DE2843133A1 - Integriertes schaltungsplaettchen und verbindungssubstrat fuer solche plaettchen sowie verfahren zu deren herstellung - Google Patents

Integriertes schaltungsplaettchen und verbindungssubstrat fuer solche plaettchen sowie verfahren zu deren herstellung

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DE2843133A1
DE2843133A1 DE19782843133 DE2843133A DE2843133A1 DE 2843133 A1 DE2843133 A1 DE 2843133A1 DE 19782843133 DE19782843133 DE 19782843133 DE 2843133 A DE2843133 A DE 2843133A DE 2843133 A1 DE2843133 A1 DE 2843133A1
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Bull SA
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Description

- 7 Patentanwälte ι <■>
Dipl.-Ing. Dipl.-Chem. Dipl.-Ing. ^°^ I 0 O
E. Prinz - Dr. G. Hauser - G. Leiser
Ernsbergerstrasse 19
8 München 60
2. Oktober 1978
COMPAGNIE INTERNATIONALE POUR L«INFORMATIQÜE CII - HONEYWELL BULL
94, Avenue Gambetta
75020 Paris / Frankreich
Unser Zeichen: C 5208
Integriertes Schaltungsplättchen und Verbindungssubstrat für solche Plättchen sowie Verfahren zu deren Herstellung
Die Erfindung betrifft ganz allgemein den mechanischen und/oder chemischen Schutz integrierter elektrischer Schaltungen sowie der mit solchen Schaltungen versehenen Yerbindungssubsträte.
Genauer ausgedrückt, betrifft sie ein durch ein isolierendes Harz gebildetes, eine integrierte elektrische Schaltung bildendes Plättchen sowie die mit einem solchen Plättchen oder mehreren solchen Plättchen ausgestatteten Verbindungssubstrate, wobei diese Substrate geschützt sind und das genannte Plättchen tragen.
Dr.Ha/Ma
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Die Erfindung betrifft auch Verfahren zur Herstellung der Substrate oder Plättchen.
Die derzeit angewandten modernen Methoden zur Herstellung elektronischer Vorrichtungen und insbesondere der Anordnungen zur Behandlung von Informationen machen mehr und mehr Gebrauch von nicht in Gehäuse eingeschlossenen Halbleiterschaltungen. Diese gehäuselosen Vorrichtungen werden meistens als integrierte Schaltungsplättchen ("Chips" im angelsächsischen Sprachbereich) bezeichnet.
Solche integrierte Schaltungen bildende Plättchen, die z.B. in Form rechteckiger oder quadratischer Plättchen mit Seitenlängen von einigen Millimetern und einer Dicke in der Größenordnung eines halben Millimeters vorliegen, besitzen eine mit einer isolierenden Trägerschicht versehene inaktive Fläche und eine mit Schaltungselementen, wie Widerständen, Kondensatoren, Transistoren, Dioden, versehene aktive Fläche, wobei diese Schaltungselemente an am Umfang dieser aktiven Fläche befindlichen Anschlußflächen angeschlossen sind.
Bekannt ist im übrigen die Verwendung von Verbindungssubstraten, die allgemein in Form eines in der Regel aus einem Isoliermaterial hergestellten Plättchens vorliegen, das mit Leitern in Form gedruckter Schaltungen auf dem Plättchen versehen ist. Diese Leiter verteilen sich für gewöhnlich auf mehrere durch Isolierschichten getrennte und untereinander durch Querverbindungen verbundene Schichten, wobei diese Querverbindungen in den Isolierschichten gebildete Öffnungen sind, welche mit einem Leitermaterial zur Herstellung der Verbindungen zwischen
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übereinanderliegenden Leiterschichten ausgefüllt sind. Die äußere Leiterschicht des mehrschichtigen Verbindungssubstrats ist mit Gruppen von Anschlußklemmen versehen, wobei jede Gruppe einen Bereich des Substrats abgrenzt, welcher für die Anbringung einer elektronischen Komponente, z.B. eines integrierten Schaltungsplättchens, reserviert ist. Beispiele für die Anbringung von integrierte Schaltungen bildenden Plättchen auf einem Verbindungssubstrat findet man in der DE-OS 27 04 266, sowie in der französischen Patentanmeldung 77-03271.
Diese Plättchen werden in der Regel auf die aktive Fläche des Substrats an vorherbestimmten Stellen aufgeklebt und jedes dieser Plättchen ist elektrisch mit einer auf der aktiven Fläche des Substrats befindlichen Verbindungsschaltung über Verbindungsleiter verbunden, welche die Anschlußflächen des Plättchens mit den Anschlußklemmen des entsprechenden Bereichs der Verbindungsschaltung verbinden.
Ein Gebilde dieser Art ist in den Figuren 1 und 2 der Zeichnung dargestellt, welche einen Längsschnitt bzw. eine Draufsicht auf ein Verbindungssubstrat 1 darstellen, welches integrierte Schaltungen 2a, 2b, 2d, usw. bildende Plättchen trägt. Die aktive Seite 1a dieses Substrats trägt Anschlußklemmen, z.B. 3t die über Verbindungsleiter mit Anschlußflächen 5 der aktiven Flächen, z.B. 2'a, der Plättchen, z.B. 2a, verbunden sind; die Bezugszeichen 1b bzw. 2"a, 2"b, 2"c, 2"d, usw. bezeichnen die inaktiven Flächen, die jeweils aus einer isolierenden Trägerschicht bzw. aus dem Verbindungssubstrat und den verschiedenen Plättchen bestehen.
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- ίο -
In Fig. 1 sind lediglich für das Plättchen 2d die üblichen Schutzmittel einer in dem Plättchen gebildeten integrierten Schaltung dargestellt, wobei diese Mittel aus einem das Plättchen 2d, seine Anschlußflächen 5> die Anschlußklemmen 3, die benachbarte Zone der aktiven Fläche des Substrats 1 und die Verbindungsleiter 4 umhüllenden Isolierharz 6 bestehen.
Diese Art des Schutzes besitzt die folgenden Nachteile:
a) das verwendete Isolierharz, das mit einer guten Beständigkeit gegenüber Wärmeschocks und gegenüber tiefen Temperaturen gewählt wird, besitzt keine gute mechanische Festigkeit, da man praktisch unmöglich über ein Harz mit gleichzeitig so vielen unterschiedlichen Eigenschaften verfügt; daraus ergibt sich ein schlechter mechanischer Schutz der Plättchen, was einen schlechten Schutz gegenüber angreifenden Stoffen, Staubteilchen usw. mit sich bringt;
b) der einfache Ersatz eines fehlerhaften Plättchens ist nach Aufbringung des Isolierharzes nicht mehr möglich, da das letztere auch die Anschlußflächen des VerbindungsSubstrats und mindestens die diesen Anschlußflächen benachbarten Bereiche der Verbindungsschaltung überdeckt;
c) eine Reparatur der von dem Isolierharz bedeckten Teile der Verbindungsschaltung ist nicht möglich, es sei denn man löst zuvor das Harz in einem geeigneten Mittel, z.B. einem organischen Lösungsmittel.
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Die vorliegende Erfindung ermöglicht die Beseitigung der vorstehend genannten Nachteile.
Das die erfindungsgemäße integrierte Schaltung bildende Plättchen besitzt eine aktive, mit Schaltungselementen versehene Fläche, wobei diese Schaltungselemente mit am Umfang dieser aktiven Fläche angeordneten Anschlußflachen verbunden sind, und das Plättchen kennzeichnet sich dadurch, daß seine aktive Fläche mit einer oberflächlichen Schicht aus einem Isolierharz bedeckt ist, das geschmeidig ist oder in Form eines erstarrten Gels vorliegt; diese Schicht befindet sich ausschließlich auf dieser aktiven Fläche.
Das erfindungsgemäße, wie vorstehend beschrieben ausgerüstete Verbindungssubstrat, bestehend aus (a) einem beliebig geformten, das Verbindungssubstrat darstellenden Plättchen, das auf einer aktiven Fläche eine Verbindungsschaltung für die verschiedenen Plättchen trägt, (b) den mit ihrer den aktiven Flächen gegenüberliegenden Flächen auf dem Verbindungssubstrat an vorherbestimmten Stellen aufgeklebten integrierten Schaltungsplättchen und (c) die vorstehend genannten Anschlußflächen der Plättchen mit zu der Verbindungsschaltung gehörenden Gruppen von Anschlußklemmen verbindenden Verbindungsleitern, wobei jede Gruppe von Anschlußklemmen ein bestimmtes Plättchen umgibt, kennzeichnet sich dadurch, daß die aktive Fläche jedes Plättchens mit einer oberflächlichen Schicht aus geschmeidigem oder einem erstarrten Gel bestehenden Isolierharz bedeckt ist.
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Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist das genannte Verbindungssubstrat mit einer vorzugsweise zusammenhängenden äußeren Schicht aus einem zweiten starren und mechanisch widerstandsfähigen Isolierharz bedeckt, wobei diese äußere Schicht mindestens die oberflächliche Schicht aus Isolierharz und die genannten Anschlußklemmen überdeckt und die diese Klemmen mit den genannten Anschlußflächen verbindenden Leiter umhüllt.
Gemäß der Erfindung werden die genannten Isolierharze vorzugswel se aus der Gruppe der Silikone ausgewählt.
Das zur Bedeckung der aktiven Fläche der integrierte Schaltungen bildenden Plättchen verwendete geschmeidige Isolierharz ist vorzugsweise das unter der Handelsbezeichnung "XR 90714" (Dow Corning) bekannte Harz, das
1*5 einen Volumenwiderstand in der Größenordnung von 2.10 J
16 Ohm.cm und einen Oberflächenwiderstand von etwa 7*10 Ohm besitzt (gemessen nach der ASTM-Methode D 257), wobei dieses Harz auch gut Wärmeschocks aushält und tiefe Temperaturen bis zu etwa -600C verträgt.
Anstatt ein Harz dieses Typs zu verwenden, kann das die genannten Plättchen bedeckende Silikonharz auch gemäß einer Ausführungsform der Erfindung in Form eines erstarrten Gels vorliegen. Unter dem Ausdruck "erstarrtes Gel" versteht man ein Produkt mit der Struktur eines Gels, welches jedoch, mindestens bei den Gebrauchstemperaturen, eine ausreichend feste Konsistenz besitzt, um einen Schutz der Plättchen zu gewährleisten, wobei ein solcher Stoff natürlich die übliche Konsistenz eines Gels bei höheren Temperaturen als die Gebrauchstemperatur, insbesondere bei Umgebungstemperatur, besitzen kann. Dieses erstarrte
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Gel kann gegebenenfalls mit einer feinen Metallkapsel bedeckt werden, die das Fließen oder die zufällige Beschädigung des Gels, wenn dieses sich evtl. auf diesen höheren Temperaturen befindet, verhindert. Als Beispiel für ein solches elektrischisolierendes Gel sei das unter der Handelsbezeichnung "Q3-6527" (Dow Corning) bekannte Gel genannt, welches bei niedrigen Temperaturen eine geeignete Konsistenz besitzt und das bis zu Temperaturen in der Größenordnung von -600C (Volumenwiderstand 1,42·10 ^ Ohm·cm) verwendbar ist.
Das starre und mechanisch beständige, die genannte Außenschicht bildende Isolierharz ist zweckmäßig das unter der Handelsbezeichnung "XR 648" (Dow Corning) bekannte und wird vorteilhafterweise zusammen mit einer Oberflächenschicht aus dem genannten Harz 1KR 90714" verwendet. Die Strukturanalogie dieser beiden Harze bedingt eine gute Verträglichkeit zwischen diesen Harzen und eine gute Haftung zwischen diesen beiden Schichten.
Dieses Harz "XR 648" besitzt einen Volumenwiderstand von 26.10 Ohm«cm, eine sehr gute mechanische Festigkeit und eine große Härte und es hält auch Temperaturen bis zu -30°C aus, was ihm ermöglicht, die Rolle eines wirksamen Schutzes der integrierte Schaltungen bildenden Plättchen zu spielen, indem es beträchtlich die Schutzrolle des Harzes "XR 90714" verstärkt. Bei alleiniger Verwendung zur direkten Bedeckung der aktiven Fläche eines Plättchens wäre dieses Harz "XR 648" zu starr, nicht beständig genug gegenüber Wärmeschocks und es könnte keine ausreichende Schutzrolle spielen.
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Aus vorstehendem ergibt sich, daß der eingangs unter a) genannte Nachteil durch die vorliegende Erfindung vollständig beseitigt wird.
Andererseits kann man leicht ein Plättchen auf einem Verbindungssubstrat durch ein anderes zu einem beliebigen Zweck ersetzen (Reparatur oder Änderung der elektrischen Schaltung), und zwar selbst nachdem dieses Plättchen durch die geschmeidige, vorstehend genannte isolierende oberflächliche Harzschicht teilweise geschützt ist, wenn nur die äußere Schicht aus isolierendem, starrem und mechanisch widerstandsfähigem Harz noch nicht auf die Oberflächenschicht aufgebracht wurde, und zwar sowohl vor Anbringung der Verbindungsleiter an die Anschlußklemmen des Verbindungssubstrats als auch nach einer solchen Anbringung; tatsächlich ist es leichter und geht es schneller, die Schweißstellen zu durchtrennen, das Plättchen zu verändern und die Verbindungsleiter erneut an den Anschlußklemmen an das Plättchen anzuschweißen, als ein die Leiter und die Anschlußstellen umhüllendes Harz aufzulösen, dann die Schweißstellen zu unterbrechen, die Plättchen zu ersetzen und erneut anzuschweißen und schließlich das neue Plättchen durch das Harz zu schützen.
Der vorstehend unter b) beschriebene Nachteil wird somit durch die vorliegende Erfindung ebenfalls aufgehoben.
Außerdem kann man gegebenenfalls jeden beliebigen Teil der zu dem Verbindungsstubstrat gehörigen Verbindungsschaltung reparieren oder ändern, selbst nachdem die integrierte Schaltvngen bildenden Plättchen mit der isolierenden geschmeidigen oberflächlichen Harzschicht versehen wurden und diese Plättchen auf dem Verbindungs-
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substrat angeordnet und/oder fixiert und/oder elektrisch mit diesem Substrat verbunden wurden, was den vorstehend unter c) genannten Nachteil beseitigt.
Die Erfindung besitzt noch einen zusätzlichen, nachstehend erläuterten Vorteil. Durch die richtige Wahl der beiden Harze und eines Mittels, was diese selektiv löslich macht oder entfernt, z.B. eines selektiv sich gegenüber diesen Harzen verhaltenden organischen Lösungsmittels, kann man die äußere Schicht entfernen, ohne in irgendeiner Weise die darunter befindliche, die aktive Fläche jedes Plättchens bedeckende Oberflächenschicht zu entfernen, d.h. sie in irgendeiner Weise zu verändern, so daß selektive Reparaturen der Verbindungsschaltung, der Anschlußklemmen oder der genannten Verbindungsleiter möglich sind.
Natürlich kann man auch gegebenenfalls die Oberflächenschicht eines gemäß der Erfindung isolierten und geschützten Plättchens entfernen oder die beiden Schutzschichten eines diese Plättchen tragenden Verbindungssubstrats entfernen, und zwar mittels eines die beiden Schichten löslich machenden Mittels, oder mit Hilfe von zwei nacheinander zur Einwirkung kommenden Mitteln, die selektiv und nacheinander auf jede dieser Schichten wirken, so daß man gegebenenfalls bestimmte integrierte Schaltungen reparieren oder deren elektrische Eigenschaften modifizieren kann.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird die Harzmenge der Oberflächenschicht jedes Plättchens so gewählt, daß die äußere Fläche dieser Schicht auf Höhe der Ränder der aktiven Fläche des Plättchens einen Winkel
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von etwa 25 bis 45° bildet, wobei diese Werte von den vorzugsweise angewendeten Verfahren zur Bildung der Oberflächenschicht abhängen, wie dies nachstehend näher erläutert wird.
Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Erzielung eines eine integrierte Schaltung bildenden Plättchens kennzeichnet sich dadurch, daß man die aktive Fläche des Plättchens mit einem Isolierharz im fließfähigen oder pastenförmigen Zustand bedeckt, dieses durch Polymerisation verfestigt (z.B. durch Erhitzen und/oder Trocknen), so daß man ein geschmeidiges oder gelförmiges isolierendes Harz erhält, worauf man dieses Gel zur Erzielung eines erstarrten Gels abkühlt.
Gemäß einer besonderen Ausführungsform dieses Verfahrens, welches das Ausgießen des freien Raums zwischen der aktiven Fläche des Plättchens und den Ausgangspunkten der Verbindungsleiter in Nähe der Anschlußflächen des Plättchens durch das Isolierharz der Oberflächenschicht erlaubt, wobei dieser Hohlraum beispielsweise nur etwa 10 Mikron hoch sein kann, bringt man zunächst eine erste Unterschicht aus dem genannten Isolierharz in einem ziemlich fließfähigen Zustand auf, damit das Harz in den genannten Raum hineinfließt und ihn ausfüllt, man verfestigt dieses Harz durch Polymerisation und bringt dann auf diese erste Unterschicht eine zweite Unterschicht aus dem gleichen Harz, jedoch in einem etwas viskoseren Zustand auf, der vorzugsweise durch Vorpolymerisation erzielt wurde, wobei diese zweite Unterschicht dicker ist als die erste Unterschicht, worauf man diese zweite Unterschicht durch Fortführung der Polymerisation verfestigt.
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Zur Erzielung eines geschützten Verbindungssubstrats, das ein eine geschützte integrierte Schaltung bildendes Plättchen trägt, kann man zweckmäßig wie folgt vorgehen: Man bringt auf die auf dem Substrat befindlichen verschiedenen Plättchen die Oberflächenschicht unter den vorstehend angegebenen Bedingungen auf, worauf man auf die aktive Fläche des Substrats die genannte äußere Schicht bildendes Harz so aufbringt, daß es seinen elektrisch isolierenden starren und mechanisch widerstandsfähigen Endzustand erreichen kann.
Das isolierende Harz der Oberflächenschicht und/oder das Harz der Außenschicht kann in vorpolymerisierter oder nicht-polymerisierter Form, gegebenenfalls in Abwesenheit jeglichen Lösungs- oder Dispergierungsmittels aufgebracht werden, wie dies im Fall des Silikonharzes "XR 90714" möglich ist.
Die Anmelderin hat die optimalen Bedingungen für eine Benetzbarkeit der aktiven Fläche eines Plättchens durch das Harz der genannten Oberflächenschicht bei dessen Aufbringung auf die aktive Fläche festgestellt; der Anschluß- oder Verbindungswinkel θ des auf diese aktive Fläche aufgebrachten Harzfilms oder -tropfens soll vorzugsweise etwa 22 bis 45° betragen; für einen Wert des Winkels θ unter 22° ist die Benetzbarkeit zu groß und der geringe Wert dieses Anschlußwinkels bedingt dann, daß die durchschnittliche Dicke der Oberflächenschicht zu gering ist, um einen wirksamen Schutz dieser aktiven Fläche zu gewährleisten; eine geeignete Dicke beträgt etwa 2 mm in der Mitte des die integrierte Schaltung bildenden Plättchens; andererseits läuft das Harz Gefahr, über den Umkreis dieser aktiven Fläche hinauszufließen;
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für einen Anschlußwinkel θ über etwa 45° ist die Haftung zwischen der oberflächlichen Harzschicht und der aktiven Fläche zu gering und diese Schicht kann sich daher spontan abheben oder zufällig abgerissen werden, was das Plättchen zerstört oder mindestens die Qualität oder Wirksamkeit seines Schutzes beeinträchtigt.
Weitere Merkmale, Zwecke oder Vorteile der Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung in Verbindung mit Fig. 3 bis 11 der Zeichnung ersichtlich, in welcher zeigen:
Fig. 3 einen Querschnitt durch ein erfindungsgemäß geschütztes, eine integrierte elektrische Schaltung bildendes Plättchen,
Fig. 4 eine Draufsicht auf das Plättchen von Fig. 1,
Fig. 5 eine Schnittansicht einer mit geschützte integrierte elektrische Schaltungen bildenden Plättchen versehenen Verbindungsschaltung, wobei sowohl diese Plättchen als auch das gesamte damit versehene Verbindungssubstrat in den Rahmen der Erfindung fallen,
Fig. 6 eine Schnittansicht durch das Verbindungssubstrat von Fig. 5 nach Erzielung eines zusätzlichen Schutzes der gesamten aktiven Fläche dieses Substrats, wobei diese Ausführungsform ebenfalls in den Rahmen der Erfindung fällt,
Fig. 7 eine Schnittansicht eines erfindungsgemäß geschützten, eine integrierte Schaltung bildenden Plättchens während seiner Herstellung,
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Fig. 8 eine Schnittansicht eines Abschnitts eines Verbindungssubstrats, eines erfindungsgemäß geschützten, eine integrierte elektrische Schaltung bildenden Plättchens und eines Positionierungsfilms dieses Plättchens, wobei die Fig. 8 erläutert, wie die Stufe der Erzielung des die geschützte integrierte Schaltung bildenden Plättchens in den Rahmen eines bekannten Verfahrens zur Anbringung eines solchen Plättchens auf einem Verbindungssubstrat eingebaut werden kann,
Fig. 9 eine Draufsicht auf die in Fig. 8 gezeigte Anordnung in einem in bezug auf Fig. 8 verzerrten Maßstab,
Fig.10 eine Schnittansicht eines eine erfindungsgemäß geschützte integrierte elektrische Schaltung bildenden Plättchens, welche den Anschluß- oder Verbindungswinkel θ zwischen dem Harz der Oberflächenschicht in fließfähigem Zustand und der aktiven Fläche des Plättchens zeigt,
Fig.11 eine graphische Darstellung des Cosinus des Anschlußwinkels θ als Funktion der Oberflächenspannung des Harzes im fließfähigen Zustand in dyn.cm , und
Fig.12 eine perspektivische Darstellung eines eine erfindungsgemäß geschützte integrierte elektrische Schaltung bildenden Plättchens sowie des Bruchteils des Verbindungssubstrats, welches das Plättchen trägt.
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Die Figuren 3 und 4 zeigen ein eine geschützte integrierte elektrische Schaltung bildendes Plättchen, bestehend aus einem Plättchenkörper 6, der auf seiner aktiven Fläche 6a Schaltungselemente (nicht dargestellt) trägt, welche mit den Anschlußflächen 7 verbunden sind, der aus einer isolierenden Trägerschicht 6b gebildeten inaktiven Fläche, den Verbindungsleitern 8, deren eines Ende an die Anschlußflächen 7 angeschweißt ist, und der elektrisch isolierenden und geschmeidigen oberflächlichen Harzschutzschicht 9; diese letztere kann gemäß einer Ausführungsform der Erfindung durch ein isolierendes Harz in Form eines erstarrten Gels der vorstehend beschriebenen Art ersetzt sein.
Man stellt fest, daß die isolierende Oberflächenschicht sich nicht über den Umriß 10 der aktiven Fläche 6a hinaus erstreckt.
Die Figuren 5 und 6 zeigen ein allgemein mit 11 bezeichnetes Verbindungssubstrat, das in an sich bekannter Weise eine isolierende Trägerschicht 11b umfaßt, welche die inaktive Fläche des Substrats bildet, und eine Vielzahl von Isolierschichten über dieser Schicht 11b mit leitenden Durchgängen, z.B. 12, sowie an den Zwischenflächen zwischen diesen Schichten und auf der obersten Schicht Leiter, die sämtlich mit 13 bezeichnet sind, und in der aktiven Fläche 11a des Substrats eine Verbindungsschaltung mit Anschlußklemmen 14 bilden. In an sich bekannter Weise sind integrierte Schaltungen bildende Plättchen auf der aktiven Fläche 11a dieses Verbindungssubstrats aufgeklebt und die Verbindungsleiter 8 dieser Plättchen sind an die Anschlußflächen 14 angeschweißt. Gemäß der Erfindung ist die aktive Fläche 6a der Plättchen mit einer isolierenden geschmeidigen
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oberflächlichen Harzschicht 9 bedeckt, wie dies vorstehend schon in bezug auf Fig. 3 und 4 gezeigt wurde.
Bei der Ausführungsform von Fig. 5 sind die Verbindungsleiter 8, die Anschlußklemmen 14 und die von der aktiven Fläche 11a des Verbindungssubstrats 11 getragene Verbindung sschaltung nicht von einem Isolierharz bedeckt, was den eventuellen Ersatz der integrierte Schaltungen bildenden Plättchen durch andere gleichartige Plättchen, welche integrierte Schaltungen mit einer anderen elektrischen Struktur bilden können, gestattet, ohne daß eine Auflösung von Harz erfolgen muß, wie dies bei den bekannten, harzgeschützten integrierten elektrischen Schaltungen der Fall ist.
Bei der Ausführungsform von Fig. 6 sind die elektrisch isolierenden geschmeidigen Harzoberflächenschichten 9 ebenso wie die ganze freie aktive Fläche des Verbindungssubstrats 11 mit einer äußeren Schicht 15 aus einem elektrisch isolierenden starren und mechanisch sehr beständigen Harz bedeckt, das außerdem eine hohe Härte aufweist, was einen erhöhten Schutz der gesamten Schaltung gegenüber mechanischen Mitteln und chemischen Angriffen, einschließlich der üblichen Angriffe durch Feuchtigkeit, der Einwirkung von Luft, agressiven Dämpfen, Staub usw. gestattet.
Das Harz der Oberflächenschicht 9 ist insbesondere das unter der Handelsbezeichnung "XR 90714" bekannte Silikonharz, während dasjenige der Außenschicht 15 insbesondere das unter der Handelsbezeichnung "XR 648" bekannte Silikonharz oder das Harz "XR 90714" oder das Silikongel »93-6527" ist.
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Fig. 7 zeigt, wie ein eine geschützte integrierte elektrische Schaltung gemäß der Erfindung bildendes Plättchen erhalten werden kann. Dieses Plättchen, an dessen Anschlußflächen 7 auf der aktiven Fläche 6a man Abschnitte von Leitern 8 angeschweißt hat (deren den Anschlußflächen 7 entgegengesetzte Enden hier provisorisch frei bleiben), wird auf einem geeigneten Träger 16 angebracht, worauf man die Oberflächenharzschicht 9 aufbringt, und zwar entweder auf einmal oder in zwei Stufen, wie dies nachstehdnd im Fall der Verwendung des Silikonharzes "XR 90714" angegeben ist.
Man verändert zunächst die Fließeigenschaften des im Handel erhältlichen Harzes XR 90714, indem man seine Viskosität durch partielle Polymerisation oder Vorpolymerisation unter Einwirkung von Wärme erhöht; dies erfolgt während 2 Minuten bei 125°C, was ein Produkt mit einer Viskosität von 6000 Centipoisen bei 20°C ergibt (Dauer des Temperaturanstiegs auf 1250C: 3 Minuten; Dauer des Absinkens der Temperatur auf 200C: 2 Minuten); unter diesen Bedingungen breitet sich das Harz auf der aktiven Fläche des Plättchens bei 20°C gleichmäßig aus und der Anschlußoder Verbindungswinkel θ beträgt zwischen 25 und 45°, was der Oberflächenschicht eine ausreichende mittlere Dicke verleiht.
Die nachstehende Tabelle zeigt den Einfluß der Dauer der Erhitzung auf 125°C auf die Qualität der Harzabscheidung auf der aktiven Fläche des die integrierte Schaltung bildenden Plättchens.
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Verweilzeit auf 125°C 0 Min. 2 Min. 3 Min. 5 Min.
Viskosität
bei 200C		 4.000 cps
fließend		 6.000 cps
Sirup		 9.000 cps
Paste		 25.000 cps
Fett
Torrn der
Harzab-
scheidung
lach voll
ständiger
Polymeri
sation		 zu starke
Ausbrei
tung
θ < 25°		 richtige
Abschei
dung
25°<θ<45°		 richtige
Abschei
dung
25°<θ<45°		 unregel
mäßige Ab
scheidung
Zur eigentlichen Aufbringung des Harzes XR 90714 geht man dann wie folgt vor:
- man breitet zunächst mit einem feinen Pinsel eine nichtvorpolymerisierte Harzschicht auf der aktiven Fläche des Plättchens aus; dieses nicht-vorpolymerisierte Harz ist fließfähig genug, um sich vollständig auf der gesamten aktiven Fläche und insbesondere an der Stelle geringer Dicke unterhalb der Ausgangspunkte der Verbindungsleiter, in Nähe der Anschlußflächen des Plättchens auszubreiten; dann polymerisiert man 1 Stunde bei 1250C (dem Harz waren zuvor 10 % eines geeigneten Katalysators zugegeben worden);
- dann verwendet man das auf die vorstehend beschriebene Art 2 Minuten bei 1250C vorpolymerisierte Harz XR 90714, das ebenfalls die angegebene Menge Katalysator enthält; die Aufbringung dieser zweiten Unterschicht aus Harz XR 90714 erfolgt mittels eines feinen Pinsels; infolge der größeren Viskosität des Harzes erhält man auf jeden Fall eine ausreichend dicke Oberflächenschicht 9, die mit dem fließfähigen, nicht-vorpolymerisierten Harz allein nicht
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hätte erhalten werden können (der Anschluß- oder Verbindungswinkel θ wäre dann zu gering gewesen); diese zweite Unterschicht polymerisierte man durch zweistündiges Erwärmen auf 125°C.
Bei der Ausführungsform von Fig. 8 und 9 wurde die Oberflächenschicht 9 der integrierte Schaltungen bildenden Plättchen 6 aufgebracht, nachdem in an sich bekannter Weise diese Plättchen mit einem Trägerfilm 17 fest verbunden worden waren, welcher die Vorpositionierung der Plättchen in bezug auf das Verbindungssubstrat 11 gestattet.
Dieser Trägerfilm 17 besitzt Fenster, z.B. 17a, in welche die Plättchen eingesetzt sind; zu diesem Zweck besitzt der Film 17 Leiterbänder, z.B. 18, die durch Metallisierung der Oberfläche des Films 17 erhalten wurden, wobei diese Bänder sich bei 18a über die Fenster 17a hinaus erstrecken; diese Verlängerungen 18a sollen die Verbindungsleiter 8 bilden, welche die Anschlußflächen 7 der Plättchen mit den Anschlußklemmen 14 der aktiven Fläche 11a des VerbindungsSubstrats 11 verbinden.
In an sich bekannter Weise wurden die Plättchen 6 in den Fenstern 17a zentriert, die wiederum selbst über den Stellen der aktiven Fläche des Verbindungssubstrats 11 zentriert sind, welche die Plättchen aufnehmen sollen.
Alsdann wird gemäß der Erfindung die Oberflächenschicht 9 aus Isolierharz aufgebracht und polymerisiert (in der in durchgehenden Linien in Fig. 8 dargestellten Stellung).
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In an sich bekannter Weise schneidet man dann entlang dem Umriß 19 die Leiterbänder 18 und, nachdem die inaktive Fläche 6b der Plättchen 6 mit einem Klebstoff versehen wurde, bringt man diese Plättchen an den entsprechenden Stellen der aktiven Fläche 11a des VerbindungsSubstrats so an, daß die Plättchen auf diesem Substrat festsitzen; dann wird der Klebstoff getrocknet und die Verlängerungen 18a, welche die Verbindungsleiter 8 geworden sind, werden an den auf der aktiven Fläche des Verbindungssubstrats befindlichen Anschlußklemmen 14 angeschweißt.
Nach Beendigung dieses Vorgangs und nach Durchführung aller erwünschten Kontrollen wird die Außenschicht 15 aus starrem und mechanisch festem Harz aufgebracht, die in Fig. 8 nicht dargestellt, jedoch aus Fig. 6 ersichtlich ist.
Fig. 10 zeigt das die integrierte Schaltung bildende Plättchen 6 mit der isolierenden geschmeidigen Harzoberflächenschicht 9, deren Anschlußwinkel mit der aktiven Fläche 6a des Plättchens 6 mit θ bezeichnet ist. Die Kurve von Fig. 11 gibt den Cosinus des Winkels θ als Funktion der Oberflächenspannung im nicht-polymerisierten Zustand des Harzes wieder (der Winkel 0 wird während der Polymerisation des Harzes auf der aktiven Fläche des Plättchens nicht wesentlich verändert). Aus den vorstehend angegebenen Gründen beträgt der Anschlußwinkel vorzugsweise zwischen 25 und 45°, was einem cos 0 zwischen etwa 0,9 und 0,7 und infolgedessen einer Oberflächenspannung zwischen 30 und 36 dyn/cm entspricht. Diese Oberflächenspannung gegenüber der aktiven Fläche des Plättchens muß somit das verwendete Harz im Augenblick seiner Aufbringung besitzen.
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Es sei bemerkt, daß zur Erzielung einer Oberflächenschicht mit den bestmöglichen Eigenschaften zweckmäßig das Harz entgast wird, was beispielsweise dadurch erreicht wird, daß man es 20 Minuten unter einem Druck von 2 mmHg hält und zur Aufbringung des Harzes eine automatische Vorrichtung betätigt, so daß genaue und reproduzierbare Bedingungen bei der Aufbringung herrschen; beispielsweise kann man eine Vorrichtung zur Abgabe von Flüssigkeitströpfchen verwenden, wie sie von der Firma Laurier Associates Inc., Modell M101, hergestellt wird, wobei die Tropfen vorzugsweise aus einem Abstand von etwa 2 mm oberhalb der aktiven Fläche der Plättchen abgegeben werden.
Fig. 12 zeigt das Verbindungssubstrat 11, die Anschlußklemmen 14, die Verbindungsleiter 8 und das die integrierte Schaltung 6 mit der Oberflächenschicht 9 aus geschmeidigem isolierenden Harz bildende Plättchen; man bemerkt, daß der hier dargestellte Anschlußwinkel θ einen Wert von etwa 40 bis 45° besitzt.
Die Viskosität des Harzes "XR 648" im Augenblick seiner Aufbringung soll vorzugsweise zwischen 80 und 140 Centipoisen betragen; das Harz wird dann mit einer etwa gleichen Xylolmenge (49 bis 52 % Feststoffe in dem verflüssigten Harz) gemischt; eine Dicke von 1,5 mm der Außenschicht über der Oberflächenschicht reicht aus. Die Polymerisation dieses Harzes erfolgt durch zweistündiges Erwärmen auf 1500C.
Anstatt das Harz "XR 90714" zur Bildung der Oberflächenschicht zu verwenden, kann man auf folgende Weise ein Silikongel bilden: Man mischt im Moment der Herstellung dieser Schicht das Silikonharz A und den Härter B des unter
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der Handelsbezeichnung Q3-6527 (Dow Corning) bekannten Produkts; man erhält ein Gemisch mit einer Dichte von 0,97, dessen Viskosität 510 Centistokes beträgt; der Trockenextrakt beträgt 98,2 %; nach Aufbringung des so erhaltenen Gemischs polymerisiert man das Harz zur Erzielung eines Gels unter den folgenden Bedingungen: vierstündiges Erwärmen auf 650C, dann einstündiges Erwärmen auf 1000C, dann 15 Minuten auf 1500C.
Die Ausbesserung eines mit der Oberflächenschicht 15 aus einem der vorstehend genannten Isolierharze versehenen Substrats kann durch Auflösung dieser Schicht in verschiedenen organischen Lösungsmitteln erfolgen: Eines dieser Lösungsmittel, das am einfachsten zu verwenden ist, ist unter der Handelsbezeichnung »WEHA-SOLVE SI" (S.C.P.C.) bekannt und erlaubt die Entfernung dieser Oberflächenschicht durch Auflösung beim Eintauchen des Plättchens oder Eintauchen eines Teils der Verbindungsschaltung während beispielsweise 6 Minuten in diesem 110°C warmen Lösungsmittel; die metallischen Teile und die Schichten aus Isoliermaterial werden nicht angegriffen (keinerlei Korrosion), während die Haftung des Plättchens auf dem Substrat nicht verändert wird, wenn man nach der Lösung dieses Lösungsmittel gut abspült und ein geeignetes Klebmittel oder einen geeigneten Klebstoff zur Fixierung des Plättchens auf dem Substrat verwendet hatte.
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Claims (17)

  1. Patentanwälte
    Dipl.-Ing. Dipl.-Chem. Dipl.-ing.
    E. Prinz - Dr. G. Hauser - G. Leiser
    Ernsbergerstrasse 19
    8 München 60
  2. 2. Oktober 1978
    COMPAGNIE INTERNATIONALE POUR L·INFORMATIQUE CII - HONEYWELL BULL
    94, Avenue Gambetta
    75020 Paris / Frankreich
    Unser Zeichen; C 3208
    Patentansprüche
    Integriertes Schaltungsplättchen mit einer aktiven Fläche mit Schaltungselementen, welche mit am Umfang dieser aktiven Fläche befindlichen Anschlußflächen verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß die aktive Fläche vollständig von einer Oberflächenschicht aus isolierendem, geschmeidigem oder in Form eines verfestigten Gels vorliegendem Harz bedeckt ist, wobei sich diese Schicht ausschließlich auf der aktiven Fläche befindet.
    2. Plättchen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächenschicht aus dem geschmeidigen isolierenden Harz mit der aktiven Fläche des Plättchens einen Winkel von etwa 25 bis 45° bildet.
  3. 3. Plättchen nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das geschmeidige isolierende Harz ein Silikonharz ist, insbesondere das unter der Handelsbezeichnung "XR 90714" (Dow Corning) bekannte.
    Dr.Ha/Ma 909816/0766
  4. 4. Plättchen nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das isolierende, ein erstarrtes Gel bildende Harz ein unter der Handelsbezeichnung "Q3-6527" (Dow Corning) bekanntes Silikongel ist.
  5. 5. Verbindungssubstrat für integrierte elektrische Schaltungen bildende Plättchen, bestehend aus einer das Verbindungssubstrat darstellenden Platte mit einer aktiven Fläche, die eine Verbindungsschaltung trägt, wobei die Platte mit mindestens einem eine integrierte elektrische Schaltung bildenden Plättchen mit einer aktiven Fläche ausgestattet ist, welche mit am Umfang der aktiven Fläche befindlichen Anschlußklemmen verbundenen Schaltungselementen versehen ist, und wobei das Plättchen mit seiner der aktiven Fläche gegenüberliegenden Fläche auf dem Verbindungssubstrat an vorherbestimmten Stellen desselben aufgeklebt ist und Verbindungsleiter die genannten Anschlußflächen mit Gruppen von Anschlußklemmen, welche zu der Verbindungsschaltung gehören, verbinden, wobei jede Gruppe von Anschlußklemmen ein bestimmtes Plättchen umgibt, dadurch gekennzeichnet, daß die aktive Fläche des Plättchens vollständig von einer Oberflächenschicht aus isolierendem geschmeidigem oder in Form eines erstarrten Gels vorliegendem Harz bedeckt ist, wobei diese Oberflächenschicht sich ausschließlich auf dieser aktiven Fläche befindet.
  6. 6. Substrat nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
    daß es mit einer vorzugsweise zusammenhängenden Außenschicht aus einem zweiten isolierenden, starren und mechanisch widerstandsfähigen Harz bedeckt ist, wobei diese Außenschicht mindestens die Oberflächenschicht
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    aus isolierendem Harz und die Anschlußklemmen bedeckt und die diese Anschlußklemmen mit den Anschlußflächen verbindenden Leiter umhüllt.
  7. 7. Verbindungssubstrat nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das isolierende Harz der Oberflächenschicht und das isolierende Harz der Außenschicht in bestimmten Mitteln, z.B. organischen Lösungsmitteln, verschiedene Löslichkeitseigenschaften besitzen, so daß die Außenschicht selektiv ohne Entfernung der Oberflächenschicht jedes Plättchens derart entfernt werden kann, daß selektive Reparaturen der Verbindungsschaltung, der Anschlußklemmen oder der Verbindungsleiter möglich sind.
  8. 8. Substrat nach einem der Ansprüche 5» 6 oder 7» dadurch gekennzeichnet, daß das geschmeidige isolierende Harz ein Silikonharz, insbesondere das unter der Handelsbezeichnung "XR 90714" (Dow Corning) bekannte ist.
  9. 9. Substrat nach einem der Ansprüche 5» 6 oder 7» dadurch gekennzeichnet, daß das als erstarrtes Gel vorliegende isolierende Harz ein unter der Handelsbezeichnung "Q3-6527" (Dow Corning) bekanntes Silikongel ist.
  10. 10. Substrat nach einem der Ansprüche 5, 6, 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß das starre und mechanisch widerstandsfähige isolierende Harz ein Silikonharz, insbesondere das unter der Handelsbezeichnung "XR 648" (Dow Corning) bekannte ist.
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  11. 11. Substrat nach einem der Ansprüche 5 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Ränder der Oberflächenschicht aus isolierendem geschmeidigem Harz mit der aktiven Fläche jedes Plättchens einen Anschlußwinkel von etwa 25 bis 45° bilden.
  12. 12. Verfahren zur Herstellung eines eine integrierte elektrische Schaltung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4 bildenden Plättchens, dadurch gekennzeichnet, daß man die aktive Fläche des Plättchens mit einem isolierenden, fließfähigen oder pastenförmigen Harz bedeckt und dieses durch Polymerisation so verfestigt, daß man ein geschmeidiges isolierendes Harz oder ein Gel erhält, worauf man dieses Gel zur Erzielung eines erstarrten Gels abkühlt.
  13. 13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß man zunächst eine Unterschicht aus dem isolierenden Harz in einem so fließfähigen Zustand aufbringt, daß das Harz sich vollständig über die aktive Fläche des Plättchens ausbreitet und in den Zwischenraum zwischen der aktiven Fläche und den Ausgangsstellen der Verbindungsleiter in Nähe der Anschlußflächen hineinfließt, daß man das Harz dann durch Polymerisation verfestigt und anschließend auf diese erste Unterschicht eine zweite Unterschicht aus dem gleichen Harz, jedoch in einem vorzugsweise durch Vorpolymerisation erzielten viskoseren Zustand aufbringt, wobei diese zweite Unterschicht eine größere Dicke aufweist als die erste, worauf man diese zweite Schicht durch Vervollständigung der Polymerisation verfestigt.
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  14. 14. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das isolierende Harz in vorpolymerisierter Form oder in nicht-polymerisierter Form in Abwesenheit von Lösungsmittel oder Dispergierungsmittel aufgebracht wird.
  15. 15. Verfahren zur Herstellung eines Verbindungssubstrats nach einem der Ansprüche 5 bis 11, dadurch gekennzeichnet, d-n man die aktive Fläche jedes Plättchens mit einem fließfähigen oder pastenförmigen isolierenden Harz bedeckt und dieses durch Polymerisation unter Erzielung eines isolierenden, geschmeidigen oder gelförmigen Harzes verfestigt und anschließend dieses Gel unter Erstarrung abkühlt.
  16. 16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß man zunächst auf j<^des Plättchen eine erste Unterschicht aus dem isolierenden Harz in einem so fließfähigen Zustand aufbringt, daß das Harz die aktive Fläche des Plättchens völlig bedeckt und in den Zwischenraum zwischen der aktiven Fläche und den Ausgangsstellen der Verbindungsleiter in Nähe der Anschlußflächen hineinfließt, daß man dieses Harz dann durch Polymerisation verfestigt und anschließend auf die erste Unterschicht eine zweite Unterschicht aus dem gleichen Harz, jedoch in einem vorzugsweise durch Vorpolymerisation erzielten viskoseren Zustand aufbringt, wobei diese zweite Unterschicht dicker ist als die erste Unterschicht, worauf man die zweite Unterschicht durch Vervollständigung der Polymerisation verfestigt.
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  17. 17. Verfahren zur Herstellung eines Verbindungssubstrats nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, daß man nach Aufbringung der Oberflächenschicht ein isolierendes, starres und mechanisch widerstandsfähiges Harz auf die aktive Fläche des VerbindungsSubstrats und auf die Harzoberfläche jedes Plättchens aufbringt und dann dieses Harz unter Bildung der äußeren Harzschicht verfestigt.
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DE19782843133 1977-10-03 1978-10-03 Integriertes schaltungsplaettchen und verbindungssubstrat fuer solche plaettchen sowie verfahren zu deren herstellung Withdrawn DE2843133A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR7729686A FR2404992A1 (fr) 1977-10-03 1977-10-03 Circuits electriques integres proteges, substrats d'interconnexion proteges comportant de tels circuits et procede d'obtention desdits circuits et substrats

Publications (1)

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DE2843133A1 true DE2843133A1 (de) 1979-04-19

Family

ID=9196038

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19782843133 Withdrawn DE2843133A1 (de) 1977-10-03 1978-10-03 Integriertes schaltungsplaettchen und verbindungssubstrat fuer solche plaettchen sowie verfahren zu deren herstellung

Country Status (8)

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JP (1) JPS5460566A (de)
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FR (1) FR2404992A1 (de)
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IT (1) IT1098983B (de)
NL (1) NL7809979A (de)
SE (1) SE7810315L (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3029123A1 (de) * 1979-08-01 1981-02-19 Hitachi Ltd Kunststoffgekapselte halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
DE3300693A1 (de) * 1982-02-05 1983-09-22 Hitachi, Ltd., Tokyo Halbleiteranordnung und verfahren zu ihrer herstellung
US4419999A (en) * 1981-04-17 1983-12-13 May Jr James W Method and apparatus for monitoring vascular flow
EP0166456A2 (de) * 1984-06-29 1986-01-02 Dow Corning Corporation Verfahren zur Verhinderung der Blasenbildung in Polyorganosiloxan-Gelen

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2922005A1 (de) * 1979-05-30 1980-12-04 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit passiviertem halbleiterkoerper
JPS56114363A (en) * 1980-02-15 1981-09-08 Toshiba Corp Semiconductor device sealed with resin
JPS59193596A (ja) * 1983-04-18 1984-11-02 Kyodo Printing Co Ltd Ｉｃカ−ド用ｉｃモジユ−ル
FI72409C (fi) * 1984-03-09 1987-05-11 Lohja Ab Oy Foerfarande foer inkapsling av pao en baerremsa anordnade halvledarkomponenter.
DE3442131A1 (de) * 1984-11-17 1986-05-22 Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, 8012 Ottobrunn Verfahren zum einkapseln von mikroelektronischen halbleiter- und schichtschaltungen
US6501616B1 (en) 1999-07-29 2002-12-31 Encap Motor Corporation Hard disc drive with base incorporating a spindle motor stator
US6300695B1 (en) 1999-07-29 2001-10-09 Encap Motor Corporation High speed spindle motor with hydrodynamic bearings
US6437464B1 (en) 1999-07-29 2002-08-20 Encap Motor Corporation Motor and disc assembly for computer hard drive
US6617721B1 (en) 1999-07-29 2003-09-09 Encap Motor Corporation High speed spindle motor
US6753628B1 (en) 1999-07-29 2004-06-22 Encap Motor Corporation High speed spindle motor for disc drive
US6362554B1 (en) 1999-07-29 2002-03-26 Encap Motor Corporation Stator assembly
WO2001045233A1 (en) 1999-12-17 2001-06-21 Encap Motor Corporation Spindle motor with encapsulated stator and method of making same
US6892439B1 (en) 2001-02-01 2005-05-17 Encap Motor Corporation Motor with stator made from linear core preform
US7036207B2 (en) 2001-03-02 2006-05-02 Encap Motor Corporation Stator assembly made from a plurality of toroidal core segments and motor using same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3029123A1 (de) * 1979-08-01 1981-02-19 Hitachi Ltd Kunststoffgekapselte halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
US4419999A (en) * 1981-04-17 1983-12-13 May Jr James W Method and apparatus for monitoring vascular flow
DE3300693A1 (de) * 1982-02-05 1983-09-22 Hitachi, Ltd., Tokyo Halbleiteranordnung und verfahren zu ihrer herstellung
EP0166456A2 (de) * 1984-06-29 1986-01-02 Dow Corning Corporation Verfahren zur Verhinderung der Blasenbildung in Polyorganosiloxan-Gelen
EP0166456A3 (en) * 1984-06-29 1987-11-11 Dow Corning Corporation Method for prevention of bubble formation in polyorganosmethod for prevention of bubble formation in polyorganosiloxane gels iloxane gels

Also Published As

Publication number Publication date
IT1098983B (it) 1985-09-18
FR2404992A1 (fr) 1979-04-27
FR2404992B1 (de) 1981-05-08
GB2009504A (en) 1979-06-13
SE7810315L (sv) 1979-04-04
IT7828365A0 (it) 1978-10-03
BE870878A (fr) 1979-01-15
JPS5460566A (en) 1979-05-16
NL7809979A (nl) 1979-04-05
GB2009504B (en) 1982-05-12

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