DE4132730C2 - Verfahren und Herstellen von Feinstrukturen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens sowie Verwendung der Vorrichtung - Google Patents

Verfahren und Herstellen von Feinstrukturen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens sowie Verwendung der Vorrichtung

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Feinstrukturen mit den folgenden Verfahrensschritten:
  • - Auflegen einer mit Feinstruktur zu versehenden Probe auf eine Halterung in einer Vakuumkammer;
  • - Entleeren des Inneren der Vakuumkammer bis zu einem vorherbestimmten Grad an Vakuum;
  • - Einführen eines reaktionsfähigen Gases in die Vakuumkammer;
  • - Einstellen eines vorbestimmten Spaltes zwischen der Halterung und einer der Halterung gegenüber angeordneten Gegenelektrode; und
  • - Erzeugen eines Plasmas aus dem reaktionsfähigen Gas innerhalb der Vakuumkammer mittels der Halterung und der Gegenelektrode, so daß in der Probe eine Feinstruktur gebildet wird.
Die Erfindung betrifft weiterhin eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens, umfassend
  • - eine Vakuumkammer;
  • - eine Einrichtung zum Einführen eines reaktionsfähigen Gases in die Vakuumkammer;
  • - eine innerhalb der Vakuumkammer angeordnete Halterung, die als Elektrode und zur Aufnahme einer Probe dient;
  • - eine der Halterung mit der aufgelegten Probe gegenüberliegend angeordnete Gegenelektrode;
  • - eine Halte- und Bewegungseinrichtung, die dazu dient, die Halterung zu halten und zwischen ihr und der Gegenelektrode einen vorherbestimmten Abstand einzustellen; und
  • - eine Evakuierungseinrichtung zum Evakuieren des Inneren der Vakuumkammer.
Die Erfindung betrifft weiterhin Verwendungen der Vorrichtung der in Rede stehenden Art.
Als bekannte Vorrichtung zum Herstellen einer Feinstruktur ist in Fig. 3 eine Plasmaätzvorrichtung schematisch im Schnitt gezeigt. Hierbei wird in einer Vakuumkammer 1 ein Halbleitersubstrat 2 angeordnet, in dem eine Feinstruktur ausgebildet werden soll. Bei dem Halbleitersubstrat 2 kann es sich um ein Substrat handeln, welches auf seiner Oberfläche eine polykristalline Siliziumdünnschicht und auf dieser polykristallinen Siliziumdünnschicht ein Photoresistmuster trägt, welches beim Ätzen als Maske zum Abdecken dient. In der Vakuumkammer 1 wird das Halbleitersubstrat 2 auf ein Gestell oder eine Halterung 4 gelegt, die gleichzeitig als Elektrode dient und an eine Hochfrequenzspannungsquelle 3 angeschlossen ist, von der hochfrequente Energie zugeführt wird. Dem Halbleiter­ substrat 2 gegenüber ist eine Gegenelektrode 6 mit darin aus­ gebildeten Gasdüsen 5 angeordnet, aus denen ein reaktionsfä­ higes Gas, beispielsweise Chlorgas als Ätzgas in Richtung auf das Halbleitersubstrat 2 abgegeben wird. Die Vakuumkammer 1 hat eine Evakuierungsöffnung 7, durch die sie entleert wird, und eine hier nicht gezeigte Gaseinlaßöffnung, durch die das zum Ätzen dienende Gas in die Vakuumkammer 1 eingeführt wird. An dem Teil der Vakuumkammer 1, an dem die Gegenelektrode 6 angebracht ist, ist eine Bewegungseinrichtung 8 beispiels­ weise in Form einer Spindel zum Bewegen der Gegenelektrode 6 vorgesehen, um zwischen ihr und der Halterung 4 einen vorher­ bestimmten Spalt einzustellen.
Die bekannte Vorrichtung zum Herstellen von Feinstrukturen, die vorstehend beschrieben wurde, arbeitet wie folgt. Zunächst wird von der hier nicht gezeigten Gaseinlaßöffnung ein Ätzgas ins Innere der Vakuumkammer 1 durch die Gasdüsen 5 eingeführt, während die Vakuumkammer 1 durch die Evakuie­ rungsöffnung 7 mittels einer hier nicht gezeigten Evakuier­ einrichtung entleert wird. Als nächstes wird von der Hochfre­ quenzspannungsquelle 3 zwischen der Halterung 4 und der Ge­ genelektrode 6 eine Hochfrequenzspannung angelegt, um eine Glimmentladung hervorzurufen, mittels der das in die Vakuum­ kammer 1 eingeführte Ätzgas aktiviert und ein Plasma A er­ zeugt wird, so daß aktive neutrale Moleküle, neutrale Atome und Ionen entstehen. Das Ätzen des Halbleitersubstrats 2 er­ folgt aufgrund des Vorhandenseins dieser Moleküle, Atome und Ionen, und so entsteht eine Feinstruktur.
Die oben beschriebene, bekannte Technik zum Herstellen einer Feinstruktur hat folgende Nachteile.
  • 1. Gleichmäßigkeit der Ätzgeschwindigkeit. Da bei den be­ kannten Techniken der Spalt zwischen den Elektroden ent­ weder fest oder mechanisch veränderbar ist, ist es schwierig, den optimalen Elektrodenabstand zu erzielen, der einen großen Einfluß auf die Gleichmäßigkeit des Ät­ zens hat. Da sich außerdem eine räumliche Verteilung des aktivierten Halogengases oder der Ionen einstellt, ergibt sich, wenn eine Feinstruktur auf einer Probe mit großem Durchmesser geschaffen werden soll, eine Verteilung der Ätzgeschwindigkeit innerhalb der Ebene. Für eine Verrin­ gerung der Ätzgeschwindigkeit ist eine große Ätzkammer erforderlich.
  • 2. Da bei dem bekannten Verfahren die Halterung 4 nur mecha­ nisch bewegbar ist, kann das Entstehen von Staub durch diese Bewegung nicht ausgeschlossen werden. Folglich wird die Leistungsfähigkeit der Vorrichtung herabgesetzt, und das Innere der Vakuumkammer 1 muß häufig gereinigt wer­ den. Insbesondere heften sich an die Bewegungseinrichtung 8 für die Gegenelektrode 6 Nebenprodukte des zum Ätzen benutzten Gases, die an sich schon Ursache für das Ent­ stehen von Staub wären, und diese lösen sich dann von der Bewegungseinrichtung 8 ab, wenn das Halbleitersubstrat 2 auf die Halterung 4 gelegt oder von ihr entfernt wird, wobei Staub entsteht.
Ein Verfahren und eine Vorrichtung der eingangs genannten Art sind aus der Veröffentlichung Patente Abstracts of Japan, C-682, Vol. 14, No. 47 vom 29. Januar 1990 bekannt (JP 01-279 783 A). Dort ist eine Vorrichtung zur Durchführung eines Trocken-Ätzverfahrens beschrieben, wobei eine mechanische Hebeeinrichtung verwendet wird, um den Abstand zwischen einer ersten Elektrode, die ein zu behandelndes Substrat trägt, und einer zweiten Elektrode, die Gaseinströmöffnungen aufweist, so einzustellen, daß eine möglichst gleichmäßige Entladung in dem Raum zwischen den beiden Elektroden erzielt wird, wenn die Hochspannungsquelle eingeschaltet ist, die zur Erzeugung des Plasmas dient.
Aus der Veröffentlichung in Patents Abstracts of Japan, C-407, Vol. 11, No. 69, vom 03. März 1987 (JP 61-227 169 A) ist eine Sputter­ einrichtung beschrieben, bei der in einem Vakuumbehälter ein Suszeptor vorgesehen ist, der ein Substrat trägt. Bei der Be­ handlung des Substrats tritt dort eine erhebliche Wärmeent­ wicklung auf, so daß es erforderlich ist, eine Kühleinrich­ tung vorzusehen, um das Substrat zu kühlen, bevor es nach der Durchführung der Behandlung aus dem Vakuumbehälter entnommen wird. Dort ist zu diesem Zweck einerseits eine Wasserkühlung vorgesehen, die in den Innenraum des Suszeptors führt, ande­ rerseits ist dort im oberen Bereich des Vakuumbehälters ein großflächiger Kühlblock vorgesehen, der normalerweise nicht mit dem Suszeptor in Verbindung steht. Um daher die Kühlung in wirksamer Weise durchzuführen, ist vorgesehen, daß der Suszeptor in vertikaler Richtung des Vakuumbehälters beweg­ lich ist und mit dem Kühlblock in Kontakt gebracht werden kann, um Wärme abzuführen. Der zu diesem Zweck dort verwen­ dete Bewegungsmechanismus ist aber nicht näher erläutert.
In der nicht-vorveröffentlichten DE 39 14 065 A1 einer älte­ ren Anmeldung ist eine Vorrichtung zur Durchführung von Plasma-Ätzverfahren beschrieben, die im wesentlichen aus ei­ ner Reaktionskammer, einer mit einer Halterung und einer kom­ binierten Gaszuführung versehenen oberen Elektrode sowie ei­ ner unteren Elektrode besteht, wobei diese in einem Vakuumre­ zipienten angeordnet sind. Bei dieser Vorrichtung ist die obere Elektrode zum Einbringen des Substrates in den Behand­ lungsraum anhebbar und absenkbar, allerdings ist auch in die­ sem Falle die Art der Bewegungseinrichtung nicht näher erläu­ tert.
Eine ähnliche Vorrichtung ist auch in der nicht-vorveröffent­ lichten DE 39 35 189 A1 einer älteren Anmeldung beschrieben, bei der die obere Elektrode relativ zur unteren Elektrode derart verschiebbar angeordnet ist, daß ein vorgegebener Ab­ stand zwischen der oberen Elektrode und der unteren Elektrode eingestellt werden kann und sich als Verfahrensparameter ver­ wenden läßt. Die Einrichtung zum Halten und Verschieben der oberen Elektrode ist nicht näher erläutert.
In der nicht-vorveröffentlichten DE 41 28 779 A1 einer älte­ ren Anmeldung sind ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Bilden einer Feinstruktur beschrieben, wobei in einem Vakuum­ behälter zwei einander gegenüberliegende Elektroden vorgese­ hen sind, zwischen denen im Betrieb ein Plasma erzeugt wird, um ein Substrat zu behandeln. Die beiden Elektroden sind dort starr angeordnet; zur Beeinflussung des Plasmas ist dort vor­ gesehen, daß in den seitlichen Wandbereichen eine Einrichtung zur Erzeugung einer elastischen Welle ausgebildet ist, wobei es sich beispielsweise um eine Ultraschallwelle handeln kann.
Eine ähnliche Vorrichtung ist auch aus der nicht-vorver­ öffentlichten DE 41 28 780 A1 einer älteren Anmeldung be­ kannt, wobei eine Einrichtung zur Erzeugung einer elastischen Welle an der Rückseite von einer der beiden Elektroden vorge­ sehen ist, um die Ausbildung des Plasmas zu beeinflussen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Herstellen von Feinstrukturen anzugeben, wobei die Erzeugung von Staub ausgeschlossen ist und eine Än­ derung bzw. Einstellung des Elektrodenspaltes auf berührungs­ lose Weise möglich ist, so daß sich Feinstrukturen in den verschiedensten Werkstoffen mit der erforderlichen Zuver­ lässigkeit herstellen lassen.
Die erfindungsgemäße Lösung besteht darin, ein Verfahren und eine Vorrichtung der eingangs genannten Art mit den Merkmalen des Anspruchs 1 bzw. des Anspruchs 7 oder 8 auszubilden. Vor­ teilhafte Weiterbildungen des Verfahrens sind in den Ansprü­ chen 2 bis 6 angegeben. Verwendungen der Vorrichtung gemäß der Erfindung sind in den Ansprüchen 9 bis 22 angegeben.
Mit dem Verfahren und der Vorrichtung gemäß der Erfindung wird die Aufgabe in zufriedenstellender Weise gelöst. Der Spaltabstand kann in einfacher und zuverlässiger Weise durch die Einstellung eines geeigneten elektrischen Stromes gesteu­ ert werden, der durch die Magnetfelderzeugungseinrichtung fließt.
Da mit dem Verfahren und der Vorrichtung zum Herstellen von Feinstrukturen gemäß der Erfindung die Halterung, auf der die Probe angeordnet wird, oder die Gegenelektrode magnetisch zum Schweben gebracht und folglich auf berührungslose Weise zum Einstellen des Elektrodenabstandes bewegt wird, können, wie sich aus der nachstehenden Beschreibung ergibt, optimale Ätz­ bedingungen, (einschließlich Gleichförmigkeit, Geschwindig­ keit und Richtung beim Ätzen) sichergestellt werden, ohne daß dabei Staub entsteht. Infolge dessen läßt sich die durch das Plasma verursachte Beschädigung verringern, während die Ätz­ geschwindigkeit erhöht werden kann. Dies ermöglicht eine aus­ gezeichnete Ausbildung von Feinstrukturen.
Im folgenden ist die Erfindung mit weiteren vorteilhaften Einzelheiten anhand schematisch dargestellter Ausführungsbei­ spiele näher erläutert. In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 einen schematischen Querschnitt durch ein erstes Ausführungsbeispiel einer Plasmaätzvorrichtung gemäß der Erfindung;
Fig. 2 einen schematischen Querschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Plasmaätzvorrichtung gemäß der Erfindung; und
Fig. 3 einen schematischen Querschnitt durch eine bekannte Plasmaätzvorrichtung.
In Fig. 1 ist ein erstes Ausführungsbeispiel einer Vorrich­ tung zum Herstellen von Feinstrukturen am Beispiel einer Plasmaätzvorrichtung gezeigt. Die Bezugszeichen 1 bis 3 und 5 bis 7 in Fig. 1 bezeichnen die gleichen Teile wie bei der in Fig. 3 gezeigten bekannten Vorrichtung. Bei der Plasmaätzvor­ richtung gemäß Fig. 1 ist ein Magnetkörper 9 in eine Halte­ rung 4A eingebettet, auf der das Halbleitersubstrat 2 ange­ ordnet ist. Die Halterung 4A dient gleichfalls als Elektrode. Außerhalb der Vakuumkammer 1 ist eine externe Magnetfeldspule 10 angeordnet, die ein Magnetfeld erzeugt, damit die Halte­ rung 4A magnetisch aufschwimmen kann. Die Halterung 4A ist über einen flexiblen elektrischen Draht 11 oder dergleichen mit einer Hochfrequenzspannungsquelle 3 verbunden.
Bei dem Verfahren zum Herstellen einer Feinstruktur mittels der vorstehend beschriebenen Vorrichtung wird zuerst das Halbleitersubstrat 2 auf der Elektrode in Form der Halterung 4A angeordnet, dann wird ein Ätzgas, bei dem es sich um ein reaktionsfähiges Gas handelt, von einer Gaseinlaßöffnung 12 durch die Gasdüsen 5 in die Vakuumkammer 1 eingeleitet, wäh­ rend diese durch die Evakuierungsöffnung 7 evakuiert wird. Von der Hochfrequenzspannungsquelle 3 wird zwischen der Hal­ terung 4A und der Gegenelektrode 6 eine Hochfrequenzspannung angelegt, um eine Glimmentladung hervorzurufen. Folglich wird das in die Vakuumkammer 1 eingeleitete Ätzgas aktiviert und dadurch ein Plasma erzeugt, was aktive neutrale Moleküle, neutrale Atome und Ionen hervorruft. Das Ätzen des Halblei­ tersubstrats 2 erfolgt aufgrund des Vorhandenseins dieser Mo­ leküle, Atome und Ionen, und so entsteht eine Feinstruktur.
Zur gleichen Zeit wird von der externen Magnetfeldspule 10 ein Magnetfeld erzeugt, um zwischen der Gegenelektrode 6 und der Halterung 4A, auf der das Halbleitersubstrat 2 liegt, mittels der abstoßenden Kraft des Magnetfeldes einen vorher­ bestimmten Spalt zu schaffen. Wenn ein optimaler Elektroden­ abstand eingehalten wird, können die Ätzeigenschaften verbes­ sert werden. Ferner wird die Größe des elektrischen Feldes in Ionenhüllen, die sich um die Elektroden herum ausbilden, durch die Wirkung des Magnetfeldes verringert, welches der in der Halterung 4A eingebettete Magnetkörper 9 erzeugt, so daß die Kollisionsenergie der Ionen reduziert werden kann, was die Beschädigung der zu verarbeitenden Substanz durch das Plasma während des Prozesses verringert. Ferner nimmt die Dichte der Ionen im Plasma aufgrund des Magnetfeldes zu, so daß sich die Ätzgeschwindigkeit erhöht.
Bei dem vor stehend beschriebenen Ausführungsbeispiel wird die Halterung 4A veranlaßt, magnetisch aufzuschwimmen oder zu schweben. Es ist aber auch möglich, wie Fig. 2 zeigt, die Halterung 4 zu fixieren und die Gegenelektrode 6A beispiels­ weise aus ferromagnetischem Werkstoff herzustellen, so daß diese magnetisch schweben kann, um den optimalen Elektroden­ abstand zu schaffen. In diesem Fall ist die Gaseinlaßöffnung 12 für das reaktionsfähige Gas mit der Gegenelektrode 6A durch ein flexibles Rohr 13 oder dergleichen verbunden.
Bei dem vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel wird ein Plasmaätzverfahren zum Herstellen von Feinstrukturen ange­ wandt. Die Erfindung eignet sich aber auch für andere Ätzver­ fahren, beispielsweise mit reaktiven Ionen, mit magnetfeldge­ stützten reaktiven Ionen, ein Plasmaätzverfahren mit Elektro­ nen-Zyklotron, mit neutralem Strahl, mit Lichterregung oder Lichtunterstützung sowie ein physikalisches Ätzverfahren mit Ionen.
Als Halbleitersubstrat, das mit einer Feinstruktur versehen werden soll, dient ein Halbleitersubstrat 2 mit einer poly­ kristallinen Siliziumdünnschicht darauf. Allerdings kann auch eine Siliziumoxidschicht, eine Siliziumnitridschicht oder eine Siliziumoxynitridschicht bearbeitet werden. Gleichfalls geeignet ist eine Einkristallsiliziumschicht.
Ferner kann die Schicht, in der die Feinstruktur hergestellt wird, aus Wolfram, Tantal, Molybdän, Zirkon, Titan, Hafnium, Chrom, Platin, Eisen, Zink, Zinn, einem Silizid irgendeines dieser Stoffe, einem Nitrid irgendeines dieser Stoffe oder einem Karbid irgendeines dieser Stoffe; Aluminium, Kupfer, Gold, Silber oder irgendeiner hauptsächlich aus einem dieser Metalle bestehenden Legierung; oder einem organischen Polyme­ risat, beispielsweise Novolakharz oder Polyimid bestehen.
Die Schicht, in der die Feinstruktur hergestellt wird, kann außerdem ein ferroelektrischer Werkstoff sein, beispielsweise PZT (Blei, Zink, Zinn), ein Supraleiter einschließlich eines Oxidsupraleiters oder ein ferromagnetisches Material.
Bei dem vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel wird als Probe, das heißt als zu bearbeitende Substanz, die auf dem Halbleitersubstrat 2 ausgebildete Dünnschicht benutzt, wobei sich das Halbleitersubstrat in einem Herstellungsverfahren für integrierte Schaltungen befindet. Die Erfindung ist aber auch anwendbar für ein in Magnetspeichervorrichtungen verwen­ detes Substrat eines Magnetbandes oder einer Magnetplatte im Herstellungsverfahren der Speichervorrichtung, für ein Sub­ strat einer für optische Speichervorrichtungen bestimmten op­ tischen Platte oder dergleichen im Herstellungsverfahren der­ selben, für eine geformte metallene Substanz, eine auf der Oberfläche eines geformten Metallgegenstandes gebildete Dünn­ schicht, ein Maschinenbauteil, beispielsweise eine Schraube oder ein Bearbeitungswerkzeug.

Claims (24)

1. Verfahren zum Herstellen von Feinstrukturen mit den fol­ genden Schritten
  • - Auflegen einer mit Feinstruktur zu versehenden Probe auf eine Halterung (4, 4A) in einer Vakuumkammer (1);
  • - Entleeren des Inneren der Vakuumkammer (1) bis zu ei­ nem vorherbestimmten Grad an Vakuum;
  • - Einführen eines reaktionsfähigen Gases in die Vakuum­ kammer (1);
  • - Einstellen eines vorbestimmten Spaltes zwischen der Halterung (4, 4A) und einer der Halterung (4, 4A) ge­ genüber angeordneten Gegenelektrode (6, 6A) und
  • - Erzeugen eines Plasmas aus dem reaktionsfähigen Gas innerhalb der Vakuumkammer (1) mittels der Halterung (4, 4A) und der Gegenelektrode (6, 6A), wodurch in der Probe eine Feinstruktur gebildet wird, gekennzeichnet durch
  • - das Anlegen eines Magnetfeldes an die Halterung (4, 4A) oder an die Gegenelektrode (6, 6A) mittels ei­ ner ein Magnetfeld erzeugenden Einrichtung (10), um die Halterung (4, 4A) oder die Gegenelektrode (6, 6A) schweben zu lassen, um dadurch den Spaltabstand zwi­ schen ihnen einzustellen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein magnetfeldgestütztes Ätzverfahren mit reaktions­ fähigen Ionen verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Elektronenzyklotron-Plasma-Ätzverfahren verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Ätzverfahren mit neutralem Strahl verwendet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Ätzverfahren mit Lichterregung verwendet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein lichtgestütztes Ätzverfahren verwendet wird.
7. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens zum Herstel­ len von Feinstrukturen nach Anspruch 1 bis 6, umfassend
  • - eine Vakuumkammer (1);
  • - eine Einrichtung zum Einführen eines reaktionsfähigen Gases in die Vakuumkammer (1);
  • - eine innerhalb der Vakuumkammer (1) angeordnete Hal­ terung (4A), die als Elektrode und zur Aufnahme einer Probe dient;
  • - eine der Halterung (4A) mit der aufgelegten Probe ge­ genüberliegend angeordnete Gegenelektrode (6);
  • - eine Halte- und Bewegungseinrichtung (10), die dazu dient, die Halterung (4A) zu halten und zwischen ihr und der Gegenelektrode (6) einen vorherbestimmten Ab­ stand einzustellen, und
  • - eine Evakuierungseinrichtung zum Evakuieren des Inne­ ren der Vakuumkammer (1),
dadurch gekennzeichnet,
daß zumindest ein Teil (9) der Halterung (4A) aus einem magnetischen Werkstoff besteht
und daß die Halte- und Bewegungseinrichtung (10) eine Magnetfelderzeugungseinrichtung aufweist, die die Halte­ rung (4A) magnetisch schweben läßt.
8. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens zum Herstel­ len von Feinstrukturen nach Anspruch 1 bis 6, umfassend
  • - eine Vakuumkammer (1);
  • - eine Einrichtung für das Einführen eines reaktionsfä­ higen Gases in die Vakuumkammer (1);
  • - eine innerhalb der Vakuumkammer (1) angeordnete Hal­ terung (4), die als Elektrode und zum Auflegen einer Probe dient;
  • - eine der Halterung gegenüberliegend angeordnete Ge­ genelektrode (6A);
  • - eine Halte- und Bewegungseinrichtung (10), die dazu dient, die Gegenelektrode (6A) zu halten und zwischen ihr und der Halterung (4) einen vorherbestimmten Spalt zu schaffen, und
  • - eine Evakuierungseinrichtung zum Evakuieren des Inne­ ren der Vakuumkammer (1),
dadurch gekennzeichnet,
daß die Gegenelektrode (6A) zumindest teilweise aus ei­ nem magnetischen Werkstoff besteht
und daß die Halte- und Bewegungseinrichtung (10) für die Gegenelektrode (6A) eine ein Magnetfeld erzeugende Ein­ richtung aufweist, die die Gegenelektrode (6A) ma­ gnetisch schweben läßt.
9. Verwendung der Vorrichtung nach Anspruch 7 oder 8 zur Herstellung von Feinstrukturen in einem Halbleitersub­ strat.
10. Verwendung der Vorrichtung nach Anspruch 7 oder 8 zur Herstellung von Feinstrukturen in einem Magnetband.
11. Verwendung der Vorrichtung nach Anspruch 7 oder 8 zur Herstellung von Feinstrukturen in einer Magnetplatte.
12. Verwendung der Vorrichtung nach Anspruch 7 oder 8 zur Herstellung von Feinstrukturen in einer optischen Scheibe.
13. Verwendung der Vorrichtung nach Anspruch 7 oder 8 zur Herstellung von Feinstrukturen in einer geformten, metal­ lenen Substanz.
14. Verwendung der Vorrichtung nach Anspruch 7 oder 8 zur Herstellung von Feinstrukturen in einem Maschinenbauteil.
15. Verwendung der Vorrichtung nach Anspruch 7 oder 8 zur Herstellung von Feinstrukturen in einem beschichteten Substrat.
16. Verwendung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die mit Feinstruktur zu versehende Schicht aus einer Gruppe ausgewählt wird, die aus einer Siliziumoxid­ schicht, Siliziumnitridschicht und Siliziumoxynitrid­ schicht besteht.
17. Verwendung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die mit Feinstruktur zu versehende Schicht eine poly­ kristalline oder monokristalline Siliziumschicht ist.
18. Verwendung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die mit Feinstruktur zu versehende Schicht aus Wolf­ ram, Tantal, Molybdän, Zirkon, Titan, Hafnium, Chrom, Platin, Eisen, Zink, Zinn, einem Silizid eines dieser Stoffe, einem Nitrid eines dieser Stoffe oder einem Kar­ bid von einem dieser Stoffe besteht.
19. Verwendung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die mit Feinstruktur zu versehende Schicht aus Alumi­ nium, Kupfer, Gold, Silber oder einer hauptsächlich aus einem dieser Metalle zusammengesetzten Legierung besteht.
20. Verwendung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die mit Feinstruktur zu versehende Schicht aus einem organischen Polymerisat, beispielsweise Novolakharz oder Polyimid besteht.
21. Verwendung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die mit Feinstruktur zu versehende Schicht aus einem ferroelektrischen Stoff, wie PZT (Blei, Zink, Zinn) besteht.
22. Verwendung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die mit Feinstruktur zu versehende Schicht aus einem Supraleiter, einschließlich eines Oxidsupraleiters be­ steht.
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