DE2463431C2 - - Google Patents

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten von strei­ fenförmigen Substraten mittels einer Kathodenzerstäubungsvorrich­ tung mit einer das zu zerstäubende und auf einem Substrat abzulagernde Material aufweisenden Kathodenoberfläche, auf der durch von der Kathodenoberfläche ausgehende und zu ihr zurückkehrende Magnetfeldlinien ein Entladungsbereich gebildet ist, der die Form einer in sich geschlossenen Schleife hat, wobei das Substrat nahe dem Entladungsbereich angeordnet wird, damit das zerstäubte Material sich von der Kathodenoberfläche zum Substrat bewegt.
Bei einer bekannten Kathodenzerstäubungsvorrichtung (Research/ Development, Februar 1971, Seiten 40 bis 44) ist die Kathode halbkugelförmig ausgebildet, wobei die Krümmung der Halbkugel der Krümmung der Feldlinien eines Quadrupol-Magnetfeldes ent­ gegengesetzt ist. Diese bekannte Vorrichtung ist aufgrund der halbkugelförmigen Ausbildung der Kathode sehr platzauf­ wendig, und die erzielbare Ablagerungsrate pro Watt ist be­ grenzt. Die Herstellung der halbkugelförmigen Kathode ist relativ aufwendig, und zwar insbesondere dann, wenn spröde und schwer zu bearbeitende Materialien hierfür verwendet wer­ den, was von dem speziellen Beschichtungsproblem abhängt. Die zwei außerhalb der Vakuumkammer angeordneten Magnetspulen für die Erzeugung des Quadrupol-Magnetfeldes erhöhen den Platz­ bedarf der vorbekannten Vorrichtung weiter. Auch die Gleich­ mäßigkeit der mit der bekannten Vorrichtung erzielbaren Be­ schichtungen läßt zu wünschen übrig. Eine kontinuierliche Beschichtung streifenförmiger Substrate ist mit dieser be­ kannten Kathodenzerstäubungsvorrichtung nicht möglich.
Aus der DE-OS 22 64 437, Fig. 10a bis 10d, ist eine Kathoden­ zerstäubungsvorrichtung mit jeweils zwei durch einen diametra­ len oder peripheren Spalt isolierten halbkreisförmigen bzw. kreisförmigen und ringförmigen ebenen Elektroden bekannt, die an eine Hochfrequenz-Spannungsversorgung angeschlossen sind. Auf den Elektroden ist ein Magnetfeldtunnel ausgebildet, der sich jedoch in beiden Ausführungsformen über den Isolations­ spalt zwischen den beiden Elektroden erstreckt, so daß ständig Verluste an Ladungsträgern auftreten. Die mit der vorbekann­ ten Kathodenzerstäubungsvorrichtung erzielbaren Ablagerungs­ raten sind daher sehr gering.
Aus diesem Grunde eignet sich die bekannte Vorrichtung nicht zur wirtschaftlichen, kontinuierlichen Beschichtung von an ihr vorbeigeführten streifenförmigen Substraten, ganz abgesehen davon, daß wegen der Kreissymmetrie keine gleichmäßige Ablage­ rung des zerstäubten Materials auf streifenförmigen Sub­ straten möglich ist.
Eine kontinuierliche Beschichtung von streifenförmigen Sub­ straten mittels Kathodenzerstäubung ist aus der DE-OS 21 17 421 an sich bekannt, ohne daß dort jedoch Maßnahmen zur Erzielung von für technische Zwecke brauchbaren Ablagerungsraten vorge­ sehen sind, so daß mit dem bekannten Verfahren nur sehr geringe Durchsätze von zu beschichtenden Substraten oder nur sehr dünne Beschichtungen möglich sind.
Beim erfindungsgemäßen Verfahren wird daher von der zuerst behandelten Kathodenzerstäubungsvorrichtung (Research/Develop­ ment, Februar 71, Seiten 40 bis 44) ausgegangen, mittels der zwar die Zahl der pro Zeiteinheit auf das Substrat übertragenen zerstäubten Teilchen wesentlich gesteigert werden kann, jedoch die Erzielung einer gleichmäßigen Beschichtung im industriellen Maßstab nicht möglich ist.
Die Aufgabe der Erfindung besteht somit darin, ein Verfahren der eingangs genannten Gattung zu schaffen, mittels dessen streifenförmige Substrate nicht nur bei hoher Ablagerungs­ rate, sondern auch am laufenden Band und besonders gleichmäßig mit dem gewünschten Material beschichtet werden können.
Zur Lösung dieser Aufgabe sieht die Erfindung vor, daß bei Verwendung einer ebenen Kathodenoberfläche und Anordnung der das Magnetfeld erzeugenden Einrichtung auf der vom zu besprühen­ den Substrat abgewandten Seite der Kathodenoberfläche ein Entladungsbereich mit zwei gegenüberliegenden parallelen Seg­ menten ausgebildet wird und daß Substrate mit einer Breite, die geringer ist als die Länge der parallelen Segmente, parallel zur Kathodenoberfläche und senkrecht zu den parallelen Segmenten über den Bereich zwischen den beiden parallelen Segmenten hinwegbewegt werden.
Durch Vorsehen von zwei gegenüberliegenden parallelen Magnet­ feldtunnel-Segmenten auf einer ebenen Kathodenoberfläche und Hinwegführen der entsprechend dimensionierten streifenförmigen Substrate senkrecht zu diesen Segmenten über die Kathodenober­ fläche werden sämtliche Bereiche der zu beschichtenden Substrate in gleicher Weise von dem in sehr konzentrierter Form erzeugten zerstäubten Material beaufschlagt, so daß nicht nur eine hohe Ablagerungsrate, sondern auch ein gleichmäßiger Überzug auf den streifenförmigen Substraten erzielt wird. So können strei­ fenförmige Substrate in wirtschaftlicher Weise am laufenden Band gleichmäßig beschichtet werden.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung näher beschrieben; in dieser zeigt:
Fig. 1 eine Draufsicht auf eine Kathodenzerstäubungsvorrich­ tung, mit der das erfindungsgemäße Verfahren ausge­ führt werden kann, und
Fig. 2 einen Teilschnitt entlang der Linie 2-2 in Fig. 1.
Nach der Zeichnung weist eine ebene Kathode 11 auf der einen Kathodenoberfläche 12 das zu zerstäubende Material auf. Eine auf der von der Kathodenoberfläche 12 abgewandten Seite der Kathode 11 vorgesehene Einrichtung 13 erzeugt ein Magnetfeld, dessen Feldlinien 14 von der Kathodenoberfläche 12 entsprin­ gen, dann bogenförmig über einen Entladungsbereich 15 verlau­ fen und schließlich zur Kathodenoberfläche 12 zurückkehren. Eine rund um die Kathode 11 mit Abstand herumgelegte Anode 16 erzeugt zusammen mit der Kathode 11 ein elektrisches Be­ schleunigungsfeld für elektrisch geladene Teilchen.
Die Kathodenzerstäubungsvorrichtung ist nach Fig. 1 an einem Befestigungsflansch 21 angebracht. Dieser weist eine Dichtungs­ ausnehmung 23 auf, die eine Öffnung 25 im Befestigungsflansch umgibt. Der Flansch ist derart ausgebildet, daß er über einer geeigneten Öffnung in der Wand einer Zerstäubungskammer an­ bringbar ist, welche in der Zeichnung nicht dargestellt ist. Eine Trägerhülse 27 erstreckt sich von dem Befestigungsflansch 21 nach oben und endet in einer Kathodenhalteplatte 29. Wei­ ter ist eine Magnetträgerplatte 31 in einem Abstand unterhalb der Kathodenträgerplatte 29 auf der Hülse 27 angebracht und erstreckt sich von dieser aus radial nach außen. Eine Isolier­ scheibe 22 ist an der Unterseite der Kathodenträgerplatte 29 mittels Schrauben 33 befestigt.
Um die Kathode 11 kühlen zu können, ist eine Kühlplatte 35 durch einen Hochspannungsisolator 37 isoliert auf der Katho­ denträgerplatte 29 befestigt. Die Kühlplatte 35 ist mit ge­ eigneten Kühlkanälen 39 ausgestattet, durch welche über Kühl­ mittelrohre 41, die innerhalb der Hülse 27 angeordnet sind, ein Kühlmittel hindurchgeleitet wird. Die Kühlmittelrohre 41 sind von Isoliermänteln 43 umgeben. Ringförmige Dichtungen 45 sind zwischen dem Hochspannungsisolator 37 und der Kühl­ platte 35 sowie der Kathodenträgerplatte 29 angeordnet, um das Innere der Hülse 27 abzudichten.
Eine becherförmige Kathoden-Dunkelraum-Abschirmung 47 ist an dem Isolator 37 mittels Schrauben 48 befestigt. Die Kathoden- Dunkelraum-Abschirmung 47 weist eine im allgemeinen recht­ eckige Form auf und ist mit einem Umfangsflansch 49 ausgestat­ tet, der sich nach oben erstreckt und den Umfang der Kathode 11 umgibt. Die Abschirmung 47 ist im Abstand von der Kathode 11 angeordnet. Die Kathode 11 ist mittels einer Vielzahl von Schrauben 51 auf einer Befestigungsplatte 50 angebracht, die ihrerseits an der Kühlplatte 35 befestigt ist. Die Schrauben sind durch Abdeckkappen 53 abgedeckt.
Die plattenförmige Kathode 11 weist eine ebene Form auf und besteht aus dem jeweils zur Zerstäubung vorgesehenen Material. Die ebene Kathode ist parallel zur Oberfläche der zu beschich­ tenden Substrate ausgerichtet, welche in einem geringen Ab­ stand von der Kathodenoberfläche entfernt angeordnet wird, um das von der plattenförmigen Kathode 11 zerstäubte Material aufzunehmen.
Die auf der Magnethalteplatte 31 angebrachte Einrichtung 13 kann einen Permanentmagneten aufweisen, doch ist in der dar­ gestellten Ausführungsform eine Spule 55 vorgesehen. Wenn durch die Spule ein Strom entgegen dem Uhrzeigersinn in Fig. 1 hindurchfließt, besitzt der innere Teil des Magneten nach Fig. 2 die Polarität eines Nordpols und der äußere Umfang die entgegengesetzte Polarität eines Südpols. Ein Polschuh 57 erstreckt sich um den äußeren Teil des Magneten 55. Ein weiterer Polschuh 59 läuft um den inneren Teil des Magneten 55 herum. Ein Kühlrohr 60 ist um die Außenfläche des Polschuhs 57 herum angeordnet. Ein Boden-Nebenschluß 61 erstreckt sich zwischen den Polschuhen 57, 59 an der Seite des Magneten 55, welcher von der Kathode 11 abgewandt ist. Die oberen Teile der Polschuhe 57 und 59 sind nicht überbrückt und enden un­ mittelbar unter der Dunkelraum-Abschirmung 47 im Bereich der Unterseite der Kathode 11.
Wie aus Fig. 2 ersichtlich ist, erstrecken sich die durch den Magneten 55 und seine zugehörigen Polschuhe 57 und 59 erzeugten Magnetfeldlinien in Form eines Bogens über einen Entladungsbereich 15, wobei sie von der Kathodenoberfläche 12 ausgehen und wieder zu ihr zurückkehren. Innerhalb dieses Bogens werden ionisierende Elektronen festgelegt und konzen­ triert, um eine hohe Zerstäubungsintensität im Bereich unter dem Bogen, d.h. im Entladungsbereich 15, zu erzeugen.
Die Anode 16 ist im Vergleich zu der Kathodenoberfläche 12 verhältnismäßig klein und in einem relativ kleinen Abstand von der Kathode 11 angeordnet. Die Anode 16 erstreckt sich um die Kathode 11 herum und ist durch in der Zeichnung nicht dargestellte Träger gehalten. Die Anode 16 besteht aus einem stabförmigen Material mit verhältnismäßig geringem Querschnitt. Vorzugsweise sind sowohl die Anode als auch die Kathode auf einem erdfreien Potential gehalten, welches ausreicht, um die gewünschte Beschleunigung zu erreichen. Beispielsweise kann sich die Anode 16 auf diese Weise selbst auf ein Potential vorspannen, welches höher liegt als das Erdpotential, bei­ spielsweise auf ein Potential von 50 V. Die Kathode 11 kann beispielsweise auf einem Potential gehalten werden, welches unterhalb des Erdpotentials liegt, z.B. bei etwa -900 V. Eine Zener-Diode oder ähnliche Einrichtung kann zur Spannungsbe­ grenzung verwendet werden.
Nach Fig. 1 ist die das Magnetfeld erzeugende Einrichtung 13 derart ausgebildet und angeordnet, daß das Magnetfeld im Bereich unmittelbar oberhalb der Kathodenoberfläche 12 eine geschlossene Schleife bildet, die in Fig. 1 durch gestrichelte Linien 65 angedeutet ist. Auf diese Weise werden die Elektro­ nen in einer endlosen magnetischen Flasche gehalten, wodurch die Zerstäubungsrate in dem Entladungsbereich 15 erhöht wird. Zusätzlich zur Elektroneneingrenzung verkleinert die auf diese Weise gebildete magnetische Flasche den Kathoden-Dunkelraum derart, daß der durch Raumladung begrenzte Ionenstrom groß ist. Weil der Kathoden-Anoden-Kreis außer durch das ionisierte Gas gegen Erde völlig isoliert ist, erfolgt auf das nahe der Kathodenoberfläche angeordnet zu denkende Substrat, auf dem das zerstäubte Material abgelagert wird, nur eine geringe Ladungsübertragung, welche zum einen benötigt wird, um am Anfang des Betriebes die Kathode und die Anode auf ihr natür­ liches Potential einzustellen, und zum anderen zum Ausgleich der von den auf leicht unterschiedlichen Potentialen liegenden Substrat-Berührungsbereichen des Plasmas herrührenden Ladungs­ verlusten.
Statt einer Gleichspannungs-Kathodenversorgung 67 ist es auch möglich, eine Wechselspannungsquelle zu verwenden, weil die beschriebene Kathodenzerstäubungsvorrichtung selbst gleich­ richtend wirkt, was zumindest teilweise auf das Vorliegen des Magnetfelds an nur einer Elektrode zurückzuführen ist und auch vom Verhältnis der Flächen der Anode und der Kathode abhängt.
Als besonders günstig für das Erzielen einer hohen Ablagerungs­ rate erweist sich der Umstand, daß das Substrat sehr nahe an dem Entladungsbereich 15 angeordnet sein kann. Falls das zerstäubte Material sehr spröde ist, kann die Kathode 11 aus einer Vielzahl von einzelnen Teilen zusammengesetzt sein, um die Gefahr des Zerbrechens beim Aufheizen herabzusetzen. Die Kathodenzerstäubungsvorrichtung kann mit relativ geringem Druck betrieben werden.
Die beschriebene Kathodenzerstäubungsvorrichtung bewirkt eine äußest gleichförmige Ablagerung. Wegen der eben ausgebildeten Kathode 11 kann dem Entladungsbereich 15 ohne weiteres der aus Fig. 1 ersichtliche rechteckförmige Verlauf mit zwei lan­ gen und zwei kurzen geradlinigen Segmenten gegeben werden.
Ein bewegtes streifenförmiges Substrat wird gleichmäßig be­ schichtet, indem es parallel über die Kathode 11 in Richtung der Pfeile 69 in Fig. 1 hinweggeführt wird. Im Bereich zwischen den zwei parallel zueinander verlaufenden langen, in Fig. 1 oberen und unteren Segmenten des Entladungsbereiches 15 der Kathode 11 sowie im Bereich der parallelen oberen und unteren Segmente ist die Ablagerung außerordentlich gleich­ förmig. Somit wird ein streifenförmiges Substrat, das eine Breite hat, welche geringer ist als die Länge der langen paral­ lelen Segmente nach Fig. 1, und in Richtung der Pfeile 69 über die Kathode bewegt wird, mit einer besonders gleichförmigen Beschichtung über die gesamte Breitenausdehnung versehen.

Claims (1)

  1. Verfahren zum Beschichten von streifenförmigen Substraten mittels einer Kathodenzerstäubungsvorrichtung, mit einer das zu zerstäubende und auf einem Substrat abzulagernde Material aufweisenden Kathodenoberfläche, auf der durch von der Kathoden­ oberfläche ausgehende und zu ihr zurückkehrende Magnetfeldlinien ein Entladungsbereich gebildet ist, der die Form einer in sich geschlossenen Schleife hat, wobei das Substrat nahe dem Entladungsbereich angeordnet wird, damit das zerstäubte Material sich von der Kathodenoberfläche zum Substrat bewegt, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung einer ebenen Kathodenober­ fläche (12) und Anordnung der das Magnetfeld erzeugenden Ein­ richtung (13) auf der vom zu besprühenden Substrat abgewandten Seite der Kathodenoberfläche (12) ein Entladungsbereich (15) mit zwei gegenüberliegenden parallelen Segmenten ausgebildet wird und daß Substrate mit einer Breite, die geringer ist als die Länge der parallelen Segmente, parallel zur Kathoden­ oberfläche (12) und senkrecht zu den parallelen Segmenten (Pfeil 69) über den Bereich zwischen den beiden parallelen Segmenten hinwegbewegt werden.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0678483A2 (de) 1991-04-30 1995-10-25 Saint-Gobain Vitrage Glassubstrat mit einer dünnen Mehrschichtbekleidung für Sonnenschutz
EP0770900A1 (de) 1995-10-26 1997-05-02 Saint-Gobain Vitrage Elektrochrome Verglasung

Families Citing this family (195)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3956093A (en) * 1974-12-16 1976-05-11 Airco, Inc. Planar magnetron sputtering method and apparatus
JPS51131482A (en) * 1975-05-12 1976-11-15 Anelva Corp A sputtering apparatus
JPS51137681A (en) * 1975-05-23 1976-11-27 Tokuda Seisakusho Ltd Sputtering apparatus
JPS557555Y2 (de) * 1976-03-02 1980-02-20
NL7607473A (nl) * 1976-07-07 1978-01-10 Philips Nv Verstuifinrichting en werkwijze voor het ver- stuiven met een dergelijke inrichting.
DE3002194A1 (de) * 1980-01-22 1981-07-23 Berna AG Olten, Olten Vorrichtung zur (teil) beschichtung eines substrates durch kathodenzerstaeubung, vefahren zur beschichtung und deren anwendung
CH648690A5 (de) * 1980-10-14 1985-03-29 Balzers Hochvakuum Kathodenanordnung zur abstaeubung von material von einem target in einer kathodenzerstaeubungsanlage.
US4395323A (en) * 1981-04-17 1983-07-26 Denton Vacuum Inc. Apparatus for improving a sputtering process
US4444848A (en) * 1982-01-04 1984-04-24 Western Electric Co., Inc. Adherent metal coatings on rubber-modified epoxy resin surfaces
US4402998A (en) * 1982-01-04 1983-09-06 Western Electric Co., Inc. Method for providing an adherent electroless metal coating on an epoxy surface
US4582564A (en) * 1982-01-04 1986-04-15 At&T Technologies, Inc. Method of providing an adherent metal coating on an epoxy surface
CH646459A5 (de) * 1982-03-22 1984-11-30 Balzers Hochvakuum Rechteckige targetplatte fuer kathodenzerstaeubungsanlagen.
US4415427A (en) * 1982-09-30 1983-11-15 Gte Products Corporation Thin film deposition by sputtering
US4508789A (en) * 1983-07-25 1985-04-02 Ppg Industries, Inc. Low reflectance, low emissivity sputtered film
US4462884A (en) * 1983-07-25 1984-07-31 Ppg Industries, Inc. Low reflectance, low emissivity sputtered film
US4594137A (en) * 1983-09-09 1986-06-10 Ppg Industries, Inc. Stainless steel overcoat for sputtered films
US4692389A (en) * 1983-09-09 1987-09-08 Ppg Industries, Inc. Stainless steel overcoat for sputtered films
US4563400A (en) * 1983-09-09 1986-01-07 Ppg Industries, Inc. Primer for metal films on nonmetallic substrates
US4512863A (en) * 1983-09-09 1985-04-23 Ppg Industries, Inc. Stainless steel primer for sputtered films
US4512864A (en) * 1983-11-30 1985-04-23 Ppg Industries, Inc. Low resistance indium oxide films
US4466875A (en) * 1983-11-30 1984-08-21 Ppg Industries, Inc. Auxiliary heater for magnetron sputtering
US4478702A (en) * 1984-01-17 1984-10-23 Ppg Industries, Inc. Anode for magnetic sputtering apparatus
US4478700A (en) * 1984-01-17 1984-10-23 Ppg Industries, Inc. Magnetic sputtering anode reconditioning
US4710283A (en) * 1984-01-30 1987-12-01 Denton Vacuum Inc. Cold cathode ion beam source
US4622120A (en) * 1984-01-31 1986-11-11 Ppg Industries, Inc. Sputtered indium oxide films
US4948677A (en) * 1984-01-31 1990-08-14 Ppg Industries, Inc. High transmittance, low emissivity article and method of preparation
DE3413587A1 (de) * 1984-04-11 1985-10-17 Flachglas AG, 8510 Fürth Verfahren zum herstellen der zinndioxid-interferenzschicht (en) insbesondere von waermereflektierend beschichteten glasscheiben durch reaktive magnetron-zerstaeubung, zinntarget zu seiner durchfuehrung sowie mit einer danach hergestellten zinndioxidschicht versehene waermereflektierende glasscheibe
US4517070A (en) * 1984-06-28 1985-05-14 General Motors Corporation Magnetron sputtering cathode assembly and magnet assembly therefor
DE3427587A1 (de) * 1984-07-26 1986-02-06 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Zerstaeubungseinrichtung fuer katodenzerstaeubungsanlagen
US5215639A (en) * 1984-10-09 1993-06-01 Genus, Inc. Composite sputtering target structures and process for producing such structures
AU561315B2 (en) * 1984-10-29 1987-05-07 Ppg Industries Ohio, Inc. Sputtering films of metal alloy oxide
US4610771A (en) * 1984-10-29 1986-09-09 Ppg Industries, Inc. Sputtered films of metal alloy oxides and method of preparation thereof
US4716086A (en) * 1984-12-19 1987-12-29 Ppg Industries, Inc. Protective overcoat for low emissivity coated article
CH664303A5 (de) * 1985-04-03 1988-02-29 Balzers Hochvakuum Haltevorrichtung fuer targets fuer kathodenzerstaeubung.
CH668565A5 (de) * 1986-06-23 1989-01-13 Balzers Hochvakuum Verfahren und anordnung zum zerstaeuben eines materials mittels hochfrequenz.
DE3636524A1 (de) * 1986-10-27 1988-04-28 Vtu Angel Kancev Einrichtung zum auftragen von ueberzuegen im vakuum durch magnetronzerstaeubung
US5059295A (en) * 1986-12-29 1991-10-22 Ppg Industries, Inc. Method of making low emissivity window
US5270517A (en) * 1986-12-29 1993-12-14 Ppg Industries, Inc. Method for fabricating an electrically heatable coated transparency
US4806220A (en) * 1986-12-29 1989-02-21 Ppg Industries, Inc. Method of making low emissivity film for high temperature processing
US4898790A (en) * 1986-12-29 1990-02-06 Ppg Industries, Inc. Low emissivity film for high temperature processing
US5178966A (en) * 1987-03-26 1993-01-12 Ppg Industries, Inc. Composite with sputtered films of bismuth/tin oxide
US4806221A (en) * 1987-03-26 1989-02-21 Ppg Industries, Inc. Sputtered films of bismuth/tin oxide
ES2022946T5 (es) * 1987-08-26 1996-04-16 Balzers Hochvakuum Procedimiento para la aportacion de capas sobre sustratos.
US4885070A (en) * 1988-02-12 1989-12-05 Leybold Aktiengesellschaft Method and apparatus for the application of materials
US4840702A (en) * 1987-12-29 1989-06-20 Action Technologies, Inc. Apparatus and method for plasma treating of circuit boards
US5618388A (en) * 1988-02-08 1997-04-08 Optical Coating Laboratory, Inc. Geometries and configurations for magnetron sputtering apparatus
US4834857A (en) * 1988-04-01 1989-05-30 Ppg Industries, Inc. Neutral sputtered films of metal alloy oxides
US4902580A (en) * 1988-04-01 1990-02-20 Ppg Industries, Inc. Neutral reflecting coated articles with sputtered multilayer films of metal oxides
US4898789A (en) * 1988-04-04 1990-02-06 Ppg Industries, Inc. Low emissivity film for automotive heat load reduction
US5902505A (en) * 1988-04-04 1999-05-11 Ppg Industries, Inc. Heat load reduction windshield
US4911810A (en) * 1988-06-21 1990-03-27 Brown University Modular sputtering apparatus
US4892633A (en) * 1988-11-14 1990-01-09 Vac-Tec Systems, Inc. Magnetron sputtering cathode
US4865708A (en) * 1988-11-14 1989-09-12 Vac-Tec Systems, Inc. Magnetron sputtering cathode
US4957605A (en) * 1989-04-17 1990-09-18 Materials Research Corporation Method and apparatus for sputter coating stepped wafers
US4988424A (en) * 1989-06-07 1991-01-29 Ppg Industries, Inc. Mask and method for making gradient sputtered coatings
US5234560A (en) * 1989-08-14 1993-08-10 Hauzer Holdings Bv Method and device for sputtering of films
US5047131A (en) * 1989-11-08 1991-09-10 The Boc Group, Inc. Method for coating substrates with silicon based compounds
DE3937558C2 (de) * 1989-11-11 1997-02-13 Leybold Ag Katodenzerstäubungsvorrichtung
US5073245A (en) * 1990-07-10 1991-12-17 Hedgcoth Virgle L Slotted cylindrical hollow cathode/magnetron sputtering device
US5437778A (en) * 1990-07-10 1995-08-01 Telic Technologies Corporation Slotted cylindrical hollow cathode/magnetron sputtering device
DE4022708A1 (de) * 1990-07-17 1992-04-02 Balzers Hochvakuum Aetz- oder beschichtungsanlagen
DE4042417C2 (de) * 1990-07-17 1993-11-25 Balzers Hochvakuum Ätz- oder Beschichtungsanlage sowie Verfahren zu ihrem Zünden oder intermittierenden Betreiben
CA2089149C (en) * 1990-08-10 2002-11-26 Eric R. Dickey Shielding for arc suppression in rotating magnetron sputtering systems
US5200049A (en) * 1990-08-10 1993-04-06 Viratec Thin Films, Inc. Cantilever mount for rotating cylindrical magnetrons
US5100527A (en) * 1990-10-18 1992-03-31 Viratec Thin Films, Inc. Rotating magnetron incorporating a removable cathode
US5106474A (en) * 1990-11-21 1992-04-21 Viratec Thin Films, Inc. Anode structures for magnetron sputtering apparatus
US5171415A (en) * 1990-12-21 1992-12-15 Novellus Systems, Inc. Cooling method and apparatus for magnetron sputtering
DE4106513C2 (de) * 1991-03-01 2002-06-13 Unaxis Deutschland Holding Verfahren zur Regelung eines reaktiven Sputterprozesses und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE4107711C2 (de) * 1991-03-09 1999-11-11 Leybold Ag Verfahren und Vorrichtung zur Abscheidung dotierter Schichten oder chemischer Verbindungen oder Legierungen mittels einer Magnetronkathode
BR9205911A (pt) * 1991-04-19 1994-12-27 Surface Solutions Inc Aparelho de sublimação catódica, e processo para depositar película delgada sobre superfície de objeto dentro de um aparelho de sublimação catódica
DE4117518C2 (de) * 1991-05-29 2000-06-21 Leybold Ag Vorrichtung zum Sputtern mit bewegtem, insbesondere rotierendem Target
US5229194A (en) * 1991-12-09 1993-07-20 Guardian Industries Corp. Heat treatable sputter-coated glass systems
DE4201551C2 (de) * 1992-01-22 1996-04-25 Leybold Ag Zerstäubungskathode
US5262028A (en) * 1992-06-01 1993-11-16 Sierra Applied Sciences, Inc. Planar magnetron sputtering magnet assembly
BE1007067A3 (nl) * 1992-07-15 1995-03-07 Emiel Vanderstraeten Besloten Sputterkathode en werkwijze voor het vervaardigen van deze kathode.
US5248402A (en) * 1992-07-29 1993-09-28 Cvc Products, Inc. Apple-shaped magnetron for sputtering system
FR2695117B1 (fr) * 1992-08-28 1994-12-02 Saint Gobain Vitrage Int Procédé de traitement de couches minces à propriétés de conduction électrique et/ou de réflexion dans l'infra-rouge.
US5399253A (en) * 1992-12-23 1995-03-21 Balzers Aktiengesellschaft Plasma generating device
DE4304581A1 (de) * 1993-02-16 1994-08-18 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats
US5404822A (en) * 1993-05-07 1995-04-11 Tempglass Eastern, Inc. Glass shelf and bracket assembly
CA2123479C (en) * 1993-07-01 1999-07-06 Peter A. Sieck Anode structure for magnetron sputtering systems
US5407551A (en) * 1993-07-13 1995-04-18 The Boc Group, Inc. Planar magnetron sputtering apparatus
US5688585A (en) 1993-08-05 1997-11-18 Guardian Industries Corp. Matchable, heat treatable, durable, IR-reflecting sputter-coated glasses and method of making same
US5403458A (en) * 1993-08-05 1995-04-04 Guardian Industries Corp. Sputter-coating target and method of use
US5376455A (en) * 1993-10-05 1994-12-27 Guardian Industries Corp. Heat-treatment convertible coated glass and method of converting same
US5487822A (en) * 1993-11-24 1996-01-30 Applied Materials, Inc. Integrated sputtering target assembly
US6199259B1 (en) 1993-11-24 2001-03-13 Applied Komatsu Technology, Inc. Autoclave bonding of sputtering target assembly
US5433835B1 (en) * 1993-11-24 1997-05-20 Applied Materials Inc Sputtering device and target with cover to hold cooling fluid
US5413688A (en) * 1994-02-08 1995-05-09 Viratec Thin Films, Inc. Shutter apparatus for a coating chamber viewport
US6673438B1 (en) * 1994-05-03 2004-01-06 Cardinal Cg Company Transparent article having protective silicon nitride film
ATE169288T1 (de) 1994-05-03 1998-08-15 Cardinal Ig Co Transparenter gegenstand mit siliciumnitrid- schutzschicht
US5464667A (en) * 1994-08-16 1995-11-07 Minnesota Mining And Manufacturing Company Jet plasma process and apparatus
US5576600A (en) * 1994-12-23 1996-11-19 Dynatenn, Inc. Broad high current ion source
US5597459A (en) * 1995-02-08 1997-01-28 Nobler Technologies, Inc. Magnetron cathode sputtering method and apparatus
AU680786B2 (en) 1995-06-07 1997-08-07 Guardian Industries Corporation Heat treatable, durable, IR-reflecting sputter-coated glasses and method of making same
US6142642A (en) * 1995-06-29 2000-11-07 Cardinal Ig Company Bendable mirrors and method of manufacture
US6086210A (en) 1995-06-29 2000-07-11 Cardinal Ig Company Bendable mirrors and method of manufacture
DE19623359A1 (de) * 1995-08-17 1997-02-20 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats
US6316111B1 (en) * 1996-03-01 2001-11-13 Cardinal Cg Company Heat-emperable coated glass article
US5733418A (en) * 1996-05-07 1998-03-31 Pld Advanced Automation Systems, Inc. Sputtering method and apparatus
DE19622607B4 (de) * 1996-06-05 2007-12-27 Oerlikon Deutschland Holding Gmbh Sputterkathode
US6231999B1 (en) * 1996-06-21 2001-05-15 Cardinal Ig Company Heat temperable transparent coated glass article
US5985115A (en) * 1997-04-11 1999-11-16 Novellus Systems, Inc. Internally cooled target assembly for magnetron sputtering
DE19727647A1 (de) * 1997-06-12 1998-12-17 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten eines Substratkörpers mittels Kathodenzerstäubung
DE19726966C1 (de) * 1997-06-25 1999-01-28 Flachglas Ag Verfahren zur Herstellung einer transparenten Silberschicht mit hoher spezifischer elektrischer Leitfähigkeit , Glasscheibe mit einem Dünnschichtsystem mit einer solchen Silberschicht und deren Verwendung
US6203898B1 (en) * 1997-08-29 2001-03-20 3M Innovatave Properties Company Article comprising a substrate having a silicone coating
DE69804866T9 (de) 1997-10-31 2007-10-31 Cardinal Cg Co., Eden Prairie Hitzebiegbare spiegel
US6074730A (en) * 1997-12-31 2000-06-13 The Boc Group, Inc. Broad-band antireflection coating having four sputtered layers
US6340415B1 (en) 1998-01-05 2002-01-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhancing a sputtering target's lifetime
US6217716B1 (en) 1998-05-06 2001-04-17 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for improving target erosion in hollow cathode magnetron sputter source
DE19830223C1 (de) * 1998-07-07 1999-11-04 Techno Coat Oberflaechentechni Vorrichtung und Verfahren zum mehrlagigen PVD - Beschichten von Substraten
US6292302B1 (en) 1998-11-03 2001-09-18 Cardinal Glass Industries, Inc. Heat-treatable dichroic mirrors
US6262850B1 (en) 1998-11-03 2001-07-17 Cardinal Glass Industries, Inc. Heat-treatable dichroic mirrors
WO2000028104A1 (en) 1998-11-06 2000-05-18 Scivac Sputtering apparatus and process for high rate coatings
US6488824B1 (en) 1998-11-06 2002-12-03 Raycom Technologies, Inc. Sputtering apparatus and process for high rate coatings
US6660365B1 (en) 1998-12-21 2003-12-09 Cardinal Cg Company Soil-resistant coating for glass surfaces
US6964731B1 (en) 1998-12-21 2005-11-15 Cardinal Cg Company Soil-resistant coating for glass surfaces
US6974629B1 (en) 1999-08-06 2005-12-13 Cardinal Cg Company Low-emissivity, soil-resistant coating for glass surfaces
US6352626B1 (en) 1999-04-19 2002-03-05 Von Zweck Heimart Sputter ion source for boron and other targets
US6146509A (en) * 1999-06-11 2000-11-14 Scivac Inverted field circular magnetron sputtering device
US6258217B1 (en) 1999-09-29 2001-07-10 Plasma-Therm, Inc. Rotating magnet array and sputter source
US6207026B1 (en) 1999-10-13 2001-03-27 Applied Materials, Inc. Magnetron with cooling system for substrate processing system
JP3477148B2 (ja) 1999-12-02 2003-12-10 カーディナル・シージー・カンパニー 耐曇り性透明フィルム積層体
EP1754691B1 (de) 1999-12-02 2009-02-11 Cardinal CG Company Gegen Anlaufen beständiges durchsichtiges Beschichtungssystem
US6475626B1 (en) 1999-12-06 2002-11-05 Guardian Industries Corp. Low-E matchable coated articles and methods of making same
US6514620B1 (en) 1999-12-06 2003-02-04 Guardian Industries Corp. Matchable low-E I G units and laminates and methods of making same
US6495263B2 (en) 1999-12-06 2002-12-17 Guardian Industries Corp. Low-E matchable coated articles and methods of making same
WO2002010471A1 (en) 2000-07-27 2002-02-07 Atf Technologies, Inc. Low temperature cathodic magnetron sputtering
US6921579B2 (en) * 2000-09-11 2005-07-26 Cardinal Cg Company Temporary protective covers
EP1324958B1 (de) 2000-09-11 2008-07-23 Cardinal CG Company Hydrophile oberfläche mit temporären schutzverkleidungen
CA2404694C (en) 2001-02-08 2008-08-26 Cardinal Cg Company Edge treatments for coated substrates
US7399385B2 (en) * 2001-06-14 2008-07-15 Tru Vue, Inc. Alternating current rotatable sputter cathode
US6589657B2 (en) 2001-08-31 2003-07-08 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Anti-reflection coatings and associated methods
US6902813B2 (en) * 2001-09-11 2005-06-07 Cardinal Cg Company Hydrophilic surfaces carrying temporary protective covers
US20040115362A1 (en) * 2002-01-14 2004-06-17 Klause Hartig Photocatalytic sputtering targets and methods for the production and use thereof
US6919133B2 (en) 2002-03-01 2005-07-19 Cardinal Cg Company Thin film coating having transparent base layer
EP1480921B1 (de) 2002-03-01 2006-01-25 Cardinal CG Company Dünnfilmbeschichtung mit einer niob-titan-lage
US7247221B2 (en) * 2002-05-17 2007-07-24 Applied Films Corporation System and apparatus for control of sputter deposition process
US20040149307A1 (en) * 2002-12-18 2004-08-05 Klaus Hartig Reversible self-cleaning window assemblies and methods of use thereof
US20040121146A1 (en) * 2002-12-20 2004-06-24 Xiao-Ming He Composite barrier films and method
US20040256215A1 (en) * 2003-04-14 2004-12-23 David Stebbins Sputtering chamber liner
US7241506B2 (en) * 2003-06-10 2007-07-10 Cardinal Cg Company Corrosion-resistant low-emissivity coatings
US7294404B2 (en) 2003-12-22 2007-11-13 Cardinal Cg Company Graded photocatalytic coatings
US7713632B2 (en) 2004-07-12 2010-05-11 Cardinal Cg Company Low-maintenance coatings
JP2008510186A (ja) * 2004-08-10 2008-04-03 日本板硝子株式会社 Lcdミラーシステム及び方法
US20060049043A1 (en) * 2004-08-17 2006-03-09 Matuska Neal W Magnetron assembly
US8092660B2 (en) 2004-12-03 2012-01-10 Cardinal Cg Company Methods and equipment for depositing hydrophilic coatings, and deposition technologies for thin films
US7923114B2 (en) 2004-12-03 2011-04-12 Cardinal Cg Company Hydrophilic coatings, methods for depositing hydrophilic coatings, and improved deposition technology for thin films
DE602006012817D1 (de) * 2005-03-31 2010-04-22 Cardinal Cg Co Gegen anlaufen beständige beschichtungen mit geringem emissionsvermögen
CA2609075A1 (en) * 2005-05-20 2006-11-30 Cardinal Cg Company Deposition chamber desiccation systems and methods of use thereof
US20060260938A1 (en) * 2005-05-20 2006-11-23 Petrach Philip M Module for Coating System and Associated Technology
DE102005030900A1 (de) * 2005-07-01 2007-01-11 Mekra Lang Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines Fahrzeugspiegels
US20070045108A1 (en) * 2005-08-26 2007-03-01 Demaray Richard E Monolithic sputter target backing plate with integrated cooling passages
US7342716B2 (en) 2005-10-11 2008-03-11 Cardinal Cg Company Multiple cavity low-emissivity coatings
US7339728B2 (en) * 2005-10-11 2008-03-04 Cardinal Cg Company Low-emissivity coatings having high visible transmission and low solar heat gain coefficient
US7572511B2 (en) * 2005-10-11 2009-08-11 Cardinal Cg Company High infrared reflection coatings
CN101375366B (zh) 2005-12-13 2011-04-27 欧瑞康太阳Ip股份公司 改良溅射靶应用
US20070134500A1 (en) 2005-12-14 2007-06-14 Klaus Hartig Sputtering targets and methods for depositing film containing tin and niobium
KR101431230B1 (ko) 2006-04-11 2014-08-18 카디날 씨지 컴퍼니 개선된 낮은 유지 특성이 있는 광촉매성 코팅
WO2007124291A2 (en) * 2006-04-19 2007-11-01 Cardinal Cg Company Opposed functional coatings having comparable single surface reflectances
US20070256934A1 (en) * 2006-05-08 2007-11-08 Perata Michael R Apparatus and Method for Coating Substrates With Approximate Process Isolation
JP2010513175A (ja) * 2006-06-30 2010-04-30 カーディナル・シージー・カンパニー カーボンナノチューブグレージング技術
US20080011599A1 (en) 2006-07-12 2008-01-17 Brabender Dennis M Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control
US7850828B2 (en) * 2006-09-15 2010-12-14 Cardinal Cg Company Enhanced virtual anode
US20080121515A1 (en) * 2006-11-27 2008-05-29 Seagate Technology Llc Magnetron sputtering utilizing halbach magnet arrays
US7807248B2 (en) 2007-08-14 2010-10-05 Cardinal Cg Company Solar control low-emissivity coatings
KR101563197B1 (ko) * 2007-09-14 2015-10-26 카디날 씨지 컴퍼니 관리 용이한 코팅 및 이의 제조방법
US9771647B1 (en) 2008-12-08 2017-09-26 Michael A. Scobey Cathode assemblies and sputtering systems
US8698400B2 (en) * 2009-04-28 2014-04-15 Leybold Optics Gmbh Method for producing a plasma beam and plasma source
DE102009018912A1 (de) 2009-04-28 2010-11-18 Leybold Optics Gmbh Verfahren zur Erzeugung eines Plasmastrahls sowie Plasmaquelle
RU2558063C2 (ru) 2010-01-16 2015-07-27 КАРДИНАЛ СиДжи КОМПАНИ Высококачественные низкоэмиссионные покрытия, низкоэмиссионные стеклопакеты и способы их изготовления
US20120107554A1 (en) 2010-10-29 2012-05-03 Pfaff Gary L TCO Coating and Coated Substrate for High Temperature Applications
JP6093362B2 (ja) 2011-09-28 2017-03-08 ビューラー アルツェナウ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングBuehler Alzenau GmbH 基板上に反射低減層を生成するための方法および装置
EP2804755B1 (de) 2012-01-17 2019-06-19 Cardinal CG Company Beschichtungen mit geringer durchlässigkeit für sonnenlicht
WO2013152183A2 (en) 2012-04-04 2013-10-10 Cardinal Cg Company Tco coating and coated substrate for high temperature applications
US9484176B2 (en) * 2012-09-10 2016-11-01 Thomas Schenkel Advanced penning ion source
US9508532B2 (en) 2013-03-13 2016-11-29 Bb Plasma Design Ab Magnetron plasma apparatus
US9633823B2 (en) 2013-03-14 2017-04-25 Cardinal Cg Company Plasma emission monitor and process gas delivery system
WO2016126650A1 (en) 2015-02-03 2016-08-11 Cardinal Cg Company Sputtering apparatus including gas distribution system
US9752377B2 (en) 2015-03-20 2017-09-05 Cardinal Cg Company Nickel-aluminum blocker film controlled transmission coating
US9745792B2 (en) 2015-03-20 2017-08-29 Cardinal Cg Company Nickel-aluminum blocker film multiple cavity controlled transmission coating
US9469566B2 (en) 2015-03-20 2016-10-18 Cardinal Cg Company Nickel-aluminum blocker film low-emissivity coatings
WO2017014930A1 (en) 2015-07-23 2017-01-26 Cardinal Cg Company Tin oxide overcoat indium tin oxide coatings, coated glazings, and production methods
WO2017078910A1 (en) 2015-11-06 2017-05-11 Cardinal Cg Company Insulating glass unit transparent conductivity and low emissivity coating technology
EP3387163B1 (de) 2015-12-11 2020-04-29 Cardinal CG Company Verfahren zur beidseitigen beschichtung eines substrats
US9674895B1 (en) 2015-12-15 2017-06-06 Cardinal Cg Company Glazing perimeter anticondensation coating production technology
US9810017B2 (en) 2015-12-15 2017-11-07 Cardinal Cg Company Glazing perimeter anticondensation coating technology
EP3541762B1 (de) 2016-11-17 2022-03-02 Cardinal CG Company Statisch-dissipative beschichtungstechnologie
US11028012B2 (en) 2018-10-31 2021-06-08 Cardinal Cg Company Low solar heat gain coatings, laminated glass assemblies, and methods of producing same
JP7361497B2 (ja) * 2019-05-28 2023-10-16 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
EP4098631A1 (de) 2020-01-10 2022-12-07 Cardinal CG Company Legierungsoxiddeckschicht, indiumzinnoxidbeschichtungen, beschichtete verglasungen und herstellungsverfahren
EP4193031A1 (de) 2020-08-07 2023-06-14 Cardinal CG Company Isolierverglasungen mit doppelscheiben
US11479847B2 (en) 2020-10-14 2022-10-25 Alluxa, Inc. Sputtering system with a plurality of cathode assemblies
FR3120125B1 (fr) 2021-02-25 2023-09-08 Saint Gobain Dispositif de mesure de pression vide secondaire et système embarqué pour mesure de pression de vide résiduel
WO2024086773A1 (en) 2022-10-21 2024-04-25 Cardinal Cg Company Aerogel glazing adhesion and ig unit technology

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2117421A1 (de) * 1971-04-08 1972-10-12 Leybold Heraeus GmbH & Co KG 5000 Köln Anlage fur das Niederschlagen von dünnen Mehrfachschichten im Vakuum
DE2264437A1 (de) * 1971-09-07 1973-10-31 Telic Corp Mit hochfrequenz-spannung betriebene entladungsvorrichtung

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL50072C (de) * 1935-12-28
GB830391A (en) * 1955-10-28 1960-03-16 Edwards High Vacuum Ltd Improvements in or relating to cathodic sputtering of metal and dielectric films
US3216652A (en) * 1962-09-10 1965-11-09 Hughes Aircraft Co Ionic vacuum pump
US3282815A (en) * 1963-07-01 1966-11-01 Ibm Magnetic control of film deposition
US3325394A (en) * 1963-07-01 1967-06-13 Ibm Magnetic control of film deposition
US3282816A (en) * 1963-09-16 1966-11-01 Ibm Process of cathode sputtering from a cylindrical cathode
US3369991A (en) * 1965-01-28 1968-02-20 Ibm Apparatus for cathode sputtering including a shielded rf electrode
US3396696A (en) * 1966-10-06 1968-08-13 Ralph F. Becker Lens turner for high vacuum evaporators
US3530057A (en) * 1967-05-29 1970-09-22 Nat Res Corp Sputtering
US3616450A (en) * 1968-11-07 1971-10-26 Peter J Clark Sputtering apparatus
US3711398A (en) * 1971-02-18 1973-01-16 P Clarke Sputtering apparatus
US4041353A (en) * 1971-09-07 1977-08-09 Telic Corporation Glow discharge method and apparatus
US3829373A (en) * 1973-01-12 1974-08-13 Coulter Information Systems Thin film deposition apparatus using segmented target means
US3878085A (en) * 1973-07-05 1975-04-15 Sloan Technology Corp Cathode sputtering apparatus

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2117421A1 (de) * 1971-04-08 1972-10-12 Leybold Heraeus GmbH & Co KG 5000 Köln Anlage fur das Niederschlagen von dünnen Mehrfachschichten im Vakuum
DE2264437A1 (de) * 1971-09-07 1973-10-31 Telic Corp Mit hochfrequenz-spannung betriebene entladungsvorrichtung

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Research/Development, Feb. 1971, S. 40-46 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0678483A2 (de) 1991-04-30 1995-10-25 Saint-Gobain Vitrage Glassubstrat mit einer dünnen Mehrschichtbekleidung für Sonnenschutz
EP0770900A1 (de) 1995-10-26 1997-05-02 Saint-Gobain Vitrage Elektrochrome Verglasung

Also Published As

Publication number Publication date
US4166018A (en) 1979-08-28
GB1453377A (en) 1976-10-20
DE2417288C2 (de) 1986-03-20
DE2417288A1 (de) 1975-08-14
JPS50109185A (de) 1975-08-28

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