JPS608306B2 - 表面処理装置 - Google Patents
表面処理装置Info
- Publication number
- JPS608306B2 JPS608306B2 JP15988378A JP15988378A JPS608306B2 JP S608306 B2 JPS608306 B2 JP S608306B2 JP 15988378 A JP15988378 A JP 15988378A JP 15988378 A JP15988378 A JP 15988378A JP S608306 B2 JPS608306 B2 JP S608306B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ring gear
- surface treatment
- wafer
- treatment equipment
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は表面処理装置、特に処理容器内において被処理
物を回転せしめるようにした表面処理装置の改良に関す
るものである。
物を回転せしめるようにした表面処理装置の改良に関す
るものである。
バッシベーション用Ｓｉ０２膜あるいはＰＳＧ膜等をＣ
ＶＤ処理により所望のウェハに形成せしめる場合、その
膿質の均一性を高めるために、リングギァを用いて処理
雰囲気中でウェハを自公転せしめることがなされている
。
ＶＤ処理により所望のウェハに形成せしめる場合、その
膿質の均一性を高めるために、リングギァを用いて処理
雰囲気中でウェハを自公転せしめることがなされている
。
このようにウヱハを自公転せしめると、その膜質は飛躍
的に均質化されるが、ＣＶＤ中にウェハ上に異物が堆積
しやすい欠点があった。本発明は上述の如き従来技術の
欠点を根本的に解消しうる新規な構成になる表面処理装
置を提供する目的でなされたものである。
的に均質化されるが、ＣＶＤ中にウェハ上に異物が堆積
しやすい欠点があった。本発明は上述の如き従来技術の
欠点を根本的に解消しうる新規な構成になる表面処理装
置を提供する目的でなされたものである。
本発明の一つの実施例は、ゥェハを自公転駆動せしめる
ためのりングギアを、処理容器に対して磁気浮上により
支持せしめたことを特徴とするものである。
ためのりングギアを、処理容器に対して磁気浮上により
支持せしめたことを特徴とするものである。
発明者等の検討によれば従来の装置においては、上記り
ングギアがベアリングによって支持されてし、たために
、ＣＶＤ処理中の高温気流（７０〜１５０ｏｏ）によっ
てベアリング用オイルが蒸発したり、また、ＣＶＤによ
って発生した生成物、例えばＳｉ０２粉末等がベアリン
グ部の内外に堆積したりしてリングギアとベアリングと
の摩擦が増加し、両者の摩耗によって発生した微細な金
属粉がウェハ上に運ばれることによって、前述の如き異
物の堆積が激しくなることが判明した。
ングギアがベアリングによって支持されてし、たために
、ＣＶＤ処理中の高温気流（７０〜１５０ｏｏ）によっ
てベアリング用オイルが蒸発したり、また、ＣＶＤによ
って発生した生成物、例えばＳｉ０２粉末等がベアリン
グ部の内外に堆積したりしてリングギアとベアリングと
の摩擦が増加し、両者の摩耗によって発生した微細な金
属粉がウェハ上に運ばれることによって、前述の如き異
物の堆積が激しくなることが判明した。
このため本発明においては、リングギァの周縁部と、反
応容器側の所定部分に強力な永久磁石を取付け、磁石間
の反溌力を利用してリングギア全体を磁気浮上せしめ、
非接触状態でリングギアを支持し、前述の如き摩耗によ
る金属粉の発生を防止したものである。図は本発明の一
実施例による表面処理装置を示す要部概略縦断面図であ
る。
応容器側の所定部分に強力な永久磁石を取付け、磁石間
の反溌力を利用してリングギア全体を磁気浮上せしめ、
非接触状態でリングギアを支持し、前述の如き摩耗によ
る金属粉の発生を防止したものである。図は本発明の一
実施例による表面処理装置を示す要部概略縦断面図であ
る。
図示する如く、反応容器１内において、ウェハ敦瞳台２
を支持し、回転せしめるためのＩＪングギア３は、反応
容器１の支持台部４の上面および容器１の側面に取付け
られた永久磁石および６と、これらの磁石５および６に
対しそれぞれ同極が対向するように、上記りングギア３
の下面および上面に取付けられた磁石７および８によっ
て所定位置に支持される。上記のりングギア３は、従来
と同様にリングギア３の内側においてモータ（図示せず
）により回転せしめられる駆動用ギア９によって回転せ
しめられる。ここで、通常の表面処理装置等において用
いられるリングギアの重量は高々２０ｋ９程度であり、
かつ反応容器内の温度が磁石のキューリ−点を上まわる
ことはないため耐食性等を考慮した磁石を用いれば、通
常の永久磁石を用いて容易に本発明を実施することがで
きる。
を支持し、回転せしめるためのＩＪングギア３は、反応
容器１の支持台部４の上面および容器１の側面に取付け
られた永久磁石および６と、これらの磁石５および６に
対しそれぞれ同極が対向するように、上記りングギア３
の下面および上面に取付けられた磁石７および８によっ
て所定位置に支持される。上記のりングギア３は、従来
と同様にリングギア３の内側においてモータ（図示せず
）により回転せしめられる駆動用ギア９によって回転せ
しめられる。ここで、通常の表面処理装置等において用
いられるリングギアの重量は高々２０ｋ９程度であり、
かつ反応容器内の温度が磁石のキューリ−点を上まわる
ことはないため耐食性等を考慮した磁石を用いれば、通
常の永久磁石を用いて容易に本発明を実施することがで
きる。
以上述べた如く本発明の実施によれば、ウェハを自公転
駆動せしめるためのりングギアを、処理容器に対して非
綾触で支持することができ、処理容器内における異物の
浮遊等をほとんど無くすることができ、不良の発生を茸
るしく低減しうるものである。
駆動せしめるためのりングギアを、処理容器に対して非
綾触で支持することができ、処理容器内における異物の
浮遊等をほとんど無くすることができ、不良の発生を茸
るしく低減しうるものである。
また、従来装置においては、注油あるいは清掃等を頻繁
に行なわなければならなかったが、本発明によれば、そ
れらの保守、点検も長期にわたって不要となりト装置の
運転効率を高める上でも多大の効果を得るものである。
に行なわなければならなかったが、本発明によれば、そ
れらの保守、点検も長期にわたって不要となりト装置の
運転効率を高める上でも多大の効果を得るものである。
図は本発明の一実施例による表面処理装置の要部概略縦
断面図である。 １・・・・・・処理容器、２・・・・・・ウェハ敷層台
、３・・・・・・リングギア、４・・・・・・支持台、
５，６，７，８…・・・永久磁石、９・・・・・・駆動
ギア。
断面図である。 １・・・・・・処理容器、２・・・・・・ウェハ敷層台
、３・・・・・・リングギア、４・・・・・・支持台、
５，６，７，８…・・・永久磁石、９・・・・・・駆動
ギア。
Claims (1)
- １ 処理容器中で被処理ウエハ載置台を回転せしめるよ
うにした表面処理装置において、上記載置台の回転部分
の少なくとも１部は磁気的手段により支持されているこ
とを特徴とする表面処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15988378A JPS608306B2 (ja) | 1978-12-27 | 1978-12-27 | 表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15988378A JPS608306B2 (ja) | 1978-12-27 | 1978-12-27 | 表面処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5589465A JPS5589465A (en) | 1980-07-07 |
| JPS608306B2 true JPS608306B2 (ja) | 1985-03-01 |
Family
ID=15703265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15988378A Expired JPS608306B2 (ja) | 1978-12-27 | 1978-12-27 | 表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS608306B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0442403Y2 (ja) * | 1985-06-21 | 1992-10-07 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04142734A (ja) * | 1990-10-03 | 1992-05-15 | Mitsubishi Electric Corp | 微細加工装置及び方法 |
-
1978
- 1978-12-27 JP JP15988378A patent/JPS608306B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0442403Y2 (ja) * | 1985-06-21 | 1992-10-07 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5589465A (en) | 1980-07-07 |
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