DE3331245C2 - - Google Patents
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
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- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
Description
Die Erfindung betrifft eine als Planarmagnetron ausgebildete
Zerstäubungsvorrichtung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Zerstäubungsvorrichtungen der genannten Art sind hinlänglich
bekannt. Dabei wird ein einem Magnetfeld ausgesetztes
Targetmaterial in eine Inertgasumgebung in der Nähe eines
Substrates gebracht und eine Gleichstrom-Spannung oder
Hochfrequenz angelegt, was dazu führt, daß Targetmaterial vom
Target an das Substrat übertragen wird. Da Targets aus teurem
Metall bestehen, ist man seit der Entwicklung dieser Technik
aus wirtschaftlichen Gründen daran interessiert, das
Targetmaterial möglichst optimal zu nutzen, ehe das Target
ersetzt werden muß. Außer den Kosten für die Targets selbst
ist noch die Ausfallzeit zu beachten, die entsteht, wenn der
Zerstäubungsprozeß zum Austausch des Targets unterbrochen
werden muß. Wenn es gelingt, die Lebensdauer eines Targets zu
verlängern, kann die verlorene Produktionszeit auf ein Minimum
eingeschränkt werden.
Es ist allgemein bekannt, daß die maximale Erosion eines
Targets dort auftritt, wo Magnetflußlinien parallel zur
Oberfläche des Targets verlaufen. Wenn das Magnetfeld während
des Zerstäubungsverfahrens stationär bleibt, entstehen daher
entlang der Magnetflußlinien Erosionsgräben im Target. Wenn es
zur Ausbildung eines Erosionsnutenmusters kommt, besteht die
Gefahr, daß die ganze Dicke des Targets am Boden der Nut
aufgebraucht wird, wodurch das Substrat mit demjenigen
Material verunreinigt wird, an dem das Target angebracht ist.
Deshalb kann es aus Gründen der Sicherheit nötig sein, nur ca.
40% des Targets aufzubrauchen, um das Verunreinigungsproblem
zu vermeiden. In manchen Fällen ist das Target mit seiner
Halterungsplatte verhaftet. Das für diese Anbringung nötige
Verfahren ist ziemlich teuer, und diese Kosten erhöhen sich
bei zunehmender Häufigkeit des Austausches des Targets.
Zur Verbesserung der Targetnutzung wird in der US-PS 39 56 093
eine Vorrichtung beschrieben, bei der rechtwinklig zu einem
ersten Magnetfeld ein zweites Magnetfeld verwendet wird, um
die Gestalt des Magnetflußmusters abzuflachen, damit
Magnetflußlinien parallel zur Targetoberfläche in einem
größeren Bereich dieser Oberfläche erhalten werden. Weitere
Bemühungen um eine Abflachung des Magnetflußmusters über das
Target hinweg gehen aus der US-PS 43 12 731 und der US-PS
41 62 954 hervor. Mit anderen Versuchen, das Problem der
Targeterosionsmuster zu lösen, befassen sich die US-PS
41 75 030 und die US-PS 41 16 806. Bei diesen Vorrichtungen
kann zwar die Nutzung des Targets verbessert werden, es
entstehen jedoch noch immer grabenähnliche Erosionsmuster, so
daß auch hier das Target ausgetauscht werden muß, wenn erst
knapp die Hälfte seines Materials abgestäubt ist.
Um die Targetoberfläche gleichmäßig, d. h. ohne Erosionsgräben,
abzustäuben, wird in der DE-OS 27 07 144 eine ebene bzw.
planare Magnetronvorrichtung beschrieben, deren Magnetsystem
aus einer radialen, speichenförmigen oder kreisbahnförmigen
Anordnung besteht und relativ zur Targetoberfläche bewegt
wird. Zur Erhöhung der Zerstäubungsrate sind in der
Tragplatte, die auf ihrer inneren Oberfläche ein Target trägt,
Kühlkanäle ausgebildet.
Die vorliegende Erfindung löst die Aufgabe, eine als
Planarmagnetron ausgebildete Zerstäubungsvorrichtung zu
schaffen, bei der eine möglichst effektive Kühlung des
eingesetzten Targets gewährleistet ist und eine Korrosion des
verwendeten Magnetsystems wirksam vermieden wird. Zudem soll
unter Vermeidung von Erosionsgräben eine gleichmäßige
Targeterosion und Substratbeschichtung gewährleistet sein, um
die Menge des abstäubbaren Targetmaterials zu erhöhen, ehe ein
Austausch des Targets notwendig wird. Damit sollen die
Intervalle zwischen dem Austausch des Targets verlängert und
entstehende Todzeiten möglichst reduziert werden.
Im folgenden ist die Erfindung in weiteren vorteilhaften
Einzelheiten anhand schematisch dargestellter
Ausführungsbeispiele näher erläutert. In den Zeichnungen
zeigt
Fig. 1 einen Querschnitt durch ein mit Wasser angetriebenes
Magnetsystem gemäß der Erfindung;
Fig. 2 eine Draufsicht auf das Magnetsystem gemäß Fig. 1;
Fig. 3 eine Draufsicht auf eine Magnetbaugruppe;
Fig. 4 eine Vorderansicht eines erfindungsgemäßen
Planarmagnetrons mit abgenommener Vorderwand;
Fig. 5 einen Teilschnitt durch die Magnetbaugruppe und das
Target;
Fig. 6 ein weiteres Ausführungsbeispiel einer
erfindungsgemäßen Magneteinrichtung mit abgenommener
oberer Halterungsplatte in Draufsicht;
Fig. 7 einen Querschnitt durch das Ausführungsbeispiel gemäß
Fig. 6 längs der Linie 7-7;
Fig. 8 einen Querschnitt durch das Ausführungsbeispiel gemäß
Fig. 6 längs der Linie 8-8;
Fig. 9 einen Querschnitt durch das Ausführungsbeispiel gemäß
Fig. 6 längs der Linie 9-9;
Fig. 10 ein weiteres Ausführungsbeispiel einer
erfindungsgemäßen Magneteinrichtung mit abgenommener
vorderer Abdeckung in Vorderansicht;
Fig. 11 eine Draufsicht auf das Ausführungsbeispiel gemäß
Fig. 10.
In Fig. 1 ist ein mit Wasser antreibbares Magnetsystem 10
gezeigt, das eine Isolierkappe 12 aufweist, welche mittels
einer Vielzahl von Befestigungselementen 16 an einer
geflanschten Halterungsplatte 14 fest angebracht ist (siehe
auch Fig. 2) . Die Befestigungselemente 16 erstrecken sich
durch die Isolierkappe 12 in einen Flansch 18 an der
Halterungsplatte 14, so daß eine Magnetgehäuseanordnung 20
gebildet wird. Der Flansch 18 der Halterungsplatte 14 ist an
seiner Ober- und Unterseite mit Nuten versehen, in denen
Dichtungen 22 bzw. 24 aufgenommen sind. Die
Magnetgehäuseanordnung 20 ruht auf einem Isolierring 26, der
zur Aufnahme einer Dichtung 28 in seiner Unterseite mit einer
entsprechenden Nut versehen ist. Der Isolierring 26
seinerseits ruht in einem Umfangsschlitz 30, welcher in einer
Arbeitskammerdecke 32 vorgesehen ist (siehe auch Fig. 4). Die
Magnetgehäuseanordnung 20 wird durch ihr Gewicht an Ort und
Stelle gehalten. Weil während des Betriebs der Vorrichtung in
einer Arbeitskammer 34 (siehe Fig. 4) Vakuum herrscht, ist die
Magnetgehäuseanordnung 20 abgedichtet ausgebildet.
Die geflanschte Halterungsplatte 14 hat eine Unterseite 38, an
der mittels einer Vielzahl hier nicht gezeigter
Befestigungsmittel oder einer anderen Verbindungseinrichtung
ein scheibenförmiges Target 36 fest angebracht ist. Die
Unterseite 38 fluchtet etwa mit einer Innenfläche 40, der
Arbeitskammerdecke 32. Das Target 36 erstreckt sich in die
Arbeitskammer 34. Je nach Anwendungszweck kann das Target
jedoch auch anders gestaltet sein.
Innerhalb der Magnetgehäuseanordnung 20 ist ein Magnetantrieb
41 angebracht, der eine Antriebswelle 42 aufweist, welche in
der Isolierkappe 12 drehbar angebracht ist. An der
Antriebswelle 42 ist ein mehrere Schaufeln aufweisendes
Schaufelrad 44 fest angebracht. Unterhalb des Schaufelrades 44
sitzt auf der Antriebswelle 42 eine eingekapselte
Magnetbaugruppe 46. Der Magnetantrieb 41 ist auf einem an der
Isolierkappe 12 mittels einer Vielzahl von
Befestigungselementen 50 (von denen nur eins gezeigt ist)
befestigten Lagerring 48 abgestützt, auf dem er bewegbar ist.
Am äußeren Ende 52 jeder Schaufel des eine Vielzahl von
Schaufeln aufweisenden Schaufelrades 44 ist eine Nylonrolle 54
angebracht, die auf dem Lagerring 48 abläuft, wenn der
Magnetantrieb 41 in Umdrehung versetzt wird.
Die Isolierkappe 12 ist mit Durchlässen versehen, an die ein
Kühlmitteleinlaß 56 und ein Kühlmittelauslaß 58 angeschlossen
ist. Die Strömungsrichtung ist in Fig. 2 durch einen Pfeil in
einem mit dem Kühlmitteleinlaß 56 verbundenen Durchlaß 59
angedeutet. Der Durchlaß 59 für das Kühlmittel durch die
Isolierkappe 12 ist so angeordnet, daß das einströmende
Kühlmittel auf das Schaufelrad 44 an der Mitte des äußeren
Endes 52 auftrifft. An einem der Befestigungselemente 16 ist
ein elektrischer Draht 60 anbringbar, der einen Anschluß einer
Gleichstromquelle über die geflanschte Halterungsplatte 14 mit
dem Target 36 elektrisch verbindet.
In Fig. 3 ist eine Magnetanordnung 61 gezeigt, die einen
magnetisch permeablen Ring 62 mit einer Vielzahl von radial
nach innen um den Innenumfang des Ringes 62 herum angeordneten
Permanentmagneten 64 aufweist. Die Magnete sind symmetrisch so
angeordnet, daß jedem Permanentmagneten 64 ein anderer
Permanentmagnet 64 auf einer Diametralen des Ringes 62
paarweise zugeordnet ist. Die Permanentmagnete 64 können so
angeordnet sein, daß gleichnamige Pole zur Mitte des Ringes 62
weisen oder daß alternierende Pole zur Mitte gerichtet sind.
Durch die vom Ring 62 auf die Permanentmagnete 64 ausgeübte
magnetische Anziehungskraft werden die Permanentmagnete 64 in
ihrer Lage gehalten. Zur dauerhaften Fixierung der
Permanentmagnete 64 kann auch jeder beliebige Metall- oder
Epoxyklebstoff verwendet werden. Es ist auch möglich, die
Permanentmagnete 64 in konischer Form und nicht nur in der
gleichen Ebene anzuordnen.
Die Magnetanordnung 61 ist in rostfreien Stahl eingekapselt
und bildet auf diese Weise die eingekapselte Magnetbaugruppe
46. Durch das Einkapseln wird verhindert, daß die
Magnetbaugruppe 46 beim Eintauchen in das Kühlmittel, bei dem
es sich typischerweise um Wasser handelt, korrodiert.
Wie aus Fig. 4 hervorgeht, bildet das durch Wasser
angetriebene Magnetsystem 10 einen Teil eines Planarmagnetrons
66, zu der die Arbeitskammer 34 gehört, in die das Target 36
hineinragt. Das Target 36 ist unmittelbar oberhalb eines
Substrates 70 und in einer Ebene parallel zu demselben
angeordnet. Wenn das Target 36 und das Substrat 70
kreisförmige Gestalt haben, sind beide konzentrisch
angeordnet. Das Substrat 70 ist auf einem pneumatischen Sockel
72 abgestützt. Die Arbeitskammer 34 ist mit hier nicht
gezeigten, herkömmlichen, vakuumdichten Türen zur Beschickung
und Entnahme sowie mit einer Einrichtung zur Herstellung des
Vakuums in der Kammer und mit einer hier nicht gezeigten
Zufuhreinrichtung für ein Inertgas versehen.
Beim Sputtern wird in der Arbeitskammer 34 zunächst Vakuum
erzeugt. Anschließend wird ein inertes Gas unter niedrigem
Druck in die Arbeitskammer 34 eingeleitet. Unter Druck
stehendes Kühlmittel kann durch den Kühlmitteleinlaß 56 in die
Magnetgehäuseanordnung 20 eingeleitet werden. Das Kühlmittel
hat zwei Aufgaben zu erfüllen. Zunächst führt es die beim
Betrieb der Zerstäubungsvorrichtung 66 im Target 36 erzeugte
Wärme ab, die auf dem Weg über die geflanschte
Halterungsplatte 14 an das Kühlmittel übertragen wird. Seine
zweite Aufgabe erfüllt das Kühlmittel dadurch, daß es auf das
eine Vielzahl von Schaufeln aufweisende Schaufelrad 44
aufprallt, dieses in Drehung versetzt und damit die
Magnetbaugruppe 46 antreibt. Dann strömt das Kühlmittel aus
der Magnetgehäuseanordnung 20 durch den Kühlmittelauslaß 58
aus.
Durch das Drehen des Schaufelrades 44 wird die Antriebswelle
42 gedreht und die eingekapselte Magnetbaugruppe 46 in eine
translatorische und/oder rotatorische Bewegung versetzt. Wie
aus Fig. 2 hervorgeht, ist die Verbindung zwischen der
Antriebswelle 42 und der eingekapselten Magnetbaugruppe 46 so
gestaltet, daß diese in eine exzentrische Drehbewegung
versetzt wird. Die eingekapselte Magnetbaugruppe 46 wird in
einer Ebene parallel zum Target 36 bewegt. Von den
Permanentmagneten 64 innerhalb der eingekapselten
Magnetbaugruppe 46 werden Magnetflußlinien erzeugt, welche
geschlossene Schleifenpaare 74 bilden, die sich von einem Pol
eines Permanentmagneten 64 zu dessen entgegengesetztem Pol
erstrecken. Aufgrund der axialen Anordnung der
Permanentmagnete 64 innerhalb der Magnetanordnung 61 verlaufen
die Schleifenpaare 74 entlang des Durchmessers und in
senkrecht zur Ebene des Targets 36 liegenden Ebenen. Die
Schleifenpaare 74 verlaufen somit durch und über das Target
36, wie Fig. 5 zeigt.
Wenn die Magnetbaugruppe 46 bewegt wird und die
Magnetflußlinien über die Oberfläche des Targets 36 streichen,
wird an das Target 36 über den elektrischen Draht 60
Gleichspannung angelegt. Durch diese Spannung entsteht
zwischen dem Target 36 und dem Substrat 70 ein
elektrostatisches Feld. Von dem Target 36 gehen Elektronen
aus, die das Inertgas ionisieren. Die so entstehenden Ionen
prallen auf das Target 36 auf und schlagen aus ihm Atome oder
Moleküle heraus. Die herausgeschlagenen Atome und Moleküle
lagern sich dann auf dem Substrat 70 ab. Da die
Magnetflußlinien, die sich parallel zur Ebene der
Targetoberfläche erstrecken, kontinuierlich in einem
gleichmäßigen Muster über die Targetoberfläche bewegt werden,
wird das Target 36 gleichförmig aufgebraucht, und das typische
Erosionsnutenmuster stellt sich nicht ein.
Das in den Fig. 6 bis 9 gezeigte alternative
Ausführungsbeispiel einer selbstangetriebenen
Magneteinrichtung 76 mit Doppeltarget weist einen oberen
Erdungsring 78 und einen unteren Erdungsring 80 auf, welche um
eine Magnetgehäuseanordnung 82 herum mit Hilfe einer Vielzahl
von Befestigungselementen 84 (von denen nur vier gezeigt sind)
angebracht sind. Die Befestigungselemente 84 sind gegenüber
der Magnetgehäuseanordnung 82 durch eine Vielzahl von
Isolatoren 86 isoliert. Zur Schaffung der
Magnetgehäuseanordnung 82 ist eine obere Halterungsplatte 88
mit einer unteren Halterungsplatte 90 durch eine Vielzahl von
Befestigungselementen 92 verbunden. Zwischen der oberen und
unteren Halterungsplatte 88 bzw. 90 stellt ein O-Ring 94, der
in eine Nut 96 in der oberen Halterungsplatte 88 eingesetzt
ist, eine Abdichtung her. Die Verbindung zwischen der oberen
und unteren Halterungsplatte 88 und 90 ist von einer oberen
horizontalen Lagernut 98, einer unteren horizontalen Lagernut
100 und einer vertikalen Lagernut 102 gebildet. Innerhalb der
Magnetgehäuseanordnung 82 ist ein Schaufelrad 104 angebracht,
welches einen Ring 106, eine Vielzahl von
Lageranordnungshalterungen 108, eine Vielzahl horizontaler
Rollenlageranordnungen 110, eine Vielzahl vertikaler
Rollenlageranordnungen 112 und eine Vielzahl von Schaufeln 114
aufweist.
Eine eingekapselte Magnetbaugruppe 46′ ist so an der
Innenfläche des Ringes 106 befestigt, daß sie sich gegenüber
dem Ring 106 exzentrisch verhält. Diese Magnetbaugruppe 46′
hat einen ähnlichen Aufbau wie die im Zusammenhang mit Fig. 1
bis 3 schon beschriebene eingekapselte Magnetbaugruppe 46. An
der Außenfläche 116 der oberen Halterungsplatte 88 sowie an
der Außenfläche 118 der unteren Halterungsplatte 90 ist
jeweils ein Target 36′ befestigt. Die Magnetgehäuseanordnung
82 weist zwei Durchlässe 120 und 122 auf, an die ein
Kühlmitteleinlaß 56′ bzw. ein Kühlmittelauslaß 58′
angeschlossen ist, so daß das in die Magnetgehäuseanordnung 82
eintretende Kühlmittel auf die Schaufeln 114 aufprallt. Die
selbst angetriebene Magneteinrichtung 76 mit doppeltem Target
ist so anbringbar, daß die Targets 36′ sich entweder in einer
horizontalen oder in einer vertikalen Ebene innerhalb einer
Arbeitskammer erstrecken, wobei die zur Verfügung stehende
Gleichstrom- oder Hochfrequenz-Energie so an die Anordnung
angeschlossen ist, daß diese kathodisch wirkt, wenn Energie
zugeführt wird. Substrate können in der Nähe der Targets 36′
in Ebenen parallel zu denselben angeordnet werden. In der
Arbeitskammer kann auch mehr als nur eine Magneteinrichtung 76
mit doppeltem Target und Wasserantrieb vorgesehen sein, so daß
mehr als zwei Substrate gleichzeitig beschichtet werden
können.
Wenn Kühlmittel unter Druck durch den Kühlmitteleinlaß 56′
eingeführt wird, prallt es auf die Schaufeln 114 auf und
bewirkt, daß das Schaufelrad 104 gedreht wird. Wenn die
Magneteinrichtung 76 mit Selbstantrieb und doppeltem Target so
ausgerichtet ist, daß die Targets 36′ in einer horizontalen
Ebene liegen, läuft das Schaufelrad auf den horizontalen
Rollenlageranordnungen 110 in den oberen und unteren
Lagernuten 98 und 100. Ist die Magneteinrichtung 76 vertikal
ausgerichtet, so läuft das Schaufelrad 104 auf den vertikalen
Rollenlageranordnungen 112 und der vertikalen Lagernut 102.
Wenn sich das Schaufelrad 104 dreht, bewirkt es, daß die
eingekapselte Magnetbaugruppe 46′ exzentrisch umläuft, wodurch
das erzeugte Magnetfeld über die Außenflächen der Targets 36′
streicht, was zu einer gleichmäßigen Verarmung der Targets 36′
in ähnlicher Weise wie schon beschrieben, führt.
Ein zweites alternatives Ausführungsbeispiel ist in den Fig.
10 und 11 gezeigt. Hier weist eine translatorische
Magneteinrichtung 140 eine obere Abdeckung 142, eine vordere
Abdeckung 144, eine hintere Abdeckung 146, ein erstes
Seitenteil 148, ein zweites Seitenteil 150, eine untere
Halterungsplatte 152, einen Isolator 154 und eine Halterung
156 für eine Arbeitskammer auf. Die obere Abdeckung 142 ist an
der unteren Halterungsplatte 152 und dem Isolator 154 durch
eine Vielzahl von Befestigungselementen 158 befestigt, die
sich durch die vordere Abdeckung 144, die hintere Abdeckung
146, das erste Seitenteil 148 und das zweite Seitenteil 150
erstrecken, wodurch eine Magnetgehäuseanordnung 151 geschaffen
ist.
In einem Flansch 164 der unteren Halterungsplatte 152 ist eine
erste und zweite O-Ringnut 160 bzw. 162 vorgesehen. Am
Isolator 154 ist eine dritte O-Ringnut 166 ausgebildet. In
jeder der O-Ringnuten 160, 162 und 166 ist jeweils ein O-Ring
168, 169 bzw. 172 aufgenommen, wodurch zwischen der unteren
Halterungsplatte 152 und dem Isolator 154 sowie zwischen dem
Isolator 154 und der Halterung 156 für die Arbeitskammer eine
Abdichtung geschaffen ist. An der unteren Halterungsplatte 156
ist unter Verwendung von hier nicht gezeigten
Befestigungselementen oder einer anderen
Verbindungseinrichtung ein Target 168 angebracht. Der Antrieb
der Magnetbaugruppe 46′′ erfolgt über eine Schubkurbel, mittels
der die Rotationsbewegung einer Welle 170 in eine
Translationsbewegung überführt wird. Die Welle 170 ragt in die
Magnetgehäuseanordnung 151 durch eine Öffnung in der oberen
Abdeckung 142 hinein, deren Achse sich rechtwinklig zur Ebene
der unteren Halterungsplatte 152 erstreckt und die auf der
Längsmittellinie der Magnetgehäuseanordnung 151 angeordnet
ist. Die Welle 170 hat ein unteres Ende 174, welche sich durch
ein erstes Ende 175 einer ersten Koppelstange 176 erstreckt
und dort mittels eines Stiftes 178 festgemacht ist. Die
Koppelstange 176 ist in einer Ebene parallel zur Ebene der
unteren Halterungsplatte 152 angeordnet und läuft in dieser
um.
Die erste Koppelstange 176 weist an ihrem zweiten Ende 180
einen Drehzapfen 182 auf, der sich durch die erste
Koppelstange 176 und in ein erstes Ende 184 einer zweiten
Koppelstange 186 erstreckt. Durch das erste Ende 184 der
zweiten Koppelstange 186 und den Drehzapfen 182 erstreckt sich
ein Stift 188, um das gebildete Drehgelenk zusammenzuhalten,
welches der ersten Koppelstange 176 eine Schwenkbewegung um
den Drehzapfen 182 ermöglicht. Die zweite Koppelstange 186
weist an ihrem zweiten Ende 190 einen weiteren Drehzapfen 192
auf, der in einem Aufnahmeglied 194 befestigt ist, welches an
einer eingekapselten Magnetbaugruppe 46′′ fest angebracht ist.
Die zweite Koppelstange 186 kann um den Drehzapfen 192
schwenken. Die eingekapselte Magnetbaugruppe 46′′ ist ähnlich
aufgebaut wie die vorstehend beschriebene und in Fig. 1 bis 3
gezeigte eingekapselte Magnetbaugruppe 46.
An der eingekapselten Magnetbaugruppe 46′′ sind mehrere
Gleitmuffen 196 angebracht, die entlang von zwei
Führungsstangen 198 gleiten können. Die Führungsstangen 198
sind in mehreren Schlitzen 200 im ersten und zweiten
Seitenteil 148 bzw. 150 angebracht.
Während des Betriebes wird die Welle 170 mit einer
Dreheinrichtung um ihre Längsachse 202 gedreht. Diese
Drehbewegung veranlaßt die erste Koppelstange 176 in einer
Ebene im wesentlichen parallel zur Ebene der unteren
Halterungsplatte 152 um die Längsachse 202 zu schwenken.
Wenn die erste Koppelstange 176 schwenkt, zieht sie die zweite
Koppelstange 186 mit sich, so daß auf die eingekapselte
Magnetbaugruppe 46′′ über den Drehzapfen 192 und das
Aufnahmeglied 194 eine Antriebskraft ausgeübt wird. Da der
Freiheitsgrad der Bewegung der Magnetbaugruppe 46′′ durch die
sich durch die Gleitmuffen 196 erstreckenden Führungsstangen
198 begrenzt wird, bewirkt die auf die Magnetbaugruppe 46′′
ausgeübte Antriebskraft eine Translation der Magnetbaugruppe
46′′.
Beim Weiterschwenken der ersten Koppelstange 176 wird die
eingekapselte Magnetbaugruppe 46′′ so bewegt, wie es in Fig. 11
gestrichelt gezeigt ist, daß nach einer vollständigen
Umdrehung der ersten Koppelstange 176 um die Längsachse 202
die eingekapselte Magnetbaugruppe 46′′ eine komplette Bewegung
über das Target 168 ausgeführt hat und in ihre
Ausgangsstellung zurückgekehrt ist, wie Fig. 10 zeigt. Die
Bewegung der eingekapselten Magnetbaugruppe 46′′ wird bei
fortgesetzter Umdrehung der Welle 170 wiederholt. Das von der
eingekapselten Magnetbaugruppe 46′′ erzeugte Magnetfeld
streicht also über das Target 168, was zu einer gleichförmigen
Verarmung des Targetmaterials während des
Zerstäubungsprozesses führt. Während des Betriebes erhält die
translatorisch bewegbare Magneteinrichtung 140 elektrischen
Strom und Kühlmittel und arbeitet als Gleichstrom- oder HF-
Magnetron. Die Magneteinrichtung 140 wird dabei über eine
abdichtende Öffnung in einer Arbeitskammer angebracht, wie im
Zusammenhang mit der Arbeitskammer 34 beschrieben, so daß das
Target 168 sich in der Nähe einer zu beschichtenden Oberfläche
befindet, die in einer im wesentlichen parallel zur Ebene des
Targets 168 liegenden Ebene angeordnet ist.
Bei einem anderen alternativen Ausführungsbeispiel ist eine
Vielzahl eingekapselter Magnetbaugruppen vorgesehen, die von
einer gemeinsamen Welle exzentrisch angetrieben werden. Dabei
kann die Größe der darin enthaltenen Ringe 62 und
Permanentmagnete 64 variieren und ist nicht auf die in den
Zeichnungen angegebene Größe oder Anzahl beschränkt. Die
Durchmesser der zu beschichtenden Substrate liegen
typischerweise im Bereich zwischen ca. 7,62 cm und 12,70 cm (3
bis 5 Zoll). Die verwendbare Substratgröße ist jedoch abhängig
von den industriellen Anforderungen.
Da das Kühlmittel - wie oben erwähnt - sowohl zur Abführung
der im Target erzeugten Wärme als auch für den Antrieb der
Magnetbaugruppe verwendet wird, ist diese Antriebsart sehr
zweckmäßig. Sie ist jedoch nicht als einziges Mittel zum
Erzeugen der Bewegung der Magnetbaugruppe anzusehen. Außer
einer hydraulischen Antriebseinrichtung können auch
elektrische oder magnetische Antriebseinrichtungen vorgesehen
sein. Die Geschwindigkeit des Antriebs läßt sich
erfindungsgemäß durch Verstärken oder Verringern der
Kühlmittelströmung zur Magnetgehäuseanordnung 20 steuern.
Um die Vorrichtung vor Überhitzung zu schützen, kann eine
Wasser/Dreh-Verriegelung vorgesehen sein, die die
Gleichstromzufuhr unterbricht, wenn sich entweder die
Antriebswelle 42 nicht dreht oder kein Wasser durch den
Kühlmitteleinlaß 56 strömt.
In einem alternativen Ausführungsbeispiel kann die
Magnetbaugruppe 46 nicht nur - wie in den obigen Beispielen -
in eine gleichförmige, sondern auch in eine zufällige Bewegung
versetzt werden. Es sei auch noch erwähnt, daß die Ebene der
Magnetbaugruppe gegenüber dem Target durch Einstellen der
Länge der Antriebswelle 42 oder durch Arbeiten ohne Lagerring
48 und Nylonrollen 54 angehoben oder abgesenkt werden kann,
was eine Berührung zwischen der eingekapselten Magnetbaugruppe
46 und der Oberseite der geflanschten Halterungsplatte 14
ermöglicht.
Claims (14)
1. Als Planarmagnetron ausgebildete Zerstäubungsvorrichtung
mit folgenden Merkmalen:
eine Vakuumkammer (34) weist eine Positioniereinrichtung (72) für ein zu beschichtendes Substrat (70) auf;
innerhalb der Kammer (34) ist ein Target (36) zur Abgabe von Beschichtungsmaterial vorgesehen und bietet eine planare Targetoberfläche dar;
ein wenigstens zwei Magnete (64) aufweisendes Magnetsystem (10) ist hinter dem Target (36) angeordnet und relativ zu diesem bewegbar, so daß die erzeugten magnetischen Kraftflußlinien entlang der Targetoberfläche wandern, um eine gleichmäßige Targeterosion und Substratbeschichtung zu erreichen,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Magnetsystem (10) eine Mehrzahl von Magneten (64) aufweist, die innerhalb eines magnetisch permeablen Gehäuses gegen den Zutritt von Kühlmittel eingekapselt sind und so eine eingekapselte Magnetbaugruppe (46, 46′, 46′′) bilden und
daß diese eingekapselte Magnetbaugruppe (46, 46′, 46′′) innerhalb eines von Kühlmittel durchflossenen Bereiches (20; 82; 151) angeordnet ist, an den das Target (36) angrenzt.
eine Vakuumkammer (34) weist eine Positioniereinrichtung (72) für ein zu beschichtendes Substrat (70) auf;
innerhalb der Kammer (34) ist ein Target (36) zur Abgabe von Beschichtungsmaterial vorgesehen und bietet eine planare Targetoberfläche dar;
ein wenigstens zwei Magnete (64) aufweisendes Magnetsystem (10) ist hinter dem Target (36) angeordnet und relativ zu diesem bewegbar, so daß die erzeugten magnetischen Kraftflußlinien entlang der Targetoberfläche wandern, um eine gleichmäßige Targeterosion und Substratbeschichtung zu erreichen,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Magnetsystem (10) eine Mehrzahl von Magneten (64) aufweist, die innerhalb eines magnetisch permeablen Gehäuses gegen den Zutritt von Kühlmittel eingekapselt sind und so eine eingekapselte Magnetbaugruppe (46, 46′, 46′′) bilden und
daß diese eingekapselte Magnetbaugruppe (46, 46′, 46′′) innerhalb eines von Kühlmittel durchflossenen Bereiches (20; 82; 151) angeordnet ist, an den das Target (36) angrenzt.
2. Zerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die magnetischen Kraftflußlinien Paare von
geschlossenen Schleifen (74) bilden, die von einem Pol
eines betreffenden Magneten (64) zum entgegengesetzten Pol
des betreffenden Magneten (64) führen.
3. Zerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß das magnetisch permeable Gehäuse einen Ring (62) aufweist, in welchen die Paare der Schleifen (74) entlang von Durchmesserebenen des Rings (62) verlaufen (Fig. 5).
daß das magnetisch permeable Gehäuse einen Ring (62) aufweist, in welchen die Paare der Schleifen (74) entlang von Durchmesserebenen des Rings (62) verlaufen (Fig. 5).
4. Zerstäubungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß das magnetisch permeable Gehäuse einen Ring (62) aufweist und
daß die Mehrzahl der Magnete (64) radial zu dem Ring (62) angeordnet sind.
daß das magnetisch permeable Gehäuse einen Ring (62) aufweist und
daß die Mehrzahl der Magnete (64) radial zu dem Ring (62) angeordnet sind.
5. Zerstäubungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Magnete (64) in Paaren zueinander und zu einer
zentralen Stelle ausgerichtet sind.
6. Zerstäubungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Magnete (64) aus Permanentmagneten bestehen.
7. Zerstäubungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein Antrieb (41) für eine kreisförmige Bewegung der
Magnetbaugruppe (46, 46′, 46′′) eingerichtet ist.
8. Zerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Antrieb (41) eine exzentrisch zum magnetisch
permeablen Gehäuse angeordnete Welle (42) umfaßt, um eine
exzentrische Bewegung zu erzeugen.
9. Zerstäubungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein Antrieb (41) für eine zufällige Bewegung der
Magnetbaugruppe (46, 46′, 46′′) eingerichtet ist.
10. Zerstäubungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein Antrieb (41) für translatorische Bewegungen der
Magnetbaugruppe (46, 46′, 46′′) eingerichtet ist.
11. Zerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 10,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Antrieb als Schubkurbel (170, 176; 186, 198)
ausgebildet ist, der eine umlaufende Koppelstange (170),
eine schwingende Koppelstange (176) sowie eine
Längsführung (198) umfaßt.
12. Zerstäubungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 11,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Antrieb (41) ein Schaufelrad (44, 104) umfaßt, das
über den Kühlmittelkreislauf (56, 56′, 58, 58′) antreibbar
ist.
13. Zerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Schaufelrad (44, 104) innerhalb der
Magnetgehäuseanordnung (20, 82) angebracht ist.
14. Zerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 13,
dadurch gekennzeichnet,
daß beidseitig zum Magnetsystem (10) Targets (36′)
angeordnet sind.
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---|---|---|---|
US41464982A | 1982-09-03 | 1982-09-03 | |
US06/504,598 US4444643A (en) | 1982-09-03 | 1983-06-16 | Planar magnetron sputtering device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3331245A1 DE3331245A1 (de) | 1984-03-08 |
DE3331245C2 true DE3331245C2 (de) | 1992-03-12 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19833331245 Granted DE3331245A1 (de) | 1982-09-03 | 1983-08-30 | Ebene magnetron-zerstaeubungsvorrichtung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4444643A (de) |
DE (1) | DE3331245A1 (de) |
GB (1) | GB2126257B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014109991A1 (de) * | 2014-07-16 | 2016-01-21 | Von Ardenne Gmbh | Magnetron-Anordnung, Prozessieranordnung, Verfahren und Verwendung einer Magnetron-Anordnung |
Families Citing this family (87)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4673477A (en) * | 1984-03-02 | 1987-06-16 | Regents Of The University Of Minnesota | Controlled vacuum arc material deposition, method and apparatus |
JPS61501328A (ja) * | 1984-03-02 | 1986-07-03 | リ−ジェンツ・オブ・ザ・ユニヴァ−シティ・オブ・ミネソタ | 制御された真空ア−クによる材料デポジション方法及び装置 |
DE3413001A1 (de) * | 1984-04-06 | 1985-10-17 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Katodenzerstaeubungsanlage mit nebeneinander angeordneten stationen |
US4552639A (en) * | 1984-07-20 | 1985-11-12 | Varian Associates, Inc. | Magnetron sputter etching system |
EP0169680A1 (de) * | 1984-07-20 | 1986-01-29 | Varian Associates, Inc. | Magnetron-Zerstäubungsvorrichtung zum Ätzen |
US4724058A (en) * | 1984-08-13 | 1988-02-09 | Vac-Tec Systems, Inc. | Method and apparatus for arc evaporating large area targets |
DE3580953D1 (de) * | 1984-08-31 | 1991-01-31 | Anelva Corp | Entladungsvorrichtung. |
JPS6260866A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-03-17 | Fujitsu Ltd | マグネトロンスパツタ装置 |
JPS6247478A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-03-02 | バリアン・アソシエイツ・インコ−ポレイテツド | 磁場の円運動と放射状運動を組み合わせたプレ−ナ・マグネトロン・スパツタリング装置 |
US4632719A (en) * | 1985-09-18 | 1986-12-30 | Varian Associates, Inc. | Semiconductor etching apparatus with magnetic array and vertical shield |
JPH0812856B2 (ja) * | 1986-01-17 | 1996-02-07 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理方法および装置 |
DE3789307T2 (de) * | 1986-04-04 | 1994-06-09 | Univ Minnesota | Bogenbeschichtung von feuerfesten metallverbindungen. |
DE3619194A1 (de) * | 1986-06-06 | 1987-12-10 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Magnetron-zerstaeubungskatode fuer vakuum-beschichtungsanlagen |
US4842703A (en) * | 1988-02-23 | 1989-06-27 | Eaton Corporation | Magnetron cathode and method for sputter coating |
US4892633A (en) * | 1988-11-14 | 1990-01-09 | Vac-Tec Systems, Inc. | Magnetron sputtering cathode |
US4865708A (en) * | 1988-11-14 | 1989-09-12 | Vac-Tec Systems, Inc. | Magnetron sputtering cathode |
US4915805A (en) * | 1988-11-21 | 1990-04-10 | At&T Bell Laboratories | Hollow cathode type magnetron apparatus construction |
US5130005A (en) * | 1990-10-31 | 1992-07-14 | Materials Research Corporation | Magnetron sputter coating method and apparatus with rotating magnet cathode |
US5409590A (en) * | 1989-04-17 | 1995-04-25 | Materials Research Corporation | Target cooling and support for magnetron sputter coating apparatus |
US4995958A (en) * | 1989-05-22 | 1991-02-26 | Varian Associates, Inc. | Sputtering apparatus with a rotating magnet array having a geometry for specified target erosion profile |
US6024843A (en) * | 1989-05-22 | 2000-02-15 | Novellus Systems, Inc. | Sputtering apparatus with a rotating magnet array having a geometry for specified target erosion profile |
DE3929695C2 (de) * | 1989-09-07 | 1996-12-19 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats |
US5252194A (en) * | 1990-01-26 | 1993-10-12 | Varian Associates, Inc. | Rotating sputtering apparatus for selected erosion |
US5320728A (en) * | 1990-03-30 | 1994-06-14 | Applied Materials, Inc. | Planar magnetron sputtering source producing improved coating thickness uniformity, step coverage and step coverage uniformity |
US5242566A (en) * | 1990-04-23 | 1993-09-07 | Applied Materials, Inc. | Planar magnetron sputtering source enabling a controlled sputtering profile out to the target perimeter |
US5171415A (en) * | 1990-12-21 | 1992-12-15 | Novellus Systems, Inc. | Cooling method and apparatus for magnetron sputtering |
EP0496036B1 (de) * | 1991-01-25 | 1994-12-14 | Sony Corporation | Zerstäubungsvorrichtung |
US5108574A (en) * | 1991-01-29 | 1992-04-28 | The Boc Group, Inc. | Cylindrical magnetron shield structure |
DE4107505A1 (de) * | 1991-03-08 | 1992-09-10 | Leybold Ag | Verfahren zum betrieb einer sputteranlage und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
DE4125110C2 (de) * | 1991-07-30 | 1999-09-09 | Leybold Ag | Magnetron-Zerstäubungskathode für Vakuumbeschichtungsanlagen |
US5194131A (en) * | 1991-08-16 | 1993-03-16 | Varian Associates, Inc. | Apparatus and method for multiple ring sputtering from a single target |
US5314597A (en) * | 1992-03-20 | 1994-05-24 | Varian Associates, Inc. | Sputtering apparatus with a magnet array having a geometry for a specified target erosion profile |
US5374343A (en) * | 1992-05-15 | 1994-12-20 | Anelva Corporation | Magnetron cathode assembly |
US5262028A (en) * | 1992-06-01 | 1993-11-16 | Sierra Applied Sciences, Inc. | Planar magnetron sputtering magnet assembly |
US5417833A (en) * | 1993-04-14 | 1995-05-23 | Varian Associates, Inc. | Sputtering apparatus having a rotating magnet array and fixed electromagnets |
CH690805A5 (de) * | 1993-05-04 | 2001-01-15 | Unaxis Balzers Ag | Magnetfeldunterstützte Zerstäubungsanordnung und Vakuumbehandlungsanlage hiermit. |
US6199259B1 (en) | 1993-11-24 | 2001-03-13 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Autoclave bonding of sputtering target assembly |
US5487822A (en) * | 1993-11-24 | 1996-01-30 | Applied Materials, Inc. | Integrated sputtering target assembly |
US5433835B1 (en) * | 1993-11-24 | 1997-05-20 | Applied Materials Inc | Sputtering device and target with cover to hold cooling fluid |
DE4414470A1 (de) * | 1994-04-26 | 1995-11-02 | Leybold Ag | Zerstäuberkathode |
DE4426200A1 (de) * | 1994-07-23 | 1996-01-25 | Leybold Ag | Kathodenzerstäubungsvorrichtung |
US5597459A (en) * | 1995-02-08 | 1997-01-28 | Nobler Technologies, Inc. | Magnetron cathode sputtering method and apparatus |
US6039848A (en) * | 1995-07-10 | 2000-03-21 | Cvc Products, Inc. | Ultra-high vacuum apparatus and method for high productivity physical vapor deposition. |
WO1997003221A1 (en) * | 1995-07-10 | 1997-01-30 | Cvc Products, Inc. | Magnetron cathode apparatus and method for sputtering |
US6221217B1 (en) | 1995-07-10 | 2001-04-24 | Cvc, Inc. | Physical vapor deposition system having reduced thickness backing plate |
US5985115A (en) * | 1997-04-11 | 1999-11-16 | Novellus Systems, Inc. | Internally cooled target assembly for magnetron sputtering |
US6340415B1 (en) | 1998-01-05 | 2002-01-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for enhancing a sputtering target's lifetime |
US6342131B1 (en) | 1998-04-17 | 2002-01-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of depositing a multilayer thin film by means of magnetron sputtering which controls the magnetic field |
US5980707A (en) * | 1998-12-18 | 1999-11-09 | Sierra Applied Sciences, Inc. | Apparatus and method for a magnetron cathode with moving magnet assembly |
US6306265B1 (en) * | 1999-02-12 | 2001-10-23 | Applied Materials, Inc. | High-density plasma for ionized metal deposition capable of exciting a plasma wave |
DE69937948D1 (de) | 1999-06-21 | 2008-02-21 | Bekaert Advanced Coatings N V | Magnetron mit beweglicher Magnetanordnung zur Kompensation des Erosionsprofils |
US6258217B1 (en) | 1999-09-29 | 2001-07-10 | Plasma-Therm, Inc. | Rotating magnet array and sputter source |
US6228236B1 (en) * | 1999-10-22 | 2001-05-08 | Applied Materials, Inc. | Sputter magnetron having two rotation diameters |
US6471830B1 (en) | 2000-10-03 | 2002-10-29 | Veeco/Cvc, Inc. | Inductively-coupled-plasma ionized physical-vapor deposition apparatus, method and system |
US6758950B2 (en) * | 2002-01-14 | 2004-07-06 | Seagate Technology Llc | Controlled magnetron shape for uniformly sputtered thin film |
US6841050B2 (en) * | 2002-05-21 | 2005-01-11 | Applied Materials, Inc. | Small planetary magnetron |
US6852202B2 (en) | 2002-05-21 | 2005-02-08 | Applied Materials, Inc. | Small epicyclic magnetron with controlled radial sputtering profile |
US7351480B2 (en) * | 2002-06-11 | 2008-04-01 | Southwest Research Institute | Tubular structures with coated interior surfaces |
US20050133361A1 (en) * | 2003-12-12 | 2005-06-23 | Applied Materials, Inc. | Compensation of spacing between magnetron and sputter target |
US7513982B2 (en) | 2004-01-07 | 2009-04-07 | Applied Materials, Inc. | Two dimensional magnetron scanning for flat panel sputtering |
US8500975B2 (en) * | 2004-01-07 | 2013-08-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for sputtering onto large flat panels |
US20060049040A1 (en) * | 2004-01-07 | 2006-03-09 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for two dimensional magnetron scanning for sputtering onto flat panels |
US20050178653A1 (en) * | 2004-02-17 | 2005-08-18 | Charles Fisher | Method for elimination of sputtering into the backing plate of a target/backing plate assembly |
EP1774563A1 (de) * | 2004-07-01 | 2007-04-18 | Cardinal CG Company | Zylindrisches aufnahmeteil mit schwingmagnet zum magnetronsputtern |
US7790003B2 (en) * | 2004-10-12 | 2010-09-07 | Southwest Research Institute | Method for magnetron sputter deposition |
US7520965B2 (en) * | 2004-10-12 | 2009-04-21 | Southwest Research Institute | Magnetron sputtering apparatus and method for depositing a coating using same |
US7592051B2 (en) * | 2005-02-09 | 2009-09-22 | Southwest Research Institute | Nanostructured low-Cr Cu-Cr coatings for high temperature oxidation resistance |
US7799190B2 (en) * | 2005-04-14 | 2010-09-21 | Tango Systems, Inc. | Target backing plate for sputtering system |
US8470141B1 (en) * | 2005-04-29 | 2013-06-25 | Angstrom Sciences, Inc. | High power cathode |
JP4923450B2 (ja) * | 2005-07-01 | 2012-04-25 | 富士ゼロックス株式会社 | バッチ処理支援装置および方法、プログラム |
US20070012558A1 (en) * | 2005-07-13 | 2007-01-18 | Applied Materials, Inc. | Magnetron sputtering system for large-area substrates |
US20070084720A1 (en) * | 2005-07-13 | 2007-04-19 | Akihiro Hosokawa | Magnetron sputtering system for large-area substrates having removable anodes |
US20070012559A1 (en) * | 2005-07-13 | 2007-01-18 | Applied Materials, Inc. | Method of improving magnetron sputtering of large-area substrates using a removable anode |
US20070012663A1 (en) * | 2005-07-13 | 2007-01-18 | Akihiro Hosokawa | Magnetron sputtering system for large-area substrates having removable anodes |
US20070051616A1 (en) * | 2005-09-07 | 2007-03-08 | Le Hienminh H | Multizone magnetron assembly |
US20070056850A1 (en) * | 2005-09-13 | 2007-03-15 | Applied Materials, Inc. | Large-area magnetron sputtering chamber with individually controlled sputtering zones |
US7588668B2 (en) * | 2005-09-13 | 2009-09-15 | Applied Materials, Inc. | Thermally conductive dielectric bonding of sputtering targets using diamond powder filler or thermally conductive ceramic fillers |
US20070056843A1 (en) * | 2005-09-13 | 2007-03-15 | Applied Materials, Inc. | Method of processing a substrate using a large-area magnetron sputtering chamber with individually controlled sputtering zones |
US9771647B1 (en) * | 2008-12-08 | 2017-09-26 | Michael A. Scobey | Cathode assemblies and sputtering systems |
US20130220797A1 (en) * | 2010-05-19 | 2013-08-29 | General Plasma, Inc. | High target utilization moving magnet planar magnetron scanning method |
US20130017316A1 (en) * | 2011-07-15 | 2013-01-17 | Intermolecular, Inc. | Sputter gun |
DE102012211664A1 (de) * | 2012-07-04 | 2014-01-09 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Magnetronsputtereinrichtung |
US9844828B2 (en) * | 2012-08-31 | 2017-12-19 | Illinois Tool Works Inc. | Wire feeder assembly with motor mount |
US10032872B2 (en) | 2013-05-17 | 2018-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing the same, and apparatus for manufacturing semiconductor device |
US20160133446A1 (en) * | 2014-11-12 | 2016-05-12 | Proportional Technologies, Inc. | Moving magnet assembly to increase the utility of a rectangular magnetron sputtering target |
US11479847B2 (en) | 2020-10-14 | 2022-10-25 | Alluxa, Inc. | Sputtering system with a plurality of cathode assemblies |
CN115074678B (zh) * | 2022-06-20 | 2023-05-16 | 肇庆市科润真空设备有限公司 | 不锈钢薄板连续镀膜用的多弧靶机构及pvd镀膜装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3956093A (en) * | 1974-12-16 | 1976-05-11 | Airco, Inc. | Planar magnetron sputtering method and apparatus |
DE2707144A1 (de) * | 1976-02-19 | 1977-08-25 | Sloan Technology Corp | Kathodenzerstaeubungsvorrichtung |
US4175030A (en) * | 1977-12-08 | 1979-11-20 | Battelle Development Corporation | Two-sided planar magnetron sputtering apparatus |
US4116806A (en) * | 1977-12-08 | 1978-09-26 | Battelle Development Corporation | Two-sided planar magnetron sputtering apparatus |
US4312731A (en) * | 1979-04-24 | 1982-01-26 | Vac-Tec Systems, Inc. | Magnetically enhanced sputtering device and method |
EP0045822B1 (de) * | 1980-08-08 | 1985-05-29 | Battelle Development Corporation | Zylindrische Magnetron-Zerstäuberkathode |
US4356073A (en) * | 1981-02-12 | 1982-10-26 | Shatterproof Glass Corporation | Magnetron cathode sputtering apparatus |
GB2101638B (en) * | 1981-07-16 | 1985-07-24 | Ampex | Moveable cathodes/targets for high rate sputtering system |
-
1983
- 1983-06-16 US US06/504,598 patent/US4444643A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-08-30 DE DE19833331245 patent/DE3331245A1/de active Granted
- 1983-08-31 GB GB08323336A patent/GB2126257B/en not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014109991A1 (de) * | 2014-07-16 | 2016-01-21 | Von Ardenne Gmbh | Magnetron-Anordnung, Prozessieranordnung, Verfahren und Verwendung einer Magnetron-Anordnung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB8323336D0 (en) | 1983-10-05 |
GB2126257A (en) | 1984-03-21 |
US4444643A (en) | 1984-04-24 |
GB2126257B (en) | 1986-10-01 |
DE3331245A1 (de) | 1984-03-08 |
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DE3331245C2 (de) | ||
DE2463431C2 (de) | ||
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EP0211057B1 (de) | Sputteranlage zum reaktiven beschichten eines substrates mit hartstoffen | |
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