DE4132730A1 - Verfahren und vorrichtung zum herstellen von feinstrukturen - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zum herstellen von feinstrukturen

Info

Publication number
DE4132730A1
DE4132730A1 DE4132730A DE4132730A DE4132730A1 DE 4132730 A1 DE4132730 A1 DE 4132730A1 DE 4132730 A DE4132730 A DE 4132730A DE 4132730 A DE4132730 A DE 4132730A DE 4132730 A1 DE4132730 A1 DE 4132730A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
sample
vacuum chamber
layer
holder
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE4132730A
Other languages
English (en)
Other versions
DE4132730C2 (de
Inventor
Masahiro Yoneda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE4132730A1 publication Critical patent/DE4132730A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE4132730C2 publication Critical patent/DE4132730C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/3255—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Herstellen von Feinstrukturen auf einem Substrat oder in ei­ ner auf einem Substrat ausgebildeten Dünnschicht.
Als bekannte Vorrichtung zum Herstellen einer Feinstruktur ist in Fig. 3 eine Plasmaätzvorrichtung schematisch im Schnitt gezeigt. Hier wird in einer Vakuumkammer 1 ein Halb­ leitersubstrat 2 angeordnet, in dem eine Feinstruktur ausge­ bildet werden soll. Bei dem Halbleitersubstrat 2 kann es sich um ein Substrat handeln, welches auf seiner Oberfläche eine polykristalline Siliziumdünnschicht und auf dieser polykri­ stallinen Siliziumdünnschicht ein Photoresistmuster trägt, welches beim Ätzen als Maske zum Abdecken dient. In der Vaku­ umkammer 1 wird das Halbleitersubstrat 2 auf ein Gestell oder eine Halterung 4 gelegt, die gleichzeitig als Elektrode dient und an eine Hochfrequenzspannungsquelle 3 angeschlossen ist, von der hochfrequente Energie zugeführt wird. Dem Halbleiter­ substrat 2 gegenüber ist eine Gegenelektrode 6 mit darin aus­ gebildeten Gasdüsen 5 angeordnet, aus denen ein reaktionsfä­ higes Gas, beispielsweise Chlorgas als Ätzgas in Richtung auf das Halbleitersubstrat 2 abgegeben wird. Die Vakuumkammer 1 hat eine Evakuierungsöffnung 7, durch die sie entleert wird, und eine hier nicht gezeigte Gaseinlaßöffnung, durch die das zum Ätzen dienende Gas in die Vakuumkammer 1 eingeführt wird. An dem Teil der Vakuumkammer 1, an dem die Gegenelektrode 6 angebracht ist, ist eine Bewegungseinrichtung 8 beispiels­ weise in Form einer Spindel zum Bewegen der Gegenelektrode 6 vorgesehen, um zwischen ihr und der Halterung 4 einen vorher­ bestimmten Spalt einzustellen.
Die bekannte Vorrichtung zum Herstellen von Feinstrukturen, die vorstehend beschrieben wurde, arbeitet wie folgt. Zunächst wird von der hier nicht gezeigten Gaseinlaßöffnung ein Ätzgas ins Innere der Vakuumkammer 1 durch die Gasdüsen 5 eingeführt, während die Vakuumkammer 1 durch die Evakuie­ rungsöffnung 7 mittels einer hier nicht gezeigten Evakuier­ einrichtung entleert wird. Als nächstes wird von der Hochfre­ quenzspannungsquelle 3 zwischen der Halterung 4 und der Ge­ genelektrode 6 eine Hochfrequenzspannung angelegt, um eine Glimmentladung hervorzurufen, mittels der das in die Vakuum­ kammer 1 eingeführte Ätzgas aktiviert und ein Plasma A er­ zeugt wird, wodurch aktive neutrale Moleküle, neutrale Atome und Ionen entstehen. Das Ätzen des Halbleitersubstrats 2 er­ folgt aufgrund des Vorhandenseins dieser Moleküle, Atome und Ionen, und so entsteht eine Feinstruktur.
Die oben beschriebene, bekannte Technik zum Herstellen einer Feinstruktur hat folgende Nachteile.
  • 1. Gleichmäßigkeit der Ätzgeschwindigkeit. Da bei den be­ kannten Techniken der Spalt zwischen den Elektroden ent­ weder fest oder mechanisch veränderbar ist, ist es schwierig, den optimalen Elektrodenabstand zu erzielen, der einen großen Einfluß auf die Gleichmäßigkeit des Ät­ zens hat. Da sich außerdem eine räumliche Verteilung des aktivierten Halogengases oder der Ionen einstellt, ergibt sich, wenn eine Feinstruktur auf einer Probe mit großem Durchmesser geschaffen werden soll, eine Verteilung der Ätzgeschwindigkeit innerhalb der Ebene. Für eine Verrin­ gerung der Ätzgeschwindigkeit ist eine große Ätzkammer erforderlich.
  • 2. Da bei dem bekannten Verfahren die Halterung 4 nur mecha­ nisch bewegbar ist, kann das Entstehen von Staub durch diese Bewegung nicht ausgeschlossen werden. Folglich wird die Leistungsfähigkeit der Vorrichtung herabgesetzt, und das Innere der Vakuumkammer 1 muß häufig gereinigt wer­ den. Insbesondere heften sich an die Bewegungseinrichtung 8 für die Gegenelektrode 6 Nebenprodukte des zum Ätzen benutzten Gases, die an sich schon Ursache für das Ent­ stehen von Staub wären, und diese lösen sich dann von der Bewegungseinrichtung 8 ab, wenn das Halbleitersubstrat 2 auf die Halterung 4 gelegt oder von ihr entfernt wird, wobei Staub entsteht.
Aufgabe der Erfindung ist es, das Herstellen von Feinstruktu­ ren auf eine Weise zu ermöglichen, die die Erzeugung von Staub ausschließt und eine Änderung des Elektrodenspaltes auf berührungslose Weise ermöglicht, damit bei der Schaffung von Feinstrukturen auf den verschiedensten Werkstoffen und mit den verschiedensten Methoden ausgezeichnete Strukturausbil­ dungsmerkmale sichergestellt sind.
Zur Lösung der der Erfindung zugrundeliegenden Aufgabe wird ein Verfahren zum Herstellen von Feinstrukturen geschaffen, welches folgende Schritte aufweist: eine Probe, auf der eine Feinstruktur ausgebildet werden soll, wird auf eine Halterung in einer Vakuumkammer gelegt; das Innere der Vakuumkammer wird evakuiert, um einen vorherbestimmten Grad an Vakuum zu erzielen; in die Vakuumkammer wird ein reaktionsfähiges Gas eingeleitet; an die Halterung oder eine der Halterung gegen­ über angeordnete Gegenelektrode wird mittels einer ein Ma­ gnetfeld erzeugenden Einrichtung ein Magnetfeld angelegt, um die Halterung oder die Gegenelektrode zum Schweben zu bringen und dadurch einen vorherbestimmten Spalt zwischen der Halte­ rung und der Gegenelektrode einzuhalten; und in der Vakuum­ kammer wird ein Plasma aus dem reaktionsfähigen Gas mit Hilfe der Halterung und der Gegenelektrode erzeugt, wodurch in der Probe eine Feinstruktur gebildet wird.
Zur Lösung der der Erfindung zugrundeliegenden Aufgabe wird auch eine Vorrichtung zum Herstellen von Feinstrukturen ge­ schaffen, die folgendes aufweist: eine Vakuumkammer; eine Einrichtung für die Zufuhr eines reaktionsfähigen Gases zur Vakuumkammer; eine innerhalb der Vakuumkammer angeordnete Halterung, auf die eine Probe auflegbar ist und die als eine Elektrode dient, wobei mindestens ein Teil der Halterung aus einem magnetischen Werkstoff besteht; eine der Halterung, auf der die Probe liegt, gegenüber angeordnete Gegenelektrode; eine Einrichtung zum Erzeugen eines Magnetfeldes, welches die Halterung magnetisch aufschwimmen läßt, um einen vorherbe­ stimmten Spalt zwischen der Halterung und der Gegenelektrode zu schaffen; und eine Evakuiereinrichtung zum Evakuieren des Inneren der Vakuumkammer.
Ferner wird zur Lösung der der Erfindung zugrundeliegenden Aufgabe eine Vorrichtung zum Herstellen von Feinstrukturen geschaffen, die folgendes aufweist: eine Vakuumkammer; eine Einrichtung für die Zufuhr eines reaktionsfähigen Gases zur Vakuumkammer; eine innerhalb der Vakuumkammer angeordnete Halterung, auf die eine Probe auflegbar ist und die als Elek­ trode dient; eine der Halterung gegenüber angeordnete Gegen­ elektrode, die mindestens teilweise aus einem magnetischen Werkstoff besteht; eine Einrichtung zum Erzeugen eines Ma­ gnetfeldes, um die Gegenelektrode magnetisch zum Schweben zu veranlassen, damit ein vorherbestimmter Spalt zwischen der Halterung und der Gegenelektrode entsteht; und eine Evakuier­ einrichtung zum Entleeren des Inneren der Vakuumkammer.
Im folgenden ist die Erfindung mit weiteren vorteilhaften Einzelheiten anhand schematisch dargestellter Ausführungsbei­ spiele näher erläutert.
In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 einen schematischen Querschnitt durch ein erstes Ausführungsbeispiel einer Plasmaätzvorrichtung gemäß der Erfindung;
Fig. 2 einen schematischen Querschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Plasmaätzvorrichtung gemäß der Erfindung; und
Fig. 3 einen schematischen Querschnitt durch eine bekannte Plasmaätzvorrichtung.
In Fig. 1 ist ein erstes Ausführungsbeispiel einer Vorrich­ tung zum Herstellen von Feinstrukturen am Beispiel einer Plasmaätzvorrichtung gezeigt. Die Bezugszeichen 1 bis 3 und 5 bis 7 in Fig. 1 bezeichnen die gleichen Teile wie bei der in Fig. 3 gezeigten bekannten Vorrichtung. Bei der Plasmaätzvor­ richtung gemäß Fig. 1 ist ein Magnetkörper 9 in eine Halte­ rung 4A eingebettet, auf der das Halbleitersubstrat 2 ange­ ordnet ist. Die Halterung 4A dient gleichfalls als Elektrode. Außerhalb der Vakuumkammer 1 ist eine externe Magnetfeldspule 10 angeordnet, die ein Magnetfeld erzeugt, damit die Halte­ rung 4A magnetisch aufschwimmen kann. Die Halterung 4A ist über einen flexiblen elektrischen Draht 11 oder dergleichen mit einer Hochfrequenzspannungsquelle 3 verbunden.
Bei dem Verfahren zum Herstellen einer Feinstruktur mittels der vorstehend beschriebenen Vorrichtung wird zuerst das Halbleitersubstrat 2 auf der Elektrode in Form der Halterung 4A angeordnet, dann wird ein Ätzgas, bei dem es sich um ein reaktionsfähiges Gas handelt, von einer Gaseinlaßöffnung 12 durch die Gasdüsen 5 in die Vakuumkammer 1 eingeleitet, wäh­ rend diese durch die Evakuierungsöffnung 7 evakuiert wird. Von der Hochfrequenzspannungsquelle 3 wird zwischen der Hal­ terung 4A und der Gegenelektrode 6 eine Hochfrequenzspannung angelegt, um eine Glimmentladung hervorzurufen. Folglich wird das in die Vakuumkammer 1 eingeleitete Ätzgas aktiviert und dadurch ein Plasma erzeugt, was aktive neutrale Moleküle, neutrale Atome und Ionen hervorruft. Das Ätzen des Halblei­ tersubstrats 2 erfolgt aufgrund des Vorhandenseins dieser Mo­ leküle, Atome und Ionen, und so entsteht eine Feinstruktur.
Zur gleichen Zeit wird von der externen Magnetfeldspule 10 ein Magnetfeld erzeugt, um zwischen der Gegenelektrode 6 und der Halterung 4A, auf der das Halbleitersubstrat 2 liegt, mittels der abstoßenden Kraft des Magnetfeldes einen vorher­ bestimmten Spalt zu schaffen. Wenn ein optimaler Elektroden­ abstand eingehalten wird, können die Ätzeigenschaften verbes­ sert werden. Ferner wird die Größe des elektrischen Feldes in Ionenhüllen, die sich um die Elektroden herum ausbilden, durch die Wirkung des Magnetfeldes verringert, welches der in der Halterung 4A eingebettete Magnetkörper 9 erzeugt, wodurch die Kollisionsenergie der Ionen reduziert werden kann, was die Beschädigung der zu verarbeitenden Substanz durch das Plasma während des Prozesses verringert. Ferner nimmt die Dichte der Ionen im Plasma aufgrund des Magnetfeldes zu, so daß sich die Ätzgeschwindigkeit erhöht.
Bei dem vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel wird die Halterung 4A veranlaßt, magnetisch aufzuschwimmen oder zu schweben. Es ist aber auch möglich, wie Fig. 2 zeigt, die Halterung 4 zu fixieren und die Gegenelektrode 6A beispiels­ weise aus ferromagnetischem Werkstoff herzustellen, so daß diese magnetisch schweben kann, um den optimalen Elektroden­ abstand zu schaffen. In diesem Fall ist die Gaseinlaßöffnung 12 für das reaktionsfähige Gas mit der Gegenelektrode 6A durch ein flexibles Rohr 13 oder dergleichen verbunden.
Bei dem vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel wird ein Plasmaätzverfahren zum Herstellen von Feinstrukturen ange­ wandt. Die Erfindung eignet sich aber auch für andere Ätzver­ fahren, beispielsweise mit reaktiven Ionen, mit magnetfeldge­ stützten reaktiven Ionen, ein Plasmaätzverfahren mit Elektro­ nen-Zyklotron, mit neutralem Strahl, mit Lichterregung oder Lichtunterstützung sowie ein physikalisches Ätzverfahren mit Ionen.
Als Halbleitersubstrat, das mit einer Feinstruktur versehen werden soll, dient ein Halbleitersubstrat 2 mit einer poly­ kristallinen Siliziumdünnschicht darauf. Allerdings kann auch eine Siliziumoxidschicht, eine Siliziumnitridschicht oder eine Siliziumoxynitridschicht bearbeitet werden. Gleichfalls geeignet ist eine Einkristallsiliziumschicht.
Ferner kann die Schicht, in der die Feinstruktur hergestellt wird, aus Wolfram, Tantal, Molybdän, Zirkon, Titan, Hafnium, Chrom, Platin, Eisen, Zink, Zinn, einem Silizid irgendeines dieser Stoffe, einem Nitrid irgendeines dieser Stoffe oder einem Karbid irgendeines dieser Stoffe; Aluminium, Kupfer, Gold, Silber oder irgendeiner hauptsächlich aus einem dieser Metalle bestehenden Legierung; oder einem organischen Polyme­ risat, beispielsweise Novolakharz oder Polyimid bestehen.
Die Schicht, in der die Feinstruktur hergestellt wird, kann außerdem ein ferroelektrischer Werkstoff sein, beispielsweise PZT (Blei, Zink, Zinn), ein Supraleiter einschließlich eines Oxidsupraleiters oder ein ferromagnetisches Material.
Bei dem vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel wird als Probe, das heißt als zu bearbeitende Substanz, die auf dem Halbleitersubstrat 2 ausgebildete Dünnschicht benutzt, wobei sich das Halbleitersubstrat in einem Herstellungsverfahren für integrierte Schaltungen befindet. Die Erfindung ist aber auch anwendbar für ein in Magnetspeichervorrichtungen verwen­ detes Substrat eines Magnetbandes oder einer Magnetplatte im Herstellungsverfahren der Speichervorrichtung, für ein Sub­ strat einer für optische Speichervorrichtungen bestimmten op­ tischen Platte oder dergleichen im Herstellungsverfahren der­ selben, für eine geformte metallene Substanz, eine auf der Oberfläche eines geformten Metallgegenstandes gebildete Dünn­ schicht, ein Maschinenbauteil, beispielsweise eine Schraube oder ein Bearbeitungswerkzeug.
Da mit dem Verfahren und der Vorrichtung zum Herstellen von Feinstrukturen gemäß der Erfindung die Halterung, auf der die Probe angeordnet wird, oder die Gegenelektrode magnetisch zu schweben veranlaßt und folglich auf berührungslose Weise zum Einstellen des Elektrodenabstandes bewegt wird, können, wie sich aus der vorstehenden Beschreibung ergibt, optimale Ätz­ bedingungen (einschließlich Gleichförmigkeit, Geschwindigkeit und Richtung beim Ätzen) sichergestellt werden, ohne daß da­ bei Staub entsteht. Folglich läßt sich die durch das Plasma verursachte Beschädigung verringern und die Ätzgeschwindig­ keit erhöhen. Das ermöglicht eine ausgezeichnete Ausbildung von Feinstrukturen.

Claims (26)

1. Verfahren zum Herstellen von Feinstrukturen, gekennzeichnet durch
  • - Auflegen einer mit Feinstruktur zu versehenden Probe auf eine Halterung (4, 4A) in einer Vakuumkammer (1);
  • - Entleeren des Inneren der Vakuumkammer (1) bis zu einem vorherbestimmten Grad an Vakuum;
  • - Einführen eines reaktionsfähigen Gases in die Vakuum­ kammer (1);
  • - Anlegen eines Magnetfeldes an die Halterung (4, 4A) oder an eine der Halterung (4, 4A) gegenüber angeord­ nete Gegenelektrode (6, 6A) mittels einer ein Magnet­ feld erzeugenden Einrichtung (10), um die Halterung (4, 4A) oder die Gegenelektrode (6, 6A) schweben zu lassen und dadurch einen vorherbestimmten Spalt zwischen der Halterung (4, 4A) und der Gegenelektrode (6, 6A) einzu­ halten; und
  • - Erzeugen eines Plasmas aus dem reaktionsfähigen Gas in­ nerhalb der Vakuumkammer (1) mittels der Halterung (4, 4A) und der Gegenelektrode (6, 6A), wodurch in der Probe eine Feinstruktur gebildet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es sich um ein Plasmaätzverfahren handelt.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es sich um ein Ätzverfahren mit reaktionsfähigen Ionen handelt.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es sich um ein magnetfeldgestütztes Ätzverfahren mit reaktionsfähigen Ionen handelt.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es sich um ein Eletronenzyklotron-Plasma-Ätzverfah­ ren handelt.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es sich um ein Ätzverfahren mit neutralem Strahl han­ delt.
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es sich um ein Ätzverfahren mit Lichterregung han­ delt.
8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es sich um ein lichtgestütztes Ätzverfahren handelt.
9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es sich um ein physikalisches Ätzverfahren mit Ionen handelt.
10. Vorrichtung zum Herstellen von Feinstrukturen, gekennzeichnet durch
  • - eine Vakuumkammer (1);
  • - eine Einrichtung zum Einführen eines reaktionsfähigen Gases in die Vakuumkammer (1);
  • - eine innerhalb der Vakuumkammer (1) angeordnete Halte­ rung (4A), die als Elektrode und für die Aufnahme einer Probe dient und mindestens zum Teil (9) aus einem ma­ gnetischen Werkstoff besteht;
  • - eine der Halterung (4A) mit der aufgelegten Probe ge­ genüberliegend angeordnete Gegenelektrode (6);
  • - eine Magnetfelderzeugungseinrichtung (10), die die Hal­ terung (4A) magnetisch schweben läßt, um zwischen ihr und der Gegenelektrode (6) einen vorherbestimmten Ab­ stand zu schaffen; und
  • - eine Evakuiereinrichtung zum Evakuieren des Inneren der Vakuumkammer (1).
11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Probe ein Halbleitersubstrat (2) ist.
12. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Probe ein Magnetband ist.
13. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Probe eine Magnetplatte ist.
14. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Probe eine optische Scheibe ist.
15. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Probe eine geformte, metallene Substanz ist.
16. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Probe ein Maschinenbauteil ist.
17. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Probe ein Substrat und eine Schicht aufweist, in dem eine Feinstruktur gebildet werden soll.
18. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die mit Feinstruktur zu versehende Schicht aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus einer Siliziumoxidschicht, Siliziumnitridschicht und Siliziumoxynitridschicht be­ steht.
19. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die mit Feinstruktur zu versehende Schicht eine poly­ kristalline oder monokristalline Siliziumschicht auf­ weist.
20. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die mit Feinstruktur zu versehende Schicht aus Wolf­ ram, Tantal, Molybdän, Zirkon, Titan, Hafnium, Chrom, Platin, Eisen, Zink, Zinn, einem Silizid eines dieser Stoffe, einem Nitrid eines dieser Stoffe oder einem Kar­ bid eines dieser Stoffe besteht.
21. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die mit Feinstruktur zu versehende Schicht aus Alumi­ nium, Kupfer, Gold, Silber oder einer hauptsächlich aus einem dieser Metalle zusammengesetzten Legierung besteht.
22. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die mit Feinstruktur zu versehende Schicht aus einem organischen Polymerisat, beispielsweise Novolakharz oder Polyimid besteht.
23. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die mit Feinstruktur zu versehende Schicht aus einem ferroelektrischen Stoff, wie PZT (Blei, Zink, Zinn) be­ steht.
24. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die mit Feinstruktur zu versehende Schicht aus einem Supraleiter, einschließlich eines Oxidsupraleiters be­ steht.
25. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die mit Feinstruktur zu versehende Schicht aus einem ferromagnetischen Stoff besteht.
26. Vorrichtung zum Herstellen von Feinstrukturen, gekennzeichnet durch
  • - eine Vakuumkammer (1);
  • - eine Einrichtung für das Einführen eines reaktionsfähi­ gen Gases in die Vakuumkammer (1);
  • - eine innerhalb der Vakuumkammer (1) angeordnete Halte­ rung (4), die als eine Elektrode und zum Auflegen einer Probe dient;
  • - eine der Halterung gegenüberliegend angeordnete Gegen­ elektrode (6A), die mindestens teilweise aus einem ma­ gnetischen Werkstoff besteht;
  • - eine ein Magnetfeld erzeugende Einrichtung, die die Ge­ genelektrode (6A) magnetisch schweben läßt, um einen vorherbestimmten Spalt zwischen der Halterung (4) und der Gegenelektrode (6A) zu schaffen; und
  • - eine Evakuiereinrichtung zum Evakuieren des Inneren der Vakuumkammer (1).
DE4132730A 1990-10-03 1991-10-01 Verfahren und Herstellen von Feinstrukturen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens sowie Verwendung der Vorrichtung Expired - Fee Related DE4132730C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2263872A JPH04142734A (ja) 1990-10-03 1990-10-03 微細加工装置及び方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE4132730A1 true DE4132730A1 (de) 1992-04-09
DE4132730C2 DE4132730C2 (de) 1994-11-10

Family

ID=17395417

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4132730A Expired - Fee Related DE4132730C2 (de) 1990-10-03 1991-10-01 Verfahren und Herstellen von Feinstrukturen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens sowie Verwendung der Vorrichtung

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPH04142734A (de)
KR (1) KR940010505B1 (de)
DE (1) DE4132730C2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4114752A1 (de) * 1990-10-26 1992-04-30 Mitsubishi Electric Corp Plasmabearbeitungsverfahren und -vorrichtung

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101510269B1 (ko) * 2008-07-28 2015-04-14 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치 및 이를 이용한 박막 형성 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3914065A1 (de) * 1989-04-28 1990-10-31 Leybold Ag Vorrichtung zur durchfuehrung von plasma-aetzverfahren
DE3935189A1 (de) * 1989-10-23 1991-05-08 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung zur behandlung von werkstuecken durch reaktives ionenaetzen
DE4128780A1 (de) * 1990-08-31 1992-03-05 Mitsubishi Electric Corp Vorrichtung und verfahren zum bilden einer feinstruktur
DE4128779A1 (de) * 1990-08-31 1992-03-05 Mitsubishi Electric Corp Vorrichtung und verfahren zum bilden einer feinstruktur

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS608306B2 (ja) * 1978-12-27 1985-03-01 株式会社日立製作所 表面処理装置
JPS5715424A (en) * 1980-07-01 1982-01-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Dry etching method
JPS5723226A (en) * 1980-07-17 1982-02-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Plasma etching device
JPS58139439A (ja) * 1982-02-15 1983-08-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ウエハ移送装置
JPS58200529A (ja) * 1982-05-19 1983-11-22 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JPS6036222A (ja) * 1983-08-05 1985-02-25 Irie Koken Kk 高真空中の物品搬送装置
JPH0765197B2 (ja) * 1983-11-04 1995-07-12 株式会社日立製作所 真空処理装置
JPS60103620A (ja) * 1983-11-11 1985-06-07 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JPS60248518A (ja) * 1984-05-23 1985-12-09 Seiko Epson Corp 搬送機
JPS63173307A (ja) * 1987-01-13 1988-07-16 Yuugou Giken:Kk セラミツクス製超高真空容器中の磁気浮上搬送システム
JPS6471120A (en) * 1987-09-10 1989-03-16 Mitsubishi Electric Corp Heating equipment
JPH01302820A (ja) * 1988-05-31 1989-12-06 Fujitsu Ltd ドライエッチング装置の制御装置
JPH0762252B2 (ja) * 1988-06-13 1995-07-05 旭硝子株式会社 真空処理装置
JPH01205438A (ja) * 1988-10-12 1989-08-17 Hitachi Ltd 磁気搬送装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3914065A1 (de) * 1989-04-28 1990-10-31 Leybold Ag Vorrichtung zur durchfuehrung von plasma-aetzverfahren
DE3935189A1 (de) * 1989-10-23 1991-05-08 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung zur behandlung von werkstuecken durch reaktives ionenaetzen
DE4128780A1 (de) * 1990-08-31 1992-03-05 Mitsubishi Electric Corp Vorrichtung und verfahren zum bilden einer feinstruktur
DE4128779A1 (de) * 1990-08-31 1992-03-05 Mitsubishi Electric Corp Vorrichtung und verfahren zum bilden einer feinstruktur

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Firmenprospekt Sumitomo Metals: "Rainbow 4400", Okt. 1990 *
Pat. Abstr. of JP, C-407, Vol. 11, No. 69, (=JP 61-2 27 169 A) *
Pat. Abstr. of JP, C-682, Vol. 14, No. 47, (=JP 1-2 79 783 A) *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4114752A1 (de) * 1990-10-26 1992-04-30 Mitsubishi Electric Corp Plasmabearbeitungsverfahren und -vorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
KR940010505B1 (ko) 1994-10-24
KR920008864A (ko) 1992-05-28
JPH04142734A (ja) 1992-05-15
DE4132730C2 (de) 1994-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3854276T2 (de) Kathodenzerstäubungsverfahren und Vorrichtung zur Durchführung desselben.
DE3889649T2 (de) Ätzverfahren und -gerät.
DE69211508T2 (de) Verfahren und Geräte zur Einschränkung des Plasma-Ätzgebietes zur Erlangung präziser Formgestaltung von Substratöberflächen
DE69825630T2 (de) Fokusringe
DE1621599C2 (de) Einrichtung zum Abtragen von Verunrei nigungen einer auf einem Halbleiterkörper aufgebrachten metallischen Schicht im Be reich von kleinen Offnungen einer Isolier schicht durch Kathodenzerstäubung
DE69625974T2 (de) Verfahren und Struktur zur Verbesserung der Flüssigkeitsströmung für Wärmetransport in elektrostatische Halter
DE60316717T2 (de) Verfahren zum herstellen einer halbleiter anordnung durch ein plasmaätzverfahren
DE69124411T2 (de) Vorrichtung zur Kontrolle der Kontaminierung in einen mit einer Spannung betriebenen Elektroden versehenen Gerät
DE3708717C2 (de)
DE69922816T2 (de) Oberflächenbehandlung mittels physikalischer dampfabscheidung mit kompensierung der ungleichförmigkeit
DE69312544T2 (de) Plasmaerzeugungsverfahren und dieses Verfahren verwendende Plasmaerzeugungsvorrichtung
DE10103341C2 (de) Plasmabehandlungsvorrichtung und Verfahren
EP0021140A1 (de) Ionenquelle in einer Vakuumkammer und Verfahren zum Betrieb derselben
DE69828699T2 (de) Vacuumzerstäubungsgerät
DE69111490T2 (de) Verfahren zur Vorbereitung einer Blende zur Verminderung von Teilchen in einer Kammer zur physikalischen Aufdampfung.
DE4109955C2 (de)
DE1690276B1 (de) Kathodenzerstaeubungsvrfahren zur herstellung ohmscher kontakte auf einem halbleitersubstrat und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
EP0090067B2 (de) Reaktor für das reaktive Ionenätzen und Ätzverfahren
DE102019204974A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE112010003657B4 (de) Ätzanlage
DE4128779C2 (de) Verfahren zum Herstellen von Feinstrukturen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens sowie Verwendungen des Verfahrens und der Vorrichtung
DE4132730A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum herstellen von feinstrukturen
DE3219284C2 (de)
EP1273025B1 (de) Vorrichtung zum plasmabehandeln der oberfläche von substraten durch ionenätzung
DE4128780A1 (de) Vorrichtung und verfahren zum bilden einer feinstruktur

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee