JPS58200529A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPS58200529A JPS58200529A JP8308982A JP8308982A JPS58200529A JP S58200529 A JPS58200529 A JP S58200529A JP 8308982 A JP8308982 A JP 8308982A JP 8308982 A JP8308982 A JP 8308982A JP S58200529 A JPS58200529 A JP S58200529A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- control
- probe
- controller
- value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、プラズマ処理装置に係り、特に、半導体装置
の製造工程において、ＯＶＤ装置、エツチング装置１．
スパッタリング装置等に使用するのに好適なプラズマ処
理装置に関する。
の製造工程において、ＯＶＤ装置、エツチング装置１．
スパッタリング装置等に使用するのに好適なプラズマ処
理装置に関する。
一般に、半導体装置の製造工程において、プラズマ処理
装置、 プラズマエツチング装置、プラズマスパッタ
リング装置等が使用されているが、従来、゛いずれの場
合も、プラズマ状態の十分なモニタリングが行なわれて
いないため、プラズマの発生が不安定になり、′膜生成
やエツチングに悪影響を及ぼすという欠点があった。
装置、 プラズマエツチング装置、プラズマスパッタ
リング装置等が使用されているが、従来、゛いずれの場
合も、プラズマ状態の十分なモニタリングが行なわれて
いないため、プラズマの発生が不安定になり、′膜生成
やエツチングに悪影響を及ぼすという欠点があった。
本発明の゛目的は、前記従来技術の欠点を解消こ、安定
したプラズマ状態を創出することができるプラズマ処ｆ
ｆｉ装置を提供することにある。
したプラズマ状態を創出することができるプラズマ処ｆ
ｆｉ装置を提供することにある。
本発明は、この目的を達成するため、プラズマ処理装置
にプラズマ電位を測定するプローブを設け、このプロー
ブの測定値と設定値と誉比較して制御信号を得、安定し
たプラズマ状態を創出するようにフィードバック制御す
るようにしたものである。
にプラズマ電位を測定するプローブを設け、このプロー
ブの測定値と設定値と誉比較して制御信号を得、安定し
たプラズマ状態を創出するようにフィードバック制御す
るようにしたものである。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたがつ又さらに説
明する。 ′第１図は本発明の一実
施例を示すものであり１、プラズマ０ＶＤｆ、置に適用
した場合を示している。
明する。 ′第１図は本発明の一実
施例を示すものであり１、プラズマ０ＶＤｆ、置に適用
した場合を示している。
第１図において、反応室１内には一対の電極２゜３が互
に対向して設けられ、−万の電極２は反応！ｉ１に軸受
シール部４を介し１摺動自在Ｋ、かつシール状態に挿通
されたシャツ）５に支持されて上下動可能になっ℃いる
。両電極２．３間には高周波発生器６により高周波出力
が印加されプラズマが創出されるようになっ又いる。シ
ャフト５はモータ７によつ又上下動されるように構成さ
れており、この上下動により両電極２．３の間隔が変更
調整される、電極３の対極面はウェハ８を保持可能に構
成されている。反応室ｌ内には両電極２゜３間に発生し
たプラズマ電位を測定するプローブ９が設けられており
、このプローブ９は可及的にウェハ８゛付近のプラズマ
電位を測定するように構成するとよい。プローブ９には
制御器１０が接続されており、この制御器１０はその出
力端を前記モータ７の駆動制御回路に接続されている。
に対向して設けられ、−万の電極２は反応！ｉ１に軸受
シール部４を介し１摺動自在Ｋ、かつシール状態に挿通
されたシャツ）５に支持されて上下動可能になっ℃いる
。両電極２．３間には高周波発生器６により高周波出力
が印加されプラズマが創出されるようになっ又いる。シ
ャフト５はモータ７によつ又上下動されるように構成さ
れており、この上下動により両電極２．３の間隔が変更
調整される、電極３の対極面はウェハ８を保持可能に構
成されている。反応室ｌ内には両電極２゜３間に発生し
たプラズマ電位を測定するプローブ９が設けられており
、このプローブ９は可及的にウェハ８゛付近のプラズマ
電位を測定するように構成するとよい。プローブ９には
制御器１０が接続されており、この制御器１０はその出
力端を前記モータ７の駆動制御回路に接続されている。
この制御器１０は、プローブ９から入力され℃くる現実
のプラズマ電位の測定値とあらかじめ設定され？、：Ｒ
ｆｆｉ［ｈ□１．１λｔよ３．い□４、両値を求め、こ
れを指令信号とじ工モータ７に人力するように構成され
、モータ７はシャフト５を介して可動電極２を所定量変
位させ１両電極２゜３の間隔を変更調整し、これにより
プラズマ電位が一定になるように調整される。前記設定
値は、経験や実験または理論によりあらかじめ求められ
、例えばプラズマ０ＶＤｌｉ）置において理想的なＣＶ
Ｄ膜が生成されるプラズマ状態をプラズマ電位値に換算
して求め工おくとよい。
のプラズマ電位の測定値とあらかじめ設定され？、：Ｒ
ｆｆｉ［ｈ□１．１λｔよ３．い□４、両値を求め、こ
れを指令信号とじ工モータ７に人力するように構成され
、モータ７はシャフト５を介して可動電極２を所定量変
位させ１両電極２゜３の間隔を変更調整し、これにより
プラズマ電位が一定になるように調整される。前記設定
値は、経験や実験または理論によりあらかじめ求められ
、例えばプラズマ０ＶＤｌｉ）置において理想的なＣＶ
Ｄ膜が生成されるプラズマ状態をプラズマ電位値に換算
して求め工おくとよい。
なお、反応室１には反応ガス導入口１１と空気吸引口１
２とがそれぞれ設けられている。また、反ｒＥｈ室１内
にはトリガ電極１３がｔ＆けられ、このトリガ電極１３
はトリガ電圧発生回路１４に接続されている。トリガ電
圧発生回路１４はトリガ電圧発生用コイＡ／１５とタイ
ミングスイッチ１６と可変電源１７とを備えている。
２とがそれぞれ設けられている。また、反ｒＥｈ室１内
にはトリガ電極１３がｔ＆けられ、このトリガ電極１３
はトリガ電圧発生回路１４に接続されている。トリガ電
圧発生回路１４はトリガ電圧発生用コイＡ／１５とタイ
ミングスイッチ１６と可変電源１７とを備えている。
次に作用効果を説明する。
前記プラズマＣＶＤ装置が運転し始めると、両電極２．
３がグロー放電して反応室１内の反応ガスを分解し、ウ
ェハ８にＣＶＤ膜を生成せしめる。
３がグロー放電して反応室１内の反応ガスを分解し、ウ
ェハ８にＣＶＤ膜を生成せしめる。
このとき、プラズマの発生状態が不安定であると、良好
なＣＶＤ膜が生成されない。従来は、グラス１の発生状
態は何らモニタリングされておらず、高周波発生器６の
出力を一足に維持することにより、一定のプラズマ発生
状態を可及的に維持するようにすること等が一般的に行
なわれていた。
なＣＶＤ膜が生成されない。従来は、グラス１の発生状
態は何らモニタリングされておらず、高周波発生器６の
出力を一足に維持することにより、一定のプラズマ発生
状態を可及的に維持するようにすること等が一般的に行
なわれていた。
ところが、プラズマ雰囲気、例えばプラズマ電位は反応
室４の内部圧力９反応ガス量０両電＠２゜３の汚れ等々
により常に微妙に変動するため、単に高周波発生器６の
出力を一定に維持すること等では、プラズマ電位を一足
に維持することはできない。したがって、良好なプラズ
マ雰囲気が形成されない場合が発生し、良好なＣＶＤ膜
が生成されない場合がある。
室４の内部圧力９反応ガス量０両電＠２゜３の汚れ等々
により常に微妙に変動するため、単に高周波発生器６の
出力を一定に維持すること等では、プラズマ電位を一足
に維持することはできない。したがって、良好なプラズ
マ雰囲気が形成されない場合が発生し、良好なＣＶＤ膜
が生成されない場合がある。
そこで、本実施例では、現在のプラズマ電位をプローブ
９で１１１足し、この現実の測定値とあらかじめ設定さ
れた理想的なプラズマ状態を創出するために必要な設定
値とを制御器ｌＯにて比較判定して所足の制御信号を得
、この信号でモータ７を制御して電極２．３の間隔を調
整し、プラズマ電位を一定に維持するように制御し又良
好なプラズマ雰囲気を維持するようにしている。例えば
、電極２，３が汚れてプラズマ電位が低下し又くると、
プロー゛プ９がこれを検出して制御器ｌＯに入力させる
。制御器１０ではこの検出値と設定値とを比較してその
差値に基づ鎗所足の制御器を求め、制御指令信号として
モータ７の駆動制御回路に入力させる。モータ７はこの
指令信号に基づきシャフト５を指令量だけ上昇させ、可
動電極２を固定電極３の方向に接近移動させる。両電極
２．３が接近すると、１１％周波発揚器′６の、出力が
一足でもプラズマ電位は上昇する。プラズマ電位が上昇
すると、グローブ９がこれを検出して制御器１０に入力
させ、制御器１０はこの上昇後の検出値と設定値とが一
致したところで、モータ７に電極間隔変更停止信号を印
加させる。このようにして、プラズマ電位は一足に維持
するように制御され、したがって、常に良好なＣＶＤ膜
が生成されることになる。
９で１１１足し、この現実の測定値とあらかじめ設定さ
れた理想的なプラズマ状態を創出するために必要な設定
値とを制御器ｌＯにて比較判定して所足の制御信号を得
、この信号でモータ７を制御して電極２．３の間隔を調
整し、プラズマ電位を一定に維持するように制御し又良
好なプラズマ雰囲気を維持するようにしている。例えば
、電極２，３が汚れてプラズマ電位が低下し又くると、
プロー゛プ９がこれを検出して制御器ｌＯに入力させる
。制御器１０ではこの検出値と設定値とを比較してその
差値に基づ鎗所足の制御器を求め、制御指令信号として
モータ７の駆動制御回路に入力させる。モータ７はこの
指令信号に基づきシャフト５を指令量だけ上昇させ、可
動電極２を固定電極３の方向に接近移動させる。両電極
２．３が接近すると、１１％周波発揚器′６の、出力が
一足でもプラズマ電位は上昇する。プラズマ電位が上昇
すると、グローブ９がこれを検出して制御器１０に入力
させ、制御器１０はこの上昇後の検出値と設定値とが一
致したところで、モータ７に電極間隔変更停止信号を印
加させる。このようにして、プラズマ電位は一足に維持
するように制御され、したがって、常に良好なＣＶＤ膜
が生成されることになる。
なお、前記実施例では、制御器１０がモ°−夕７を制御
して電極２． ３．０’間隔を′変更調整することによ
り、プラズマ電位を一′定・に維持するように制御する
場合につき説明したが、第１図に破線で示すように、制
＃器１０を高周波発振器６に妥絖し、制御器１０で高周
波発振器６の°出力を制御することによりプラズマ運転
を一定に維持するように構成してもよい。勿論、電極間
隔の制御と高周波発振器の出力制御とを併用してもよい
。
して電極２． ３．０’間隔を′変更調整することによ
り、プラズマ電位を一′定・に維持するように制御する
場合につき説明したが、第１図に破線で示すように、制
＃器１０を高周波発振器６に妥絖し、制御器１０で高周
波発振器６の°出力を制御することによりプラズマ運転
を一定に維持するように構成してもよい。勿論、電極間
隔の制御と高周波発振器の出力制御とを併用してもよい
。
また、プラズマＯＶＤ装置の場合につき説明したが、こ
れに限らず、プラズマエツチング装置。
れに限らず、プラズマエツチング装置。
プラズマスパッタリング装置等プラズマ反応を利用する
装置であって良好なプラズマ状態を維持する必要がある
プラズマ処理装置全般に適用することができ、産業分野
も半導体装置の製造に限定されない。
装置であって良好なプラズマ状態を維持する必要がある
プラズマ処理装置全般に適用することができ、産業分野
も半導体装置の製造に限定されない。
ところで、プラズマ０ＶＤｆｅ置等におい℃、プラズマ
を励起させる始動時には、従来、第２図に破線で示すよ
うに、プラズマが発生する電圧にはヒステリシスがある
ため、最初に電圧を高（してプラズマを発生させた後、
電圧を下げて安定なプラズマ運転に入る制御を行なうこ
とがある。
を励起させる始動時には、従来、第２図に破線で示すよ
うに、プラズマが発生する電圧にはヒステリシスがある
ため、最初に電圧を高（してプラズマを発生させた後、
電圧を下げて安定なプラズマ運転に入る制御を行なうこ
とがある。
しかしながら、従来のこのような制御方法にあっ℃は、
例えば、プラズマＯＶＤ装置を複数並設して各高周波発
振器が電源を共用した場合において、同一に始動させる
際に、ある装置のプラズマ始動が伽の装置に影響して他
の装置が始動しないという欠点があり、また、始動時に
おける高電圧域がＯＶＤ膜生成に悪影響を与えるという
欠点があった。
例えば、プラズマＯＶＤ装置を複数並設して各高周波発
振器が電源を共用した場合において、同一に始動させる
際に、ある装置のプラズマ始動が伽の装置に影響して他
の装置が始動しないという欠点があり、また、始動時に
おける高電圧域がＯＶＤ膜生成に悪影響を与えるという
欠点があった。
そこで、第１図に示すプラズマ０ＶＤｆｅ置では、この
ような欠点を解消するため、反応室ｌ内にトリガ電極１
３を設けて確実にプラズマが発生するようにし１いる。
ような欠点を解消するため、反応室ｌ内にトリガ電極１
３を設けて確実にプラズマが発生するようにし１いる。
本実施例において、プラズマを励起させる始動時には、
纂２図に実線で示すように、高周波発振器６の出力を上
昇させて行き、始動すれば安定なプラズマ状態を形成維
持する電圧となったところで、トリガ発生回路１４のタ
イミングスイッチ１６を作動させてトリガ電圧を発生さ
せる。トリガ電圧が加わると、電極２，３間にプラズマ
が発’：ｌ”：・ 生し、その後トリガ電圧が消去し又も一度発生したプラ
ズマは高周波発振器６の前記電圧により安定に維持され
る。
纂２図に実線で示すように、高周波発振器６の出力を上
昇させて行き、始動すれば安定なプラズマ状態を形成維
持する電圧となったところで、トリガ発生回路１４のタ
イミングスイッチ１６を作動させてトリガ電圧を発生さ
せる。トリガ電圧が加わると、電極２，３間にプラズマ
が発’：ｌ”：・ 生し、その後トリガ電圧が消去し又も一度発生したプラ
ズマは高周波発振器６の前記電圧により安定に維持され
る。
このようＫＬ”Ｃ、トリガ電極にプラズマの始動が依存
するので、例えば並設した他のグッズマＯＶＤ装置に影
響されてプラズマが不発生になるという現象は防止され
、プラズマの発生が確実となり安定化する。また、トリ
ガ電圧であるから、始動時にシける高電圧がＯＶＤ膜生
成に与える悪影響を最小限度に抑制することができる。
するので、例えば並設した他のグッズマＯＶＤ装置に影
響されてプラズマが不発生になるという現象は防止され
、プラズマの発生が確実となり安定化する。また、トリ
ガ電圧であるから、始動時にシける高電圧がＯＶＤ膜生
成に与える悪影響を最小限度に抑制することができる。
そして、プラズマが発生し工いない状態はグローブ９で
検出されるから、前記制御器ｌＯをプラズマ発生回路１
４のタイミングスイッチ１６Ｋｉｌ絖しておけば、プラ
ズマの始動を自動的に行なうことができ、さらビ一度の
トリガ電圧印Ｗでプラズマが発生しな（・場合に次のト
リガ電圧を自動的に印加させる制御も行なうことができ
、グツズｉ発生の始動が一層確寮化する。
検出されるから、前記制御器ｌＯをプラズマ発生回路１
４のタイミングスイッチ１６Ｋｉｌ絖しておけば、プラ
ズマの始動を自動的に行なうことができ、さらビ一度の
トリガ電圧印Ｗでプラズマが発生しな（・場合に次のト
リガ電圧を自動的に印加させる制御も行なうことができ
、グツズｉ発生の始動が一層確寮化する。
なお、トリガ電極は反応室の内部に設ける場合に限らず
、外部に設けてもよい。
、外部に設けてもよい。
以上説明するように、本発明によれば、安定したプラズ
マ発生状態を常に維持することができる。
マ発生状態を常に維持することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す説明図、第２図はプラ
スｉの発生初期の電圧波形図である。 ｌ・・・反応室、２，３・・・電極、５・・・軸受シー
ル部、６・・・高周波発振器、７・・・モータ、９・・
・グローブ、１０・・・制御器、１１・・・ガス導入口
、１２・・・空気吸引口、１３・・・トリガ電極、１４
・・・トリガ発生回路。
スｉの発生初期の電圧波形図である。 ｌ・・・反応室、２，３・・・電極、５・・・軸受シー
ル部、６・・・高周波発振器、７・・・モータ、９・・
・グローブ、１０・・・制御器、１１・・・ガス導入口
、１２・・・空気吸引口、１３・・・トリガ電極、１４
・・・トリガ発生回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、プラズマ電位を測定するプローブと、このプローブ
の測定値と設定値とを比較して安定したプラズマ状態を
創出するように制御を行なう制御器とを備えてなるプラ
ズマ処理装置。 ２、前記制御器が、電極間隔を制御することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のプラズマ処理装置。 ３、前記制御器が、高周波発振器の出力を制御すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラズマ処理
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8308982A JPS58200529A (ja) | 1982-05-19 | 1982-05-19 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8308982A JPS58200529A (ja) | 1982-05-19 | 1982-05-19 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58200529A true JPS58200529A (ja) | 1983-11-22 |
Family
ID=13792451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8308982A Pending JPS58200529A (ja) | 1982-05-19 | 1982-05-19 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58200529A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60126832A (ja) * | 1983-12-14 | 1985-07-06 | Hitachi Ltd | ドライエツチング方法および装置 |
| JPS63136628A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-08 | Tokuda Seisakusho Ltd | エツチング装置 |
| JPS63137182A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-09 | Tokuda Seisakusho Ltd | グロ−スタ−タ |
| JPH02232923A (ja) * | 1989-03-07 | 1990-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法 |
| JPH04142734A (ja) * | 1990-10-03 | 1992-05-15 | Mitsubishi Electric Corp | 微細加工装置及び方法 |
| WO1994028568A1 (en) * | 1993-05-28 | 1994-12-08 | The University Of Tennessee | Method and apparatus for glow discharge plasma treatment of polymer materials at atmospheric pressure |
| US5387842A (en) * | 1993-05-28 | 1995-02-07 | The University Of Tennessee Research Corp. | Steady-state, glow discharge plasma |
| US5414324A (en) * | 1993-05-28 | 1995-05-09 | The University Of Tennessee Research Corporation | One atmosphere, uniform glow discharge plasma |
| JPH07183282A (ja) * | 1986-04-18 | 1995-07-21 | General Signal Corp | プラズマ・エッチング装置 |
| US5557172A (en) * | 1993-12-21 | 1996-09-17 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Plasma beam generating method and apparatus which can generate a high-power plasma beam |
| US5669583A (en) * | 1994-06-06 | 1997-09-23 | University Of Tennessee Research Corporation | Method and apparatus for covering bodies with a uniform glow discharge plasma and applications thereof |
| US5938854A (en) * | 1993-05-28 | 1999-08-17 | The University Of Tennessee Research Corporation | Method and apparatus for cleaning surfaces with a glow discharge plasma at one atmosphere of pressure |
| US6103055A (en) * | 1986-04-18 | 2000-08-15 | Applied Materials, Inc. | System for processing substrates |
-
1982
- 1982-05-19 JP JP8308982A patent/JPS58200529A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60126832A (ja) * | 1983-12-14 | 1985-07-06 | Hitachi Ltd | ドライエツチング方法および装置 |
| JPH0527244B2 (ja) * | 1983-12-14 | 1993-04-20 | Hitachi Ltd | |
| US6103055A (en) * | 1986-04-18 | 2000-08-15 | Applied Materials, Inc. | System for processing substrates |
| JPH07183282A (ja) * | 1986-04-18 | 1995-07-21 | General Signal Corp | プラズマ・エッチング装置 |
| JPS63136628A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-08 | Tokuda Seisakusho Ltd | エツチング装置 |
| JPS63137182A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-09 | Tokuda Seisakusho Ltd | グロ−スタ−タ |
| JPH02232923A (ja) * | 1989-03-07 | 1990-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法 |
| JPH04142734A (ja) * | 1990-10-03 | 1992-05-15 | Mitsubishi Electric Corp | 微細加工装置及び方法 |
| US5414324A (en) * | 1993-05-28 | 1995-05-09 | The University Of Tennessee Research Corporation | One atmosphere, uniform glow discharge plasma |
| US5387842A (en) * | 1993-05-28 | 1995-02-07 | The University Of Tennessee Research Corp. | Steady-state, glow discharge plasma |
| AU679237B2 (en) * | 1993-05-28 | 1997-06-26 | University Of Tennessee Research Corporation, The | Method and apparatus for glow discharge plasma treatment of polymer materials at atmospheric pressure |
| US5938854A (en) * | 1993-05-28 | 1999-08-17 | The University Of Tennessee Research Corporation | Method and apparatus for cleaning surfaces with a glow discharge plasma at one atmosphere of pressure |
| WO1994028568A1 (en) * | 1993-05-28 | 1994-12-08 | The University Of Tennessee | Method and apparatus for glow discharge plasma treatment of polymer materials at atmospheric pressure |
| US5557172A (en) * | 1993-12-21 | 1996-09-17 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Plasma beam generating method and apparatus which can generate a high-power plasma beam |
| US5677597A (en) * | 1993-12-21 | 1997-10-14 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Electron flow accelerating method and apparatus which can generate a high-power beam |
| US5669583A (en) * | 1994-06-06 | 1997-09-23 | University Of Tennessee Research Corporation | Method and apparatus for covering bodies with a uniform glow discharge plasma and applications thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10109461B2 (en) | Plasma processing method | |
| KR102279088B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
| KR102038617B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
| JPS58200529A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US7771608B2 (en) | Plasma processing method and apparatus | |
| US20220238313A1 (en) | Apparatus for plasma processing and method of etching | |
| JP6055537B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP4256064B2 (ja) | プラズマ処理装置の制御方法 | |
| US20230395360A1 (en) | Plasma processing apparatus, plasma processing method, pressure valve control device, pressure valve control method, and pressure regulation system | |
| US20110198315A1 (en) | Plasma processing method | |
| CN112466732A (zh) | 半导体工艺设备和等离子体启辉方法 | |
| JPH0888218A (ja) | プラズマエッチング方法及びその装置 | |
| JPH07142453A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| WO2021156906A1 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| TWI713079B (zh) | 等離子體射頻調節方法及等離子處理裝置 | |
| US20220137603A1 (en) | Recipe updating method | |
| JP4866347B2 (ja) | プラズマ点火圧の低減 | |
| JPH0812857B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
| KR102359463B1 (ko) | 온/오프 스위칭이 가능한 중주파 플라즈마 처리장치 | |
| WO2024106257A1 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| US20240006153A1 (en) | Plasma processing system and plasma processing method | |
| JPH0211781A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| WO2024106256A1 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| WO2022070264A1 (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
| TW202418887A (zh) | 電漿處理裝置、電漿處理方法、壓力閥控制裝置、壓力閥控制方法及壓力調整系統 |