TW202418887A

TW202418887A - 電漿處理裝置、電漿處理方法、壓力閥控制裝置、壓力閥控制方法及壓力調整系統

Info

Publication number: TW202418887A
Application number: TW112119875A
Authority: TW
Inventors: 四本松康太; 田中康基; 酒井譲; 輿水地塩
Original assignee: 日商東京威力科創股份有限公司
Priority date: 2022-06-03
Filing date: 2023-05-29
Publication date: 2024-05-01

Abstract

本發明提供一種能抑制電漿處理腔室內之壓力之變動的技術。本發明之電漿處理裝置具備：腔室；氣體供給部，其對腔室內供給處理氣體；電源，其產生使腔室內自處理氣體產生電漿之源RF信號；記憶部，其預先記憶源RF信號之參數之設定值即源設定值；壓力調整閥，其係與腔室連接者，且構成為調整腔室之內部壓力；開度算出部，其係算出壓力調整閥之開度者，且開度係根據源設定值來算出；及開度控制部，其根據算出之開度來控制壓力調整閥之開度。

Description

電漿處理裝置、電漿處理方法、壓力閥控制裝置、壓力閥控制方法及壓力調整系統

本發明之例示性實施方式係關於一種電漿處理裝置、電漿處理方法、壓力閥控制裝置、壓力閥控制方法及壓力調整系統。

作為於步驟切換後快速地使電漿穩定之技術，有專利文獻1記載之技術。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 日本專利特開2016-027592號公報

[發明所欲解決之問題]

本發明提供一種可抑制電漿處理腔室內之壓力之變動的技術。 [解決問題之技術手段]

本發明之一個例示性實施方式中，提供一種電漿處理裝置。電漿處理裝置具備：腔室；氣體供給部，其對腔室內供給處理氣體；電源，其產生使腔室內自處理氣體產生電漿之源RF信號；記憶部，其預先記憶源RF信號之參數之設定值即源設定值；壓力調整閥，其係與腔室連接者，且構成為調整腔室之內部壓力；開度算出部，其係算出壓力調整閥之開度者，且開度係根據源設定值來算出；及開度控制部，其根據算出之開度來控制壓力調整閥之開度。 [發明之效果]

根據本發明之一個例示性實施方式，可提供一種能抑制電漿處理腔室內之壓力之變動的技術。

以下，對本發明之各實施方式進行說明。

一個例示性實施方式中，提供一種電漿處理裝置。電漿處理裝置具備：腔室；氣體供給部，其對腔室內供給處理氣體；電源，其產生使腔室內自處理氣體產生電漿之源RF信號；記憶部，其預先記憶源RF信號之參數之設定值即源設定值；壓力調整閥，其係與腔室連接者，且構成為調整腔室之內部壓力；開度算出部，其係算出壓力調整閥之開度者，且開度係根據源設定值來算出；及開度控制部，其根據算出之開度來控制壓力調整閥之開度。

一個例示性實施方式中，源設定值係源RF信號之電力、電壓、頻率及工作比中之至少1者。

一個例示性實施方式中，該電漿處理裝置進而具備於腔室內支持基板之基板支持部，電源進而產生供給至基板支持部之偏壓信號，記憶部記憶偏壓信號之參數之設定值即偏壓設定值，開度算出部進而根據記憶部中記憶之偏壓設定值來算出壓力調整閥之開度。

一個例示性實施方式中，偏壓信號係偏壓RF(radio frequency，射頻)信號，偏壓設定值係偏壓RF信號之電力、電壓、頻率或工作比。

一個例示性實施方式中，偏壓信號係包含複數個電壓脈衝之偏壓DC(direct current，直流)信號，偏壓設定值係電壓脈衝之電壓、頻率或工作比。

一個例示性實施方式中，記憶部進而記憶處理氣體之流量之設定值即流量設定值，開度算出部進而根據記憶部中記憶之流量設定值來算出壓力調整閥之開度。

一個例示性實施方式中，該電漿處理裝置進而具備測定腔室之內部壓力之壓力感測器，開度算出部係根據腔室之內部壓力之變化量而自(a)動作切換至(b)動作，該(a)動作係根據記憶部中記憶之源設定值來算出壓力調整閥之開度，該(b)動作係根據壓力感測器測定之腔室之內部壓力來算出壓力調整閥之開度。

一個例示性實施方式中，記憶部記憶處理氣體中所含之氣體種，開度控制部根據記憶部中記憶之氣體種，而切換是否根據記憶部中記憶之源設定值來算出壓力調整閥之開度。

一個例示性實施方式中，記憶部記憶收容於腔室之基板所包含之膜種，開度控制部根據記憶部中記憶之膜種，而切換是否根據記憶部中記憶之源設定值來算出壓力調整閥之開度。

一個例示性實施方式中，收容於腔室之基板包含遮罩，遮罩包含開口圖案，記憶部記憶開口圖案中所包含之開口之開口率，開度控制部根據記憶部中記憶之開口率，而切換是否根據記憶部中記憶之源設定值來算出壓力調整閥之開度。

一個例示性實施方式中，記憶部進而記憶表示源設定值與腔室之內部壓力之關係之傳遞函數，開度算出部進而根據傳遞函數來算出壓力調整閥之開度。

一個例示性實施方式中，該電漿處理裝置進而具備測定腔室之內部壓力之壓力感測器，開度算出部於電漿處理之執行中獲取腔室之內部壓力及壓力調整閥之開度，開度算出部根據源設定值與獲取之腔室之內部壓力及壓力調整閥之開度的關聯來更新記憶部中記憶之傳遞函數。

一個例示性實施方式中，電漿處理裝置進而具備：基板支持部，其於腔室內支持基板；及上部電極，其與基板支持部對向；電源進而產生施加至上部電極之DC信號，記憶部記憶DC信號之參數之設定值即DC設定值，開度算出部進而根據記憶部中記憶之DC設定值來算出壓力調整閥之開度。

一個例示性實施方式中，提供一種於具有腔室之電漿處理裝置中執行之電漿處理方法。電漿處理方法包含：對腔室內供給處理氣體之工序；產生使腔室內自處理氣體產生電漿之源RF信號之工序；預先記憶源RF信號之參數之設定值即源設定值之工序；及算出以調整腔室之內部壓力之方式構成的壓力調整閥之開度，且該工序係根據源設定值來算出開度之工序。

一個例示性實施方式中，提供一種控制連接於腔室之壓力調整閥之開度之壓力閥控制裝置。壓力閥控制裝置具備：通信部，其係構成為接收源RF信號之參數之設定值即源設定值之通信部，該源RF信號係使腔室內產生電漿之信號；開度算出部，其根據通信部接收之源設定值來算出壓力調整閥之開度；及開度控制部，其根據算出之開度來控制壓力調整閥之開度。

一個例示性實施方式中，壓力閥控制裝置進而具備記憶部，該記憶部記憶以通信部接收之源設定值為輸入之傳遞函數，開度算出部讀出記憶部中記憶之傳遞函數，且根據上述通信部接收之上述源設定值及自上述記憶部讀出之上述傳遞函數來算出壓力調整閥之開度。

一個例示性實施方式中，當上述通信部接收到源設定值時，上述開度算出部根據上述源設定值及上述傳遞函數來算出上述壓力調整閥之開度。

一個例示性實施方式中，上述通信部接收以上述源設定值為輸入之傳遞函數，上述開度算出部根據上述通信部接收到之上述源設定值及上述傳遞函數來算出上述壓力調整閥之開度。

一個例示性實施方式中，當上述通信部接收到上述源設定值及上述傳遞函數時，上述開度算出部根據上述源設定值及上述傳遞函數來算出上述壓力調整閥之開度。

一個例示性實施方式中，提供一種控制連接於腔室之壓力調整閥之開度之壓力閥控制裝置。壓力閥控制裝置具備：通信部，其係以接收壓力調整閥之開度之方式構成之通信部，且開度係根據源設定值來算出，源設定值係源RF信號之參數之設定值，源RF信號係使腔室內產生電漿之信號；及開度控制部，其根據所接收之開度來控制壓力調整閥之開度。

一個例示性實施方式中，上述壓力調整閥之上述開度係根據上述源設定值及傳遞函數來算出，上述傳遞函數表示上述源設定值與上述腔室之內部壓力之關係。

一個例示性實施方式中，提供一種控制連接於腔室之壓力調整閥之開度之壓力閥控制方法。壓力閥控制方法包含：接收源RF信號之參數之設定值即源設定值之工序，且源RF信號係使腔室內產生電漿之信號；根據所接收之源設定值來算出壓力調整閥之開度之工序；及根據所算出之開度來控制壓力調整閥之開度之工序。

一個例示性實施方式中，提供一種控制連接於腔室之壓力調整閥之開度之壓力閥控制方法。壓力閥控制方法具備：接收壓力調整閥之開度之工序，且開度係根據源設定值來算出，源設定值係源RF信號之參數之設定值，源RF信號係使腔室內產生電漿之信號；及根據所接收之開度來控制壓力調整閥之開度之工序。

一個例示性實施方式中，提供一種壓力調整系統。壓力調整系統具備：壓力調整閥，其連接於腔室；及壓力閥控制裝置，其控制上述壓力調整閥之開度；且上述壓力閥控制裝置係控制連接於腔室之壓力調整閥之開度之壓力閥控制裝置，具備：通信部，其係以接收源RF信號之參數之設定值即源設定值的方式構成之通信部，上述源RF信號係使上述腔室內產生電漿之信號；開度算出部，其根據上述通信部接收之上述源設定值來算出上述壓力調整閥之開度；及開度控制部，其根據所算出之上述開度來控制上述壓力調整閥之開度。

一個例示性實施方式中，提供一種壓力調整系統。壓力調整系統具備：壓力調整閥，其連接於腔室；及壓力閥控制裝置，其控制上述壓力調整閥之開度；上述壓力閥控制裝置具備：通信部，其係以接收源RF信號之參數之設定值即源設定值的方式構成之通信部，上述源RF信號係使上述腔室內產生電漿之信號；記憶部，其記憶以上述通信部接收之上述源設定值為輸入之傳遞函數；開度算出部，其讀出上述記憶部中記憶之上述傳遞函數，且根據上述通信部接收之上述源設定值及自上述記憶部讀出之上述傳遞函數來算出上述壓力調整閥之開度；開度算出部，其根據上述通信部接收之上述源設定值來算出上述壓力調整閥之開度；及開度控制部，其根據所算出之上述開度來控制上述壓力調整閥之開度。

一個例示性實施方式中，提供一種壓力調整系統。壓力調整系統具備：壓力調整閥，其連接於腔室；及壓力閥控制裝置，其控制上述壓力調整閥之開度；上述壓力閥控制裝置具備：通信部，其係以接收上述壓力調整閥之開度之方式構成之通信部，上述開度係根據源設定值來算出，上述源設定值係源RF信號之參數之設定值，上述源RF信號係使上述腔室內產生電漿之信號；及開度控制部，其根據所接收之上述開度來控制上述壓力調整閥之開度。

以下，參照圖式對本發明之各實施方式進行詳細說明。再者，各圖式中對相同或同樣之要素附上相同符號，並省略重複說明。只要未特別限定，均係根據圖式所示之位置關係來對上下左右等位置關係進行說明。圖式之尺寸比率並非表示實際之比率，又，實際之比率不限於圖示之比率。

＜電漿處理系統之構成例＞圖1係用以對電漿處理系統之構成例進行說明之圖。一實施方式中，電漿處理系統包含電漿處理裝置1及控制部2。電漿處理系統係基板處理系統之一例，電漿處理裝置1係基板處理裝置之一例。電漿處理裝置1包含電漿處理腔室10、基板支持部11及電漿產生部12。電漿處理腔室10具有電漿處理空間。又，電漿處理腔室10具有用以將至少1種處理氣體供給至電漿處理空間之至少1個氣體供給口、及用以自電漿處理空間排出氣體之至少1個氣體排出口。氣體供給口連接於下述之氣體供給部20，氣體排出口連接於下述之排氣系統40。基板支持部11配置於電漿處理空間內，具有用以支持基板之基板支持面。

電漿產生部12構成為自供給至電漿處理空間內之至少1種處理氣體產生電漿。於電漿處理空間中形成之電漿亦可為電容耦合電漿(CCP；Capacitively Coupled Plasma)、感應耦合電漿(ICP；Inductively Coupled Plasma)、ECR電漿(Electron－Cyclotron－resonance plasma，電子迴旋共振電漿)、螺旋波激發電漿(HWP：Helicon Wave Plasma)、或表面波電漿(SWP：Surface Wave Plasma)等。又，亦可使用包含AC(Alternating Current，交流)電漿產生部及DC(Direct Current)電漿產生部之各種類型之電漿產生部。一實施方式中，於AC電漿產生部使用之AC信號(AC電力)具有100 kHz～10 GHz之範圍內之頻率。由此，AC信號包含RF(Radio Frequency)信號及微波信號。一實施方式中，RF信號具有100 kHz～150 MHz之範圍內之頻率。

控制部(Circuitry)2對使電漿處理裝置1執行本發明中所述之各種工序之電腦可執行的命令進行處理。控制部2可構成為以執行此處所述之各種工序之方式控制電漿處理裝置1之各要素。一實施方式中，控制部2之一部分或全部亦可包含於電漿處理裝置1中。控制部2亦可包含處理部2a1、記憶部2a2及通信介面2a3。控制部2藉由例如電腦2a實現。處理部2a1可構成為藉由自記憶部2a2讀出程式並執行讀出之程式而進行各種控制動作。該程式亦可預先儲存於記憶部2a2中，亦可於需要時經由介質獲取。所獲取之程式儲存於記憶部2a2中，藉由處理部2a1自記憶部2a2讀出並執行。介質可為電腦2a可讀取之各種記憶介質，亦可為連接於通信介面2a3之通信線路。處理部2a1亦可為CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)。記憶部2a2亦可包含RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)、ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)、HDD(Hard Disk Drive，硬碟驅動器)、SSD(Solid State Drive，固態驅動器)或該些之組合。通信介面2a3亦可經由LAN(Local Area Network，局域網路)等通信線路而在與電漿處理裝置1之間通信。

＜電漿處理裝置之構成例＞以下，對作為電漿處理裝置1之一例之電容耦合型之電漿處理裝置之構成例進行說明。圖2係用以對電容耦合型之電漿處理裝置之構成例進行說明之圖。

電容耦合型之電漿處理裝置1包含電漿處理腔室10、氣體供給部20、電源30及排氣系統40。又，電漿處理裝置1包含基板支持部11及氣體導入部。氣體導入部構成為將至少1種處理氣體導入至電漿處理腔室10內。氣體導入部包含簇射頭13。基板支持部11配置於電漿處理腔室10內。簇射頭13配置於基板支持部11之上方。一實施方式中，簇射頭13構成電漿處理腔室10之頂部(ceiling)之至少一部分。電漿處理腔室10具有由簇射頭13、電漿處理腔室10之側壁10a及基板支持部11規定之電漿處理空間10s。電漿處理腔室10接地。簇射頭13及基板支持部11與電漿處理腔室10之殼體電性絕緣。

基板支持部11包含本體部111及環組件112。本體部111具有用以支持基板W之中央區域111a、及用以支持環組件112之環狀區域111b。晶圓係基板W之一例。本體部111之環狀區域111b於俯視下包圍本體部111之中央區域111a。基板W配置於本體部111之中央區域111a上，環組件112以包圍本體部111之中央區域111a上之基板W的方式配置於本體部111之環狀區域111b上。由此，中央區域111a亦被稱為用以支持基板W之基板支持面，環狀區域111b亦被稱為用以支持環組件112之環支持面。

一實施方式中，本體部111包含基台1110及靜電吸盤1111。基台1110包含導電性構件。基台1110之導電性構件可作為下部電極發揮功能。靜電吸盤1111配置於基台1110之上。靜電吸盤1111包含陶瓷構件1111a與配置於陶瓷構件1111a內之靜電電極1111b。陶瓷構件1111a具有中央區域111a。一實施方式中，陶瓷構件1111a具有環狀區域111b。再者，環狀靜電吸盤、環狀絕緣構件般之包圍靜電吸盤1111之其他構件亦可具有環狀區域111b。該情形時，環組件112可配置於環狀靜電吸盤或環狀絕緣構件之上，亦可配置於靜電吸盤1111與環狀絕緣構件之雙方之上。又，與下述RF電源31及/或DC電源32耦合之至少1個RF/DC電極亦可配置於陶瓷構件1111a內。該情形時，至少1個RF/DC電極作為下部電極發揮功能。將下述偏壓RF信號及/或DC信號供給至至少1個RF/DC電極之情形時，RF/DC電極亦被稱為偏壓電極。再者，基台1110之導電性構件與至少1個RF/DC電極亦作為複數個下部電極發揮功能。又，靜電電極1111b亦作為下部電極發揮功能。由此，基板支持部11包含至少1個下部電極。

環組件112包含1個或複數個環狀構件。一實施方式中，1個或複數個環狀構件包含1個或複數個邊緣環與至少1個蓋環。邊緣環由導電性材料或絕緣材料形成，蓋環由絕緣材料形成。

又，基板支持部11亦可包含調溫模組，該調溫模組構成為將靜電吸盤1111、環組件112及基板中之至少1者調節為目標溫度。調溫模組亦可包含加熱器、導熱介質、流路1110a或該些之組合。流路1110a中流動鹽水、氣體般之導熱流體。一實施方式中，流路1110a形成於基台1110內，1個或複數個加熱器配置於靜電吸盤1111之陶瓷構件1111a內。又，基板支持部11亦可包含導熱氣體供給部，該導熱氣體供給部構成為對基板W之背面與中央區域111a之間之間隙供給導熱氣體。

簇射頭13構成為將來自氣體供給部20之至少1種處理氣體導入至電漿處理空間10s內。簇射頭13具有至少1個氣體供給口13a、至少1個氣體擴散室13b及複數個氣體導入口13c。供給至氣體供給口13a之處理氣體通過氣體擴散室13b而自複數個氣體導入口13c導入至電漿處理空間10s內。又，簇射頭13包含至少1個上部電極。再者，氣體導入部除簇射頭13以外，還可包含安裝於形成在側壁10a之1個或複數個開口部之1個或複數個側氣體注入部(SGI：Side Gas Injector)。

氣體供給部20亦可包含至少1個氣體源21及至少1個流量控制器22。一實施方式中，氣體供給部20構成為將至少1種處理氣體自各自對應之氣體源21經由各自對應之流量控制器22供給至簇射頭13。各流量控制器22亦可包含例如質量流量控制器或壓力控制式之流量控制器。進而，氣體供給部20亦可包含將至少1種處理氣體之流量調變或脈衝化之至少1個流量調變器件。

電源30包含經由至少1個阻抗匹配電路而與電漿處理腔室10耦合之RF電源31。RF電源31構成為將至少1個RF信號(RF電力)供給至至少1個下部電極及/或至少1個上部電極。藉此，自供給至電漿處理空間10s之至少1種處理氣體產生電漿。由此，RF電源31可作為電漿產生部12之至少一部分發揮功能。又，藉由將偏壓RF信號供給至至少1個下部電極，而可於基板W產生偏壓電位，從而可將形成之電漿中之離子成分饋入至基板W。

一實施方式中，RF電源31包含第1RF產生部31a及第2RF產生部31b。第1RF產生部31a構成為經由至少1個阻抗匹配電路而與至少1個下部電極及/或至少1個上部電極耦合，產生電漿產生用之源RF信號(源RF電力)。一實施方式中，源RF信號具有10 MHz～150 MHz之範圍內之頻率。一實施方式中，第1RF產生部31a亦可構成為產生具有不同頻率之複數個源RF信號。產生之1個或複數個源RF信號供給至至少1個下部電極及/或至少1個上部電極。

第2RF產生部31b構成為經由至少1個阻抗匹配電路而與至少1個下部電極耦合，產生偏壓RF信號(偏壓RF電力)。偏壓RF信號之頻率可與源RF信號之頻率相同，亦可不同。一實施方式中，偏壓RF信號具有較源RF信號之頻率低之頻率。一實施方式中，偏壓RF信號具有100 kHz～60 MHz之範圍內之頻率。一實施方式中，第2RF產生部31b亦可構成為產生具有不同頻率之複數個偏壓RF信號。產生之1個或複數個偏壓RF信號供給至至少1個下部電極。又，各種實施方式中，源RF信號及偏壓RF信號中之至少1者亦可脈衝化。

又，電源30亦可包含與電漿處理腔室10耦合之DC電源32。DC電源32包含第1DC產生部32a及第2DC產生部32b。一實施方式中，第1DC產生部32a構成為連接於至少1個下部電極且產生第1DC信號。產生之第1DC信號施加至至少1個下部電極。一實施方式中，第2DC產生部32b構成為連接於至少1個上部電極且產生第2DC信號。產生之第2DC信號施加至至少1個上部電極。

各種實施方式中，第1及第2DC信號亦可脈衝化。該情形時，電壓脈衝之序列施加至至少1個下部電極及/或至少1個上部電極。電壓脈衝亦可具有矩形、梯形、三角形或該些之組合之脈衝波形。一實施方式中，用以自DC信號產生電壓脈衝之序列之波形產生部連接於第1DC產生部32a與至少1個下部電極之間。由此，第1DC產生部32a及波形產生部構成電壓脈衝產生部。於第2DC產生部32b及波形產生部構成電壓脈衝產生部之情形時，電壓脈衝產生部連接於至少1個上部電極。電壓脈衝可具有正極性，亦可具有負極性。又，電壓脈衝之序列亦可於1週期內包含1個或複數個正極性電壓脈衝與1個或複數個負極性電壓脈衝。再者，亦可除RF電源31以外還設置第1及第2DC產生部32a、32b，亦可代替第2RF產生部31b而設置第1DC產生部32a。

排氣系統40可連接於例如設置於電漿處理腔室10之底部之氣體排出口10e。排氣系統40亦可包含壓力調整閥42及真空泵44。藉由壓力調整閥42而調整電漿處理空間10s內之壓力。本實施方式中，壓力調整閥42之流導會根據壓力調整閥42之開度而變化。又，亦可設置控制壓力調整閥42之開度而控制電漿處理空間10s之壓力之壓力閥控制裝置50。壓力閥控制裝置50可為電漿處理裝置1之一部分構成，又，亦可為電漿處理裝置1之外部構成。真空泵44亦可包含渦輪分子泵、乾泵或該些之組合。控制部2之至少一部分、壓力調整閥42及/或壓力閥控制裝置50可構成壓力調整系統100。

圖3係表示壓力調整系統100之構成之一例之方塊圖。壓力調整系統100可包含控制部2之至少一部分、壓力調整閥42及壓力調整裝置。壓力閥控制裝置50具有通信部51、差量算出部52、FB控制部53、FF控制部54、開度算出部55、記憶部56及開度控制部57。再者，控制部2亦可具有壓力閥控制裝置50中所包含之構成之一部分或全部。一實施方式中，壓力閥控制裝置50中所包含之構成執行之功能之一部分或全部亦可於控制部2中執行(作為一例而參照圖6及圖7)。

通信部51可為構成為於壓力閥控制裝置50與控制部2之間進行通信之介面。通信部51自控制部2接收控制資料。通信部51可經由通信介面2a3而與控制部2之各構成通信。通信部51可將自控制部2接收之控制資料之一部分或全部儲存於記憶部56中。又，通信部51可將自控制部2接收之控制資料之一部分或全部發送至開度算出部55。

通信部51接收壓力感測器60測定之電漿處理腔室10內之壓力(以下亦稱為「腔室壓力」)之測定值。通信部51可自壓力感測器60接收腔室壓力之測定值。又，通信部51亦可經由控制部2接收腔室壓力之測定值。

又，通信部51可自壓力調整閥42接收與壓力調整閥42之開度相關之開度資料。通信部51可將開度資料發送至控制部2。控制部2可將自通信部51接收之開度資料儲存於記憶部2a2。再者，控制部2亦可自壓力調整閥42不經由壓力閥控制裝置50而接收開度資料。又，通信部51亦可將自壓力調整閥42接收之開度資料儲存於記憶部56。再者，開度資料可為控制壓力調整閥42之開度之編碼器之值。又，控制部2可根據開度資料來控制壓力調整閥42之動作時序及/或動作速度。

差量算出部52算出腔室壓力之設定值與腔室壓力之測定值之差量即壓力差。一例中，算出部52亦可自記憶部56讀出腔室壓力之設定值。

FB控制部53算出用以對腔室壓力進行反饋控制之FB修正值。一例中，FB修正值係用以對壓力調整閥42之開度進行修正之值。FB控制部53亦可根據差量算出部52算出之壓力差來算出FB修正值。

FF控制部54算出用以對腔室壓力進行前饋控制之FF修正值。一例中，FF修正值係用以對壓力調整閥42之開度進行修正之值。FF控制部54亦可根據通信部51接收之控制資料及/或記憶部56中儲存之控制資料來算出FF修正值。

開度算出部55包含FB控制部53及FF控制部54。開度算出部55根據FB修正值及/或FF修正值來算出壓力調整閥42之開度。又，開度算出部55根據算出之開度來控制壓力調整閥42之開度。再者，FB控制部53及/或FF控制部54亦可以FB修正值及/或FF修正值為開度來控制壓力調整閥42之開度。又，本發明中，開度控制部55之算出動作可為FB控制部53及/或FF控制部54之算出動作。

開度算出部55可自壓力調整閥42接收與壓力調整閥42之開度相關之開度資料。開度資料可為控制壓力調整閥42之開度之編碼器之值。開度算出部55可根據開度資料來控制壓力調整閥42之動作時序及/或動作速度控制。開度算出部55亦可將自壓力調整閥42接收之開度資料儲存於記憶部56。

記憶部56記憶與壓力調整閥42之控制相關之資料。一實施方式中，記憶部56記憶之資料可包含下述控制資料之一部分或全部。作為一例，記憶部56記憶之控制資料可包含傳遞函數。

＜電漿處理方法之一例＞圖4係表示一個例示性實施方式之電漿處理方法(以下亦稱為「本處理方法」)之流程圖。如圖4所示，本處理方法包含讀出控制資料之工序(ST1)、準備基板之工序(ST2)、對基板進行蝕刻之工序(ST3)、及對傳遞函數進行更新之工序(ST4)。各工序中之處理亦可由圖1所示之電漿處理系統執行。以下對如下例進行說明，即，控制部2控制電漿處理裝置1之各部，並且於圖3所示之壓力調整系統100中，壓力閥控制裝置50控制壓力調整閥42而執行本處理方法。

(工序ST1:控制資料之讀出及記憶) 工序ST1中，讀出用以執行本處理方法之控制資料。作為一例，亦可自控制部2中所包含之記憶部2a2讀出控制資料之一部分或全部。又，工序ST1中，記憶用以執行本處理方法之控制資料。一實施方式中，亦可將控制資料之一部分或全部記憶於壓力閥控制裝置50之記憶部56。

控制資料係用以控制電漿處理裝置1之各部而執行本處理方法之資料。作為一例，控制資料可包含配方資料及傳遞函數。配方資料可包含工序ST3之蝕刻處理中之源RF信號之參數之設定值。作為一例，源RF信號之參數可包含源RF信號之電力、電壓、頻率及工作比、源RF電力之供給時間。又，配方資料可包含偏壓信號(偏壓RF信號及偏壓DC信號)之參數之設定值。作為一例，偏壓信號之參數可包含偏壓信號之電力、電壓、頻率、工作比、偏壓信號之供給時間。又，配方資料可包含施加至上部電極之第2DC信號之設定值。作為一例，第2DC信號之參數可包含第2DC信號之電壓、第2DC信號之施加時間。又，配方資料可包含該蝕刻處理中之處理氣體之參數。作為一例，處理氣體之參數可包含處理氣體之流量、處理氣體中所含之氣體種、處理氣體中所含之氣體之解離度、自處理氣體中所含之氣體產生之副產物之種類及數量、處理氣體之供給時間等。

傳遞函數係以配方資料中所含之1個或2個以上參數之設定值為輸入、且以與電漿處理空間10s之壓力調整相關之設定值為輸出之函數。作為一例，傳遞函數可為以源RF信號之參數之設定值及/或處理氣體之參數之設定值為輸入、且以壓力調整閥42之開度、該開度之修正值或電漿處理空間10s之壓力為輸出的函數。作為一例，傳遞函數可包含時間常數之資訊。時間常數之資訊例如於為了使電漿處理腔室10之內部壓力為特定壓力而使壓力調整閥42之開度為特定開度時，可為直至該內部壓力開始變化為止之時間、及直至該內部壓力達到該特定壓力為止之時間。又，時間常數之資訊可為自氣體供給部20開始處理氣體之供給後至電漿處理腔室10之內部壓力開始變化為止之時間、及至該內部壓力為大致固定為止之時間。傳遞函數亦可藉由機械學習而產生或更新。

再者，傳遞函數可為將複數個參數之變化量與腔室壓力之變化量之關係模型化而得的函數。一例中，傳遞函數亦可如下般求出。即，首先，於將壓力調整閥42之開度固定之狀態下，一面使複數個參數之值變化，一面根據其等之變化量與腔室壓力之變化量之關係來製作資料庫。然後，根據製作之資料庫來將複數個參數之變化量與腔室壓力之變化量之關係模型化。然後，根據模型化之關係來產生傳遞函數。再者，亦可對各配方資料分別準備傳遞函數。

作為一例，亦可將1個傳遞函數與1個配方資料建立對應。又，作為一例，於1個配方資料包含複數個步驟之情形時，亦可將不同之傳遞函數與各步驟建立對應。作為一例，該複數個步驟可為圖5所示之第1步驟至第3步驟。配方資料與傳遞函數可預先建立對應地記憶於記憶部2a2及/或記憶部56。又，亦可藉由自記憶部2a2及/或記憶部56根據配方資料來讀出傳遞函數，而將配方資料與傳遞函數建立對應。

作為一例，亦可為記憶部2a2記憶控制資料之一部分或全部，處理部2a1自記憶部2a2讀出控制資料。控制部2亦可將自記憶部2a2讀出之控制資料經由通信介面2a3而發送至通信部51。通信部51可將自控制部2接收之控制資料儲存於記憶部56。又，作為一例，通信部51亦可將自控制部2接收之控制資料發送至開度算出部55。又，作為一例，亦可為記憶部56記憶控制資料之一部分或全部，FF控制部54自記憶部56讀出控制資料。

再者，工序ST1中之執行控制資料之一部分或全部之讀出及/或記憶之時序可任意執行。作為一例，控制資料之讀出及/或記憶可於執行工序ST3(基板蝕刻工序)之前執行。又，作為一例，控制資料之一部分之讀出及/或記憶，可以與控制資料之另一部分之讀出及/或記憶不同之時序執行。圖3所示之構成例中，作為一例，可於將1個或2個以上傳遞函數自記憶部2a2讀出並記憶於記憶部56之後，將配方資料自記憶部2a2讀出並自控制部2發送至通信部51。圖3所示之構成例中，作為一例，傳遞函數之讀出及記憶可於工序ST2之前執行，且配方資料之讀出及記憶可於工序ST2之後執行。

又，作為一例，壓力閥控制裝置50之各構成亦可代替記憶部56而自記憶部2a2經由通信部51讀出控制資料等。該情形時，壓力閥控制裝置50如圖6所示，亦可不具有預先記憶控制資料50之記憶部56。再者，圖6所示之例中，壓力閥控制裝置50亦可具備緩衝或暫時性記憶通信部51接收之控制資料等之構成。

(工序ST2：準備基板) 工序ST2中，於電漿處理裝置1之電漿處理空間10s內準備基板W。具體而言，基板W由靜電吸盤1111保持於基板支持部11。基板W亦可為用於半導體器件之製造之基板。基板W包含蝕刻膜及遮罩膜。蝕刻膜係於本處理方法中成為蝕刻對象之膜。本處理方法中，蝕刻膜係藉由在電漿處理空間10s中產生之電漿而以遮罩膜為遮罩來蝕刻。

(工序ST3：蝕刻基板) 工序ST3中，對基板W進行蝕刻。工序ST3包含產生電漿之工序(ST31)及控制電漿處理空間10s之壓力之工序(ST32)。工序ST31可包含對電漿處理腔室10內供給處理氣體之工序、供給源RF信號之工序及供給偏壓RF信號之工序。該各工序中，自處理氣體產生包含活性種之電漿，藉由該活性種而對蝕刻膜進行蝕刻。再者，開始供給處理氣體、源RF信號及偏壓信號之順序為任意。又，工序ST32中，控制電漿處理空間10s中之壓力。工序ST31中之電漿之產生及工序ST32中之壓力之控制可並行執行。以下，參照圖4及圖5對工序ST3之詳情進行說明。

圖5係本處理方法中之各處理之時序圖之一例。圖5之時序圖中，橫軸表示時間，縱軸表示各參數之值(相對值)。

工序ST31中，於電漿處理空間10s內產生電漿。控制部2根據工序ST1中讀出之配方資料來控制電漿產生部12，於電漿處理空間10s內產生電漿。另一方面，於壓力閥控制裝置50中，開度算出部55根據經由通信部51而自控制部2接收之配方資料，而自記憶部56讀出1個或2個以上傳遞函數。圖3所示之構成例中，1個或2個以上傳遞函數亦可於通信部51自控制部2接收配方資料之前記憶於記憶部56中。又，開度算出部55根據配方資料及傳遞函數來算出壓力調整閥42之開度。開度控制部57根據算出之開度來控制壓力調整閥42之開度。

圖5所示之例中，蝕刻工序ST3包含第1步驟及第2步驟。作為一例，配方資料包含各步驟中之源RF信號之頻率、電力及工作比。又，配方資料包含各步驟中之處理氣體中所含之氣體種及處理氣體之流量。

圖5所示之例中，源RF信號係週期性地包含由RF構成之脈衝之脈衝波。即，源RF信號係週期性重複源RF電力之實效值(以下亦簡單地稱為「電力」)為L之期間與電力為H之期間的脈衝波。第1步驟中，源RF信號之電力為L。又，第2步驟中，源RF信號之電力為H。電力H係較電力L大之電力。源RF電力之大小、脈衝波之頻率及構成脈衝波之RF之頻率，可根據執行之蝕刻處理來適當設定。又，一例中，電力L亦可為0 W。源RF信號之工作比可根據執行之蝕刻處理來適當設定。再者，工作比係源RF信號之脈衝波之一週期中的電力較高之期間與較低之期間之比。例如，圖5所示之第2步驟中，工作比係源RF信號之脈衝波之一週期中的源RF電力為H之期間與為L之期間之比。

工序ST31中，控制部2可控制電源30中所包含之第1RF產生部31a(參照圖2)而產生源RF信號。又，控制部2可控制電源30中所包含之第2RF產生部31b(參照圖2)而產生偏壓RF信號。又，一例中，亦可藉由利用第2RF產生部31b產生之RF信號，而於電漿處理腔室10內產生電漿。即，藉由第2RF產生部31b而產生之RF信號亦可作為本發明中之「源RF信號」發揮功能。

第1步驟中，控制部2根據自記憶部2a2讀出之配方資料來控制氣體供給部20，以流量S2對電漿處理腔室10內供給處理氣體。又，控制部2根據讀出之配方資料來控制RF電源31，產生上述脈衝波作為源RF信號並供給至基板支持部11。藉此，於電漿處理空間10s中，自處理氣體產生電漿對基板W進行蝕刻。再者，控制部2亦可根據配方資料來控制RF電源31，產生偏壓RF信號或偏壓DC信號並供給至基板支持部11。

又，第1步驟中，壓力閥控制裝置50控制壓力調整閥42之開度而控制腔室壓力(工序ST32)。壓力閥控制裝置50可根據通信部51接收之配方資料，來藉由前饋控制(以下亦稱為「FF控制」)而控制壓力調整閥42之開度。作為一例，於開度算出部55中，FF控制部54可根據通信部51接收之源設定值及自記憶部56讀出之傳遞函數，來算出壓力調整閥42之開度。源設定值可為源RF信號之參數之設定值。於開度算出部55中，FF控制部54當通信部51接收到源RF信號之參數之設定值即源設定值時，可根據通信部51接收之該源設定值、及以該源設定值為輸入之傳遞函數，來算出壓力調整閥42之開度。可將以該源設定值為輸入之傳遞函數根據該源設定值而自記憶部56讀出。傳遞函數可為表示源設定值與腔室壓力之關係之函數。

又，壓力閥控制裝置50亦可根據由壓力感測器測定之腔室壓力，來藉由反饋控制(以下亦稱為「FB控制」)而控制壓力調整閥42之開度。本處理方法中，首先，於各步驟之開始時，壓力閥控制裝置50藉由FF控制而控制壓力調整閥42之開度。然後，於腔室壓力成為穩態後，壓力閥控制裝置50藉由FB控制而控制壓力調整閥42之開度。FB控制係根據實際上測定之腔室壓力來執行。再者，圖5之第1步驟中，壓力調整閥42之開度以開度V1大致固定，又，腔室壓力成為穩態。

於蝕刻工序ST3中執行之蝕刻處理，於時刻t1(參照圖5)自第1步驟轉移至第2步驟。於蝕刻處理自第1步驟轉移至第2步驟時，控制部2根據配方資料來控制氣體供給部20，使處理氣體之流量自流量S1變化為流量S2。又，控制部2根據配方資料來使源RF信號自電力為L之脈衝波變化為電力為H之脈衝波。此處，若供給至電漿處理腔室10內之處理氣體之流量增加，則腔室壓力會上升。又，若源RF電力增加，則電漿處理空間10s中之處理氣體之解離量增加，因此腔室壓力會上升。又，電漿處理空間10s中之處理氣體之解離量亦會根據處理氣體中所含之氣體種而變化。

壓力閥控制裝置50根據時刻t1中之源RF信號之參數之變化以及處理氣體中所含之氣體種及/或流量之變化，來控制壓力調整閥42之開度。藉此，可抑制腔室壓力之變動。此時，壓力閥控制裝置50將壓力調整閥42之開度之控制自FB控制切換為FF控制來控制腔室壓力。具體而言，首先，壓力閥控制裝置50中所包含之FF控制部54根據通信部51自控制部2接收之配方資料及自記憶部56讀出之傳遞函數，來算出對壓力調整閥42之開度進行修正之FF修正值。該傳遞函數可為與通信部51自控制部2接收之配方資料中所包含之第2步驟建立對應的傳遞函數。而且，開度算出部55根據FF控制部54算出之FF修正值來算出壓力調整閥42之開度，從而對壓力調整閥42之開度進行調整。此處，傳遞函數可為以源RF信號之參數、處理氣體中所含之氣體種及/或各氣體種之流量為輸入、且以壓力調整閥42之開度為輸出之函數。源RF信號之參數可為源RF信號之電力、頻率及工作比。再者，該FF控制亦可於時刻t1之前開始。圖5所示之例中，FF控制係於較時刻t1提前Δt _a之時刻開始。又，記憶部56預先記憶基板W中所包含之蝕刻對象膜及/或成為遮罩之膜種，壓力調整系統100亦可根據預先記憶之該膜種來執行FF控制。再者，傳遞函數可為進而基於遮罩之開口圖案中之開口率之函數。腔室壓力亦可根據基板W中所包含之成為蝕刻對象膜及/或遮罩之膜種而變動。又，腔室壓力亦可根據基板W中所包含之遮罩之開口率而變動。

一例中，FF控制係根據配方資料中所包含之各種設定值來執行。該設定值可包含源RF信號之電力之設定值、源RF信號之頻率之設定值、源RF信號之工作比之設定值、處理氣體之流量之設定值、處理氣體之流量之變化量之設定值。處理氣體之流量之變化量可為變化之絕對量，又亦可為單位時間中之變化量。又，一例中，FF控制可根據配方資料中所包含之偏壓RF信號及/或偏壓DC信號之參數之設定值來執行。例如，控制部2可根據偏壓RF信號之電力之實效值及頻率、或偏壓DC信號之電壓來執行。於偏壓DC信號包含電壓脈衝之序列之情形時，FF控制可根據電壓脈衝之序列之頻率及/或工作比來執行。

根據配方資料對壓力調整閥42進行FF控制，當腔室壓力成為穩態時，壓力閥控制裝置50(或開度算出部55)將壓力調整閥42之控制自FF控制切換為FB控制。圖5所示之例中，壓力閥控制裝置50於壓力調整閥42之開度以開度V2大致固定，且判定腔室壓力成為穩態之時刻t2，將壓力調整閥42之控制切換為FB控制。一例中，控制部2於預先規定之期間中之腔室壓力之變化量或單位時間中之腔室壓力之變化量成為預先規定之值以下的情形時，判定腔室壓力成為穩態。又，壓力閥控制裝置50於預先規定之期間中之壓力調整閥42之開度之變化量(絕對量)或單位時間中之壓力調整閥42之開度之變化量成為預先規定之值以下的情形時，判定腔室壓力成為穩態。而且，壓力閥控制裝置50於時刻t2以後，根據由壓力感測器測定之腔室壓力來控制壓力調整閥42之開度。一例中，通信部51可自控制部2或壓力感測器接收腔室壓力之測定值。又，差量算出部52算出腔室壓力之設定值與腔室壓力之測定值之差量即壓力差。又，FB控制部53自差量算出部52接收壓力差，根據該壓力差來算出對壓力調整閥42之開度進行修正之FB修正值。然後，開度算出部55根據FB修正值來算出壓力調整閥42之開度並調整壓力調整閥42之開度。

蝕刻工序ST3中執行之蝕刻處理於時刻t3(參照圖5)中，自第2步驟轉移至第3步驟。本例中於蝕刻處理自第2步驟轉移至第3步驟時，控制部2根據配方資料來控制氣體供給部20，使處理氣體之流量自流量S2變化為流量S1。又，控制部2根據配方資料來使源RF信號自電力為H之脈衝波變化為電力為L之脈衝波。此處，若供給至電漿處理腔室10內之處理氣體之流量減少，則腔室壓力會下降。又，若源RF電力減少，則電漿處理空間10s中之處理氣體之解離量減少，因此腔室壓力會下降。

壓力閥控制裝置50根據時刻t3中之源RF信號之參數之變化、處理氣體中所含之氣體種及/或各氣體種之流量之變化來控制壓力調整閥42之開度。藉此，可抑制腔室壓力之變動。此時，壓力閥控制裝置50與在時刻t1開始第2步驟時相同，將壓力調整閥42之開度之控制自FB控制切換為FF控制來控制腔室壓力。具體而言，首先，壓力閥控制裝置50中所包含之FF控制部54根據通信部51自控制部2接收之配方資料及自記憶部56讀出之傳遞函數，來算出對壓力調整閥42之開度進行修正之FF修正值。該傳遞函數可為與通信部51自控制部2接收之配方資料中所包含之第3步驟建立對應之傳遞函數。FF控制部54亦可根據傳遞函數來調整開始壓力調整閥42之開度之變更的時間。而且，開度算出部55根據FF控制部54算出之FF修正值來算出壓力調整閥42之開度而調整壓力調整閥42之開度。再者，該FF控制可於時刻t3之前開始。圖5所示之例中，FF控制係於較時刻t3提前Δt _b之時刻開始。

根據配方資料對壓力調整閥42進行FF控制，當腔室壓力成為穩態時，壓力閥控制裝置50(或開度算出部55)與第2步驟相同，將壓力調整閥42之控制自FF控制切換為FB控制。圖5所示之例中，壓力閥控制裝置50於壓力調整閥42之開度以開度V1大致固定，且判定腔室壓力成為穩態之時刻t2，將壓力調整閥42之控制切換為FB控制。而且，當執行由配方資料指定之各步驟之處理時，控制部2停止源RF信號及處理氣體之供給。藉此，工序ST3結束

本處理方法，根據配方資料中所包含之源RF信號之參數及其他設定值來對壓力調整閥42進行FF控制，因此於電漿處理中，即便配方資料中之該參數之設定值變化，亦可抑制腔室壓力之變動。再者，於本處理方法之執行中，腔室壓力會因各種因素而變動。本處理方法中，可抑制基於配方資料中所包含之設定值之變化的腔室壓力之變動。再者，圖3、圖6及圖7所示之各構成例中，控制部2或壓力閥控制裝置50可同時執行FF控制及FB控制。

(工序ST4：更新傳遞函數) 本處理方法可包含對工序ST3中所使用之傳遞函數進行更新之工序ST4。一例中，傳遞函數可根據工序ST3中之腔室壓力及壓力調整閥42之開度來更新。例如，控制部2於工序ST3中之FF控制之執行中，測定腔室壓力及壓力調整閥42之開度。而且，控制部2可算出配方資料中所包含之源RF信號之參數及其他設定值及/或源RF信號之參數及其他實測值、與腔室壓力之實測值及壓力調整閥42之開度之實測值之關聯資料，並根據該關聯資料來對記憶部2a2中記憶之傳遞函數進行更新。又，一例中，其他設定值及實測值可包含偏壓信號(偏壓RF信號及偏壓DC信號)之參數之設定值及實測值、施加至上部電極之第2DC信號之設定值及實測值、工序ST3中供給之處理氣體之參數之設定值及實測值、以及處理氣體之參數之設定值及實測值。傳遞函數可根據多次執行本處理方法而算出之多個關聯資料來更新。又，傳遞函數可藉由機械學習來更新。又，傳遞函數可根據工序ST3之執行中算出之關聯資料來於工序ST3之執行中即時更新。

圖6係表示壓力調整系統100之構成之另一例之方塊圖。本例中之壓力調整系統100於配方資料及傳遞函數預先記憶於記憶部2a2中之方面，至少與圖3之壓力調整系統100不同。即，本例中，開度算出部55根據通信部51接收之配方資料來將1個或2個以上之傳遞函數經由通信部51自記憶部2a2而不是自記憶部56(參照圖3)讀出。又，本例中，控制部2亦可將配方資料及1個或2個以上傳遞函數經由通信部51發送至開度算出部55。即，本例中，開度算出部55中使用之傳遞函數可藉由控制部2選擇，又可藉由開度算出部55選擇。

作為一例，通信部51接收源RF信號之參數之設定值即源設定值及傳遞函數。開度算出部55根據通信部51接收之源設定值及傳遞函數來算出壓力調整閥42之開度。源設定值可為源RF信號之參數之設定值。當通信部51接收到源RF信號之參數之設定值即源設定值及以該源設定值為輸入之傳遞函數，則開度算出部55亦可根據該源設定值及該傳遞函數來算出壓力調整閥42之開度。

配方資料可包含工序ST3之蝕刻處理中之源RF信號之參數之設定值(源設定值)。作為一例，源RF信號之參數可包含源RF信號之電力、電壓、頻率及工作比、源RF電力之供給時間。又，配方資料可包含偏壓信號(偏壓RF信號及偏壓DC信號)之參數之設定值。作為一例，偏壓信號之參數可包含偏壓信號之電力、電壓、頻率、工作比、偏壓信號之供給時間。又，配方資料可包含施加至上部電極之第2DC信號之設定值。作為一例，第2DC信號之參數可包含第2DC信號之電壓、第2DC信號之施加時間。又，配方資料可包含該蝕刻處理中之處理氣體之參數。作為一例，處理氣體之參數可包含處理氣體之流量、處理氣體中所含之氣體種、處理氣體中所含之氣體之解離度、自處理氣體中所含之氣體產生之副產物之種類及量、處理氣體之供給時間等。

又，傳遞函數係以配方資料中所包含之1個或2個以上之參數之設定值為輸入、且以與電漿處理空間10s之壓力之調整相關的設定值為輸出之函數。作為一例，傳遞函數係以源RF信號之參數之設定值及/或處理氣體之參數之設定值為輸入、且以壓力調整閥42之開度、該開度之修正值或電漿處理空間10s之壓力為輸出之函數。作為一例，傳遞函數可包含時間常數之資訊。時間常數之資訊例如於為了使電漿處理腔室10之內部壓力為特定壓力而使壓力調整閥42之開度為特定開度時，係直至該內部壓力開始變化為止之時間、及直至該內部壓力達到該特定壓力為止之時間。又，時間常數之資訊可為自氣體供給部20開始處理氣體之供給後至電漿處理腔室10之內部壓力開始變化為止之時間、及直至該內部壓力成為大致固定之時間。傳遞函數可藉由機械學習而產生或更新。

再者，本例中，壓力閥控制裝置50可具備緩衝或暫時性記憶通信部51接收之控制資料等之構成。作為一例，自控制部2a2讀出之配方資料及傳遞函數，可緩衝或暫時性記憶於壓力閥控制裝置50中。配方資料及傳遞函數可緩衝或暫時性記憶於壓力閥控制裝置50中以供FF控制部54算出FF修正值。

又，本例中，控制部2與圖3所示之例相同，可控制電漿處理裝置1。又，本例中，壓力調整系統100之各構成可進行與圖3所示之例相同之動作。又，記憶部2a2可記憶與圖3所示之例中之記憶部2a2及記憶部56相同的資料。壓力閥控制裝置50中，開度算出部55與圖3所示之例相同，可算出壓力調整閥42之開度。

圖7係表示壓力調整系統100之構成之另一例之方塊圖。本例中之壓力調整系統100於控制部2具備算出壓力調整閥42之開度之功能之方面，至少與圖3中之壓力調整系統100不同。即，本例中之控制部2於處理部2a1中具備差量算出部52及開度算出部55。另一方面，本例中之壓力控制裝置50具備通信部51及開度控制部57。

本例中，控制部2與圖3所示之例相同，可控制電漿處理裝置1。又，本例中，壓力調整系統100之各構成可進行與圖3所示之例相同之動作。又，記憶部2a2可記憶與圖3所示之例中之記憶部2a2及記憶部56相同之資料。控制部2中，開度算出部55與圖3所示之例相同，可算出壓力調整閥42之開度。即，本例中，開度算出部55可自記憶部2a2讀出配方資料及傳遞函數，且根據讀出之配方資料及傳遞函數來算出壓力調整閥42之開度。於壓力閥控制裝置50中，通信部51經由通信介面2a3而自控制部2接收壓力調整閥42之開度。開度控制部57根據接收之開度來控制壓力調整閥42之開度。

通信部51接收之開度係可於開度算出部55中根據源設定值來算出。源設定值可為源RF信號之參數之設定值。源RF信號係用以於電漿處理腔室10內產生電漿之信號。開度算出部55可自記憶部2a2讀出源RF信號之參數之設定值即源設定值。又，開度算出部55可根據自記憶部2a2讀出之該源設定值，而自記憶部2a2讀出以該源設定值為輸入之傳遞函數。開度算出部55可根據自記憶部2a2讀出之該源設定值及該傳遞函數來算出壓力調整閥42之開度。傳遞函數可為表示源設定值與腔室壓力之關係之函數。

又，傳遞函數係以配方資料中所含之1個或2個以上參數之設定值為輸入、且以與電漿處理空間10s之壓力之調整相關的設定值為輸出之函數。作為一例，傳遞函數係以源RF信號之參數之設定值及/或處理氣體之參數之設定值為輸入、且以壓力調整閥42之開度、該開度之修正值或電漿處理空間10s之壓力為輸出之函數。作為一例，傳遞函數可包含時間常數之資訊。時間常數之資訊例如於為了使電漿處理腔室10之內部壓力為特定壓力而使壓力調整閥42之開度為特定開度時，係直至該內部壓力開始變化為止之時間、及直至該內部壓力達到該特定壓力為止之時間。又，時間常數之資訊可為自氣體供給部20開始處理氣體之供給至電漿處理腔室10之內部壓力開始變化為止之時間、及直至該內部壓力成為大致固定為止之時間。傳遞函數可藉由機械學習而產生或更新。

通信部51可自壓力調整閥42接收與壓力調整閥42之開度相關之開度資料。通信部51可將開度資料發送至控制部2。控制部2可將自通信部51接收之開度資料儲存於記憶部2a2。再者，控制部2亦可自壓力調整閥42不經由壓力閥控制裝置50而接收開度資料。又，通信部51亦可將自壓力調整閥42接收之開度資料儲存於記憶部56。再者，開度資料可為控制壓力調整閥42之開度之編碼器之值。又，控制部2可根據開度資料來控制壓力調整閥42之動作時序及/或動作速度。

此次揭示之實施方式於所有方面均係例示而非限制性者。上述實施方式亦可於不脫離隨附之申請專利範圍及其主旨之情況下以各種形態進行省略、替換、變更。再者，本發明之例示性實施方式可包含以下內容。

(附記1) 一種電漿處理裝置，其具備：腔室；氣體供給部，其對上述腔室內供給處理氣體；電源，其產生使上述腔室內自上述處理氣體產生電漿之源RF信號；記憶部，其預先記憶上述源RF信號之參數之設定值即源設定值；壓力調整閥，其係與上述腔室連接者，且構成為調整上述腔室之內部壓力；開度算出部，其係算出上述壓力調整閥之開度者，且上述開度係根據上述源設定值來算出；及開度控制部，其根據算出之上述開度來控制上述壓力調整閥之開度。

(附記2) 如附記1之電漿處理裝置，其中上述源設定值係上述源RF信號之電力、電壓、頻率及工作比中之至少1者。

(附記3) 如附記1或2之電漿處理裝置，其進而具備於上述腔室內支持基板之基板支持部，上述電源進而產生供給至上述基板支持部之偏壓信號，上述記憶部記憶上述偏壓信號之參數之設定值即偏壓設定值，上述開度算出部進而根據上述記憶部中記憶之上述偏壓設定值來算出上述壓力調整閥之開度。

(附記4) 如附記3之電漿處理裝置，其中上述偏壓信號係偏壓RF信號，上述偏壓設定值係上述偏壓RF信號之電力、電壓、頻率或工作比。

(附記5) 如附記3之電漿處理裝置，其中上述偏壓信號係包含複數個電壓脈衝之偏壓DC信號，上述偏壓設定值係上述電壓脈衝之電壓、頻率或工作比。

(附記6) 如附記1至5中任一項之電漿處理裝置，其中上述記憶部進而記憶上述處理氣體之流量之設定值即流量設定值，上述開度算出部進而根據上述記憶部中記憶之上述流量設定值來算出上述壓力調整閥之開度。

(附記7) 如附記1至6中任一項之電漿處理裝置，其進而具備測定上述腔室之內部壓力之壓力感測器，上述開度算出部根據上述腔室之內部壓力之變化量自(a)動作切換至(b)動作，該(a)動作係根據上述記憶部中記憶之上述源設定值來算出上述壓力調整閥之開度，該(b)動作係根據上述壓力感測器測定之上述腔室之內部壓力來算出上述壓力調整閥之開度。

(附記8) 如附記1至7中任一項之電漿處理裝置，其中上述記憶部記憶上述處理氣體中所含之氣體種，上述開度控制部根據上述記憶部中記憶之氣體種，而切換是否根據上述記憶部中記憶之上述源設定值來算出上述壓力調整閥之開度。

(附記9) 如附記1至8中任一項之電漿處理裝置，其中上述記憶部記憶上述腔室中收容之基板所包含之膜種，上述開度控制部根據上述記憶部中記憶之膜種，而切換是否根據上述記憶部中記憶之上述源設定值來算出上述壓力調整閥之開度。

(附記10) 如附記1至9中任一項之電漿處理裝置，其中上述腔室中收容之基板包含遮罩，上述遮罩包含開口圖案，上述記憶部記憶上述開口圖案中所包含之開口之開口率，上述開度控制部根據上述記憶部中記憶之上述開口率，而切換是否根據上述記憶部中記憶之上述源設定值來算出上述壓力調整閥之開度。

(附記11) 如附記1至10中任一項之電漿處理裝置，其中上述記憶部進而記憶表示上述源設定值與上述腔室之內部壓力之關係之傳遞函數，上述開度算出部進而根據上述傳遞函數來算出上述壓力調整閥之開度。

(附記12) 如附記11之電漿處理裝置，其進而具備測定上述腔室之內部壓力之壓力感測器，上述開度算出部於上述電漿處理之執行中，獲取上述腔室之內部壓力及上述壓力調整閥之開度，上述開度算出部根據上述源設定值與獲取之上述腔室之內部壓力及上述壓力調整閥之開度之關聯，來對上述記憶部中記憶之上述傳遞函數進行更新。

(附記13) 如附記1至12中任一項之電漿處理裝置，其進而具備：基板支持部，其於上述腔室內支持基板；及上部電極，其與上述基板支持部對向；上述電源進而產生施加至上述上部電極之DC信號，上述記憶部記憶上述DC信號之參數之設定值即DC設定值，上述開度算出部進而根據上述記憶部中記憶之上述DC設定值來算出上述壓力調整閥之開度。

(附記14) 一種電漿處理方法，其係於具有腔室之電漿處理裝置中執行之電漿處理方法，且包含：對上述腔室內供給處理氣體之工序；產生使上述腔室內自上述處理氣體產生電漿之源RF信號之工序；預先記憶上述源RF信號之參數之設定值即源設定值之工序；及算出以調整上述腔室之內部壓力之方式構成的壓力調整閥之開度之工序，且上述開度係根據上述源設定值來算出。

(附記15) 一種壓力閥控制裝置，其係控制連接於腔室之壓力調整閥之開度之壓力閥控制裝置，且具備：通信部，其係以接收源RF信號之參數之設定值即源設定值的方式構成之通信部，且上述源RF信號係使上述腔室內產生電漿之信號；開度算出部，其根據上述通信部接收之上述源設定值來算出上述壓力調整閥之開度；及開度控制部，其根據算出之上述開度來控制上述壓力調整閥之開度。

(附記16) 如附記15之壓力閥控制裝置，其進而具備記憶部，該記憶部記憶以上述通信部接收之上述源設定值為輸入之傳遞函數，上述開度算出部讀出上述記憶部中記憶之上述傳遞函數，且根據上述通信部接收之上述源設定值及自上述記憶部讀出之上述傳遞函數來算出上述壓力調整閥之開度。

(附記17) 如附記16之壓力閥控制裝置，其中當上述通信部接收到源設定值時，上述開度算出部根據上述源設定值及上述傳遞函數來算出上述壓力調整閥之開度。

(附記18) 如附記15之壓力閥控制裝置，其中上述通信部接收以上述源設定值為輸入之傳遞函數，上述開度算出部根據上述通信部接收之上述源設定值及上述傳遞函數來算出上述壓力調整閥之開度。

(附記19) 如附記18之壓力閥控制裝置，其中當上述通信部接收到上述源設定值及上述傳遞函數時，上述開度算出部根據上述源設定值及上述傳遞函數來算出上述壓力調整閥之開度。

(附記20) 一種壓力閥控制裝置，其係控制連接於腔室之壓力調整閥之開度之壓力閥控制裝置，且具備：通信部，其係以接收上述壓力調整閥之開度之方式構成的通信部，且上述開度係根據源設定值來算出，上述源設定值係源RF信號之參數之設定值，上述源RF信號係使上述腔室內產生電漿之信號；及開度控制部，其係根據接收之上述開度來控制上述壓力調整閥之開度。

(附記21) 如附記20之壓力閥控制裝置，其中上述壓力調整閥之上述開度係根據上述源設定值及傳遞函數來算出，上述傳遞函數表示上述源設定值與上述腔室之內部壓力之關係。

(附記22) 一種壓力閥控制方法，其係控制連接於腔室之壓力調整閥之開度之壓力閥控制方法，包含：接收源RF信號之參數之設定值即源設定值之工序，且上述源RF信號係使上述腔室內產生電漿之信號；根據接收之上述源設定值來算出上述壓力調整閥之開度之工序；及根據算出之上述開度來控制上述壓力調整閥之開度之工序。

(附記23) 一種壓力閥控制方法，其係控制連接於腔室之壓力調整閥之開度之壓力閥控制方法，且具備：接收上述壓力調整閥之開度之工序，且上述開度係根據源設定值來算出，上述源設定值係源RF信號之參數之設定值，上述源RF信號係使上述腔室內產生電漿之信號；及根據接收之上述開度來控制上述壓力調整閥之開度之工序。

(附記24) 一種壓力調整系統，其具備：壓力調整閥，其連接於腔室；及壓力閥控制裝置，其控制上述壓力調整閥之開度；上述壓力閥控制裝置，係控制連接於腔室之壓力調整閥之開度之壓力閥控制裝置，且具備：通信部，其係以接收源RF信號之參數之設定值即源設定值之方式構成的通信部，上述源RF信號係使上述腔室內產生電漿之信號；開度算出部，其係根據上述通信部接收之上述源設定值來算出上述壓力調整閥之開度；及開度控制部，其係根據算出之上述開度來控制上述壓力調整閥之開度。

(附記25) 一種壓力調整系統，其具備：壓力調整閥，其連接於腔室；及壓力閥控制裝置，其控制上述壓力調整閥之開度；且上述壓力閥控制裝置具備：通信部，其係以接收源RF信號之參數之設定值即源設定值之方式構成的通信部，且上述源RF信號係使上述腔室內產生電漿之信號；記憶部，其記憶以上述通信部接收之上述源設定值為輸入之傳遞函數；開度算出部，其讀出上述記憶部中記憶之上述傳遞函數，且根據上述通信部接收之上述源設定值及自上述記憶部讀出之上述傳遞函數來算出上述壓力調整閥之開度；開度算出部，其根據上述通信部接收之上述源設定值來算出上述壓力調整閥之開度；及開度控制部，其根據算出之上述開度來控制上述壓力調整閥之開度。

(附記26) 一種壓力調整系統，其具備：壓力調整閥，其連接於腔室；及壓力閥控制裝置，其控制上述壓力調整閥之開度；上述壓力閥控制裝置具備：通信部，其係以接收上述壓力調整閥之開度之方式構成的通信部，且上述開度係根據源設定值來算出，上述源設定值係源RF信號之參數之設定值，上述源RF信號係使上述腔室內產生電漿之信號；及開度控制部，其根據接收之上述開度來控制上述壓力調整閥之開度。

1:電漿處理裝置 2:控制部 2a:電腦 2a1:處理部 2a2:記憶部 2a3:通信介面 10:電漿處理腔室 10a:側壁 10e:氣體排出口 10s:電漿處理空間 11:基板支持部 12:電漿產生部 13:簇射頭 13a:氣體供給口 13b:氣體擴散室 13c:氣體導入口 20:氣體供給部 21:氣體源 22:流量控制器 30:電源 31:RF電源 31a:第1RF產生部 31b:第2RF產生部 32:DC電源 32a:第1DC產生部 32b:第2DC產生部 40:排氣系統 42:壓力調整閥 44:真空泵 50:壓力閥控制裝置 51:通信部 52:差量算出部 53:FB控制部 54:FF控制部 55:開度算出部 56:記憶部 57:開度控制部 60:壓力感測器 100:壓力調整系統 111a:中央區域 111b:環狀區域 1110:基台 1110a:流路 1111:靜電吸盤 1111a:陶瓷構件 S1:流量 S2:流量 ST1:工序 ST2:工序 ST3:工序 ST31:工序 ST32:工序 ST4:工序 V1:開度 V2:開度

圖1係用以對電漿處理系統之構成例進行說明之圖。圖2係用以對電容耦合型之電漿處理裝置之構成例進行說明之圖。圖3係表示壓力調整系統100之構成之一例之方塊圖。圖4係表示本處理方法之流程圖。圖5係本處理方法中之各處理之時序圖之一例。圖6係表示壓力調整系統100之構成之一例之方塊圖。圖7係表示壓力調整系統100之構成之一例之方塊圖。

ST1:讀出及記憶控制資料

ST2:準備基板

ST31:產生電漿

ST32:控制壓力

ST4:更新傳遞函數

Claims

一種電漿處理裝置，其具備：腔室；氣體供給部，其對上述腔室內供給處理氣體；電源，其產生使上述腔室內自上述處理氣體產生電漿之源RF信號；記憶部，其預先記憶上述源RF信號之參數之設定值即源設定值；壓力調整閥，其係與上述腔室連接者，且構成為調整上述腔室之內部壓力；開度算出部，其係算出上述壓力調整閥之開度者，且上述開度係根據上述源設定值來算出；及開度控制部，其根據算出之上述開度來控制上述壓力調整閥之開度。
如請求項1之電漿處理裝置，其中上述源設定值係上述源RF信號之電力、電壓、頻率及工作比中之至少1者。
如請求項1之電漿處理裝置，其進而具備於上述腔室內支持基板之基板支持部，上述電源進而產生供給至上述基板支持部之偏壓信號，上述記憶部記憶上述偏壓信號之參數之設定值即偏壓設定值，上述開度算出部進而根據上述記憶部中記憶之上述偏壓設定值來算出上述壓力調整閥之開度。
如請求項3之電漿處理裝置，其中上述偏壓信號係偏壓RF信號，上述偏壓設定值係上述偏壓RF信號之電力、電壓、頻率或工作比。
如請求項3之電漿處理裝置，其中上述偏壓信號係包含複數個電壓脈衝之偏壓DC信號，上述偏壓設定值係上述電壓脈衝之電壓、頻率或工作比。
如請求項1之電漿處理裝置，其中上述記憶部進而記憶上述處理氣體之流量之設定值即流量設定值，上述開度算出部進而根據上述記憶部中記憶之上述流量設定值來算出上述壓力調整閥之開度。
如請求項1之電漿處理裝置，其進而具備測定上述腔室之內部壓力之壓力感測器，上述開度算出部根據上述腔室之內部壓力之變化量自(a)動作切換至(b)動作，該(a)動作係根據上述記憶部中記憶之上述源設定值來算出上述壓力調整閥之開度，該(b)動作係根據上述壓力感測器測定之上述腔室之內部壓力來算出上述壓力調整閥之開度。
如請求項1之電漿處理裝置，其中上述記憶部記憶上述處理氣體中所含之氣體種，上述開度控制部根據上述記憶部中記憶之氣體種，而切換是否根據上述記憶部中記憶之上述源設定值來算出上述壓力調整閥之開度。
如請求項1之電漿處理裝置，其中上述記憶部記憶上述腔室中收容之基板所包含之膜種，上述開度控制部根據上述記憶部中記憶之膜種，而切換是否根據上述記憶部中記憶之上述源設定值來算出上述壓力調整閥之開度。
如請求項1之電漿處理裝置，其中上述腔室中收容之基板包含遮罩，上述遮罩包含開口圖案，上述記憶部記憶上述開口圖案中所包含之開口之開口率，上述開度控制部根據上述記憶部中記憶之上述開口率，而切換是否根據上述記憶部中記憶之上述源設定值來算出上述壓力調整閥之開度。
如請求項1之電漿處理裝置，其中上述記憶部進而記憶表示上述源設定值與上述腔室之內部壓力之關係之傳遞函數，上述開度算出部進而根據上述傳遞函數來算出上述壓力調整閥之開度。
如請求項11之電漿處理裝置，其進而具備測定上述腔室之內部壓力之壓力感測器，上述開度算出部於上述電漿處理之執行中，獲取上述腔室之內部壓力及上述壓力調整閥之開度，上述開度算出部根據上述源設定值與獲取之上述腔室之內部壓力及上述壓力調整閥之開度之關聯，來對上述記憶部中記憶之上述傳遞函數進行更新。
如請求項1之電漿處理裝置，其進而具備：基板支持部，其於上述腔室內支持基板；及上部電極，其與上述基板支持部對向；上述電源進而產生施加至上述上部電極之DC信號，上述記憶部記憶上述DC信號之參數之設定值即DC設定值，上述開度算出部進而根據上述記憶部中記憶之上述DC設定值來算出上述壓力調整閥之開度。
一種電漿處理方法，其係於具有腔室之電漿處理裝置中執行之電漿處理方法，且包含：對上述腔室內供給處理氣體之工序；產生使上述腔室內自上述處理氣體產生電漿之源RF信號之工序；預先記憶上述源RF信號之參數之設定值即源設定值之工序；及算出以調整上述腔室之內部壓力之方式構成的壓力調整閥之開度之工序，且上述開度係根據上述源設定值來算出。
一種壓力閥控制裝置，其係控制連接於腔室之壓力調整閥之開度者，且具備：通信部，其係以接收源RF信號之參數之設定值即源設定值的方式構成之通信部，且上述源RF信號係使上述腔室內產生電漿之信號；開度算出部，其根據上述通信部接收之上述源設定值來算出上述壓力調整閥之開度；及開度控制部，其根據算出之上述開度來控制上述壓力調整閥之開度。
如請求項15之壓力閥控制裝置，其進而具備記憶部，該記憶部記憶以上述通信部接收之上述源設定值為輸入之傳遞函數，上述開度算出部讀出上述記憶部中記憶之上述傳遞函數，且根據上述通信部接收之上述源設定值及自上述記憶部讀出之上述傳遞函數來算出上述壓力調整閥之開度。
如請求項16之壓力閥控制裝置，其中當上述通信部接收到源設定值時，上述開度算出部根據上述源設定值及上述傳遞函數來算出上述壓力調整閥之開度。
如請求項15之壓力閥控制裝置，其中上述通信部接收以上述源設定值為輸入之傳遞函數，上述開度算出部根據上述通信部接收之上述源設定值及上述傳遞函數來算出上述壓力調整閥之開度。
如請求項18之壓力閥控制裝置，其中當上述通信部接收到上述源設定值及上述傳遞函數時，上述開度算出部根據上述源設定值及上述傳遞函數來算出上述壓力調整閥之開度。
一種壓力閥控制裝置，其係控制連接於腔室之壓力調整閥之開度者，且具備：通信部，其係以接收上述壓力調整閥之開度之方式構成的通信部，且上述開度係根據源設定值來算出，上述源設定值係源RF信號之參數之設定值，上述源RF信號係使上述腔室內產生電漿之信號；及開度控制部，其係根據接收之上述開度來控制上述壓力調整閥之開度。
如請求項20之壓力閥控制裝置，其中上述壓力調整閥之上述開度係根據上述源設定值及傳遞函數來算出，上述傳遞函數表示上述源設定值與上述腔室之內部壓力之關係。
一種壓力閥控制方法，其係控制連接於腔室之壓力調整閥之開度者，包含：接收源RF信號之參數之設定值即源設定值之工序，且上述源RF信號係使上述腔室內產生電漿之信號；根據接收之上述源設定值來算出上述壓力調整閥之開度之工序；及根據算出之上述開度來控制上述壓力調整閥之開度之工序。
一種壓力閥控制方法，其係控制連接於腔室之壓力調整閥之開度者，且具備：接收上述壓力調整閥之開度之工序，且上述開度係根據源設定值來算出，上述源設定值係源RF信號之參數之設定值，上述源RF信號係使上述腔室內產生電漿之信號；及根據接收之上述開度來控制上述壓力調整閥之開度之工序。
一種壓力調整系統，其具備：壓力調整閥，其連接於腔室；及壓力閥控制裝置，其控制上述壓力調整閥之開度；上述壓力閥控制裝置，係控制連接於腔室之壓力調整閥之開度之壓力閥控制裝置，且具備：通信部，其係以接收源RF信號之參數之設定值即源設定值之方式構成的通信部，上述源RF信號係使上述腔室內產生電漿之信號；開度算出部，其係根據上述通信部接收之上述源設定值來算出上述壓力調整閥之開度；及開度控制部，其係根據算出之上述開度來控制上述壓力調整閥之開度。
一種壓力調整系統，其具備：壓力調整閥，其連接於腔室；及壓力閥控制裝置，其控制上述壓力調整閥之開度；且上述壓力閥控制裝置具備：通信部，其係以接收源RF信號之參數之設定值即源設定值之方式構成的通信部，且上述源RF信號係使上述腔室內產生電漿之信號；記憶部，其記憶以上述通信部接收之上述源設定值為輸入之傳遞函數；開度算出部，其讀出上述記憶部中記憶之上述傳遞函數，且根據上述通信部接收之上述源設定值及自上述記憶部讀出之上述傳遞函數來算出上述壓力調整閥之開度；開度算出部，其根據上述通信部接收之上述源設定值來算出上述壓力調整閥之開度；及開度控制部，其根據算出之上述開度來控制上述壓力調整閥之開度。
一種壓力調整系統，其具備：壓力調整閥，其連接於腔室；及壓力閥控制裝置，其控制上述壓力調整閥之開度；上述壓力閥控制裝置具備：通信部，其係以接收上述壓力調整閥之開度之方式構成的通信部，且上述開度係根據源設定值來算出，上述源設定值係源RF信號之參數之設定值，上述源RF信號係使上述腔室內產生電漿之信號；及開度控制部，其根據接收之上述開度來控制上述壓力調整閥之開度。