DE3047113A1 - Katodenanordnung und regelverfahren fuer katodenzerstaeubungsanlagen mit einem magnetsystem zur erhoehung der zerstaeubungsrate - Google Patents
Katodenanordnung und regelverfahren fuer katodenzerstaeubungsanlagen mit einem magnetsystem zur erhoehung der zerstaeubungsrateInfo
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Description
11. November 19S0 80517
- if -
LEYBOLD-HERAEUS GmbH
Bonner Straße 504
Bonner Straße 504
5000 Köln - 51
Katodenanordnung und Regel verfahren für Katodenzerstäubungsanlagen
mit einem Magnetsystem zur Erhöhung der Zerstäubungsrate "
Die Erfindung betrifft eine Katodenanordnung für Katodenzerstäubungsanlagen,
enthaltend eine Targetplatte aus dem zu zerstäubenden Material, ein hinter der Targetplatte befindliches
Magnetsystem mit entgegengesetzten Polen, die in einer derartigen relativen Lage zur Targetplatte angeordnet sind, daß mindestens
ein Teil der von den Polen ausgehenden Feldlinien durch die Targetplatte aus- und in diese wieder eintritt, sowie mit einer
Verstelleinrichtung zur Veränderung der relativen Lage von
Magnetsystem und Targetplatte.
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-JS-
Eine derartige Katodenanordnung ist durch die DE-OS 27 35 525
bekannt. Dort ist zum Stande der Technik angegeben, daß man zur Vergleichmäßigung des Verbrauchs der Targetplatte die relative
Lage von Magnetsystem und Targetplatte laufend verändert, indem man das Magnetsystem in ständiger Bewegung hält (Seite 5,
Absatz 2). Bei der bekannten Maßnahme wird das Magnetsystem im Hinblick auf die spezielle Aufgabe parallel zur größten
Oberfläche der Targetplatte bewegt. Hierdurch wird allerdings nicht derjenige Einfluß auf den Zerstäubungsvorgang ausgeglichen,
der dadurch entsteht, daß sich durch den Verbrauch des Targetmaterials der Abstand der Targetoberfläche vom
mittleren Verlauf der Magnetfeldlinien allmählich aber kontinuierlich
ändert. Diese Änderung führt zu einer kontinuierlichen Änderung der Zerstäubungsbedingungen und damit auch
der Eigenschaften der niedergeschlagenen Schichten. So wurde beispielsweise beobachtet, daß bei zunehmendem Verbrauch der
Targetplatte ohne Eingriffe von außen die Zerstäubungsspannung sinkt. Dieser Effekt kann damit erklärt werden, daß die jeweils
noch vorhandene Targetoberfläche allmählich in einen Bereich größerer Magnetfeldstärken gerät, so daß die Elektronen aus
der durch das Magnetfeld gebildeten Elektronenfalle schwerer
entweichen können, was zu einer Verminderung der Impedanz des Plasmas bzw. zu einer größeren Dichte der Ladungsträger führt.
Eine Regelung auf konstante Spannung allein genügt jedoch nicht, da hierdurch der EntLadestrom ansteigen würde, was zu einer
kontinuierlichen Erhöhung der Entladeleistung führt, e*i η Vorgang,
der gleichfalls unerwünscht ist.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, die eingangs beschriebene
Katodenanordnung in der Weise zu verbessern, daß die
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Zerstäubungsbedingungen auch bei zunehmendem Verbrauch der Targetplatte weitgehend konstant gehalten werden können.
Die Lösung der gestellten Aufgabe erfolgt bei der eingangs beschriebenen
Katodenanordnung erfindungsgemäß dadurch, daß die Bewegungsrichtung der Verstelleinrichtung im wesentlichen
senkrecht zur größten Oberfläche der Targetplatte verläuft. Dies bedeutet im Hinblick auf das gleichfalls erfindungsgemäße
Regel verfahren, daß bei zunehmenden Verbrauch der Targetplatte das Magnetsystem in der gleichen Richtung verschoben
wird, in der sich auch die Restoberfläche der Targetplatte
bewegt. Da nun das Targetmaterial während des Zerstäubungsvorganges keineswegs gleichförmig über die gesamte Targetoberfläche,
womit die den Substraten zugekehrte Vorderseite gemeint ist, abgetragen wird, sondern vielmehr in Form einer
ringförmig geschlossenen, grabenförmigen Vertiefung, über die
in der Literatur bereits mehrfach berichtet wurde, erfolgt die rückwandernde Bewegung des Hagnetsystems im wesentlichen
nach einem Mittelwert, welcher der durchschnittlichen Abtragung
des Targetmaterials, ausgehend von der ursprünglichen
Vorderseite, entspricht. Durch eine Erfassung der Zerstäubungsspannung und eine -Abstandsregelung zwischen Magnetsystem und
Targetplatte ergibt sich automatisch diese Mittelwertsbildung.
Auf die genannte Weise verbleibt die wirksame Oberfläche der Targetplatte s.tets in etwa im Bereich gleicher Magnetfeldstärken,
so daß die Zerstäubungsparameter nahezu unverändert eingehalten werden. Dies hat auf die Schichteigenschaften
einer Vielzahl, nacheinander eingesetzter Chargen einen sehr positiven Einfluß. Außerdem kann das Targetmaterial instärkerem
Maße ausgenutzt werden, wodurch die Kosten des
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BeschichtungsVerfahrens zusätzlich gesenkt werden können.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des Erfindungsgegenstandes
ergeben sich aus den übrigen Unteransprüchen.
Ein Ausführungsbeispiel des Erfindungsgegenstandes wird nachfolgend
anhand der Figuren 1 und 2 näher beschrieben, die im rechten Winkel zueinander stehende Schnitte durch eine rechteckige
Katqdenanordnung zeigen, wobei der Maßstab von Figur 2 größer gewählt ist als derjenige von Figur 1.
Es zeigen:
Figur 1 einen Längsschnitt durch eine rechteckige Katode
in deren größter Symmetrieebene und
Figur 2 einen Querschnitt etwa in der Mitte des Gegenstände:
von Figur 1, in vergrößertem Maßstab.
In Figur 1 ist eine Katodenanordnung 1 dargestellt, deren räumlieh
fixierte Bezugsplattform durch eine Tragplatte 2 gebildet
wird, durch die die Katodenanordnung innerhalb der nicht gezeigten Vakuumkammer einer Katodenzerstäubungsanlage befestigt
ist. An der Tragplatte 2 sind wiederum alle funktionswesentlichen
Teile der Katodenanordnung befestigt. Hierzu gehört ein wannenförmiger
Hohlkörper 3, der aus einem amagnetischen Werk-stoff wie beispielsweise Kupfer besteht und lösbar mit der Tragplatte 2
verbunden ist. Der Hohlkörper 3 besitzt einen Boden 4, der zur Tragplatte 2 parallel verläuft und auf dem die dem Verbrauch
unterliegende Targetplatte 5 befestigt ist. Die Targetplatte
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besteht aus einem Material, welches entweder in reiner Form oder in Form einer Verbindung mit einem reaktiven Zerstäubungsgas oder in inerter Atmosphäre auf den nicht gezeigten Substraten
niedergeschlagen wird, die der Targetplatte 5 gegenüber
angeordnet sind. Einzelheiten einer solchen Katodenzerstäubungsanlage
sind Stand der Technik und werden daher nicht weiter erläutert.
Im Innern des Hohlkörpers 3 befindet sich ein Magnetsystem 6, welches aus einer zur Tragplatte 2 parallelen Magnethalteplatte
7 sowie aus einer Gruppierung von Permanentmagneten 8 besteht, die an der Magnethalteplatte 7 befestigt sind. Einzelheiten
sind in Figur 2 näher erläutert. Es ist zu erkennen, daß die Magnete 8 mit abwechselnder Polanordnung auf der Rückseite
der Targetplatte angeordnet sind. Durch die relative Lage der Magnete zur Targetplatte haben die Feldlinien einen
Verlauf, wie er in Figur 2 gestrichelt angedeutet ist, d.h. die von einem Pol ausgehenden Feldlinien treten durch.die
Targetplatte aus und nach einem bogenförmigen Verlauf im Bereich des anderen Poles in die Targetplatte wieder ein. Aufgrund
dieses Verlaufs der Magnetfeldlinien wird ein sogenannter
magnetischer Tunnel gebildet, welcher es erlaubt, die Zerstäubungsrate wesentlich zu erhöhen, gleichzeitig aber
dazu führt, daß das Targetmaterial im Bereich des Tunnels stärker abgetragen wird, am stärksten in der Mitte eir>es
25- jeden Tunnels.
Gemäß Figur 1 ist zwischen der Magnethalteplatte 7 einerseits ■
und der Tragplatte 2 andererseits eine Verstelleinrichtung 9
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angeordnet, die aus zwei Spindeltrieben 10 und 11 besteht. Die beiden Spindel triebe sind im Bereich der Enden der Tragplatte
1 angeordnet und, wie noch weiter unten aufgezeigt werden wird, gleichsinnig antreibbar.
Zu jedem Spindeltrieb gehört eine Spindel 12, 13, deren untere Enden 12a, 13a unverdrehbar in einem Halter 14, 15 befestigt
sind, und zwar mit Hilfe eines Kerbstiftes 16. Die Halter und 15 sind ihrerseits unverdrehbar und mittels einer Dichtung
17 abgedichtet auf Lagerplatten 18, 19 befestigt, die ihrerseits mit der Magnethalteplatte 7 verschraubt sind.
Die Gewindespindeln 12, 13 sind in Spindelmuttern 20, 21 gelagert,
die ihrerseits drehbar über Kugellager 22 in je einem Lagergehäuse 23, 24 gelagert sind. Diese Lagergehäuse
sind mit der Tragplatte 2 verschraubt.
Mit den Spindelmuttern 20, 21 stehen in unverdrehbarem Eingriff
Antriebswellen 25, 26, wobei die Verdrehsicherung durch je
einen nicht näher bezeichneten Kerbstift erfolgt. Auf den Antriebswellen
25, 26 befinden sich, gleichfalls unverdrehbar, Zahnräder 27,. 28, die über einen Zahnriemen 29 miteinander
in Verbindung stehen. Die Antriebswelle 26 besitzt einen Fortsatz
30, auf dem ein Einstellknopf 31 befestigt ist. Der
Fortsatz 30 ist dabei zweckmäßig so lang ausgeführt, daß sich der Einstellknopf 31 außerhalb der Vakuumkammer befindet.
Ein Abschirmblech 32 im Bereich der Spindeltriebe dient zum
Schutz des Bedienungspersonals.
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Der Einstellknopf 31 kann durch einen nicht gezeigten Servomotor
ersetzt werden, der seine Stel1 signale von einem gleichfalls
nicht gezeigten Regelkreis erhält, der von einer Größe beaufschlagt wird, die der Zerstäubungsspannung proportional
ist. Die Zerstäubungsspannung wird mit einem Sollwert verglichen, wobei unter Berücksichtigung des Vorzeichens der
Abweichung die Verstelleinrichtung 9 in der Weise beeinflußt wird, daß die Zerstäubungsspannung möglichst weitgehend
konstant gehalten wird.
Abweichung die Verstelleinrichtung 9 in der Weise beeinflußt wird, daß die Zerstäubungsspannung möglichst weitgehend
konstant gehalten wird.
Die gesamte Anordnung ist mit nicht gezeigten Kühlwasseranschllissen
und Kühlmi ttel kanal en versehen, um eine im Betrieb
auftretende Beharrungstemperatur einhalten zu können.
ΛΑ
Leerseite
Claims (1)
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ANSPRÜCHE:
[ 1.]Katodenanordnung für Katodenzerstäubungsanlagen, enthaltend
\—-/eine Targetplatte aus dem zu zerstäubenden Material, ein
hinter der Targetplatte befindliches Magnetsystem mit entgegengesetzten Polen, die in einer derartigen relativen
Lage zur Targetplatte angeordnet sind, daß mindestens ein Teil der von den Polen ausgehenden Feldlinien durch die
Targetplatte aus- und in diese wieder eintritt, sowie mit einer Verstelleinrichtung zur Veränderung der relativen
Lage von Magnetsystem und Targetplatte, dadurch gekennzeichnet,
daß die Bewegungsrichtung der Verstelleinrichtung (9) im
wesentlichen senkrecht zur größten Oberfläche der Targetplatte (5) verläuft.
2. Katodenanordnung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine
Tragplatte (2), an der die Targetplatte (5) parallel zur Tragplatte befestigt ist, durch mindestens einen Spindeltrieb
(10, 11) mit einer senkrecht zur Tragplatte ausgerichteten Gewindespindel (12, 13) und einer zugehörigen
Spindelmutter (20, 21), sowie durch die Lagerung der Spindelmutter an der Tragplatte und der Gewindespindel am
Magnetsystem (6).
3, Katodenanordnung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet,
daß das Magnetsystem (6) an einer Magnethalteplatte (7) befestigt ist, die mit Haltern (14, 15) für die
Enden (12a, 13a) der Gewindespindeln (12, 13) ausgestattet ist
ORIGINAL INSPECTED
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- JL -
4. Katodenanordnung nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die Targetplatte (5) Teil eines wannenförmigen Hohlkörpers (3) ist, der mit der Tragplatte (2) lösbar verbunden
ist, und daß die Magnethaiteplatte ' (7) mit dem Magnetit
system (6) im Hohlkörper angeordnet ist.
5. Katodenanordnung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet,
daß beim Vorhandensein mehrerer Spindeltriebe (10, 11)
diese gekuppelt sind.
6. Katodenanordnung nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzei ch net-,
daß die Spindelmuttern (20, 21) drehbar in je einem an der Tragplatte (2) befestigten Lagergehäuse (23, 24) gelagert
sind, und daß die Enden der Gewindespindeln (12, 13) unverdrehbar in ihren Haltern (14, 15) befestigt sind.
7. Katodenanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , daß
die Spindeltriebe (10, 11) durch Zahnräder (27, 28) und einen
Zahnriemen (29) gleichsinnig miteinander gekuppelt sind.
.8. Verfahren zur Regelung des Abstandes von Magnetsystem und Targetplatte bei fortschreitendem Verbrauch des Targetmaterials,
dadurch gekennzeichnet, daß man die Zerstäubungsspannung des
Katodensystems erfaßt und mit einem Sollwert vergleicht, und daß man beim Auftreten einer Differenz den Abstand durch Betätigung
der Verstelleinrichtung in Richtung auf die Einhaltung
des Sollwerts verstellt.
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9. Katodenanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das Magnetsystem (6) in einem Raum angeordnet ist, der gasgefüllt ist und beim Zerstäubungsbetrieb unter
einem höheren Druck als dem Zerstäubungsdruck, vorzugsweise unter Atmosphärendruck gehalten ist.
10. Katodenanordnung nach den Ansprüchen 4 und 9, dadurch
gekennzei chnet, daS der Innenraum des wannenförmigen
Hohlkörpers (3) mit der Atmosphäre in Verbindung steht.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19803047113 DE3047113A1 (de) | 1980-12-13 | 1980-12-13 | Katodenanordnung und regelverfahren fuer katodenzerstaeubungsanlagen mit einem magnetsystem zur erhoehung der zerstaeubungsrate |
CH7107/81A CH657382A5 (de) | 1980-12-13 | 1981-11-06 | Verfahren zur regelung des abstandes von magnetsystem und targetplatte bei einer katodenanordnung fuer katodenzerstaeubungsanlagen. |
FR8122938A FR2496126B1 (fr) | 1980-12-13 | 1981-12-08 | Dispositif cathodique et procede d |
US06/330,367 US4426264A (en) | 1980-12-13 | 1981-12-14 | Method and means for controlling sputtering apparatus |
JP56200234A JPS57123976A (en) | 1980-12-13 | 1981-12-14 | Cathode apparatus for cathode sputtering apparatus and method for adjusting distance between magnet system and target plate therein |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19803047113 DE3047113A1 (de) | 1980-12-13 | 1980-12-13 | Katodenanordnung und regelverfahren fuer katodenzerstaeubungsanlagen mit einem magnetsystem zur erhoehung der zerstaeubungsrate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3047113A1 true DE3047113A1 (de) | 1982-07-29 |
DE3047113C2 DE3047113C2 (de) | 1989-06-15 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19803047113 Granted DE3047113A1 (de) | 1980-12-13 | 1980-12-13 | Katodenanordnung und regelverfahren fuer katodenzerstaeubungsanlagen mit einem magnetsystem zur erhoehung der zerstaeubungsrate |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4426264A (de) |
JP (1) | JPS57123976A (de) |
CH (1) | CH657382A5 (de) |
DE (1) | DE3047113A1 (de) |
FR (1) | FR2496126B1 (de) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3248121A1 (de) * | 1982-12-24 | 1984-06-28 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Hochleistungs-katodenanordnung fuer die erzeugung von mehrfachschichten |
DE3306870A1 (de) * | 1983-02-26 | 1984-08-30 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Vorrichtung zum herstellen von schichten mit rotationssymmetrischem dickenprofil durch katodenzerstaeubung |
DE3411536A1 (de) * | 1983-07-06 | 1985-01-17 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Magnetronkatode fuer katodenzerstaeubungsanlagen |
DE3331406A1 (de) * | 1983-08-31 | 1985-03-14 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Zerstaeubungskatode |
DE3417732A1 (de) * | 1984-05-12 | 1986-07-10 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Verfahren zum aufbringen von siliziumhaltigen schichten auf substraten durch katodenzerstaeubung und zerstaeubungskatode zur durchfuehrung des verfahrens |
DE3624150A1 (de) * | 1986-07-17 | 1988-01-21 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Zerstaeubungskatode nach dem magnetronprinzip |
US4810346A (en) * | 1987-08-21 | 1989-03-07 | Leybold Aktiengesellschaft | Magnetron type sputtering cathode |
DE3800449A1 (de) * | 1988-01-09 | 1989-07-20 | Leybold Ag | Verfahren und einrichtung zur herstellung magnetooptischer, speicher- und loeschfaehiger datentraeger |
DE3908252A1 (de) * | 1989-03-14 | 1990-09-20 | Leybold Ag | Zerstaeubungskathode nach dem magnetron-prinzip |
DE4137483A1 (de) * | 1991-11-14 | 1993-05-19 | Leybold Ag | Kathode zum beschichten eines substrats |
DE4143135A1 (de) * | 1991-11-14 | 1993-07-29 | Leybold Ag | Kathode zum beschichten eines substrats |
US5482610A (en) * | 1991-11-14 | 1996-01-09 | Leybold Aktiengesellschaft | Cathode for coating a substrate |
DE102011115145A1 (de) * | 2011-09-27 | 2013-03-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Magnetronsputtern mit Ausgleich der Targeterosion |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4515675A (en) * | 1983-07-06 | 1985-05-07 | Leybold-Heraeus Gmbh | Magnetron cathode for cathodic evaportion apparatus |
CA1242989A (en) * | 1983-07-19 | 1988-10-11 | Donald R. Boys | Apparatus for and method of controlling sputter coating |
JPS60221563A (ja) * | 1984-04-17 | 1985-11-06 | Ulvac Corp | バイアススパッタ方法 |
US4595482A (en) * | 1984-05-17 | 1986-06-17 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for and the method of controlling magnetron sputter device having separate confining magnetic fields to separate targets subject to separate discharges |
JPS6134177A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-18 | Tokuda Seisakusho Ltd | マグネツト駆動装置 |
DE3630737C1 (de) * | 1986-09-10 | 1987-11-05 | Philips & Du Pont Optical | Kathodenzerstaeubungseinrichtung mit einer Vorrichtung zur Messung eines kritischen Target-Abtrages |
DE3812379A1 (de) * | 1988-04-14 | 1989-10-26 | Leybold Ag | Zerstaeubungskathode nach dem magnetron-prinzip |
US4999458A (en) * | 1989-01-26 | 1991-03-12 | Balzers Aktiengesellschaft | Electrical current lead-in device at a vacuum chamber |
US5047131A (en) * | 1989-11-08 | 1991-09-10 | The Boc Group, Inc. | Method for coating substrates with silicon based compounds |
US5407551A (en) * | 1993-07-13 | 1995-04-18 | The Boc Group, Inc. | Planar magnetron sputtering apparatus |
US5599518A (en) * | 1994-12-01 | 1997-02-04 | Olin Corporation | Catalytic process for chlorine dioxide generation from chloric acid |
US5985115A (en) * | 1997-04-11 | 1999-11-16 | Novellus Systems, Inc. | Internally cooled target assembly for magnetron sputtering |
GB2386128B (en) * | 2000-12-05 | 2004-08-04 | Trikon Holdings Ltd | Magnetron sputtering apparatus |
US6841050B2 (en) | 2002-05-21 | 2005-01-11 | Applied Materials, Inc. | Small planetary magnetron |
US6852202B2 (en) | 2002-05-21 | 2005-02-08 | Applied Materials, Inc. | Small epicyclic magnetron with controlled radial sputtering profile |
US20050133361A1 (en) * | 2003-12-12 | 2005-06-23 | Applied Materials, Inc. | Compensation of spacing between magnetron and sputter target |
US9093251B2 (en) * | 2011-02-18 | 2015-07-28 | Toyota Motor Europe Nv/Sa | Sputtering magnetron assembly |
CN103998645B (zh) * | 2011-12-16 | 2016-03-30 | 佳能安内华股份有限公司 | 溅镀装置 |
US9312108B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-04-12 | Sputtering Components, Inc. | Sputtering apparatus |
US9418823B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-08-16 | Sputtering Components, Inc. | Sputtering apparatus |
CN104213089B (zh) * | 2014-08-22 | 2016-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 磁控溅射设备及磁控溅射方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2556607A1 (de) * | 1974-12-16 | 1976-06-24 | Airco Inc | Kathodenzerstaeubungsgeraet |
DE2707144A1 (de) * | 1976-02-19 | 1977-08-25 | Sloan Technology Corp | Kathodenzerstaeubungsvorrichtung |
DE2655942A1 (de) * | 1976-12-10 | 1978-06-15 | Tokuda Seisakusho Kawasaki Kk | Zerstaeubungsvorrichtung |
DE2735525A1 (de) * | 1977-08-06 | 1979-02-22 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Katodenanordnung mit target fuer zerstaeubungsanlagen zum aufstaeuben dielektrischer oder amagnetischer schichten auf substrate |
US4169031A (en) * | 1978-01-13 | 1979-09-25 | Polyohm, Inc. | Magnetron sputter cathode assembly |
JPS55100981A (en) * | 1979-01-24 | 1980-08-01 | Murata Mfg Co Ltd | Magnetron sputtering apparatus |
DE3027638A1 (de) * | 1980-07-22 | 1982-03-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo, Kyoto | Magnetron-sputtervorrichtung |
-
1980
- 1980-12-13 DE DE19803047113 patent/DE3047113A1/de active Granted
-
1981
- 1981-11-06 CH CH7107/81A patent/CH657382A5/de not_active IP Right Cessation
- 1981-12-08 FR FR8122938A patent/FR2496126B1/fr not_active Expired
- 1981-12-14 JP JP56200234A patent/JPS57123976A/ja active Granted
- 1981-12-14 US US06/330,367 patent/US4426264A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2556607A1 (de) * | 1974-12-16 | 1976-06-24 | Airco Inc | Kathodenzerstaeubungsgeraet |
DE2707144A1 (de) * | 1976-02-19 | 1977-08-25 | Sloan Technology Corp | Kathodenzerstaeubungsvorrichtung |
DE2655942A1 (de) * | 1976-12-10 | 1978-06-15 | Tokuda Seisakusho Kawasaki Kk | Zerstaeubungsvorrichtung |
DE2735525A1 (de) * | 1977-08-06 | 1979-02-22 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Katodenanordnung mit target fuer zerstaeubungsanlagen zum aufstaeuben dielektrischer oder amagnetischer schichten auf substrate |
US4169031A (en) * | 1978-01-13 | 1979-09-25 | Polyohm, Inc. | Magnetron sputter cathode assembly |
JPS55100981A (en) * | 1979-01-24 | 1980-08-01 | Murata Mfg Co Ltd | Magnetron sputtering apparatus |
DE3027638A1 (de) * | 1980-07-22 | 1982-03-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo, Kyoto | Magnetron-sputtervorrichtung |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3248121A1 (de) * | 1982-12-24 | 1984-06-28 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Hochleistungs-katodenanordnung fuer die erzeugung von mehrfachschichten |
DE3306870A1 (de) * | 1983-02-26 | 1984-08-30 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Vorrichtung zum herstellen von schichten mit rotationssymmetrischem dickenprofil durch katodenzerstaeubung |
DE3411536A1 (de) * | 1983-07-06 | 1985-01-17 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Magnetronkatode fuer katodenzerstaeubungsanlagen |
DE3331406A1 (de) * | 1983-08-31 | 1985-03-14 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Zerstaeubungskatode |
DE3417732A1 (de) * | 1984-05-12 | 1986-07-10 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Verfahren zum aufbringen von siliziumhaltigen schichten auf substraten durch katodenzerstaeubung und zerstaeubungskatode zur durchfuehrung des verfahrens |
DE3624150A1 (de) * | 1986-07-17 | 1988-01-21 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Zerstaeubungskatode nach dem magnetronprinzip |
US4810346A (en) * | 1987-08-21 | 1989-03-07 | Leybold Aktiengesellschaft | Magnetron type sputtering cathode |
DE3800449A1 (de) * | 1988-01-09 | 1989-07-20 | Leybold Ag | Verfahren und einrichtung zur herstellung magnetooptischer, speicher- und loeschfaehiger datentraeger |
US4927513A (en) * | 1988-01-09 | 1990-05-22 | Leybold Aktiengesellschaft | Method and arrangement for fabricating magneto-optical, storable, and/or deletable data carriers |
DE3908252A1 (de) * | 1989-03-14 | 1990-09-20 | Leybold Ag | Zerstaeubungskathode nach dem magnetron-prinzip |
DE4137483A1 (de) * | 1991-11-14 | 1993-05-19 | Leybold Ag | Kathode zum beschichten eines substrats |
DE4143135A1 (de) * | 1991-11-14 | 1993-07-29 | Leybold Ag | Kathode zum beschichten eines substrats |
US5482610A (en) * | 1991-11-14 | 1996-01-09 | Leybold Aktiengesellschaft | Cathode for coating a substrate |
DE102011115145A1 (de) * | 2011-09-27 | 2013-03-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Magnetronsputtern mit Ausgleich der Targeterosion |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57123976A (en) | 1982-08-02 |
CH657382A5 (de) | 1986-08-29 |
DE3047113C2 (de) | 1989-06-15 |
FR2496126B1 (fr) | 1987-04-10 |
US4426264A (en) | 1984-01-17 |
JPS642666B2 (de) | 1989-01-18 |
FR2496126A1 (fr) | 1982-06-18 |
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