DE1302727C2 - Verfahren zum herstellen einer mit wenigstens einer elektrode versehenen kornschicht, vorzugsweise fuer halbleiterbauelemente - Google Patents

Verfahren zum herstellen einer mit wenigstens einer elektrode versehenen kornschicht, vorzugsweise fuer halbleiterbauelemente

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DE1302727C2 DE19661302727D DE1302727DA DE1302727C2 DE 1302727 C2 DE1302727 C2 DE 1302727C2 DE 19661302727 D DE19661302727 D DE 19661302727D DE 1302727D A DE1302727D A DE 1302727DA DE 1302727 C2 DE1302727 C2 DE 1302727C2
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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer mit wenigstens einer Elektrode versehenen Kornschicht, bei dem die Körner in einen flüssigen, härtbaren Binder eingebettet werden, der Binder gehärtet wird und vom Binder freibleibende Oberflächenteile der Körner mit einer Elektrode versehen werden.
Ein solches Verfahren kann zum Herstellen von Halbleiterbauelementen verwendet werden; die Körner bestehen dann ganz oder teilweise aus einem halbleitenden Material.
Bauelemente, die Kornschichten der genannten Art enthalten, eignen sich unter anderem zur Verwendung in Strahlungsnachweisgeräten für korpuskulare oder elektromagnetische Strahlung, bei denen Strahlungsenergie auf eine photoempfindliche Schicht fällt und in dieser eine elektrische Spannungsänderung hervorruft oder eine Impedanzänderung herbeiführt, die durch auf der Schicht angebrachten Elektroden festgestellt werden können. Weiter können solche Kornschichten bei der Umwandlung von Strahlungsenergie in elektrische Energie, wie z. B. in sogenannten Sonnenbatterien, verwendet werden.
Ein weiteres Anwendungsgebiet solcher Kornschichten liegt in der Umwandlung elektrischer Energie in Strahlungsenergie, die z. B. durch Rekombinationsstrahlung in pn-Übergängen in Halbleitern, durch Elektrolumineszenz, usw., erfolgen kann.
In allen diesen Fällen können gemäß einem in der gleichzeitig eingereichten deutschen Patentanmeldung P 15 64 426.5 angegebenen Verfahren vorteilhaft Kornschichten verwendet werden, die praktisch nur ein Korn dick sind. Bei solchen »Monokornschich-
3 ' 4
ten« werden Übergangswiderstände zwischen den Die mit der Erfindung eizielten Vorteile bestehen
Körnern vermieden und der Wirkungsgrad (weil kein insbesondere darin, daß zwsi zur Kontaktherstellung
Korn durch andere Körner ganz oder teilweise gegen erforderliche Arbeitsgänge, nämlich die Freima-
die einfallende Strahlung abgeschirmt wird) sowie chung der Kornschicht vom Träger und die Freile-
das Verhältnis von Materialgewicht zu wirksamer 5 gung von Kornteilen an der Trägerseite, in einem
Oberfläche günstig sind. Arbeitsgang erfolgen. Eine anschließend auf dieser
Sowohl in diesem Fall als auch in den Fällen, in Seite der Kornschicht angebrachte Elektrodenschicht
denen die Schichtdicke größer ist und mehrere Korn- bildet mit den Körnern einen stabilen Kontakt mit
durchrwsser beträgt, werden zur Herstellung dieser niedrigem Übergangswiderstand.
dünnen Kornschichten Körner und Binder Vorzugs- io Für die Haftschicht und den Binder steht eine
weise auf einem Träger angebracht, unter anderem Vielzahl von Materialien oder Material kombinatio-
mit Rücksicht auf die mechanische Festigkeit wäh- nen zur Verfügung. Es sei dabei bemerkt, daß an die
rend der verschiedenen Bearbeitungsstufen. Haftfähigkeit der erwähnten Haftschicht keine stren-
In vielen Fällen muß dabei auf der Kornschicht gen Anforderungen gestellt werden. Es genügt, daß an der Trägerseite eine Elektrodenschicht angebracht 15 die Körner zeitweilig von der Haftschicht in der richwerden, die einen elektrischen Kontakt zu den Kör- tigen Lage gehalten werden und sich bei der Annern herstellt. Dies kann z. B. dadrrch erfolgen, daß bringung des Binders nicht von der Haftschicht lösen, ein Träger verwende! wirä, der wenigstens auf einem Die Haftschicht kann sowohl in bezug auf ihre Teil seiner mit der Kornschicht zu bedeckenden Eigenschaften als auch hinsichtlich des verwendeten Fläche elektrisch leitend ist. Dabei muß selbstver- 20 Materials verschiedenartig sein. Es kann z. B. eine ständlich an der Trägerseite die Oberfläche der Kör- flüssige oder viskose Haftschicht verwendet werden, ner wenigstens teilweise frei von Binder sein. auf der ein Binder angebracht wird. Vorzugsweise
Diese Bedingung ist jedoch in der Praxis häufig wird eine härtbare Haftschicht benutzt, die vor der schwer erfüllbar, da sich zwischen Träger und Kör- Anbringung der Bindung gehärtet wird. In diesem nern leicht ein Film des Binders bilden kann, der 25 Zusammenhang soll unter der Härtung der Haftsich nur schwer entfernen läßt und einen hohen und/ schicht verstanden werden, daß die Haftschicht eine oder instabilen Kontaktwiderstand zur Folge hat. Härte oder Viskosität erhält, die größer als die des
Es ist weiter bekannt (französische Patentschrift anzubringenden Binders im ungehärteten Zustand
1 372 154), bei einem Verfahren der eingangs ge- ist. Dies verhütet, daß der Binder bei seiner Anbrin-
nannten Art die Körner und den härtbaren Binder 30 gung in flüssigem Zusltand die Haftschicht verdrän-
zwischen zwei Folien einzupressen, wobei sich die gen kann. Die Härtung kann verschiedenartig er-
Spitzen oder Enden der Körner in die Folien ein- folgen, z. B. durch Polymerisation, Polykondensation
drücken und so eine Schicht von durch Binder ver- oder durch Verdampfung eines Lösungsmittels,
bundene Körner zu erhalten, von denen Oberflächen- Die selektive Entfernung der Haftschicht kann auf
teile frei ven Binder sind. 35 verschiedenen Wegen erfolgen, unter anderem durch
Dieses Verfahren hat jedoch unter anderem den Verwendung einer leicht zu verflüssigenden oder in großen Nachteil, daß die Körner einem starken geeigneten Lösungsmitteln selektiv löslichen Haft-Druck ausgesetzt werden müssen und daß dieser schicht, ζ. B. einer wasserlöslichen Haftschicht. Vor-Druck so dosiert werden muß, daß ein nicht zu zugsweise wird die Haftschicht in Form eines Gels großer, aber auch nicht zu kleiner Teil der Korn- 40 angebracht. Ein solches Gel ist aus einem flüssigoberfläche in die Folie eingepreßt und so vom Binder keitshaltigen Skelett der gelierten Substanz aufgefreigehalten wird. baut. Die Verwendung eines Gels als Haftschicht
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die hat dadurch den Vorteil, daß Flüssigkeit der Haftgenannten Nachteile der bekannten Verfahren zu ver- schicht, die gegebenenfalls infolge von Kapillarität meiden und ein Verfahren zu schaffen, mit dessen 45 über die die Haftschicht überragenden Kornteile Hilfe in einfacher Weise leicht kontaktierbare Korn- kriechen sollte, praktisch frei von der gelierten Subschichten aus Körnern mit sehr geringem Durch- stanz ist und beim Verdampfen auf diesen Kornteilen messer, ζ. B. mit einem Durchmesser von weniger nahezu keinen Rückstand zurückläßt. Infolgedessen als 100 μΐη oder sogar weniger als 50 μΐη hergestellt kann sich der Binder nachher besser an die Kornwerden können. 50 oberfläche heften, was den Zusammenhang der Korn-
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch ge- schicht erhöht. Als ein solches Gel kann z. B. ein
löst, daß auf einem Träger eine flüssige Haftschicht in Wasser geliertes hochmolekulares Polysaccharid,
aufgebracht wird, in die die Körner bis zu einem wie Stärke, Gummiarabikum od. dgl., angewandt
Teil ihres Durchmessers eingesenkt werden, auf die werden.
Haftschicht zwischen den Körnern der flüssige Bin- 55 Ein für den beabsichtigten Zweck sehr geeignetes
der aufgebracht und gehärtet wird, die Haftschicht Gel ist Gelatine. Gelatine kann auf einfache Weise
selektiv von Teilen der Oberflächen der Körner ent- als eine homogene Schicht auf einem Träger ange-
fernt wird und die so freigelegten Oberflächenteile bracht werden und läßt sich mit warmem Wasser
von wenigstens einem Teil der Körner mit einer Elek- leicht entfernen.
trode versehen werden. 60 \jm die vom Träger abgelöste, einen Binder ent-
Der Vollständigkeit halber sei noch erwähnt, daß haltende Kornschicht leichter hantieren zu können,
bereits ein Verfahren zum Herstellen reflektierender wird vorzugsweise die vom Träger abgekehrte Seite
Oberflächen bekannt ist, bei dem ein Hilfsträger mit der Kornschicht mit einer vorzugsweise flexiblen
wasserlöslicher Klebeschicht und darin teilweise ein- Schicht eines Kunststoffes überzogen, die vor der
gebetteten Reflexkörpern auf einen noch klebenden 65 selektiven Entfernung der Haftschicht gehärtet wird.
Untergrund aufgepreßt wird, nach dessen Trocknung Diese Kunststoffschicht kann entweder endgültig als
der Hilfsträger entfernt wird (deutsche Patentschrift Träger mit der Kornschicht verbunden bleiben oder
969 829). erforderlichenfalls die Kornschicht mit einem
benenfalls bleibenden Trägerkörper verbinden. Wenn gehörende Kornteile vom Binder befreit werden könauf der Seite einer solchen dauerhaften Kunststoff- nen, z. B. durch Schleifen. Wenn anschließend auf schicht die Kornschicht mit einer Elektrodenschicht beide Seiten der Kornschicht Elektrodenschichten versehen werden muß, muß diese Elektrodenschicht aufgebracht werden, besteht keine Gefahr eines Kurzselbstverständlich vorher angebracht werden. 5 Schlusses zwischen Kern und umhüllender Schicht
Vorzugsweise wird eine Haftschicht angebracht, über eine der Elektrodenschichten,
deren Dicke weniger als die Hälfte, vorzugsweise Es ist auch möglich, statt des einen Trägers, wie weniger als ein Fünftel des mittleren Korndurch- er bsi den vorstehenden Verfahren benutzt wird, messers beträgt. Dies gewährleistet, daß die Körner zwei einander gegenüberliegende Träger zu verwennach wie vor größtenteils aus der Haftschicht her- 10 den, die beide mit einer Haftschich' versehen sind, ausragen, so daß sie sich besser in den Binder ein- Dies hat den Vorteil, daß sich dadurch, daß auf ähnbetten lassen, was die Festigkeit erhöht. Auch liegen liehe Weise auf zwei Seiten der Kornschicht das Verhierdurch die Scheitel der Körner angenähert in einer fahren nach der Erfindung angewandt wird, eine Ebene, wodurch sich eine regelmäßig ausgebildete freitragende Kornschicht mit Binder ergibt, bei der Schicht ergibt, so daß eine gleichmäßige Herstellung 15 die Körner an beiden Seiten zur Herstellung von von Kontakten mit einer etwaigen Elektrodenschicht Kontakten zugänglich sind,
erfolgen kann. Die Erfindung umfaßt weiterhin eine Kornschicht
Um die selektive Auflösung der Haftschicht zu mit Binder, die durch Anwendung eines oder meh-
beschleunigen, ist es gewünscht, daß sich die Korn- rerer der beschriebenen Verfahren hergestellt wor-
schicht möglichst schnell vom Träger ablöst. Zu die- 20 den ist, und ein Elektrodensystem, das eine solche
sem Zweck kann vor der Anbringung der Haftschicht Kornschicht enthält.
auf den Träger eine Zwischenschicht aufgebracht Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den
werden, die die Haftung zwischen Träger und Haft- Zeichnungen dargestellt und werden im folgenden
schicht verringert und/oder das Durchdringen des näher beschrieben. Es zeigen
Lösungsmittels zwischen Haftschicht und Träger för- 35 Fi g. 1 im Querschnitt schematisch einen Teil einer
dert und die z. B. aus einem oberflächenaktiven Stoff Sonnenbatterie, die durch Anwendung des Verfah-
besteht, der selbst nicht im betreffende;. Lösungs- rens nach der Erfindung hergestellt ist und eine
mittel löslich zu sein braucht. Wie unten gezeigt, Schicht aus halbleitenden Körnern mit Binder zwi-
kann mit Vorteil eine Zwischenschicht aus Nitro- sehen zwei Elektrodenschichten enthält,
Zellulose verwendet werden, insbesondere in Korn- 30 die F i g. 2 bis 4 im Querschnitt schematisch die
bination mit Gelatine als Haftschicht, und auch Le- Sonnenbatterie der Fig. 1 in aufeinanderfolgenden
zithin kann als Zwischenschicht verwendet werden, Stufen ihrer Herstellung,
z. B. in Kombination mit einer Haftschicht, die Sac- die F i g. 5 bis 7 im Querschnitt schematisch einen
charose und/oder Glukose enthält. Teil einer anderen Sonnenbatterie, die gleichfalls
Die Verwendung einer Haftschicht läßt sich be- 35 durch Anwendung des Verfahrens nach der Erfin-
sonders dann ausnutzen, wenn Körner Verwendung dung hergestellt ist, in aufeinanderfolgenden Stufen
finden, die aus einem Kern aus einem Material und ihrer Herstellung, wobei Halbleiterkörner benutzt
einer umhüllenden Schicht aus einem anderen Ma- werden, die einen pn-Ubergang enthalten,
terial bestehen. An Hand der F i g. 1 bis 4 wird jetzt ein erstes
Dabei können der Kern und die umhüllende 40 Ausführungsbeispiel des Verfahrens nach der ErSchicht aus verschiedenen Bestandteilen, z. B. ver- findung zur Herstellung einer Sonnenbatterie beschiedenen Halbleitermaterialien bestehen. Auch schrieben.
können der Kern und die umhüllende Schicht aus F i g. 1 zeigt im Querschnitt schematisch einen dem gleichen Hauptbestandteil aufgebaut sein, aber Teil einer Sonnenbatterie, der eine ein Korn dicke infolge einer Differenz in Dotierung unterschiedliche 45 Kornschicht enthält, die aus halbleitenden Kör-Leitungseigenschaften aufweisen. Besonders wichtig nern 1, z. B. Körnern aus η-leitendem Kadmiumist z. B. die Verwendung halbleitender Körner, bei sulfid, besteht, die einen mittleren Korndurchmesser denen die umhüllende Schicht mit dem Kern einen von 30 um aufweisen und mittels eines Binders 2 pn-Obcrgang bildet. In einer bevorzugten Ausfüh- zusammenhängen. Dabei liegen auf beiden Seiten rungsform des Verfahrens nach der Erfindung wer- so der Kornschicht Oberflächtenteile 3 und 7 dei Korden bei Verwendung solcher Körner nach der Här- ner 1 frei vom Binder Z, wobei die Oberflächenteile 3 rung der Haftschii ht die Körner einer Ätzbehand- durch eine Elektrodenschicht 10 bedeckt sind, die lung unterworfen, bei der die umhüllende Schicht einen praktisch ohmschen Kontakt mit den Körvon den die Haftschicht überragenden Kornteilen nern 1 macht, während die Oberflächtenteile 7 mit entfernt wird, während die in der Haftschicht ver- 55 einer strahlungsdurchlässigen Elektrodenschicht S senkten Kornteile durch die Haftschicht gegen die überzogen sind, die einen gleichrichtenden Kontakt Einwirkung des Ätzmittels geschützt werden, wonach mit den Körnern 1 macht. Dabei kann eine durch der Binder angebracht wird. Hierdurch ergibt sich die Elektrodenschicht 8 hindurch einfallende Strah eine ein Korn dicke Kornschicht, bei der sich in der lung eine Spannungsdifferenz über diesem gleich-Haftschicht lediglich nicht abgeätzte Kernteile be- 60 richtenden Kontakt herbeiführen, die an den Elck finden, während der Binder sich auf den abgeätzten troden 8 und 10 abgenommen werden kann.
Korntcilen befindet. Das Verfahren kann z. B. wie folgt durchgeführ
Nach selektiver Entfernung der Haftschicht ergibt werden. Auf einem strahlungsdurchlässigen, ζ. Β
sich dann eine Kornschicht, hei der auf einer Seite gläsernen Träger4 (Fig. 2) wird zunächst Hsie wc
des Binders die restlichen Teile der umhüllenden 65 nige |tm dicke Schicht 6 aus Nitrozellulose ange
Schicht zur Bildung von Kontakten zugänglich sind, bracht, z. B. durch Eintauchen des Trägers 4 in ein
und hei der ferner an der vom Träger abgekehrten Lösung HV/oigcr Nitrozellulose in Butylazctat, wc
Seile der Komschicht erforderlichenfalls zum Kern n:ich das Lösungsmittel verdampft wird. Dann wir
auf dieser Schicht 6 eine aus Gelatine bestehende, etwa 5 μτη dicke Haftschicht 5 angebracht. Dies kann dadurch erfolgen, daß der Träger 4 in eine 15n/oige Lösung von Gelatine in Wasser bei einer Temperatur von etwa 40° C eingetaucht wird, wonach er aus der Lösung gezogen wird.
In dieser noch flüssigen Gelatineschicht 5 werden jetzt die Kadmiumsulfidkörner 1 versenkt, wonach die Gelatineschicht 5 getrocknet wird und die nicht am Träger 4 haftenden Körner entfernt werden. Die Kornschicht wird anschließend mit einer Schicht (2, 11) überzogen, die aus einem photochemischen Stoff besteht, der die Eigenschaft hat, durch Bestrahlung unlöslich in eiqem zugehörigen Entwickler zu werden und im unbestrahlten Zustand löslich zu bleiben. Solche Stoffe sind unter der Bezeichnung »negativer Photoabdecklack« bekannt. Im vorliegenden Beispiel wird ein negativer Phoioabueck'tack benutzt, der unter der Handelsmarke »Kodak Photo Resist« (K. P. R.) erhältlich ist. Gemäß einem in der gleichzeitig eingereichten niederländischen Anmeldung Nr. 6 510 096 (PHN. ) angegebenen Verfahren wird die Schicht (2,11) durch den Träger 4 hindurch belichtet. Dabei werden die Strahlungsstärke und die Belichtungsdauer so gewählt, daß die belichteten Photoabdecklackteile 2 zwischen den Körnern unlöslich werden, während infolge der stärkeren Strahlungsabsorption in den Körnern 1 die über uen Körnern liegenden in Fig. 2 gestrichelt angegebenen Teile 11 des Photoabdecklackes entwikkclbar bleiben. Mit Hilfe eines Entwickelprozesses werden nunmehr die Photoabdecklackteile 11 entfernt, und die Teile 2 bleiben als Binder zwischen den Körnern 1 zurück.
Die dabei freigelegten Oberflächenteile 7 der Körner I werden anschließend (Fi g. 3) durch Aufdampfen mit einer etwa 100 Ä dicken durchsichtigen Elektrodcnschicht 8 aus Kupfer überzogen. Diese Kupferschicht 8 bildet einen gleichrichtenden Kontakt mit den Kadmiumsulfidkörnern 1. Auf diese Elektrodenschicht 8 wird zur Verstärkung eine etwa 200 „m dicke slrahlung.sdurchlässige Schicht 9 aus einem härtbaren Kunsisoff. z. B. einem Epoxydharz, aufn-br.-icht. wobei (F i H- 1) ein Teii der Kupferschicht8 zur Bildung \on Koniakten freigelassen wird. Nach Härtung dieser Schicht 9 wird die au^ Gelatine be- -ichend"e Haftschicht 5 durch selektives Lösen in Wasser entfernt (Fig. 4). Dabei löst sich die Gehitmv-chicht 5 leicht von der Nitrozeilulosezwischen- «•'.hii.:.: .iH und geht dann schnei! in 1 ösune Letztlich ■Aird über den π dic-er Woe f-eigeiegten OKv flachenieilen 3 der korner ei- ,m* Indium Seste hemle I !ektroden--^ eh! 10 an..bracht /B durch Aufdampfen (F ι l1 ! i. D'-.-e lrdium>chicht mach· emen pniktisi Ii nhm-ehen Kontakt mit der. Kadmiun:MiHulkoM.err. I und ist etui, M · .,m dick
S;,ill der i-ru.;ihn;en deianne-i ^cht 5 können auJn amku H.iflsirrthien bcnut/t uerden Γ> kann 7 B eine andere uaverloslichi: Haftschicht Verwendung finden, die i> i>. einer sirupartigen Losung eines oder mehrerer wasserlöslicher Saccharide besteht 7 B cmc Losung von HK) g S.k haro-e und l'»g Glukose in SO cm1 Wasser, der nt^h ciua (I.? a eines Netzmittel·, auf der Cirundlage \eresterter sulfonate' f etlsaurän /ugesct/t werden kann. Diese sirupartige Losung wird auf den Träger aufgebracht, 7. B. durch Untertauchen, und anschließend getrocknet. Dabei kann der Träger, um nachher die Ablösung der Kornschicht zu erleichtern, mit einer dünnen Schicht eines oberflächenaktiven Stoffes, z. B. Lezithin, überzogen werden.
An Hand der F i g. 5 uis 7 wird eine weitere An-Wendungsmöglichkeit des Verfahrens nach der Erfindung erläutert. Bei dieser Ausführungsfonn (Fig. 5) weiden Halbleiterkörner (21, 22) benutzt, die aus einem Kern 21 auv z. B. η-leitendem Material und einer umhüllenden Schicht 22 aus p-leitendem Material bestehen, so daß zwischen dem Kern 21 und der umhüllenden Schicht 22 ein pn-übergang 23 gebildet wird.
Das Verfahren wird z. B. wie folgt durchgeführt. Auf einem Träger24 (Fi g. 5) wird eine flüssige Haftschicht 25 angebracht. In dieser noch flüssigen Haftschicht 25 werden die Körner (21, 22) versenkt, wonach die Haftschicht 25 gehärtet wird. Dann wird von den aus dci Haftschicht ragenden Korntcücn die umhüllende Schicht 22 abgeätzt (Fig. 6), wodurch zum Kern 21 gehörende Oberflächtenteilc 26 frei werden und auch der pn-übergang 23 an die Oberfläche tritt. Danach wird auf der Haftschicht 25 und über den freigelegten Oberflächenteilen der Körner (21,22) ein härtbarer Binder 27 angebracht. Nach der Härtung des Binders 27 wird nunmehr durch selektives Lösen (F i g. 7) die Haftschicht 25 entfernt, wodurch an der Trägerseite zur Schicht 22 gehörende Oberflächenteile 28 frei werden. Der pn-übergang 23 wird dabei nach wie vor durch den Binder 27 bedeckt. Auf den freigelegten Oberflächenteilen
28 der Körner (21, 22) wird eine Elektrodenschicht
29 angebracht, die mit den Oberflächenteilen 28 einen praktisch ohmschen Kontakt macht Anschließend werden auf der gegenüberliegenden Seite de:
Kornschicht zum Kern 21 gehörende Oberflächenteile 30 der Körner (21, 22) freigelegt, z. B. durch Abschleifen des Binders 27. Auf dem Binder 27 und den Oberflächienteilen 30 wird jetzt eine zweite Elektroder.-chicht 31 angebracht, die mit den Oberflächcnieiler, 30 eiru-n praktisch ohmschen Kontakt macht.
Auf diese Weise ergibt sich, wenn die Eiektrodenschicht 29 Ntrahlung^durchlässig ist, eine Sonnenbatterie, bei der eine durch die Elektrodenschicht 29 hindurch einfallende Strahlung eine Spannungsdifferenz über dem pn-übergang 23 erzeugt, die über die Elektrodenschichten 29 und 31 abgegriffen werder kann Auch kann man in dieser Weise eine Flektroie"chiplatte bilden, in welchem Falle der pn-t bcr-
So ganj;23 über die F.lektrodenM,- . iten29 und 31 π de Dur^hijßrichtuiE polar- er! u;r i »π|χ irs Λ" Nah;. des ( u.Tcange- tine In;i.kt-.onsrekomhinaiior^--rah lunt' erzeugt lAird. die *: '.h du f iektroden-t hieb. 29 h--du-, h aui'reu-n ka--
!—: \i<:..e«:i'nder; Fiei-p;e! können 7. B Körner au n-.-;*w'dem CdTi. ixnut/: uerdcn. die durch eiru p-!ji't;ide Seh-hi 22 umgeben werden die 7 B da d.i'ch erhallen worden ist. daß nach in der Halb !eitcrte^hnik uhlichen Verfahren Phosphor cindirTun dien wird Al- Material fur die Haftschicht 25 kam ζ B PoK-tvro! oder Poly;nethylmetacrylat Verwen dune finden, das in aromatischer Kclilcnwbsserstof fen ^e Benzol und Toluol, lösbar ist, während al Atzmittel konzentrierte Kalilauge bet.utzt wird, gegei die Polystyrol und Polyme!h\lmctaoyiai wider standsfahig sind. Als Binder 27 kann dabei eil Epoxydharz Verwendung finden, das aromatische Li) sjngsmittcl. wie Benzol und Toluo! vertragen kam
30» Ml/11
Es dürfte einleuchten, daß die Erfindung nicht auf die beschriebenen Beispiele beschränkt ist, sondern daß im· Rahmen der Erfindung viele Anwendungen möglich sind und daß auch viele verschiedene Materialien verwendet werden können. Es kann z. B. die Haftschicht durch viele andere Materialien als die erwähnten gebildet werden, sofern sie in flüssi-
10
gern oder sirupartigen Zustand auf dem Träger angebracht werden und durch Lösen oder sonstwie selektiv entfernt werden können, ohne daß dabei die Körne= oder der Binder angegriffen werden. In jedem vorkommenden Fall wird der Fachmann die richtige Wahl der in diesen Hinsichten zueinander passenden Materialien treffen.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (14)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Herstellen einer mit wenigstens einer Elektrode versehenen Kornschicht, bei dem die Körner in einen flüssigen, härtbaren Binder eingebettet werden, der Binder gehärtet wird und vom Binder freibleibende Oberflächenteile der Körner mit einer Elektrode versehen werden, dadurch gekennzeichnet, daß auf einen Träger (4, 24) eine flüssige Haftschicht (5,25) aufgebracht wird, in die die Körner (1,21) bis zu einem Teil ihres Durchmessers eingesenkt werden, auf die Haftschicht zwischen den Körnern der flüssige Binder (2, 27) aufgebracht und gehärtet wird, die Haftschicht (5, 25) selektiv von Teilen der Oberflächen der Körner entfernt wird und die so freigelegten Oberflächenteile von wenigstens einem Teil der Körner mit einer Elektrode versehen werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Körner aus einem Halbleitermaterial bestehen.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kornschicht durch selektives Lösen der Haftschicht vom Träger entfernt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine ein Korn dicke Kornschicht hergestellt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß vor der Anbringung des Binders die Haftschicht gehärtet wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine Haftschicht angebracht wird, die aus einem Gel besteht.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine Haftschicht angebracht wird, die aus Gelatine besteht.
8. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß vor der Anbringung der Haftschicht auf den Träger eine Zwischenschicht aufgebracht wird, die die Haftung zwischen Träger und Haftschicht verringert und/oder das Eindringen des Lösungsmittels zwischen Haftschicht und Träger tordert.
9. Verfahren nach den Ansprüchen 7 und 8, dadurch gekennzeichnet, daß eine Zwischenschicht aus Nitrozellulose verwendet wird.
10. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß eine Zwischenschicht aus Lezithin aufgebracht wird, auf die durch Aufbringen einer wäßrigen, Saccharose und Glukose enthaltenden Lösung auf den Träger und anschließendem Trocknen dieser Lösung eine Haftschicht angebracht wird.
11. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die den Binder enthaltende KorriM-hicht auf der vom Träger abgekehrlen Seite mit einer vorzugsweise flexiblen Kunststoffschicht überzogen wird, die vor der selektiven Entfernung der Haftschicht gehärtet wird.
12. Verfahreil nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Haftschicht benutzt wird, deren Dicke weniger als die Hälfte, vorzugswesie weniger als ein Fünftel des mittleren Korndurchmessers beträgt.
13. Verfahren nach mindestens einem· der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß Körner benutzt werden, die aus einem Kern aus einem Material und einer umhüllenden Schicht aus einem anderen Material bestehen, und daß nach der Härtung der Haftschicht die Körner einer Ätzbehandlung unterworfen werden, bei der die umhüllende Schicht von den die Haftschicht überragenden Kornteilen entfernt wird, während die in der Haftschicht versenkten Kornteüe durch die Haftschicht gegen die Einwirkung des angewandten Ätzmittels geschützt werden, wonach der Binder angebracht wird.
14. Verfahren nach mindestens einem der Anr.prüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß auf der vom Träger abgekehrten Seite der Kornschicht ein zweiter Träger, der gleichfalls mit einer Haftschicht versehen ist, angebracht wird.
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3775176A (en) * 1971-02-23 1973-11-27 Amicon Corp Method of forming an electroplatable microporous film with exposed metal particles within the pores
US3730959A (en) * 1971-07-08 1973-05-01 Us Interior Fabrication of high pressure seals for water equilibrated fiber bundles
US3844843A (en) * 1973-01-02 1974-10-29 Philco Ford Corp Solar cell with organic semiconductor contained in a gel
US4247499A (en) * 1979-05-18 1981-01-27 General Electric Company Methods of forming a solid ion-conductive electrolyte
US4625071A (en) * 1984-11-05 1986-11-25 Chronar Corp. Particulate semiconductors and devices
US5674325A (en) * 1995-06-07 1997-10-07 Photon Energy, Inc. Thin film photovoltaic device and process of manufacture
US5762845A (en) * 1996-11-19 1998-06-09 Packard Hughes Interconnect Company Method of making circuit with conductive and non-conductive raised features
CA2346294C (en) * 1998-10-09 2011-06-28 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Solid-state photoelectric device
DE19909187C1 (de) * 1999-03-03 2000-10-26 Forschungszentrum Juelich Gmbh Monokornmembranmaske
US6991958B2 (en) 2001-03-05 2006-01-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Solid-state electric device
AUPS327002A0 (en) * 2002-06-28 2002-07-18 Kabay & Company Pty Ltd An electroluminescent light emitting device
DE102008040147A1 (de) 2008-07-03 2010-01-28 Crystalsol Og Verfahren zur Herstellung einer Monokornmembran für eine Solarzelle sowie Monokornmembran nebst Solarzelle
KR20140108244A (ko) 2011-12-19 2014-09-05 이노피슈코아트 게엠베하 전계발광 배열체를 구비한 발광 소자 및 발광 소자의 제조 방법
US9525097B2 (en) * 2013-03-15 2016-12-20 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Photovoltaic module having printed PV cells connected in series by printed conductors

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1086116A (en) * 1912-08-16 1914-02-03 Frank Zagelmeyer Process for making blocks.
US1082231A (en) * 1913-03-26 1913-12-23 E J Hudnall Method of setting tiles, bricks, and mosaics.
US1169985A (en) * 1913-07-15 1916-02-01 Arthur M Mickelson Process of constructing building-blocks.
US1162172A (en) * 1915-03-19 1915-11-30 Robert M Jones Process for making building-blocks.
US2454910A (en) * 1946-04-04 1948-11-30 Vilbiss Co Method of applying coatings to molded or cast articles
US2856541A (en) * 1952-02-06 1958-10-14 Gen Electric Semiconducting device
US3031344A (en) * 1957-08-08 1962-04-24 Radio Ind Inc Production of electrical printed circuits
US2904613A (en) * 1957-08-26 1959-09-15 Hoffman Electronics Corp Large area solar energy converter and method for making the same
US3097080A (en) * 1959-06-29 1963-07-09 Arthur R Weir Artificial stone facing plaque
US3275466A (en) * 1965-05-03 1966-09-27 Rca Corp Method of adhering particles to a support surface

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Publication number Publication date
DE1302727B (de) 1973-03-22
NL6510097A (de) 1967-02-06
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CH473477A (de) 1969-05-31
NO120744B (de) 1970-11-30
BE685032A (de) 1967-02-03
GB1158924A (en) 1969-07-23
SE326511B (de) 1970-07-27
JPS4415267B1 (de) 1969-07-07
AT261016B (de) 1968-04-10
FR1488701A (fr) 1967-07-13

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