DE69305725T2 - Magnetron-Zerstäubungsvorrichtung und Dünnfilm-Beschichtungsverfahren - Google Patents
Magnetron-Zerstäubungsvorrichtung und Dünnfilm-BeschichtungsverfahrenInfo
- Publication number
- DE69305725T2 DE69305725T2 DE69305725T DE69305725T DE69305725T2 DE 69305725 T2 DE69305725 T2 DE 69305725T2 DE 69305725 T DE69305725 T DE 69305725T DE 69305725 T DE69305725 T DE 69305725T DE 69305725 T2 DE69305725 T2 DE 69305725T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate
- cathode
- layer surface
- sputtering
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 title claims description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 238000009501 film coating Methods 0.000 title description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 96
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 claims description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 2
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical group 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
- Die folgende Erfindung bezieht sich auf eine Magnetron-Zerstäubungseinrichtung und ein Verfahren zur Dünnfilmbeschichtung. Eine Magnetron-Zerstäubungseinrichtung gemäß dem Gattungsbegriff des Patentnspruches 1 ist beispielsweise aus der US-A-4 437 961 bekannt. Insbesondere offenbart die Erfindung ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung von Spiegeln hoher Qualität durch Beschichtung eines Substrates mit mehreren Materialien, welche die Reflexionseigenschaften der Substratoberfläche beeinflussen.
- Die Zerstäubungsablagerung von Materialien ist in der Vergangenheit für eine Anzahl von Anwendungen, die Halbleiter, Supraleiter und optische Beschichtungen umfassen, in großem Umfang verwendet worden. Diese Zerstäubungsablagerung ist durch die Verwendung von Gleichspannungs-Diodenzerstäubung, Hochfrequenz-Diodenzerstäubung, Hochfrequenz-Magnetronzerstäubung und andere Zerstäubungsverfahren verwirklicht worden.
- Typischerweise wird die Zerstäubung verwirklicht, indem zunächst eine Gasentladung innerhalb einer Kammer gebildet wird. Diese Gasentladung veranlaßt Ionen zur Beschleunigung gegen die Kathode und unter Umständen zur Kollision mit der Kathodenoberfläche. Diese Kollision mit der Kathodenoberfläche veranlaßt die Freigabe von Ionenpartikeln von dieser Oberfläche und die Ablagerung auf anderen Oberflächen in enger Nachbarschaft zu der Kathode. Ein Substrat wird typischerweise in der Nähe der Kathode angeordnet und kann somit mit den Ionenpartikeln beschichtet werden, die von der Kathode freigegeben werden.
- Die Magnetronzerstäubung wird erzielt durch Anordnung einer Magnetanordnung hinter der Kathode. Diese Magnetanordnung kann das Plasma enthalten, das durch die Gasentladung gebildet wird. Die Steuerung des Plasmas ist sehr nützlich, da es oftmals die Benutzung der Kathodenoberfläche auf ein Maximum bringt. Durch Veränderung des Entwurfs und der Konfiguration der Magnetanordnung kann somit die Verarmung der Targetoberfläche gesteuert werden und auf ein Maximum gebracht werden.
- Bei einer typischen Gasentladung wird ein Plasma direkt vor der Kathode gebildet. Das Plasma nimmt typischerweise eine positive Gesamtladung an. Ein Raum wird zwischen dem Plasma und der Kathodenoberfläche gebildet, der frei von elektrischer Ladung ist. Wenn Elektronen mit der Kathodenoberfläche kollidieren, werden gelegentlich negativ geladene Ionen freigegeben. Diese negativ geladenen Ionen werden durch den Dunkelraum zu dem Plasma auf Grund der Ladung des Plasmas beschleunigt. Nachfolgend werden die Ionen durch das Plasma beschleunigt und sie kollidieren mit irgendwelchen Objekten. die hinter diesem Plasma angeordnet sind. Auf Grund der hohen Beschleunigungsrate und des großen Energiebetrages können diese Ionen eine Zerstörung bzw. eine Störung einer beschichteten Oberfläche verursachen, wenn sie mit dieser Oberfläche kollidieren.
- Die Zerstäubungsablagerung wird oftmals benutzt, um optische Spiegel mit hoher Qualität zu erzeugen. Wenn die Zerstäubung für diesen Zweck verwendet wird, ist es erforderlich, abwechselnd Schichten von Dünnfilmen auf einem Substrat abzulagern. Daher ist es notwendig, ein erstes Material bis zu einer bestimmten Dicke auf einem Substrat zu zerstäuben und nachfolgend ein zweites Material bis zu einer gewünschten Dicke auf dem gleichen Substrat zu zerstäuben. Diese Schrifffolge wird sodann so oft wie erforderlich wiederholt.
- Das Erfordernis nach abwechselnden Schichten von zerstäubtem Material bildet ein Problem bei einer typischen Zerstäubungsvorrichtung. Die verschiedenen Materialien müssen auf dem gleichen Substrat zerstäubt werden, ohne unnötig die Substrate selbst handhaben zu müssen. Ebenso ist die konstante Handhabung und Veränderung des Targetmaterials unerwünscht, da dies das Öffnen und Schließen der gasgefüllten Kammer erfordert.
- Eine Lösung bestand darin, zahlreiche Targets innerhalb einer Kannner anzuordnen und das Substrat vor dem geeigneten Target zu positionieren. Während dieses Verfahren abwechselnde Schichten ermöglicht, besteht weiterhin das Problem der direkten Kollisionen mit hoher Energie. Zusätzlich ist die Anzahl der Spiegel bechränkt, die gleichzeitig hergestellt werden kann.
- Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vorrichtung ffir die Erzeugung optischer Spiegel mit hoher Qualität vorzugeben. Die vorliegende Erfindung gibt eine Vorrichtung vor, die diese optischen Spiegel durch Zerstäubungsablagerung erzeugt wobei die Substrate senkrecht und in Nachbarschaft zu den Zerstäubungstargets angeordnet sind. Die Anordnung der Substrate in dieser Position außerhalb der Achse vermindert die destruktiven Einflüsse der hochenergetischen Ionen, die durch den Dunkelraum und durch das Plasma der Gasentladung beschleunigt werden.
- Die vorliegende Erfindung gibt ein System vor, das ffir die Massenherstellung von optischen Spiegeln geeignet ist. Dieses System kann eine Vorrichtung umfassen, durch welche zwei oder mehr unterschiedliche Materialien auf einem Substrat in abwechselnden Schichten zerstäubt werden können. Bei der vorliegenden Erfindung wird eine Magnetron, Zerstäubungseinrichtung verwendet, um Material von einer Targetoberfläche zu zerstäuben. Die Substrate sind jedoch in Nachbarschaft und senkrecht zu der Targetoberfläche angeordnet. Obgleich die Anordnung der Substrate auf diese Weise eine beträchtlich geringere Ablagerungsgeschwindigkeit hervorruft, wird ein Dünnfilm mit sehr viel höherer Qualität auf dem Substrat abgelagert.
- Dünnfilme hoher Qualität werden erhalten auf Grund dessen, daß die Substratoberfläche nicht mit Ionen extrem hoher Energie bombardiert wird, die aus der Targetoberfläche herausgeschlagen werden. Wie zuvor festgestellt, werden geladene Ionen, die aus der Targetoberfläche herausgeschlagen werden, über einen Dunkelraum zu dem Plasma beschleunigt, welches direkt oberhalb der Targetoberfläche angeordnet ist. Diese Ionen werden sodann durch das Plasma beschleunigt und kollidieren mit Gegenständen die direkt hinter dem Plasma angeordnet sind. Da das Substrat nicht direkt hinter dem Plasma angeordnet ist, wie dies traditionell geschehen ist, kontaktieren keine dieser Ionen mit hoher Energie die Substratoberfläche.
- Die Substrate sind auf einer Substrat-Handhabungseinrichtung angeordnet, welche die Substrate nach Planetenart um die Targets zur Drehung veranlaßt. Diese Drehung und Bewegung der Substrate fördert die Gleichförmigkeit in den Beschichtungen und vermeidet irgendwelche Unregelmäßigkeiten, die durch die Konfiguration der Entladung verursacht werden. Ferner besitzt die Substrat-Handhabungseinrichtung Möglichkeiten zum Tragen einer großen Anzahl von Substraten auf einmal. Dies erlaubt eine Massenherstellung von optischen Spiegeln hoher Qualität.
- Wie festgestellt, benötigt man abwechselnde Schichten aus unterschiedlichen Materialien, um optische Spiegel zu erzeugen. Ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung gibt eine Einrichtung vor, bei der Substrate mit Material aus einer Vielzahl von unterschiedlichen Targets beschichtet werden können, ohne daß die Substrate gehandhabt werden müssen und/oder unterschiedliche Targetmaterialien ersetzt werden müssen.
- Dieses Ausführungsbeispiel besitzt zwei alternativ erregbare Kathoden, von denen jede unterschiedliche Targetmaterialien auf der Oberfläche aufweist. Durch einfache Einstellung der Substrat-Handhabungseinrichtung zur Positionierung in Nachbarschaft zu der geigneten Targetoberfläche und durch Erregung der zugeordneten Kathode kann daher die Zerstäubung von dieser Targetoberfläche erzielt werden. Durch erneute Positionierung der Substrat-Handhabungseinrichtung und erneute Erregung des geeigneten Targets kann die Zerstäubung von einer unterschiedlichen Targetoberfläche verwirklicht werden, wodurch abwechselnde Schichten von Material auf den Substraten zerstäubt werden können.
- Durch Anordnung von Abschirmungen zwischen den unterschiedlichen Zerstäubungstargets wird die Reinheit der Targetoberfläche aufrechterhalten, wodurch die Reinheit der auf die Substrate zerstäubten Dünnfilme erhalten bleibt. Die Abschirmungen schützen ebenfalls andere Teile der Zerstäubungseinrichtung gegen Ionen mit hoher Energie, die in einer Richtung senkrecht zu der Targetoberfläche herausgeschlagen werden.
- Weitere Aufgaben und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden ersichtlich durch Lesen der folgenden detaillierten Beschreibung der Erfindung im Zusammenhang mit den folgenden Zeichnungen, in welchen:
- Fig. 1 eine Querschnittsansicht der Magnetron-Zerstäubungseinrichtung ist;
- Fig. 2 eine auseinandergezogene Ansicht der Magnetron-Zerstäubungseinrichtung ist, die deren getrennte Teile und die Beziehung zwischen diesen Teilen zeigt:
- Fig. 3 eine perspektivische Ansicht der Substrat-Handhabungseinrichtung ist;
- Fig. 4 eine Draufsicht auf die Magnetanordnung ist, die bei der vorliegenden Erfindung verwendet wird; und
- Fig. 5 eine perspektivische Ansicht eines Targets im Betrieb ist, die die Magnetlinien zeigt, die durch die Magnetanordnung gebildet werden, und die die Verarmung der Targetoberfläche zeigt.
- Gemäß Fig. 1 wird zur Aufrechterhaltung einer Gasentladung Gas innerhalb einer Druckkammer 10 unter Druck gesetzt. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel umfaßt die Druckkammer 10 eine zylindrische Außenwand 12 mit einem ersten Deckel 14 und einem zweiten Deckel 114.
- Bei der vorliegenden Erfindung kann Material durch zwei getrennte Zerstäubungseinrichtungen 5 und 6 zerstäubt werden. Der Betrieb einer ersten Zerstäubungseinrichtung 5 wird beschrieben, wobei es sich versteht, daß die zweite Zerstäubungseinrichtung 6 in gleicher Weise arbeitet. Spezifische Unterschiede der zwei Zerstäubungseinrichtungen werden später in dieser detaillierten Beschreibung weiter erläutert.
- Um Dünnfilmbeschichtungen unter Verwendung der Magnetron-Zerstäubungsablagerung aufzubringen, ist es zunächst erforderlich, eine Gasentladung innerhalb der Gaskammer 10 zu bilden. Diese Gasentladung wird gebildet durch Anlegung eines elektrischen Potentials zwischen einer ersten Kathodenanordnung 19 und einer Anode 22. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel wird die zylindrische Außenwand 12 als Anode 22 verwendet durch elektrische Verbindung der zylindrischen Außenwand 12 mit einem positiven Kontakt 24 einer Hochfrequenzquelle 26. Bin Kontakt 28 der Hochfrequenzquelle 26 ist elektrisch mit der ersten Kathode 20 über einen Targetschalter 32 verbunden. Der elektrische Kontakt zwischen der ersten Kathodenanordnung 19, welche sich innerhalb der Druckkammer 10 befindet und dem Targetschalter 32 erfolgt durch einen leitenden Pfosten 34, der sich durch den Deckel 14 erstreckt. Es ist wichtig, daß die erste Kathodenanordnung von dem Deckel 14 elektrisch isoliert ist und es werden daher Isolatoren 17 verwendet, um diese Isolierung vorzugeben.
- Die erste Kathodenanaordnung 19 besitzt eine erste Kathode 20 mit einem ersten Target 38 auf einer Oberfläche 36. Die Oberfläche 36 ist so angeordnet, daß sie dem Innern der Zersräubungskammer 10 ausgesetzt ist. Durch den Prozeß der Magnetron- Zerstäubungsablagerung werden Partikel des ersten Targets 38 auf mehreren Substraten 50 abgelagert. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel besteht das erste Target 38 aus Titandioxyd (TiO&sub2;).
- Direkt hinter der ersten Kathode 20 und auf der Außenseite 15 des Deckels 14 ist eine Magnetanordnung 40 angeordnet. Gemäß Fig. 4 umfaßt die Magnetanordnung 40 einen inneren ferromagnetischen Ring 42, einen äußeren ferromagnetischen Ring 44 und mehrere radiale magnetische Elemente 46.
- Die Polarität der magnetischen Elemente 46 veranlaßt die magnetischen Kraftlinien dazu, das magnetische Element 46 an einem Nordpol 48 zu verlassen und zu dem magnetischen Element 46 an einem Südpol 49 zurückzukehren. Bei einer Konfiguration der magnetischen Elemente 46 nach Art von Speichen sind die magnetischen Kraftlinien ebenfalls nach Art von Speichen konfiguriert.
- Magnetron-Sputtereinrichtungen werden in großem Umfang für Dünnfilmbeschichtungen venvendet. Typischerweise wird eine Gasentladung innerhalb einer Gaskammer gebildet, wodurch positiv geladene Ionen zur Bombardierung der Targetoberfläche veranlaßt werden. Die Kollision dieser positiv geladenen Ionen mit der Targetoberfläche veranlaßt die Freigabe von Partikeln des Targetmaterials aus dem Targetmaterial. Diese Partikel von dem Target werden sodann auf anderen Strukturen innerhalb der Nahe des Targets abgelagert. Speziell werden Substrate in enger Nachbarschaft zu der Targetoberfläche angeordnet wodurch das Substrat mit dem Targetmaterial beschichtet wird.
- Das durch die Magnetanordnung 40 gebildete magnetische Feld bewirkt eine Konzentration der mehrheitlichen Targetzerstäubung. Die größte Zerstäubung tritt in Bereichen auf entsprechend der magnetischen Geometrie. Bei einer Magnetanordnung 40, die wie in Fig. 4 gezeigt, konfiguriert ist, wird eine Rennstrecke 96 um den Umfang des Targets gebildet. Gemäß Fig. 5 tritt eine mehrheitliche Targetzerstäubung in diesem Rennspurbereich 96 auf. Durch unterschiedliche Konfigurierung der Magnetanordnung kann jedes gewiinschte Muster erzielt werden, an dem eine mehrheitliche Zerstäubung auftritt.
- Gemäß erneuter Bezugnahme auf Fig. 1 wird infolge der Gasentladung ein Plasma 60 innerhalb der Druckkammer 10 gebildet. Das Plasma 60 besteht aus einer Ansammlung von Elektronen und Ionen und besitzt allgemein eine positive Gesamtladung. Das Plasma 60 ist in geringer Entfernung oberhalb des ersten Targets 38 angeordnet. Die magnetischen Kräfte der Magnetanordnung 40 veranlassen das Plasma innerhalb eines bestimmten definierten Bereiches zu bleiben.
- Zwischen der Oberfläche des ersten Targets 38 und dem Plasma 60 befindet sich ein Dunkelraum 62. Während der Zerstäubung können negativ geladene Ionen von dem ersten Target 38 freigegeben werden. Auf Grund des positiv geladenen Plasmas 60, das in geringer Entfernung von der Oberfläche des Targets 38 angeordnet ist, werden diese negativ geladenen Ionen zur Beschleunigung durch den Dunkelraum 62 und durch das Plasma veranlaßt. Diese negativ geladenen Ionen kollidieren daher mit irgendwelchen Objekten, die direkt hinter dem Plasma 60 angeordnet sind. Auf Grund des sehr großen Energiebetrags, das die negativ geladenen Ionen besitzen, nachdem sie durch das Plasma 60 beschleunigt worden sind, können sie eine Zerstörung irgendeiner Oberfläche hervorrufen, mit der sie kollidieren. Insbesondere bilden viele Oxyd-Targetverbindungen negative Sauerstoffionen während des Zerstäubens.
- Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist eine Abschirmungsanordnung 70 direkt hinter dem Plasma 60 und parallel zu dem ersten Target 38 angeordnet. Diese Abschirmung ist so angeordnet, daß sie sie die Ionen mit hoher Energie empfängt, die über den Dunkelraum 62 und durch das Plasma 60 beschleunigt werden. Die Abschirmungsanordnung 70 ist aus Targetmaterial zusammengesetzt, um irgendeine Substratverunreinigung während des Zerstäubens zu vermeiden. Wie zuvor erwähnt, würden die negativ geladenen Ionen mit hoher Energie, die aus der Targetoberfläche freigegeben werden, die Gleichmäßigkeit der Dünnfilmoberfläche zerstören, die auf den Substraten abgelagert wird, wenn die Substrate direkt hinter dem Plasma angeordnet würden. Wenn die Zerstäubung verwendet wird, um Spiegel herzustellen, so kann diese Zerstörung zu Spiegeln mit hoher Streuung und hoher Absorption führen.
- Zusätzlich zu den negativ geladenen Ionen wird eine große Anzahl neutraler Ionen aus der Targetoberfläche freigegeben, wenn eine Gasentladung gebildet wird. Diese neutralen Ionen werden auf irgendwelchen Elementen in der Nähe der Targetoberfläche abgelagert. Typischerweise erfolgt die Verteilung dieser neutralen Ionen in einem quadratischen Sinusmuster.
- Unter erneuter Bezugnahme auf Fig. 1 sind Substrate 50 in Nachbarschaft zu dem ersten Target 36 auf einer Substrat-Handhabungseinrichtung 80 angeordnet Die Substrate 50 werden sodann in diesem quadrierten Sinusbereich positioniert, wobei sie sich nicht direkt hinter dem Plasma befinden und nicht den zuvor erwähnten zerstörenden Ionen ausgesetzt sind. Wie erwartet, ist die Ablagerungsgeschwindigkeit, mit der Material auf den Substraten 50 abgelagert wird, in dieser Position sehr viel geringer als sie sein würde, wenn die Substrate direkt gegenüber dem ersten Target 38 angeordnet würden. Da jedoch die Substrate 50 nicht den Ionen mit hoher Energie von dem ersten Target 38 ausgesetzt sind, wird die Gleichförmigkeit und die Qualität der Beschichtung auf den Substraten 50 weitgehend verbessert.
- Die bereits langsame Ablagerungsgeschwindigkeit kann verändert werden durch Veränderung des Druckes, mit der die Zerstäubung erfolgt. Wie zuvor erwähnt, tritt die Zerstäubung innerhalb der Druckkammer 10 auf Der Druck, mit der die Zerstäubung ausgeführt wird, beeinflußt die Ablagerungsgeschwindigkeit auf den Substraten 50, da das Gas innerhalb der Drukkammer 10 einen Widerstand für die Partikel vorgibt die von dem Target 38 herausgeschlagen werden. Wenn der Druck innerhalb der Kammer vermindert wird, gibt es weniger Gaspartikel innerhalb der Kammer und somit weniger Widerstand für Partikel, die von dem Target 38 zerstäubt werden. Daher kann ein geringerer Druck helfen, die Ablagerungsgeschwindigkeit anzuheben.
- Während des Betriebs wird die Kathode 20 typischerweise auf eine sehr hohe Temperatur aufgeheizt. Um bei der Verminderung der Temperatur der Kathode 20 zu helfen, ist eine Kühlspirale 52 direkt hinter der ersten Kathode 20 angeordnet. Diese Kühlspirale besitzt einen Einlaß 54 und einen Auslaß 56, um einem Kühlmittel den Durchfluß zu gestatten.
- Gemäß Fig. 3 ist die Substrat-Handhabungseinrichtung 80 in der Lage, mehrere Substrate zu handhaben und sie nach Planetenart zu rotieren, um die Gleichförmigkeit der Beschichtungen zu verbessern. Die Substrat-Iiandhabungseinrichtung 80 besitzt einen Haltering 82 und mehrere Substrathalter 84. Die Substrate 50 sind auf einer nach innen gerichteten Obertläche 86 des Substrathalters 84 angeordnet. Der Haltering 82 wird zur Drehung um eine zentrale Achse 90 veranlaßt. Während der Haltering 82 um die zentrale Achse 90 gedreht wird, wird jeder Substrathalter 84 um eine radiale Achse 92 gedreht. Diese Planetenbewegung der Substrate 50 verbessert die Gleichförmigkeit der Beschichtung.
- Um die Wirksamkeit und Qualität der Zerstäubung zu erhöhen, können die Substrate elektrisch vorgespannt werden, um Partikel von dem ersten Target 38 anzuziehen. Der Vorspannungspegel sollte jedoch relativ gering sein, um die Erzeugung von Kollisionen mit hoher Energie zwischen den Substraten 50 und den zerstäubten Partikeln zu vermeiden.
- Wie zuvor erwähnt, ist die vorliegende Erfindung in der Lage, zwei verschiedene Targets zu zerstäuben. Unter erneuter Bezugnahme auf Fig. 1 ist eine zweite Kathodenanordnung 119 in der Nähe des zweiten Deckels 114 angeordnet. Erneut ist der zweite Deckel 114 gegen die zylindrische Wand 12 durch einen Isolator 117 isoliert. Die zweite Kathodenanordnung 119 ist elektrisch an die HF-Quelle 26 über den Targetschalter 32 angeschlossen. Es sei vermerkt, daß der Targetschalter 32 ein Umschalter ist, der in der Lage ist, entweder die erste Kathodenanordnung 19 oder die zweite Kathodenanordnung 119 an Spannung zu legen. Wie bei der ersten Kathodenanordnung 19 besitzt die zweite Kathodenanordnung 119 eine zweite Kathode 120 mit einem darauf angeordneten zweiten Target 138. Auf der inneren Obefläche 136 der zweiten Kathode 120 ist das zweite Target 138 angeordnet. Bei diesem Ausführungsbeispiel besteht das zweite Target 138 aus Siliciumdioxyd (SiO&sub2;). Direkt hinter der zweiten Kathode 126 ist eine zweite Kühlspirale 152 angeordnet. Ebenfalls hinter der zweiten Kathode 120 und auf einer Außenfläche 115 des zweiten Deckels 114 ist eine zweite Magnetanordnung 140 angeordnet. Die zweite Magnetanordnung 140 ist identisch zu der ersten Magnetanordnung 40 konfiguriert. Es sei ebenfalls vermerkt, daß das zweite Target 138 und die zweite Kathode 120 so angeordnet sind, daß das zweite Target 138 parallel zu der Abschirmungsanordnung 70 ist, wie dies bei dem ersten Target 38 und der ersten Kathode 20 der Fall war.
- Es versteht sich, daß die erste Kathode 20 und das erste Target 38 als ein einziges Stück aufgebaut sein können. Ebenfalls kann das erste Target 38 einfach eine dünne Materialschicht auf der Oberfläche 36 der ersten Kathode 20 sein. Alternativ können die erste Kathode 20 und das erste Target 38 getrennte Teile sein. Das gleiche gilt für die zweite Kathode 120 und das zweite Target 138.
- Um Material auf das Substrat 50 von dem zweiten Target 138 zu zerstäuben, muß die Substrat-Handhabungseinrichtung 80 neu positioniert werden, um benachbart zu dem zweiten Target 138 zu sein. Dies wird verwirklicht durch eine Verschiebeeinrichtung (nicht dargestellt), die in der Lage ist, die Substrat-Handhabungseinrichtung 80 von einer ersten Position in Nachbarschaft zu dem ersten Target 38 in eine zweite Position in Nachbarschaft zu dem zweiten Target 138 zu bewegen. Um das zweite Target 138 zu zerstäuben, muß der Targetschalter 32 in eine Position bewegt werden, die erlaubt, die zweite Kathode 120 an Spannung zu legen.
- Die Zerstäubung von dem zweiten Target 138 ist identisch in der Wirkungsweise zu der Zerstäubung von dem ersten Target 38.
- Es versteht sich, daß nur eine einzige Targetanordnung benötigt wird, wenn es erwünscht ist, daß die Substrate nur mit einem Material beschichtet werden. Die Gleichförmigkeit der Beschichtung wird weiterhin verbessert durch Drehung der Substrate 50 um das Target, wie dies zuvor beschrieben wurde.
Claims (9)
1. Magnetron-Zerstäubungseinrichtung zur Verwendung bei der Ablagerung eines
Dünnfilmmaterials auf einem Substrat, umfassend:
eine luftdichte Zerstäubungskammer (10), die einen Gasdruck aufrechterhalten
kann, der für eine Entladung erforderlich ist und eine im wesentlichen zylindrische
Außenwand (12) und eine erste (14) und eine zweite Abdeckung (114) senkrecht zu
einer zentralen Achse der zylindrischen Außenwand besitzt;
eine Kathodenanordnung (19) innerhalb der Kammer in enger Nachbarschaft zu der
ersten Abdeckung (14) der Kammer, wobei die Kathodenanordnung ein
Schichtmaterial (38) auf einer ebenen Schichtoberfläche der Kathodenanordnung
gegenüber der ersten Abdeckung aulweist;
eine Magnetanordnung (40) hinter der Kathodenanordnung und gegenüber der
Schichtoberfläche, wobei die Magnetanordnung magnetische Krafilinien besitzt, die
aus der Schichtoberfläche austreten und zu dieser zurückkehren;
eine Hochfrequenzquelle (26) mit einem elektrischen Potential und einem Paar von
Kontakten, wobei ein erster Kontakt elektrisch mit der Kammer und ein zweiter
Kontakt elektrisch mit der Kathodenanordnung (19) verbunden ist; und
eine Substrat-Handhabungseinrichtung (80) innerhalb der Kammer zum Halten
mehrerersubstrate (50), dadurch gekennzeichnet, daß die Substrat-
Handhabungseinrichtung (80) in einer solchen Ausrichtung angeordnet ist, daß die
zu beschichtende Substratoberfläche senkrecht und benachbart zu der
Schichtoberfläche ist, daß die Substrat-Handhabungseinrichtung die Substrate zu
einer Drehung um eine erste Achse (90) veranlaßt, die senkrecht zu der
Schichtoberfläche gerichtet ist und die Substrate zu einer Drehung um eine zweite
Achse (92) veranlaßt, die parallel zu der Schichtoberfläche gerichtet ist.
2. Magnetron-Zerstäubungseinrichtung nach Anspruch 1, insbesondere zur
Verwendung beim Aufbau von Spiegeln durch Zerstäubung einer Kombination von
abwechselnden Materialschichten auf einem Substrat, dadurch
gekennzeichnet, daß
a) die Kathodenanordnung umfaßt:
a1) eine erste innerhalb der Kammer (10) in enger Nachbarschaft zu der
ersten Abdeckung (14) angeordnete Kathodenanordnung (19), wobei die
erste Kathodenanordnung ein erstes Schichtmaterial (38) auf einer ersten
Schichtoberfläche der ersten Kathodenanordnung aufweist und die erste
Schichtoberfläche entgegengesetzt zu der ersten Abdeckung und
senkrecht zur zentralen Achse angeordnet ist; und
a2) eine zweite innerhalb der Kammer in enger Nachbarschaft zu der zweiten
Abdeckung (114) der Kammer (10) angeordnete Kathodenanordnung
(119), wobei ein zweites Schichtmaterial (138) auf einer zweiten
Schichtoberfläche der zweiten Kathodenanordnung angeordnet ist und
die zweite Schichtoberfläche entgegengesetzt zu der zweiten Abdeckung
und parallel zu der ersten Schichtoberfläche angeordnet ist;
b) eine Zerstäubungsabschirmung (70), die zwischen der ersten
Kathodenanordnung (19) und der zweiten Kathodenanordnung (119)
angeordnet ist, wobei die Zerstäubungsabschirmung das erste Schichtmaterial
auf einer Oberfläche gegenüber der ersten Kathodenanordnung und das zweite
Schichtmaterial auf einer Oberfläche gegenüber der zweiten
Kathodenanordnung trägt;
c) die Magnetanordnung umfaßt:
c1) eine erste Magnetanordnung (40) hinter der ersten Kathodenanordnung
(19) und entgegengesetzt zu der ersten Schichtoberfläche, wobei die erste
Magnetanordnung magnetische Kraftlinien besitzt, die die erste
Schichtoberfläche verlassen und zu der ersten Schichtoberfläche
zurückkehren;
c2) eine zweite Magnetanordnung (140) hinter der zweiten
Kathodenanordnung (119) und entgegengesetzt zu der zweiten
Schichtoberfläche, wobei die zweite Magnetanordnung magnetische
Kraftlinien besitzt, die die zweite Schichtoberfläche verlassen und zu der
zweiten Schichtoberfläche zurückkehren; und
d) die Hochfrequenzquelle (26) umschaltbar ist, indem sie mit einem Kontakt an
die Kammer angeschlossen ist und mit einem zweiten Kontakt schaltbar
entweder mit der ersten Kathodenanordnung (19) oder der zweiten
Kathodenanordnung (119) verbindbar ist; und
e) die Substrat-Handhabungseinrichtung (80) zum Positionieren der Substrate in
einer von mehreren Positionen angeordnet ist, wobei eine erste Position
dergestalt ist, daß ein radialer Vektor senkrecht zur Substratoberfläche die
zentrale Achse zwischen der ersten Kathodenanordnung (19) und der
Zerstäubungsabschirmung (70) senkrecht schneidet und eine zweite Position
dergestalt ist, daß ein radialer Vektor senkrecht zur Substratoberfläche die
zentrale Achse zwischen der zweiten Kathodenanordnung (119) und der
Zerstäubungsabschirmung (70) senkrecht schneidet.
3. Zerstäubungseinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die Substrat-Handhabungseinrichtung ein ringförmiges Element
(80) mit mehreren auf dessen Innenseite befindlichen Substrathaltem (86) umfaßt,
wobei die Substrathalter um eine radiale Achse (92) des ringförmigen Elementes
gedreht werden können.
4. Zerstäubungseinrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die Substrathalter (86) elektrisch mit einer im voraus festgelegten
Grundspannung vorgespannt sind.
5. Zerstäubungseinrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Substrat-Handhabungseinrichtung eine erste Dreheinrichtung aufweist, um
die Substrate um die zentrale Achse zu drehen und eine zweite Dreheinrichtung
aufweist, um die Substrate um eine Achse senkrecht zu der Substratoberfläche zu
drehen.
6. Zerstäubungseinrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die erste und zweite Schichtoberfläche kreisförmig ist.
7. Zerstäubungseinrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die erste Magnetanordnung (40) den Austritt der magnetischen Kraftlinien aus
der ersten Schichtoberfläche (38) in einem zentralen Teil und ein radiales
Erstrecken nach außen veranlaßt, bis die Kraftlinien zu der ersten Schichtoberfläche
an einem äußeren Teil zurückkehren und wobei die zweite Magnetanordnung (140)
den Austritt der magnetischen Kraftlinien aus der zweiten Schichtoberfläche (138)
in einem zentralen Teil und ein radiales Erstrecken nach außen veranlassen, bis die
Kraftlinien zu der zweiten Schichtoberfläche an einem äußeren Teil zurückkehren.
8. Zerstäubungseinrichtung nach Anspruch 2, dadurchge kennzeichnet,
daß die Zerstäubungsabschirmung (70) ein erstes Schichtmaterial auf einer
Oberfläche parallel und gegenüber der ersten Schichtoberfläche aufweist und daß
die Zerstäubungsabschirmung das zweite Schichtmaterial auf einer Oberfläche
parallel und gegenüber der zweiten Schichtoberfläche aufweist.
9. Verfahren zum Beschichten eines Substrates mit mehreren Dünnfilmen, umfassend
die Schritte:
a. Positionieren eines Substrates (50) gegenüber einer ersten Kathode (19), so
daß das Substrat senkrecht zu einer ersten Schichtoberfläche der ersten
Kathode ist, wobei die erste Kathode und das Substrat beide innerhalb einer
gasgefüllten Kammer angeordnet sind;
b. Anlegen eines elektrischen Potentiales zwischen der ersten Kathode und der
gasgefüllten Kammer zur Bildung einer Gasentladung innerhalb der
gasgefüllten Kammer und dadurch Hervorrufen einer Zerstäubung von
Material von der Schichtoberfläche auf das Substrat und Drehung des
Substrates und eine Achse, welche senkrecht zu der ersten Schichtoberfläche
ist und gleichzeitige Drehung des Substrates um eine Achse, welche
senkrecht zu der Oberfläche des Substrates ist:
c. erneute Positionierung des Substrates (50) gegenüber der zweiten Kathode
(119), so daß das Substrat senkrecht zu einer zweiten Schichtoberfläche der
zweiten Kathode ist, wobei die zweite Kathode und das Substrat beide
innerhalb einer gasgefüllten Kammer angeordnet sind;
d. Anlegen eines elektrischen Potentials zwischen der zweiten Kathode und der
gasgefüllten Kammer, um eine Gasentladung innerhalb der gasgefüllten
Kammer zu bilden und dadurch die Zerstäubung von Material von der
zweiten Schichtoberfläche auf das Substrat hervorzurufen und gleichzeitige
Drehung des Substrates um eine Achse, welche senkrecht zu der zweiten
Schichtoberfläche ist, während das Substrat gleichzeitig um eine Achse
gedreht wird, die senkrecht zu der Oberfläche des Substrates ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/986,834 US5328582A (en) | 1992-12-04 | 1992-12-04 | Off-axis magnetron sputter deposition of mirrors |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69305725D1 DE69305725D1 (de) | 1996-12-05 |
DE69305725T2 true DE69305725T2 (de) | 1997-03-20 |
Family
ID=25532799
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69305725T Expired - Fee Related DE69305725T2 (de) | 1992-12-04 | 1993-11-30 | Magnetron-Zerstäubungsvorrichtung und Dünnfilm-Beschichtungsverfahren |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5328582A (de) |
EP (1) | EP0600429B1 (de) |
DE (1) | DE69305725T2 (de) |
HK (1) | HK1008111A1 (de) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5482604A (en) * | 1994-01-27 | 1996-01-09 | Honeywell Inc. | Off-axis radio frequency diode apparatus for sputter deposition of RLG mirrors |
US6045670A (en) * | 1997-01-08 | 2000-04-04 | Applied Materials, Inc. | Back sputtering shield |
US5985115A (en) * | 1997-04-11 | 1999-11-16 | Novellus Systems, Inc. | Internally cooled target assembly for magnetron sputtering |
JP3886209B2 (ja) * | 1997-06-02 | 2007-02-28 | 貞夫 門倉 | 対向ターゲット式スパッタ装置 |
DE19743904C2 (de) * | 1997-10-04 | 2001-12-13 | Deutsch Zentr Luft & Raumfahrt | Wärmedämmschichten auf einkristallinen und polykristallinen Metallsubstraten mit einer verbesserten kristallographischen Beziehung zwischen Schicht und Substrat |
US5935397A (en) * | 1998-04-30 | 1999-08-10 | Rockwell Semiconductor Systems, Inc. | Physical vapor deposition chamber |
US9708706B2 (en) * | 2011-11-30 | 2017-07-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | PVD apparatus and method with deposition chamber having multiple targets and magnets |
WO2014125091A1 (en) * | 2013-02-14 | 2014-08-21 | Universiteit Gent | Deposition tool for combinatorial thin film material libraries |
WO2015112661A1 (en) * | 2014-01-23 | 2015-07-30 | Isoflux Incorporated | Open drift field sputtering cathode |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4041353A (en) * | 1971-09-07 | 1977-08-09 | Telic Corporation | Glow discharge method and apparatus |
US3878085A (en) * | 1973-07-05 | 1975-04-15 | Sloan Technology Corp | Cathode sputtering apparatus |
JPS51117933A (en) * | 1975-04-10 | 1976-10-16 | Tokuda Seisakusho | Spattering apparatus |
US4100055A (en) * | 1977-06-10 | 1978-07-11 | Varian Associates, Inc. | Target profile for sputtering apparatus |
US4297189A (en) * | 1980-06-27 | 1981-10-27 | Rockwell International Corporation | Deposition of ordered crystalline films |
US4361472A (en) * | 1980-09-15 | 1982-11-30 | Vac-Tec Systems, Inc. | Sputtering method and apparatus utilizing improved ion source |
US4401539A (en) * | 1981-01-30 | 1983-08-30 | Hitachi, Ltd. | Sputtering cathode structure for sputtering apparatuses, method of controlling magnetic flux generated by said sputtering cathode structure, and method of forming films by use of said sputtering cathode structure |
CA1184877A (en) * | 1982-05-12 | 1985-04-02 | James B. Webb | Method and apparatus for depositing conducting oxide on a substrate |
US4437961A (en) * | 1982-08-19 | 1984-03-20 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Method for sequentially processing a multi-level interconnect circuit in a vacuum chamber |
US4415427A (en) * | 1982-09-30 | 1983-11-15 | Gte Products Corporation | Thin film deposition by sputtering |
JPS5974648A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-04-27 | Hitachi Ltd | スパツタ装置 |
US4512284A (en) * | 1983-12-19 | 1985-04-23 | Rca Corporation | Glow discharge apparatus for use in coating a disc-shaped substrate |
DE3503398A1 (de) * | 1985-02-01 | 1986-08-07 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau | Sputteranlage zum reaktiven beschichten eines substrates mit hartstoffen |
US5084151A (en) * | 1985-11-26 | 1992-01-28 | Sorin Biomedica S.P.A. | Method and apparatus for forming prosthetic device having a biocompatible carbon film thereon |
JPS63206462A (ja) * | 1987-02-24 | 1988-08-25 | Kawatetsu Kogyo Kk | 導電性又は超伝導性薄膜の製造方法 |
DE3709177A1 (de) * | 1987-03-20 | 1988-09-29 | Leybold Ag | Verfahren und vorrichtung zur regelung der reaktiven schichtabscheidung auf substraten mittels magnetronkatoden |
DE4017111C2 (de) * | 1990-05-28 | 1998-01-29 | Hauzer Holding | Lichtbogen-Magnetron-Vorrichtung |
EP0295649B1 (de) * | 1987-06-16 | 1994-12-14 | Hitachi, Ltd. | Magnetron-Zerstäubungsgerät und Verfahren zur Anwendung desselben zur Schichtenherstellung |
US4963524A (en) * | 1987-09-24 | 1990-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sputtering device for manufacturing superconducting oxide material and method therefor |
US5124013A (en) * | 1988-02-08 | 1992-06-23 | Optical Coating Laboratory, Inc. | High ratio planetary drive system and method for vacuum chamber |
US4851095A (en) * | 1988-02-08 | 1989-07-25 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Magnetron sputtering apparatus and process |
FR2660106B1 (fr) * | 1990-03-23 | 1994-05-13 | Commissariat A Energie Atomique | Dispositif pour rendre homogene l'implantation d'ions sur la surface d'echantillons plans. |
-
1992
- 1992-12-04 US US07/986,834 patent/US5328582A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-11-30 EP EP93119247A patent/EP0600429B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-11-30 DE DE69305725T patent/DE69305725T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-06-27 HK HK98107302A patent/HK1008111A1/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69305725D1 (de) | 1996-12-05 |
EP0600429A1 (de) | 1994-06-08 |
HK1008111A1 (en) | 1999-04-30 |
EP0600429B1 (de) | 1996-10-30 |
US5328582A (en) | 1994-07-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69204670T2 (de) | Sanftaetz-einheit fuer modulare bearbeitungsanlagen und ecr-plasmaerzeuger fuer eine solche einheit. | |
DE3854276T2 (de) | Kathodenzerstäubungsverfahren und Vorrichtung zur Durchführung desselben. | |
EP0603587B1 (de) | Plasmaerzeugungsvorrichtung | |
DE3885706T2 (de) | Magnetron-Bedampfungssystem zum Ätzen oder Niederschlagen. | |
DE4125110C2 (de) | Magnetron-Zerstäubungskathode für Vakuumbeschichtungsanlagen | |
EP2018653B1 (de) | Arcquelle und magnetanordnung | |
DE19830223C1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum mehrlagigen PVD - Beschichten von Substraten | |
CH659484A5 (de) | Anordnung zur beschichtung von substraten mittels kathodenzerstaeubung. | |
EP0493647B1 (de) | Zerstäubungskathode für die Beschichtung von Substraten in Katodenzerstäubungsanlagen | |
EP0550003B1 (de) | Vakuumbehandlungsanlage und deren Verwendungen | |
DE4117518A1 (de) | Vorrichtung zum sputtern mit bewegtem, insbesondere rotierendem target | |
DE2707144A1 (de) | Kathodenzerstaeubungsvorrichtung | |
DE4126236C2 (de) | Rotierende Magnetron-Kathode und Verwendung einer rotierenden Magnetron-Kathode | |
WO2008067969A1 (de) | Vakuumbeschichtungsanlage zur homogenen pvd-beschichtung | |
EP1186681B1 (de) | Vakuumanlage mit koppelbarem Werkstückträger | |
DE2208032A1 (de) | Zerstäubungsvorrichtung | |
WO2000039355A1 (de) | Verfahren und einrichtung zum beschichten von substraten mittels bipolarer puls-magnetron-zerstäubung und deren anwendung | |
DE69305725T2 (de) | Magnetron-Zerstäubungsvorrichtung und Dünnfilm-Beschichtungsverfahren | |
EP0888463A1 (de) | Einrichtung zum vakuumbeschichten von schüttgut | |
DE10196150T5 (de) | Magnetron-Sputtern | |
DE69017555T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Sputterauftragen von Filmen. | |
DE2115590A1 (en) | Cathode sputtering device - has cathode with projecting rim | |
EP1874977B8 (de) | Verfahren und vorrichtung zum beschichten von substraten | |
EP0371252A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Ätzen von Substraten mit einer magnetfeldunterstützten Niederdruck-Entladung | |
DE102005019100B4 (de) | Magnetsystem für eine Zerstäubungskathode |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |