CN109267018B - 一种快速等离子体镀膜方法及装置 - Google Patents
一种快速等离子体镀膜方法及装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109267018B CN109267018B CN201710587670.1A CN201710587670A CN109267018B CN 109267018 B CN109267018 B CN 109267018B CN 201710587670 A CN201710587670 A CN 201710587670A CN 109267018 B CN109267018 B CN 109267018B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- anode
- cathode
- conducting rod
- port
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000009471 action Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims description 18
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 12
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 2
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
- C23C14/325—Electric arc evaporation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
本发明涉及一种快速等离子体镀膜方法及装置，通过在真空室的外部设置导电线圈，利用导电线圈产生的纵向磁场，将真空电弧的能量集中在阳极上，使阳极的材料蒸发，保证镀膜对象的快速镀膜。本发明不仅避免了阴极产生大微粒对膜质量造成的影响，且通过导电线圈产生纵向磁场的作用，可控制电弧能量集中注入于阳极，加速阳极触头的熔化，能使镀膜对象快速成膜。
Description
技术领域
本发明属于真空电镀技术领域，具体涉及一种快速等离子体镀膜方法及装置。
背景技术
真空电弧镀膜(VAC)技术，作为物理气相沉积技术的一个重要分支，近年来得到了迅速发展和广泛应用。自本世纪60年代一出现， VAC就以其沉积速率高，膜层附着力强，易于制备较难获得的合金以及工艺简单、无公害等特点，展现出了强大的生命力并得到了较快的发展。VAC技术利用的是阴极电弧放电，以阴极作为靶源电极，阳极作为辅助电极，这种结构可以带来很多优点，如高离化率、高能量、高生产效率的“三高”特性，但同时也带来了一些问题。其中，最显著的就是原理上的缺陷带来的宏观颗粒污染问题。
传统真空电弧中，阴极弧源在发射大量电子以及金属蒸汽的同时，由于局部区域的过热而伴随着一些熔化的金属颗粒的金属液滴的喷射。液滴直径一般在10μm左右，大大超过了离子的直径，称其为宏观颗粒(Macro particles或简称MP)。当MP随着等离子体流一起到达被镀工件表面时，将对镀层性能产生一系列负面影响，使镀层表面粗糙度增加，附着力下降并出现剥落现象，均匀性大幅度降低。
对于MP抑制技术的研究是从以下两个方面着手的。一是抑制宏观颗粒的发射，力图消除污染源，如外加横向磁场控制阴极斑点的运动、采用易散热阴极来降低表面局部区域的严重过热、采用脉冲电弧放电抑制阴极斑点寿命等措施；二是控制液滴运动而实现过滤，如施加纵向磁场以改变液滴发射角、设计宏观颗粒过滤器将其总等离子体流中过滤掉等措施。但这些措施都不能从原理上克服VAC技术的缺陷，且镀膜速度仅仅只能达到1～100μm/min。
目前，现有技术中采用阳极作为镀膜源电极的方法，解决宏观颗粒污染的问题，例如，期刊《真空与低温》第3卷第4期的一篇名称为《阳极真空电弧镀膜方法及其应用》提出了阳极为镀膜源电极、阴极为维持放电电极的方法，该方法克服了阴极作为镀膜源电极的缺陷的同时，又存在不能长时间镀膜，镀膜效率低且镀膜速度慢的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种快速等离子体镀膜方法及装置，用于解决现有采用阳极作为镀膜源电极产生的镀膜速度慢的问题。
为解决上述技术问题，本发明提出一种快速等离子体镀膜装置，包括真空室，及装配在真空室内的阴极和阳极，所述真空室的外部设置有导电线圈，该导电线圈用于在所述阴极和所述阳极之间，产生能将真空电弧的能量集中在所述阳极上的纵向磁场。
所述阳极上设有用于放置镀膜对象的载物装置，所述载物装置环绕所述阳极布置。
所述导电线圈为单匝或多匝的单绕向导线。
所述真空室包括绝缘外壳，绝缘外壳的一侧固定安装有阴极导电杆，阴极导电杆的第一端口沿所述绝缘外壳的一侧的外部延伸，阴极导电杆的第二端口连接所述阴极；所述绝缘外壳的另一侧固定安装有阳极导电杆，阳极导电杆的第一端口沿所述绝缘外壳的另一侧的外部延伸，阳极导电杆的第二端口连接所述阳极。
所述阴极导电杆的第一端口用于连接直流电源的阴极，所述阳极导电杆的第一端口用于连接所述直流电源的阳极。
为解决上述技术问题，本发明还提出一种快速等离子体镀膜方法，利用电弧放电使阳极的材料蒸发，在载物装置上的镀膜对象进行成膜，包括如下步骤：
在用于镀膜的真空室的外部设置导电线圈，控制导电线圈在所述阳极和阴极之间产生的纵向磁场，使所述电弧的能量集中到阳极，将阳极的材料蒸发。
控制导电线圈产生纵向磁场的时刻，早于阳极和阴极间的起弧时刻。
根据所述阳极和阴极之间通电的直流电流值和导通时间，控制所述阳极的材料蒸发的时间。
所述阳极上设有用于放置镀膜对象的载物装置，所述载物装置为环绕所述阳极布置。
所述导电线圈为单匝或多匝的单绕向导线。
所述真空室包括绝缘外壳，绝缘外壳的一侧固定安装有阴极导电杆，阴极导电杆的第一端口沿所述绝缘外壳的一侧的外部延伸，阴极导电杆的第二端口连接所述阴极；所述绝缘外壳的另一侧固定安装有阳极导电杆，阳极导电杆的第一端口沿所述绝缘外壳的另一侧的外部延伸，阳极导电杆的第二端口连接所述阳极。
所述阴极导电杆的第一端口用于连接直流电源的阴极，所述阳极导电杆的第一端口用于连接所述直流电源的阳极。
本发明的有益效果是：通过在真空室的外部设置导电线圈，利用导电线圈产生的纵向磁场，将真空电弧的能量集中在阳极上，使阳极的材料蒸发，保证镀膜对象的快速镀膜。本发明不仅避免了阴极产生大微粒对膜质量造成的影响，且通过导电线圈产生纵向磁场的作用，可控制电弧能量集中注入于阳极，加速阳极触头的熔化，能使镀膜对象快速成膜。
附图说明
图1是本发明快速等离子体镀膜装置的真空室剖面示意图；
图2是电子e在纵向磁场BAMF作用下的运动示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明。
如图1所示的快速等离子镀膜装置，包括真空室，及装配在真空室内的阴极和阳极。其中，真空室包括绝缘外壳1、阴极侧端盖2和阳极侧端盖3构成密闭空间，密闭空间内部呈真空度10-3Pa及以上的真空状态。阴极导电杆4穿过并固定在阴极侧端盖2上，阴极导电杆4的第一端口在密闭空间外，沿阴极侧端盖2的外部延伸，用于连接直流电源的阴极；阴极导电杆4的第二端口设在密闭空间内，连接盘状阴极6。阳极导电杆5穿过并固定在阳极侧端盖3上，阳极导电杆 5的第一端口在密闭空间外、沿阳极侧端盖3的外部延伸，用于连接上述直流电源的阳极，阳极导电杆5的第二端口设在密闭空间内、连接阳极触头7，盘状阴极6和阳极触头7之间构成了断口。并且，阳极上固定安装有用于放置镀膜对象的载物装置8，载物装置8环绕阳极导电杆5并靠近阳极触头7布置，载物装置8距离阳极触头7的轴向距离为大于或等于1mm，阳极触头7的形状可为立方体、半球体、椭球体、椎体或圆柱体。
图1中，真空室的外部设置有导电线圈9，为单匝或多匝的单绕向导线。该导电线圈用于在盘状阴极6和阳极触头7之间，产生能将在阳极触头7和盘状阴极6在断口中产生的真空电弧的能量集中在阳极触头7上的纵向磁场，进而产生镀膜所需的金属蒸汽。
该纵向磁场为导电线圈9采用螺线管线圈方式缠绕绝缘外壳1产生的纵向磁场，纵向磁场方向平行于电弧，为阴极指向阳极或阳极指向阴极。导电线圈9流通稳定的直流电流后会在绝缘外壳1中心产生沿绝缘外壳1轴线方向的磁场，由于绝缘外壳1轴向方向与盘状阴极 6和阳极触头7连线产生电弧的的轴向方向平行，因此，产生的磁场为纵向磁场。
应用该装置，本发明的快速等离子镀膜方法包括如下步骤：
在燃弧开始后，控制外围第一直流电源提供直流电流，通过线圈 9产生有效控制真空电弧的纵向磁场，线圈9通电产生纵向磁场时刻早于盘状阴极6和阳极触头7起弧时刻；控制外围第二直流电源为阴极导电杆4和阳极导电杆5提供直流电流，阴极导电杆4连接直流电源阴极，阳极导电杆5连接直流电源阳极，将阳极触头7的电极材料蒸发，快速镀到在载物装置8的镀膜对象上，这将有效避免宏观颗粒污染问题。
通过控制第二直流电源产生的直流电流值和导通时间，控制到达阳极触头7的电流密度，从而达到控制阳极触头7的熔化时间，进而控制镀膜速率，获得所需的镀膜厚度及镀膜质量。
为了达到对真空电弧的有效控制的效果，本发明根据产生真空电弧的电流，对导电线圈的匝数进行相应设置。本发明的盘状阴极和阳极触头为同种材料：单质或合金，也可根据需要设置为不同种材料。
本发明采用导电线圈产生纵向磁场，控制触头间真空电弧的形态，通过设置阳极作为靶源电极，及纵向磁场的双重作用即可达到集中电弧能量主要注入于阳极触头，造成阳极触头的熔化，从而在阳极表面产生高密度等离子体，而腔体的真空环境导致镀膜对象的等离子体密度非常低，由于在熔融状态阳极和镀膜对象间存在等离子体密度梯度，从而在两者之间产生等离子体压力，在等离子体压力作用下将阳极触头材料镀膜到镀膜对象上。另外，由于本发明进行的镀膜时间受阳极靶源长度的影响，因此本发明根据阳极靶源长度的适当设置，达到连续的长时间镀膜效果。
为了加速镀膜对象的镀膜速度，通过载物装置的位置布置、纵向磁场的有效控制，及直流电弧的电流值参数设置，保证阳极的熔通状态，再通过等离子体压力使熔融的阳极材料高速镀膜到载体上，采用该方法后实测金属镀膜速率至少可以达到230.77μm/min，为目前VAC 镀膜最高速率的2-3倍。
本发明的纵向磁场对真空电弧的控制作用主要体现在对弧柱和阴极斑点两个方面。纵向磁场对真空电弧的控制作用实质上是纵向磁场对等离子体的约束效应。当电极间存在纵向磁场时，电子会沿着纵向磁场的磁力线作螺旋运动，而电子又会吸引正离子，从而弧柱等离子体被限制在触头间隙之内，如图2所示。因此，纵向磁场可以抑制极间带电粒子偏移磁力线的运动，对电弧等离子体中带电粒子的运动产生约束效应，通常这种作用被称作“校准效应”，校准效应一方面可以减小等离子体的径向损失，另一方面还可以抑制等离子体的收缩。电弧的收缩现象是由电弧自生的环向磁场引起的，而纵向磁场的应用能够有效的抑制电弧等离子体向电极中心的收缩，减小阳极的能流密度，使真空电弧在电极表面分布更均匀。
以上所述仅为本发明的优选实施例，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。
Claims (8)
1.一种快速等离子体镀膜装置，包括真空室，及装配在真空室内的阴极和阳极，其特征在于，所述阳极包括阳极导电杆和阳极触头，所述阳极导电杆的第一端口设置在真空室外，用于连接直流电源的阳极，所述阳极导电杆的第二端口设置在真空室内，连接所述阳极触头；
所述阴极包括阴极导电杆和盘状阴极，所述阴极导电杆的第一端口设置在真空室外，用于连接直流电源的阴极，所述阴极导电杆的第二端口设置在真空室内，连接所述盘状阴极；
所述阳极触头和盘状阴极之间形成触头间隙；
所述阳极触头为靶源电极，所述盘状阴极为维持放电电极；
所述阳极上设有用于放置镀膜对象的载物装置，所述载物装置环绕阳极导电杆并靠近阳极触头布置；
所述真空室的外部设置有导电线圈，该导电线圈用于在所述阴极和所述阳极之间产生纵向磁场，控制触头间隙内真空电弧的形态，纵向磁场对真空电弧的控制作用实质上是纵向磁场对等离子体的约束效应，当阳极触头和盘状阴极之间存在纵向磁场时，电子会沿着纵向磁场的磁力线作螺旋运动，而电子又会吸引正离子，从而弧柱等离子体被限制在所述触头间隙之内；
熔融状态下的阳极触头与镀膜对象间存在等离子体密度梯度，从而在两者之间产生等离子体压力，在等离子体压力作用下将阳极触头材料镀膜到镀膜对象上。
2.根据权利要求1所述的快速等离子体镀膜装置，其特征在于，所述导电线圈为单匝或多匝的单绕向导线。
3.根据权利要求1-2任一项所述的快速等离子体镀膜装置，其特征在于，所述真空室包括绝缘外壳，绝缘外壳的一侧固定安装有阴极导电杆，阴极导电杆的第一端口沿所述绝缘外壳的一侧的外部延伸，阴极导电杆的第二端口连接所述盘状阴极；所述绝缘外壳的另一侧固定安装有阳极导电杆，阳极导电杆的第一端口沿所述绝缘外壳的另一侧的外部延伸，阳极导电杆的第二端口连接所述阳极触头。
4.一种快速等离子体镀膜方法，利用电弧放电使阳极的材料蒸发，在载物装置上的镀膜对象进行成膜，其特征在于，包括以下步骤：
在用于镀膜的真空室的外部设置导电线圈，控制导电线圈在所述阳极和阴极之间产生纵向磁场；
所述阳极包括阳极导电杆和阳极触头，所述阳极导电杆的第一端口设置在真空室外，用于连接直流电源的阳极，所述阳极导电杆的第二端口设置在真空室内，连接所述阳极触头；
所述阴极包括阴极导电杆和盘状阴极，所述阴极导电杆的第一端口设置在真空室外，用于连接直流电源的阴极，所述阴极导电杆的第二端口设置在真空室内，连接所述盘状阴极；
所述阳极触头和盘状阴极之间形成触头间隙；
所述阳极触头为靶源电极，所述盘状阴极为维持放电电极；
所述阳极上设有用于放置镀膜对象的载物装置，所述载物装置环绕阳极导电杆并靠近阳极触头布置；
所述纵向磁场控制触头间隙内真空电弧的形态，纵向磁场对真空电弧的控制作用实质上是纵向磁场对等离子体的约束效应，当阳极触头和盘状阴极之间存在纵向磁场时，电子会沿着纵向磁场的磁力线作螺旋运动，而电子又会吸引正离子，从而弧柱等离子体被限制在所述触头间隙之内；
熔融状态下的阳极触头与镀膜对象间存在等离子体密度梯度，从而在两者之间产生等离子体压力，在等离子体压力作用下将阳极触头材料镀膜到镀膜对象上。
5.根据权利要求4所述的快速等离子体镀膜方法，其特征在于，控制导电线圈产生纵向磁场的时刻，早于阳极和阴极间的起弧时刻。
6.根据权利要求5所述的快速等离子体镀膜方法，其特征在于，根据所述阳极和阴极之间通电的直流电流值和导通时间，控制所述阳极的材料蒸发的时间。
7.根据权利要求5～6任一项所述的快速等离子体镀膜方法，其特征在于，所述导电线圈为单匝或多匝的单绕向导线。
8.根据权利要求7所述的快速等离子体镀膜方法，其特征在于，所述真空室包括绝缘外壳，绝缘外壳的一侧固定安装有阴极导电杆，阴极导电杆的第一端口沿所述绝缘外壳的一侧的外部延伸，阴极导电杆的第二端口连接所述盘状阴极；所述绝缘外壳的另一侧固定安装有阳极导电杆，阳极导电杆的第一端口沿所述绝缘外壳的另一侧的外部延伸，阳极导电杆的第二端口连接所述阳极触头。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710587670.1A CN109267018B (zh) | 2017-07-18 | 2017-07-18 | 一种快速等离子体镀膜方法及装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710587670.1A CN109267018B (zh) | 2017-07-18 | 2017-07-18 | 一种快速等离子体镀膜方法及装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109267018A CN109267018A (zh) | 2019-01-25 |
| CN109267018B true CN109267018B (zh) | 2021-12-17 |
Family
ID=65152984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710587670.1A Active CN109267018B (zh) | 2017-07-18 | 2017-07-18 | 一种快速等离子体镀膜方法及装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109267018B (zh) |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1055774A (zh) * | 1991-06-01 | 1991-10-30 | 中国科学院电工研究所 | 大电流多弧斑受控真空电弧蒸发源 |
| US5441624A (en) * | 1992-08-25 | 1995-08-15 | Northeastern University | Triggered vacuum anodic arc |
| CN1390974A (zh) * | 2002-03-20 | 2003-01-15 | 太原理工大学 | 双辉放电渗镀金属碳氮化合物的装置及工艺 |
| JP2008001925A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置 |
| CN101698934A (zh) * | 2009-10-23 | 2010-04-28 | 武汉大学 | 一种中空阴极电弧离子镀涂层系统 |
| CN102348828A (zh) * | 2009-04-28 | 2012-02-08 | 株式会社神户制钢所 | 电弧式蒸发源和使用它的皮膜的制造方法 |
| CN102758186A (zh) * | 2011-04-26 | 2012-10-31 | 中国科学院金属研究所 | 一种电弧离子镀设备 |
| CN102936717A (zh) * | 2012-11-08 | 2013-02-20 | 温州职业技术学院 | 一种紧凑高效的准扩散弧冷阴极弧源 |
| CN103298969A (zh) * | 2010-11-08 | 2013-09-11 | 哈尔科夫国家科技中心物理科技学院(Nsckipt) | 用于传输真空电弧等离子体的方法和装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1459516A (zh) * | 2003-02-20 | 2003-12-03 | 大连理工大学 | 高真空磁过滤弧源 |
| JP2005029855A (ja) * | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 真空アーク蒸着装置、真空アーク蒸着法、および磁気記録媒体 |
-
2017
- 2017-07-18 CN CN201710587670.1A patent/CN109267018B/zh active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1055774A (zh) * | 1991-06-01 | 1991-10-30 | 中国科学院电工研究所 | 大电流多弧斑受控真空电弧蒸发源 |
| US5441624A (en) * | 1992-08-25 | 1995-08-15 | Northeastern University | Triggered vacuum anodic arc |
| CN1390974A (zh) * | 2002-03-20 | 2003-01-15 | 太原理工大学 | 双辉放电渗镀金属碳氮化合物的装置及工艺 |
| JP2008001925A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置 |
| CN102348828A (zh) * | 2009-04-28 | 2012-02-08 | 株式会社神户制钢所 | 电弧式蒸发源和使用它的皮膜的制造方法 |
| CN101698934A (zh) * | 2009-10-23 | 2010-04-28 | 武汉大学 | 一种中空阴极电弧离子镀涂层系统 |
| CN103298969A (zh) * | 2010-11-08 | 2013-09-11 | 哈尔科夫国家科技中心物理科技学院(Nsckipt) | 用于传输真空电弧等离子体的方法和装置 |
| CN102758186A (zh) * | 2011-04-26 | 2012-10-31 | 中国科学院金属研究所 | 一种电弧离子镀设备 |
| CN102936717A (zh) * | 2012-11-08 | 2013-02-20 | 温州职业技术学院 | 一种紧凑高效的准扩散弧冷阴极弧源 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 阳极真空电弧镀膜方法及其应用;王浩;《真空与低温》;19971130(第4期);"1镀膜装置"、"2工作原理与等离子体微观过程" * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109267018A (zh) | 2019-01-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7879203B2 (en) | Method and apparatus for cathodic arc ion plasma deposition | |
| US3836451A (en) | Arc deposition apparatus | |
| EP0508612B1 (en) | Apparatus and method for coating a substrate using vacuum arc evaporation | |
| US5972185A (en) | Cathodic arc vapor deposition apparatus (annular cathode) | |
| CN112831759A (zh) | 一种磁场辅助阴极引弧装置及镀膜方法 | |
| US20070256927A1 (en) | Coating Apparatus for the Coating of a Substrate and also Method for Coating | |
| CN102260850A (zh) | 一种少液滴电弧靶及带少液滴电弧靶的等离子涂层系统 | |
| CN110205589B (zh) | 一种脉冲碳离子激发源装置 | |
| CN109267018B (zh) | 一种快速等离子体镀膜方法及装置 | |
| CN207047312U (zh) | 一种沉积管内壁涂层的电弧离子镀设备 | |
| CN102296274B (zh) | 用于阴极弧金属离子源的屏蔽装置 | |
| CN210438827U (zh) | 一种脉冲碳离子激发源装置 | |
| US8241468B2 (en) | Method and apparatus for cathodic arc deposition of materials on a substrate | |
| CN202201957U (zh) | 一种少液滴电弧靶及带少液滴电弧靶的等离子涂层系统 | |
| JPH04315754A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| RU2607398C2 (ru) | Способ нанесения покрытий путем плазменного напыления и устройство для его осуществления | |
| CN111394707A (zh) | 一种等离子体源及其用于镀膜的装置、系统和方法 | |
| JP4488273B2 (ja) | 薄膜形成用のターゲット組立体、蒸着源、薄膜形成装置及び薄膜形成方法 | |
| JP2009114482A (ja) | 電子ビームによる金属表面の処理方法及び装置 | |
| CN109686631A (zh) | 一种阵列多孔空心阴极放电电子源 | |
| CN105316628A (zh) | 成膜装置 | |
| JP4717776B2 (ja) | 蒸着源、蒸着装置 | |
| CN202063988U (zh) | 阴极弧高真空低电流稳定装置 | |
| JP5025991B2 (ja) | アーク蒸着源、成膜装置 | |
| CN214655208U (zh) | 一种磁场辅助阴极引弧装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |