RU179881U1 - Дуговой испаритель - Google Patents

Дуговой испаритель Download PDF

Info

Publication number
RU179881U1
RU179881U1 RU2017123631U RU2017123631U RU179881U1 RU 179881 U1 RU179881 U1 RU 179881U1 RU 2017123631 U RU2017123631 U RU 2017123631U RU 2017123631 U RU2017123631 U RU 2017123631U RU 179881 U1 RU179881 U1 RU 179881U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
cathode
arc
diameter
evaporator
focusing coil
Prior art date
Application number
RU2017123631U
Other languages
English (en)
Inventor
Владимир Игоревич Марголин
Евгений Сергеевич Марков
Иосиф Михайлович Старобинец
Владимир Викторович Трефилов
Вадим Николаевич Тоисев
Виктор Анатольевич Тупик
Original Assignee
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) filed Critical Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)
Priority to RU2017123631U priority Critical patent/RU179881U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU179881U1 publication Critical patent/RU179881U1/ru

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation

Abstract

Дуговой испаритель относится к классу устройств, позволяющих наносить тонкопленочные покрытия, включая наноразмерные, за счет исключения из потока наносимого материала капельной фазы.Дуговой испаритель, состоящий из охлаждаемого катода, который служит источником распыляемого материала. Для распыления материала система поджига дугового разряда с помощью катушки стабилизации формирует на поверхности катода дуговой разряд, который испаряет материал катода в виде потока ионов и капельной фазы. С помощью катушки фокусировки формируется плазменный факел, направленный по оси системы. В плазменном факеле присутствуют как ионы распыляемого вещества, так и его капли. Размещенная на оси дугового испарителя заслонка избавляет поток напыляемого вещества от прямолетящих капель, а установленная внутри корпуса катушки фокусировки по меньшей мере одна заслонка избавляет от капель, летящих под углом от катода. Заслонка выполнена в виде усеченного конуса из немагнитного металла, причем диаметр большего основания конуса равен внутреннему диаметру корпуса катушки фокусировки, а меньший диаметр конуса, обращенный в сторону катода, равен удвоенному диаметру заслонки, сосной с катодом испарителя.Полезная модель позволяет исключить из потока распыляемого материала капельную фазу и улучшить неоднородность наносимых покрытий, включая наноразмерные пленки, при использовании дугового разряда.

Description

Полезная модель относится к классу устройств, позволяющих наносить из низкотемпературной плазмы на подложку покрытие, в том числе и наноразмерное.
Известно устройство, использующее электродуговое осаждение вещества из плазмы аномально тлеющего разряда [В.М. Шулаев, А.А. Андреев, В.П. Руденко Модернизация вакуумно-дуговых установок для синтеза покрытий и азотирования методом ионной имплантации и осаждения // ФИП PSE 2006, Т. 4. - №3-4. - С. 136-142]. Такая установка содержит вакуумную камеру, дуговые испарители с подсоединенными к ним источниками питания, средства откачки и напуска рабочих газов, держатель подложек, блок питания подложек и блок управления.
Преимуществом такого устройства нанесения покрытий является более высокая адгезия напыляемого на подложку вещества. При возникновении дугового разряда на поверхности дугового испарителя образуется так называемое катодное пятно с диаметром горения разряда дуги порядка 1-3 мкм при токе дуги 100-150 А. Таким образом на поверхности дугового испарителя имеется чрезвычайно высокая плотность тока, что вызывает локальное плавление испарителя в области пятна. Расплавленный металл испаряется, проходит через зону горения дуги. При этом атомы металла почти все ионизируются (~100% ионизации). Образовавшиеся ионы ускоряются электрическим полем (подложка - отрицательный электрод) и осаждаются с высокой энергией, что и обеспечивает высокую степень адгезии наносимого покрытия. Такое устройство на основе дугового испарителя называется устройством КИБ - катодно-ионной бомбардировки.
Недостатком конструкции КИБ является наличие капельной фазы в плазменном осаждаемом потоке. Капли расплавленного металла появляются в связи с тем, что на охлаждаемый катод дугового испарителя подается небольшое отрицательное напряжение, которое вытягивает на себя часть ионов, образующихся в дуговом разряде из испаренных атомов охлаждаемого катода. Этот поток ионов, попадающих на расплавленный металл, создает давление на расплав, что и вызывает его разбрызгивание в виде капель размером до 10 мкм. Кроме того возможен локальный перегрев рабочего пятна на мишени и взрывное испарение. Эти явления существенно увеличивают параметр шероховатости, что приводит к невозможности использования устройств типа КИБ в ряде случаев. Например, при напылении на оснастку, изготавливающую DVD-диски, ухудшает отражающие свойства поверхности. Наличие капельной фазы совершенно исключает применение устройств КИБ для нанесения наноразмерных по толщине покрытий, так как размер кластеров капельной фазы (капель) превышает толщину наноразмерного покрытия, что не позволяет получать однородные по толщине покрытия.
Наиболее близким по совокупности существенных признаков к предлагаемому является дуговой испаритель в составе промышленной установки "Булат - 6" [См. техническое описание установки "Булат-6" Ф 10000-02 ТО, 1984 г.], состоящий из охлаждаемого катода, системы поджига дугового разряда, соосной с охлаждаемым катодом катушки стабилизации дугового разряда и соосной с охлаждаемым катодом и катушкой стабилизации катушки фокусировки.
Преимуществом использования такого дугового испарителя является более высокая адгезия напыляемого на подложку вещества. При возникновении дугового разряда на поверхности охлаждаемого катода дугового испарителя образуется так называемое катодное пятно с диаметром горения разряда дуги порядка 1-3 мкм при токе дуги 100-150 А. Таким образом, на поверхности дугового испарителя имеется чрезвычайно высокая плотность тока, что вызывает локальное плавление вещества охлаждаемого катода дугового испарителя в области пятна. Расплавленный металл испаряется и проходит через зону горения дуги. При этом атомы металла почти все ионизируются, в отличие от кластеров капельной фазы. Образовавшиеся ионы ускоряются электрическим полем и осаждаются с высокой энергией, что и обеспечивает высокую степень адгезии наносимого покрытия. К сожалению, конструкция устройства не позволяет избавиться от капельной фазы, что не позволяет получать однородные по структуре пленки.
Задачей, решаемой предлагаемой полезной моделью является исключение капельной фазы из потока осаждаемого материала, что позволяет получать однородные по структуре пленки, включая наноразмерные пленки, толщина которых много меньше размеров кластеров капельной фазы.
Поставленная задача решается за счет того, что дуговой испаритель, состоит из охлаждаемого катода, системы поджига дугового разряда, катушки стабилизации дугового разряда и катушки фокусировки, установленные соосно с охлаждаемым катодом. Но, в отличие от известного дугового испарителя он снабжен металлической немагнитной заслонкой, выполненной в форме диска, диаметр которого равен диаметру охлаждаемого катода, расположенной между катушками фокусировки и стабилизации соосно с охлаждаемым катодом, и расположенной внутри катушки фокусировки заслонкой, выполненной из немагнитного металла в виде усеченного конуса, диаметр большего основания которого равен внутреннему диаметру катушки фокусировки, а диаметр меньшего основания, обращенного в сторону охлаждаемого катода равен удвоенному диаметру заслонки.
Достигаемым техническим результатом является повышение однородности получаемых покрытий за счет исключения из потока осаждаемого материала капельной фазы, что позволяет наносить покрытия, включая наноразмерные и повышает однородность структуры получаемых покрытий.
Полезная модель поясняется чертежом, на котором приведена схема дугового испарителя, где 1 - охлаждаемый катод, который служит источником распыляемого материала. Для распыления материала система поджига дугового разряда 2 с помощью катушки стабилизации 3 формирует на поверхности охлаждаемого катода дуговой разряд, который испаряет материал охлаждаемого катода в виде потока ионов и капельной фазы. С помощью катушки фокусировки 4 формируется плазменный факел, направленный по оси системы. В плазменном факеле присутствуют как ионы распыляемого вещества, так и его капли. Размещенная на оси дугового испарителя заслонка 5 избавляет поток напыляемого вещества от прямолетящих капель, а установленная внутри катушки фокусировки по меньшей мере одна заслонка от капель 6, летящих под углом от охлаждаемого катода. Заслонка выполнена в виде усеченного конуса из немагнитного металла, причем диаметр большего основания конуса равен внутреннему диаметру катушки фокусировки, а меньший диаметр конуса, обращенный в сторону охлаждаемого катода равен удвоенному диаметру заслонки, сосной с охлаждаемым катодом дугового испарителя.
Полученная полезная модель работает следующим образом. На боковой поверхности охлаждаемого катода 1 возбуждается дуговой разряд, который с помощью магнитного поля катушки стабилизации «переносится» на торцевую поверхность охлаждаемого катода и удерживается на ней с помощью того же магнитного поля катушки стабилизации и образует на ней хаотически перемещающееся катодное пятно. Из катодного пятна испаряется материал охлаждаемого катода, он проходит через зону плазмы и практически полностью ионизируется, а мощность дугового разряда такова, что на расплав катодного пятна «возвращаются» ионы, оказывают на него давление и, как следствие, приводят к разбрызгиванию расплава. Образующиеся кластеры капельной фазы электронейтральны и направлены от охлаждаемого катода.
Вытянутые из плазмы ионы образуют факел с максимальным распределением плотности тока по оси рассматриваемой системы. Капли расплавленного металла вылетают по всем направлениям.
Так как заслонка в виде диска не связана ни с одним элементом дугового испарителя, то попадающие на нее ионы из охлаждаемого катода будут заряжать ее. Заряд заслонки будет увеличиваться до тех пор, пока образуемое им электрическое поле не станет полностью отталкивать ионы, которые будут огибать заслонку и двигаться по прежней траектории, вращаясь вокруг магнитных силовых линий катушек.
Капельная фаза продуктов испарения, движущихся по оси дугового испарителя ограничивается заслонкой, расположенной на оси системы, так как капли не заряжены, а диаметр заслонки равен диаметру охлаждаемого катода, а та часть, которая распыляется под углом задерживается заслонкой в виде усеченного конуса, подогнанной вплотную к катушке фокусировки (так называемая «ловушка» капель). Как правило, достаточно одной заслонки, но в некоторых случаях их число можно увеличить до двух конусов. Наклон конуса в сторону охлаждаемого катода препятствует «отражению» от него мелких капель и устраняет их из потока осаждения.
Вследствие того, что заслонка в виде диска заряжается, ионный факел будет обтекать ее и ионы будут двигаться в прямом направлении, в отличие от капельной фазы. Диаметр заслонки в виде диска должен совпадать с диаметром охлаждаемого катода, чтобы изолировать соосный капельный поток. Если он будет меньше, то часть капель «прорвется» в прямом направлении. Если он будет больше, то уменьшит поток ионов, огибающих заслонку.
Как показывают эксперименты, меньший диаметр конуса должен обеспечивать изоляцию капельной фазы и прохождение плазменного факела. При этом достаточно, чтобы его диаметр равнялся удвоенному диаметру заслонки, сосной с охлаждаемого катодом дугового испарителя.
В качестве эффективности работы предложенной полезной модели были рассмотрены 3 образца из высокоуглеродистой стали размерами 30×30×3 мм с неоднородностью поверхности Ra=0,2-0,3 мкм.
Первый образец: покрытие нитрид титана, установка «Булат-6», дуговой испаритель - штатный заводской. Результат - образец с покрытием нитрид титана имел неоднородность поверхности Ra=1,5-1,8 мкм.
Второй образец: покрытие нитрид титана, установка «Булат-6» с дуговым испарителем по заявляемой полезной модели. Результат - неоднородность поверхности покрытия Ra=0,3-0,5 мкм, что существенно лучше, чем при штатном дуговом испарителе.
Третий образец: покрытие рафинированная медь. Дуговой испаритель штатный. Толщина пленки 0,5 мкм. Размеры капель на поверхности 1 мкм и более, что не позволяет говорить о наноразмерности получаемого покрытия.
Четвертый образец: покрытие рафинированная медь. Дуговой испаритель по заявляемой полезной модели. Толщина пленки 0,5 мкм, неоднородность поверхности покрытия Ra=0,05-0,1 мкм. Капельная фаза отсутствует. Покрытие соответствует критерию наноразмерности.
Измеренные коэффициенты отражения на длине волны 450 нм (зеленый цвет) как фактор однородности получаемого покрытия составили:
- первый образец 40%
- второй образец 82%
- третий образец 50%
- четвертый образец 85%
Из вышеприведенного следует, что предлагаемая полезная модель позволяет практически полностью исключить наличие капельной фазы дугового испарителя простыми и, значит, дешевыми средствами, не требующими значительных конструктивных изменений, а также не затрагивающих изменений в электрических схемах.
Приведенное описание доказывает достижение технического результата - повышение однородности получаемых пленок за счет устранения капельной фазы. В приведенном примере показано, что заслонки являются препятствием для прохождения кластеров капельной фазы.

Claims (1)

  1. Дуговой испаритель, содержащий охлаждаемый катод, систему поджига дугового разряда, катушку стабилизации дугового разряда и катушку фокусировки, установленные соосно с охлаждаемым катодом, отличающийся тем, что он снабжен металлической немагнитной заслонкой, выполненной в форме диска, диаметр которого равен диаметру охлаждаемого катода, расположенной между катушками фокусировки и стабилизации соосно с охлаждаемым катодом, и расположенной внутри катушки фокусировки заслонкой, выполненной из немагнитного металла в виде усеченного конуса, диаметр большего основания которого равен внутреннему диаметру катушки фокусировки, а диаметр меньшего основания, обращенного в сторону охлаждаемого катода, равен удвоенному диаметру заслонки.
RU2017123631U 2017-07-04 2017-07-04 Дуговой испаритель RU179881U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017123631U RU179881U1 (ru) 2017-07-04 2017-07-04 Дуговой испаритель

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017123631U RU179881U1 (ru) 2017-07-04 2017-07-04 Дуговой испаритель

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU179881U1 true RU179881U1 (ru) 2018-05-28

Family

ID=62561145

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017123631U RU179881U1 (ru) 2017-07-04 2017-07-04 Дуговой испаритель

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU179881U1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU194223U1 (ru) * 2019-08-05 2019-12-03 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) Устройство для нанесения тонкопленочных покрытий

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1780455A1 (ru) * 1990-07-23 1995-12-20 Ленинградский электротехнический институт им.В.И.Ульянова (Ленина) Способ изготовления электродной системы вакуумного люминесцентного индикатора
RU110088U1 (ru) * 2011-04-08 2011-11-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский национальный исследовательский технологический университет"(ФГБОУ ВПО "КНИТУ") Устройство для нанесения покрытий в вакууме
RU169200U1 (ru) * 2015-11-20 2017-03-09 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук (ИФПМ СО РАН) Устройство вакуумно-плазменной однородной модификации поверхности деталей

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1780455A1 (ru) * 1990-07-23 1995-12-20 Ленинградский электротехнический институт им.В.И.Ульянова (Ленина) Способ изготовления электродной системы вакуумного люминесцентного индикатора
RU110088U1 (ru) * 2011-04-08 2011-11-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский национальный исследовательский технологический университет"(ФГБОУ ВПО "КНИТУ") Устройство для нанесения покрытий в вакууме
RU169200U1 (ru) * 2015-11-20 2017-03-09 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук (ИФПМ СО РАН) Устройство вакуумно-плазменной однородной модификации поверхности деталей

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU194223U1 (ru) * 2019-08-05 2019-12-03 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) Устройство для нанесения тонкопленочных покрытий

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9127354B2 (en) Filtered cathodic arc deposition apparatus and method
US7879203B2 (en) Method and apparatus for cathodic arc ion plasma deposition
UA82852C2 (en) Method for application of material for settling on part and device for deposition of material on blank
CA2803087C (en) Arc deposition source having a defined electric field
CA2188799A1 (en) Rectangular vacuum-arc plasma source
CN112831759A (zh) 一种磁场辅助阴极引弧装置及镀膜方法
JP2002008893A (ja) プラズマ加工法
US20070256927A1 (en) Coating Apparatus for the Coating of a Substrate and also Method for Coating
RU179881U1 (ru) Дуговой испаритель
JPS61501328A (ja) 制御された真空ア−クによる材料デポジション方法及び装置
KR20180066371A (ko) 네스트유닛을 포함하는 아크이온플레이팅장치
US3267015A (en) Systems and processes for coating by evaporation
US20030193031A1 (en) Filtered ion source
US5896012A (en) Metal ion plasma generator having magnetic field forming device located such that a triggering is between the magnetic field forming device and an anode
RU173348U1 (ru) Устройство для нанесения тонкопленочных покрытий
RU194223U1 (ru) Устройство для нанесения тонкопленочных покрытий
RU2726223C1 (ru) Магнетронное распылительное устройство
RU154033U1 (ru) Устройство для нанесения тонкопленочных покрытий
US20140034484A1 (en) Device for the elimination of liquid droplets from a cathodic arc plasma source
RU2607398C2 (ru) Способ нанесения покрытий путем плазменного напыления и устройство для его осуществления
KR102215808B1 (ko) 진공 중 음극성 아크 물리 기상 증착(pvd)에서의 매크로 입자를 필터링하기 위한 방법
US9728382B2 (en) Evaporation source
JPH09165673A (ja) 薄膜形成装置および薄膜形成方法
CN109267018B (zh) 一种快速等离子体镀膜方法及装置
Tupik et al. Improving the quality of nanofilms produced by magnetron sputtering