CH683777A5 - Ortsfeste Magnetron-Zerstäubungskathode für Vakuumbeschichtungsanlagen. - Google Patents

Ortsfeste Magnetron-Zerstäubungskathode für Vakuumbeschichtungsanlagen. Download PDF

Info

Publication number
CH683777A5
CH683777A5 CH2448/91A CH244891A CH683777A5 CH 683777 A5 CH683777 A5 CH 683777A5 CH 2448/91 A CH2448/91 A CH 2448/91A CH 244891 A CH244891 A CH 244891A CH 683777 A5 CH683777 A5 CH 683777A5
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
magnets
row
group
yoke plate
magnetron sputtering
Prior art date
Application number
CH2448/91A
Other languages
English (en)
Inventor
Wolfram Dr Maass
Ulrich Dr Patz
Original Assignee
Leybold Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Leybold Ag filed Critical Leybold Ag
Publication of CH683777A5 publication Critical patent/CH683777A5/de

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405Magnetron sputtering
    • H01J37/3408Planar magnetron sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/35Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering

Description

1
CH 683 777 A5
2
Beschreibung
Die Erfindung betrifft eine ortsfeste Magnetron-Zerstäubungskathode für Vakuumbeschichtungsan-lagen für sich vor der Kathode auf einer Kreisbahn vorbeibewegenden, auf einem drehbaren Substrathalter angeordnete Substrate mit einer Targetplatte und einer zu dieser in einer parallelen Ebene angeordneten Tragplatte und mit einem hinter der Targetplatte vorgesehenen Magnetsystem, das aus einer Vielzahl von Permanentmagneten gebildet ist, von denen eine erste Gruppe oder Reihe von Magneten jeweils die gleiche und eine zweite Gruppe oder Reihe von Magneten eine entgegengesetzte Pollage aufweist, derart, dass über der Targetplatte ein in sich geschlossener Tunnel aus von der ersten Gruppe oder Reihe ausgehender und zur zweiten Gruppe oder Reihe zurückkehrender magnetischer Feldlinien gebildet wird.
Magnetron-Zerstäubungskathoden zeichnen sich durch eine um den Faktor 10 bis 30 höhere Zerstäubungsrate gegenüber Zerstäubungssystemen ohne Magnetfeldunterstützung aus. Dieser Vorteil wird jedoch mit dem Nachteil einer äusserst ungleichförmigen Zerstäubung der Targetplatte erkauft, denn die bei Magnetrons durch den magnetischen Tunnel erzwungene Einschnürung des Plasmas äussert sich in einer entsprechenden räumlichen Begrenzung des Zerstäubungseffekts. Durch Ausbildung eines tiefen Erosionsgrabens, dessen tiefste Stelle unter den Kulminationspunkten der magnetischen Feldlinien liegt, muss der Zerstäubungsvorgang beendet werden, nachdem nur etwa 25 bis 30% des Targetmaterials zerstäubt sind. Bei stationären Beschichtungssystemen, d.h. bei solchen ohne Relativbewegung zwischen Kathode und den Substraten, hat dies sehr ungleichmässige Schichtdickenverteilungen zur Folge. Im Prinzip würde der Erosionsgraben quasi fotografisch auf den Substraten abgebildet.
Diese Problematik sowie eine Reihe von Lösungsversuchen werden in der DE-OS 2 707 144 und der DE-OS 3 619 194 angesprochen. Zu den Lösungsversuchen gehört insbesondere eine Ma-gnetron-Zerstäubungskathode, bei der jeweils ein einziges, in sich geschlossenes Magnetsystem in exzentrischer Lage hinter einer kreisförmigen Targetplatte rotiert (Fig. 22 bis 25 der DE-OS 2 707 144 ), wobei die Magnete jeweils zwei inein-anderliegende, in sich geschlossene Reihen von Magneten bilden.
Durch die EP 0 365 249 A2 ist es weiterhin bekannt (Fig. 6), bei einer rotierenden Sputterkathode mit einer kreisscheibenförmigen Targetplatte einen Teil der Magnete hinter dieser Platte so in einer Reihe anzuordnen, dass die Magnete einen unsymmetrischen Ring bilden und den anderen Teil der Magnete etwa inselförmig und zusammenhängend im Zentrum der Targetpiatte vorzusehen, wobei die den Ring bildende Reihe von Magneten alle mit ihrem Südpol und die zu einer Insel zusammengefügten Magnete sämtlich mit ihrem Nordpol auf die Targetplatte ausgerichtet sind.
Weiterhin ist es bekannt («Vakuum-Information» der VEB Hochvakuum Dresden, 31. Okt. 1983, Seite 444, Bild 1), die Targetplatte einer Sputterkathode als ein etwa gleichseitiges Dreieck auszubilden und die Magnete auf ihrer Rückseite in einer Reihe anzuordnen, wobei diese Reihe von Magneten etwa parallel zweier Kanten dieser dreikantigen Platte und im Bereich der dritten Kante in einer nach innen zu geschlungenen Bucht verläuft. Diese als Dreieck-Plasmatron bezeichnete Kathode ermöglicht infolge ihrer besonderen Konfiguration bereits eine recht gute Schichtdickenverteilung bei einem vor der Targetplatte auf einem Kreisbogen vorbeibewegten Substrat.
Schliesslich ist es durch die US-Patentschrift 4 631 106 bekannt (Fig. 7), hinter einer kreisscheibenförmigen, sich drehenden Jochplatte in zwei spiralförmigen Reihen eine Vielzahl von Magneten so zu plazieren, dass der einen Reihe von Magneten mit gleicher Polung eine parallele Reihe von Magneten entgegengesetzter Polung gegenübersteht.
Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, eine Magnetron-Zerstäubungskathode der eingangs angegebenen Gattung dahingehend zu verbessern, dass die Schichtdickenverteilung auf den zu beschichtenden Substraten weiter vergleichmäs-sigt und gleichzeitig das Targetmaterial besser ausgenutzt wird.
Die Lösung der gestellten Aufgabe erfolgt bei der eingangs angegebenen Magnetron-Zerstäu-bungskathode erfindungsgemäss dadurch, dass die Targetplatte kreisscheibenförmig ausgebildet ist und die erste Gruppe oder Reihe von Magneten - im wesentlichen einen geschlossenen Kreisring bildend - im Randbereich der Targetplatte und die zweite Gruppe oder Reihe von Magneten - eine regellose, jedoch symmetrische Konfiguration bildend - im zentralen Bereich der Targetplatte vorgesehen ist, wobei der Abschnitt des magnetischen Tunnels, der im Bereich der von der Drehachse des Substrathalters abgewandten Hälfte der Targetplatte verläuft, eine insgesamt grössere Länge aufweist als der Tunnelabschnitt, der auf der der Drehachse zugewandten Hälfte der Targetplatte vorgesehen ist.
Weitere Einzelheiten und Merkmale sind in den Patentansprüchen beschrieben und gekennzeichnet.
Die Erfindung lässt die verschiedensten Ausführungsmöglichkeiten zu; einige davon sind in den anhängenden Zeichnungen näher dargestellt, und zwar zeigen:
Fig. 1 das blosse Schema einer Vakuumbe-schichtungsanlage in der Draufsicht,
Fig. 2 die stark vereinfachte Darstellung einer Vakuumbeschichtungsanlage in der Seitenansicht und im Schnitt und
Fig. 3-6 verschiedene Tragplatten mit jeweils unterschiedlichen Magnetanordnungen in der Draufsicht und in vergrösserter Darstellung.
Die Vakuumbeschichtungsanlage besteht im wesentlichen aus der kreiszylindrischen Prozesskammer 3, dem Substratteller 4, dessen Drehachse 5 durch das Bodenteil 8 hindurchgeführt ist und über ein Getriebe 6 von einem Elektromotor 7 angetrieben wird, der in einer Öffnung des Deckelteils 9 an5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
2
3
CH 683 777 A5
4
geordneten Kathode 10, die mit Hilfe eines Isolierrings 11 auf dem Rand der Öffnung 12 abgestützt und gehalten ist und die ein Target 13 mit dem zu zerstäubenden Material aufweist, wobei hinter dem Target 13 eine Vielzahl von Permanentmagneten 14 angeordnet sind, die über eine kreisscheibenförmige Jochplatte 15 miteinander verbunden sind, wobei das Target 13, die Magnete 14 und die Jochplatte 15 mit einem Kathodengrundkörper oder Tragplatte 16 verbunden sind, die ihrerseits mit ihrem kreisringförmigen Kragenteil auf dem Isolierring 11 gelagert ist.
Während des Beschichtungsprozesses herrscht in der Prozesskammer 3 ein Vakuum, wobei das Gehäuse selbst die Anode und die Teile 13 bis 16 die Kathode bilden, von der aus das Targetmaterial auf die Substrate 17, 17', ... fliesst, die auf dem Substratteller 4 liegen und (wie Fig. 1 zeigt) auf einer Kreisbahn K langsam vor der Kathode 10 vorbeibewegt werden, und zwar mit Hilfe des Motors 7, der über das Getriebe 6 und die im unteren Kammerteil 8 gelagerte Achse 5 den Substratteller 4 antreibt.
Da nun die Kathode 10 eine kreisscheibenförmige Querschnitts- bzw. Projektionsfläche aufweist, würde das sich auf der Kreisbahn K unter ihr vorbeibewegende Substrat 17 eine ungleichförmige Beschichtung aufweisen, wenn auch der übrige Aufbau der Kathode 10, insbesondere die Anordnung der Magnete 14, vollständig gleichmässig und symmetrisch wäre, d. h. wenn der sich unterhalb des Targets 13 ausformende Plasmaschlauch einen Kreisring bilden würde. Diese ungleichförmige Beschichtung ist insbesondere die Folge unterschiedlich langer Verweilzeiten einzelner Partien des Substrats 17 im Wirkungsfeld der Kathode 10 während seiner Vorbeibewegung auf der Kreisbahn K.
Bei der vorliegenden Erfindung ist die Anordnung (siehe Fig. 3 bis 6) der Magnete 14a, 14b, ... auf der Jochplatte 15, 15', ... jeweils so gewählt, dass der sich ausbildende, geschlossene magnetische Tunnel t auf der einen Partie IV der Jochplatte 15 (auf der Zeichnung Fig. 3 ist es die obere Partie) länger bemessen ist als der auf der anderen Partie I (der gleich grossen Partie am unteren Rand der Zeichnung Fig. 3). Der vom magnetischen Tunnel t bestimmte Plasmaschlauch ist also auf der oberen Hälfte (der radial äusseren Hälfte III + IV) der Kathode 10 wirksamer als auf der unteren Hälfte (was man besonders gut bei der in Fig. 4 dargestellten Magnetanordnung 14a', 14b' erkennen kann), so dass die mit höherer Geschwindigkeit unter der Kathode 10 durchlaufende, radial aussenliegende Hälfte a des Substrats 17 mit der gleichen Schichtdicke besputtert wird wie die untere Hälfte b des Substrats 17.
Bei der Darstellung der Ausführungsbeispiele gemäss den Fig. 5 und 6 wurde auf ein Einzeichnen der verschiedenen Partien bzw. Zonen verzichtet: es ist aber klar erkennbar, dass auch bei diesen Magnetanordnungen 14a", 14b" und 14a'", 14b'" die vorstehend geschilderte Bedingung erfüllt ist, dass nämlich die Plasmaschläuche auf der einen Hälfte des Targets bzw. der Jochplatte 15 sich jeweils länger ausbilden als auf der anderen Hälfte.
Die entsprechenden Verläufe der magnetischen Tunnels t" bzw. f" sind aber auch in dieser Darstellung als strichlierte Linien angedeutet.
Wie Fig. 3 deutlich zeigt, weist jeweils die erste Gruppe oder Reihe von Magneten, z.B. die in einem Halbkreis angeordneten Magnete 14a, gegenüber der zweiten Reihe von Magneten 14b, die einen geschlossenen Kreis bilden, an den sich eine weitere gerade Reihe von Magneten anschliesst, eine verschiedene Polung auf. Bei der ersten (innenliegenden) Reihe 14a sind jeweils die Südpole S dem Substrat 17 zugekehrt, während bei der zweiten Reihe die Nordpole N dem Substrat 17 zugekehrt sind. Selbstverständlich sind die einzelnen Magnete bei den Ausführungsformen gemäss den Fig. 4 bis 6 in der gleichen Weise, d.h. mit gegensinniger Polung angeordnet.
Wie insbesondere aus Fig. 5 zu ersehen ist, können die einzelnen Magnete einer Magnetreihe oder -gruppe (14a" bzw. 14b") auch verschieden gross bzw. leistungsfähig dimensioniert sein, was natürlich den Verlauf des Plasmaschlauchs bzw. seine Leistung beeinflusst.
Während bei der Magnetron-Rundkathode nach dem Stand der Technik die Anordnung der Permanentmagnete auf der Jochplatte rotationssymmetrisch ist, ist bei der Rundkathode nach der vorliegenden Erfindung eine Anordnung von Permanentmagneten auf der Jochplatte vorgesehen, die entweder spiegelsymmetrisch in bezug auf einen Radialstrahl Z des Substrathalters ist oder aber ohne eine definierte Symmetrie auskommt.
Ziel ist es in jedem Fall, einen Verlauf des Plasmaeinschlusses (race-track) zu erzeugen, der die gewünschte Verteilung im Substratbereich ermöglicht. In Abhängigkeit vom verwendeten Targetmaterial, von der verwendeten Sputtermethode (DC-Sputtern, RF-Sputtern) und von den speziellen Anlagen und deren Konfigurationen sind unterschiedliche Magnetanordnungen erforderlich.
Darüber hinaus ist es erforderlich, bei einer einzelnen Anordnung einige «Kalibrier-Magnete» in ihrer Lage und/oder ihrer Grösse in gewissem Rahmen unbestimmt zu belassen, um eine Feinkalibrierung der Schichtdickenhomogenität zu ermöglichen (siehe z.B. den Magneten 18 bei der Ausführung gemäss Fig. 3).
Bisher wird bei Magnetron-Rundkathoden die Schichtdickenhomogenität durch den Einbau sogenannter Aperturblenden ermöglicht. Dabei wird aus dem von der Kathode kommenden Materialstrahl ein Teil so ausgeblendet, dass die gewünschte Schichtdickengleichmässigkeit erreicht wird. Nachteilig ist dabei die Verringerung der effektiven Sput-terrate durch die Blenden und die auf den Blenden aufwachsenden Schichten. Diese Probleme werden durch die oben beschriebene Rundkathode nach der vorliegenden Erfindung vermieden.
Im Vergleich zu Segment- bzw. Trapezkathoden ist die Rundkathode nach der Erfindung auch wesentlich einfacher und damit billiger zu fertigen, wobei der Einbau dieser Kathoden in bereits vorhandene Anlagen in der Regel problemlos möglich ist, was ebenfalls einen beachtlichen Vorteil darstellt.
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
3
5
CH 683 777 A5
6
Bezugszeichenliste
3 Prozesskammer
4 Substratteller
5 Drehachse
6 Getriebe
7 Elektromotor
8 Bodenteil
9 Deckelteil
10 Kathode
11 Isolierung
12 Öffnung
13 Target
14a, 14b,
14a', 14b', ... Magnetgruppe oder -reihe
15 Jochplatte
16 Kathodengrundkörper, Tragplatte
17 Substrat
18 zylindrisch ausgeformter Magnet
19 zusätzliche Magnetreihe

Claims (5)

Patentansprüche
1. Ortsfeste Magnetron-Zerstäubungskathode für Vakuumbeschichtungsanlagen für sich vor der Kathode (10) auf einer Kreisbahn (K) vorbeibewegende, auf einem drehbaren Substrathalter (4) angeordnete Substrate (17), mit einer Targetplatte (13) und einer zu dieser in einer parallelen Ebene angeordneten Trag- oder Jochplatte (15) und mit einem hinter der Targetplatte (13) vorgesehenen Magnetsystem, das aus einer Vielzahl von Permanentmagneten (14a, 14b) gebildet ist, von denen eine erste Gruppe oder Reihe von Magneten (14b, 14b', ...) jeweils die gleiche und eine zweite Gruppe oder Reihe von Magneten (14a, 14a', ...) eine entgegengesetzte Pollage aufweist, derart, dass über der Targetplatte (13) ein in sich geschlossener Tunnel aus von der ersten Gruppe oder Reihe ausgehender und zur zweiten Gruppe oder Reihe zurückkehrender magnetischer Feldlinien gebildet wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Jochplatte (15) kreisscheibenförmig ausgebildet ist und die erste Gruppe oder Reihe von Magneten (14b, 14b', ...) -im wesentlichen einen geschlossenen Kreisring bildend - im Randbereich der Jochpiatte (15) und die zweite Gruppe oder Reihe von Magneten (14a, 14a', ...) - eine regellose, jedoch im wesentlichen symmetrische Konfiguration bildend - im zentralen Bereich der Jochplatte (15) vorgesehen ist, wobei der Abschnitt des magnetischen Tunnels, der im Bereich (III + IV) der von der Drehachse (5) des Substrathalters (4) abgewandten Hälfte der Jochplatte (15) verläuft, eine insgesamt grössere Länge aufweist als der Tunnelabschnitt, der auf der der Drehachse (5) zugewandten Hälfte (I + II) der Jochplatte (15) vorgesehen ist.
2. Ortsfeste Magnetron-Zerstäubungskathode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sowohl die Magnete der ersten Gruppe oder Reihe (14b, 14b', ...) unterschiedliche Konfiguration und Grösse aufweisen als auch die Magnete der zweiten Gruppe oder Reihe (14a, 14a', ...).
3. Ortsfeste Magnetron-Zerstäubungskathode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
dass im Zentrum der Trag- oder Jochplatte (15) ein zylindrisch ausgeformter Magnet (18) vorgesehen ist, von dem aus sich eine erste Reihe von hinter-einanderliegend angeordneten Magneten (14b) in radialer Richtung bis an eine kreisringförmig angeordnete äussere Reihe von Magneten gleicher Pollage erstreckt, wobei der zentrale Magnet (18) von einer zweiten, einen offenen Kreisring bildenden Reihe von Magneten (14a) umschlossen ist, und der Abstand (c) vom zentralen Magneten (18) zur zweiten Reihe (14a) etwa dem Abstand (d) von dieser zweiten Reihe (14a) zur äusseren Reihe (14b) entspricht.
4. Ortsfeste Magnetron-Zerstäubungskathode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass in der zentralen Partie der Trag- oder Jochplatte (15) eine zweite Gruppe oder Reihe von Magneten (14a', 14a") angeordnet ist, die zusammen eine etwa X- oder I-förmige, im wesentlichen aber symmetrische Konfiguration aufweisen, wobei sich die Symmetrieachse (Z) in etwa parallel einer Geraden, die von der Drehachse (5) aus durch das Zentrum der Jochplatte (15) verläuft, erstreckt und wobei die erste Gruppe oder Reihe von Magneten (14b', 14b") die zweite Gruppe oder Reihe (14a', 14a") ringförmig umschliesst.
5. Ortsfeste Magnetron-Zerstäubungskathode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass in der zentralen Partie der Trag- oder Jochpiatte (15) eine zweite Gruppe oder Reihe von Magneten (14a'") in einer etwa U-förmigen Konfiguration angeordnet ist und eine erste Gruppe oder Reihe von Magneten (14b'") diese ringförmig umschliesst, wobei eine an diese ringförmige Anordnung sich anschliessende Reihe von zusätzlichen Magneten (19) vorgesehen ist, die sich in der Form eines gebogenen Fingers radial bis etwa in das Zentrum der Jochplatte (15) hinein erstreckt und wobei die U-förmig angeordneten Magnete (14a'") so ausgerichtet sind, dass die beiden Schenkel dieser U-Form etwa parallel einer Gerade verlaufen, die rechtwinklig zur Symmetrieachse (Z) ausgerichtet ist.
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
4
CH2448/91A 1990-12-07 1991-08-20 Ortsfeste Magnetron-Zerstäubungskathode für Vakuumbeschichtungsanlagen. CH683777A5 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4039101A DE4039101C2 (de) 1990-12-07 1990-12-07 Ortsfeste Magnetron-Zerstäubungskathode für Vakuumbeschichtungsanlagen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH683777A5 true CH683777A5 (de) 1994-05-13

Family

ID=6419824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH2448/91A CH683777A5 (de) 1990-12-07 1991-08-20 Ortsfeste Magnetron-Zerstäubungskathode für Vakuumbeschichtungsanlagen.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5182003A (de)
JP (1) JP3397799B2 (de)
KR (1) KR100229008B1 (de)
CH (1) CH683777A5 (de)
DE (1) DE4039101C2 (de)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4128340C2 (de) * 1991-08-27 1999-09-23 Leybold Ag Zerstäubungskathodenanordnung nach dem Magnetron-Prinzip für die Beschichtung einer kreisringförmigen Beschichtungsfläche
US5374343A (en) * 1992-05-15 1994-12-20 Anelva Corporation Magnetron cathode assembly
US5248402A (en) * 1992-07-29 1993-09-28 Cvc Products, Inc. Apple-shaped magnetron for sputtering system
DE19521232C1 (de) * 1995-06-10 1996-06-27 Joachim Stache Verfahren und Vorrichtung zur Abscheidung gleichmäßer Schichtdicken in Kathoden-Zerstäubungsvorrichtungen
US6464841B1 (en) 1997-03-04 2002-10-15 Tokyo Electron Limited Cathode having variable magnet configuration
US5876574A (en) * 1997-04-23 1999-03-02 Applied Materials, Inc. Magnet design for a sputtering chamber
US5795451A (en) * 1997-06-12 1998-08-18 Read-Rite Corporation Sputtering apparatus with a rotating magnet array
KR100437867B1 (ko) * 1998-12-21 2004-06-30 도쿄 엘렉트론 리미티드 가변 자석 구조를 가진 캐소드
US6258217B1 (en) 1999-09-29 2001-07-10 Plasma-Therm, Inc. Rotating magnet array and sputter source
US6402903B1 (en) * 2000-02-04 2002-06-11 Steag Hamatech Ag Magnetic array for sputtering system
JP4371569B2 (ja) * 2000-12-25 2009-11-25 信越化学工業株式会社 マグネトロンスパッタ装置とそれを用いたフォトマスクブランクの製造方法
KR100456287B1 (ko) * 2001-12-13 2004-11-09 (주)한백 스퍼터링 증착장치의 스퍼터 건
EP1710829A1 (de) * 2005-04-05 2006-10-11 Applied Films GmbH & Co. KG Magnetanordnung für ein Planar-Magnetron
US7817175B2 (en) * 2005-08-30 2010-10-19 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Laser induced thermal imaging apparatus and fabricating method of organic light emitting diode using the same
JP2007128844A (ja) * 2005-11-04 2007-05-24 Samsung Sdi Co Ltd レーザ熱転写装置及びレーザ熱転写方法そしてこれを利用した有機発光表示素子
JP2007128845A (ja) * 2005-11-04 2007-05-24 Samsung Sdi Co Ltd レーザ熱転写装置及びレーザ熱転写方法
US20070108041A1 (en) * 2005-11-11 2007-05-17 Guo George X Magnetron source having increased usage life
US8048277B2 (en) * 2008-08-18 2011-11-01 Canon Anelva Corporation Magnet unit and magnetron sputtering apparatus
JP2010257515A (ja) * 2009-04-23 2010-11-11 Showa Denko Kk マグネトロンスパッタ装置、インライン式成膜装置、磁気記録媒体の製造方法、磁気記録再生装置
TW201213587A (en) * 2010-09-21 2012-04-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Conveying mechanism and deposition device with same
US9127356B2 (en) * 2011-08-18 2015-09-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Sputtering target with reverse erosion profile surface and sputtering system and method using the same
CN107923037B (zh) * 2015-09-08 2020-12-25 瑞士艾发科技 真空处理设备和用于真空处理基底的方法
WO2020066247A1 (ja) * 2018-09-27 2020-04-02 株式会社アルバック マグネトロンスパッタリング装置用の磁石ユニット
US20230005725A1 (en) 2019-12-13 2023-01-05 Evatec Ag Method of sputter-coating substrates or of manufacturing sputter coated substrates and apparatus
CN113699495B (zh) * 2021-06-21 2023-12-22 北京北方华创微电子装备有限公司 磁控溅射组件、磁控溅射设备及磁控溅射方法
CN115011941A (zh) * 2022-06-06 2022-09-06 中国科学院电工研究所 一种基于变磁场磁控溅射镀膜装置的永磁体选区镀膜方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2707144A1 (de) * 1976-02-19 1977-08-25 Sloan Technology Corp Kathodenzerstaeubungsvorrichtung
US4312731A (en) * 1979-04-24 1982-01-26 Vac-Tec Systems, Inc. Magnetically enhanced sputtering device and method
US4437966A (en) * 1982-09-30 1984-03-20 Gte Products Corporation Sputtering cathode apparatus
JPH0718006B2 (ja) * 1983-11-30 1995-03-01 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 スパッタ装置
JPS60224775A (ja) * 1984-04-20 1985-11-09 Fujitsu Ltd スパツタ装置
KR900005347B1 (ko) * 1984-09-19 1990-07-27 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 플라즈마 처리장치
JPS62149867A (ja) * 1985-12-24 1987-07-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd マグネトロンスパツタ装置
DE3619194A1 (de) * 1986-06-06 1987-12-10 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Magnetron-zerstaeubungskatode fuer vakuum-beschichtungsanlagen
JPS63317671A (ja) * 1987-06-19 1988-12-26 Shinku Kikai Kogyo Kk スパッタリング方法および装置
JP2627651B2 (ja) * 1988-10-17 1997-07-09 アネルバ株式会社 マグネトロンスパッタリング装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR920012514A (ko) 1992-07-27
JP3397799B2 (ja) 2003-04-21
DE4039101C2 (de) 1998-05-28
KR100229008B1 (ko) 1999-11-01
US5182003A (en) 1993-01-26
JPH04268075A (ja) 1992-09-24
DE4039101A1 (de) 1992-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4039101C2 (de) Ortsfeste Magnetron-Zerstäubungskathode für Vakuumbeschichtungsanlagen
EP0248244B1 (de) Magnetron-Zerstäubungskatode für Vakuum-Beschichtungsanlagen
DE4128340C2 (de) Zerstäubungskathodenanordnung nach dem Magnetron-Prinzip für die Beschichtung einer kreisringförmigen Beschichtungsfläche
DE4042286C1 (de)
DE4125110C2 (de) Magnetron-Zerstäubungskathode für Vakuumbeschichtungsanlagen
DE4117518C2 (de) Vorrichtung zum Sputtern mit bewegtem, insbesondere rotierendem Target
DE3506227A1 (de) Anordnung zur beschichtung von substraten mittels kathodenzerstaeubung
DE3331245A1 (de) Ebene magnetron-zerstaeubungsvorrichtung
DE3050343T1 (de) Entrichtung zur Bestrahlung von Objekten mit Elektronen
WO1998028778A1 (de) Vorrichtung zur kathodenzerstäubung
DE19939040B4 (de) Magnetronsputtergerät
DE4123274C2 (de) Vorrichtung zum Beschichten von Bauteilen bzw. Formteilen durch Kathodenzerstäubung
EP0558797B1 (de) Vorrichtung zur Kathodenzerstäubung
EP1759036A1 (de) Beschichtungsvorrichtung zum beschichten eines substrats, sowie ein verfahren zum beschichten
EP1350863B1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum gerichteten Aufbringen von Depositionsmaterial auf ein Substrat
EP0316523A2 (de) Zerstäubungskatode nach dem Magnetronprinzip
DE60005137T2 (de) Magnetische anordnung zur effizienten verwendung eines targets beim zerstäuben eines kegelstumpfförmigen targets
DE10232179A1 (de) PVD-Verfahren und PVD-Vorrichtung
DE3442206A1 (de) Magnetronkatode zum zerstaeuben ferromagnetischer targets
DE3411536A1 (de) Magnetronkatode fuer katodenzerstaeubungsanlagen
EP0955667B1 (de) Target für eine Kathodenzerstäubungsvorrichtung zur Herstellung dünner Schichten
DE4107711C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Abscheidung dotierter Schichten oder chemischer Verbindungen oder Legierungen mittels einer Magnetronkathode
WO2006114229A1 (de) Magnetsystem für eine zerstäubungskathode
DE102013105771B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden einer Schicht mittels Magnetronsputtern
DE10138156B4 (de) Magnetron-Zerstäubungsanlage mit mehreren Plasmaringen, Verfahren zum Zerstäuben eines Targets sowie Verwendung der Anlage bzw. des Verfahrens

Legal Events

Date Code Title Description
PFA Name/firm changed

Owner name: LEYBOLD AKTIENGESELLSCHAFT

Free format text: LEYBOLD AKTIENGESELLSCHAFT#WILHELM-ROHN-STRASSE 25#D-63450 HANAU (DE) -TRANSFER TO- LEYBOLD AKTIENGESELLSCHAFT#WILHELM-ROHN-STRASSE 25#D-63450 HANAU (DE)

PL Patent ceased