JPS60176751A - マスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はメンプラン膜の膜構造に間中る。

〔従来技術〕

従来、メンプラン膜は、単層膜として用いられるのが通
例であり、マスク併設用のペリクルあるいけ、Ｘ線マス
ク支持体層として用１４らねるのが通例であった〇 ＠１図は従来技術によるメンプラン膜のマスク侶鰻体（
ペリクル）として使用例を示すペリクルの断面図である
。すなわち、プラスチ・ツク製枠１の表面Ｉ／ｃは３．
２ミクロン層のニトロ・セルロース膜２が形成されて成
る。

しかし、上記従来技術によると、ペリクルの表面にはゴ
ミが付着し、除去できず、マスク保ａ膜としての作用が
減少する欠点がある、 〔目的〕 本発明は、かかる従来技術の欠点をなくし、マスク材あ
るいはマスク保膜材としてゴミ付着のないペリクルある
いけマスクを製作できるメンプラン膜構造を提供するこ
とを目的とする。

〔概要〕

Ｈ記目的ｆｔ達成するための本発明の基本的な構成は、
メンプラン１１＃に関し、１〜２μｍから１０μｍ程吋
の極めて薄い絶縁Ｉｌｌ！表面には帯電防止１漠力（被
覆さねで成ることを特徴験する。

〔実施例〕

Ｌノ、下、実施例により本発明を詳述する。

１ｉＪ２図は本発明の一実施例を示すペリクルの断面図
である。すなわち、プラスチック製枠１１の表面にけニ
トロ・セルロースから成るメンプラン膜１２が形成さｈ
、該メンプラン膜１２の表面にはベンゼン・スルフォン
酸の単分子膜１３が形成されて成る、 第６図は本発明の他の実施例を示すＸ線マスク。

の断面図である。すなわち、枠２１の表面にはメンプラ
ン膜２２が貼付けられ、該メンプラン膜２２ヒにけ図形
状金膜２３が形成され、且つ少くともメンプラン膜２２
表面には１００λ糧度の極めて薄いＡｎ嘆２４が形成さ
れて成る。

〔効果〕

本発明の如く、メンプラン膜上にベンゼン・スルフォン
酸等の帯電防止膜や、■ｎ　０２　、　Ｆ？ｎＯ２等の
透明導電膜、ＡＴＬ等の金属襖等から成る帯電防止膜を
形成することにより、メンプラン膜の用途により必要な
基本的機能をそこなうことなく、メンプラン膜へのゴミ
の付着を防止できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来技術によるペリクルの断面図、第２図及び
第３図は本発明の実施例を示すペリクル及びＸ線マスク
の断面図である。 １．１１．２１・・・・・・フレーム ２．１２．２２・・・・・・メンプラン膜１３．２４・
・・・・・帯電防止膜 ２３　・・・・・・図形状金膜 以　上 出願人　株式会社　諏訪務工舎

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）１〜２μ慴、から１０μｍ程度の極めて薄い絶縁膜
   表面には帯電防止瞳が被覆されて成ること１１徴と干る
   メンプラン膜。 ｚ３帯［防止膜はベンゼン・スルホン酸から成ることを
   特徴とする特許請求範囲ｖ！、１項記載のメンプラン膜
   。 ３）帯雷防止鳴は工ｎｏｗまた１−を隋０２等の透明導
   電性膜とな十ことを特徴とする特許請求範囲第１項記載
   のメンプランし ４）帯電防止１１１ＪはＡｎ等の金属膜となすことを特
   徴とする特許請求範囲第１項記載のメンプラン膜。