DE4109955C2 - - Google Patents
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum naßchemischen Ätzen
einer Wolframrückseitenbeschichtung auf einer Halbleiterscheibe,
um deren Wolframbeschichtung mindestens von einem ringförmigen Randbereich der Rückseite
und den Vertikalkanten zu entfernen.
Bei der Herstellung von hochintegrierten Bauelementen in
Siliziumtechnologie wird zunehmend eine chemische Wolframdampf
abscheidung (CVDW = Chemically Vapor Deposited Wolfram)
eingesetzt. Wolfram ersetzt dabei als Leiterbahnmaterial,
als Stöpsel (Plug) in den Kontaktlöchern oder als
Kontakt zwischen zwei Leiterbahnebenen (Viahole) das sonst
fast ausschließlich verwendete Aluminium, bei dem sich die
Gasphasenabscheidung bisher nicht durchgesetzt hat.
Zu den positiven Eigenschaften von CVD-Wolfram gehört insbeson
dere sein geringer spezifischer (Kontakt)-Widerstand,
sowie die Möglichkeit einer ganzflächigen oder selektiven
Abscheidung auf den dazu vorgesehenen Bereichen der Vorderseite
einer Halbleiterscheibe aus Silizium bei sehr
guter Kantenbedeckung. Die Güte der Kantenbedeckung, gewinnt
im Zuge des Trends zu immer höherer räumlicher Integration
der Bauelemente besondere Bedeutung, da sie z. B.
bei Stufen oder bei Kontaktlöchern mit vertikalen Wänden
eine Voraussetzung dafür ist, die für Kontakte und
Verbindungen notwendige Fläche stark zu reduzieren.
Aus dem Artikel von C. Lewis, in Fertigung und Automatisierung,
Nr. 8/April 1990, S. 42-49, ist ein Verfahren und
eine Vorrichtung zur Gasphasenabscheidung von Wolfram bei
relativ hohen Drücken (oberhalb 1000 Pa) bekannt geworden,
die auf Untersuchungen der Firma Applied Materials, USA,
beruht. Es wurde festgestellt, daß mit der bekannten Vorrichtung
die Kantenbedeckung in engen Spalten und Löchern
auf nahezu 100% gesteigert werden kann und daß bei dem
gewählten relativ hohen Gesamtdruck höhere Abscheideraten
und eine besonders glatte CVD-Wolframschicht erzielt werden
können. Ferner wurde festgestellt, daß ein erhöhter
Wolfram-Partialdruck einerseits mit besserer Kantenbedeckung,
andererseits jedoch mit einer erhöhten Rückseitenwolframabscheidung
einhergeht. Bei der als Einzelscheibenanlage
konzipierten bekannten CVD-Vorrichtung gelangt
reaktives Gas (WF6) trotz Vorsichtsmaßnahmen auf die Rückseite
der Halbleiterscheibe, so daß dort am Rand der
Scheibe eine ringförmige Beschichtung auftritt. Es ist
generell bekannt, daß die - schlecht haftenden - Wolframpartikel
unbedingt von der Rückseite der Halbleiterscheibe
entfernt werden müssen, wenn die sehr große Gefahr von Defekten
durch Kontamination im weiteren Prozeßablauf vermieden
werden soll. Die genannte, auf dem Markt befindliche
Anlage "Precision 5000" verfügt deshalb über eine Plasmaätzkammer,
um Wolframrückstände durch ganzflächige Ätzung
von der Rückseite und den Vertikalkanten der Halbleiterscheibe
zu entfernen. Dieses Verfahren ist jedoch insofern
nachteilig, als es einen hohen apperativen Aufwand
und einen hohen Zeitaufwand mit sich bringt. Aus der Patentschrift
US 49 62 049 ist bekannt, auf die Rückseite
einer Halbleiterscheibe ganzflächig mittels eines Plasmas
eine Oxidschicht aufzubringen, um so die dort unerwünschte
Beschichtung mit Wolfram von vorneherein zu verhindern.
Bekannt sind auch Verfahren zum Entfernen von Photolack
von der Unterseite (JP 1-15925 (A)) bzw. von den Vertikalkanten
(US 44 39 244) einer rotierenden Halbleiterscheibe
mit Hilfe eines aufgesprühten Lösungsmittels. Schließlich
ist auch eine Vorrichtung (DD 2 77 554 A1) bekannt, bei der
ein gasförmiges Ätzmedium mittels einer Düse, deren Öffnungsform
dem abzutragenden
Bereich eines Halbleiterplättchens entspricht, auf den
Randbereich der Oberseite des rotierenden Plättchens
gerichtet ist.
Im Hinblick auf die Problematik der unerwünschten Wolframrück
seitenbeschichtung sind noch weitere Verfahren
denkbar, die jedoch alle in der einen oder anderen Hinsicht
aufwendig sind:
Das Aufbringen einer zusätzlichen Haftschicht auf die Rückseite der Halbleiterscheibe könnte möglicherweise eine Kontamination durch Wolframpartikel verhindern, jedoch wird dadurch das Waferhandling sehr kompliziert und es besteht immer die Gefahr einer Vorderseitenbeschädigung. Auch das Anbringen zusätzlicher mechanischer, z. B. ringförmiger, Klemmvorrichtungen um die Rückseite gegen den CVD-Reaktor abzudichten, bringt wiederum neue Probleme mit sich. Prinzipiell aussichtsreich erscheint jedoch eine naßchemische Ätzung der Wolframrückseitenbeschichtung in einem Ätzbad. Dies setzt jedoch ein vorheriges Aufbringen, z. B. Aufschleudern, einer Vorderseitenschutzschicht (z. B. Photolack) voraus. Bei dieser Methode kommt es außerdem zu einer Kontamination der Lackschleuder und der Einrichtung zum späteren Entfernen der Vorderseitenschutzschicht.
Das Aufbringen einer zusätzlichen Haftschicht auf die Rückseite der Halbleiterscheibe könnte möglicherweise eine Kontamination durch Wolframpartikel verhindern, jedoch wird dadurch das Waferhandling sehr kompliziert und es besteht immer die Gefahr einer Vorderseitenbeschädigung. Auch das Anbringen zusätzlicher mechanischer, z. B. ringförmiger, Klemmvorrichtungen um die Rückseite gegen den CVD-Reaktor abzudichten, bringt wiederum neue Probleme mit sich. Prinzipiell aussichtsreich erscheint jedoch eine naßchemische Ätzung der Wolframrückseitenbeschichtung in einem Ätzbad. Dies setzt jedoch ein vorheriges Aufbringen, z. B. Aufschleudern, einer Vorderseitenschutzschicht (z. B. Photolack) voraus. Bei dieser Methode kommt es außerdem zu einer Kontamination der Lackschleuder und der Einrichtung zum späteren Entfernen der Vorderseitenschutzschicht.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren der eingangs
genannten Art anzugeben, das verfahrenstechnisch einfach und rationell durchführbar ist
und die Nutzung der Vorteile einer qualitätsmäßig verbesserten Wolframabscheidung bei der
Herstellung hochintegrierter elektronischer Bauelemente
ermöglicht.
Die erfindungsgemäße Aufgabe wird durch ein Verfahren der
eingangs genannten Art mit folgenden Verfahrensschritten
gelöst:
- a) die Halbleiterscheibe wird mittels einer Dreheinrichtung mit definierter Drehzahl um ihre Mittelachse gedreht, wobei die Halbleiterscheibe so angeordnet wird, daß ihre zu ätzende Rückseite die Unterseite der horizontal ausgerichteten Halbleiterscheibe bildet;
- b) die Halbleiterscheibe wird mittels einer von ihrer Oberseite her auf sie einwirkenden Heizeinrichtung beheizt;
- c) die Wolframbeschichtung wird durch mit Abstand zur Mittelachse erfolgende Besprühen der Unterseite der Halbleiterscheibe mit einer Ätzlösung geätzt, wobei
- d) die Drehzahl so hoch eingestellt wird, daß eine Ätzung der Halbleiterscheibe in einem ringförmigen Randbereich der Rückseite und an den Vertikalkanten, jedoch höchstens in einem schmalen, ringförmigen Randbereich der Oberseite erfolgt.
Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Verfahrens sind Gegen
stand von Unteransprüchen.
Der Waferdurchsatz einer zur Ausführung des erfindungsgemäßen
Verfahrens geeigneten Randentschichtungsanlage beträgt
etwa 30 Stück pro Stunde. Das erfindungsgemäße Verfahren
bietet die generellen Vorteile eines erhöhten Durchsatzes
bei der Wolframabscheidung. Die horizontal rotierende
Siliziumscheibe wird beim erfindungsgemäßen Verfahren
von unten mittels einer feinen Düse mit einer Wolframätze,
z. B. Wasserstoffperoxid (H2O2) besprüht, wobei
die Siliziumscheibe zur einfachen Beschleunigung der Wolframätzung
beispielsweise durch eine Lampe erwärmt wird.
Die Zentrifugalbeschleunigung der rotierenden Siliziumscheibe
verhindert, daß ihre Vorderseite, außer höchstens in einem
schmalen Randbereich, von der Ätze angegriffen wird. Die Breite
des gegebenenfalls freizuätzenden Randbereichs kann dabei auf
einfache Weise durch die Drehzahl der Dreheinrichtung einge
stellt werden. Ein geätzter Randbereich von ca. 2 mm Breite auf
der Vorderseite der Siliziumscheibe ist beispielsweise für das
spätere Handling (Greifer) sehr vorteilhaft. Nach der Beseiti
gung der Wolframrückseitenbeschichtung kann die rotierende Si
liziumscheibe mit Wasser gespült werden, um noch vorhandene
Wolframpartikel insbesondere von der Vorderseite zu entfernen.
Als Ätzmittel ist das bekannte Wasserstoffperoxid, das bereits
für die Waferreinigung in Verwendung ist, gut geeignet. Wasser
stoffperoxid ist außerdem chemisch gut abbaubar.
Das erfindungsgemäße Verfahren wird nachfolgend anhand eines
Ausführungsbeispiels und der beigefügten Figur näher erläutert.
Die Figur zeigt in schematischer Darstelltung eine Anordnung zur
Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens.
In der Figur ist eine horizontal ausgerichtete Siliziumscheibe 1
dargestellt, die in ihrem Mittelteil auf einem Chuck 2 befe
stigt ist, durch den sie mittels einer nicht dargestellten
Dreheinrichtung in Drehung versetzt wird. Die Figur zeigt weiter
hin eine vertikal ausgerichtete Düse 3, mittels derer das Was
serstoffperoxid auf die Unterseite (Rückseite) der Silizium
scheibe 1 gesprüht wird. Durch die Drehung verteilt sich die
Ätzlösung nach außen in einem ringförmigen Bereich auf der
Halbleiterscheibe. Ohne die Zentrifugalkraft würde die Atzlö
sung unerwünscht weit über den Rand der Halbleiterscheibe 1 auf
deren Vorderseite vorkriechen. In der Figur sind ferner zwei
Heizlampen 4 dargestellt, die die Halbleiterscheibe 1 von oben
durch Bestrahlung aufheizen. Schließlich ist eine etwa auf die
Mitte der Oberseite der Halbleiterscheibe 1 gerichtete Wasser
düse 5 dargestellt, mittels derer nach der Ätzung die Vorder
seite der sich drehenden Halbleiterscheibe 1 mit Wasser gespült
wird.
Für die Rückseitenentschichtung wird eine Drehzahl zwischen 500
und 1000 Umdrehungen pro Minute gewählt. Bei 800 U/min beträgt
dann die Breite des entschichteten schmalen ringförmigen Rand
bereichs auf der Oberseite ca. 1 mm. Die für einen rationellen
Verfahrensablauf erhöhte Wafertemperatur liegt zwischen 70 und
90°C, vorzugsweise bei 80°C. Die Konzentration des Wasserstoff
peroxid liegt zwischen 30 und 40%, vorzugsweise wird ein Wert
von 30% gewählt. Die Breite des zu entschichtenden ringförmi
gen Bereiches auf der Rückseite der Halbleiterscheibe 1 wird
durch die Lage der Düse 3 eingestellt. Die Breite liegt zwi
schen 10 und 30 mm, typischerweise bei 20 mm. Zur Entfernung
von Wolframpartikel auf der Vorderseite wird eine Wasserspülung
mit einer Drehzahl von 1000 bis 2000 U/min, vorzugsweise von
1500 U/min durchgeführt.
Claims (9)
1. Verfahren zum naßchemischen Ätzen einer Wolframrückseitenbe
schichtung auf einer Halbleiterscheibe, um deren Wolframbeschichtung
mindestens von der Rückseite und den Vertikalkanten
zu entfernen, mit folgenden Verfahrensschritten:
- a) die Halbleiterscheibe (1) wird mittels einer Dreheinrich tung mit definierter Drehzahl um ihre Mittelachse gedreht, wobei die Halbleiterscheibe (1) so angeordnet wird, daß ihre zu ätzende Rückseite die Unterseite der horizontal ausgerichteten Halbleiterscheibe (1) bildet;
- b) die Halbleiterscheibe (1) wird mittels einer von ihrer Oberseite her auf sie einwirkenden Heizeinrichtung beheizt;
- c) die Wolframrückseitenbeschichtung wird durch mit Abstand zur Mittelachse erfolgende Besprühen der Unterseite der Halbleiterscheibe (1) mit einer Ätzlösung geätzt, wobei
- d) die Drehzhahl so hoch eingestellt wird, daß eine Ätzung der Halbleiterscheibe in einem ringförmigen Randbereich der Rückseite und an den Vertikalkanten, jedoch höchstens in einem schmalen, ringförmigen Randbereich der Oberseite erfolgt.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß in einem weiteren Verfahrensschritt
- e) nach der Ätzung insbesondere die Vorderseite der sich drehenden Halbleiterscheibe (l) mit Wasser gespült wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Wasserspülung bei einer Drehzahl von 1000 bis
2000, vorzugsweise 1500, Umdrehungen pro Minute erfolgt,
wobei das Wasser mittels einer Wasserdüse (5) etwa auf die
Mitte der Oberseite der Halbleiterscheibe gerichtet wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Besprühen mit einer Ätzlösung mittels einer feinen,
vertikal ausgerichteten Düse (3) erfolgt, und daß die
Breite des auf der Rückseite der Halbleiterscheibe (1)
zu ätzenden, ringförmigen Randbereiches durch den Abstand zwischen
der Mittelachse der Halbleiterscheibe (2) und der Düse
(3) eingestellt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Breite eines schmalen auf der Oberseite der Halblei
terscheibe (1) zu ätzenden ringförmigen Randbereichs durch die
Drehzahl der Dreheinrichtung eingestellt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß eine Drehzahl zwischen 500 und 1000, vorzugsweise 800,
Umdrehungen pro Minute eingestellt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein Abstand zwischen 10 und 30 mm, vorzugsweise
20 mm, eingestellt wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Halbleiterscheibe (1) durch die Heizeinrichtung, die
vorzugsweise durch mindestens eine oberhalb der Halbleiter
scheibe angeordnete Heizlampe (4) gebildet wird, auf etwa 70
bis 90°C, vorzugsweise 80°C, aufgeheizt wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
dadurch gekennzeichnet
daß als Ätzlösung Wasserstoffperoxid mit einer Konzentration
zwischen etwa 30 und 40%, vorzugsweise 30% verwendet wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19914109955 DE4109955A1 (de) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | Verfahren zum nasschemischen aetzen einer wolframrueckseitenbeschichtung auf einer halbleiterscheibe |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19914109955 DE4109955A1 (de) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | Verfahren zum nasschemischen aetzen einer wolframrueckseitenbeschichtung auf einer halbleiterscheibe |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4109955A1 DE4109955A1 (de) | 1992-10-01 |
DE4109955C2 true DE4109955C2 (de) | 1993-01-28 |
Family
ID=6428259
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE19914109955 Granted DE4109955A1 (de) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | Verfahren zum nasschemischen aetzen einer wolframrueckseitenbeschichtung auf einer halbleiterscheibe |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4109955A1 (de) |
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