DE4132730C2 - Verfahren und Herstellen von Feinstrukturen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens sowie Verwendung der Vorrichtung - Google Patents
Verfahren und Herstellen von Feinstrukturen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens sowie Verwendung der VorrichtungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von
Feinstrukturen mit den folgenden Verfahrensschritten:
- - Auflegen einer mit Feinstruktur zu versehenden Probe auf eine Halterung in einer Vakuumkammer;
- - Entleeren des Inneren der Vakuumkammer bis zu einem vorherbestimmten Grad an Vakuum;
- - Einführen eines reaktionsfähigen Gases in die Vakuumkammer;
- - Einstellen eines vorbestimmten Spaltes zwischen der Halterung und einer der Halterung gegenüber angeordneten Gegenelektrode; und
- - Erzeugen eines Plasmas aus dem reaktionsfähigen Gas innerhalb der Vakuumkammer mittels der Halterung und der Gegenelektrode, so daß in der Probe eine Feinstruktur gebildet wird.
Die Erfindung betrifft weiterhin eine Vorrichtung zur
Durchführung des Verfahrens, umfassend
- - eine Vakuumkammer;
- - eine Einrichtung zum Einführen eines reaktionsfähigen Gases in die Vakuumkammer;
- - eine innerhalb der Vakuumkammer angeordnete Halterung, die als Elektrode und zur Aufnahme einer Probe dient;
- - eine der Halterung mit der aufgelegten Probe gegenüberliegend angeordnete Gegenelektrode;
- - eine Halte- und Bewegungseinrichtung, die dazu dient, die Halterung zu halten und zwischen ihr und der Gegenelektrode einen vorherbestimmten Abstand einzustellen; und
- - eine Evakuierungseinrichtung zum Evakuieren des Inneren der Vakuumkammer.
Die Erfindung betrifft weiterhin Verwendungen der Vorrichtung
der in Rede stehenden Art.
Als bekannte Vorrichtung zum Herstellen einer Feinstruktur
ist in Fig. 3 eine Plasmaätzvorrichtung schematisch im
Schnitt gezeigt. Hierbei wird in einer Vakuumkammer 1 ein
Halbleitersubstrat 2 angeordnet, in dem eine Feinstruktur
ausgebildet werden soll. Bei dem Halbleitersubstrat 2 kann es
sich um ein Substrat handeln, welches auf seiner Oberfläche
eine polykristalline Siliziumdünnschicht und auf dieser
polykristallinen Siliziumdünnschicht ein Photoresistmuster
trägt, welches beim Ätzen als Maske zum Abdecken dient. In
der Vakuumkammer 1 wird das Halbleitersubstrat 2 auf ein
Gestell oder eine Halterung 4 gelegt, die gleichzeitig als
Elektrode dient und an eine Hochfrequenzspannungsquelle 3
angeschlossen ist,
von der hochfrequente Energie zugeführt wird. Dem Halbleiter
substrat 2 gegenüber ist eine Gegenelektrode 6 mit darin aus
gebildeten Gasdüsen 5 angeordnet, aus denen ein reaktionsfä
higes Gas, beispielsweise Chlorgas als Ätzgas in Richtung auf
das Halbleitersubstrat 2 abgegeben wird. Die Vakuumkammer 1
hat eine Evakuierungsöffnung 7, durch die sie entleert wird,
und eine hier nicht gezeigte Gaseinlaßöffnung, durch die das
zum Ätzen dienende Gas in die Vakuumkammer 1 eingeführt wird.
An dem Teil der Vakuumkammer 1, an dem die Gegenelektrode 6
angebracht ist, ist eine Bewegungseinrichtung 8 beispiels
weise in Form einer Spindel zum Bewegen der Gegenelektrode 6
vorgesehen, um zwischen ihr und der Halterung 4 einen vorher
bestimmten Spalt einzustellen.
Die bekannte Vorrichtung zum Herstellen von Feinstrukturen,
die vorstehend beschrieben wurde, arbeitet wie folgt.
Zunächst wird von der hier nicht gezeigten Gaseinlaßöffnung
ein Ätzgas ins Innere der Vakuumkammer 1 durch die Gasdüsen 5
eingeführt, während die Vakuumkammer 1 durch die Evakuie
rungsöffnung 7 mittels einer hier nicht gezeigten Evakuier
einrichtung entleert wird. Als nächstes wird von der Hochfre
quenzspannungsquelle 3 zwischen der Halterung 4 und der Ge
genelektrode 6 eine Hochfrequenzspannung angelegt, um eine
Glimmentladung hervorzurufen, mittels der das in die Vakuum
kammer 1 eingeführte Ätzgas aktiviert und ein Plasma A er
zeugt wird, so daß aktive neutrale Moleküle, neutrale Atome
und Ionen entstehen. Das Ätzen des Halbleitersubstrats 2 er
folgt aufgrund des Vorhandenseins dieser Moleküle, Atome und
Ionen, und so entsteht eine Feinstruktur.
Die oben beschriebene, bekannte Technik zum Herstellen einer
Feinstruktur hat folgende Nachteile.
- 1. Gleichmäßigkeit der Ätzgeschwindigkeit. Da bei den be kannten Techniken der Spalt zwischen den Elektroden ent weder fest oder mechanisch veränderbar ist, ist es schwierig, den optimalen Elektrodenabstand zu erzielen, der einen großen Einfluß auf die Gleichmäßigkeit des Ät zens hat. Da sich außerdem eine räumliche Verteilung des aktivierten Halogengases oder der Ionen einstellt, ergibt sich, wenn eine Feinstruktur auf einer Probe mit großem Durchmesser geschaffen werden soll, eine Verteilung der Ätzgeschwindigkeit innerhalb der Ebene. Für eine Verrin gerung der Ätzgeschwindigkeit ist eine große Ätzkammer erforderlich.
- 2. Da bei dem bekannten Verfahren die Halterung 4 nur mecha nisch bewegbar ist, kann das Entstehen von Staub durch diese Bewegung nicht ausgeschlossen werden. Folglich wird die Leistungsfähigkeit der Vorrichtung herabgesetzt, und das Innere der Vakuumkammer 1 muß häufig gereinigt wer den. Insbesondere heften sich an die Bewegungseinrichtung 8 für die Gegenelektrode 6 Nebenprodukte des zum Ätzen benutzten Gases, die an sich schon Ursache für das Ent stehen von Staub wären, und diese lösen sich dann von der Bewegungseinrichtung 8 ab, wenn das Halbleitersubstrat 2 auf die Halterung 4 gelegt oder von ihr entfernt wird, wobei Staub entsteht.
Ein Verfahren und eine Vorrichtung der eingangs genannten Art
sind aus der Veröffentlichung Patente Abstracts of Japan,
C-682, Vol. 14, No. 47 vom 29. Januar 1990 bekannt (JP 01-279 783 A). Dort
ist eine Vorrichtung zur Durchführung eines Trocken-Ätzverfahrens
beschrieben, wobei eine mechanische Hebeeinrichtung verwendet
wird, um den Abstand zwischen einer ersten Elektrode, die ein
zu behandelndes Substrat trägt, und einer zweiten Elektrode,
die Gaseinströmöffnungen aufweist, so einzustellen, daß eine
möglichst gleichmäßige Entladung in dem Raum zwischen den
beiden Elektroden erzielt wird, wenn die Hochspannungsquelle
eingeschaltet ist, die zur Erzeugung des Plasmas dient.
Aus der Veröffentlichung in Patents Abstracts of Japan,
C-407, Vol. 11, No. 69, vom 03. März 1987 (JP 61-227 169 A) ist eine Sputter
einrichtung beschrieben, bei der in einem Vakuumbehälter ein
Suszeptor vorgesehen ist, der ein Substrat trägt. Bei der Be
handlung des Substrats tritt dort eine erhebliche Wärmeent
wicklung auf, so daß es erforderlich ist, eine Kühleinrich
tung vorzusehen, um das Substrat zu kühlen, bevor es nach der
Durchführung der Behandlung aus dem Vakuumbehälter entnommen
wird. Dort ist zu diesem Zweck einerseits eine Wasserkühlung
vorgesehen, die in den Innenraum des Suszeptors führt, ande
rerseits ist dort im oberen Bereich des Vakuumbehälters ein
großflächiger Kühlblock vorgesehen, der normalerweise nicht
mit dem Suszeptor in Verbindung steht. Um daher die Kühlung
in wirksamer Weise durchzuführen, ist vorgesehen, daß der
Suszeptor in vertikaler Richtung des Vakuumbehälters beweg
lich ist und mit dem Kühlblock in Kontakt gebracht werden
kann, um Wärme abzuführen. Der zu diesem Zweck dort verwen
dete Bewegungsmechanismus ist aber nicht näher erläutert.
In der nicht-vorveröffentlichten DE 39 14 065 A1 einer älte
ren Anmeldung ist eine Vorrichtung zur Durchführung von
Plasma-Ätzverfahren beschrieben, die im wesentlichen aus ei
ner Reaktionskammer, einer mit einer Halterung und einer kom
binierten Gaszuführung versehenen oberen Elektrode sowie ei
ner unteren Elektrode besteht, wobei diese in einem Vakuumre
zipienten angeordnet sind. Bei dieser Vorrichtung ist die
obere Elektrode zum Einbringen des Substrates in den Behand
lungsraum anhebbar und absenkbar, allerdings ist auch in die
sem Falle die Art der Bewegungseinrichtung nicht näher erläu
tert.
Eine ähnliche Vorrichtung ist auch in der nicht-vorveröffent
lichten DE 39 35 189 A1 einer älteren Anmeldung beschrieben,
bei der die obere Elektrode relativ zur unteren Elektrode
derart verschiebbar angeordnet ist, daß ein vorgegebener Ab
stand zwischen der oberen Elektrode und der unteren Elektrode
eingestellt werden kann und sich als Verfahrensparameter ver
wenden läßt. Die Einrichtung zum Halten und Verschieben der
oberen Elektrode ist nicht näher erläutert.
In der nicht-vorveröffentlichten DE 41 28 779 A1 einer älte
ren Anmeldung sind ein Verfahren und eine Vorrichtung zum
Bilden einer Feinstruktur beschrieben, wobei in einem Vakuum
behälter zwei einander gegenüberliegende Elektroden vorgese
hen sind, zwischen denen im Betrieb ein Plasma erzeugt wird,
um ein Substrat zu behandeln. Die beiden Elektroden sind dort
starr angeordnet; zur Beeinflussung des Plasmas ist dort vor
gesehen, daß in den seitlichen Wandbereichen eine Einrichtung
zur Erzeugung einer elastischen Welle ausgebildet ist, wobei
es sich beispielsweise um eine Ultraschallwelle handeln kann.
Eine ähnliche Vorrichtung ist auch aus der nicht-vorver
öffentlichten DE 41 28 780 A1 einer älteren Anmeldung be
kannt, wobei eine Einrichtung zur Erzeugung einer elastischen
Welle an der Rückseite von einer der beiden Elektroden vorge
sehen ist, um die Ausbildung des Plasmas zu beeinflussen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und
eine Vorrichtung zum Herstellen von Feinstrukturen anzugeben,
wobei die Erzeugung von Staub ausgeschlossen ist und eine Än
derung bzw. Einstellung des Elektrodenspaltes auf berührungs
lose Weise möglich ist, so daß sich Feinstrukturen in den
verschiedensten Werkstoffen mit der erforderlichen Zuver
lässigkeit herstellen lassen.
Die erfindungsgemäße Lösung besteht darin, ein Verfahren und
eine Vorrichtung der eingangs genannten Art mit den Merkmalen
des Anspruchs 1 bzw. des Anspruchs 7 oder 8 auszubilden. Vor
teilhafte Weiterbildungen des Verfahrens sind in den Ansprü
chen 2 bis 6 angegeben. Verwendungen der Vorrichtung gemäß
der Erfindung sind in den Ansprüchen 9 bis 22 angegeben.
Mit dem Verfahren und der Vorrichtung gemäß der Erfindung
wird die Aufgabe in zufriedenstellender Weise gelöst. Der
Spaltabstand kann in einfacher und zuverlässiger Weise durch
die Einstellung eines geeigneten elektrischen Stromes gesteu
ert werden, der durch die Magnetfelderzeugungseinrichtung
fließt.
Da mit dem Verfahren und der Vorrichtung zum Herstellen von
Feinstrukturen gemäß der Erfindung die Halterung, auf der die
Probe angeordnet wird, oder die Gegenelektrode magnetisch zum
Schweben gebracht und folglich auf berührungslose Weise zum
Einstellen des Elektrodenabstandes bewegt wird, können, wie
sich aus der nachstehenden Beschreibung ergibt, optimale Ätz
bedingungen, (einschließlich Gleichförmigkeit, Geschwindig
keit und Richtung beim Ätzen) sichergestellt werden, ohne daß
dabei Staub entsteht. Infolge dessen läßt sich die durch das
Plasma verursachte Beschädigung verringern, während die Ätz
geschwindigkeit erhöht werden kann. Dies ermöglicht eine aus
gezeichnete Ausbildung von Feinstrukturen.
Im folgenden ist die Erfindung mit weiteren vorteilhaften
Einzelheiten anhand schematisch dargestellter Ausführungsbei
spiele näher erläutert. In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 einen schematischen Querschnitt durch ein erstes
Ausführungsbeispiel einer Plasmaätzvorrichtung gemäß
der Erfindung;
Fig. 2 einen schematischen Querschnitt durch ein weiteres
Ausführungsbeispiel einer Plasmaätzvorrichtung gemäß
der Erfindung; und
Fig. 3 einen schematischen Querschnitt durch eine bekannte
Plasmaätzvorrichtung.
In Fig. 1 ist ein erstes Ausführungsbeispiel einer Vorrich
tung zum Herstellen von Feinstrukturen am Beispiel einer
Plasmaätzvorrichtung gezeigt. Die Bezugszeichen 1 bis 3 und 5
bis 7 in Fig. 1 bezeichnen die gleichen Teile wie bei der in
Fig. 3 gezeigten bekannten Vorrichtung. Bei der Plasmaätzvor
richtung gemäß Fig. 1 ist ein Magnetkörper 9 in eine Halte
rung 4A eingebettet, auf der das Halbleitersubstrat 2 ange
ordnet ist. Die Halterung 4A dient gleichfalls als Elektrode.
Außerhalb der Vakuumkammer 1 ist eine externe Magnetfeldspule
10 angeordnet, die ein Magnetfeld erzeugt, damit die Halte
rung 4A magnetisch aufschwimmen kann. Die Halterung 4A ist
über einen flexiblen elektrischen Draht 11 oder dergleichen
mit einer Hochfrequenzspannungsquelle 3 verbunden.
Bei dem Verfahren zum Herstellen einer Feinstruktur mittels
der vorstehend beschriebenen Vorrichtung wird zuerst das
Halbleitersubstrat 2 auf der Elektrode in Form der Halterung
4A angeordnet, dann wird ein Ätzgas, bei dem es sich um ein
reaktionsfähiges Gas handelt, von einer Gaseinlaßöffnung 12
durch die Gasdüsen 5 in die Vakuumkammer 1 eingeleitet, wäh
rend diese durch die Evakuierungsöffnung 7 evakuiert wird.
Von der Hochfrequenzspannungsquelle 3 wird zwischen der Hal
terung 4A und der Gegenelektrode 6 eine Hochfrequenzspannung
angelegt, um eine Glimmentladung hervorzurufen. Folglich wird
das in die Vakuumkammer 1 eingeleitete Ätzgas aktiviert und
dadurch ein Plasma erzeugt, was aktive neutrale Moleküle,
neutrale Atome und Ionen hervorruft. Das Ätzen des Halblei
tersubstrats 2 erfolgt aufgrund des Vorhandenseins dieser Mo
leküle, Atome und Ionen, und so entsteht eine Feinstruktur.
Zur gleichen Zeit wird von der externen Magnetfeldspule 10
ein Magnetfeld erzeugt, um zwischen der Gegenelektrode 6 und
der Halterung 4A, auf der das Halbleitersubstrat 2 liegt,
mittels der abstoßenden Kraft des Magnetfeldes einen vorher
bestimmten Spalt zu schaffen. Wenn ein optimaler Elektroden
abstand eingehalten wird, können die Ätzeigenschaften verbes
sert werden. Ferner wird die Größe des elektrischen Feldes in
Ionenhüllen, die sich um die Elektroden herum ausbilden,
durch die Wirkung des Magnetfeldes verringert, welches der in
der Halterung 4A eingebettete Magnetkörper 9 erzeugt, so daß
die Kollisionsenergie der Ionen reduziert werden kann, was
die Beschädigung der zu verarbeitenden Substanz durch das
Plasma während des Prozesses verringert. Ferner nimmt die
Dichte der Ionen im Plasma aufgrund des Magnetfeldes zu, so
daß sich die Ätzgeschwindigkeit erhöht.
Bei dem vor stehend beschriebenen Ausführungsbeispiel wird die
Halterung 4A veranlaßt, magnetisch aufzuschwimmen oder zu
schweben. Es ist aber auch möglich, wie Fig. 2 zeigt, die
Halterung 4 zu fixieren und die Gegenelektrode 6A beispiels
weise aus ferromagnetischem Werkstoff herzustellen, so daß
diese magnetisch schweben kann, um den optimalen Elektroden
abstand zu schaffen. In diesem Fall ist die Gaseinlaßöffnung
12 für das reaktionsfähige Gas mit der Gegenelektrode 6A
durch ein flexibles Rohr 13 oder dergleichen verbunden.
Bei dem vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel wird ein
Plasmaätzverfahren zum Herstellen von Feinstrukturen ange
wandt. Die Erfindung eignet sich aber auch für andere Ätzver
fahren, beispielsweise mit reaktiven Ionen, mit magnetfeldge
stützten reaktiven Ionen, ein Plasmaätzverfahren mit Elektro
nen-Zyklotron, mit neutralem Strahl, mit Lichterregung oder
Lichtunterstützung sowie ein physikalisches Ätzverfahren mit
Ionen.
Als Halbleitersubstrat, das mit einer Feinstruktur versehen
werden soll, dient ein Halbleitersubstrat 2 mit einer poly
kristallinen Siliziumdünnschicht darauf. Allerdings kann auch
eine Siliziumoxidschicht, eine Siliziumnitridschicht oder
eine Siliziumoxynitridschicht bearbeitet werden. Gleichfalls
geeignet ist eine Einkristallsiliziumschicht.
Ferner kann die Schicht, in der die Feinstruktur hergestellt
wird, aus Wolfram, Tantal, Molybdän, Zirkon, Titan, Hafnium,
Chrom, Platin, Eisen, Zink, Zinn, einem Silizid irgendeines
dieser Stoffe, einem Nitrid irgendeines dieser Stoffe oder
einem Karbid irgendeines dieser Stoffe; Aluminium, Kupfer,
Gold, Silber oder irgendeiner hauptsächlich aus einem dieser
Metalle bestehenden Legierung; oder einem organischen Polyme
risat, beispielsweise Novolakharz oder Polyimid bestehen.
Die Schicht, in der die Feinstruktur hergestellt wird, kann
außerdem ein ferroelektrischer Werkstoff sein, beispielsweise
PZT (Blei, Zink, Zinn), ein Supraleiter einschließlich eines
Oxidsupraleiters oder ein ferromagnetisches Material.
Bei dem vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel wird als
Probe, das heißt als zu bearbeitende Substanz, die auf dem
Halbleitersubstrat 2 ausgebildete Dünnschicht benutzt, wobei
sich das Halbleitersubstrat in einem Herstellungsverfahren
für integrierte Schaltungen befindet. Die Erfindung ist aber
auch anwendbar für ein in Magnetspeichervorrichtungen verwen
detes Substrat eines Magnetbandes oder einer Magnetplatte im
Herstellungsverfahren der Speichervorrichtung, für ein Sub
strat einer für optische Speichervorrichtungen bestimmten op
tischen Platte oder dergleichen im Herstellungsverfahren der
selben, für eine geformte metallene Substanz, eine auf der
Oberfläche eines geformten Metallgegenstandes gebildete Dünn
schicht, ein Maschinenbauteil, beispielsweise eine Schraube
oder ein Bearbeitungswerkzeug.
Claims (24)
1. Verfahren zum Herstellen von Feinstrukturen mit den fol
genden Schritten
- - Auflegen einer mit Feinstruktur zu versehenden Probe auf eine Halterung (4, 4A) in einer Vakuumkammer (1);
- - Entleeren des Inneren der Vakuumkammer (1) bis zu ei nem vorherbestimmten Grad an Vakuum;
- - Einführen eines reaktionsfähigen Gases in die Vakuum kammer (1);
- - Einstellen eines vorbestimmten Spaltes zwischen der Halterung (4, 4A) und einer der Halterung (4, 4A) ge genüber angeordneten Gegenelektrode (6, 6A) und
- - Erzeugen eines Plasmas aus dem reaktionsfähigen Gas innerhalb der Vakuumkammer (1) mittels der Halterung (4, 4A) und der Gegenelektrode (6, 6A), wodurch in der Probe eine Feinstruktur gebildet wird, gekennzeichnet durch
- - das Anlegen eines Magnetfeldes an die Halterung (4, 4A) oder an die Gegenelektrode (6, 6A) mittels ei ner ein Magnetfeld erzeugenden Einrichtung (10), um die Halterung (4, 4A) oder die Gegenelektrode (6, 6A) schweben zu lassen, um dadurch den Spaltabstand zwi schen ihnen einzustellen.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein magnetfeldgestütztes Ätzverfahren mit reaktions
fähigen Ionen verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein Elektronenzyklotron-Plasma-Ätzverfahren verwendet
wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein Ätzverfahren mit neutralem Strahl verwendet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein Ätzverfahren mit Lichterregung verwendet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein lichtgestütztes Ätzverfahren verwendet wird.
7. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens zum Herstel
len von Feinstrukturen nach Anspruch 1 bis 6, umfassend
- - eine Vakuumkammer (1);
- - eine Einrichtung zum Einführen eines reaktionsfähigen Gases in die Vakuumkammer (1);
- - eine innerhalb der Vakuumkammer (1) angeordnete Hal terung (4A), die als Elektrode und zur Aufnahme einer Probe dient;
- - eine der Halterung (4A) mit der aufgelegten Probe ge genüberliegend angeordnete Gegenelektrode (6);
- - eine Halte- und Bewegungseinrichtung (10), die dazu dient, die Halterung (4A) zu halten und zwischen ihr und der Gegenelektrode (6) einen vorherbestimmten Ab stand einzustellen, und
- - eine Evakuierungseinrichtung zum Evakuieren des Inne ren der Vakuumkammer (1),
dadurch gekennzeichnet,
daß zumindest ein Teil (9) der Halterung (4A) aus einem magnetischen Werkstoff besteht
und daß die Halte- und Bewegungseinrichtung (10) eine Magnetfelderzeugungseinrichtung aufweist, die die Halte rung (4A) magnetisch schweben läßt.
daß zumindest ein Teil (9) der Halterung (4A) aus einem magnetischen Werkstoff besteht
und daß die Halte- und Bewegungseinrichtung (10) eine Magnetfelderzeugungseinrichtung aufweist, die die Halte rung (4A) magnetisch schweben läßt.
8. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens zum Herstel
len von Feinstrukturen nach Anspruch 1 bis 6, umfassend
- - eine Vakuumkammer (1);
- - eine Einrichtung für das Einführen eines reaktionsfä higen Gases in die Vakuumkammer (1);
- - eine innerhalb der Vakuumkammer (1) angeordnete Hal terung (4), die als Elektrode und zum Auflegen einer Probe dient;
- - eine der Halterung gegenüberliegend angeordnete Ge genelektrode (6A);
- - eine Halte- und Bewegungseinrichtung (10), die dazu dient, die Gegenelektrode (6A) zu halten und zwischen ihr und der Halterung (4) einen vorherbestimmten Spalt zu schaffen, und
- - eine Evakuierungseinrichtung zum Evakuieren des Inne ren der Vakuumkammer (1),
dadurch gekennzeichnet,
daß die Gegenelektrode (6A) zumindest teilweise aus ei nem magnetischen Werkstoff besteht
und daß die Halte- und Bewegungseinrichtung (10) für die Gegenelektrode (6A) eine ein Magnetfeld erzeugende Ein richtung aufweist, die die Gegenelektrode (6A) ma gnetisch schweben läßt.
daß die Gegenelektrode (6A) zumindest teilweise aus ei nem magnetischen Werkstoff besteht
und daß die Halte- und Bewegungseinrichtung (10) für die Gegenelektrode (6A) eine ein Magnetfeld erzeugende Ein richtung aufweist, die die Gegenelektrode (6A) ma gnetisch schweben läßt.
9. Verwendung der Vorrichtung nach Anspruch 7 oder 8 zur
Herstellung von Feinstrukturen in einem Halbleitersub
strat.
10. Verwendung der Vorrichtung nach Anspruch 7 oder 8 zur
Herstellung von Feinstrukturen in einem Magnetband.
11. Verwendung der Vorrichtung nach Anspruch 7 oder 8 zur
Herstellung von Feinstrukturen in einer Magnetplatte.
12. Verwendung der Vorrichtung nach Anspruch 7 oder 8 zur
Herstellung von Feinstrukturen in einer optischen
Scheibe.
13. Verwendung der Vorrichtung nach Anspruch 7 oder 8 zur
Herstellung von Feinstrukturen in einer geformten, metal
lenen Substanz.
14. Verwendung der Vorrichtung nach Anspruch 7 oder 8 zur
Herstellung von Feinstrukturen in einem Maschinenbauteil.
15. Verwendung der Vorrichtung nach Anspruch 7 oder 8 zur
Herstellung von Feinstrukturen in einem beschichteten
Substrat.
16. Verwendung nach Anspruch 15,
dadurch gekennzeichnet,
daß die mit Feinstruktur zu versehende Schicht aus einer
Gruppe ausgewählt wird, die aus einer Siliziumoxid
schicht, Siliziumnitridschicht und Siliziumoxynitrid
schicht besteht.
17. Verwendung nach Anspruch 15,
dadurch gekennzeichnet,
daß die mit Feinstruktur zu versehende Schicht eine poly
kristalline oder monokristalline Siliziumschicht ist.
18. Verwendung nach Anspruch 15,
dadurch gekennzeichnet,
daß die mit Feinstruktur zu versehende Schicht aus Wolf
ram, Tantal, Molybdän, Zirkon, Titan, Hafnium, Chrom,
Platin, Eisen, Zink, Zinn, einem Silizid eines dieser
Stoffe, einem Nitrid eines dieser Stoffe oder einem Kar
bid von einem dieser Stoffe besteht.
19. Verwendung nach Anspruch 15,
dadurch gekennzeichnet,
daß die mit Feinstruktur zu versehende Schicht aus Alumi
nium, Kupfer, Gold, Silber oder einer hauptsächlich aus
einem dieser Metalle zusammengesetzten Legierung besteht.
20. Verwendung nach Anspruch 15,
dadurch gekennzeichnet,
daß die mit Feinstruktur zu versehende Schicht aus einem
organischen Polymerisat, beispielsweise Novolakharz oder
Polyimid besteht.
21. Verwendung nach Anspruch 15,
dadurch gekennzeichnet,
daß die mit Feinstruktur zu versehende Schicht aus einem
ferroelektrischen Stoff, wie PZT (Blei, Zink, Zinn) besteht.
22. Verwendung nach Anspruch 15,
dadurch gekennzeichnet,
daß die mit Feinstruktur zu versehende Schicht aus einem
Supraleiter, einschließlich eines Oxidsupraleiters be
steht.
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