JPH01173716A

JPH01173716A - Ｘ線マスクの製造方法

Info

Publication number: JPH01173716A
Application number: JP62334725A
Authority: JP
Inventors: Masaru Hori; 勝堀
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1987-12-28
Filing date: 1987-12-28
Publication date: 1989-07-10
Anticipated expiration: 2011-10-16
Also published as: JP2543927B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、微細なパターンを形成するためのＸ線リソグ
ラフィ技術に係わり、特にＸ線リソグラフィ技術に用い
られるＸ線マスクの製造方法に関する。

（従来の技術）近年、光露光によるパターン微細化の限界を打破るもの
として、光に比べて波長の短いＸ線を利用したＸ線リソ
グラフィが注目されている。このＸ線リソグラフィでは
、光を用いた露光法とは異なり、所定のパターンを縮小
させて転写するような技術は現在のところない。そこで
、Ｘ線を選択的に透過するＸ線マスクをＸ線源と露光対
象物との間に配置し、このマスクをＸ線束で一括照射す
ることにより露光対象物表面上に転写パターンを得ると
云う、所謂１：１：の等倍転写方式が採られている。

従って、等倍マスクパターンの精度（位置１寸法）がそ
のままデバイス精度になるため、Ｘ線マスクのパターン
は最小線幅の１０分の１程度の位置精度が要求される。

また、Ｘ線源としてはＳＯＲ先（シンクロトロン放射光
）が本命とされているため、強力なＸ線に対してダメー
ジを受けない構造でなければならない。さらに、線幅が
０．５μｍから始まって将来は０．１μｍへ向かうため
には、Ｘ線マスク上のパターンにおける縦横比が大きく
なり、種々の製作上困難が増大してくる。即ち、Ｘ線露
光法においては、実用的なＸ線マスクの構造並びにＸ線
マスク製造方法の開発が実用化への最も工要な鍵となっ
ている。

Ｘ線マスクの構成は、一般には、軟Ｘ線に対する吸収率
の大きな材料で形成したマスクパターン（Ｘ線吸収体パ
ターン）と、これを支えるための軟Ｘ線に対する吸収率
の特に小さな材料でできた薄膜（メンブレン）の他、こ
のメンブレンが極めて薄くて機械的に弱い故にこれを支
える支持枠を必要として構成される。

第３図は従来のＸ線マスク製造プロセスの一例を示す断
面図である（　Ｊ、Ｖａｃ、Ｓｃｉ、Ｔｅｃｈｎｏｌ、
　２１．４（１９８２）、Ｐ、１０１７）　　。

まず、第３図（ａ）に示す如く、Ｓｔ基１１ｉ２３０上
にＬＰＣＶＤ法により内部応力５〜１５Ｘ　１０８ｄｙ
ｎ／ｃｍ２の５ｉＮｌｌＩ３１を形成し、さらにＳｉ基
板３０の裏面側にも薄いＳｉＮ膜３２を形成する。

ここで、ＳｉＮ膜３１がＸ線を透過する薄膜（メンブレ
ン）となる。メンブレンとしては、Ｘ線を透過し且つア
ライメント光（可視赤外光）に対する透過性に優れ、引
張り応力を有する自立支持膜でなければならない。現在
、ＢＮ、Ｓｔ、ＳｉＣ。

Ｔｉ等が報告されている。

次いて、第３図（ｂ）に示す如く、裏面側のＳｉＮ膜３
２の中央部を開口したのち、表面側のＳｉＮ膜３膜上１
上線吸収体としてＴａ膜３３を形成する。Ｘ線吸収体薄
膜としては、露光波長におけるＸ線吸収係数が大きいこ
と、内部応力か低いこと、微細加工が容易であることが
要求される。

現在、Ａｕ、Ｔａ、Ｗ、ＷＮ等が報告されており、内部
応力として１　ｘ　ｔｏ８ｄｙｎ／ｃｍ２の低応力が不
可欠なため、一般にスパッタリング法により応力コント
ロールして堆積される。

次いで、第３図（ｃ）に示す如く、Ｔａ膜３３上に応力
コントロールした５ｉ０２膜３４をスパッタリング法に
より形成する。続いて、５ｉ０２膜３４上に電子ビーム
描画用レジスト３５を塗布したのち、レジスト３５に電
子ビーム描画法によりパターンの描画を行い、レジスト
３５に所望のパターンを開口する。ここで、Ｘ線吸収体
パターンは縦横比が大きく且つ断面が垂直であることが
要求されるために、レジスト／中間層／　Ｔ　ａと云う
２層或いは３項構造が用いられている。また、電子ビー
ム描画法の問題点は電子ビームの散乱と照射電子の電荷
によって描画パターンが変形する近接効果が生じること
である。Ｘ線マスクでは、レジストの下に重金属の厚い
吸収体層があるために、この効果は顕著である。従って
、パターン線幅精度を保証するために、多層レジストの
使用や近接効果補正の実施、更に近接効果が小さく０．
１８ｍ線幅の微細パターン描画か可能な集束イオンビー
ム描画法が開発されている。

次いで、第３図（ｄ）に示す如く、レジスト３５をマス
クとして５ｉ０２膜３４を選択エツチングする。その後
、第３図（ｅ）に示す如く、５ｉ０２膜３４をマスクと
してＴａ膜３３を選択エツチングする。つまり、Ｔａパ
ターンは５ｉ０２膜３４を中間マスクとしてドライエツ
チング法で形成される。この際、エツチング法としては
、マスク材との適当なエツチング選択比がとれること、
パターン変換差（被エツチング材とマスク材の線幅の差
）が小さく断面形状が垂直にエツチングされること、堆
積物や残渣が生じないこと、エツチングの安定性・再現
性がよいこと等が条件である。

最後に、第３図（ｆ’）に示す如く、裏面よりＫＯＨ等
のウェットエツチング法により、ＳｉＮ膜３２をマスク
としてＳｉ基板３０をエツチングすることにより、Ｘ線
マスクが完成することになる。

上述の如く複雑な工程を用いて形成されるＸ線マスクの
製造工程の中で最も困難となるべきものは、Ｔａ膜３３
等のＸ線吸収体の微細加工である。

現在、Ｘ線マスク用重金属の微細パターンのエツチング
の例として、スパッタリングにて形成したＷに　０．２
μｍパターンのエツチングした例が報告されている（例
えば、Ｊ、Ｖａｃ、Ｓｃ１．Ｔｅｃｈｎｏｌ。

２１．４（１９８２）、Ｐ４Ｏ１０又はＪ、Ｖａｃ、Ｓ
ｃｉ、Ｔｅｃｈｎｏｌ、　Ｂ（５）（１９８７）、Ｐ２
Ｓ５　）。しかしながら現在、重金属の微細パターン形
成には、低圧力における垂直イオン入射が大きくなる反
応性イオンエツチング（ＲＩＥ）技術を用いなければな
らない。低圧力では、重金属のエツチング速度は非常に
小さく、上記重金属のエツチングマスクとなり得るマス
クとのエツチング選択比を大きくとることが困難である
。実際、上記報告例でのＷのエツチング形状は垂直では
なく、パターンの中央壁がサイドエツチングされている
。このような形状は、Ｘ線露光により転写されたときの
転写パターンに大きく影響し、高精度のパターン転写は
不可能である。

一方、重金属のドライエツチングを行わないで、予めメ
ンブレン上に形成しておいた微細パターン中に金属をメ
ツキ法により埋込む方法が提案されている。しかし、こ
のメツキ法では多量のゴミ。

欠陥が発生し、更にパターン形成の工程数が多くなり、
実用的ではない。

（発明が解決しようとする問題点）このように従来、Ｘ線マスク製造工程におけるＸ線吸収
体パターンの微細加工工程には、以下の如く厳しい要求
と問題点があった。

■　エツチングマスク材料と重金属膜とのエツチング選
択比が小さく、微細パターン加工は極めて困難である。

■　レジスト／中間層／重金属構造等、多層膜構造が必
要であり、プロセス工程が複雑な上、各層でのパターン
変換差と０．０２μｍ以下にするべく極めて高精度なエ
ツチング技術が必要である。

■　中間層として、絶縁膜或いは金属膜を用いなれけば
ならず、これらの膜応力もＸ線吸収体膜並みに小さくす
る必要がある。

■　レジスト／重金属構造で生じる電子ビーム描画での
近接効果のため、近接効果補正或いは近接効果補正軽減
のための多層レジスト構造が必要である。

■　■〜■に示したドライエツチングの代りにメツキ法
による重金属の埋込みの場合には、ゴミ。

欠陥等の発生が非常に多い。

本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、Ｘ線マスクにおけるＸ線吸収体パター
ンの形成に重金属膜のドライエツチング法及び電界メツ
キ法を用いないで、微細な重金属パターンを精度良く形
成することができ、Ｘ線リソグラフィを用いた次世代超
ＬＳＩデバイスの微細加工実現等に寄与し得るＸ線マス
クの製造方法を提供することにある。

［発明の構成］（問題点を解決するための手段）本発明の骨子は、重金属膜の形成として、重金属を含有
するハロゲンガスを用いた液相ＣＶＤ法により、Ｘ線透
過薄膜に形成した溝部に重金属膜を埋込みＸ線吸収体パ
ターンを形成することにある。

即ち本発明は、Ｘ線に対して透過なＸ線透過薄膜をＸ線
吸収体を形成すべきパターンに従って選択エツチングし
て該薄膜に溝部を形成し、次いで反応生成物又は原料ガ
スを液化することにより薄膜を堆積する液相ＣＶＤ法に
より、Ｘ線透過薄膜の溝部内にＸ線吸収体となる重金属
膜を選択的に埋込み形成するようにした方法である。

より具体的には、Ｘ線透過薄膜に反応性イオンエツチン
グ法により該薄膜の表面から０．４μｍ以上の深さの溝
を掘ったのち、溝を掘ったＸ線透過薄膜を冷却しながら
、液相ＣＶＤ法により重金属ハロゲンガスを分解させ、
溝部に選択的に重金属膜を埋込み形成するようにした方
法である。

（作　用）Ｘ線透過薄膜としては通常、半導体薄膜或いは絶縁膜が
使用されるが、該薄膜への溝部形成には反応性イオンエ
ツチング法を用いることにより簡易に、高精度・超微細
パターン溝部が形成可能であることが知られている。こ
れは、パターン形成のためのレジストへの電子線描画に
おいて、下地が半導体薄膜或いは絶縁膜である故に近接
効果による影響が小さいことも要因の１つである。

本発明では、上記溝を掘ったパターン形状部を含むＸ線
透過薄膜を冷却し、重金属ハロゲンガスを分解させる液
相ＣＶＤ法（５ｏｌｉｄ　５ｔａｔｅＤｅｖｉｃｅｓ　
ａｎｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、　Ｔｏｋｙｏ、　１９８
７．　ｐ４５１）により重金属膜を埋込んで重金属パタ
ーンを形成するために、従来至極困難とされていた重金
属の微細パターン加工のためのエツチングを行わずに、
Ｘ線マスク用の微細なＸ線吸収体パターンを形成するこ
とが可能となる。

即ち、レジストを含む多層構造を用いないため、プロセ
ス工程が極めて単純となることや、下地重金属より発生
する電子線描画時の近接効果の影響か格段に小さくなる
ため、高精度の微細パターン形成が可能となっている。

また、メツキ法と異なりゴミや欠陥の発生のない良好な
Ｘ線吸収体パターンを実現することが可能となる。

（実施例）以下、本発明の詳細を図示の実施例よって説明する。

第１図は本発明の一実施例に係わるＸ線マスク製造工程
を示す断面図である。まず、第１図（ａ）に示す如く、
面方位（１００）、３インチＳｉウェハ１０上にＬＰＣ
ＶＤ法を用いてＳｉＣ膜（Ｘ線透過薄膜）１１をエピタ
キシャル成長させた。

実験方法は下記の如くである。

高周波加熱方式を用いたＬＰＧＶＤ装置にてグラファイ
トにＳｉＣをコートしたサセプタ上にＳｉ基板１０を設
置した。減圧下でＳｉ基板１０を１１６０℃まで昇温し
、Ｈ２で希釈した１、５９６　ＨＣ、ｆ’ガスにて５分
間Ｓｉ基板１０を気相エツチングした。これにより、基
板表面に存在する自然酸化膜及び炭化水素系の汚染物を
除去し、Ｓｉ表面を清浄化した。その後、堆積用ガスと
してＳｉＣノ４／Ｃ３ＨＢ、希釈ガスとしてＨ２を用い
、Ｓ　ｉ　Ｃ，ｅ４　／Ｃ３Ｈｓ　ノ混合比、流ｍ及び
基板温度を変化させてＳｉＣの堆積を行った。基板温度
は１０６０℃から１３９０℃まで変化させた。その結果
、基板温度１３６０℃、Ｈ２流量１ノ／ｍｉｍ。

ＳｉＣノ４流ｆｆ１３ｉ＋、ｉ’　／　ｍｉｎ　、　　
Ｃ３ＨＢ流Ｒ１ｍ、ｉ’／ｍｉｎ　、　　（Ｓ　ｔ　Ｃ
、ｉ’　４／　Ｈ２）流量比３　Ｘ　１Ｏ−３）１．：
てＳｉＣ膜１１はＳｉ基板１０上にエピタキシャル成長
した。この薄膜の応力を測定したところ、１５Ｘ　１０
８ｄｙｎ／α２の引張り応力であった。

次いで、第１図（ｂ）に示す如く、ＳｉＣ膜１膜上１上
Ｉ膜１２及びＰＭＭＡレジスト１３の２層構造を形成し
、上層のレジスト１３を通常の電子線描画によりパター
ニング開口させ、開口したレジスト１３をエツチングマ
スクとして下層のＡ、ｆ膜１２をＣ，ｆ７２にてプラズ
マエツチングしパターニング開口させた。このとき、Ａ
、ｅ膜１２の膜厚は数１００人であり、ＣＩ！２を用い
たプラズマエツチングにより容易にエツチングすること
が可能であった。さらに、更に電子線描画時での近接効
果の影響は薄いＡ、Ｉｌ’層での電子線反射率が低いた
め、通常の近接効果補正（ゴースト露光法）にて十分で
あった。

次いで、残ったレジスト１３を除去したのち第１図（Ｃ
）に示す如く、ＡＩ膜１２をエッチングマスフとして、
ＳｉＣ膜１１を５Ｆ６１０２ガスにて反応性イオンエツ
チングし、ＳｉＣ膜１１に溝部１４を形成した。この溝
部１４は後述するＸ線吸収体パターンを埋込むためのも
のであり、その深さは０．６μｍとした。

次いで、Ａノ膜１２を除去したのち第１図（ｄ）に示す
如く、Ｗの液相ＣＶＤ法による選択堆積を行い、溝部１
４内にＷ膜１５を埋込み形成した。

これにより、Ｘ線吸収体となるＷ膜１５の微細パターン
が形成された。このときのＷ膜１５の最小線幅は０．２
μｍであり、レジスト描画からの寸法変換差は０．０２
μｍ以下であった。

ここで、上記液相ＣＶＤ法は次のようにして行った。即
ち、前記Ａノ膜１２を除去した基板（Ｓｉ基板１０上に
溝部１４を有するＳｉＣ膜１１が形成されたもの）を反
応炉内に配置し、基板を一１０℃に冷却保持した。マイ
クロ波によりＨ２ガスを励起させＨラジカルを生成し、
これと共にＷＦ６ガスを反応炉内に供給した。ＷＦ、ガ
スは基板表面で冷却されて液化するため、基板表面でＷ
膜１５が堆積し、さらに液化は、・１底部で生じ易くま
た液化したものは溝部内に溜ることになる。従って、Ｗ
膜１５の堆積は溝部１４の底部から始まり、溝部１４を
徐々に埋めることになる。

本実施例では、Ｗ膜１５の堆積厚さを０．５μｍとした
。

その後、堆積したＷ膜１５に含有した不純物の除去及び
Ｗの応力制御のために３００℃の熱処理を行った。この
ときのＷ膜１５の応力は、１５Ｘ１０８ｄｙｎ／ｃｍ２
の引張り応力を示し、下地ＳｉＣ膜１１の応力と一致さ
せた。従って、第１図（Ｃ）で示した如（ＳｉＣ膜１１
に溝部１４を形成したときに発生した応力は、同図（ｄ
）で示した如く同程度の応力を示すＷ膜１５を埋込むこ
とにより補正することが可能であった。

最後に、第１図（ｅ）に示す如く、通常通りＳｉ基板１
０の中央部を裏面からエッチバックした。

また、保護膜としてＳｉＣ膜１６を堆積し、Ｘ線マスク
を完成した。

かくして作成したＸ線マスクでは、ＳｉＣとＷの物性係
数が略等しく（例えば熱膨張係数ＳｉＣ：４．７Ｘ　１
Ｏ−６に’　、　Ｗ　：　　４ＪＸ　１０るに−ｔ１ヤ
ング率Ｓ　ｉ　Ｃ：　４．５７ＸＩＯ”Ｎ／３２．　Ｗ
　：　４．０Ｘ１０”Ｎ７０ｍ２）、微小な温度変化等
によって所定の応力の発生及びパターン寸法のずれは生
じない。また、プロセス工程が簡略化され、従来困難と
されているＷの微細パターン加工を行わないで、Ｗの微
細パターンを精度良く形成することが可能となる。さら
に、メツキ法と異なりゴミや欠陥等の発生する虞れもな
く、良質のＷのＸ線吸収体パターンを形成することがで
きた。

本発明者等の実験によれば、上記マスクを通して１μｍ
のＰＭＭＡレジストをＳＯＲ光により露光・現像し、０
．２μｍのライン＆スペースが形成されたのを確認した
。また、ＳＯＲ光の長時間照射に対してもＳｉＣ単結晶
を透過膜として用いるため、ＳＯＲ光による劣化、ダメ
ージは観察されなかった。

このように本実施例方法によれば、Ｘ線透過薄膜として
のＳｉＣ膜１１に溝部１４を形成し、液相ＣＶＤ法によ
りＸ線吸収体としてのＷ膜１５を溝部１４内に選択埋込
み形成することができる。

このため、電子線描画時に生じる反射電子による近接効
果が軽減され、単純な近接効果補正により高精度に描画
されたレジストパターンをＳｉＣ膜１１に転写すること
ができ、パターン寸法変換差の極めて小さなＷの微細パ
ターンを容易に形成することができる。

また、溝部１４内に埋込まれたＷ膜１５の物性定数がＳ
ｉＣに極めて近いため、温度変化等の環境要因の影唇を
受は難い。さらに、Ｗ膜１５は溝部１４内に埋込まれて
いるため、後工程でＷ膜の側部に保護膜を形成する必要
はない。Ｗ膜パターン上部での保護膜は必要に応じてス
パッタリング法等により薄く形成すれば十分であり、保
護膜形成プロセスが大幅に簡略化される。また、Ｗ膜を
メツキ法で形成する方法とは異なり、ゴミや欠陥等の発
生を極めて少なくすることができ、信頼性の高いＸ線マ
スクを実現することができる。

第２図は本発明の他の実施例方法を説明するための工程
断面図である。なお、第１図と同一部分には同一符号を
付して、その詳しい説明は省略する。

この実施例が先に説明した実施例と異なる点は、溝部へ
のＷ膜の選択埋込み工程にある。即ち本実施例では、第
２図（ａ）に示す如（ＳｉＮ膜１１に溝部１４を形成し
たのちに、同図（ｂ）に示す如く液相ＣＶＤ法によりＳ
ｉＮ膜１膜上１上膜１５を堆積した。このＷ膜１５の堆
積は、Ｗ膜１５表面が平坦となる厚さまで行った。次い
で、第２図（Ｃ）に示す如く、ＳｉＮ膜１１の表面が露
出するまでＷ膜１５をエッチバックすることにより、溝
部１４内のみにＷ膜１５を埋込み形成した。これ以降は
先の実施例と同様に、Ｓｉ基板１０のエッチバック及び
保護膜の形成を行うことによりＸ線マスクが完成するこ
とになる。

このような工程であっても、溝部１４内にＷ膜１５を埋
込み、Ｘ線吸収体となるＷ膜１５の微細パターンを精度
良く形成することができる。従って、先の実施例と同様
の効果が得られる。

ここで通常のＣＶＤ法では、溝部１４においては底部及
び側面から堆積が始まるので、堆積が進むと溝部１４内
に所謂“す”が発生してしまい、溝部１４内にＸ線吸収
体となるＷ膜１５を完全に埋込むことはできない。本実
施例では、溝部１４の底部から堆積が始まる液相ＣＶＤ
法を用いることにより、溝部１４内にＷ膜１５を完全に
埋込みむことが可能となったのである。

なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前記Ｗ膜を選択成長させる際に用いるガス
はＷＦ６に限るものではなく、Ｗを含有するガスであれ
ばよい。また、液相ＣＶＤ法の活性種の発生源としては
、マイクロ波の代りに高周波或いはレーザを用いること
が可能である。

さらに、活性種としてＨラジカルを用いたが、Ａｒ、そ
の他のＷＦ６と反応してＷを堆積させるラジカル種を用
いることができる。また、Ｘ線吸収体は純粋なＷに限ら
ず、例えばＷＮ）＜、Ｔｉ添加ＷＮｘ、Ｔｉ添加Ｗ等、
Ｗに不純物を添加した膜であってもよい。Ｗに不純物を
添加することによりＷの応力を制御することが可能であ
る。さらにまた、Ｘ線吸収体はＷに限らず、他の重金属
（Ａｕ、Ｔａ、ＷＮ等）を用いることが可能である。こ
の場合、液相ＣＶＤ法に用いるガスも該重金属を含有す
るガスであればよい。

また、Ｘ線透過薄膜はＳｉＣに限るものではなく、Ｘ線
透過率が高く且つ引張り応力を有する自立支持膜であれ
ばよく、ＢＮ、Ｓｉ、Ｔｉ等を用いることができる。実
施例ではＸ線透過薄膜のエツチングマスクとしてＰＭＭ
Ａ／Ａ、ｆｆを用いたが、耐エツチング性に富むＣＭＳ
或いはＮＰＲ等のレジスト単層を用いることも可能であ
る。また、実施例ではＷの埋込み後、Ｓｉウェハをバッ
クエツチングする例を述べたが、始めにバックエツチン
グしたＳ１リング上のＳｉＣ膜中にＷを形成するように
してもよい。さらに、各部の膜厚等の条件は、仕様に応
じて適宜変更可能である。その他、本発明の要旨を逸脱
しない範囲で、種々変形して実施することかできる。

［発明の効果］以上詳述したように本発明によれば、Ｘ線透過薄膜に溝
部を形成したのちに、液相ＣＶＤ法にて溝部内にＸ線吸
収体となる重金属膜を選択的に埋込み形成することによ
り、重金属膜のドライエツチング法や電界メツキ法等を
用いることなく、Ｘ線吸収体パターンを高精度に形成す
ることができる。従って、Ｘ線リソグラフィを用いた次
世代超ＬＳＩデバイスの微細加工の実現に寄与すること
ができ、その有用性は絶大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例方法に係わるＸ線マスクの製
造工程を示す断面図、第２図は本発明の他の実施例方法
を説明するための工程断面図、第３図は従来方法を説明
するための工程断面図である。１０・・・Ｓｉ基板、１１・・・ＳｉＣ膜（Ｘ線透過薄
膜）、１２・・・Ａノ膜、１３・・・ＰＭＭＡレジスト
、１４・・・溝部、１５・・・Ｗ膜（Ｘ線吸収体）１６
・・ＳｉＮ膜（保護膜）。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）Ｘ線に対して透過なＸ線透過薄膜をＸ線吸収体を
形成すべきパターンに従って選択エッチングし、該薄膜
に溝部を形成する工程と、次いで反応生成物又は原料ガ
スを液化することにより薄膜を堆積する液相ＣＶＤ法に
より、前記Ｘ線透過薄膜の溝部内にＸ線吸収体となる重
金属膜を選択的に埋込み形成する工程とを含むことを特
徴とするＸ線マスクの製造方法。
（２）前記液相ＣＶＤ法による重金属膜の形成時に、前
記Ｘ線透過薄膜を冷却することを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のＸ線マスクの製造方法。
（３）前記Ｘ線透過薄膜の溝部に埋込み形成する重金属
膜として、前記Ｘ線透過薄膜と同等の張力を有する材料
を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
Ｘ線マスクの製造方法。
（４）前記Ｘ線透過薄膜の溝部に埋込み形成する重金属
膜として、前記Ｘ線透過薄膜と略同値の熱膨脹係数及び
ヤング率を有する材料を用いたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のＸ線マスクの製造方法。
（５）前記液相ＣＶＤ法として、重金属を含有したハロ
ゲン化合物ガスを分解・堆積させることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のＸ線マスクの製造方法。
（６）前記Ｘ線透過薄膜に溝部を形成する工程として、
反応性イオンエッチングを用いたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のＸ線マスクの製造方法。
（７）前記Ｘ線透過薄膜として炭化硅素膜、前記重金属
膜としてタングステンを用いたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のＸ線マスクの製造方法。
（８）前記Ｘ線透過薄膜として、シリコン基板上にエピ
タキシャル成長した炭化硅素膜を用いたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のＸ線マスクの製造方法。