DE1953659B2 - Ionenquelle für die Zerstäubung mit langsamen Ionen - Google Patents
Ionenquelle für die Zerstäubung mit langsamen IonenInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Ionenquelle für die Zerstäubung mit langsamen Ionen, in der die Ionen
in einer unselbständigen Entladung erzeugt werden, die mindestens teilweise in einem axialen Magnetfeld von
einigen 10~2 T verläuft, wobei die Anode aus einem Hohl-Zylinder besteht, in dem sich an einem Ende die
Glühkathode befindet.
Eine derartige Ionenquelle ist in »The Review of Scientific Instruments« 38 (1967) 5, 621 -624, beschrieben.
Die Glühkathode ist bei dieser Ionenquelle von einem auf Kathodenpotential liegenden Becher umgeben,
der die Entladung in das Innere des durch die Anode gebildeten Entladungsraums richtet. Die durch
die Entladung erzeugten Ionen werden mit einer Spannung von 10 bis 15 kV abgesaugt. Die Energie, auf
die die Ionen dabei beschleunigt werden, ist für viele Zerstäubungszwecke zu hoch.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Ionenquelle für die Zerstäubung mit langsamen Ionen
anzugeben, in der nur Ionen mit kleinen Primärenergien gebildet werden und welche große Ionenströme ergibt.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Kathode, in axialer Richtung gesehen, zwischen
zwei miteinander verbundenen und ein schwebendes Potential führenden Schirmplatten angeordnet ist.
Aufgrund der gegenseitigen Anordnung der beiden Elektroden zum Magnetfeld bildet sich bei einer
Brennspannung von höchstens 30 bis 40 V bei einem Argondruck von etwa 1,3 ■ 10~3 mbar eine sehr intensive
Entladung aus, welche abhängig von den Abmessungen in der Größenanordnung von 10 A liegt.
Das Plasma dieser Entladung dehnt sich von dem offenen Ende der Anode, an dem die Kathode nicht
liegt, im Vakuurnraum aus, und aus diesem Plasma können die Ionen, die Primärenergien haben, die immer
höchstens gleich der Brennspannung sind, also 30 bis 40 V, von elektrischen Feldern und gegebenenfalls
magnetischen Feldern zu den Targetplatten gerichtet werden. Das außerhalb der Anode ziemlich schwache
Magnetfeld der Hauptentladung beeinflußt die Bahn der Ionen und der Zerstäubungsprodukte nur in geringem
Maße. Die Aufstellung des Targets und des Substrats kann hierbei also ziemlich willkürlich sein.
Um den Zerstäubungsraum vor Verdampfungsprodukten der Kathode zu schützen, befindet sich vor der
is Kathode in Richtung auf den Zerstäubungsraum eine
Schirmplatte, die ein schwebendes Potential aufweist. Auch an der anderen Seite der Kathode ist eine
Schirmplatte vorhanden, die vorzugsweise mit einer die Anode umgebenden hohlzylinderförmigen Abschirm-
elektrode verbunden ist Die beiden SchirmpJatten werden zweckmäßig miteinander verbunden. Die
niedrige Brennspannung bedeutet, daß keine unkontrollierte Zerstäubung der Apparatur auftritt, während
dagegen ein Plasma für die erwünschte Zerstäubung mit hoher Intensität zur Verfügung steht.
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher erläutert, die schematisch eine Ionenquelle nach der
Erfindung zeigt.
Die Glühkathode 1 ist an dem einen Ende der zylindrischen Anode 2 aufgestellt, die aus vom Kühlmittel durchflossenen Kupferrohr besteht 3 ist eine Abschirmplatte, die mit der zweiten Schirmplatte 4 durch zwei Stützstäbe 5 verbunden ist. Die Schirmplatte 4 trägt die kupferne Abschirmelektrode 6. Sämtliche Elektroden werden von Durchführungen 7 in der Form von Stäben oder Kupferröhren getragen. Diese sind in Glasröhren 8 auf der Tragplatte 9 befestigt Die Tragplatte 9 ist in einem Flansch 10 befestigt, der an dem Flansch 11 des Gehäuseteiis 12 durch Bolzen festgeschraubt ist Eine Magnetspule 13 umgibt die Anodenmitte. Seitlich der Achse der Anode 2 ist das Target H aufgestellt, gegenüber diesem das nicht gezeichnete Substrat Ein elektrischer Schirm ist mit 15 angedeutet und ein Hilfsmagnet mit 16.
Die Glühkathode 1 ist an dem einen Ende der zylindrischen Anode 2 aufgestellt, die aus vom Kühlmittel durchflossenen Kupferrohr besteht 3 ist eine Abschirmplatte, die mit der zweiten Schirmplatte 4 durch zwei Stützstäbe 5 verbunden ist. Die Schirmplatte 4 trägt die kupferne Abschirmelektrode 6. Sämtliche Elektroden werden von Durchführungen 7 in der Form von Stäben oder Kupferröhren getragen. Diese sind in Glasröhren 8 auf der Tragplatte 9 befestigt Die Tragplatte 9 ist in einem Flansch 10 befestigt, der an dem Flansch 11 des Gehäuseteiis 12 durch Bolzen festgeschraubt ist Eine Magnetspule 13 umgibt die Anodenmitte. Seitlich der Achse der Anode 2 ist das Target H aufgestellt, gegenüber diesem das nicht gezeichnete Substrat Ein elektrischer Schirm ist mit 15 angedeutet und ein Hilfsmagnet mit 16.
Herrscht im Entladungsraum ein Argondruck von 1,3-10-3 mbar und beträgt die magnetische Flußdichte
5· 10-2 T, so beträgt der Entladungsstrom 12 A bei einer Brennspannung von 30 V. Dabei hat die Anode einen
Durchmesser von 6 cm und eine Länge von 10 cm. Die Kathode hat eine Heizenergie von 250 W.
Bei einer Targetspannung von 300 V negativ können Targetströme von 20 mA/cm2 erreicht werden, so daß
hohe Zerstäubungsraten möglich sind.
Claims (2)
1. Ionenquelle für die Zerstäubung mit langsamen Ionen, in der die Ionen in einer unselbständigen
Entladung erzeugt werden, die mindestens teilweise in einem axialen Magnetfeld von einigen ΙΟ-2 Τ
verläuft, wobei die Anode aus einem Hohl-Zylinder besteht, in dem sich an einem Ende die Glühkathode
befindet, dadurch gekennzeichnet, daß die Kathode (1), in axialer Richtung gesehen, zwischen
zwei miteinander verbundenen und ein schwebendes Potential führenden Schirmplatten (3,4) angeordnet
ist
2. Ionenquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die der Ionenaustrittsöffnung abgewandte
Schirmplatte (4) eine hohlzylinderförmige Abschirmelektrode (6) trägt, die die Anode (1)
umgibt.
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1953659A DE1953659C3 (de) | 1969-10-21 | 1969-10-21 | Ionenquelle für die Zerstäubung mit langsamen Ionen |
AU20235/70A AU2023570A (en) | 1969-10-21 | 1970-09-23 | Ion source for slow ion sputtering |
NL7015117A NL7015117A (de) | 1969-10-21 | 1970-10-15 | |
US00080972A US3719582A (en) | 1969-10-21 | 1970-10-15 | Ion source for slow-ion sputtering |
CH1530770A CH515341A (de) | 1969-10-21 | 1970-10-16 | Ionenquelle für die Zerstäubung mit langsamen Ionen |
GB49277/70A GB1270496A (en) | 1969-10-21 | 1970-10-16 | Ion source for slow-ion sputtering |
JP45090925A JPS513119B1 (de) | 1969-10-21 | 1970-10-17 | |
FR7037648A FR2066179A5 (de) | 1969-10-21 | 1970-10-19 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1953659A DE1953659C3 (de) | 1969-10-21 | 1969-10-21 | Ionenquelle für die Zerstäubung mit langsamen Ionen |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1953659A1 DE1953659A1 (de) | 1971-04-29 |
DE1953659B2 true DE1953659B2 (de) | 1978-05-18 |
DE1953659C3 DE1953659C3 (de) | 1979-01-25 |
Family
ID=5749151
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1953659A Expired DE1953659C3 (de) | 1969-10-21 | 1969-10-21 | Ionenquelle für die Zerstäubung mit langsamen Ionen |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3719582A (de) |
JP (1) | JPS513119B1 (de) |
AU (1) | AU2023570A (de) |
CH (1) | CH515341A (de) |
DE (1) | DE1953659C3 (de) |
FR (1) | FR2066179A5 (de) |
GB (1) | GB1270496A (de) |
NL (1) | NL7015117A (de) |
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DE3707545A1 (de) * | 1987-02-03 | 1988-08-11 | Balzers Hochvakuum | Anordnung zur stabilisierung eines lichtbogens zwischen einer anode und einer kathode |
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- 1969-10-21 DE DE1953659A patent/DE1953659C3/de not_active Expired
-
1970
- 1970-09-23 AU AU20235/70A patent/AU2023570A/en not_active Expired
- 1970-10-15 NL NL7015117A patent/NL7015117A/xx unknown
- 1970-10-15 US US00080972A patent/US3719582A/en not_active Expired - Lifetime
- 1970-10-16 GB GB49277/70A patent/GB1270496A/en not_active Expired
- 1970-10-16 CH CH1530770A patent/CH515341A/de not_active IP Right Cessation
- 1970-10-17 JP JP45090925A patent/JPS513119B1/ja active Pending
- 1970-10-19 FR FR7037648A patent/FR2066179A5/fr not_active Expired
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---|---|
NL7015117A (de) | 1971-04-23 |
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DE1953659A1 (de) | 1971-04-29 |
GB1270496A (en) | 1972-04-12 |
JPS513119B1 (de) | 1976-01-31 |
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