutert.
Fig. 1 zeigt schematisch eine Vakuum-Bedampfungsanlage 10, die
zur ortsselektiven Metallbeschichtung von piezoelektrischen
Substraten eingerichtet ist. Die Aufdampfanlage 10 umfaßt
einen an sich herkömmlichen Aufbau mit einem Rezipienten 11,
einem Pumpanschluß 12, einer Verdampferquelle 13 und einer
Substrathalterung 14. Die Substrathalterung 14 umfaßt ein
Halterungsgestell 15, mit dem eine Halterungsplatte 16 über
der Verdampferquelle 13 gehaltert wird. Auf der der Ver
dampferquelle 13 zugewandten Seite der Halterungsplatte 16
sind mit geeigneten Befestigungsmitteln erfindungsgemäße
Magneteinrichtungen 17 (s. Fig. 3-5) angebracht. Enthält die
Halterungsplatte 16 ein permanent- oder weichmagnetisches
Material, so werden die Befestigungsmittel durch das Zusammen
wirken des von den Magneteinrichtungen 17 ausgehenden Magnet
feldes mit der Halterungsplatte 16 gebildet. Ersatzweise ist
es aber auch möglich, mechanische Befestigungsmittel in Form
geeigneter Verbindungsmittel einzusetzen. Auf der in Betriebs
position der Verdampferquelle 13 zugewandten Seite der Magnet
einrichtungen 17 sind jeweils Substrate 18 mit Maskierungs
mitteln (nicht dargestellt) angebracht. Die Halterung der
Substrate 18 an den Magneteinrichtungen 17 kann durch
mechanische Befestigungsmittel oder vorzugsweise durch das
Zusammenwirken der Maskierungsmittel mit dem Magnetfeld der
Magneteinrichtungen 17 erzielt werden. Die Substrathalterung
14 kann im Rezipienten 11 in Bezug auf die Verdampferquelle 13
drehbar angeordnet sein.
Fig. 2 zeigt als Beispiel für ein in einer Vakuumanlage gemäß
Fig. 1 bedampftes Substrat einen Ultraschall-Wandler 20. Der
Wandler 20 besteht aus einem Lithiumniobat-Plättchen (Durch
messer: rund 26 mm, Dicke: rund 0,3 mm, Resonanzfrequenz: rund
10 MHz) oder aus einem Quarz-Plättchen, das ortsselektiv mit
einem Metall, vorzugsweise Gold, bedampft ist. Die Plättchen
oberfläche ist im grob schraffierten Bereich 21, 22 bedampft
und in den ringförmigen, eng schraffierten Bereichen 23 unbe
dampft. Dadurch werden kreisrunde Wandlerbereiche 22 (Durch
messer rund 3,1 mm) gebildet, die jeweils von der übrigen
Substratbeschichtung durch die isolierenden Ringbereiche 23
getrennt sind. Im dargestellten Beispiel wird somit eine 4-
Kanal-Zelle zur Ultraschallgeneration gebildet. Der Wandler 20
enthält ferner Ausnehmungen zur Bildung von Anschlägen, die
mit Teilen der Magneteinrichtung zusammenwirken (s. unten).
Die Ausnehmungen werden durch die Durchgangsöffnungen 24
gebildet.
Um einen Wandler 20 gemäß Fig. 2 entsprechend dem dargestellten
Muster (freibleibende Ringbereiche 23) zu bedampfen, sind
Maskierungsmittel zur Substratabdeckung während der Bedampfung
erforderlich, die der Gestalt der abzudeckenden Bereiche
entsprechen. Im vorliegenden Fall werden also die Maskierungs
mittel durch vier getrennte Teile gebildet. Jedes Teil der
Maskierungsmittel enthält ein weich- oder permanentmagne
tisches Material. Im vorliegenden Fall werden die einzelnen
Maskierungsteile jeweils durch einen Eisenring der gewünschten
Gestalt gebildet. Ein derartiger Eisenring besitzt einen
Innendurchmesser von rund 3,1 mm (s. oben), einen Außendurch
messer von rund 3,6 mm (Ringbreite rund 0,5 mm) und eine Dicke
von rund 0,3 mm. Derartige Maskierungsringe lassen sich bei
spielsweise herstellen, indem mittels einer Drehbank von einem
Eisenrohr geeigneter Maße Metallringe einer Dicke von rund
0,5 mm abgestochen. Diese Metallringe können anschließend auf
die gewünschte Dicke von rund 0,3 mm abgeschliffen werden. Die
Halterung und Justierung der Maskierungsmittel erfolgt mit
einer Magneteinrichtung, die im folgenden unter Bezug auf die
Fig. 3-5 erläutert wird.
Erfindungsgemäß werden die Maskierungsmittel durch ein Magnet
feld sowohl gehaltert als auch justiert. Die Magneteinrichtung
ist daher allgemein dazu eingerichtet, ein Magnetfeld zu
bilden, das in den Bereichen, wo die Maskierungsmittel ange
ordnet sein sollen, zur Halterung der Magnetisierungsmittel
genügend stark ist, und in den übrigen Bereichen möglichst
schwach ist, so daß ein das Maskierungsmittel justierendes
Feldmaximum gebildet wird. Diese Anforderungen werden durch
extrem inhomogene Magnetfelder erfüllt. Die Magneteinrichtung
ist dazu eingerichtet, einen magnetischen Fluß zu erzeugen,
der im wesentlichen in dem Bereich das Substrat durchsetzt, in
dem das Maskierungsmittel angeordnet werden soll. Hierzu
besitzt die Magneteinrichtung, die vorzugsweise auf der Rück
seite des Substrats angeordnet ist, feldformende Polschuhe.
Zur Bildung eines anziehenden Magnetfeldes ist jedem Teil der
Maskierungsmittel, das selbständig gehaltert wird, mindestens
ein Polschuhpaar (Nordpol, Südpol) zugeordnet. Jeder Polschuh
des Polschuhpaares auf der Rückseite des zu behandelnden
Substrats besitzt eine Endfläche, durch die Magnetfeldlinien
maximaler Konzentration hindurchtreten. Dementsprechend ist
die Form der Endflächen der Polschuhe zur Erfüllung der oben
genannten Justierungsfunktion des Magnetfeldes möglichst genau
an die Form des zu halternden Teils des Maskierungsmittels
angepaßt. Bei symmetrischem Aufbau der Polschuhpaare ent
spricht somit jeder Polschuh im wesentlichen einer Hälfte des
abzudeckenden Bereiches.
Fig. 3 zeigt eine Magneteinrichtung in einer Ausrichtung, die
zur Betriebsposition gemäß Fig. 1 umgekehrt ist. Die Magnet
einrichtung 30 umfaßt zylinderförmige Permanentmagneten 31,
feldformende Polschuhe 32 und eine feldformende Trennwand 33,
die durch Befestigungsmittel 34 zusammengehalten werden, und
Justiermittel 35.
Die Permanentmagneten 31 bestehen aus einem permanentmagne
tischen polykristallinen Material (z. B. Aluminium-Nickel-
Kobalt-Legierung). Bei anderen Anwendungen der Erfindung, die
unter atmosphärischem Druck realisiert werden, ist es ersatz
weise möglich, Sintermagneten oder Elektromagneten zu verwen
den. Letztere Magnettypen können aber auch im Falle der Anwen
dungen unter Vakuumbedingungen benutzt werden, falls Vorkeh
rungen zum vakuumdichten Einschluß der Magneten getroffen
werden. Die Permanentmagneten 31 besitzen jeweils die Form
eines Zylinders mit einer inneren Bohrung 41 (Phantomansicht
s. Fig. 3), die zur Durchführung der Befestigungsmittel 34
vorgesehen ist. Die Permanentmagneten 31 sind zueinander
parallel und mit gleichsinniger magnetischer Orientierung
angeordnet.
An die Permanentmagneten 31 angrenzend sind die Polschuhe 32
zur Feldformung (Führung des magnetischen Flusses) angeordnet.
Zur Vermeidung von Verlusten ist es wichtig, daß die Polschuhe
32 formgerecht auf die Stirnseiten der Permanentmagnete 31
unter Vermeidung von Luftspalten oder dgl. passen. Jeder
Polschuh 32 wird durch ein weichmagnetisches Blech (Dicke rund
2-3 mm) gebildet, das in einer Richtung zur Bildung des
Polschuhendbereiches 36, 37 über die Permanentmagnete hinaus
ragt. Die Polschuhe 32 besitzen jeweils eine Bohrung zur
Aufnahme der Befestigungsmittel 34, so daß im zusammen
gesetzten Zustand die Permanentmagnete 31 und die Polschuhe 32
zueinander ausgerichtet sind.
Die Befestigungsmittel 34 werden durch einen verschraubbaren
Bolzen gebildet. Im zusammengesetzten Zustand sind die
Permanentmagneten mit den angrenzenden Polschuhen, die jeweils
eine separate Einheit zur Halterung von Maskierungsmitteln
bilden, durch die Trennwand 33 aus Aluminiumblech getrennt.
Die Polschuhendbereiche umfassen jeweils einen Überleitungs
abschnitt 36 und einen Endabschnitt 37. Der Überleitungs
abschnitt 36 wird durch das überstehende Ende des Polschuhs 32
gebildet, das zur Mittelebene 31A der Permanentmagneten 31 hin
gebogen ist. Jeweils zwei einander gegenüberliegende Über
leitungsabschnitte 36 bilden somit einen Luftspalt mit V-
förmigem Querschnitt (s. Fig. 3), der sich hin zum Polschuh
ende verjüngt. Durch die Form des Überleitungsabschnitts 36
wird der magnetische Fluß an die Dimensionen des zu halternden
Teils der Maskierungsmittel angepaßt. Die Justierung des zu
halternden Teils wird durch die Gestaltung der Endabschnitte
37 erzielt. In den Endabschnitten 37 ist das abgewinkelte
Polschuhblech durch eine innere Bohrung und eine äußere Ab
rundung so geformt, daß sich eine Endfläche 51 (s. Fig. 5)
bildet, die in Zusammenwirkung mit der Endfläche 51 des gegen
überliegenden Polschuhs möglichst genau der Ringform der
Maskierungsmittel enspricht. Die beiden Endabschnitte bilden
also eine Ringfläche mit einem Trennschlitz, so daß der dem
Nordpol zugeordnete Polschuh von dem dem Südpol zugeordneten
Polschuh getrennt ist.
Es ist möglich, daß die Dimension der Endfläche, die durch die
Endabschnitte 37 gebildet wird, geringfügig von der Dimension
des zu halternden Maskierungsteils abweicht. Allerdings muß
dann sichergestellt werden, daß es bei der Auflage des Mas
kierungsteils aufgrund von Reibung gegenüber der Substatober
fläche nicht zu einer ungenauen Plazierung und somit zu einer
Dejustierung kommt.
Die Anordnung der Polschuhe 32 ist spiegelsymmetrisch in Bezug
auf die Mittelebenen 31A der Permanentmagnete 31. Die End
flächen der Endabschnitte 37 liegen in einer Ebene, die im
wesentlichen senkrecht zu den Mittelebenen 31A der Permanent
magnete 31 steht. Die ebene Anordnung ist jedoch nicht
zwingend erforderlich.
Die erfindungsgemäße Magneteinrichtung enthält Justiermittel,
die zur Ausrichtung des Substrates in Bezug auf die Magnet
einrichtung vorgesehen sind. Die Justiermittel bilden im
einfachsten Fall einen mechanischen Anschlag, der eine ein
deutige Relativpositionierung des Substrats in Bezug auf die
Magneteinrichtung erlaubt. Beim dargestellten Beispiel werden
die Justiermittel durch zwei Stifte 35 gebildet, die parallel
zu den Mittelebenen 31A der Permanentmagnete 31 verlaufen und
senkrecht durch die Ebene hindurchtreten, die durch die End
flächen der Endabschnitte 36 der Polschuhe 32 gebildet wird.
Die Stifte 35 sind zur Zusammenwirkung mit den Ausnehmungen 24
des Wandlersubstrats 20 (s. Fig. 2) eingerichtet. Im zusammen
gesetzten Zustand liegt das Substrat 38 (s. Fig. 3) an den
Endflächen der Polschuhe an, wobei durch die Stifte 35 eine
Zentrierung des Substrats 38 erfolgt. Auf der zu behandelnden
Seite des Substrats 38 befinden sich die durch das Magnetfeld
der Magneteinrichtung 30 gehalterten Teile 39 (Eisenringe) der
Maskierungsmittel.
Die Stifte 35 bestehen aus einem nichtmagnetischen Material
(z. B. Messing). Ihre den Substraten zugewandten Enden bilden
eine federnde Hülse und/oder sind geschlitzt (Schlitze 35A),
so daß eine Federwirkung zur Verbesserung der Zentrierung der
Substrate erzielt werden kann. Damit ist eine Substratjustie
rung auf 1/100 mm möglich.
Im folgenden wird ein Bedampfungsverfahren unter Verwendung
der erfindungsgemäßen magnetischen Maskierungshalterung
beschrieben.
Zur Beschickung der Vakuumanlage 10 (s. Fig. 1) wird zunächst
die Halterungsplatte 16 auf ihrer im Betriebszustand unteren
Seite mit Magneteinrichtungen 17 bestückt. Dies kann außerhalb
des Rezipienten 11 erfolgen. Bei geeigneter Materialauswahl
der Platte 16 können die Magneteinrichtungen 17 allein auf
grund der Feldkräfte an die Platte 16 geheftet werden. Hierzu
sind die von den Polschuhenden abgewandten Seiten der Pol
schuhe 32 und der Stifte 35 (s. Fig. 3) zur Bildung einer im
wesentlichen ebenen Auflage eingerichtet. Anschließend wird
auf jede Magneteinrichtung 17 (bzw. 30) ein Substrat 18 (bzw.
38) aufgesetzt. Die Zentrierstifte 35 sorgen für eine Zen
trierung der Substrate. Anschließend werden die Maskierungs
mittel auf den Substraten angeordnet. Dies erfolgt vorzugs
weise derart, daß die weich- oder permanentmagnetischen
Maskierungsmittel einfach auf jedem Substrat verteilt werden
und sich jeweils unter Wirkung der Feldkräfte selbständig aus
richten.
Anschließend wird die bestückte Platte 16 in ihre Betriebs
position gedreht (Magneteinrichtungen mit den Substraten und
den Maskierungsmitteln nach unten weisend) und in die Vakuum
anlage 10 eingehängt. Die Maskierungsmittel besitzen somit
eine Doppelfunktion. Sie dienen der Maskierung und simultan
als Halterungsmittel für die Substrate. Nach Evakuierung
erfolgt eine Bedampfung entsprechend einer herkömmlichen
Technik.
Im folgenden wird ein weiteres Anwendungsbeispiel der
Erfindung beschrieben, bei dem die erfindungsgemäße orts
selektive Oberflächenbehandlung die Aufbringung von Farb
mustern auf Oberflächen von Schmuckgegenständen, Uhren,
Anzeigen oder dgl. umfaßt. Bei diesem Beispiel (Farbauf
bringung) kann die Erfindung unter atmosphärischem Druck
realisiert werden.
Gemäß Fig. 6 wird das zu behandelnde Substrat durch das
Ziffernblatt 60 einer Analoguhr gebildet. Das Ziffernblatt 60
soll Stundenzahlen 61 und ein Schmuckelement 62 tragen. Die
Maskierung soll so erfolgen, daß nur die Zahlen und die Ge
stalt des Schmuckelements freibleiben. Im mittleren Teil der
Abbildung sind vergrößerte Ausschnitte der Maskierungsmittel
63 und 64 dargestellt, die den Umgebungen der Stundenzahl "8"
bzw. des Schmuckelements entsprechen. Die Maskierungsmittel 63
umfassen eine flächige Abdeckung der Umgebung der Stunden
zahlen. Die Abdeckung der oberen und unteren Innenflächen der
Zahl "8" erfolgt mit den Maskierungsmitteln 64. Entsprechendes
gilt für die Maskierungsmittel 65 des Schmuckelements. Im
unteren rechten Teil von Fig. 6 ist die Gestalt der Polschuhe
schematisch dargestellt (vergrößert), die zur Halterung und
Justierung des Teils 64 der Maskierungsmittel eingerichtet
sind. Ähnlich wie die Polschuhenden gemäß Fig. 5 bilden die
Polschuhenden gemäß Fig. 6 eine geteilte Ovalfläche 65. Analog
ist die Gestalt der Polschuhenden 66 zur Halterung des Mittel
teils der Maskierungsmittel 64 ausgebildet.
Weitere Abwandlungen des erfindungsgemäßen Verfahrens zur
ortsselektiven Oberflächenbehandlung wie beispielsweise Ätz
verfahren, Belichtungsverfahren oder Dotierverfahren sind
möglich. Anstelle einzelner Teile der Maskierungsmittel kann
für die Behandlung eines Substrats als Maskierungsmittel auch
eine zusammenhängende Maske verwendet werden. Die Erfindung
ist nicht auf vollständig ebene Substrate oder Polschuhenden
beschränkt, sondern kann auch bei anderen Substratformen oder
-geometrien angewendet werden.
Claims (9)
1. Verfahren zur ortsselektiven Behandlung einer Substratober
fläche umfassend die Schritte:
- - Halterung von Maskierungsmitteln, die ortsselektiv für Behandlungsmittel durchlässig sind, in vorbestimmter Anord nung relativ zur Substratoberfläche, und
- - Zuführung der Behandlungsmittel,
2. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem das Magnetfeld durch
eine Magneteinrichtung auf einer Seite des Substrats generiert
wird, die der zu behandelnden Oberfläche entgegengesetzt ist,
und das Magnetfeld das Substrat so durchsetzt, daß die
Maskierungsmittel durch magnetische Anziehungskräfte an die
Substratoberfläche gezogen werden.
3. Verfahren gemäß Anspruch 2, bei dem die Maskierungsmittel
so mit der Magneteinrichtung zusammenwirken, daß das Substrat
mit den Maskierungsmitteln an die Magneteinrichtung gezogen
und an dieser gehaltert wird.
4. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die
Zuführung der Behandlungsmittel eine Beschichtung der mas
kierten Substratoberfläche umfaßt.
5. Verfahren gemäß Anspruch 4, bei dem die Beschichtung eine
Bedampfung eines piezoelektrischen Substratmaterials zur
Herstellung von Ultraschallwandlern umfaßt, wobei die Mas
kierungsmittel durch ringförmige Strukturelemente gebildet
werden.
6. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die
Zuführung der Behandlungsmittel eine Bestrahlung der Substrat
oberfläche mit elektromagnetischer Strahlung umfaßt.
7. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem
nach der Oberflächenbehandlung die Maskierungsmittel durch
eine Aufhebung des Magnetfeldes an der Substratoberfläche
freigegeben werden.
8. Vorrichtung zur Behandlung einer Substratoberfläche
umfassend:
- - Maskierungsmittel, die ortsselektiv für Behandlungsmittel durchlässig sind, in vorbestimmter Anordnung relativ zur Substratoberfläche, und
- - Halterungsmittel zur Halterung der Maskierungsmittel an einer vorbestimmten Position,
9. Vorrichtung gemäß Anspruch 8, bei der die Magneteinrichtung
mindestens einen Magneten aufweist, der sich zwischen zwei
Polschuhen aus einem weichmagnetischen Material befindet, an
deren Ende Polschuhabschnitte ausgebildet sind, die dazu
eingerichtet sind, daß der magnetische Fluß auf die Durch
setzung einer Fläche begrenzt ist, die im wesentlichen der
Gestalt der zu halternden Maskierungsmittel entspricht.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1998159172 DE19859172A1 (de) | 1998-12-21 | 1998-12-21 | Selektive Oberflächenbehandlung durch magnetische Maskenhalterung |
PCT/EP1999/009970 WO2000037707A1 (de) | 1998-12-21 | 1999-12-15 | Ortsselektive oberflächenbehandlung mit magnetischer maskenhalterung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1998159172 DE19859172A1 (de) | 1998-12-21 | 1998-12-21 | Selektive Oberflächenbehandlung durch magnetische Maskenhalterung |
Publications (1)
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---|---|
DE19859172A1 true DE19859172A1 (de) | 2000-06-29 |
Family
ID=7892061
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1998159172 Ceased DE19859172A1 (de) | 1998-12-21 | 1998-12-21 | Selektive Oberflächenbehandlung durch magnetische Maskenhalterung |
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