JPS61501328A - 制御された真空ア−クによる材料デポジション方法及び装置 - Google Patents

制御された真空ア−クによる材料デポジション方法及び装置

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JPS61501328A JP50113685A JP50113685A JPS61501328A JP S61501328 A JPS61501328 A JP S61501328A JP 50113685 A JP50113685 A JP 50113685A JP 50113685 A JP50113685 A JP 50113685A JP S61501328 A JPS61501328 A JP S61501328A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 制御された真空アークによる 材料デポジション方法及び装置 技術分野 本発明は、真空中の電気アークにより茎発させた材料のデポジションによって被 覆を着装するためのプロセス及び装置に係る。
背景技術 真空アークプロセスは純粋な高融点金属の調製に使用されてきた。このプロセス の副生物は真空チャンバの壁の上の薄い金11ffである。ルーカス(Luca s)他は出版物「耐火金属膜の新しいデポジション技術(A New Depo sition Techntque for Refractory Meta l Films) J 、米国真空協会論文集(American Vacuu m 5ociety Transactions) 2.1962、第988〜 991頁に、ノイビウム、タンタル、バナジウム及び鉄の膜のような耐火金N膜 を形成する真空アークデポジション技術を記載している。この技術は真空アーク を機械的に点弧するのに電動機又はハンドレバーを使用しな、陽極と陰極との間 を流れる電流は固定電極から可動電極を短距離だけ迅速に引く離すことにより遮 断された。
電極間に発生する短いアークは凛気フランクスを生ずる。
この蒸気フラックスが基板の上に凝縮して、金属膜を形成した。
真空中の陽極と陰極との間で点弧される電気アークは陰極スポットを発生する。
数アンペアないし数100アンペアの電流が強い陰極スポット及び拡散した陽極 スポットを生ずる。典型的に、アークはlOないし25ボルト又はそれ以上の陽 極−陰極間型位差に於いて真空内で持続された、アーク持続電圧は材料の性質の 関数である。実質的な電力がアーク柱内で消散された。100アンペアの電流及 び20ポルトの電圧に対して、電力消散は2kWである。このようなアーク柱内 では、アーク電力の半分以上が陰極に於いて消散される。残りの大部分は陽極に 於いて消散される。
発生される強い陰極スポットの寸法は非常に小さい、陰極スボ7)に於ける電流 密度は10’ないし107アンペア/c112のオーダーである。陰極スポット に於けるアーク1に続時間と通常数μsないし数1000μsの間を変化す陰極 スポット温度は近(以的に、陰極を形成する材料の沸点に等しい、この高い温度 に起因して、実質的な蒸気圧力が真空アークにより発生される。陰極スポットに より発生された蒸気は、真空チャンバ内に置かれた対象物を被覆し。
且つ陽極と陰極との間に点弧されたアークを持続させるのに用いられる。
スナバ−(Snaper)は米国特許第3.625.848号明細書で、真空ア ークを使用してソース材料の薄い膜で対象物を被覆する。ための装置を開示して いる。ソース原子又はイオンのビームが、真空チャンバ内の被覆されるべきベー ス又は基板に向けられている。ビーム銃はアーク放電を持続させるべく配置され た陰極及び陽極を有する。陰極と永久磁石に付設された点弧器電極との間の電流 はアークを点弧するべく遮断される。これは電流を夏空チャンバ外に配置された ソレノイドコイルを通して流すことにより実現される。ソレノイドコイルの磁界 は点弧器電極に接続されている永久磁石と相互作用して、陰極一点弧器回路の電 流を遮断する、この電流遮断は主陽極と陰極との間に持続する短いアークを発生 する。またソレノイドコイルの磁界はビーム銃の作動特性に影響を与え、且つ陰 極と陽極との間のアーク電位を増大させる。
サプレブ(Sablev)他は米国特許第3,793,179号明細書で、金属 蒸着のための装置を開示している。この装置は円板陰極と中空球陽極との間の機 械的アーク点弧器を実現する、ソレノイドアーマチュア及び点弧器回路は、アー クが消弧する時には常にアークを自動的に再点弧するように、主アーク回路内に 組入れられている。一旦発生されたアークは陰極面上を高速で不規則に運動し得 る。アークスポットの運動は無秩序且つ無制御である0周期的に、アークスポッ トは陰極の縁を通過することになる。これはアークを消弧する。
陰極面を横切る高速で短寿命のアークスポットの運動は電気のほかに離散的な金 属粒子も発生する。対象物の上にデポジットされた固体全屈粒子は対象物の表面 仕上がり及び被覆された膜の品質を低下させる。薄膜デバイス、記録媒体、光学 的被覆及び摩擦学的被覆のような多くの応用では、ミクロン寸法の固体粒子の存 在は許容されない。
発明の開示 本発明は、真空チャンバ内に置かれた対象物または部品の表面上にス空アークデ ボジシテンにより材料を着装するための方法及び装置に係る。陽極及び陰極に電 気的に接続されている電源は陰極の能動的表面と陽極との間に電気アークを持続 させるべく作動し得る0発生されたアークの経路を制御して陰極の能動的表面に 向かわせるための手段が設けられている。アークは材料の蒸気を発生させるべく 同一の軌道上を反復して移動するようにされる。材料の離散的な粒子の発生は高 い融点を有する材料では排除され、また他の材料では大幅に減少される。予め定 められた軌道に沿って移動するように支配されているアークは陰極の能動的表面 から離れ去り得ない、このことは自動的再点弧の必要をなくす、アーク軌道の制 御は、陰極の能動的表面に対して完全もしくは実質的に平行な磁界ベクトルを有 する磁界を発生させることにより達成される°、アーク柱は陰極の能動的表面に 対してほぼ垂直であり、また与えられる磁界は陰極の能動的表面に対して平行で あり、陰極の付近のイオンにも電子にも作用するホール(Hall)力を発生す る。このホール力は電子のサイクロイド運動に通じ、また重いイオンは反対方向 に運動する。それらが与えられた磁界の影響のもとに運動するにつれて、イオン は優勢な電界にも曝される。それらは陰極の能動的表面に吸引される。優勢な電 界及び磁界と一致する個所に於て最初の陰掻スボ7)の付近で陰極の能動的表面 に衝突する十分な数のイオンは、このスポットを新しい陰極スポットにするため 、強い局部的加熱電子放出を誘起する。この(置所に適当に配置された局部的磁 界の存在は引き続いて次の新しい陰極スポットの発生に通じ得る。公知のアーク デボジシラン装置の陰極面上のアークスポットの無秩序な続発は、すべての許さ れる陰極スポットが予め定められた軌道上に位置する規則的な続発により置換さ れる。このことは陰極の能動的表面上のアーク運動の制御を可能にし、また陰極 縁を越える無秩序なアーク運動に起因する周期的なアーク消弧を排除する。
本発明の一つの実施態様では、装置は陽極を収容する真空チャンバを郭定するハ ウジング手段を有する。このハウジング手段上に取付けられたヘッドが陰極を支 持する。この陰極は陽極から間隔をおいて夏空チャンバ内に置かれる能動的表面 を存する。陽極及び陰極に接続されている電源は陰極の能動的表面と陽極との間 の電気アークを発生し且つ持続させる。陰極に隣接して配置された磁石手段、例 えば永久磁石が、アークの運動の経路を制御し陰極の能動的表面上に描かれる円 のような郭定された閉じた軌道に沿わせるための磁界を確立する。磁石手段は制 御された運動が可能なようにヘッド上に運動可能に取付けられている。磁石手段 の運動は磁石手段により郭定された円弧軌道をして陰極の能動的表面を掃過させ る。ソレノイドコイル又はヘルムホルツコイルシステムの磁界は、磁石手段によ り陰極の能動的表面に発生される磁界を変更するべく磁石手段の磁界に重畳され る。コイルを通るii流の方向は陰極の能動的表面に対して垂直な磁界の強さを 強化もしくは弱化するべく選定されている。ソレノイドコイル又はヘルムホルツ コイルシステムは陰極の能動的表面上に磁石手段により郭定される円弧軌道に追 加的な制御を行う、このことは陰極の能動的表面上に、磁石手段のみにより得ら れる磁界よりも陰極の能動的表面に対する平行性が一層良好な磁界の発生を可能 にする。
ヘッドは磁石手段を収容する冷却チャンバを設けられている。磁石手段は陰極に vJ接して冷却チャンバ内に支えられており、また円形、長方形、振動的又はこ れらの運動の、組合わせのような予め定められた運動に従って陰極に対して相対 的に運動または掃過し、それによりアークは連続的な制御されたアーク軌道内を 動かされる。水のような冷却流体が、陰極の十分な制御された冷却を行うべく冷 却チャンバを通して連続的に動かされる。
本発明は、対象物又は部品の表面への真空アークデボジシランの方法を含んでい る。真空が陽極と陰極の能動的表面とを収容するチャンバ内に確立される。二つ の電源からの電位が・陽極と陰極との間の電気アークを点弧し且つ持続させるべ く陽極及び陰極に供給される。アークのilL道は、陰極の能動的表面に対して 相対的に磁石手段により確立される磁界により郭定される。磁石手段は、それに より郭定される円弧軌道で陰極の能動的表面を掃過するべく陰極に対して相対的 に動かされる。磁界は、陰極の能動的表面に対して垂直な磁界の強さを選択的に 強化もしくは弱化するべく、ソレノイドにより発生される磁界により変更され得 る。ソレノイドは、連続的なアーク軌道内のアークの運動を制御する所望の磁界 を発生するべく制御され得る。
材料の真空アークデボジシランのための方法及び装置は半導体の金属化及び集積 回路の製造に使用されている。他の利用は記録媒体、光学的被覆、光学的記憶媒 体、保護被金属、セラミックス、カーボン、シリコンなどであってよい、被覆は ポリマー襖にも着装され得る。膜はその表面に連続的な被覆を着装するべく連続 的に動かされ得る。金属マトリックス複合物を含む変圀されたマイクロ構造の製 造が成就され得る。
図面の簡単な説明 第1図は本発明の制御された真空アークによる材料デポジション装置を一部断面 図で示す立面図である。
第2図は第1図の線2−2に沿う断面図である。
第3図は第2図の線3−3に沿う拡大断面図により材料デポジシランヘッドを示 している。
第4図は第3図の線4・4に沿う断面図である。
第5図は制御された真空アークによる材料デボジシラン装置とその冷却源及び電 源とを示す概要図である。
第6図は磁界に対して垂直な平面内のイオンの運動を示す図である。
第7図は陰極の能動的表面上の閉じられているアーク経路に沿うアークスポット 続発の順序を示す図である。
第8図は材料デポジションヘッドにより達成される円形の閉じられているアーク 軌道の図である。
第9図は閉じられているアーク軌道の第一の変形例の図である。
第10図は閉じられているアーク軌道の第二の変形例の図である。
第11図は本発明の制御された真空アークによる材料デボジシラン装置の変形例 の側面図である。
第12図は第11図の線12−12に沿う断面図である。
発明を実施するための最良の形態 第1図を参照すると、本発明の制御された真空アークによる材料デポジション装 置10が示されている。装置10は真空チャンバ12を囲むハウジング11を有 する。ハウジング11はほぼ平らな底壁13及び平らな頂壁14を含んでいる。
筒状部材またはホース17により底壁13に接続されている真空#116はチャ ンバ12内の真空を維持するべく作動し得る。チャンバ12は10−6龍Hg以 下から10−’l自Hgまでの圧力に排気されている。
全体として参照符号18を付されている材料デボジシランヘッドは頂壁14の上 に取付けられている。このヘッドは全体として真空チャンバ12内に配置され得 る。第3図を参照すると、ヘッド18は内向きの環状肩部21を設けられた環状 ボディ19を存する。ボディ19は頂壁14内の円形凹み22のなかに着座する 電気絶縁リングである。
頂壁14内の溝のなかに配置された0リング23はボディ19と頂壁14との間 のシーリング関係を保つ0円板陰極又はターゲット24は肩部21の上に配置さ れた外向きの環状リップ26を有する。陰極24はタービンブレードのような対 象物32を被覆する金属、合金、カーボン又は他の材料である。底壁13に付設 されている電気絶縁性支柱33′は真空チャンバ12内に対象物を保持する。他 の形式の支柱が真空チャンバ12内に対象物を保持するのに使用され得る。他の 形式の対象物、部品、膜などが真空チャンバ12内で陰極24の材料により被覆 され得る。陰極24の内側又は能動的表面27は頂壁14の円形開口28にわた り延びている。能動的表面27は真空チャンバ12内にある。金属スリーブ29 が開口28を囲む頂壁14内の環状凹み31のなかに配置されている。スリーブ 29の上縁はスリーブ29とボディ19との間に間隙をおいて肩部21と係合す る。金属スリーブ29は、ボディ19の内側円筒状表面への被覆フラフクスのデ ポジションによる陰極−陽極間の電気的短絡を防止するべく絶縁ボディ19を遮 蔽する。
開口28内^延びているリング又は環状陽極34は複数個の電気絶縁ブロック3 6.37及び38により頂壁14の上に取付けられている。他の手段がハウジン グ11上に陽極34を支えるのに使用され得る。陽極は代替的に全体として真空 チャンバ12の内部、頂壁14の下部及び頂壁14の底面に平行に置かれてよい 、陽極34は陰極24のほうを向く円形の鋭い縁35と環状金属スリーブ29か ら内方に間隔をおかれた外側円筒状表面39とを有する。縁35は陽極34の断 面内の鋭角形状により形成されている、鋭い縁35は陽極34上のより少ない被 覆を生ずる。リング陽極の断面形状はほぼ三角形である。この三角形の下側は切 頭されている。陽極34の下側部分は、その中心開口を通るフラックスの通路と の干渉を最小化するべく下方且つ外方にテーパ状になっている。また鋭い縁35 と陽極34の環又はリング形状とは比較的低い電圧でのアーク点弧を助ける。
導電材料から成る陰極保持器41はボディ19内へ望遠鏡鏡筒的に入り込み、円 板陰極24を肩部21上に保持する。保持器41は、ボディ19と係合可能な第 一のシール又は○リング4・2と、円板陰極24の頂面と係合可能な第二のシー ル又は○リング43とを設けられている。保持器41は、水のような冷却液体を 流される内(1リチヤンバ47を有する。液体供給管49は第5図中に示されて いる供給源51、例えばポンプからチャンバ47へ液体を供給する、保持器41 に接続されている液体還流管52は液体を液体供給源51に還流させる。液体は 円板陰極24を冷却すルヘ<チャンバ47を通じて連続的に流されている。
全体として参照符号53を付されている磁石装置がチャンバ47のなかに配置さ れている。磁石装置53は陰極24の能動的表面27に対して実質的に平行な磁 束ベクトルを有する磁界を発生するべく作動可能である。この磁石装置は、円板 陰極24のほうを向いた開端を存する逆さにされたカップ状部材又は極54を有 する0部材54は陰極24の上側又は外側表面に密接して配置された円筒状フラ ンジ55を有する軟磁性構造である0円筒状磁石部材又は極56が部材54の頂 に付設されている。磁石部材56の外側表面は環状間隙57によりカップ状部材 54の環状側壁から間隔をおかれている。カップ状部材54は電気絶縁体又は取 付板58に付設されている0回転可能な軸59がチャンバ47内へ突出しており 、取付板58に取付けられている。!11159はチャンバ47内に取付板58 及び磁石装置53を回転可能に支え、また磁石装置を円板陰極24に隣接する位 置に置く、第5図中に示されている軸59に連結されている可変速度電動機61 は軸59の軸線63の回りに矢B]62により示されているように軸を回転させ るべく作動可能である。軸59は頂部材41に付設されたスリーブ軸受組立体6 4のなかに取付けられている。磁石装置53は軸59の軸線63からずらされて いる磁石軸線66を存し、それにより電動機61による軸59の回転と共に磁石 装置53は連続的な円形経路で動かされる0円形経路は第4図中に参照符号60 を付して示されている。軸線66は磁石装置53の対称軸線である。この配置は 、アークが陰極24の能動的表面27の内円65と外円70との間の領域を掃過 するように、磁石手段により郭定されるアーク軌道60の掃過を可能にする。陰 極24の能動的表面27は被覆フランクス形成面である。磁石装置は、アークに 連続的な所定の長方形経路で陰極24の能動的表面27を掃過させるべく中心軸 線63の回りを回転される長方形の棒磁石であってよい、磁石装置の他の形状及 び回転軸線の適当な選択がアーク軌道を郭定し且つこれらのアーク軌道に陰極2 4の能動的表面27を掃過させるのに使用され得る、電磁石構造が、アーク経路 を制御する所望の磁界を確立するために、永久磁石装置の代わりに使用され得る 。
軸受組立体64は軸59の回転運動を禁止することな(水冷却チャンバ47をシ ールする。水は導管49を経て冷却チャンバ47に入り、また導管52を経て冷 却チャンバ47から出る。チャンバ47を通る水のfR量率の調節により陰極2 4の背面の十分な制御面された冷却が行われる。磁石装置53の回転はチャンバ 47内の液体を循環させ、陰極24の冷却を助ける。
電気コイル又は巻線68が軸59の軸線63と同心に頂壁14の上に取付けられ ている。コイル68はヘッド18を囲んでおり、またほぼ陰極24の平面内に1 かれている、コイル68は磁石装置53の垂直磁界を相殺又は大幅に減少するべ く作動可能なソレノイドコイルであり、また陰極24の能動的表面上に純粋に平 行な磁界を発生する。磁石装置53の磁界へのコイル磁界の重畳はアーク軌道6 0の−1厳密な制御を可能にする。導線69はコイル68を第5図中に示されて いる制御装置Z75及び電源に接続している。制御装置75は手動電流制御装置 であってもよいし、コイル68への供給電流を調節するべくプログラムされ得る 計算機制御装置であってもよい、コイル68を流れる電流は、磁石装置53によ り陰極24の能動的表面27の上に発生される主磁界を変更する。コイル68を 流れる電流の方向は陰極24の能動的表面27に対して垂直な磁界の強さを強化 又は弱化するように選定されている。磁石装置53の磁界は陰極24の能動的表 面27に対して垂直な成分を有する。この磁界成分はソレノイド68により発生 される磁界の重畳により相殺又は大幅に減少又は増大され得る。このことはアー ク軌道60の一屡厳密な制御を可能にする。
第二のコイル68Aがコイル68と軸線方向に整合して底壁13上に取付けられ ている。導線69Aは68Aを制御装置75又は制御装置75A及び電源に接続 している。
コイル68及び68Aは陰極24の能動的表面27の上に発生される磁界を変更 するべくヘルムホルツコイルシステムとして同時に使用され得る。これは陰極2 4の能動的表面27上の磁界を制御するための代替的手段である。
第5図に示されているように、陽極34は導線71により接地点、高圧電源72 及び低圧電源73と接続されている。電源72及び73の負端子は陰極保持器4 1に通ずる導線74に接続されており、またそれにより陰極24を電源72及び 73の負電位に接続している。導線74中の整流器76は、高い電圧が電源72 から電源73へ印加されるのを阻止する。
ハウジング11は真空チャンバ12内へのアルゴン又は他のガス及びガス混合物 のような不活性ガスの導入を可能にする弁78を有する。第二の弁77はチャン バ12内の夏空圧力を調節又は解除するのに使用される@洩弁であってよい。
使用中、軟磁性部材54により保持されている円筒状中心磁石部材56が円形の 対称な閉じられた点弧磁界を発生する。陽極34及び陰極24のジオメトリ−は 、磁石装置53により発生される点弧磁界が、適当な電位差が陽極と陰極との間 に与えられた時に陰極24と環状陽極34との定されている。磁石装面53は、 高い電圧が陰極24に与えられた時に能動的陰極表面27から放出される電子に 対する電子トラップとして使用される。負電位が陰極24に与えられている。陰 極24の付近に磁界が存在しない場合には、弱い放電が真空チャンバ内に誘起さ れる。アルゴン又はクリプトンのような不活性ガスが、自己持続性のグロー放電 を誘起させるべく弁78を経てチャンバ12内へ通される。放電電流はガスの種 類、チャンバの圧力及び印加電圧の関数である。電子トラップが電界及び磁界に より形成されている時、濃厚なリング状プラズマが陰極24の能動的表面27の 近くに発生される。
アルゴン又は他の重い不活性ガスをチャンバ12内へ通すことにより発生される リング状プラズマは、陰極24と陽極34との間に大N流で低電圧のアーク放電 を開始させるのに十分な導電性を有する。このことは、アルゴンのよ0、工ない し500X10−’+uHg又はそれ以上に調節し、且つ電源72から陰極24 及び陽極34へ100ボルトないし数1000ボルトの中程度の負の直流電位を 与えることにより達成される。高電圧で小電流の直流電源72及び大電流で低電 圧の直流型fR76から陰極24及び陽極34へ同時に給電することにより、所 望の大電流で低電圧の放電を開始させる4電性プラズマが発生される。アークが 点弧されると直ちに、高圧電源72は遮断される0発生されたアークは磁石装置 53及びコイル68の磁界により制御され、また無限に自己持続する。アーク軌 道は極又は部材56の形状及び部材54の環伏構造により定められている。第3 図及び第4図の実施例では、第4図及び第8図中に示されているように、アーク 軌道60は陰極24の能動的表面27上の円形帯である。内向きのベクトル70 は能動的表面27と平行な磁界を表す。
アーク軌1t60に沿って生ずる強いアーク侵食により陰極24の能動的表面2 7に溝が形成される。侵食作用は、軸線63の回りに磁石装置53を回転するこ とによりこの表面に一層均等に分布する。磁石装置53の回転は、磁石装置53 により郭定されるアーク軌道60をして陰極24の能動的表面27上のサイクロ イド軌道を追跡させる。極56及び陰極24の寸法は、アーク8を道、従ってま た陰極のアーク侵食が陰極24の能動的表面27の第4図中の円65と円70と の間のリング状領域に限られるように選定されていてよい、このリング状領域の 内側半径65は磁界軸線66と極56の形状及び寸法との適当な選定により零に され得る。
第8図中の円形アーク軌道及び第9図中の長方形アーク軌道及び第1O図中の連 結された円形のアーク軌道は極56のジオメトリ−の適当な変形により実現され る。三角形及びJW円形のような他の閉じられているアーク軌道も使用され得る 。軌道60.79及び81のような閉じられているアーク!It道を発生するの に必要な条件は第8図、第9図及び第10図に示されているように陰極24の能 動的表面27に対して平行な連続的に回転する磁界ベクトル70の存在である。
磁界ベクトルが閉じられていることのみが必 ′要である。磁石装置53により 郭定されるアーク軌道の長方形、三角形、楕円及び他の閉じられている形状はア ーク軌道制御を達成するのに十分である。磁石装置53は、非円形アークClt 道が使用される時に陰極表面上にアーク浸食を一層均等に分布させるべく並進運 動のような適当な運動をさせられてよい。
厳密なアーク軌道制御により、アークにより誘起される陰極浸食はアーク軌道に 限られている。コイル68又はコイル68及び68Aにより発生される適当な大 きさの、時間と共に変化する磁界を使用して、アーク軌道は、均等な陰極侵食を 保証するべく、陰極24の能動的表面27の大部分を掃過するようにされ得る。
このことは、磁石装置53が回転されない時に高い陰極材料利用効率を保証する 。
第5図に示されているように、対象物32は、対象物に正又は負のバイアス電圧 を与えるべく作動可能な独立の電源40に電気的に接続されている。このバイア ス電圧は対象物を覆う被覆材料の付着又は接着強度を最通化するべく選定されて いる。電源40は対象物を清浄化するのに使用されるスパッタリング電源であっ てよい、対象物32は一次又は主アークに対する陽極としての役割をするべく電 源73に接続されていてよい。
第6図はアーク柱81の付近のイオン運動を示す図である。アーク柱81は陰極 24の能動的表面27上のスポット82から発する。アークスポット82から放 出された蒸気は点83で示されているようにイオン化される1点83で発生され たイオンの一部は真空チャンバ12内へ放出される。他のイオン85は陰極24 の能動的表面27へ移動し、点87で新しいアークスポットを発生させる。
第7図は陰極の能動的表面上の閉じられているアーク経路に沿うアークスポット 続発の順序を示す図である。最初のアークスポット82は点83で生起するイオ ン化によるアーク柱81の出発点である。アークスポット続発は参照符号87な いし95により示されている。ベクトルX及びIは陰8i24の能動的表面27 の平面を表す、2ベクトルは陰極スポット87〜95から発するアーク柱を表す 。
第11図及び第12図を参照すると、本発明の制御された真空アークによる材料 デポジシラン装置の変形例が全体として参照符号100を付して示されている。
装置100は真空チャンバ内に置かれた対象物又は部品に複数の材料を着装する べく作動可能である0本装置は真空チャンバ102を囲む全体として参照符号1 01を付して示されているハウジングを有する。ハウジング101は頂壁104 及び底壁106に付設された円筒スリーブ状のf、11璧103ををする。ター ビンブレードのような対象物107がチャンバ102の中央に置かれ、絶縁体1 08の上に支えられている。真空tAIO9がチャンバ102を排気するべくホ ース111によりハウジング101に接続されている。底壁106上に取付けら れた弁112は真空チャンバ102にアルゴン又は他のガス及びガス混合物のよ うな不活性ガスを導くのに使用されている。
三つの材料デポジションへフド113.114及び115が側壁103の周縁に 間隔をおいた部分の上に取付けられている。側壁103は材料デポジシランヘッ ドの各々に対する適当な開口を設けられている。材料デポジションヘッドの数は 変更され得る。第12図に示されているように、ヘッド113は陽極117を収 容する開口116をカバーする。ソレノイドコイル118がヘッド113を囲ん でいる。軸121に連結されている電動機119がヘッドl材料デポジションヘ ッド113.114及び115の構造は、第3図及び第5図中に示して説明した ヘッド18と同一である。ヘッド18及びコイル68の説明を参照によりここに 組入れたものとする。ヘッド113.114及び115の陰極は、対象物107 上にデポジットされる被覆材料が陰極の種々の材料の組合わせであるように、種 々の材料から成っていてよい、材料デポジシッンヘンド113.114及び11 5のすべては、対象物107上に所望の被覆を形成するべく同時に作動し得る0 代替的に、ヘッド113.114及び115の一つ又はそれ以上が、対象物10 7上に被覆材料の層を形成するべく順次に作動し得る、アーク柱のアーク経路を 制御するヘッド113及びコイル118の作動は第1図ないし第10図により説 明した作動と同一である。真空アークにより発生された蒸気は、単−又は多重層 の金泥、セラミックス及び半“導体被覆をデポジットするべく弁112を通じて 通された過当なガス又はガス混合物と反応し得る。
制御された真空アークによる材料デポジシラン装置及び方法の二つの実施例を図 示し説明してきたが、寸法、構造、構造の配置、電気回路及び陽極及び陰極の材 料の変更が本発明から逸脱することなく当業者により行われ得ることは理解され よう0本発明は以下の請求の範囲により定義されている。
111“^″L″KPC?10585100342

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)陰極の能動的表面及び陽極を用い、対象物上への材料の真空アークデポジ ションを行う方法に於て、陽極及び陰極の能動的表面を収容するチャンバ内に真 空を確立する過程と、前記陽極と陰極との間に電気的アークを確立し且つ維持す るべく前記陽極及び陰極に互いに逆極性の電位を与える過程と、制御された電気 的アークの軌道を生じさせる過程と、前記陰極に対して相対的に磁界を移動させ ることにより前記の制御された電気的アークの軌道により前記陰極の前記能動的 表面を掃過する過程とを含んでいることを特徴とする方法。
  2. (2)対象物に真空アークデポジションにより材料を着装するための装置に於て 、対象物を収容する真空チャンバを有するハウジング手段と、前記チャンバ内に 真空を維持するための手段と、前記ハウジング手段に付設された少なくとも一つ の材料デポジションヘッドと、前記ヘッドの上に取付けられており前記真空チャ ンバ内に能動的表面を有する陰極と、前記真空チャンバ内に置かれた陽極手段と 、電気的アークにより蒸発されかつ前記対象物の上にデボジットされる能動的表 面の間に前記電気的アークを発生し且つ持続するための手段と、前記陰極の前記 能動的表面とほぼ平行な磁界を確立するべく前記陰極に隣接して置かれており前 記電気的アークを前記陰極の前記能動的表面に対して相対的に連続的に制御され たアーク軌道で運動させる磁石手段と、前記陰極に対して相対的に前記磁石手段 を運動させるべく作動可能な前記ヘッド手段の上に前記磁石手段を連動可能に取 付ける手段とを含んでおり、それによりアーク軌道が前記陰極の前記能動的表面 を掃過することを特徴とする装置。
  3. (3)対象物に真空アークデポジションにより材料を着装するための装置に於て 、対象物を収容する真空チャンバを有するハウジング手段と、前記チャンバ内に 真空を維持するための手段と、前記ハウジング手段に付設された少なくとも一つ の材料デポジションヘッドと、前記ヘッドの上に取付けられており前記真空チャ ンバ内に能動的表面を有する陰極と、前記真空チャンバ内に置かれた陽極手段と 、前記能動的表面の材料を電気的アークにより蒸発させ且つ前記対象物の上にデ ポジットするべく前記陰極の前記能動的表面と前記陽極手段との間に前記電気的 アークを発生し且つ持続させるための手段と、前記陰極の前記能動的表面とほぼ 平行な磁界を確立し前記電気的アークを閉じられているアーク軌道に沿って移動 させる第一の手段と、前記アーク軌道をして前記陰極の前記能動的表面を連続的 に掃過させるため前記磁界を制御するべく作動可能な第二の手段とを含んでいる ことを特徴とする装置。
  4. (4)能動的表面を有する陰極と、真空チャンバ内に置かれた陽極手段と、前記 陰極の前記能動的表面と前記陽極との間に電気的アークを発生させるための手段 とを用いて対象物に真空アークデボジションにより材料を着装するための装置に 於て、閉じられているアーク軌道に沿って前記電気的アークを移動させるための 磁界を確立するべく前記陽極に隣接して置かれている第一の手段と、前記陽極に 対して相対的に運動可能に前記第一の手段を取付ける第二の手段とを含んでおり 、それにより前記第一の手段の前記磁界が電気的アーク軌道をして前記陰極の前 記能動的表面を連続的に掃過させることを特徴とする装置。
JP50113685A 1984-03-02 1985-02-27 制御された真空ア−クによる材料デポジション方法及び装置 Granted JPS61501328A (ja)

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