DE4128779A1 - Vorrichtung und verfahren zum bilden einer feinstruktur - Google Patents

Vorrichtung und verfahren zum bilden einer feinstruktur

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Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Bilden einer Feinstruktur, insbesondere zum Bilden einer Feinstruktur mit besonders hoher Qualität.
Fig. 4 ist ein schematischer Querschnitt einer konventionel­ len Vorrichtung zum Bilden einer Feinstruktur, z. B. einer Plasmaätzvorrichtung. Dabei ist ein Halbleitersubstrat 2, auf dem eine Feinstruktur gebildet wird, in einer Vakuumkammer l angeordnet. Das Halbleitersubstrat 2 trägt auf seiner Ober­ fläche beispielsweise eine polykristalline Siliciumdünn­ schicht und auf dieser eine Fotoresiststruktur, die als ätz­ beständige Maske dient. In der Vakuumkammer 1 liegt das Halb­ leitersubstrat 2 auf einem Probenträger 4, der gleichzeitig als Elektrode dient und an eine Hochfrequenz-Stromquelle 3 angeschlossen ist, um HF-Energie zuzuführen (nachstehend ein­ fach als "Elektrode 4" bezeichnet) . Dem Halbleitersubstrat 2 gegenüberstehend ist eine Elektrode 6 angeordnet, in der Gas­ düsen 5 vorgesehen sind, aus denen ein Ätzgas, das ein reak­ tives Gas wie beispielsweise Chlorgas ist, gleichmäßig auf das Halbleitersubstrat 2 gerichtet wird. Die Vakuumkammer 1 hat einen Evakuierungsstutzen 7, durch die sie evakuiert wird, und einen Gaszuführstutzen 8, durch den das reaktive Ätzgas in die Vakuumkammer 1 eingeleitet wird.
Die so ausgelegte konventionelle Vorrichtung zum Bilden von Feinstrukturen wird wie folgt betrieben. Zuerst wird ein Ätz­ gas durch den Gaszuführstutzen 8 in das Innere der Vakuumkam­ mer 1 und durch die Gasdüsen geleitet, während die Vakuumkam­ mer 1 mit Hilfe einer Evakuierungseinrichtung (nicht gezeigt) durch den Evakuierungsstutzen 7 evakuiert wird. Dann wird von der HF-Stromversorgung 3 zwischen der Elektrode 4 und der ihr gegenüberstehenden Elektrode 6 eine HF-Spannung angelegt zur Erzeugung einer Glimmentladung. Dadurch wird das in die Va­ kuumkammer 1 eingeleitete Ätzgas aktiviert und bildet ein Plasma, so daß aktive neutrale Moleküle, neutrale Atome und Ionen erzeugt werden. Das Ätzen des Halbleitersubstrats 2 läuft aufgrund der Anwesenheit dieser Moleküle, Atome und Ionen ab, so daß eine Feinstruktur gebildet wird.
Das oben erläuterte konventionelle Verfahren zum Bilden einer Feinstruktur weist die folgenden Nachteile auf:
1) Gleichmäßigkeit der Ätzrate
Da bei den konventionellen Verfahren eine räumliche Vertei­ lung des aktivierten Halogengases oder der Halogenionen er­ folgt, tritt bei der Bildung einer Feinstruktur auf einer Probe mit großem Durchmesser eine Verteilung der Ätzrate in der gleichen Ebene auf. Eine Verminderung der Ätzrate macht eine große Ätzkammer erforderlich.
2) Ätzselektivität in bezug auf eine Grundschicht
Bei den konventionellen Verfahren wird ein Ätzmittel wie etwa geladene Teilchen in beschleunigtem Zustand auf die Probe ab­ gestrahlt. Infolgedessen wird die zu ätzende Oberfläche be­ schädigt, und es kann keine ausreichende Selektivität in be­ zug auf die als Ätzschutz dienende Schicht erreicht werden.
3) Verringerung der Ätzrate einer Feinstruktur infolge des Mikrobeladungs-Effekts
Da bei den konventionellen Verfahren die Richteigenschaft des Ätzmittels unbefriedigend ist, wird die in einen Zwischenraum einer Feinstruktur zuzuführende Ätzmittelmenge verringert, wodurch die Ätzrate abnimmt. Außerdem hängt der Grad der Haf­ tung eines Reaktionsprodukts an der Seitenwand einer beim Ät­ zen gebildeten Struktur von der Strukturgröße ab. Es muß also die Abhängigkeit des anisotropen Ätzprofils von der Struktur­ größe berücksichtigt werden.
4) Die oben beschriebenen Probleme der konventionellen Ver­ fahren führen zu einer Verschlechterung der Eigenschaften der durch die Feinstruktur gebildeten aktiven Bauelemente
Die Erfindung richtet sich auf die Beseitigung der vorgenann­ ten Probleme der konventionellen Verfahren zum Bilden von Feinstrukturen, und die Aufgabe der Erfindung ist die Bereit­ stellung einer Vorrichtung sowie eines Verfahrens zum Bilden einer Feinstruktur, wobei eine gleichmäßige Plasmadichte, eine gleichmäßige Elektronendichte, eine Steigerung der Ätz­ rate, eine Einschränkung des Haftens eines Reaktionsprodukts an der Vakuumkammer sowie eine Begrenzung der Aufladung einer Probe aufgrund der Verbesserung der Gleichmäßigkeit der Elek­ tronendichte sichergestellt werden.
Zur Lösung dieser Aufgabe sieht die Erfindung gemäß einem Aspekt eine Vorrichtung zum Bilden einer Feinstruktur vor, die folgendes aufweist: eine Vakuumkammer; eine Einrichtung zum Einleiten eines reaktiven Gases in die Vakuumkammer; eine Plasmaerzeugungseinrichtung, die in der Vakuumkammer ein Plasma des reaktiven Gases erzeugt; einen als eine Elektrode dienenden Probenträger, der in der Vakuumkammer angeordnet ist und eine Probe trägt und mit der Plasmaerzeugungseinrich­ tung gekoppelt ist; eine Einrichtung zum Erzeugen einer ela­ stischen Welle, die an einem Wandteil der Vakuumkammer ange­ ordnet ist; und eine Einrichtung zum Evakuieren des Inneren der Vakuumkammer.
Gemäß einem anderen Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zum Bilden einer Feinstruktur angegeben, das folgende Schritte aufweist: Anordnen einer Probe, auf der eine Fein­ struktur gebildet wird, auf einem als eine Elektrode dienen­ den Probenträger in einer Vakuumkammer; Evakuieren des Inne­ ren der Vakuumkammer auf ein vorbestimmtes Vakuum; Einleiten eines reaktiven Gases in die Vakuumkammer; Erzeugen eines Plasmas des reaktiven Gases in der Vakuumkammer mit Hilfe des Probenträgers und der Plasmaerzeugungseinrichtung; und Bilden einer Feinstruktur unter gleichzeitigem Anlegen einer elasti­ schen Welle an die Vakuumkammer von einer an der Wand der Va­ kuumkammer angeordneten Einrichtung zum Erzeugen einer ela­ stischen Welle.
Die Erfindung wird nachstehend, auch hinsichtlich weiterer Merkmale und Vorteile, anhand der Beschreibung von Ausfüh­ rungsbeispielen und unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Die Zeichnungen zeigen in
Fig. 1 einen schematischen Querschnitt eines Ausführungs­ beispiels der Plasmaätzvorrichtung nach der Erfin­ dung;
Fig. 2 einen seitlichen Querschnitt eines Halbleitersub­ strats, an dem mit der Vorrichtung von Fig. 1 ein Ätzvorgang durchgeführt wird;
Fig. 3 ein Diagramm, das die Verteilung der Plasmadichte bei dem Ausführungsbeispiel nach der Erfindung und bei der konventionellen Plasmaätzvorrichtung zeigt; und
Fig. 4 einen schematischen Querschnitt einer konventionel­ len Plasmaätzvorrichtung.
Verfahren zum Bilden einer Feinstruktur auf einem Substrat unter Anwendung einer HF-Welle, einer Mikrowelle, von Licht­ energie und eines Energiestrahls sind bereits bekannt. Ein Verfahren zum Bilden einer Feinstruktur unter Anwendung einer elastischen Welle ist jedoch nicht bekannt. Die Erfindung be­ trifft die Bildung einer Feinstruktur unter Anwendung einer elastischen Welle.
Die Vorrichtung und das Verfahren zum Bilden einer Feinstruk­ tur machen sich die folgenden Auswirkungen der elastischen Welle auf einen Körper zunutze.
1) Erwärmen eines Körners durch die elastische Welle
Im allgemeinen tritt die elastische Welle im Verlauf ihrer Ausbreitung in Wechselwirkung mit einem Medium und wird da­ durch abgeschwächt. Der durch die Abschwächung bedingte Ener­ gieverlust der Welle wird in Wärmeenergie umgewandelt, so daß das Medium erwärmt und seine Temperatur erhöht wird. Bei gleichem Schwächungskoeffizienten gilt, daß durch die Schwächung der Welle umso mehr Energie pro Volumeneinheit verlorengeht, je größer die Amplitude der Welle ist. Insbe­ sondere bei Vorhandensein eines Resonanzkörpers wird in die­ sem Körper eine stehende Welle erzeugt, deren Amplitude hin­ reichend groß ist, so daß ein großer lokaler Energieverlust auftritt. Dies ermöglicht eine lokale Erwärmung.
Das Erwärmen eines zu bearbeitenden Werkstücks verbessert die Bildung der Feinstruktur in der nachstehend beschriebenen Weise. Im allgemeinen wird (1) aufgrund der Beschleunigung einer thermischen Reaktion die Geschwindigkeit erhöht, mit der eine Feinstruktur gebildet wird. (2) Die Ätzselektivität wird aufgrund eines durch die lokale Erwärmung bewirkten Un­ terschieds in der chemischen Reaktion verbessert. (3) Der Eintritt von Ätzmittel tief in das Innere einer Feinstruktur wird dadurch erleichtert und verbessert somit die Eigenschaf­ ten der Feinstruktur.
2) Verlagern eines Körpers durch die elastische Welle
Eine elastische Welle wird von einem Medium ausgebreitet, wo­ bei verlagerte Teilchen des Mediums auf angrenzende Teilchen ein Moment übertragen und selbst in ihre Ausgangslage zurück­ gebracht werden. Daher ist das Vorhandensein der elastischen Welle gleichbedeutend mit dem Vorhandensein einer Verlagerung eines Körpers. Wenn eine elastische Welle in einem Körper er­ zeugt wird, der zum Ätzvorgang beiträgt, wird der Bereich der Oberfläche des Körpers, der im Vergleich mit der Wellenform klein ist, periodisch in einer Richtung verlagert, die zu der Oberfläche senkrecht oder tangential verläuft, was von der Ausbreitungsrichtung der Welle und dem Winkel zwischen einem veränderlichen Vektor und einem Wellenkörpervektor abhängt.
Eine solche Verlagerung verbessert die Charakteristiken der Feinstrukturbildung in der nachstehend beschriebenen Weise. Wenn die Geschwindigkeit, mit der der Bereich durch die ela­ stische Welle verlagert wird, gegenüber der Geschwindigkeit von auftreffenden Teilchen hoch ist, erhöht sich die relative Geschwindigkeit der auftreffenden Teilchen, wodurch ihr Mo­ ment erhöht wird. Infolgedessen (1) nimmt die Geschwindigkeit zu, mit der die Feinstruktur gebildet wird. (2) Die zu bil­ dende Struktur wird infolge der verbesserten Richteigenschaf­ ten der auftreffenden Teilchen verbessert. (3) Die Feinstruk­ turbildung wird durch das leichtere Eindringen eines Ätzmit­ tels in das Innere einer Feinstruktur verbessert. (4) Das Wegätzen eines Bereichs an einer Schulter, die eine große ab­ solute Dicke hat, wird verbessert. (5) Das Ablösen eines Reaktionsprodukts wird aufgrund der durch die elastische Welle bewirkten Schwingungen beschleunigt.
3) Kondensation eines Körpers durch die elastische Welle
Da nur die feinen Teilchen von der elastischen Welle verla­ gert werden und somit deren Aufeinandertreffen verstärkt wird, werden die Agglomeration und Dissoziation eines Ätzmit­ tels in dem Plasma beschleunigt. Dadurch werden die Charakte­ ristiken der Feinstrukturbildung in der nachstehend beschrie­ benen Weise verbessert. (1) Die Geschwindigkeit, mit der eine Feinstruktur gebildet wird, erhöht sich infolge einer Zunahme der Ätzmitteldichte. (2) Da die Art des Ätzmittels wegen der durch die normale Entladung nicht bewirkten Dissoziation ge­ ändert werden kann, wird eine selektive Feinstrukturbildung ermöglicht.
Unter Bezugnahme auf die Fig. 1-3 wird nun ein Ausführungs­ beispiel erläutert. Fig. 1 ist eine schematische Darstellung des Ausführungsbeispiels der Vorrichtung zur Bildung einer Feinstruktur, z. B. einer Plasmaätzvorrichtung. Dabei sind mit 1 bis 8 die Teile bezeichnet, die den jeweiligen Teilen der konventionellen Vorrichtung von Fig. 4 entsprechen. Das Ausführungsbeispiel verwendet als Einrichtung 9 zur Erzeugung einer elastischen Welle einen Ultraschallwellenerzeuger, der eine elastische Welle von 10 kHz oder höherer Frequenz, d. h. eine Welle in einem sogenannten Ultraschallwellenbe­ reich erzeugt. Das heißt also, daß der Ultraschallwellener­ zeuger, der ein piezoelektrischer, ein elektrostriktiver oder ein magnetostriktiver Schwinger sein kann, an einem Wandbe­ reich der Vakuumkammer 1 angeordnet ist.
Fig. 2 ist ein Querschnitt eines Halbleitersubstrats, der er­ halten wird, wenn eine auf dem Halbleitersubstrat gebildete polykristalline Siliciumschicht mit der Plasmaätzvorrichtung von Fig. 1 geätzt wird. In Fig. 2 ist auf einem Substrat 10 des Halbleitersubstrats 2 eine Siliciumoxidschicht 11 gebil­ det, und auf dieser ist eine zu bearbeitende polykristalline Siliciumschicht 12 gebildet. Auf der polykristallinen Sili­ ciumschicht 12 ist eine strukturierte Fotoresistschicht 13 als ätzbeständige Maske mit einem fotolithografischen Verfah­ ren gebildet.
Bei dem Verfahren zum Bilden einer Feinstruktur unter Anwen­ dung der oben beschriebenen Vorrichtung wird das Halbleiter­ substrat 2 zuerst auf die Elektrode 4 gelegt. Dann wird ein Ätzgas, das ein reaktives Gas ist, aus den Gasdüsen 5 in die Vakuumkammer 1 eingeleitet, während gleichzeitig die Vakuum­ kammer 1 durch den Evakuierungsstutzen 7 evakuiert wird. Von der HF-Stromquelle 3 wird zwischen der Elektrode 4 und der Elektrode 6 eine HF-Spannung angelegt zur Erzeugung einer Glimmentladung. Infolgedessen wird das in die Vakuumkammer 1 eingeleitete Ätzgas aktiviert und bildet dadurch ein Plasma und erzeugt aktive neutrale Moleküle, neutrale Atome und Ionen. Das Ätzen des Halbleitersubstrats 2 läuft aufgrund der Anwesenheit dieser Moleküle, Atome und Ionen ab, so daß eine Feinstruktur gebildet wird.
Zu diesem Zeitpunkt wird von der Einrichtung zur Erzeugung einer Ultraschallwelle eine Ultraschallwelle erzeugt und an die Vakuumkammer angelegt, so daß der Wandbereich der Vakuum­ kammer 1 von der Ultraschallwelle angeregt wird. Infolgedes­ sen haben das Reaktionsprodukt und Elektronen, die zur Wand der Vakuumkammer 1 gebracht werden, eine größere Bewegungs­ energie als in dem Fall, wenn keine Ultraschallwelle ein­ wirkt, und zwar aufgrund der oben beschriebenen Funktionen der elastischen Welle, die das Erwärmen, die Verlagerung und Kondensation eines Körpers umfassen, und bleiben daher auch dann aktiviert, wenn sie auf die Wandfläche der Vakuumkammer auftreffen. Somit wird die Gleichmäßigkeit der Plasmadichte verbessert, und ein Haften des Reaktionsprodukts an der Wand kann verhindert werden.
Das Diagramm von Fig. 3 zeigt die Verteilung der Plasma­ dichte, wie sie bei dem Ausführungsbeispiel und bei der kon­ ventionellen Plasmaätzvorrichtung erhalten wird. Nach dem Diagramm wird die Gleichmäßigkeit der Plasmadichte und der Elektronendichte dann verbessert, wenn die Wand der Vakuum­ kammer 1 durch die Ultraschallwelle angeregt wird (in Fig. 3 mit o bezeichnet), was nicht der Fall ist, wenn keine Ultra­ schallwelle angelegt wird (mit x in Fig. 3 bezeichnet). Somit wird durch die Verbesserung der Ätzrate und der Gleichmäßig­ keit der Elektronendichte eine Beschränkung der Aufladung des Halbleitersubstrats 2 ermöglicht.
Das beschriebene Ausführungsbeispiel verwendet als Verfahren zum Bilden einer Feinstruktur das Plasmaätzverfahren. Die Er­ findung ist aber auch anwendbar bei Ätzverfahren mit reakti­ ven Ionen, Ätzverfahren mit magnetfeldunterstützten reaktiven Ionen, Elektronenzyklotron-Plasmaätzverfahren, Neutralstrahl- Ätzverfahren, Ätzverfahren mit Lichtanregung, lichtunter­ stützten Ätzverfahren oder dem physikalischen Ionenätzverfah­ ren.
Die Siliciumoxidschicht 11 wird als die Schicht benützt, in der eine Feinstruktur gebildet wird. Eine Siliciumnitrid- oder Siliciumoxynitridschicht kann aber ebenfalls verwendet werden. Anstelle der polykristallinen Siliciumschicht 12 kann eine einkristalline Siliciumschicht verwendet werden.
Die Schicht, in der eine Feinstruktur gebildet wird, kann hergestellt sein aus Wolfram, Tantal, Molybdän, Zirkonium, Titan, Hafnium, Chrom, Platin, Eisen, Zink, Zinn, einem Sili­ cid, einem Nitrid oder einem Carbid von jedem dieser Stoffe; aus Aluminium, Kupfer, Gold, Silber oder einer Legierung, die im wesentlichen aus irgendeinem dieser Metalle besteht; oder aus einem organischen Polymer wie einem Novolakharz oder Po­ lyimid.
Die Schicht, in der eine Feinstruktur gebildet wird, kann ein ferroelektrisches Material, wie PZT (Blei, Zink, Zinn), ein Supraleiter einschließlich eines Oxidsupraleiters oder ein ferromagnetisches Material sein.
Bei dem obigen Ausführungsbeispiel wird als zu bearbeitende Probe, d. h. als ein Körper, die auf dem Halbleitersubstrat 2 gebildete Dünnschicht verwendet, wobei es sich um die Her­ stellung von integrierten Halbleiterschaltungen handelt. Die Erfindung ist aber auch bei einem Magnetband- oder einem Ma­ gnetplatten-Substrat einsetzbar, die in Magnetspeicheranord­ nungen eingesetzt werden und auf denen Speicherelemente zu bilden sind, ferner bei einem Substrat für eine Bildplatte oder dergleichen zum Einsatz in einem optischen Speicher, wo­ bei Speicherelemente zu bilden sind, ferner bei geformten Me­ tallkörpern, einer auf der Oberfläche des geformten Metall­ körpers gebildeten Dünnschicht, einem Maschinenbauteil wie etwa einem Bolzen oder einem Bearbeitungswerkzeug.
Wie aus der vorstehenden Beschreibung ersichtlich ist, können bei der Vorrichtung und dem Verfahren gemäß der Erfindung zum Bilden einer Feinstruktur, da die Feinstrukturbildung durch­ geführt wird, während gleichzeitig an die Vakuumkammer eine elastische Welle angelegt wird, die Gleichmäßigkeit der Plasma- und der Elektronendichte sowie die Ätzrate verbessert und durch die verbesserte Gleichmäßigkeit der Elektronen­ dichte ein Haften eines Reaktionsprodukts an der Vakuumkammer und ein Aufladen der Probe eingeschränkt werden.

Claims (28)

1. Vorrichtung zum Bilden einer Feinstruktur, gekennzeichnet durch
  • - eine Vakuumkammer (1);
  • - eine Gaszufuhreinrichtung (8) zum Einleiten eines reak­ tiven Gases in die Vakuumkammer;
  • - eine Plasmaerzeugungseinrichtung (3), die ein Plasma des reaktiven Gases in der Vakuumkammer (1) erzeugt;
  • - einen als Elektrode dienenden Probenträger (4), der in der Vakuumkammer (1) zum Auflegen einer Probe (2) ange­ ordnet und mit der Plasmaerzeugungseinrichtung (3) ge­ koppelt ist;
  • - eine an einem Wandbereich der Vakuumkammer (1) vorgese­ hene Einrichtung (9) zum Erzeugen einer elastischen Welle; und
  • - eine Einrichtung (7) zum Evakuieren des Inneren der Va­ kuumkammer.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Gegenelektrode (6), die in der Vakuumkammer (1) dem Probenträger (4) gegenüberstehend angeordnet ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Probe ein Halbleitersubstrat (2) ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Probe ein Magnetband ist.
5. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Probe eine Magnetplatte ist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Probe eine Bildplatte ist.
7. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Probe ein geformter Metallkörper ist.
8. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Probe ein Maschinenelement ist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Probe ein Substrat und eine Schicht, in der eine Feinstruktur zu bilden ist, umfaßt.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-9, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht, in der eine Feinstruktur zu bilden ist, ausgewählt ist aus der eine Siliciumoxidschicht, eine Si­ liciumnitridschicht und eine Siliciumoxynitridschicht um­ fassenden Gruppe.
11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-9, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht, in der eine Feinstruktur zu bilden ist, eine polykristalline oder einkristalline Siliciumschicht ist.
12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-9, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht, in der eine Feinstruktur zu bilden ist, aus Wolfram, Tantal, Molybdän, Zirkonium, Titan, Hafnium, Chrom, Platin, Eisen, Zink, Zinn, einem Silicid oder ei­ nem Nitrid oder einem Carbid jedes dieser Materialien be­ steht.
13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-9, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht, in der eine Feinstruktur zu bilden ist, aus Aluminium, Kupfer, Gold, Silber oder einer Legierung, die hauptsächlich aus einem dieser Metalle besteht, ge­ bildet ist.
14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-9, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht, in der eine Feinstruktur zu bilden ist, aus einem organischen Polymer wie einem Novolakharz oder Polyimid besteht.
15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-9, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht, in der eine Feinstruktur zu bilden ist, aus einem ferroelektrischen Material wie PZT (Blei, Zink, Zinn) besteht.
16. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-9, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht, in der eine Feinstruktur zu bilden ist, aus einem Supraleiter einschließlich eines Oxidsupralei­ ters besteht.
17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-9, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht, in der eine Feinstruktur zu bilden ist, aus einem ferromagnetischen Material besteht.
18. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-17, dadurch gekennzeichnet, daß die elastische Welle eine Ultraschallwelle mit einer Frequenz von 10 kHz oder höherer Frequenz ist.
19. Verfahren zum Bilden einer Feinstruktur, gekennzeichnet durch die folgenden Verfahrensschritte:
  • - Anordnen einer Probe, auf der eine Feinstruktur gebil­ det wird, auf einem als eine Elektrode in einer Vakuum­ kammer dienenden Probenträger;
  • - Evakuieren des Inneren der Vakuumkammer auf einen vor­ bestimmten Unterdruck;
  • - Einleiten eines reaktiven Gases in die Vakuumkammer;
  • - Erzeugen eines Plasmas des reaktiven Gases in der Va­ kuumkammer mittels des Probenträgers und einer Plas­ maerzeugungseinrichtung; und
  • - Durchführen einer Feinstrukturbildung unter gleichzei­ tigem Anlegen einer elastischen Welle an die Probe von einer an einem Wandbereich der Vakuumkammer angeordne­ ten Einrichtung zur Erzeugung einer elastischen Welle.
20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß die elastische Welle eine Ultraschallwelle mit einer Frequenz von 10 kHz oder höherer Frequenz ist.
21. Verfahren nach Anspruch 19 oder 20, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren zum Bilden der Feinstruktur ein Plas­ maätzverfahren ist.
22. Verfahren nach Anspruch 19 oder 20, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren zum Bilden der Feinstruktur ein reakti­ ves Ionenätzverfahren ist.
23. Verfahren nach Anspruch 19 oder 20, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren zum Bilden der Feinstruktur ein magnet­ feldunterstütztes reaktives Ionenätzverfahren ist.
24. Verfahren nach Anspruch 19 oder 20, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren zum Bilden der Feinstruktur ein Elek­ tronenzyklotron-Plasmaätzverfahren ist.
25. Verfahren nach Anspruch 19 oder 20, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren zum Bilden der Feinstruktur ein Neu­ tralstrahl-Ätzverfahren ist.
26. Verfahren nach Anspruch 19 oder 20, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren zum Bilden der Feinstruktur ein Licht­ anregungs-Ätzverfahren ist.
27. Verfahren nach Anspruch 19 oder 20, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren zum Bilden der Feinstruktur ein licht­ unterstütztes Ätzverfahren ist.
28. Verfahren nach Anspruch 19 oder 20, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren zum Bilden der Feinstruktur ein physi­ kalisches Ionenätzverfahren ist.
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