DE1621761B2 - Verfahren zur Herstellung einer ein Korn dicken, aus in einen Füllstoff eingebetteten Körnern aus Halbleitermaterial bestehenden Schicht - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer ein Korn dicken, aus in einen Füllstoff eingebetteten Körnern aus Halbleitermaterial bestehenden SchichtInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer ein Korn dicken, aus in einen elektrisch
isolierenden Füllstoff eingebetteten Körnern aus Halbleitermaterial bestehenden Schicht einer Halbleiteranordnung,
bei dem auf einem Träger die Körner und der Füllstoff angebracht werden, wobei der Füllstoff in
einem flüssigen Zustand aufgebracht und anschließend
m erhärtet wird, und bei dem auf der vom Träger
abgewandten Seite der Kornschicht Oberflächenteile der Körner vom Füllstoff befreit werden.
Ein derartiges Verfahren ist aus der US-PS 30 38 952
bekannt.
Um die Oberflächenteile der Körner auf der vom Träger abgewandten Seite der Kornschicht von
Füllstoff zu bereien, wird bei dem bekannten Verfahren der erhärtete Füllstoff durch mechanische Bearbeitung
abgetragen.
Bei dem aus der US-PS 2904 613 bekannten Verfahren zur Herstellung einer Kornschicht wird der
Füllstoff durch einen Ätzprozeß soweit entfernt, um die
■ Oberflächenteile der Körner freizulegen.
Derartig hergestellte Kornschichten werden, .nachdem
Elektroden aufgebracht worden sind, z.B. als Strahlungsdetektoren verwendet, bei denen die Strahlung
eine photoempfindliche Kornschicht trifft, in welcher elektrische Spannungsunterschiede oder Impedanzänderungen
hervorgerufen werden, die mittels der auf der Kornschicht aufgebrachten Elektroden abgenommen
werden. Ferner ist damit die Umwandlung von Strahlungsenergie in elektrische Energie möglich, z. B.
bei sogenannten Sonnenbatterien. Bei all diesen Halbleiteranordnungen ist ein guter, direkter Kontakt
zwischen den Körnern und der an der Kornschicht angrenzenden Elektrode wesentlich, wobei bei der
Freilegung der Oberflächenteile der Körner die Kornschicht selbst nicht in Mitleidenschaft gezogen
werden darf.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zu schaffen, bei dem reproduzierbar sichergestellt
ist, daß wenigstens auf der vom Träger abgewandten Seite der Kornschicht Oberflächenteile
der Körner frei von Füllstoff sind.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Oberflächenteile der Körner dadurch frei von
Füllstoff werden, daß der Füllstoff in einer solchen Menge aufgebracht wird, daß er sich in flüssigem
Zustand vor dem Erhärten infolge seiner Oberflächenspannung und/oder infolge des Schwindens beim
Härten zwischen den Körnern zusammenzieht und nach dem Erhärten die Körner bis über ihre Mitte umfaßt.
Das erfindungsgemäße Verfahren macht sich somit bestimmte physikalische Eigenschaften der Füllstoffe
zunutze, wobei die dem Träger abgewandten .Oberflächenteile
der Körner von selbst frei von Füllstoff bleiben, so daß ein besonderer Verfahrensschritt zum
Freilegen der Oberflächenteile der Körner entfällt und somit die Kornschicht insbesondere mechanisch unbeansprucht
gelassen werden kann.
Aus der US-PS 30 38 952 ist es über den Oberbegriff des Anspruches 1 hinaus bekannt, eine Metallschicht auf
die vom Füllstoff befreiten Oberflächenteile der Halbleiterkörper aufzubringen.
Aus der US-PS 29 04 613 ist es bei einem Herstellungsverfahren einer Schicht einer Halbleiteranordnung
bekannt. Körner in einen Füllstoff einzubetten, bei denen der Kern und die Oberflächenschicht aus
Halbleitermaterial verschiedenen Leitungstyps bestehen.
Nach einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung wird der Füllstoff in Form einer Lösung oder eines
flüssigen Gemisches mit einem leicht verdampfbaren Lösungsmittel aufgebracht.
Nach einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung wird ein schmelzbarer Füllstoff, wie Paraffin und feste
Ester gesättigter Fettsäuren, verwendet, der durch Abkühlung erhärtet wird. Es sind auch thermoplastische
Stoffe z. B. auf der Basis von Polyvinylharzen und Polyamiden, wie Nylon, anwendbar. Es können weiter
thermoerhärtende und auch im kalten Zustand erhärtende Materialien, gegebenenfalls vermischt mit Inhibitoren
und/oder Katalysatoren verwendet werden. So wird nach einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung
ein durch Polymerisierung oder Polykondensation erhärtbarer Füllstoff verwendet.
Auch unter der Wirkung gasförmiger Reaktanten erhärtende Materialien können gewählt werden, z. B.
unter der Wirkung von Sauerstoff erhärtende, flüssige Harze.
In vielen der vorerwähnten Fälle ist der Übergang vom flüssigen Zustand in den erhärteten Zustand von
einer Volumenverringerung des Füllstoffes begleitet. Unter Brücksichtigung einer solchen Volumenänderung
soll die angewendete Menge des Füllstoffes im flüssigen Zustand derart gewählt werden, daß beim Zusammenziehen
des Füllstoffes zwischen den Körnern die Oberflächenteile der Körner frei werden, während nach,
dem Erhärten der Füllstoff die Körner bis über ihre Mitte umfaßt. Es können organische Füllstoffe apolarer
Art oder vorwiegend apolarer Art verwendet werden, die im allgemeinen schlecht an Oberflächen von
Körnern aus Halbleitermaterial haften. Im flüssigen Zustand suchen diese Stoffe beim Zusammenziehen
einen mehr oder weniger kugelförmigen Meniskus zwischen den Körnern zu bilden. Schmelzbare Stoffe
dieser Art sind z. B. Paraffin und feste Ester gesättigter Fettsäuren wie Fette und formfeste Wachsarten. Es ist
ersichtlich, daß dabei die Menge Füllstoff verhältnismäßig groß sein kann und es kann, wenn ein guter
Zusammenhalt der Kornschicht nur durch den Füllstoff gewünscht ist, der Flüssigkeitsmeniskus des Füllstoffes
zwischen den Körnern über den Scheitel der Körner herausragen.
Es ist jedoch auch möglich, einen Füllstoff zu verwenden, der noch eine solche Haftfähigkeit in bezug
auf die Kornoberfläche aufweist, daß er im flüssigen Zustand geneigt ist, über die Kornoberfläche hochzukriechen.
Im letzteren Fall wird die Menge des Füllstoffes derart gewählt, daß der Flüssigkeitspegel
zwischen den Körnern niedriger ist als die Kornhöhe. Der Pegel des Füllstoffes zwischen den Körnern kann
sogar nur bis zur Hälfte der Kornhöhe reichen oder sogar unterhalb dieser liegen, während der Füllstoff
dennoch die Körner bis über ihre Mitte umfaßt.
i() Um eine Kornschicht herzustellen, wird nach einer
Weiterbildung der Erfindung so verfahren, daß vor dem Aufbringen des Füllstoffes die Körner durch eine
Klebeschicht auf den Träger geheftet werden und daß nach dem Aufbringen und Erhärten des Füllstoffes
'■> zwischen den Körnern die erhaltene Kornschicht von
dem Träger und das Klebemittel von der Kornschicht entfernt werden. Man kann die Lösung des Füllstoffes
über die Trägeroberfläche mit den daran befestigten Körnern fließen lassen oder man kann auch den Träger
2" mit den Körnern in die Lösung tauchen. Die Menge der
dabei zurückbleibenden Flüssigkeit hängt von deren Viskosität ab, die im allgemeinen umso geringer ist, je
stärker die Lösung verdünnt ist. Da die Menge des zurückbleibenden Füllstoffes nach dem Verdampfen des
2r> Lösungsmittels von der Konzentration des Füllstoffes in
der Lösung abhängt, ist es ersichtlich, daß durch die richtige Wahl des Verdünnungsgrades des Füllstoffes in
der Lösung die Füllstoffmenge in der Kornschicht eingestellt werden kann.
*° Wenn der Füllstoff aus einem thermo-erhärtenden
Stoff besteht und die Füllstoffbestandteile im flüssigen Zustand sind, wird das Lösungsmittel vorzugsweise bei
einer Temperatur verdampft, bei der diese Bestandteile praktisch nicht miteinander reagieren oder Reaktionen
}5 nur so langsam vor sich gehen, daß nach Verdampfen
des Lösungsmittels der flüssige Zustand beibehalten wird, worauf der Füllstoff gegebenenfalls bei höherer
Temperatur erhärtet wird.
Es können auch in kaltem Zustand erhärtende Füllstoffe verwendet werden, sofern der flüssige
Zustand hinreichend lange beibehalten wird, um die Herstellung der Kornschicht und das Zurückziehen des
Füllstoffes zwischen die Körner zu ermöglichen. Eine etwaige Schrumpfung ist in all diesen Fällen geringer als
im Fall der Verdampfung eines Lösungsmittels.
Nach einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung werden Körner mit einer Dicke von maximal 200 μίτι,
vorzugsweise mit einer Dicke von 10 bis 50μηι,
verwendet. ..·■■·
Da das vorliegende Verfahren, eine Kornschicht liefert, bei der die Kornoberflächen auf der vom Träger
abgewandten Seite frei von Füllstoff sind, kann nach einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung auf dieser
Seite der Kornschicht eine Elektrode aufgebracht werden, die mit den Körnern in innigem Kontakt steht.
Nach einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung wird auf die Seite der Kornschicht, auf der die Elektrode
aufgebracht wird, eine zusätzliche Schicht eines Bindemittels, z. B. eines Kunststoffes, aufgebracht.
Gewünschtenfalls können die freien Kornoberflächen
noch nachbehandelt, z. B. selektiv geätzt werden, gegebenenenfalls vor dem Anbringen einer Elektrodenschicht.
Im Prinzip kann nach der Herstellung der erhärtenden Füllstoffschicht eine zweite ähnliche
Füllstoffschicht in einer solchen Menge aufgebracht werden, daß sich die Schicht in flüssigem Zustand
zwischen die Körner zurückziehen kann und Oberflächenteile der Körner freigelassen werden.
Nach einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung wird nach dem Aufbringen einer ersten Menge eines
Füllstoffes zwischen den Körnern auf den nicht vom Füllstoff abgedeckten Oberflächenteilen die Oberflächenschicht
entfernt, darauf wird eine derart große zweite Menge Füllstoff aufgebracht, daß sich der
Füllstoff zwar von der oberen Seite der Körner zurückzieht, aber die entstandenen Randteile der
Oberflächenschicht bedeckt. Naturgemäß muß dabei die Menge des zunächst aufgebrachten Füllstoffes nicht zu
groß gewählt werden; es ist dabei nicht erforderlich, daß der zunächst aufgebrachte Füllstoff die Anforderungen
in bezug auf Geschlossenheit und Festigkeit der endgültigen Schicht erfüllt.
Das letztere Verfahren läßt sich besonders vorteilhaft anwenden bei Körnern, deren Oberflächenschicht
gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung andere elektrische Eigenschaften hat als der Kern.
Nach einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung werden Körner verwendet, bei denen der Kern und die
Oberflächenschicht aus Halbleitermaterial verschiedenen Leitungstyps bestehen. Der Kern und die
umhüllende Oberflächenschicht können auch aus dem gleichen Halbleitermaterial, aber mit verschiedenen
Leitfähigkeiten, z. B. infolge verschiedenartiger Dotierung, bestehen. Besonders bedeutungsvoll ist z. B. die
Anwendung von Körnern aus Halbleitermaterial, deren umhüllende Schicht mit dem Kern einen gleichrichtenden
Übergang, z. B. einen PN-Übergang bildet. Nach der Bildung der ersten Füllstoffschicht können die freien
Oberflächenteile der Körner einer Ätzbehandlung unterworfen werden, wobei örtlich die Hülle entfernt
wird. Nach dem Aufbringen der zweiten Füllstoffschicht kann auf die freigemachten Oberflächenteile der
Körner eine Elektrodenschicht aufgebracht werden, die in diesem Falle keinen Kurzschluß mit der umhüllenden
Schicht hervorrufen kann.
Nach einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung werden Körner aus einem der Chalkogenide von
Cadmium, Zink oder Blei verwendet, insbesondere aus Cadmiumsulfid.
Werden auf der Kornschicht Elektroden aufgebracht, so hat sich Polyurethan als Füllstoff als besonders gut
geeignet erwiesen. Die Menge dieses Füllstoffes kann dabei so gewählt werden, daß der Pegel des Füllstoffes
30 bis 80% der Kornhöhe beansprucht, wobei die Körner dennoch bis über die Mitte in den Füllstoff
eingebettet sind, während Oberflächenteile der Körner frei von dem Füllstoff bleiben.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden anhand der Zeichnung beschrieben und in ihrer Wirkungsweise
erläutert. Es zeigt
F i g. 1 und 2 aufeinanderfolgende Stufen des Verfahrens zur Herstellung einer Kornschicht,
F i g. 3 bis 7 aufeinanderfolgende Stufen zur Herstellung einer Kornschicht mit darauf aufgebrachten
Elektroden und
Fig. 8 bis 11 aufeinanderfolgende Stufen zur
Herstellung einer Kornschicht mit Körnern, deren Oberflächenschicht andere elektrische Eigenschaften
als der Kern hat.
Es wird von einer Schicht von Körnern 3 ausgegangen, die mittels einer dünnen Klebeschicht 2 auf der
Oberfläche eines Trägers 1 angebracht sind (Fig. 1). Der Träger 1 kann aus elektrisch leitendem Material,
z. B. einer Metallfolie bestehen. Die Körner 3 können mittels einer löslichen Klebeschicht auf dem Träger 1
angebracht werden, um anschließend, wenn der Füllstoff angebracht ist, die Kornschicht vom Träger entfernen
zu können. Der Träger 1 mit den daran haftenden Körnern 3 wird darauf in geschmolzenes Paraffin als
Füllstoff 5 getaucht (F i g. 2). Das flüssige Paraffin haftet ■j schlecht an Halbleitermaterialien. Es zieht sich zusammen
in dem Raum zwischen den Körnern und fließt von Oberflächenteilen &der Körner 3 weg, die auf der vom
Träger 1 abgewandten Seite liegen. Die zwischen den Körnern zurückgezogene Schmelze nimmt die Form
ίο eines kugeligen Meniskus 7 an. Durch Abkühlung erstarrt das geschmolzene Paraffin, so daß auf dem
Träger 1 eine Kornschicht erzeugt wird, die aus Körnern 3 in einem aus Paraffin bestehenden erhärteten
Füllstoff 5 besteht. Da auf der vom Träger 1 .15 abgewandten Seite der erhaltenen Kornschicht die
Oberflächenteile 6 der Körner 3 frei von dem Füllstoff 5 sind, läßt sich auf dieser Seite eine Elektrode aufbringen,
die mit den Körnern einen guten Kontakt herstellt.
In dem nachfolgenden, anhand der Fig.3 bis 7 zu
beschreibenden Ausführungsbeispiel wird ein Füllstoff verwendet, der sich im flüssigen Zustand zwar zwischen
die Körner zurückziehen kann, aber noch derart an der Kornoberfläche haftet, daß der Füllstoff einen konkaven
Meniskus bildet und auf der vom Träger 11 abliegenden Seite Oberflächenteile der Körner 13 frei
läßt.
Als Träger 11 wird eine flache Glasplatte verwendet,
auf die mittels Klebeschicht 12 aus Gelatine photoleitende Körner 13 mit einem Durchmesser von 30 bis
jo 40 μΐπ aus Cadmiumsulfid aufgebracht sind (F i g. 3).
Zum Aufbringen des Füllstoffes wird eine Lösung von noch nicht erhärtetem Polyurethan verwendet. Weiter
wird Äthylacetat zugesetzt, wodurch die Viskosität verringert wird. Man läßt das erhaltene Gemisch über
die Oberfläche des Trägers 11 mit den anhaftenden Körnern 13 aus Cadmiumsulfid fließen, bis auf der
gesamten, mit Körnern bedeckten Oberfläche ein Flüssigkeitsfilm 14 gebildet ist. Nachdem der Träger 11
während 15 Minuten bei Zimmertemperatur der Luft ausgesetzt worden ist, ist das Äthylacetat größtenteils
verdampft, worauf die Anordnung während 5 Stunden auf 75° C erhitzt wird. Der Füllstoff im flüssigen Zustand
hat sich dabei zwischen die Körner 13 zurückgezogen, so daß auf der vom Träger abgewandten Seite der
Körner 13 Oberflächenteile 16 frei von dem Füllstoff 15 werden (F i g. 4).
Der auf diese Weise zwischen die Körner 13 zurückgezogene, flüssige Füllstoff 15 hat jedoch noch
eine solche Adhäsion zur Kornoberfläche, daß er einen hohlen Miniskus 17 bildet, wobei der Pegel zwischen
den Körnern 13 erheblich niedriger liegt als die Scheitel der Körner.
Während der Wärmebehandlung erhärtet der Polyurethan allmählich durch Polykondensation. Die Anordnung
wird daraufhin abgekühlt.
Auf die Körner 13 kann dann eine Elektrodenschicht, z. B. eine durchsichtige Elektrodenschicht aufgebracht
' werden.
Im Ausführungsbeispiel wird eine dickere und somit
Μ für Bestrahlung nicht oder nur wenig durchlässige, gut
leitende Schicht dadurch erhalten, daß gegebenenfalls nach einer geeigneten Vorbehandlung der freien
Oberflächenteile, z. B. durch eine Glimmentladung, zunächst auf die gesamte freie Oberfläche eine
es verhältnismäßig dicke Elektrodenschicht 18, z. B. aus
Indium, z. B. durch Aufdampfen aufgebracht wird (Fig. 5).
Da in diesem Falle, in dem der aus Polyurethan
bestehende Füllstoff 15 einen hohlen Meniskus bildet, die Körner 13 erheblich aus dem Füllstoff herausragen,.
können durch bekannte Schleifverfahren die vorstehenden Teile der Elektrodenschicht 18 auf den Körnern 13
weggeschliffen werden, während die tiefer liegenden Teile der Elektrodenschicht 18 erhalten bleiben (F ig. 6).
Die Elektrodenschicht 18 ist dann von Oberflächenteilen 19 der Körner 13 entfernt, ohne daß der Kontakt
zwischen der Schicht 18 und den Körnern 13 unterbrochen ist. Es kann dann auf die Oberfläche eine
dünne, für Strahlung durchlässige Elektrode aufgedampft werden oder gegebenenfalls können die freien
Oberflächenteile 19 der Körner in einen besser leitenden Zustand gebracht werden, z. B. mittels einer
Glimmentladung. Auf diese Weise wird auf der vom Träger 11 abgewandten Seite der Kornschicht eine
Elektrodenschicht erhalten, die eine Bestrahlung der photoleitenden Körner 13 ermöglicht und dennoch
einen geringen Querwiderstand aufweist. Um die Festigkeit der Kornschicht zu erhöhen, kann noch auf
die vom Träger abgewandte Seite der Kornschicht eine Schicht eines für Strahlung durchlässigen plastischen
Stoffes, z. B. Polyurethan, aufgebracht werden (nicht dargestellt). Diese Schicht kann z. B. eine Dicke von
50 μΐη haben.
Durch Ablösung der Klebeschicht 12, z. B. im Falle einer Gelatineschicht durch warmes Wasser, kann die
Kornschicht von dem Träger 11 entfernt werden, während gegebenenfalls durch weiteres Waschen das
verbleibende Material der Klebeschicht 12 entfernt werden kann. Die ursprünglich in die Klebeschicht 12
gesenkten Oberflächenteile 20 der Körner 13 sind frei von Füllstoff 15 geblieben, so daß diese Oberflächenteile
20 mit einer zweiten Elektrode 21 versehen werden können, z. B. durch Aufdampfen einer Indiumschicht
(F i g. 7). Die so erhaltene Halbleiteranordnung kann als photoleitende Zelle dienen.
Als Material der Elektrodenschicht 18 kann Kupfer statt Indium gewählt werden, während auf die freien
Oberflächenteile 19 der Körner 13 eine dünne, durchsichtige Kupferschicht aufgedampft wird; in
diesem Fall wird eine Photozelle erhalten, die sich als Sonnenbatterie verwenden läßt.
Anhand der F i g. 8 bis 11 wird ein Ausführungsbeispiel
des Verfahrens erläutert, wobei von Körnern ausgegangen wird, die aus einem Kern und einer
Oberflächenschicht mit Materialien unterschiedlicher elektrischer Eigenschaften bestehen. Die Materialien
des Kernes und der Oberflächenschicht können ganz verschieden sein; so kann die Oberflächenschicht aus
Metall oder einem anderen Halbleitermaterial als dem des Kerns bestehen. Kern und Oberflächenschicht
können jedoch aus dem gleichen Halbleitermaterial, aber verschiedenen Leitungstyps bestehen. Diese
Körner haften mittels einer Klebeschicht 42 an der Oberfläche eines Trägers 41 (Fig. 8). Die Körner
bestehen aus einem Kern 43 und einer Oberflächenschicht 44 aus Materialien verschiedener elektrischer
Eigenschaften. Auf die vorher beschriebene Weise wird
ίο der Träger 41 mit den Körnern 43,44 in eine Lösung des
Füllstoffes getaucht; es wird jedoch eine stärkere verdünnte Lösung benutzt. Daraufhin wird das Lösungsmittel
verdampft und durch Erwärmung wird der Füllstoff erhärtet. In dem dieser Erhärtung vorangehenden,
noch flüssigen Zustand zieht sich der Füllstoff 45 zwischen die Körner 43, 44 zurück, was in F i g. 9
dargestellt ist. Die Körner werden dann einer Ätzbehandlung unterworfen, wobei auf der vom Träger
abgewandten Seite das Material der Oberflächenschicht 44 entfernt wird, wodurch der Kern 43 freie
. Oberflächenteile 46 erhält (Fig. 10). Auf der dem Träger 41 zugewandten Seite verbleibt das Material der
Oberflächenschicht 44. Wenn dann auf der Seite der Oberflächenteile 46 ein Elektrodenmaterial z. B. durch
Aufdampfen aufgebracht werden würde, könnte dieses Elektrodenmaterial, z. B. in dem in F i g. 10 dargestellten
Fall, noch mit dem Rand der Oberflächenschicht 44 in Berührung kommen, wodurch der Kern 43 und die
Oberflächenschicht 44 kurzgeschlossen werden würden.
Um einen solchen Kurzschluß zu vermeiden, wird der Träger 41 mit den Körnern wieder in eine Lösung von
Füllstoff getaucht. Es kann der gleiche Füllstoff wie beim ersten Mal oder ein anderer Füllstoff gewählt
werden. Nach Verdampfung des Lösungsmittels, z. B.
durch Erwärmung, wird der neue Füllstoff erhärtet; in dem dem Erhärten vorangehenden, noch flüssigen
Zustand zieht sich der Füllstoff auch von der oberen Seite der Körner zurück, aber weniger weit als der
Füllstoff 45. Auf diese Weise werden auch die Randteile der Oberflächenschicht 44 mit dem neuen Füllstoff 47
bedeckt (Fig. 11). Da jedoch Oberflächenteile 46 des Kerns 43 frei von den Füllstoffen 45, 47 sind, kann auf
die vorstehend beschriebene Weise eine Elektrodenschicht aufgebracht werden, die einen guten Kontakt
mit dem Kernmaterial 43 hat, aber gegen die Oberflächenschicht 44 isoliert ist. Als Elektrode für die
Oberflächenschicht 44 kann eine leitende Klebeschicht 42 verwendet werden oder nach Lösung der Klebeschicht
42 kann eine Elektrode z. B. durch Aufdampfen aufgebracht werden.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen
030 266/6
Claims (15)
1. Verfahren zur Herstellung einer ein Korn dicken, aus in einem elektrisch isolierenden Füllstoff
eingebetteten Körnern aus Halbleitermaterial bestehenden Schicht einer Halbleiteranordnung, bei dem
auf einem Träger die Körner und der Füllstoff angebracht werden, wobei der Füllstoff in einem
flüssigen Zustand aufgebracht und anschließend erhärtet wird, und bei dem auf der vom Träger
abgewandten Seite der Kornschicht Oberflächenteile der Körner vom Füllstoff befreit werden,
dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächenteile (6,16,46) der Körner (3,13,43,44) dadurch
frei von Füllstoff werden, daß der Füllstoff (5,15,45)
in einer solchen Menge aufgebracht wird, daß er sich im flüssigen Zustand vor dem Erhärten infolge seiner
Oberflächenspannung und/oder infolge des Schwindens beim Härten zwischen den Körnern (3, 13,43,
44) zusammenzieht und nach dem Erhärten die Körner bis über ihre Mitte umfaßt
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Füllstoff (5) in Form einer Lösung
oder eines flüssigen Gemisches mit einem leicht verdampfbaren Lösungsmittel aufgebracht wird
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein durch Polymerisierung oder
Polykondensation erhärtbarer Füllstoff (15) verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein schmelzbarer Füllstoff (5)
verwendet wird, der durch Abkühlung erhärtet wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Aufbringen
des Füllstoffes (15) die Körner (13) durch eine Klebeschicht (12) auf den Träger (11) geheftet
werden und daß nach dem Aufbringen und Erhärten des Füllstoffes zwischen den Körnern die erhaltene
Kornschicht von dem Träger und das Klebemittel von der Kornschicht entfernt werden.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Körner aus einem der Chalkogenide
von Cadmium, Zink oder Blei verwendet werden.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß Körner aus Cadmiumsulfid verwendet
werden.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß auf mindestens eine
Seite der Kornschicht eine Elektrode (18) aufgebracht wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Seite der Kornschicht, auf der
die Elektrode aufgebracht wird, eine zusätzliche Schicht eines Bindemittels, z. B. eines Kunststoffes,
aufgebracht wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß Körner verwendet
werden, deren Oberflächenschicht (44) andere elektrische Eigenschaften als der Kern (43) hat.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß Körner verwendet werden, bei
denen der Kern (43) und die Oberflächenschicht (44) aus Halbleitermaterial verschiedenen Leitungstyps
bestehen.
12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, dadurch
gekennzeichnet, daß nach dem Aufbringen einer ersten Menge eines Füllstoffes (45) zwischen den
Körnern (43, 44) auf den nicht vom Füllstoff
abgedeckten Oberflächenteilen (46) die Oberflächenschicht (44) der Körner entfernt wird, daß
darauf eine derart große zweite Menge Füllstoff (47) aufgebracht wird, daß sich der Füllstoff zwar von der
oberen Seite der Körner zurückzieht, aber die entstandenen Randteile der Oberflächenschicht (44)
bedeckt
•
13. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis. 3 und 6 bis 12, dadurch
gekennzeichnet, daß als Füllstoff Polyurethan verwendet wird.
14. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet daß
Körner mit einer Dicke von maximal 200 μΐη verwendet werden.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet daß Körner mit einer Dicke von 10
bis 50 μπι verwendet werden.
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US3864715A (en) * | 1972-12-22 | 1975-02-04 | Du Pont | Diode array-forming electrical element |
US3954466A (en) * | 1975-01-02 | 1976-05-04 | Xerox Corporation | Electrostatographic photoreceptor |
US3980494A (en) * | 1975-01-02 | 1976-09-14 | Beatty Charles L | Method of reducing friction in blade cleaning of imaging surfaces |
US4015985A (en) * | 1975-04-09 | 1977-04-05 | Xerox Corporation | Composite xerographic photoreceptor with injecting contact layer |
US4074010A (en) * | 1975-05-12 | 1978-02-14 | Lyle V. Anderson | Ceramic-paint coatings |
JP2811613B2 (ja) * | 1991-09-02 | 1998-10-15 | ティーディーケイ株式会社 | 電子部品の製造方法及び装置 |
US5240493A (en) * | 1992-01-16 | 1993-08-31 | Institute Of Gas Technology | Process for preparing submicron/nanosize ceramic powders from precursors incorporated within a polymeric foam |
US5338334A (en) * | 1992-01-16 | 1994-08-16 | Institute Of Gas Technology | Process for preparing submicron/nanosize ceramic powders from precursors incorporated within a polymeric foam |
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JP4592333B2 (ja) * | 2004-05-31 | 2010-12-01 | 三洋電機株式会社 | 回路装置およびその製造方法 |
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US9209019B2 (en) | 2013-09-05 | 2015-12-08 | Diftek Lasers, Inc. | Method and system for manufacturing a semi-conducting backplane |
US10312310B2 (en) | 2016-01-19 | 2019-06-04 | Diftek Lasers, Inc. | OLED display and method of fabrication thereof |
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---|---|---|---|---|
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US3108021A (en) * | 1961-06-12 | 1963-10-22 | Int Rectifier Corp | Cadmium sulfide photo-cell |
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