DE3735162C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Aufstäubungsvorrichtung der je­ weils im Oberbegriff der nebengeordneten Ansprüche 1 und 2 genannten Art. Eine solche Vorrichtung ist aus der US-PS 44 01 539 bekannt.

Die bekannte Vorrichtung beinhaltet eine konzentrische An­ ordnung mehrerer Magnetfelderzeugungseinrichtungen (Elektro­ magneten bzw. Permanentmagneten), mit denen tunnelförmige Magnetfelder erzeugt werden, wobei eine zyklische Variation des Erregerstroms des oder der Elektromagneten erfolgen kann. Die Ausbildung der Magneten ist dabei durchgehend kreisringförmig.

Entsprechend der kreisringförmigen Ausbildung der Magneten ist bei der bekannten Anordnung auch die Magnetfeldvertei­ lung radialsymmetrisch, d. h. der der davon gebildete Tunnel ist kreisringförmig in sich geschlossen. Damit läßt sich jedoch nur bei runden, ruhenden Objekten eine gleichmäßige Dickenverteilung der abgeschiedenen Schicht erhalten. Die bekannte Anordnung ist nicht für eine kontinuierliche Be­ schichtung eines an der Targetplatte vorbeigeführten Mate­ riales geeignet, da dann der Querschnitt der abgeschiedenen Schicht über die Breite der Materialbahn einen konvexen Ver­ lauf zeigt.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Vorrichtung der im Oberbegriff des Anspruchs 1 bzw. 2 beschriebenen Art so auszugestalten, daß die abgeschiedene Schicht auf einer an der Targetplatte kontinuierlich vorbeigeführten Material­ bahn über deren ganze Breite gleichmäßig ist, wobei die Vor­ richtung möglichst geringe Abmessungen haben soll.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit den im Kennzeichen des Patentanspruchs 1 bzw. alternativ im Anspruch 2 angege­ benen Merkmalen gelöst.

Vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Aufstäu­ bungsvorrichtung sind in den Unteransprüchen 3 und 4 be­ schrieben.

Allgemein ist zu bemerken, daß der Übergang von runden, d. h. radialsymmetrischen Magneten zu rechteckigen Formen nicht trivial ist, da bei Rechteckform unerwünschte Rand- und Eckeneffekte zu erwarten sind. Überraschenderweise haben die Erfinder jedoch festgestellt, daß auch eine sehr einfache Anordnung von konzentrischen oder, alternativ, nebeneinan­ derliegenden rechteckförmigen Magneten mit einem vergleichs­ weise einfachen Aufbau des Magnetfeldes geeignet ist, die Abscheidung des Targetmateriales derart zu vergleichmäßigen, daß eine kontinuierliche Beschichtung eines sich bewegenden Bandes mit sehr guten Ergebnissen möglich ist.

Darüber hinaus ermöglicht der erfindungsgemäße Aufbau nach Anspruch 1 oder 2 auch eine Aufteilung des Magnetrons quer zur Bewegungsrichtung des Bandes mit direkt nebeneinander (Anspruch 3) oder versetzt nebeneinander (Anspruch 4) ange­ ordneten Elementen, wodurch eine nahezu beliebige Schicht­ dickenverteilung quer zur Bewegungsrichtung des Bandes ein­ gestellt werden kann.

Die Größe des Plasmaringes läßt sich bei der erfindungsge­ mäßen Vorrichtung auf die folgende einfache Weise verändern.

Wird der durch eine erste (innere) elektromagnetische Spule in der Form eines rechteckigen Ringes fließende Strom kon­ stant gehalten und der durch eine zweite (äußere) Spule in Rechteckform in gleicher Richtung wie in der ersten Spule fließende Strom erhöht, so wird der Plasmaring größer. Fließt der Strom durch die zweite Spule entgegen dem Strom in der ersten Spule und wird der durch die zweite Spule fließende Strom erhöht, so vermindert sich die Größe des Plasmaringes. Die Targetplatte wird lokal an der Stelle zerstäubt, an der der Plasmaring erzeugt wird. Demzufolge kann die dem Zerstäuben unterworfene Fläche der Targetplatte durch Variieren der Größe des Plasmaringes geändert werden.

Die Erfindung wird anhand der in der Zeichnung dargestell­ ten Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 die Seitenansicht einer ersten Ausführungsform einer Aufstäubungsvorrichtung mit einem planaren Magnetron,

Fig. 2 die Vorderansicht der Vorrichtung der Fig. 1,

Fig. 3 ein Blockschaltbild mit dem Schaltungsaufbau der Vorrichtung der Fig. 1 und 2,

Fig. 4 den Querschnitt eines bei der Ausführungsform der Fig. 1 bis 3 verwendeten Magnetrons,

Fig. 5 den Schnitt V-V der Fig. 4,

Fig. 6 den Querschnitt eines Magnetrons für eine zweite Ausführungsform der Aufstäubungs­ vorrichtung,

Fig. 7 den Schnitt VII-VII der Fig. 6,

Fig. 8 die Seitenansicht einer dritten Ausführungsform der Aufstäubungsvorrichtung,

Fig. 9 die Vorderansicht der Vorrichtung der Fig. 8,

Fig. 10A, 10B und und 10C im Diagramm über die Breite eines bandförmigen Materials die Dicke einer aufgebrachten Schicht,

Fig. 11 ein Diagramm mit der Dickenverteilung einer zu­ sammengesetzten Schicht,

Fig. 12 die Seitenansicht eines Hauptteils einer vierten Ausführungsform der Aufstäubungs­ vorrichtung,

Fig. 13 die Vorderansicht des in Fig. 12 gezeigten Haupt­ teiles,

Fig. 14A und 14B im Diagramm eine veränderte Dickenver­ teilung der abgeschiedenen Schicht infolge unter­ schiedlicher Bedingungen an einer Kathode der Fig. 12 und 13,

Fig. 15 die Vorderansicht eines Hauptteiles einer fünf­ ten Ausführungsform der Auf­ stäubungsvorrichtung, und

Fig. 16 schematisch die Anordnung der Kathoden bei der Ausführungsform der Fig. 15.

Anhand der Fig. 1 bis 5 wird eine erste Ausführungsform einer Aufstäubungsvorrichtung mit planarem Magnetron erläutert. Die Fig. 1 und 2 sind eine Seiten- bzw. Vorderansicht der Vorrichtung, die Fig. 3 zeigt ein Blockschaltbild mit dem Schaltungsaufbau der Vorrichtung.

Gemäß Fig. 1 und 2 enthält die Aufdampfvorrichtung einen Vakuumbehälter 1, ein Rohr 2 zur Verbindung des Vakuumbe­ hälters 1 mit einer (nicht gezeigten) Vakuumpumpe, eine Vorratsrolle 4 zur dauernden, endlosen Zufuhr einer Bahn 3, eine Aufnahmerolle 5 zum Aufrollen der Bahn 3, eine rollenförmige Anode 6, eine Targetplatte 7 und eine Kathode 8. Nach Fig. 3 dient eine Spannungsquel­ le 9 zur Erzeugung eines elektrischen Potentials an der Kathode 8, eine Spannungsquelle 10 zur Speisung von noch zu erläuternden elektromagnetischen Spulen und ein Regler 11 zur Steuerung oder Regelung der von der Spannungsquel­ le 10 zugeführten Ströme. Der Regler 11 enthält einen Digital/Analog (D/A)-Wandler 12 und einen Mikrocomputer 13.

Das dem Mikrocomputer 13 zugeführte Stromsignal wird durch den D/A-Wandler 12 in ein analoges Signal im Bereich zwi­ schen 0 und 10 V umgewandelt. Ein dem zugeführten Strom­ signal entsprechender Strom wird, gesteuert durch einen Schalttransistor, einer elektromagnetischen Spule zuge­ führt.

Im folgenden wird der Aufstäubungsvorgang erläutert.

Zunächst wird der Vakuumbehälter 1 mittels der Vakuumpum­ pe auf einen Druck von etwa 1,3 × 10 ^-3 bis 0,13 × 10 ^-3 Pa evakuiert. Dann wird über ein (nicht gezeigtes) Gas­ zuleitungssystem Argon in den Vakuumbehälter 1 eingeleitet und auf einen Druck von etwa 0,8 Pa gebracht. Durch jede der unter der Targetplatte 7 angeordneten elektromagneti­ schen Spulen wird ein Strom geschickt, dessen Größe und Richtung so eingestellt werden, daß in einem räumlichen Bereich auf der Targetplatte 7 ein Magnetfeld von 0,02 bis 0,03 T entsteht. Darauf werden die Vorratsrolle 4, die rollenförmige Anode 6 und die Aufwickelrolle 5 in Gang gesetzt, so daß sich die Bahn 3 mit einer Geschwin­ digkeit von 1 m/Min. bewegt. Daraufhin wird zwischen Anode 6 und Kathode 8 eine Gleichspannung von 600 bis 700 V angelegt, so daß in der Argonatmosphäre eine Glimmentla­ dung entsteht und sich ein Plasma bildet, in das die Argonionen eingeschlossen sind. Die Argonionen im Plasma werden durch die angelegte Spannung be­ schleunigt und schlagen auf die Oberfläche der Target­ platte 7 auf. Hierdurch werden Atome oder Teilchen der Targetplatte 7 aus der Oberfläche der Targetplatte 7 zer­ stäubt und auf der Bahn 3 abgeschieden, die gegen die Rollenanode 6 angedrückt und mit dieser bewegt wird. Auf diese Weise wird auf der Bahn 3 eine Schicht aus dem Targetmaterial abgeschieden.

Anhand der Fig. 4 und 5 wird das bei der vorliegenden Aus­ führungsform verwendete planare Magnetron mit einer inneren und einer äußeren elektromagnetischen Spule er­ läutert, die je die Form eines rechteckigen Ringes ha­ ben.

Fig. 4 zeigt einen Querschnitt des planaren Magnetrons, Fig. 5 den Schnitt V-V der Fig. 4. Das in Fig. 4 und 5 gezeigte planare Magnetron enthält eine erste, unterhalb eines mittleren Bereichs der Targetplatte 7 angeordnete elektromagnetische Spule 14 in Form eines rechteckigen Ringes, eine zweite, außerhalb der ersten Spule 14 ange­ ordnete elektromagnetische Spule 15, ebenfalls in Form eines rechteckigen Ringes, eine Kathode 16, einen Kühl­ mittelkanal 17 für zur Kühlung der Targetplatte 7 die­ nendes Wasser, ein Rohr 18 für Kühlwasser für die erste Spule 14, ein Rohr 19 für Kühlwasser für die zweite Spule 15, einen Mantel 20 zur Verhinderung einer Entladung in einem Raum außerhalb des räumlichen Bereichs auf der Tar­ getplatte 7, einen Schirm 21 zur Verhinderung der Abschei­ dung von Atomen und Teilchen des Targetmaterials auf der inneren Oberfläche des Vakuumbehälters 1, einen Träger 22 für den Vakuumbehälter 1 und eine Isolierbuchse 23. Die erste und zweite Spule 14 bzw. 15 sind durch ein Joch 24 magnetisch miteinander verbunden.

Zur Erhöhung der Lebensdauer der Targetplatte 7 und zur Vergleichmäßigung der Dicke der auf der Bahn 3 abgeschie­ denen Schicht müssen die jeweiligen Ströme für die erste und zweite Spule während des Aufstäubens beispiels­ weise auf folgende Weise geregelt werden:

Ein Strom von 4 A wird durch die erste elektromagnetische Spule 14 geschickt, die sich unterhalb eines mittleren Bereichs der Target­ platte 7 befindet. Durch die die erste Spule 14 konzen­ trisch umgebende zweite elektromagnetische Spule 15 wird entgegen der Richtung des Stromes in der ersten Spule 14 ein Strom von ebenfalls 4 A ge­ schickt. Der Strom durch die zweite Spule 15 wird zeit­ lich linear auf 0 abgesenkt und darauf zeitlich linear auf 4 A erhöht. Diese Verringerung und Erhöhung des Stro­ mes wird wiederholt, womit eine wiederholte Ausdehnung und Kon­ traktion des auf dem Magnetron gebildeten Plasmaringes erfolgt. Somit wird der Bereich auf der Target­ platte 7, der zerstäubt wird, flächenmäßig größer. Ferner wird durch das Zerstäuben in der Oberfläche der Targetplatte 7 nicht eine V-förmige Nut, sondern eine flache gleichmäßige Vertiefung gebildet. Dem­ entsprechend wird das Volumen des zerstäubten Bereiches der Targetplatte 7 und damit deren Lebensdauer in starkem Maße erhöht. Da während des Zerstäubungsprozesses in der Oberfläche der Targetplatte 7 keine V-förmige Nut entsteht, hat die auf der Bahn 3 abgeschiedene Schicht eine gleichmäßige Dicke.

Läßt man den Strom der zweiten Spule 15 in der gleichen Richtung fließen wie den in der ersten Spule 14 und va­ riiert man ihn in einem Bereich von 0 bis 4 A, so vari­ iert die Größe des Plasmaringes in der oben beschriebe­ nen Weise. Der Plasmaring ist jedoch größer, wenn beide Ströme in der gleichen Richtung fließen, als wenn sie in einan­ der entgegengesetzten Richtungen fließen.

Statt den Strom durch die zweite Spule 15 nach einer drei­ eckförmig verlaufenden Kurvenform auf- und abzusteuern, kann er auch nach anderen Kurvenverläufen geändert werden, beispielsweise sinus- oder trapezoidförmig. Ferner ist es vorteilhaft, den Strom automatisch durch einen Mikrorechner oder eine Folgesteue­ rung zu regeln, da eine solche automatische Steuerung besonders zur kontinuierlichen Beschichtung eines bandförmigen Materials geeignet ist. Wird jedoch der Strom nur innerhalb eines engen Bereichs geändert, so läßt er sich auch von Hand steuern.

Bei dem planaren Magnetron der Fig. 4 und 5 ist die zweite Spule 15 außerhalb und konzentrisch zur ersten Spule 14 angeordnet. Außerhalb der zweiten Spule 15 können weitere elektromagnetische Spulen angeordnet werden, die ebenfalls jeweils die Form eines rechteckigen Ringes haben. Hierdurch läßt sich die Größe des in der Fig. 3 gezeig­ ten Plasmaringes in einem erweiterten Bereich verändern.

Anhand der Fig. 6 und 7 wird eine weitere Ausführungsform der Aufstäubungsvorrichtung erläutert.

Fig. 6 zeigt den Schnitt des in der obigen Ausführungs­ form verwendeten planaren Magnetron und Fig. 7 den Schnitt VII-VII der Fig. 6. Bei der vorliegenden Ausführungsform dienen zur Erzeugung des gewünschten Magnetfeldes vier nebeneinander angeordnete elektromagnetische Spulen 26, 27, 28, 29. Wie in Fig. 6 gezeigt, wird zwischen der Spule 27 sowie zwischen der Spule 28 und der Spule 29 eine tun­ nelförmige Magnetfeldverteilung gebildet. Das bei der vor­ liegenden Ausführungsform vewendete planare Magnetron hat große Abmessungen, so daß gleichzeitig ein großer Bereich des Materials beschichtet wer­ den kann.

Bei dem planaren Magnetron der Fig. 6 und 7 sind vier Spu­ len 26 bis 29 nebeneinander angeordnet. Ein Teil dieser Spulen kann durch Permanentmagneten ersetzt werden.

Fig. 8 und 9 zeigen die Seiten- bzw. Vorderansicht einer weiteren Ausführungsform der Aufstäubungs­ vorrichtung. Die Ausführungsform der Fig. 8 und 9 unterscheidet sich von der der Fig. 1 bis 3 dadurch, daß senkrecht zur Bewegungsrichtung der Bahn 3 drei Kathoden 30, 31 und 32 angeordnet sind.

Zunächst sei angenommen, daß nur eine der Kathoden 30 bis 32 betrieben wird. Wenn ein Magnetron der Fig. 4 ver­ wendet und die jeweiligen Ströme der ersten und zweiten Spule 14 bzw. 15 in geeigneter Weise gesteuert werden, kann die auf der Bahn 3 abgeschiedene Schicht die in einer der Fig. 10A, 10B und 10C gezeigte Dickenverteilung über die Breite der Bahn 3 haben. Im einzelnen wird die Dickenverteilung der Fig. 10A erzielt, wenn ei­ ne Kathode mit einer Breite von 400 mm, einer Länge von 250 mm und einer Höhe von 200 mm bei einem Abstand zwi­ schen Targetplatte 7 und Rollenanode 6 von 50 mm verwen­ det wird. Durch die Spulen 14 und 15 fließen in entgegen­ gesetzter Richtung Ströme von jeweils 4 A. Fig. 10B zeigt die Dickenverteilung bei einem Strom von 4 A durch die erste Spule 14 und einem in Gegenrichtung durch die zwei­ te Spule 15 fließenden Strom von 2 A. Fig. 10C zeigt die Dickenverteilung bei einem Strom von 4 A durch die erste Spule 14 und einem in Gegenrichtung durch die zweite Spu­ le 15 fließenden Strom von 1 A. Wie oben erwähnt, können durch Änderung des Maximalwertes und/oder der Richtung des durch die zweite Spule 15 fließenden Stromes unter­ schiedliche Dickenverteilungen erzielt werden.

Nach Fig. 8 und 9 sind drei Kathoden 30 bis 32, jeweils mit dem Aufbau der Anordnung nach Fig. 4, senkrecht zur Bewegungsrichtung der Bahn 3 nebeneinander angeordnet. Wird der Strom der an jeder Kathode befestigten Spule so eingestellt, daß durch jede Kathode die Dickenverteilung der Fig. 10A erhalten wird, läßt sich aus drei Targetplatten 30 a, 31 a und 32 a eine Schicht mit der zusammengesetzten oder überlagerten Dickenverteilung gemäß Fig. 11 erzielen. Eine nach einem herkömmlichen Verfahren auf der Bahn 3 abgeschiedene Schicht hat quer zur Breite der Bahn 3 eine konvexe Dic­ kenverteilung, d. h., eine maximale Dicke in der Mitte und an den beiden Rändern der Bahn 3 eine Dicke mit einem Wert, der unterhalb eines vorbe­ stimmten Wertes liegt. Damit beträgt die effektive Breite der Schicht etwa ²/₃ der Breite der Katho­ de. Bei Verwendung einer Kathode mit einer Breite von 1200 mm beträgt die effektive Breite der aufgetragenen Schicht etwa 800 mm. Ist dagegen bei dem obigen Aufbau die resultieren­ de Breite der Kathoden 30 bis 32 gleich 1200 mm, so wird gemäß Fig. 11 die effektive Breite der abgeschiedenen Schicht größer als 1000 mm. Das heißt, die effektive Brei­ te des Dünnfilms beträgt ⁹/₁₀ der resultierenden Breite der Kathoden 30 bis 32. Ferner kann dabei die Dickenverteilung einer der Fig. 10A, 10B und 10C mit der Dickenverteilung einer anderen dieser Abbildungen kombiniert werden, indem man den Strom in den Kathoden 30 bis 32 entsprechend steuert. Hierbei kann ebenfalls die effek­ tive Breite der abgeschiedenen Schicht erhöht werden.

Bei der vorliegenden Ausführungsform werden die Ströme in den Kathoden 30 bis 32 zeitlich so variiert, daß sich eine zusammengesetzte Dickenverteilung gemäß Fig. 11 er­ gibt. Daher wird der zerstäubte Bereich auf jeder der Targetplat­ ten 30 a, 31 a und 32 a nicht auf einen schmalen Bereich begrenzt, sondern auf eine breite Fläche vergrößert.

Da die effektive Breite der mit der vorliegenden Ausführungs­ form erzeugten Schicht gleich ⁹/₁₀ der resultierenden Breite der Kathoden ist, kann das Gesamtvolumen der Kathoden vermindert werden. Das heißt, die Aufstäubungsvor­ richtung kann mit kleinen Abmessungen ausgeführt werden.

Anhand der Fig. 12, 13, 14A und 14B wird eine weitere Ausführungsform der Aufstäubungsvorrichtung erläutert. Die Fig. 12 ist eine Sei­ tenansicht eines Hauptteils der obigen Ausführungsform, Fig. 13 eine Vorderansicht des Hauptteils, wobei zwei Kathoden 33 und 34 auf einer geraden Linie parallel zur Bewegungsrichtung des bandförmigen Materials, d. h. der Drehrichtung der Rollenanode 6 in Abständen voneinander angeordnet sind. Die Fig. 14A und 14B zeigen die erziel­ te Dickenverteilung für den Fall, daß der Abstand zwi­ schen Rollenanode 6 und Targetplatte 33 a oder 34 a gleich 40 mm ist. Die anderen Bedingungen sind die gleichen wie bei der Erzielung der Dickenverteilung der Fig. 10B. Fig. 14B zeigt die erzielte Dickenvertei­ lung für den Fall, daß zwischen Rollenanode 6 und Katho­ de 33 oder 34 eine niedrige Spannung oder kurzzeitig ei­ ne normale Spannung angelegt wird.

Wenn eine Schicht mit der Dickenverteilung der Fig. 14A, der durch die Kathode 33 oder 34 gebildet wurde, auf ei­ ne Schicht der Dickenverteilung der Fig. 14B, der durch die andere Kathode gebildet wurde, aufgebracht wird, ist die resultierende Schicht hinsichtlich der Gleichmäßig­ keit der Dicke einer nach einem herkömmlichen Verfahren aufgebrachten Schicht überlegen. Darüber hinaus ist die effektive Breite der resultierenden Schicht größer als die einer nach dem herkömmlichen Verfahren hergestellten Schicht. Die vor­ liegende Ausführungsform zeigt also den gleichen Effekt wie die Aus­ führungsform der Fig. 1 bis 3.

Ferner wird bei der vorliegenden Ausführungsform das von der Targetplatte 33 a und das von der Targetplatte 34 a zerstäubte Material nacheinander auf einem Teil der Bahn 3 abgelagert. Daher läßt sich die Zerstäubungszeit, die notwendig ist, eine Schicht vorbestimmter Dicke zu erzielen, verglichen mit herkömmlichen Verfahren verkürzen.

Werden ferner der Vorgang zur Erzielung der Dickenvertei­ lung der Fig. 14A und der Vorgang zur Erzielung der Dic­ kenverteilung der Fig. 14B abwechselnd und wiederholt für jede der Kathoden 33 und 34 durchgeführt, so vergrös­ sert sich die zerstäubte Fläche auf jeder der Targetplatten 33 a und 34 a, wodurch die Lebensdauer der Targetplatten wei­ ter verlängert wird.

Die Fig. 15 und 16 zeigen die Vorderansicht eines Hauptteils einer weiteren Ausführungsform der Aufstäubungsvorrichtung bzw. eine sche­ matische Darstellung der Anordnung der Kathoden bei die­ ser Ausführungsform.

Hierbei sind die Kathoden 35 und 36 ebenso angeordnet wie in den Fig. 12 und 13. Eine Kathode 37 ist in einer Stellung angeordnet, die in der Mitte zwischen den Kathoden 35 und 36 liegt, jedoch senkrecht zur Bewegungsrichtung des bandförmigen Materials 3 verschoben ist. Diese Aus­ führungsform zeigt den gleichen Effekt wie die der Fig. 8 und 9.

Claims (6)

1. Aufstäubungsvorrichtung mit einem planaren Magnetron mit

• - einer Anzahl von Magnetfelderzeugungseinrichtungen (14, 15), die zwischen einem auf einer Kathode (16) angeord­ neten Joch (24) und einer Targetplatte (7) vorgesehen sind und die eine tunnelförmige Magnetfeldverteilung im Raum über der Targetplate bilden,
  • - wobei die Magnetfelderzeugungseinrichtungen (14, 15) zu­ einander konzentrisch angeordnet sind; und mit
• - einer Stromregeleinrichtung (11) zum Variieren wenigstens eines der den Magnetfelderzeugungseinrichtungen (14, 15) zugeführten Ströme zur Veränderung der Größe des über der Targetplatte (7) gebildeten Plasmaringes;

dadurch gekennzeichnet, daß

• - die Magnetfelderzeugungseinrichtungen (14, 15) jeweils in der Form eines rechteckigen Ringes ausgebildet sind, wobei die Kathoden (16) senkrecht zur Bewegungsrichtung einer Bahn eines kontinuierlich an der Targetplatte (7) vorbei­ bewegten, zu beschichtenden Materials (3) ausgerichtet sind (Fig. 4, 5).

2. Aufstäubungsvorrichtung mit einem planaren Magnetron mit

• - einer Anzahl von Magnetfelderzeugungseinrichtungen (26, 27, 28, 29), die zwischen einem auf einer Kathode (16) angeordneten Joch (24) und einer Targetplatte (7) vorge­ sehen sind und die eine tunnelförmige Magnetfeldverteilung im Raum über der Targetplatte bilden; und mit
• - einer Stromregeleinrichtung (11) zum Variieren wenigstens eines der den Magnetfelderzeugungseinrichtungen (26, 27, 28, 29) zugeführten Ströme zur Veränderung der Größe des über der Targetplatte (7) gebildeten Plasmaringes;

dadurch gekennzeichnet, daß

• - die Magnetfelderzeugungseinrichtungen (26, 27, 28, 29) jeweils in der Form eines rechteckigen Ringes ausgebildet sind; und daß
• - die Magnetfelderzeugungseinrichtungen (26, 27, 28, 29) parallel zur Bewegungsrichtung einer Bahn eines konti­ nuierlich an der Targetplatte (7) vorbeibewegten, zu be­ schichtenden Materiales (3) nebeneinander angeordnet sind;
  • - wobei die Kathoden (16) senkrecht zu der Bewegungsrich­ tung der Bahn des zu beschichtenden Materiales (3) aus­ gerichtet sind (Fig. 6, 7).

3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß eine Anzahl von Magnetfelderzeugungsein­ richtungen (30, 31, 32) senkrecht zur Bewegungsrichtung der Bahn des zu beschichtenden Materiales (3) nebeneinander angeordnet ist (Fig. 8).

4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeich­ net, daß wenigstens eine der nebeneinander angeordneten Magnetfelderzeugungseinrichtungen (35, 36, 37) in Bewegungs­ richtung der Bahn des zu beschichtenden Materiales (3) versetzt ist (Fig. 16).