DE1953659B2 - Ionenquelle für die Zerstäubung mit langsamen Ionen - Google Patents

Ionenquelle für die Zerstäubung mit langsamen Ionen

Info

Publication number
DE1953659B2
DE1953659B2 DE1953659A DE1953659A DE1953659B2 DE 1953659 B2 DE1953659 B2 DE 1953659B2 DE 1953659 A DE1953659 A DE 1953659A DE 1953659 A DE1953659 A DE 1953659A DE 1953659 B2 DE1953659 B2 DE 1953659B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
ion source
ions
anode
cathode
atomization
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE1953659A
Other languages
English (en)
Other versions
DE1953659C3 (de
DE1953659A1 (de
Inventor
Norbert Ernst Fritz 5100 Aachen Hansen
Walter Fritz Konrad 5104 Eilendorf Littmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority to DE1953659A priority Critical patent/DE1953659C3/de
Priority to AU20235/70A priority patent/AU2023570A/en
Priority to US00080972A priority patent/US3719582A/en
Priority to NL7015117A priority patent/NL7015117A/xx
Priority to CH1530770A priority patent/CH515341A/de
Priority to GB49277/70A priority patent/GB1270496A/en
Priority to JP45090925A priority patent/JPS513119B1/ja
Priority to FR7037648A priority patent/FR2066179A5/fr
Publication of DE1953659A1 publication Critical patent/DE1953659A1/de
Publication of DE1953659B2 publication Critical patent/DE1953659B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1953659C3 publication Critical patent/DE1953659C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/46Sputtering by ion beam produced by an external ion source
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00Ion beam tubes
    • H01J27/02Ion sources; Ion guns
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Particle Accelerators (AREA)
  • Welding Or Cutting Using Electron Beams (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Ionenquelle für die Zerstäubung mit langsamen Ionen, in der die Ionen in einer unselbständigen Entladung erzeugt werden, die mindestens teilweise in einem axialen Magnetfeld von einigen 10~2 T verläuft, wobei die Anode aus einem Hohl-Zylinder besteht, in dem sich an einem Ende die Glühkathode befindet.
Eine derartige Ionenquelle ist in »The Review of Scientific Instruments« 38 (1967) 5, 621 -624, beschrieben. Die Glühkathode ist bei dieser Ionenquelle von einem auf Kathodenpotential liegenden Becher umgeben, der die Entladung in das Innere des durch die Anode gebildeten Entladungsraums richtet. Die durch die Entladung erzeugten Ionen werden mit einer Spannung von 10 bis 15 kV abgesaugt. Die Energie, auf die die Ionen dabei beschleunigt werden, ist für viele Zerstäubungszwecke zu hoch.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Ionenquelle für die Zerstäubung mit langsamen Ionen anzugeben, in der nur Ionen mit kleinen Primärenergien gebildet werden und welche große Ionenströme ergibt.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Kathode, in axialer Richtung gesehen, zwischen zwei miteinander verbundenen und ein schwebendes Potential führenden Schirmplatten angeordnet ist.
Aufgrund der gegenseitigen Anordnung der beiden Elektroden zum Magnetfeld bildet sich bei einer Brennspannung von höchstens 30 bis 40 V bei einem Argondruck von etwa 1,3 ■ 10~3 mbar eine sehr intensive Entladung aus, welche abhängig von den Abmessungen in der Größenanordnung von 10 A liegt.
Das Plasma dieser Entladung dehnt sich von dem offenen Ende der Anode, an dem die Kathode nicht liegt, im Vakuurnraum aus, und aus diesem Plasma können die Ionen, die Primärenergien haben, die immer höchstens gleich der Brennspannung sind, also 30 bis 40 V, von elektrischen Feldern und gegebenenfalls magnetischen Feldern zu den Targetplatten gerichtet werden. Das außerhalb der Anode ziemlich schwache Magnetfeld der Hauptentladung beeinflußt die Bahn der Ionen und der Zerstäubungsprodukte nur in geringem Maße. Die Aufstellung des Targets und des Substrats kann hierbei also ziemlich willkürlich sein.
Um den Zerstäubungsraum vor Verdampfungsprodukten der Kathode zu schützen, befindet sich vor der
is Kathode in Richtung auf den Zerstäubungsraum eine Schirmplatte, die ein schwebendes Potential aufweist. Auch an der anderen Seite der Kathode ist eine Schirmplatte vorhanden, die vorzugsweise mit einer die Anode umgebenden hohlzylinderförmigen Abschirm- elektrode verbunden ist Die beiden SchirmpJatten werden zweckmäßig miteinander verbunden. Die niedrige Brennspannung bedeutet, daß keine unkontrollierte Zerstäubung der Apparatur auftritt, während dagegen ein Plasma für die erwünschte Zerstäubung mit hoher Intensität zur Verfügung steht.
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher erläutert, die schematisch eine Ionenquelle nach der Erfindung zeigt.
Die Glühkathode 1 ist an dem einen Ende der zylindrischen Anode 2 aufgestellt, die aus vom Kühlmittel durchflossenen Kupferrohr besteht 3 ist eine Abschirmplatte, die mit der zweiten Schirmplatte 4 durch zwei Stützstäbe 5 verbunden ist. Die Schirmplatte 4 trägt die kupferne Abschirmelektrode 6. Sämtliche Elektroden werden von Durchführungen 7 in der Form von Stäben oder Kupferröhren getragen. Diese sind in Glasröhren 8 auf der Tragplatte 9 befestigt Die Tragplatte 9 ist in einem Flansch 10 befestigt, der an dem Flansch 11 des Gehäuseteiis 12 durch Bolzen festgeschraubt ist Eine Magnetspule 13 umgibt die Anodenmitte. Seitlich der Achse der Anode 2 ist das Target H aufgestellt, gegenüber diesem das nicht gezeichnete Substrat Ein elektrischer Schirm ist mit 15 angedeutet und ein Hilfsmagnet mit 16.
Herrscht im Entladungsraum ein Argondruck von 1,3-10-3 mbar und beträgt die magnetische Flußdichte 5· 10-2 T, so beträgt der Entladungsstrom 12 A bei einer Brennspannung von 30 V. Dabei hat die Anode einen Durchmesser von 6 cm und eine Länge von 10 cm. Die Kathode hat eine Heizenergie von 250 W.
Bei einer Targetspannung von 300 V negativ können Targetströme von 20 mA/cm2 erreicht werden, so daß hohe Zerstäubungsraten möglich sind.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Ionenquelle für die Zerstäubung mit langsamen Ionen, in der die Ionen in einer unselbständigen Entladung erzeugt werden, die mindestens teilweise in einem axialen Magnetfeld von einigen ΙΟ-2 Τ verläuft, wobei die Anode aus einem Hohl-Zylinder besteht, in dem sich an einem Ende die Glühkathode befindet, dadurch gekennzeichnet, daß die Kathode (1), in axialer Richtung gesehen, zwischen zwei miteinander verbundenen und ein schwebendes Potential führenden Schirmplatten (3,4) angeordnet ist
2. Ionenquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die der Ionenaustrittsöffnung abgewandte Schirmplatte (4) eine hohlzylinderförmige Abschirmelektrode (6) trägt, die die Anode (1) umgibt.
DE1953659A 1969-10-21 1969-10-21 Ionenquelle für die Zerstäubung mit langsamen Ionen Expired DE1953659C3 (de)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1953659A DE1953659C3 (de) 1969-10-21 1969-10-21 Ionenquelle für die Zerstäubung mit langsamen Ionen
AU20235/70A AU2023570A (en) 1969-10-21 1970-09-23 Ion source for slow ion sputtering
NL7015117A NL7015117A (de) 1969-10-21 1970-10-15
US00080972A US3719582A (en) 1969-10-21 1970-10-15 Ion source for slow-ion sputtering
CH1530770A CH515341A (de) 1969-10-21 1970-10-16 Ionenquelle für die Zerstäubung mit langsamen Ionen
GB49277/70A GB1270496A (en) 1969-10-21 1970-10-16 Ion source for slow-ion sputtering
JP45090925A JPS513119B1 (de) 1969-10-21 1970-10-17
FR7037648A FR2066179A5 (de) 1969-10-21 1970-10-19

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1953659A DE1953659C3 (de) 1969-10-21 1969-10-21 Ionenquelle für die Zerstäubung mit langsamen Ionen

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1953659A1 DE1953659A1 (de) 1971-04-29
DE1953659B2 true DE1953659B2 (de) 1978-05-18
DE1953659C3 DE1953659C3 (de) 1979-01-25

Family

ID=5749151

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1953659A Expired DE1953659C3 (de) 1969-10-21 1969-10-21 Ionenquelle für die Zerstäubung mit langsamen Ionen

Country Status (8)

Country Link
US (1) US3719582A (de)
JP (1) JPS513119B1 (de)
AU (1) AU2023570A (de)
CH (1) CH515341A (de)
DE (1) DE1953659C3 (de)
FR (1) FR2066179A5 (de)
GB (1) GB1270496A (de)
NL (1) NL7015117A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3707545A1 (de) * 1987-02-03 1988-08-11 Balzers Hochvakuum Anordnung zur stabilisierung eines lichtbogens zwischen einer anode und einer kathode

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3793179A (en) * 1971-07-19 1974-02-19 L Sablev Apparatus for metal evaporation coating
DE2621824C2 (de) * 1976-05-17 1982-04-29 Hitachi, Ltd., Tokyo Mikrowellen-Entladungs-Ionenquelle
JPS5623290U (de) * 1979-07-25 1981-03-02
US4512867A (en) * 1981-11-24 1985-04-23 Andreev Anatoly A Method and apparatus for controlling plasma generation in vapor deposition
JPS60190493U (ja) * 1984-05-30 1985-12-17 ダイセル化学工業株式会社 仮付治具
US5215640A (en) * 1987-02-03 1993-06-01 Balzers Ag Method and arrangement for stabilizing an arc between an anode and a cathode particularly for vacuum coating devices
CA2065581C (en) 1991-04-22 2002-03-12 Andal Corp. Plasma enhancement apparatus and method for physical vapor deposition
EP1078111B1 (de) * 1998-05-14 2005-12-28 KAUFMAN & ROBINSON, INC. Verfahren zur sputterbeschichtung
EE200900010A (et) * 2008-02-13 2009-10-15 Krimanov Aleksander Ioonide voolu juhtimise meetod ja seade

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3707545A1 (de) * 1987-02-03 1988-08-11 Balzers Hochvakuum Anordnung zur stabilisierung eines lichtbogens zwischen einer anode und einer kathode

Also Published As

Publication number Publication date
NL7015117A (de) 1971-04-23
US3719582A (en) 1973-03-06
AU2023570A (en) 1972-03-30
DE1953659C3 (de) 1979-01-25
CH515341A (de) 1971-11-15
DE1953659A1 (de) 1971-04-29
GB1270496A (en) 1972-04-12
JPS513119B1 (de) 1976-01-31
FR2066179A5 (de) 1971-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0208894B1 (de) Flugzeit-Massenspektrometer mit einem Ionenreflektor
DE3004546C2 (de) Penning-Zerstäubungsquelle
DE2463431C2 (de)
EP0396019A2 (de) Ionen-Zyklotron-Resonanz-Spektrometer
DE3050343T1 (de) Entrichtung zur Bestrahlung von Objekten mit Elektronen
EP0558797B1 (de) Vorrichtung zur Kathodenzerstäubung
DE1156515B (de) Vorrichtung zur Erzeugung negativer Ionen
DE1953659C3 (de) Ionenquelle für die Zerstäubung mit langsamen Ionen
DE2445603B2 (de) Ionenquelle
DE112009001457T5 (de) Sputter-Vorrichtung
DE3881579T2 (de) Ionenquelle.
DE3424449A1 (de) Quelle fuer negative ionen
DE1521363B2 (de) Vorrichtung zur Überwachung der Aufdampfung in einer Vakuumanlage
DE69609358T2 (de) Ionenquelle zur erzeugung von ionen aus gas oder dampf
DE2738918A1 (de) Ionisationskammer
DE3438987A1 (de) Auger-elektronenspektrometer mit hoher aufloesung
DE2016038B2 (de) Ionenquelle
DE2527609C3 (de) Ionenquelle
DE19928053C2 (de) Anordnung zur Erzeugung eines Niedertemperaturplasmas durch eine magnetfeldgestützte Kathodenentladung
DE2037030C1 (de) Einrichtung zur Trennung von Isotopen durch Zentrifugalkräfte
DE2528032A1 (de) Elektronenkanone fuer heiz-, schmelz- und verdampfungszwecke
DE2228117A1 (de) Hohlkathoden-duoplasmatron-ionenquelle
EP0087152A2 (de) Sekundärelektronen-Spektrometer und Verfahren zu seinem Betrieb
DE1514360C3 (de) Elektronenkanone für eine Kathodenstrahlröhre
DE1615448C (de) Vorrichtung zur Bearbeitung von Materia hen mittels eines Elektronenstrahls

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee