DE60316717T2 - Verfahren zum herstellen einer halbleiter anordnung durch ein plasmaätzverfahren - Google Patents

Verfahren zum herstellen einer halbleiter anordnung durch ein plasmaätzverfahren Download PDF

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Plasmabearbeitungsverfahren.
  • Eine auf einer Leiterplatte eines elektronischen Gerätes befestigte Halbleitervorrichtung wird auf die herkömmliche Art auf eine Weise hergestellt, bei der Anschlüsse eines Leitungsrahmen und Metall-Kontakthöcker (bumps) an Halbleiterelementen befestigt werden, auf denen ein Schaltkreismuster in dem Zustand eines Wafers ausgebildet ist, und die Halbleiterelemente werden einem Pack-Prozess unterworfen, so dass sie mit Kunstharz vergossen (versiegelt) werden können. Da die Größe elektronischer Geräte in der jüngsten Vergangenheit verringert wurde, hat sich ebenfalls die Größe der Halbleitervorrichtung verringert. Insbesondere wurden aktiv Untersuchungen hinsichtlich der Verringerung der Dicke eines Halbleiterelementes durchgeführt, und es wurden Halbleiter-Wafer genutzt, deren Dicke nicht mehr als 100 μm beträgt.
  • Die mechanische Festigkeit des Halbleiterelementes, dessen Dicke verringert wurde, ist so gering, dass das Halbleiterelement in dem Prozess des Schneidens in dem Trennschritt, in dem das Halbleiterelement in dem Zustand eines Wafers in einzelne Stücke geschnitten wird, wahrscheinlich bricht und somit die Ausbeute der Bearbeitung unvermeidlich geringer wird. In Bezug auf das Verfahren des Schneidens des Halbleiterelementes, dessen Dicke verringert wurde, wurde anstelle des mechanischen Schneideverfahrens ein Plasma-Trennverfahren vorgeschlagen, wobei der Halbleiter-Wafer geschnitten wird, wenn Schneidevertiefungen durch die Ätzwirkung von Plasma ausgebildet werden. In Bezug auf dieses Verfahren kann beispielsweise auf die japanische Patentveröffentlichung 2002-93752 Bezug genommen werden.
  • Dieses Verfahren wird wie folgt ausgeführt. Zuerst wird eine Fläche, die der den Schaltkreis bildenden Fläche gegenüberliegt, bearbeitet, um die Dicke eines Halbleiter-Wafers zu verringern.
  • Das Patent US-A-5888882 zeigt ebenfalls bereits ein Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung, die dünner gemacht werden muss, wobei eine Schutzschicht, die Löcher besitzt, auf dem Halbleiter-Wafer bereitgestellt wird. Der Wafer wird dünner gemacht und anschließend wird auf der dünnen Seite eine Schicht bereitgestellt.
  • Das Patent US-A-4325182 stellt ein Verfahren zum Ausbilden von Vertiefungen mit geringer Spannung in Körpern aus Halbleiter-Material dar.
  • Das Patent US-B1-6239036 stellt eine Vorrichtung zum Plasmaätzen und ein Verfahren zum Plasmaätzen zum Durchführen einer Plasmaätz-Behandlung für ein Substrat dar. Dieses Dokument stellt bereits einen Schritt zum Entfernen von Mikro-Rissen dar.
  • Wenn die derart bearbeitete Fläche des Halbleiter-Wafers der Plasmabearbeitung unterworfen wird, wird ein Abbau von Spannungen durchgeführt, wobei eine auf der bearbeiteten Fläche entstandene Schicht von Mikro-Rissen entfernt wird. Anschließend wird ein Bereich auf dem Halbleiter-Wafer mit Ausnahme der Schneidelinien mit einem Fotolack beschichtet, das heißt, es wird eine Maske aus einem Fotolackfilm ausgebildet. Anschließend wird erneut eine Plasmabearbeitung von der Seite der maskenbildenden Fläche durchgeführt. Auf Grund dieser Plasmabearbeitung wird Silizium in den Teilen der Schneidelinien durch Plasmaätzen entfernt, und der Halbleiter-Wafer wird in einzelne Stücke der Halbleiterelemente zerteilt. Anschließend wird die Maske entfernt. Auf diese Weise wird die individuelle Halbleitervorrichtung fertig gestellt.
  • Bei dem Prozess des Schneidens eines Halbleiter-Wafers nach dem Stand der Technik wie oben beschrieben werden die Schritte des Abbaus von Spannungen, des Ausbildens der Maske und des Plasma-Trennens nacheinander durchgeführt. Daher ist es notwendig, eine exklusive Verarbeitungsvorrichtung für jeden Schritt zu nutzen. Das heißt, nachdem die Plasmabearbeitung zum Abbau von Spannungen abgeschlossen wurde, muss der Halbleiter-Wafer aus der Plasmabearbeitungsvorrichtung herausgenommen werden. Nachdem die Maske ausgebildet wurde, muss der Halbleiter-Wafer erneut in die Plasmabearbeitungsvorrichtung hineintransportiert werden. Daher können die folgenden Probleme auftreten. Der Herstellungsprozess wird kompliziert, wodurch die Gerätekosten für die Fertigungsanlage steigen und die Produktionseffizienz sinkt. Wenn darüber hinaus der sehr dünne Halbleiter-Wafer, dessen Dicke durch Bearbeiten verringert wurde, zwischen den Prozessen transportiert und gehandhabt wird, ist es wahrscheinlich, dass der Halbleiter-Wafer beschädigt wird, was zwangsläufig die Herstellungsausbeute verringert.
  • Daher ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung bereitzustellen, in dem: die Gerätekosten verringert und die Produktionseffizienz erhöht werden, indem der Herstellungsprozess vereinfacht wird; und indem verhindert wird, dass der Halbleiter-Wafer beschädigt wird, wenn er transportiert und gehandhabt wird, so dass die Herstellungsausbeute verbessert werden kann.
  • Diese Aufgabe wird durch die Eigenschaften nach Anspruch 1 gelöst.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Halbleiter-Wafer, auf dem eine Maske zum Bestimmen von Schneidelinien, die zum Zerteilen eines Halbleiter-Wafers in einzelne Stücke von Halbleiterelementen genutzt werden, ausgebildet ist, wie folgt jedem Schritt unterworfen. Der Halbleiter-Wafer wird einem Plasma-Trennschritt zum Teilen des Halbleiter-Wafers in einzelne Stücke unterworfen, indem Plasmaätzen auf den Schneidelinien durchgeführt wird, wenn der Halbleiter-Wafer von der Seite der Maske Plasma ausgesetzt ist; der Halbleiter-Wafer wird darüber hinaus einem Masken-Entfernungsschritt zum Entfernen der Maske durch Nutzung von Plasma unterworfen; der Halbleiter-Wafer wird darüber hinaus einem Schritt zum Entfernen von Mikro-Rissen zum Entfernen von Mikro-Rissen unterworfen, die in dem Schritt des Verringerns der Dicke erzeugt wurden. Wenn diese Schritte fortgesetzt in der oben genannten Reihenfolge durchgeführt werden, kann der Prozess des Herstellens der Halbleitervorrichtung vereinfacht werden, so dass die Gerätekosten verringert werden können und die Produktionseffizienz verbessert werden kann. Darüber hinaus kann verhindert werden, dass der Halbleiter-Wafer beschädigt wird, wenn er transportiert und gehandhabt wird, und die Ausbeute der Bearbeitung kann verbessert werden.
  • Gemäß Anspruch 11 der vorliegenden Erfindung wird eine Plasmabearbeitungsvorrichtung genutzt, umfassend: eine Bearbeitungskammer; eine erste Elektrode, die eine Ebene aufweist, mit der die Schutzfolie in der Bearbeitungskammer in engen Kontakt kommt; eine zweite Elektrode, die der ersten Elektrode in der Bearbeitungskammer ge genüberliegt; eine Halteeinrichtung, mit der der Halbleiter-Wafer durch die erste Elektrode in dem Zustand gehalten wird, in dem die Schutzfolie in engen Kontakt mit der Ebene kommt; eine Druckreduziereinrichtung zum Reduzieren von Druck auf einen vorgegebenen Wert in der Bearbeitungskammer; eine Einrichtung zum Einleiten von Plasmaerzeugungsgas, die eine Vielzahl von Typen von Plasmaerzeugungsgasen selektiv in die Bearbeitungskammer einleitet; eine Drucksteuereinrichtung, die den Druck in der Bearbeitungskammer steuert, wenn Plasmaerzeugungsgas eingeleitet wird; einen Abschnitt zum Zuführen von Hochfrequenz-Elektroenergie, die der ersten Elektrode eine Hochfrequenzspannung zuführt, um das Plasmaerzeugungsgas, das in die Bearbeitungskammer eingeleitet worden ist, in einen Plasmazustand zu versetzen; sowie eine Einrichtung zum Ändern des Elektrodenabstandes, die einen Abstand zwischen der ersten und der zweiten Elektrode ändert.
  • Gemäß Anspruch 11 der vorliegenden Erfindung umfasst die Plasmabearbeitungsvorrichtung: eine Drucksteuereinrichtung, die den Druck in einer Bearbeitungskammer steuert; einen Abschnitt zum Einleiten von Plasmaerzeugungsgas, der selektiv eine Vielzahl von Typen von Plasmaerzeugungsgasen in die Bearbeitungskammer einleitet; sowie eine Einrichtung zum Ändern des Elektrodenabstandes, die einen Elektrodenabstand zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode ändert. Ein Plasma-Trennschritt zum Teilen eines Halbleiter-Wafers in einzelne Stücke von Halbleiterelementen durch Plasmaätzen, ein Masken-Entfernungsschritt zum Entfernen einer Maske durch Verwendung von Plasma sowie ein Schritt zum Entfernen von Mikro-Rissen zum Entfernen von Mikro-Rissen, die in dem Schritt des Verringerns der Dicke erzeugt wurden, können fortgesetzt und effizient durch dieselbe Plasmabearbeitungsvorrichtung durchgeführt werden.
  • 1 ist eine Seiten-Schnittdarstellung einer Plasmabearbeitungsvorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 2 ist eine Teilschnittdarstellung einer unteren Elektrode der Plasmabearbeitungsvorrichtung der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • die 3(a) und 3(b) sind Schnittdarstellungen der Plasmabearbeitungsvorrich tung der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 4 ist ein Blockschaltbild, das eine Anordnung eines Steuersystems der Plasmabearbeitungsvorrichtung der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
  • die 5(a) bis 5(h) sind schematische Darstellungen zum Erläutern eines Prozesses eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 6 ist ein Ablaufdiagramm des Plasmabearbeitungsverfahrens der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 7 ist eine Seiten-Schnittdarstellung der Plasmabearbeitungsvorrichtung der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 8 ist eine Seiten-Schnittdarstellung der Plasmabearbeitungsvorrichtung der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 9 ist eine Seiten-Schnittdarstellung der Plasmabearbeitungsvorrichtung der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 10 ist eine Seiten-Schnittdarstellung der Plasmabearbeitungsvorrichtung der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und
  • 11 ist eine Datentabelle, die eine Plasmabearbeitungs-Bedingung in der Plasmabearbeitung der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • Anschließend wird im Folgenden in Bezug auf die Zeichnungen eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erläutert. 1 ist eine Seiten-Schnittdarstellung einer Plasmabearbeitungsvorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, 2 ist eine Teilschnittdarstellung einer unteren Elektrode der Plasmabearbeitungsvorrichtung der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, 3 ist eine Seiten-Schnittdarstellung der Plasmabearbeitungsvorrichtung der Ausführungsform der vorlie genden Erfindung, 4 ist ein Blockschaltbild, das eine Anordnung eines Steuersystems der Plasmabearbeitungsvorrichtung der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt, 5 ist eine schematische Darstellung zum Erläutern eines Prozesses eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, 6 ist ein Ablaufdiagramm des Plasmabearbeitungsverfahrens der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, die 7, 8, 9 und 10 sind Seiten-Schnittdarstellungen der Plasmabearbeitungsvorrichtung der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und 11 ist eine Datentabelle, die eine Plasmabearbeitungs-Bedingung in der Plasmabearbeitung der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • Zunächst wird im Folgenden in Bezug auf die 1 bis 4 die Plasmabearbeitungsvorrichtung erläutert. Diese Plasmabearbeitungsvorrichtung wird bei dem Herstellungsprozess einer Halbleitervorrichtung genutzt, die auf eine solche Weise erhalten wird, dass ein Halbleiter-Wafer, auf der den Schaltkreis bildenden Fläche davon (der ersten Fläche) eine Vielzahl von Halbleiterelementen ausgebildet ist, in einzelne Teile der Halbleiterelemente unterteilt wird, um eine Halbleitervorrichtung zu erhalten, deren Dicke nicht mehr als 100 μm beträgt.
  • Bei dem Herstellungsprozess dieser Halbleitervorrichtung wird zuerst auf der den Schaltkreis bildenden Fläche des Halbleiter-Wafers eine Schutzfolie befestigt, die aus einem Material besteht, bei dem es im Vergleich zu Silizium, das ein Grundbestandteil des Halbleiters ist, schwierig ist, es mittels Plasma zu ätzen. Auf der rückseitigen Fläche der gegenüberliegenden Seite der den Schaltkreis bildenden Fläche des Halbleiter-Wafers ist eine Maske ausgebildet, um Schneidelinien zu bestimmen, die zum Teilen des Halbleiter-Wafers in einzelne Stücke der Halbleiterelemente genutzt werden. Die Schritte des Plasma-Trennens, des Entfernens der Maske sowie des Entfernens der Mikro-Risse werden an dem oben genannten Halbleiter-Wafer durch die vorliegende Plasmabearbeitungsvorrichtung durchgeführt.
  • In 1 wird im Inneren der Unterdruckkammer 1 eine Bearbeitungskammer 2 zum Ausführen von Plasmabearbeitung auf dem Halbleiter-Wafer bereitgestellt. Mittels dieser Bearbeitungskammer 2 ist es möglich, einen dicht abgedichteten Raum zum Erzeugen eines Plasmas in dem Zustand von verringertem Druck auszubilden. In einem unteren Teil im Inneren der Bearbeitungskammer 2 ist die untere Elektrode 3 (die erste Elektrode) angeordnet. In einem oberen Teil der unteren Elektrode 3 ist die obere Elektrode 4 (die zweite Elektrode) gegenüber der unteren Elektrode 3 angeordnet. Die untere Elektrode 3 und die obere Elektrode 4 sind jeweils in einer zylindrischen Form ausgebildet und in der Bearbeitungskammer 2 konzentrisch miteinander angeordnet.
  • Die untere Elektrode 3 ist so eingerichtet, dass die untere Elektrode 3 von den zwei Schichten von Isolierkörpern 5A, 5B umgeben ist, die so angebracht sind, dass der untere Teil der Bearbeitungskammer 2 mit den Isolierkörpern 5A, 58 gefüllt werden kann und dass eine obere Fläche der unteren Elektrode 3 zum Festhalten des zu bearbeitenden Objektes an dem mittleren Teil der Bearbeitungskammer 2 ausgesetzt und befestigt ist. Die untere Elektrode 3 ist aus einem leitfähigen Material wie beispielsweise Aluminium hergestellt. Das Profil der unteren Elektrode 3 ist auf eine derartige Weise ausgebildet, dass der stützende Teil 3b sich von dem scheibenförmigen Elektrodenteil 3a nach unten erstreckt. Wenn der stützende Teil 3b von der Unterdruckkammer 1 mittels des Isoliermaterials 5c gehalten wird, ist die untere Elektrode 3 befestigt und dabei elektrisch isoliert.
  • Die obere Elektrode 4 ist aus einem leitfähigen Material wie beispielsweise Aluminium auf dieselbe Weise wie die untere Elektrode 3 hergestellt. Der Stützteil 4b erstreckt sich von dem scheibenförmigen Elektrodenteil 4a nach oben. Der Stützteil 4b ist elektrisch zu der Unterdruckkammer 1 verlängert und kann durch den Elektroden-Anhebemechanismus 24, der in 7 dargestellt wird, angehoben werden. In dem Zustand, wenn die obere Elektrode 4 abgesenkt ist, wird zwischen der oberen Elektrode 4 und der unteren Elektrode 3 ein Entladungsraum zum Erzeugen einer elektrischen Plasmaentladung ausgebildet, der für die Plasmabearbeitung genutzt wird. Der Elektroden-Anhebemechanismus 24 fungiert als eine Einrichtung zum Ändern des Elektrodenabstandes. Wenn die obere Elektrode 4 durch den Elektroden-Anhebemechanismus 24 angehoben wird, kann der Elektrodenabstand D zwischen der unteren Elektrode 3 und der oberen Elektrode 4 geändert werden, der in 2 dargestellt wird.
  • Als Nächstes werden Erläuterungen hinsichtlich der Struktur der unteren Elektrode 3 sowie des zu bearbeitenden Halbleiter-Wafers gegeben. Eine obere Fläche des Elektrodenteils 3a der unteren Elektrode 3 ist eine Haltefläche in Form einer Ebene (Ebene), auf der der Halbleiter-Wafer abgelegt wird. In einem äußeren peripheren Teil der Haltefläche wird eine isolierende Beschichtungsschicht 3f bereitgestellt. Die isolierende Beschichtungsschicht 3f wird aus Keramik wie beispielsweise Aluminium hergestellt. In dem Zustand, wenn die untere Elektrode 3 in der Unterdruckkammer 1 befestigt ist, wie in 1 dargestellt, ist der äußere periphere Teil der isolierenden Beschichtungsschicht 3f teilweise mit dem Isolierkörper 5A bedeckt. Auf Grund der oben genannten Struktur ist der äußere periphere Teil der unteren Elektrode 3 von dem Plasma getrennt, das in dem Entladungsraum 2b erzeugt wird, so dass das Auftreten einer anomalen elektrischen Entladung verhindert werden kann.
  • 2 ist eine Ansicht, die einen Zustand darstellt, in dem der Halbleiter-Wafer 6 vor dem Beginn des Plasma-Trennens auf die untere Elektrode 3 gelegt wird. Der Halbleiter-Wafer 6 ist ein Halbleitersubstrat, dessen Hauptkomponente Silizium ist. Die Schutzfolie 30 ist an der den Schaltkreis bildenden Fläche (der ersten Fläche) der Oberfläche (der unteren Fläche in 2) des Halbleiter-Wafers 6 befestigt. In dem Zustand, wenn der Halbleiter-Wafer 6 auf die untere Elektrode 3 gelegt wird, befindet sich die Schutzfolie 30 in engem Kontakt mit der Haltefläche 3g des Elektrodenteils 3a.
  • Die Schutzfolie 30 besteht aus einer isolierenden Schicht, deren Dicke näherungsweise 100 μm beträgt und die aus einem isolierenden Kunstharz wie beispielsweise Polyimid hergestellt ist. Die Schutzfolie 30 ist mit Hilfe eines Klebemittels lösbar an der den Schaltkreis bildenden Fläche des Halbleiter-Wafers 6 befestigt. Wenn der Halbleiter-Wafer 6, an dem die Schutzfolie 30 befestigt ist, durch die untere Elektrode 3 gehalten wird, fungiert diese isolierende Schicht als Dielektrikum in dem Fall des elektrostatischen Anziehens des Halbleiter-Wafers 6 durch die Haltefläche 3g, wie zu einem späteren Zeitpunkt beschrieben wird.
  • Hinsichtlich des Materials der Schutzfolie 30 wird ein Material ausgewählt, das sich im Vergleich zu Silizium, das in dem Prozess des Plasma-Trennens der Haupt-Grundbestandteil des Halbleiter-Wafers ist, schlecht ätzen lässt. Auf Grund der vorgenannten Vorgänge fungiert die Schutzfolie 30 selbst dann als Ätzstoppschicht, wenn die Ätzrate des Halbleiter-Wafers teilweise fluktuiert, da die Verteilung der Ätzrate durch das Plasma in dem Prozess des Plasma-Trennens nicht gleichmäßig ist.
  • Auf der rückwärtigen Fläche (der zweiten Fläche) auf der gegenüberliegenden Seite (der oberen Seite in 2) der den Schaltkreis bildenden Fläche wird eine Maske zum Festlegen der Schneidelinien in dem Prozess des Plasma-Trennens ausgebildet, das zu einem späteren Zeitpunkt beschrieben wird. Diese Maske wird ausgebildet, wenn das Aufbringen eines Musters mit einem Fotolackfilm durchgeführt wird, nachdem die rückwärtige Fläche bearbeitet wurde, wie zu einem späteren Zeitpunkt beschrieben wird. Auf Grund der vorgenannten Vorgänge wird ein Bereich außer demjenigen Teil der Schneidelinie 31b, die dem Plasmaätzen unterworfen wird, mit dem Kunstharzfilm 31a überzogen.
  • Wie in 2 dargestellt, wird in der unteren Elektrode 3 eine Vielzahl von anziehenden Löchern 3e bereitgestellt, die in Richtung der Haltefläche 3g offen sind, und diese anziehenden Löcher 3e stehen mit den Sauglöchern 3c in Strömungsverbindung, die in der unteren Elektrode 3 bereitgestellt sind. Wie in 1 dargestellt, sind die Sauglöcher 3c über das Gasleitungs-Umschaltventil 11 mit der Vakuum-Saugpumpe 12 verbunden. Das Gasleitungs-Umschaltventil 11 ist mit dem N2-Gasversorgungsabschnitt 13 zum Bereitstellen von Stickstoffgas verbunden. Wenn das Gasleitungs-Umschaltventil 11 umgeschaltet wird, können die Sauglöcher 3c verbunden werden, wobei sie zwischen der Vakuum-Saugpumpe 12 und dem N2-Gasversorgungsabschnitt 13 selektiv umgeschaltet werden.
  • Wenn die Vakuumpumpe 12 in dem Zustand, wenn die Sauglöcher 3c mit der Vakuum-Saugpumpe 12 in Strömungsverbindung stehen, angetrieben wird, wird von den anziehenden Löchern 3e ein Ansaugen durchgeführt, und der Halbleiter-Wafer 6, der auf die untere Elektrode 3 gelegt wurde, wird durch den Unterdruck angezogen und gehalten. Demgemäß bilden die anziehenden Löcher 3e, die Sauglöcher 3c und die Vakuum-Saugpumpe 12 die anziehende und Halteeinrichtung zum Halten des Halbleiter-Wafers 6 in dem Zustand, wenn die Schutzfolie 30 in engem Kontakt mit der Haltefläche 3g des Elektrodenteils 3a steht, wenn Ansaugen von den anziehenden Löchern 3e durchgeführt wird, die zu der Haltefläche 3g der unteren Elektrode 3 hin offen sind.
  • Wenn die Sauglöcher 3c mit dem N2-Gasversorgungsabschnitt 13 verbunden sind, kann N2-Gas aus den anziehenden Löchern 3e auf die untere Fläche der Schutzfolie 30 geblasen werden. Wie zu einem späteren Zeitpunkt beschrieben wird, wird das N2-Gas, das aus den anziehenden Löchern 3e auf die untere Fläche der Schutzfolie 30 geblasen wird, zum Zweck des gewaltsamen Lösens der Schutzfolie 30 von der Haltefläche 3g ausgeblasen.
  • In der unteren Elektrode 3 wird ein Kühlmittel-Strömungskanal 3d bereitgestellt, in dem zum Kühlen genutztes Kühlmittel strömt. Der Kühlmittel-Strömungskanal 3d ist mit dem Kühlmechanismus 10 verbunden. Wenn der Kühlmechanismus 10 angetrieben wird, zirkuliert Kühlmittel wie beispielsweise Kühlwasser in dem Kühlmittel-Strömungskanal 3d. Daher werden die untere Elektrode 3 sowie die Schutzfolie 30 auf der unteren Elektrode 3, deren jeweilige Temperatur durch die während des Prozesses der Plasmabearbeitung erzeugte Hitze erhöht wird, durch das zirkulierende Kühlmittel gekühlt. Der Kühlmittel-Strömungskanal 3d und der Kühlmechanismus 10 bilden die Kühleinrichtung zum Kühlen der unteren Elektrode 3.
  • Der Auslassanschluss 1a, der mit der Bearbeitungskammer 2 in Strömungsverbindung steht, ist über das Auslass-Umschaltventil 7 mit der Vakuumpumpe 8 verbunden. Wenn das Auslass-Umschaltventil 7 umgeschaltet und die Vakuumpumpe 8 angetrieben wird, wird das Innere der Bearbeitungskammer 2 der Unterdruckkammer 1 durch einen Unterdruck entleert, so dass der Druck in der Bearbeitungskammer 2 verringert werden kann. Die Bearbeitungskammer 2 wird mit einem Drucksensor 28 bereitgestellt, der in 1 ausgelassen und in 4 dargestellt wird. Wenn der in 4 dargestellte und zu einem späteren Zeitpunkt beschriebene Steuerungsabschnitt 33 die Vakuumpumpe 8 gemäß dem Ergebnis der Messung des Druckes durch diesen Drucksensor 28 steuert, kann der Druck in der Bearbeitungskammer 2 auf einen gewünschten Wert verringert werden. Die Vakuumpumpe 8 bildet eine Druckreduziereinrichtung zum Verringern des Druckes in der Bearbeitungskammer 2 auf einen gewünschten Wert. Wenn das Auslass-Umschaltventil 7 auf die atmosphärische Luft-Seite umgeschaltet wird, wird die Atmosphäre in die Bearbeitungskammer 2 hineingeleitet, und der Druck in der Bearbeitungskammer 2 kann wieder auf atmosphärischen Druck gebracht werden.
  • Im Folgenden werden die oberen Elektroden 4 ausführlich erläutert. Die oberen Elektroden 4 umfassen: eine Mittenelektrode 4a; sowie einen verlängerten Teil 4f, der aus Isoliermaterial besteht, das den Elektrodenteil 4a umschließt und sich bis zum äußeren Umfangsteil der Mittenelektrode 4a erstreckt. Das Profil des verlängerten Teils 4f ist größer als das der unteren Elektrode 3 und so angeordnet, dass es sich außerhalb der unteren Elektrode 3 erstreckt. An dem Mittenteil auf der unteren Fläche der oberen Elektrode 4 wird ein Gas blasender Teil 4e bereitgestellt.
  • Der Gas blasende Teil 4e stellt Gas zum Erzeugen von Plasma bereit, das zum Erzeugen einer elektrischen Plasmaentladung in dem elektrischen Entladungsraum genutzt wird, der zwischen der oberen Elektrode 4 und der unteren Elektrode 3 ausgebildet ist. Der Gas blasende Teil 4e ist ein kreisförmiger Plattenteil, der aus einem porösen Material mit einer großen Anzahl winziger Löcher darin besteht. Gas zum Erzeugen von Plasma wird über die winzigen Löcher gleichförmig aus dem Gas enthaltenden Raum 4g in den elektrischen Entladungsraum geblasen, so dass das Gas gleichmäßig zugeführt werden kann.
  • In dem Stützteil 4b wird ein Gasversorgungsloch 4c bereitgestellt, das mit dem Gas enthaltenden Raum 4g in Strömungsverbindung steht. Das Gasversorgungsloch 4c ist über den Abschnitt zum Anpassen der Gas-Strömungsgeschwindigkeit 19 und das Gas-Umschaltventil 20 mit dem ersten Plasmaerzeugungsgas-Zuführungsabschnitt 21, dem zweiten Plasmaerzeugungsgas-Zuführungsabschnitt 22 sowie dem dritten Plasmaerzeugungsgas-Zuführungsabschnitt 23 verbunden. Der erste Plasmaerzeugungsgas-Zuführungsabschnitt 21 und der dritte Plasmaerzeugungsgas-Zuführungsabschnitt 23 leiten Mischgas ein, das Fluorgas enthält, wie beispielsweise Mischgas, in dem Schwefel-Hexafluorid (SF6) oder Kohlenstoff-Tetrafluorid (CF4) mit Heliumgas gemischt wird. Der zweite Plasmaerzeugungsgas-Zuführungsabschnitt 22 leitet Gas ein, das Sauerstoffgas (O2) enthält.
  • Wenn das Gas-Umschaltventil 20 umgeschaltet wird, kann entweder der erste Plasmaerzeugungsgas-Zuführungsabschnitt 21, der zweite Plasmaerzeugungsgas-Zuführungsabschnitt 22 oder der dritte Plasmaerzeugungsgas-Zuführungsabschnitt 23 das Plasmaerzeugungsgas von dem Gas blasenden Teil 4e in den elektrischen Entla dungsraum einleiten. Demgemäß bilden der erste Plasmaerzeugungsgas-Zuführungsabschnitt 21, der zweite Plasmaerzeugungsgas-Zuführungsabschnitt 22, der dritte Plasmaerzeugungsgas-Zuführungsabschnitt 23 sowie das Gas-Umschaltventil 20 die Plasmaerzeugungsgas-Zuführungseinrichtung zum selektiven Einleiten einer Vielzahl von Gasarten in die Bearbeitungskammer 2.
  • Wenn der Abschnitt zum Anpassen der Gas-Strömungsgeschwindigkeit 19 in dem oben genannten Plasmaerzeugungsgas-Zuführungssystem gemäß einem von dem Steuerungsabschnitt 33 gesendeten Befehl gesteuert wird, kann eine Strömungsgeschwindigkeit von dem elektrischen Entladungsraum zugeführtem Gas beliebig angepasst werden. Auf Grund der vorgenannten Vorgänge wird der Druck in der Bearbeitungskammer 2, in die Plasmaerzeugungsgas eingeleitet wird, gemäß der im Voraus eingestellten Plasmabearbeitungs-Bedingung und dem von dem Drucksensor 28 erkannten Druck in der Bearbeitungskammer 2 gesteuert. Demgemäß bildet der Abschnitt zum Anpassen der Gas-Strömungsgeschwindigkeit 19 die Drucksteuereinrichtung zum Steuern des Druckes in der Bearbeitungskammer 2.
  • In diesem Zusammenhang kann hinsichtlich der Drucksteuereinrichtung zum Steuern des Druckes in der Bearbeitungskammer 2 mit Ausnahme des oben genannten Verfahrens, in dem die Strömungsgeschwindigkeit des in die Bearbeitungskammer 2 eingeleiteten Gases angepasst wird, der Stand der Technik genutzt werden, beispielsweise das Verfahren, in dem ein Volumen von Auslassgas gesteuert wird, das außerhalb der Unterdruckkammer 2 abgelassen wird. In diesem Verfahren kann die zu nutzende Vakuumpumpe 8 eine Pumpe mit variabler Kapazität sein, und eine Auslasskapazität der Vakuumpumpe 8 kann von dem Steuerungsabschnitt 33 gesteuert werden. Alternativ dazu wird ein Ventil mit einstellbarem Öffnungsgrad, dessen Öffnungsgrad frei eingestellt werden kann, in dem Auslassloch 1a eingerichtet, und dieses Ventil mit einstellbarem Öffnungsgrad kann von dem Steuerungsabschnitt 33 gesteuert werden.
  • Die untere Elektrode 3 ist mit dem Abschnitt zum Zuführen von Hochfrequenz-Elektroenergie 17 über den Anpassungsschaltkreis 16 elektrisch verbunden. Wenn der Abschnitt zum Zuführen von Hochfrequenz-Elektroenergie 17 angetrieben wird, wird eine Hochfrequenzspannung zwischen die obere Elektrode 4, die elektrisch zu der Un terdruckkammer 1 fortgesetzt wird, die mit dem Erdungsabschnitt 9 geerdet ist, und die untere Elektrode 3 zugeführt. Auf Grund der vorgenannten Vorgänge wird in dem Entladungsraum zwischen der oberen Elektrode 4 und der unteren Elektrode 3 eine elektrische Plasmaentladung erzeugt. Demgemäß wird das der Bearbeitungskammer 2 zugeführte Plasmaerzeugungsgas in den Plasmazustand versetzt. Der Anpassungsschaltkreis 16 führt in dem Fall des Erzeugens dieses Plasmas eine Impedanzanpassung zwischen dem elektrischen Plasmaentladungs-Stromkreis in der Bearbeitungskammer 2 und dem Hochfrequenz-Elektroenergiequellenabschnitt 17 durch.
  • Die untere Elektrode 3 ist über einen RF-Filter 15 mit dem elektrostatisch anziehenden Wechselstrom-Elektroenergiequellenabschnitt 18 verbunden. Wenn der elektrostatisch anziehende Gleichstrom-Elektroenergiequellenabschnitt 18 angetrieben wird, wie in 3(a) dargestellt, sammeln sich negative elektrische Ladungen auf der Oberfläche der unteren Elektrode 3. Wenn durch Antreiben des Hochfrequenz-Elektroenergiequellenabschnittes 17 Plasma in der Bearbeitungskammer 2 erzeugt wird, wie durch den gepunkteten Teil 31 in 3(b) dargestellt, wird der Gleichstrom-Zuführungsstromkreis 32 zum Verbinden des Halbleiter-Wafers 6, der über die Schutzfolie 30 auf die Haltefläche 3g gelegt ist, mit dem Erdungsabschnitt 9 über das Plasma in der Bearbeitungskammer 2 ausgebildet. Auf Grund der vorgenannten Vorgänge wird ein geschlossener Stromkreis ausgebildet, in dem die untere Elektrode 3, der RF-Filter 15, der elektrostatisch anziehende Gleichstrom-Elektroenergiequellenabschnitt 18, der Erdungsabschnitt 9, das Plasma und der Halbleiter-Wafer 6 in dieser Reihenfolge nacheinander miteinander verbunden werden, und auf dem Halbleiter-Wafer 6 werden positive elektrische Ladungen angesammelt.
  • Zwischen den negativen elektrischen Ladungen, die auf der Haltefläche 3g der unteren Elektrode 3, die aus leitfähigem Material hergestellt wurde, angesammelt wurden, und den positiven elektrischen Ladungen, die auf dem Halbleiter-Wafer 6 angesammelt wurden, wirkt die Coulomb'sche Kraft. Durch die Coulomb'sche Kraft wird der Halbleiter-Wafer 6 von der unteren Elektrode 3 gehalten. Zu dieser Zeit verhindert der RF-Filter 15, dass die Hochfrequenzspannung des Hochfrequenz-Elektroenergiequellen-Abschnittes 17 direkt an den elektrostatisch anziehenden Gleichstrom-Elektroenergiequellenabschnitt 18 weitergegeben wird. In diesem Zusammenhang kann die Polarität des elektrostatisch anziehenden Gleichstrom-Elektroenergiequellenabschnittes 18 umgekehrt werden.
  • In der oben genannten Anordnung bildet der elektrostatisch anziehende Gleichstrom-Elektroenergiequellenabschnitt 18 die Gleichspannungs-Zuführungseinrichtung zum elektrostatischen Anziehen des Halbleiter-Wafers 6 durch Ausnutzen der Coulomb'schen Kraft, die zwischen dem Halbleiter-Wafer 6 und der Haltefläche 3g der unteren Elektrode 3 wirkt, die voneinander durch die Schutzfolie 30 getrennt sind, wenn Gleichspannung an die untere Elektrode 3 angelegt wird. Das heißt, hinsichtlich der Halteeinrichtung zum Halten des Halbleiter-Wafers 6 auf der unteren Elektrode 3 werden die durch Unterdruck anziehende Einrichtung zum Anziehen der Schutzfolie 30 durch Unterdruck über die Vielzahl von anziehenden Löchern 3e, die in Richtung der Haltefläche 3g offen sind, sowie die Gleichspannungs-Zuführungseinrichtung, wie oben beschrieben, bereitgestellt, und diese zwei Arten von Einrichtungen werden ordnungsgemäß genutzt.
  • In der oberen Elektrode 4 wird ein Kühlmittel-Strömungskanal 4d bereitgestellt. Der Kühlmittel-Strömungskanal 4d ist mit dem Kühlmechanismus 10 verbunden. Wenn der Kühlmechanismus 10 angetrieben wird, zirkuliert Kühlmittel wie beispielsweise Kühlwasser in dem Kühlmittel-Strömungskanal 4d. Auf Grund der vorgenannten Vorgänge wird die obere Elektrode 4 gekühlt, deren Temperatur durch die bei der Plasmabearbeitung erzeugte Hitze erhöht wird.
  • Auf der Seite der Bearbeitungskammer 2 wird ein Öffnungsteil 1b zum Hinein- und Herausbefördern eines zu bearbeitenden Objektes bereitgestellt, wie in 7 dargestellt. Außerhalb des Öffnungsteils 1b wird eine Tür 25 bereitgestellt, die durch den Türöffnungs- und -schließmechanismus 26 angehoben wird. Wenn die Tür 25 angehoben wird, kann der Öffnungsteil 1b geöffnet und geschlossen werden. 7 ist eine Ansicht, die einen Zustand darstellt, in dem die Tür 25 abgesenkt ist und das Öffnungsteil 1b geöffnet ist und der Halbleiter-Wafer 6 hinein- und hinausbefördert wird.
  • In dem Fall, dass der Halbleiter-Wafer 6 hinein- und hinausbefördert wird, wird die obere Elektrode 4 durch den Elektroden-Anhebemechanismus 24 angehoben, und ein Beför derungsraum wird auf der unteren Elektrode 3 sichergestellt. In diesem Zustand wird durch Betätigen des Armes 27a bewirkt, dass sich der anziehende Kopf 27, der den Halbleiter-Wafer 6 anzieht und hält, durch den Öffnungsteil 1b in die Bearbeitungskammer 2 hineinbewegt. Auf diese Weise wird der Halbleiter-Wafer 6 auf die untere Elektrode 3 befördert, und der Halbleiter-Wafer 6 (Halbleitervorrichtung), der verarbeitet wurde, wird von der unteren Elektrode 3 weg- und hinausbefördert.
  • Als Nächstes werden in Bezug auf 4 Erläuterungen hinsichtlich der Anordnung des Steuersystems der Plasmabearbeitungsvorrichtung gegeben. In 4 wird der Steuerungsabschnitt 33 mit dem Speicherabschnitt 34 zum Speichern verschiedener Daten und Bearbeitungsprogramme verbunden. In dem Speicherabschnitt 34 werden die Plasmabearbeitungsbedingung 34a und das Plasmabearbeitungs-Betriebsprogramm 34b gespeichert. Der Betriebs-Eingabeabschnitt 35 ist eine Eingabeeinrichtung wie beispielsweise eine Tastatur und gibt Daten wie beispielsweise eine Plasmabearbeitungsbedingung und einen Betriebsbefehl ein. Der Anzeigeabschnitt 36 ist eine Anzeigevorrichtung, die eine Führungsbildebene in dem Fall des Eingebens für einen Betrieb anzeigt.
  • In Bezug auf die in 11 dargestellte Datentabelle werden die Plasmabearbeitungsbedingungen 34a im Folgenden erläutert. Die Plasmabearbeitungsbedingungen 34a enthalten die erste, die zweite und die dritte Bedingung, die dem Plasma-Trennprozess, dem Veraschungsprozess zum Entfernen der Maske beziehungsweise dem Prozess zum Abbau von Spannungen mittels Plasma zum Entfernen der Mikro-Risse entsprechen. Wie in 11 dargestellt, setzen sich die Plasmabearbeitungsbedingungen aus der RF-Leistung [W], die eine Ausgabe einer Hochfrequenz-Elektroenergiequelle anzeigt, sowie aus einem Druck [Pa] und einem Elektrodenabstand [mm] zusammen. Die Daten für am besten für jeden Prozess geeignete Bedingungen werden in dem Speicherabschnitt 34 in Bezug auf jeden Punkt gespeichert, wie oben beschrieben.
  • In Bezug auf die zulässigen Bereiche, die als die Daten für Bedingungen in dem Prozess des Plasma-Trennens zugelassen werden können, beträgt der zulässige Bereich der RF-Leistung 500 bis 3000 [W], der zulässige Bereich des Verarbeitungsdruckes beträgt 5 bis 300 [Pa] und der zulässige Bereich für den Elektrodenabstand beträgt 5 bis 50 [mm]. In dem Speicherabschnitt 34 werden als die erste Bedingung diejenigen numerischen Werte gespeichert, die als die am besten geeigneten Werte in den oben genannten Bereichen betrachtet werden.
  • In Bezug auf den zulässigen Bereich, der als Daten für Bedingungen in dem Prozess des Veraschens zugelassen werden kann, beträgt der zulässige Bereich der RF-Leistung 100 bis 1000 [W], der zulässige Bereich des Verarbeitungsdruckes beträgt 5 bis 100 [Pa] und der zulässige Bereich für den Elektrodenabstand beträgt 50 bis 100 [mm]. In dem Speicherabschnitt 34 werden als die zweite Bedingung diejenigen numerischen Werte gespeichert, die als die am besten geeigneten Werte in den oben genannten Bereichen betrachtet werden.
  • In Bezug auf den zulässigen Bereich, der als Daten für Bedingungen in dem Prozess des Abbaus von Spannungen zugelassen werden kann, beträgt der zulässige Bereich der RF-Leistung 500 bis 3000 [W], der zulässige Bereich des Verarbeitungsdruckes beträgt 300 bis 2000 [Pa] und der zulässige Bereich für den Elektrodenabstand beträgt 50 bis 20 [mm]. In dem Speicherabschnitt 34 werden als die dritte Bedingung diejenigen numerischen Werte gespeichert, die als die am besten geeigneten Werte in den oben genannten Bereichen betrachtet werden.
  • In diesem Zusammenhang können in dem Fall, wenn die RF-Leistung in den Prozessen des Plasma-Trennens, Veraschens und Abbaus von Spannungen mittels Plasma nicht geändert wird, auch die RF-Strom-Bedingungen nicht individuell als die erste bis dritte Bedingung eingestellt werden.
  • In dem Plasmabearbeitungs-Betrieb, der gemäß dem Betriebsprogramm 34b durchgeführt wurde, steuert der Steuerungsabschnitt 33 das Gas-Umschaltventil 20, den Abschnitt zum Anpassen der Gas-Strömungsgeschwindigkeit 19, das Gasleitungs-Umschaltventil 11, den Hochfrequenz-Elektroenergiequellenabschnitt 17, den elektrostatisch anziehenden Gleichstrom-Elektroenergiequellenabschnitt 18, das Auslass-Umschaltventil 7, die Vakuumpumpe 8, die Vakuum-Saugpumpe 12, den Türöffnungs- und -schließmechanismus 26 sowie den Elektroden-Anhebemechanismus 24.
  • Zu dieser Zeit wird der Druck eingestellt, wenn der Steuerungsabschnitt 33 den Abschnitt zum Anpassen der Gas-Strömungsgeschwindigkeit 19 gemäß dem Druckerkennungs-Ergebnis des Drucksensors 28 und gemäß der oben genannten Plasmabearbeitungsbedingung 34a steuert. Auf dieselbe Weise werden auch der Elektrodenabstand D und die Ausgabe einer Hochfrequenz-Elektroenergiequelle auf die Plasmabearbeitungsbedingung eingestellt, wenn der Steuerungsabschnitt 33 den Hochfrequenz-Elektroenergiequellenabschnitt 17 sowie den Elektroden-Anhebemechanismus 24 steuert.
  • Die Plasmabearbeitungsvorrichtung ist zusammengesetzt wie oben beschrieben. In Bezug auf 5 und die anderen Zeichnungen erfolgen Erläuterungen hinsichtlich des Verfahrens des Herstellens der Halbleitervorrichtung, in dem die oben genannte Plasmabearbeitungsvorrichtung genutzt wird, sowie hinsichtlich des Plasmabearbeitungsverfahrens, das in dem Prozess des Verfahrens des Herstellens dieser Halbleitervorrichtung durchgeführt wird.
  • Zunächst ist in 5(a) die Referenznummer 6 ein Halbleiter-Wafer vor der Verarbeitung des Verringerns der Dicke, auf dem eine Vielzahl von Halbleiterelementen ausgebildet ist. In diesem Zustand überschreitet die Dicke des Halbleiter-Wafers 100 μm. Bevor die Verarbeitung des Verringerns der Dicke durchgeführt wird, wird die Schutzfolie 30, die durch Verwenden eines Klebemittel-Elementes abgezogen werden kann, an der den Schaltkreis bildenden Fläche (der ersten Fläche) des Halbleiter-Wafers 6 befestigt (Folienbefestigungs-Prozess). In diesem Fall ist das Profil der Schutzfolie 30 dasselbe wie das des Halbleiter-Wafers 6, so dass die Schutzfolie 30 die gesamte, den Schaltkreis bildende Fläche 6a abdecken und nicht über den Halbleiter-Wafer 6 herausragen kann. Auf Grund der vorgenannten Vorgänge wird die Schutzfolie 30 während der zu einem späteren Zeitpunkt durchgeführten Plasmabearbeitung Plasma nicht ausgesetzt. Daher ist es möglich zu verhindern, dass die Schutzfolie 30 durch Plasma beschädigt wird.
  • Anschließend wird die rückwärtige Fläche (die zweite Fläche) auf der gegenüberliegenden Seite zu der den Schaltkreis bildenden Fläche durch Bearbeiten abgetragen, wie in 5(b) dargestellt. Die Dicke t des Halbleiter-Wafers wird auf einen Wert verringert, der nicht mehr als 100 μm beträgt (Prozess des Verringerns der Dicke). In diesem Prozess des Verringerns der Dicke wird die Schicht von Mikro-Rissen 6b auf der bearbeiteten Fläche auf der rückwärtigen Seite erzeugt. Da diese Schicht von Mikro-Rissen 6b die mechanische Festigkeit des Halbleiter-Wafers 6 verringert, wird sie in dem Prozess entfernt, der zu einem späteren Zeitpunkt durchgeführt wird.
  • Anschließend wird nach dem Abschließen des Prozesses des Verringerns der Dicke auf der rückwärtigen Fläche die Maske ausgebildet, um die Schneidelinien zu bestimmen, die zum Teilen des Halbleiter-Wafers 6 in einzelne Stücke der Halbleiterelemente genutzt werden (der maskenbildende Prozess). Zunächst wird, wie in 5(c) dargestellt, der aus Kunstharz bestehende Fotolackfilm 31 auf der rückwärtigen Fläche ausgebildet, so dass er die gesamte Fläche des Halbleiter-Wafers 6 bedecken kann. Anschließend wird, wie in 5(d) dargestellt, das Muster durch Fotolithografie auf dem Fotolackfilm 31 ausgebildet, um somit Teile des Fotolackfilms 31 zu entfernen, die den Schneidelinien 31b entsprechen. Auf Grund der vorstehenden Vorgänge wird auf der rückwärtigen Fläche des Halbleiter-Wafers 6 die Maske ausgebildet, deren Bereich mit Ausnahme der Teile der Schneidelinien 31b mit dem Fotolackfilm 31a bedeckt ist. Der Halbleiter-Wafer 6, der die Maske in diesem Zustand besitzt, wird zu einem durch Plasmabearbeitung zu bearbeitenden Objekt.
  • In Bezug auf das in 6 dargestellte Ablaufdiagramm und darüber hinaus in Bezug auf jede Zeichnung wird im Folgenden das Plasmabearbeitungsverfahren erläutert, dessen zu bearbeitendes Objekt dieser Halbleiter-Wafer 6 mit der Maske ist. Zunächst wird, wie in 7 dargestellt, der Halbleiter-Wafer 6 mit der Maske in die Bearbeitungskammer 2 hineinbefördert (ST1). In dem Zustand dieses Beförderungsbetriebes wird der Arm 27a bedient, während die obere Elektrode 4 durch den Elektroden-Anhebemechanismus 24 angehoben wird, und der Halbleiter-Wafer 6, dessen Seite der maskenbildenden Fläche durch den anziehenden Kopf 27 gehalten wird, wird von dem Öffnungsteil 1b in die Bearbeitungskammer 2 befördert und der Halbleiter-Wafer 6 wird auf der unteren Elektrode 3 abgelegt.
  • Anschließend wird die Vakuum-Saugpumpe 12 angetrieben, um durch Unterdruck aus den anziehenden Löchern 3e anzusaugen, und das Ansaugen des Halbleiter-Wafers 6 durch Unterdruck wird eingeschaltet und der elektrostatisch anziehende Gleichstrom-Elektroenergiequellenabschnitt 18 wird eingeschaltet (ST2). Durch dieses Ansaugen durch Unterdruck wird der Halbleiter-Wafer 6 von der unteren Elektrode 3 gehalten, während die Schutzfolie 30 in engem Kontakt mit der Haltefläche 3g der unteren Elektrode 3 steht (der Prozess des Haltens des Wafers).
  • Anschließend wird, wie in 8 dargestellt, die Tür 25 geschlossen und die obere Elektrode 4 wird abgesenkt (ST3). Auf Grund der vorstehenden Vorgänge wird der Elektrodenabstand zwischen der oberen Elektrode 4 und der unteren Elektrode 3 auf den Elektrodenabstand D1 eingestellt, der durch die erste Bedingung der Plasmabearbeitungsbedingung dargestellt wird. Anschließend wird die Vakuumpumpe 8 in Gang gesetzt, um mit dem Dekomprimieren der Bearbeitungskammer 2 zu beginnen (ST4). Wenn der Unterdruck in der Bearbeitungskammer 2 einen vorgegebenen Wert erreicht hat, wird das Plasmatrenngas (das erste Plasmaerzeugungsgas) eingeleitet, das aus einem Mischgas besteht, welches Schwefel-Hexafluorid und Helium enthält (ST5).
  • Während des Prozesses des Gaseinleitens wird der Gasdruck in der Bearbeitungskammer 2 erfasst und mit der Plasmabearbeitungsbedingung verglichen, und es wird bestätigt, dass der Druck den durch die erste Bedingung dargestellten Wert erreicht hat (ST6). Das heißt, in den Schritten (ST3) und (ST6) wird sowohl der Elektrodenabstand D zwischen der unteren Elektrode 3 und der oberen Elektrode 4, die der unteren Elektrode 3 gegenüber liegt, als auch der Druck in der Bearbeitungskammer 2 auf die erste Bedingung der Plasmabearbeitungsbedingung eingestellt (der Schritt des Einstellens der ersten Bedingung).
  • Nachdem das Einstellen eines Zustandes abgeschlossen wurde, wird der Hochfrequenz-Elektroenergiequellenabschnitt 18 angetrieben und die Hochfrequenzspannung wird zwischen der oberen Elektrode 4 und der unteren Elektrode 3 zugeführt, um die elektrische Plasmaentladung zu starten (ST7). Auf Grund der vorstehenden Vorgänge wird das erste Plasmaerzeugungsgas, das Fluorgas enthält, in dem elektrischen Entladungsraum zwischen der oberen Elektrode 4 und der unteren Elektrode 3 in den Plasmazustand versetzt. Durch das Erzeugen von Plasma wird der Halbleiter-Wafer 6 einem Plasma aus Fluorgas wie beispielsweise Schwefel-Hexafluorid von der Seite der Maske (der Seite des Fotolackfilms 31a) ausgesetzt. Durch diese Bestrahlung von Plasma werden nur die Siliziumteile des Grundmaterials des Halbleiter-Wafers 6, die diejenigen Teile der Schneidelinien 31b sind, die nicht mit dem Fotolackfilm 31a bedeckt sind, durch das Plasma des Fluorgases mittels Plasma geätzt.
  • Zur gleichen Zeit wird ein Gleichstrom-Zuführungsstromkreis in dem elektrischen Entladungsraum zwischen der oberen Elektrode 4 und der unteren Elektrode 3 ausgebildet, wie in 3 dargestellt. Auf Grund der vorstehenden Vorgänge wird zwischen der unteren Elektrode 3 und dem Halbleiter-Wafer 6 eine elektrostatisch anziehende Kraft erzeugt, so dass der Halbleiter-Wafer 6 auf der unteren Elektrode 3 durch die elektrostatisch anziehende Kraft gehalten wird. Daher ist die Schutzfolie 30 in engem Kontakt mit der Haltefläche 3g der unteren Elektrode 3. Demgemäß kann der Halbleiter-Wafer 6 in dem Prozess der Plasmabearbeitung stabil gehalten werden. Zur gleichen Zeit kann die Schutzfolie 30 durch die von der unteren Elektrode 3 bereitgestellte Kühlfunktion gekühlt werden, so dass das Auftreten von Hitzeschäden verhindert werden kann, die durch die elektrische Plasmaentladung erzeugt werden.
  • Wenn das Plasmaätzen voranschreitet, wie in 5(e) dargestellt, wird die Schnittvertiefung 6d nur in einem Teil der Schneidelinie 31b ausgebildet. Wenn die Tiefe dieser Schnittvertiefung 6d die Gesamtdicke des Halbleiter-Wafers 6 erreicht, wird der Halbleiter-Wafer 6 in einzelne Stücke der Halbleiterelemente 6c geteilt, wie in 5(e) dargestellt (der Plasma-Trennschritt). Die elektrische Leistung der Hochfrequenz-Elektroenergiequelle wird gemäß der ersten Bedingung bestimmt, die in dem Bereich von 500 bis 3000 [W] eingestellt ist. Wenn eine vorgegebene Plasmabearbeitungszeit abgelaufen ist und der Betrieb des Plasma-Trennens abgeschlossen wurde, wird die elektrische Plasmaentladung gestoppt (ST8).
  • Anschließend wird der Abstand zwischen den Elektroden geändert, so dass der Prozess mit dem Schritt des Veraschens durch Plasma (ST9) fortgesetzt werden kann. Wie in 9 dargestellt, wird die obere Elektrode 4 angehoben und der Elektrodenabstand zwischen der oberen Elektrode 4 und der unteren Elektrode 3 wird auf den Elektrodenabstand D2 eingestellt, der durch die zweite Bedingung der Plasmabearbeitungsbedingung dargestellt wird. Der Elektrodenabstand D2 wird in dem Fall des Entfernens der Maske so eingestellt, dass er größer ist als der Elektrodenabstand D1 in dem Fall des oben beschriebenen Plasma-Trennens und der Elektrodenabstand D3 in dem Fall des Entfernens der Mikro-Risse, das zu einem späteren Zeitpunkt beschrieben wird.
  • Anschließend wird das Gas zum Veraschen durch Plasma (das zweite Plasmaerzeugungsgas) von dem zweiten Plasmaerzeugungsgas-Zuführungsabschnitt 22 eingeleitet (ST10). Anschließend wird der Gasdruck in der Bearbeitungskammer 2 während des Prozesses des Einleitens von Gas erfasst und mit der Plasmabearbeitungsbedingung verglichen, um zu bestätigen, dass der Druck den durch die zweite Bedingung dargestellten Druck erreicht hat (ST11). Das heißt, in (ST9) und (ST11) werden der Elektrodenabstand und der Druck in der Bearbeitungskammer 2 auf die zweite Bedingung der Plasmabearbeitung eingestellt (der Schritt zum Einstellen eines zweiten Zustandes).
  • Nachdem das Einstellen des Zustandes abgeschlossen wurde, wird der Hochfrequenz-Elektroenergiequellenabschnitt 18 angetrieben und eine Hochfrequenzspannung wird zwischen der oberen Elektrode 4 und der unteren Elektrode 3 zugeführt, um die elektrische Plasmaentladung zu starten (ST12). Auf Grund der vorstehenden Vorgänge wird das zweite Plasmaerzeugungsgas, das Sauerstoffgas enthält, in dem elektrischen Entladungsraum zwischen der oberen Elektrode 4 und der unteren Elektrode 3 in den Plasmazustand versetzt. Wenn das somit erzeugte Plasma auf die Seite der Maskenausbildungsflache (die Seite der zweiten Fläche) des Halbleiter-Wafers 6 einwirkt, wird der aus organischem Material bestehende Kunstharzfilm 31a durch das Plasma von Sauerstoffgas verascht.
  • Wenn dieser Prozess des Veraschens voranschreitet, wird der Fotolackfilm 31a stufenweise entfernt. Schließlich wird die Maske von der Seite der zweiten Fläche des Halbleiter-Wafers 6 vollständig entfernt, wie in 5(f) dargestellt (der Masken-Entfernungsschritt). Die elektrische Leistung der Hochfrequenz-Elektroenergiequelle in diesem Masken-Entfernungsschritt ist die zweite Bedingung, die in dem Bereich von 100 bis 1000 [W] eingestellt ist. Nachdem die Maske vollständig entfernt wurde, wird die elektrische Plasmaentladung gestoppt (ST13).
  • Anschließend wird der Abstand zwischen den Elektroden geändert, so dass der Prozess mit dem Schritt zum Entfernen von Mikro-Rissen (ST14) fortgesetzt werden kann. Wie in 10 dargestellt, wird die obere Elektrode 4 erneut abgesenkt und der Elektrodenabstand zwischen der oberen Elektrode 4 und der unteren Elektrode 3 wird auf den Elektrodenabstand D3 eingestellt, der durch die dritte Bedingung der Plasmabearbeitungsbedingung dargestellt wird.
  • Anschließend wird das Gas zum Plasmaätzen (das dritte Plasmaerzeugungsgas) zum Entfernen der Mikro-Risse von dem dritten Plasmaerzeugungsgas-Zuführungsabschnitt 23 eingeleitet (ST15). In diesem Fall wird in dem Schritt zum Entfernen von Mikro-Rissen dieselbe Gasart wie das in dem Plasma-Trennschritt genutzte Plasmaerzeugungsgas (das erste Plasmaerzeugungsgas) genutzt, das heißt, ein Mischgas, das Schwefel-Hexafluorid, also ein Fluorgas, und Helium enthält. In diesem Zusammenhang ist es möglich, dass in dem Fall, wenn immer dieselbe Gasart wie das erste Plasmaerzeugungsgas als das dritte Plasmaerzeugungsgas genutzt wird, der dritte Plasmaerzeugungsgas-Zuführungsabschnitt 23 nicht bereitgestellt wird, und der erste Plasmaerzeugungsgas-Zuführungsabschnitt 21 kann auch als der dritte Plasmaerzeugungsgas-Zuführungsabschnitt 23 genutzt werden.
  • Anschließend wird der Gasdruck in der Bearbeitungskammer 2 während des Prozesses des Einleitens von Gas erfasst und mit der Plasmabearbeitungsbedingung verglichen, um zu bestätigen, dass der Druck den durch die erste Bedingung dargestellten Druck erreicht hat (ST16). Das heißt, in (ST14) und (ST16) werden der Elektrodenabstand und der Druck in der Bearbeitungskammer 2 auf die dritte Bedingung der Plasmabearbeitung eingestellt (der Schritt zum Einstellen eines dritten Zustandes).
  • Nachdem das Einstellen des Zustandes abgeschlossen wurde, wird der Hochfrequenz-Elektroenergiequellenabschnitt 18 angetrieben und eine Hochfrequenzspannung wird zwischen der oberen Elektrode 4 und der unteren Elektrode 3 zugeführt, so dass die elektrische Plasmaentladung gestartet wird (ST17).
  • Auf Grund der vorgenannten Vorgänge wird das dritte Plasmaerzeugungsgas, das Fluorgas enthält, in dem elektrischen Entladungsraum zwischen der oberen Elektrode 4 und der unteren Elektrode 3 in den Plasmazustand versetzt.
  • Wenn das somit erzeugte Plasma auf den Halbleiter-Wafer 6 einwirkt, wie in 5(g) dargestellt, wird die Schicht von Mikro-Rissen 6b, die auf der Fläche (der zweiten Fläche) auf der Seite der Masken-Entfernung des Halbleiter-Elementes 6c verbleibt, das in einzelne Stücke unterteilt wurde, durch Plasmaätzen entfernt (der Schritt zum Entfernen von Mikro-Rissen). Die elektrische Leistung der Hochfrequenz-Elektroenergiequelle in dem Schritt zum Entfernen von Mikro-Rissen ist die dritte Bedingung, die in dem Bereich von 50 bis 3000 [W] eingestellt wird. Wenn eine vorgegebene Zeit abgelaufen ist, wird die elektrische Plasmaentladung gestoppt (ST18).
  • Anschließend wird der Betrieb der Vakuumpumpe 8 gestoppt (ST19) und das Auslass-Umschaltventil 7 wird umgeschaltet, um sich zu der atmosphärischen Luft zu öffnen (ST20). Auf Grund der vorstehenden Vorgänge wird der Druck in der Bearbeitungskammer wieder auf atmosphärischen Druck gebracht. Anschließend wird der Zustand des Ansaugens durch Unterdruck abgeschaltet und die elektrostatisch anziehende Gleichstrom-Elektroenergiequelle wird abgeschaltet (ST21). Auf Grund der vorstehenden Vorgänge kann der Halbleiter-Wafer 6, der in einzelne Stücke der Halbleiterelemente unterteilt und von der Schutzfolie 30 angezogen und auf dieser gehalten wurde, freigegeben werden.
  • Anschließend wird der Halbleiter-Wafer 6, dessen Plasmabearbeitung abgeschlossen wurde, hinausbefördert (ST22). Während Stickstoffgas aus den anziehenden Löchern 3e geblasen wird, wird der Halbleiter-Wafer 6 durch den anziehenden Kopf 27 angezogen und gehalten und aus der Bearbeitungskammer 2 hinausbefördert. Auf diese Weise wird die Plasmabearbeitung abgeschlossen, bei der die Schritte des Plasma-Trennens, des Veraschens sowie des Plasmaätzens durch dieselbe Plasmabearbeitungsvorrichtung fortgesetzt durchgeführt werden.
  • In dieser Serie der Plasmabearbeitung ist die Schutzfolie 30 vollständig mit dem Halbleiter-Wafer 6 bedeckt, wie vorstehend beschrieben. Daher wird die Schutzfolie 30 nicht Plasma ausgesetzt. Demgemäß werden an der Schutzfolie 30 keine Schäden verursacht, das heißt, an der Schutzfolie 30 wird keine thermische Verformung verursacht. Demgemäß kommt die Schutzfolie 30 immer in engen Kontakt mit der Haltefläche 3g und dem Halbleiter-Wafer 6 und erfüllt ihre Funktion der Schutzfolie.
  • Anschließend wird der Halbleiter-Wafer 6 zusammen mit der Schutzfolie 30 hinausbefördert, wird zu dem Schritt des Abziehens der Schutzfolie geschickt, und die Schutzfolie 30 wird von der den Schaltkreis bildenden Fläche der Halbleiter-Vorrichtung abgezogen, die erhalten wurde, wenn der Halbleiter-Wafer 6 in einzelne Stücke der Halbleiterelemente 6c unterteilt wurde (der Schritt des Abziehens der Schutzfolie). Wie in 5(h) dargestellt, wird die Schutzfolie 30 anschließend abgezogen, die Klebemittelfolie 37 zum Halten ist auf der zweiten Fläche des Halbleiterelementes 6c befestigt und jedes Halbleiterelement 6c wird auf der Klebemittelfolie 37 gehalten.
  • Wie oben erläutert, wird bei dem Verfahren des Herstellens einer Halbleitervorrichtung der vorliegenden Ausführungsform zuerst die Maske zum Bestimmen der Schneidelinien zum Teilen des Halbleiter-Wafers in einzelne Stücke der Halbleiterelemente ausgebildet. Anschließend werden die drei Prozesse der Plasmabearbeitung, deren Aufgaben sich voneinander unterscheiden, an dem Halbleiter-Wafer durchgeführt, auf dem diese Maske ausgebildet wird.
  • Der Plasma-Trennschritt, bei dem Plasma von der Seite der Maske auftrifft, um Plasmaätzen an Teilen der Schneidelinien durchzuführen und den Halbleiter-Wafer in einzelne Stücke der Halbleiterelemente zu unterteilen, der Masken-Entfernungsschritt, bei dem die Maske durch Verwendung von Plasma entfernt wird, sowie der Schritt zum Entfernen von Mikro-Rissen, bei dem die während des Schrittes des Verringerns der Dicke erzeugten Mikro-Risse entfernt werden, werden fortgesetzt in der oben genannten Reihenfolge durchgeführt.
  • Die Plasmabearbeitungsvorrichtung zum Durchführen einer Serie der oben beschriebenen Plasmabearbeitung umfasst: eine Drucksteuereinrichtung, die den Druck in der Bearbeitungskammer steuert; eine Einrichtung zum Einleiten von Plasmaerzeugungsgas, die selektiv eine Vielzahl von Typen von Plasmaerzeugungsgasen in die Bearbeitungskammer einleitet; sowie eine Einrichtung zum Ändern des Elektrodenabstandes, die einen Abstand zwischen der unteren und der oberen Elektrode ändert.
  • Auf Grund der vorgenannten Vorgänge wird es möglich, die Plasmabearbeitungsbedingung in derselben Vorrichtung gemäß dem Objekt der Verarbeitung umzuschalten. Da her können der Plasma-Trennschritt, bei dem der Halbleiter-Wafer durch Plasmaätzen in einzelne Stücke der Halbleiterelemente unterteilt wird, der Masken-Entfernungsschritt, bei dem durch die Verwendung von Plasma die Maske entfernt wird, sowie der Schritt zum Entfernen von Mikro-Rissen, bei dem die während des Schrittes des Verringerns der Dicke erzeugten Mikro-Risse entfernt werden, fortgesetzt, effizient von derselben Plasmabearbeitungsvorrichtung durchgeführt werden.
  • Demgemäß können verschiedene Probleme effizient gelöst werden, die nach dem Stand der Technik auftraten, bei dem die Schritte des Abbaus von Spannungen, der Ausbildung der Maske sowie des Plasma-Trennens nacheinander durchgeführt werden.
  • Es ist möglich, eine Halbleitervorrichtung ohne einen komplizierten Herstellungsprozess herzustellen, bei dem der Halbleiter-Wafer nach dem Abschluss der Plasmabearbeitung zum Abbau von Spannungen aus der Plasmabearbeitungsvorrichtung herausbefördert wird, dann wird die Maske darauf ausgebildet und der Halbleiter-Wafer wird erneut in die Plasmabearbeitungsvorrichtung hineinbefördert, ohne dass die Gerätekosten der Fertigungsanlage steigen und die Produktionseffizienz sinkt. Darüber hinaus ist es möglich, das Auftreten von Schäden an einem sehr dünnen Halbleiter-Wafer zu verhindern, dessen Dicke durch Bearbeiten verringert wurde, wenn der sehr dünne Halbleiter-Wafer zwischen den Prozessen transportiert und gehandhabt wird. Daher wird es möglich, den Ertrag der Verarbeitung zu erhöhen.
  • In dieser Ausführungsform wird ein Beispiel bereitgestellt, bei dem der Plasma-Trennschritt unter Nutzung einer Art von Mischgas, das Fluorgas enthält, durchgeführt wird. Der Plasma-Trennschritt kann jedoch durchgeführt werden, während eine Vielzahl von Typen von Gas schrittweise ausgetauscht wird. So können beispielsweise die Anordnung der Plasmaerzeugungsgas-Zuführungseinrichtung und der Prozess dahingehend geändert werden, dass die Schicht von SiO2 des Halbleiter-Wafers durch Plasma von Fluorgas aus Wasserstoffbrückenbildung geätzt wird und der Schutzfilm (der Passivierungsfilm) durch Plasma von Sauerstoffgas geätzt wird.
  • Industrielle Anwendung
  • Gemäß Anspruch 1, dem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung der vorliegenden Erfindung, wird ein Halbleiter-Wafer, auf dem eine Maske ausgebildet wird, um Schneidelinien zu bestimmen, die zum Zerteilen eines Halbleiter-Wafers in einzelne Stücke von Halbleiterelementen genutzt werden, den Schritten wie folgt unterworfen. Der Halbleiter-Wafer wird einem Plasma-Trennschritt zum Teilen des Halbleiter-Wafers in einzelne Stücke unterworfen, indem Plasmaätzen auf den Schneidelinien durchgeführt wird, wenn der Halbleiter-Wafer von der Seite der Maske Plasma ausgesetzt ist; der Halbleiter-Wafer wird darüber hinaus einem Masken-Entfernungsschritt zum Entfernen der Maske durch Nutzung von Plasma unterworfen; der Halbleiter-Wafer wird darüber hinaus einem Schritt zum Entfernen von Mikro-Rissen zum Entfernen von Mikro-Rissen unterworfen, die in dem Schritt des Verringerns der Dicke erzeugt wurden. Wenn diese Schritte fortgesetzt in der oben genannten Reihenfolge durchgeführt werden, kann der Herstellungsprozess der Halbleitervorrichtung vereinfacht werden, so dass die Gerätekosten verringert und die Produktionseffizienz verbessert werden können. Darüber hinaus kann verhindert werden, dass der Halbleiter-Wafer beschädigt wird, während er transportiert und gehandhabt wird, und die Ausbeute der Bearbeitung kann verbessert werden.
  • Gemäß Anspruch 11, der Plasmabearbeitungsvorrichtung, die in dem Plasmabearbeitungsverfahren der vorliegenden Erfindung genutzt wird, umfasst die Plasmabearbeitungsvorrichtung: eine Drucksteuereinrichtung, die den Druck in einer Bearbeitungskammer steuert; einen Abschnitt zum Einleiten von Plasmaerzeugungsgas, der selektiv eine Vielzahl von Typen von Plasmaerzeugungsgasen in die Bearbeitungskammer einleitet; sowie eine Einrichtung zum Ändern des Elektrodenabstandes, die einen Elektrodenabstand zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode ändert, des Weiteren können ein Plasma-Trennschritt zum Teilen eines Halbleiter-Wafers in einzelne Stücke von Halbleiterelementen durch Plasmaätzen, ein Masken-Entfernungsschritt zum Entfernen einer Maske durch Verwendung von Plasma sowie ein Schritt zum Entfernen von Mikrorissen zum Entfernen von Mikro-Rissen, die in dem Schritt des Verringerns der Dicke erzeugt wurden, fortgesetzt und effizient durch dieselbe Plasmabearbeitungsvorrichtung durchgeführt werden.

Claims (11)

  1. Plasmabearbeitungsverfahren, bei dem der Schritt des Plasma-Trennens (plasma dicing), des Entfernens einer Maske (31) und des Entfernens von Mikro-Rissen (6b) durch Ausführen von Plasmabearbeitung an einem Halbleiter-Wafer (6) ausgeführt werden, wobei an der ersten Fläche mit Halbleiterelementen desselben eine Schutzfolie (30) angebracht ist und an der zweiten Fläche an der der ersten Fläche gegenüberliegenden Seite desselben eine Maske (31) ausgebildet ist, um Schnittlinien (31b) zum Teilen des Halbleiter-Wafers (6) in einzelne Stücke der Halbleiterelemente zu bestimmen, und wobei das Plasmabearbeitungsverfahren umfasst: ein Wafer-Halteschritt, in dem der Halbleiter-Wafer mittels einer ersten Elektrode (3) in dem Zustand gehalten wird, in dem die Schutzfolie (30) in engem Kontakt mit einer Ebene der ersten Elektrode (3) in einer Bearbeitungskammer (2) ist; ein Schritt zum Einstellen eines ersten Zustandes, in dem ein Elektrodenabstand (D) zwischen der ersten Elektrode (3) und einer zweiten Elektrode (4), die so angeordnet ist, dass sie der ersten Elektrode gegenüberliegt, und Druck in der Bearbeitungskammer in einen ersten Zustand eingestellt werden; einen Plasma-Trennschritt, in dem Teile der Schneidelinien mittels Plasma geätzt werden, wenn ein erstes Plasmaerzeugungsgas in die Bearbeitungskammer (2) eingeleitet wird und eine Hochfrequenzspannung zwischen der ersten Elektrode (3) und der zweiten Elektrode (4) zugeführt wird, so dass das erste Plasmaerzeugungsgas in einen Plasmazustand versetzt wird; einen Schritt zum Einstellen eines zweiten Zustandes, in dem der Abstand zwischen den Elektroden (3, 4) und der Druck in der Bearbeitungskammer (2) in einen zweiten Zustand eingestellt werden; einen Masken-Entfernungsschritt, in dem die Maske (31) durch Veraschen entfernt wird, wenn ein zweites Plasmaerzeugungsgas in die Bearbeitungskammer eingeleitet wird und ein Hochfrequenzstrom zwischen der ersten Elektrode (3) und der zweiten Elektrode (4) zugeführt wird, so dass das zweite Plasmaerzeugungsgas in einen Plasmazustand versetzt wird; einen Schritt zum Einstellen eines dritten Zustandes, in dem der Abstand zwischen den Elektroden (3, 4) und der Druck in der Bearbeitungskammer in einen dritten Zustand eingestellt werden; und einen Schritt zum Entfernen von Mikrorissen, in dem Mikrorisse (6b), die an der zweiten Fläche verbleiben, von der die Maske (31) entfernt worden ist, durch Plasmaätzen enffernt werden, wenn ein drittes Plasmaerzeugungsgas in die Bearbeitungskammer (2) eingeleitet wird und eine Hochfrequenzspannung zwischen der ersten Elektrode (3) und der zweiten Elektrode (4) zugeführt wird, so dass das dritte Plasmaerzeugungsgas in einen Plasmazustand versetzt wird.
  2. Plasmabearbeitungsverfahren nach Anspruch 1, wobei das erste Plasmaerzeugungsgas ein Mischgas ist, das Fluorgas enthält.
  3. Plasmabearbeitungsverfahren nach Anspruch 1, wobei das zweite Plasmaerzeugungsgas Sauerstoff enthält.
  4. Plasmabearbeitungsverfahren nach Anspruch 1, wobei das dritte Plasmaerzeugungsgas ein Mischgas ist, das Fluorgas enthält.
  5. Plasmabearbeitungsverfahren nach Anspruch 1, wobei das erste Plasmaerzeugungsgas und das dritte Plasmaerzeugungsgas der gleiche Typ Mischgas sind.
  6. Plasmabearbeitungsverfahren nach Ansprach 1, wobei der Druck in der Bearbeitungskammer (2) in dem ersten Zustand in dem Bereich von 5 bis 300 Pa eingestellt ist und der Abstand der Elektroden (3, 4) in dem Bereich von 5 bis 50 mm eingestellt ist.
  7. Plasmabearbeitungsverfahren nach Anspruch 1, wobei der Druck in der Bearbeitungskammer (2) in dem zweiten Zustand in dem Bereich von 5 bis 100 Pa eingestellt ist und der Elektrodenabstand in dem Bereich von 50 bis 100 mm eingestellt ist.
  8. Plasmabearbeitungsverfahren nach Anspruch 1, wobei der Druck in der Bearbeitungskammer (2) in dem dritten Zustand in dem Bereich von 300 bis 2000 Pa eingestellt ist und der Elektrodenabstand in dem Bereich von 5 bis 20 mm eingestellt ist.
  9. Plasmabearbeitungsverfahren nach Anspruch 6, wobei die elektrische Leistung der Hochfrequenz-Elektroenergiequelle (17) in dem Plasma-Trennschritt 500 bis 3000 W beträgt.
  10. Plasmabearbeitungsverfahren nach Anspruch 7, wobei die elektrische Leistung der Hochfrequenz-Elektroenergiequelle (17) in dem Masken-Entfernungsschritt 100 bis 1000 W beträgt.
  11. Plasmabearbeitungsverfahren nach Anspruch 1, bei dem eine Piasmabearbeitungsvorrichtung verwendet wird, die umfasst: eine Bearbeitungskammer (2); eine erste Elektrode (3), die eine Ebene (3a) aufweist, mit der die Schutzfolie (30) in der Bearbeitungskammer (2) in engen Kontakt kommt; eine zweite Elektrode (4), die der ersten Elektrode (3) in der Bearbeitungskammer (2) gegenüberliegt; eine Halteeinrichtung (3c, 12), mit der der Halbleiterwafer durch die erste Elektrode (3) in dem Zustand gehalten wird, in dem die Schutzfolie in engen Kontakt mit der Ebene kommt; eine Druckreduziereinrichtung (7, 8) zum Reduzieren von Druck in der Bearbeitungskammer auf einen vorgegebenen Wert; eine Einrichtung (21, 22, 23) zum Einleiten von Plasmaerzeugungsgas, die eine Vielzahl von Typen von Plasmaerzeugungsgasen selektiv in die Bearbeitungskammer (2) einleitet; eine Drucksteuereinrichtung (28), die den Druck in der Bearbeitungskammer (2) steuert, wenn Plasmaerzeugungsgas eingeleitet wird; einen Abschnitt (17) zum Zuführen von Hochfrequenz-Elektroenergie, der der ersten Elektrode (3) eine Hochfrequenzspannung zuführt, um das Plasmaerzeugungsgas, das in die Bearbeitungskammer eingeleitet worden ist, in einen Plasmazustand zu versetzen; und eine Einrichtung (24) zum Ändern des Elektrodenabstandes, die einen Abstand zwischen der ersten (3) und der zweiten Elektrode (4) ändert.
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