DE3029123A1 - Kunststoffgekapselte halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung - Google Patents

Kunststoffgekapselte halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung

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DE3029123A1
DE3029123A1 DE19803029123 DE3029123A DE3029123A1 DE 3029123 A1 DE3029123 A1 DE 3029123A1 DE 19803029123 DE19803029123 DE 19803029123 DE 3029123 A DE3029123 A DE 3029123A DE 3029123 A1 DE3029123 A1 DE 3029123A1
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semiconductor device
electrodes
molded parts
plastic
semiconductor element
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Yoshiaki Wakashima
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Hitachi Ltd
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Description

BESCHREIBUNG
Die Erfindung bezieht sich auf eine kunststoffgekapselte Halbleitervorrichtung und ferner auf ein Verfahren für den dichten Einschluß derselben.
Bei der Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung (im folgenden IC genannt) wird im allgemeinen eine Anzahl von IC-Einheiten einstückig hergestellt, der integrierte Gegenstand dann in einer Form für jede IC-Einheit in Kunstharz eingeformt und dieser nach Ausstanzen unnötiger Abschnitte, wie etwa von Leitungen, in die einzelnen IC-Einheiten getrennt.
Für die Kunstharzeinformung ist ein Spritzpreßverfahren unter Verwendung eines wärmehärtenden Harzes, etwa eines Epoxyharzes oder Silikonharzes, weit verbreitet. Gemäß diesem Verfahren wird eine Formvorrichtung benötigt,die an ihrer Form mit einem Angußkanal zum Einfüllen einer Kunstharzformmasse und einem Damm zur Verhinderung eines Auslaufens des Harzes aus der Form versehen ist. Da ferner eher längere Zeiten (60 bis 180 Sekunden) für das Aushärten des Harzes nötig sind, ist die Produktivität gering. Außerdem treten wegen des Aushärtens des Harzes im Angußkanal Materialverluste auf. Angesichts solcher Nachteile dieser Kunstharzeinformung wurde ein anderes Verfahren vorgeschlagen, das in der japanischen Patentanmeldung 22 909/1975 (Offenlegungsnummer 98 969/1976) beschrieben, ist. Nach diesem Verfahren wird eine Einheit eines IC durch ein oberes und ein unteres Formteil, die vorher hergestellt worden sind, geklemmt, wonach die Formteile am Klemmabschnitt miteinander verbunden werden. Dieses Verfahren ist zwar für eine Massenfertigung gut geeignet und vermindert die benötigten Harzmengen erheblich, hat jedoch immer noch den Nachteil, daß die Gefahr besteht, daß der IC-Hauptkörper aufgrund mechanischer oder thermischer Einflüsse, die beim Verbinden der Formteile auftreten, bricht und das Halbleiterelement eine Eigen-
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Schaftsverschlechterung erfährt, weil sich in -Hohlräumen innerhalb der Formteile nach dem Verbinden und Zusammenschließen derselben Feuchtigkeit hält.
Ziel der Erfindung ist daher, eine aufgrund von in Hohlräumen innerhalb der Formteile vorhandener Feuchtigkeit auftretende Eigenschaftsverschlechterung des Halbleiterelements zu verhindern.
Ferner ist es Ziel der Erfindung, eine aufgrund einer Erwärmung beim Versiegeln der Formteile auftretende Eigen-Schaftsverschlechterung des Halbleiterelements zu verhindern.
Ferner ist es Ziel der Erfindung, eine aufgrund mechanischer Schwingungen beim Versiegeln der Formteile auftretende Eigenschaftsverschlechterung des Halbleiterelements zu verhindern.
Schließlich ist es Ziel der Erfindung, ein Herstellungsverfahren für eine in Kunstharz eingeformte Halbleitervorrichtung zu schaffen, das eine verbesserte Produktivität liefert.
Ausführungsformen der Erfindung werden im folgenden in Verbindung mit der beigefügten Zeichnung beschrieben. Auf dieser ist bzw. sind
Fign. 1(a), schematische Darstellungen, welche die Zusammen- - ;, ; ' _ α bauvorgänge gemäß einer Ausführungsform des
£ l-DJ , j U. fi
Herstellungsverfahrens für eine kunstharzeingeschlossene Halbleitervorrichtung gemäß der
Erfindung zeigen, wobei Fig. 1(a) eine Draufsicht, Fig. 1(b) ein Schnitt längs Linie A-A1 der Fig. 1(a), Fig. 2(a) eine Schnittansicht, die einen Herstellungsschritt zeigt, Fig. 2 (b) eine vergrößerte Teilschnittansicht entsprechend
der Ansicht der Fig. 2 (a) , Fig. 3 eine Schnittansicht, die einen Herstellungsschritt zeigt, und Fig. eine Schnittansicht, die einen weiteren Herstellungsschritt zeigt, ist,
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Fig. 5 eine perspektivische Ansicht, die die Form des
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Kunststofformteils wiedergibt, und
Fign. 6, Schnittansichten, die jeweils eine Ausführungsform der kunstharzeingeschlossenen Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung wiedergeben.
Die Fign. 1 bis 4 zeigen die Zusammenbauschritte in Herstellungsverfahren des kunststoffgekapselten IC gemäß der Erfindung.
Wie in den Fign. 1(a) und 1(b) gezeigt, wird mit einem Leitungslappen 12 einer jeden Rahmeneinheit eines aus Metall bestehenden Leitungsarms 1 ein aus Silizium bestehender IC-Chip (Halbleiterelement) 2 gebondet, wobei die Elektroden des Chip und Leitungen 13 durch Drähte 3 gebondet werden.
5 Eine in gestrichelter Linie L1 gezeichnete Umrandung gibt die Lage an, an der die später zu beschreibenden Kunstharzformteile liegen. Fig. 1(b) ist dabei eine Schnittansicht längs Linie A-A1 der Fig. 1(a).
Als nächstes wird, siehe Fig. 2, ein viskoses weiches Material durch Gießen innerhalb eines solchen Bereiches aufgebracht, daß er wenigstens eine freiliegende Al-Elektrode des Halbleiterelements und den mit der Elektrode in Berührung kommenden Abschnitt des Metalldrahts umfaßt. Mit anderen Worten werden, wie in Fig. 2(b) gezeigt, der freiliegende Al-Elektrodenabschnitt (Bondfleck) A^ und ein Teil des Metalldrahtes 3 mit einem Schutzfilm 5 abgedeckt, der aus einem weichen Isolationsmaterial besteht. In Fig. 2(b) stellt J1 einen pn-übergang dar, 10 einen SiO2 -FiIm und 11 einen Isolationsfiliti, etwa aus Phosphoglas, oder einen Harzfilm des Polyimidtyps, etwa aus Polyimid-Isoindrochinazolindion. Geeignete Beispiele für den Schutzfilm 5 aus weichem Material sind Silikongel, Silikonfett, Silikongummi und dergleichen. Danach wird eine Behandlung bei einer Temperatur zwischen 100 und 2000C durchgeführt, so daß das Weichmaterial seine Weichheit bzw. Elastizität nicht verliert, sondern vielmehr
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den Zustand des anfänglichen Vergießens beibehält.
Als nächstes werden vorab aus einem Thermoplastharz (beispielsweise Polyphenylensulfid) bestehende Formteile 6/ 7 in Gehäuseform, wie sie in Fig. 5 gezeigt sind, hergestellt und dann so angeordnet, daß sie eine Einheit des erwähnten IC-Chip und Leitungsrahmens, wie in Fig. 3 gezeigt, von oben und unten klemmen und haltern. Der Halteabschnitt der Kunststofformteile wird dann auf die Formungstemperatur der Formteile, beispielsweise auf zwischen ungefähr 350° und ungefähr 4500C, erwärmt, wodurch die Formteile in der in Fig. 4 gezeigten Weise verbunden und dicht zusammengeschlossen werden. DasErwärmen dieses Halteabschnitts wird durchgeführt, indem man ihn zunächstauf ungefähr 2000C vorerwärmt und dann kurzzeitig lokal durch elektrische Ultraschallschwingung, Hochfrequenzerwärmung, Infraroterwärmung oder einen Heißstrahl erwärmt. Danach wird der nicht gezeigte Rahmenabschnitt von den aus den Formteilen 6, 7 herausragenden Leitungen abgetrennt, womit die IC-Vorrichtung einer Einheit gewonnen ist.
Mit obiger Ausführungsform werden die angestrebten Vorteile der Erfindung aus den folgenden Gründen erreicht.
(1) Wenn zwischen Kunststofformteilen und Element ein Zwischenraum vorhanden ist, dringt von innen oder außen in die Kunststofformteile gelangte Feuchtigkeit unter BiI-dung von Wassertröpfchen in den Zwischenraum ein, und diese Wassertröpfchen bewirken eine Eigenschaftsverschlechterung des Elements etwa durch eine Korrosion des Aluminiums. Da jedoch gemäß der Erfindung die Oberfläche der Al-Elektrode des Elements innig durch das Weichmaterial abgedeckt ist, können sich die Wassertröpfchen bzw. Wasserfilme nicht auf der Oberfläche der Elektroden des Halbleiterelements aufhalten. Dadurch läßt sich also eine Verschlechterung der Eigenschaften verhindern.
(2) Der aus dem Weichmaterial, bestehende Schutzfilm hat eine Elastizität wie etwa Silikongummi. Dementsprechend
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läßt sich durch diese Elastizität des abdeckenden Weichma-.terials eine gegenseitige Berührung der Metalldrähte als Folge der Schwindungen beim Verbinden von oberem und unterem Formteil verhindern. Beim Erwärmen beim Verbinden der Formteile läßt sich durch dieses abdeckende Weichmaterial eine Eigenschaftsverschlechterung des Elements als Folge der Temperaturänderung verhindern. Aus diesen Gründen kann man so vorgehen, daß nicht nur ein Teil, sondern der gesamte Metalldrahtabschnitt mit diesem Weichmaterial abgedeckt ist. Dabei ist es in keiner Weise schwierig, den gesamten Metalldrahtabschnitt mit diesem Weichmaterial zu überdecken.
(3) Das Formteilgehäuse aus diesem Thermoplastharz ermöglicht eine Verminderung der Gestehungskosten sowie des Unterbringungsraumes auf 1/2 verglichen mit einem herkömmlichen Spritzpreßteil. Dies erleichtert auch eine Automation der Zusammenbauvorgänge, wodurch die Produktivität drastisch verbesert wird.
(4) Gemäß der Erfindung liefert eine geeignete Auswahl des Kunststoffes für das Weichmaterial und für die Formteile eine Gegenmaßnahme gegen ein fehlerhaftes Arbeiten eines IC-Speichers oder dergleichen, das sonst als Folge von Alpha-Strahlen auftritt, die das kritische Problem bei herkömmlichen Keramikgehäusen darstellen.
Die Erfindung umfaßt natürlich nicht nur obige Aus-5 führung s f ormen.
Fig. 6 beispielsweise zeigt eine kunststoffeingeschlossene Halbleitervorrichtung, bei welcher nach vorherigem Biegen des Pastillenanbringabschnitts (Lappenabschnitt 12) des Leitungsrahmens 1 die Oberfläche des IC-Chip 2 mit dem Schutzfilm 5 aus Weichmaterial abgedeckt wird und das obere Formteil auf das untere Formteil so aufgesetzt und mit diesem verbunden wird, daß der Leitungsrahmen unter einem In-Berührung-Bringen der Unterseite des Lappenabschnitts 12 mit dem Boden des unteren Formteils geklemmt und gehaltert wird.
Mit diesem Aufbau ist es möglich, den Hohlraum des unteren
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Kunststofformteils gut auszunützen und eine dünne kunststoffeingeschlossene Halbleitervorrichtung zu schaffen. Was die Lagebeziehung zwischen der Leiterfläche, mit der der Metalldraht verbunden werden muß, und der Elektrodenflache des Halbleiterelements anbelangt, so ist die Elektrodenfläche in der gleichen Ebene wie die oder unter der Leiterfläche angeordnet. Dadurch wird verhindert, daß der Draht mit den Ecken des Elements in Berührung kommt,und ein Brechen des Drahtes vermieden.
Fig. 7 zeigt eine weitere Ausführungsform, bei welcher beim Abdecken der Oberfläche des Halbleiterelements mit dem Schutzfilm aus dem Weichmaterial ein Isolierband 4 oder eine ein Klebemittel aufweisende Folie auf der Unterseite des Leitungsrahmens verwendet wird. Dieses Band 4 verhindert ein Auslaufen des Schutzfilms und beschränkt seine Ausbreitung auf die Querrichtung. Damit läßt sich der Schutzfilm sehr wirksam verwenden und seine Wirkung steigern.
Fig. 8 zeigt eine wiederum weitere Ausführungsform, bei welcher die Spitze der Leitung 13, mit der der Draht verbunden ist, und die Oberfläche des Halbleiterelements durch den Schutzfilm 5 abgedeckt sind. Wenn die Formteile durch Schwingungserwärmung, etwa durch Ultraschallschwingung miteinander verbunden werden, verhindert diese Ausführungsform, daß der mit der Leitung verbundene Draht durch diese Schwingung abgetrennt wird'. Als Material für den Schutzfilm 5 kann ein Harz des Polyimidtyps (beispielsweise Polyimid-Isoindrochinazolindion) verwendet werden. Da ein Polyimidharz einen höheren Wärmewiderstand als ein Silikonharz hat, ist es in ausreichendem Maße möglich, thermische Einflüsse auf das Halbleiterelement, bewirkt durch die Erwärmung beim Zusammenschließen der Formteile 6, 7 zu verhindern. Ferner hat ein Polyimidharz die Wirkung,ein durch Alpha-Strahlen bewirktes fehlerhaftes Arbeiten des Elements zu verhindern. Die Formteile 6,7 können aus einem wärmehärtenden Harz bestehen. In diesem Fall ist es ratsam, einen Kleber, wie
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ein Epoxyharz ihn bildet, für den Verbindungsabschnitt zu verwenden
Als Leitungsrahmen für den Anschluß des Halbleiterelements kann auch ein Leitungsrahmen, der keinen Damm hat, ver-5 wendet werden.
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Claims (11)

  1. PATENTANWÄLTE j UZ J I Z O
    SCHIFF ν. FÜNER STREHL SCHÜBEL-HOPF EBBINGHAUS FlNCK
    MARIAHILFPLATZ 2 & 3, MÖNCHEN 90 POSTADRESSE: POSTFACH 95 O1 6O, D-8000 MÖNCHEN 95
    HITACHI, LTD. 31. Juli 1980
    DEA-25 222
    Kunststoffgekapselte Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
    PATENTANSPRÜCHE
    1/. Kunststoff gekapselte Halbleitervorrichtung, gekennzeichnet durch Formteile (6, 7) für den Einschluß, die aus einem Kunstharz bestehen und eine Höhlung ausbilden; ein in der Höhlung innerhalb der Formteile angeordnetes HaIbleiterelement (2), welches Elektroden aufweist; elektrische Leitungen (13) die in der Höhlung liegen und sich mit einem Ende aus den Formteilen heraus erstrecken; die Elektroden des Halbleiterelements mit den Leitungen verbindende Drähte (3); einen aus einem isolierenden Material bestehenden Schutzfilm (5) , welcher die Elektroden, an die die Leitungen angeschlossen
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    sind/ und ebenso die Drähte im Bereich der.Elektroden abdeckt. '
  2. 2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch g e kenn zeichnet, daß der Schutzfilm (5) aus einem Weichmaterial besteht.
  3. 3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß das Weichmaterial aus einem Silikonharz besteht.
  4. 4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß das Silikonharz Silikongel, Silikonfett oder Silikonkautschuk ist.
  5. 5. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Schutzfilm (5) aus einem Polyimidharz besteht.
  6. 6. Kunststoffgekapselte Halbleitervorrichtung, gekennzeichnet durch Formteile (6, 7) für den Einschluß, die aus einem Kunstharz bestehen und eine Höhlung ausbilden; ein in der Höhlung innerhalb der Formteile angeordnetes Halbleiterelement (2), welches Elektroden aufweist; eleüctrische Leitungen (13), die in der Höhlung liegen und sich mit ihrem einen Ende aus den Formteilen herauserstrecken; die Elektroden des Halbleiterelements mit den Leitungen verbindende Drähte (3); und
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    einen auseinem isolierenden Material bestehenden Schutzfilm (5) , welcher die Elektroden des Halbleiterelements, an die die Leitungen angeschlossen sind, die Drähte im Bereich der Elektroden und die Teile der Leitungen, an denen.die Drähte angeschlossen sind, abdeckt.
  7. 7. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet , daß die Formteile (6, 7) aus einem Thermoplastharz bestehen.
  8. 8. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet , daß die Formteile (6, 7) aus einem wärmehärtenden Harz bestehen.
  9. 9. Verfahren zur Herstellung einer kunststoffgekapselten Halbleitervorrichtung, gekennzeichnet duch das Aufsetzen eines Halbleiterelements auf einen Leitungsrahmen; das Verbinden des Halbleiterelements mit Leitungen mittels Metalldrähten; das Abdecken wenigstens von Elektroden des Halbleiterelements und von Teilen der Metalldrähte mit einem isolierenden Material; das Zwischenlegen des Leitungsrahmens zwischen sich in eine obere und eine untere Einheit unterteilende Kunststofformteile derart, daß das Halbleiterelement und die Metalldrähte abgedeckt werden, und das dichte Verbinden der Kunststofformteile miteinander.
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  10. 10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch g e k e η η zeic h η e t , daß das dichte Verbinden der Kunststoffformteile miteinander durch Erwärmen derselben durchgeführt wird.
  11. 11. Verfahren nach Anspruch 10/ dadurch gekennzeichnet , daß das Erwärmen durch elektrische Ultraschallschwingung, Infrarot erwärmung oder Heißstrahleinwirkung durchgeführt wird.
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SG (1) SG64184G (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3212442A1 (de) * 1981-04-06 1982-11-04 International Rectifier Corp., Los Angeles, Calif. Gehaeuseanordnung mit paarweise miteinander ausgerichteten leitungsanschluessen, insbesondere zur kapselung von halbleiterbauteilen
DE3217345A1 (de) * 1981-05-18 1982-12-02 Naamloze Vennootschap Philips' Gloeilampenfabrieken, 5621 Eindhoven Verfahren zum zusammenbauen einer halbleiteranordnung und des schutzgehaeuses derselben
DE3428881A1 (de) * 1983-08-10 1985-02-28 Rca Corp., New York, N.Y. Verfahren zum herstellen einer integrierten schaltungsvorrichtung
DE3520085A1 (de) * 1985-06-05 1986-12-11 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Verfahren zum herstellen eines hermetisch verschlossenen bauelementengehaeuses, insbesondere fuer schwingquarze
DE19806722A1 (de) * 1998-02-18 1999-08-19 Itt Mfg Enterprises Inc Sensor

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5724554A (en) * 1980-07-22 1982-02-09 Nec Corp Semiconductor device
JPS5864052A (ja) * 1981-10-14 1983-04-16 Fujitsu Ltd 半導体装置およびその製造方法
EP0348018B1 (de) * 1982-03-10 1999-05-19 Hitachi, Ltd. Verfahren zum Herstellen einer harzumhüllte Halbleiteranordnung
JPS58154241A (ja) * 1982-03-10 1983-09-13 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製法
JPS59172253A (ja) * 1983-03-18 1984-09-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH07120733B2 (ja) * 1985-09-27 1995-12-20 日本電装株式会社 車両用半導体素子パッケージ構造とその製造方法
US4829362A (en) * 1986-04-28 1989-05-09 Motorola, Inc. Lead frame with die bond flag for ceramic packages
US5171716A (en) * 1986-12-19 1992-12-15 North American Philips Corp. Method of manufacturing semiconductor device with reduced packaging stress
JP2585006B2 (ja) * 1987-07-22 1997-02-26 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPH0225057A (ja) * 1988-07-13 1990-01-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
EP0382203B1 (de) * 1989-02-10 1995-04-26 Fujitsu Limited Keramische Packung vom Halbleiteranordnungstyp und Verfahren zum Zusammensetzen derselben
JPH02234085A (ja) * 1989-03-08 1990-09-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US5331205A (en) * 1992-02-21 1994-07-19 Motorola, Inc. Molded plastic package with wire protection
KR960000706B1 (ko) * 1993-07-12 1996-01-11 한국전기통신공사 전력소자용 플라스틱 패키지 구조 및 그 제조방법
US5548091A (en) * 1993-10-26 1996-08-20 Tessera, Inc. Semiconductor chip connection components with adhesives and methods for bonding to the chip
JPH0961271A (ja) * 1995-08-29 1997-03-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体式センサ及びその製造方法
DE19624478A1 (de) * 1996-02-08 1998-01-02 Bayerische Motoren Werke Ag Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Steuergeräts
US5956601A (en) * 1996-04-25 1999-09-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of mounting a plurality of semiconductor devices in corresponding supporters
JP2003229517A (ja) * 2002-01-31 2003-08-15 Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd 半導体チップ実装基板及びフラットディスプレイ
US6847122B1 (en) 2003-10-16 2005-01-25 Kulicke & Soffa Investments, Inc. System and method for preventing and alleviating short circuiting in a semiconductor device
US6955949B2 (en) * 2003-10-16 2005-10-18 Kulicke & Soffa Investments, Inc. System and method for reducing or eliminating semiconductor device wire sweep
US7179688B2 (en) * 2003-10-16 2007-02-20 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Method for reducing or eliminating semiconductor device wire sweep in a multi-tier bonding device and a device produced by the method
US20060071305A1 (en) * 2004-09-24 2006-04-06 Kai-Kuang Ho Electrical package structure including chip with polymer thereon
DE102004057375A1 (de) * 2004-11-26 2006-06-08 Voith Turbo Gmbh & Co. Kg Kombinierte Entlastungs- und Schwallschutzvorrichtung für unter Druck setzbare Betriebsmittelbehälter in Betriebsmittelversorgungssystemen hydrodynamischer Maschinen
JP5249150B2 (ja) * 2009-07-23 2013-07-31 株式会社東海理化電機製作所 磁気センサの製造方法及び磁気センサ
EP2420960A1 (de) * 2010-08-17 2012-02-22 Gemalto SA Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung, die ein nicht demontierbares Modul umfasst, und so erhaltene Vorrichtung
KR102099814B1 (ko) * 2013-01-25 2020-04-13 루미리즈 홀딩 비.브이. 조명 조립체 및 조명 조립체를 제조하기 위한 방법
US20140208689A1 (en) 2013-01-25 2014-07-31 Renee Joyal Hypodermic syringe assist apparatus and method
ITUB20155681A1 (it) * 2015-11-18 2017-05-18 St Microelectronics Srl Dispositivo elettronico resistente a radiazioni e metodo per proteggere un dispositivo elettronico da radiazioni ionizzanti
US10256169B2 (en) * 2016-03-24 2019-04-09 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2557948A1 (de) * 1974-12-23 1976-09-16 Hitachi Ltd Halbleitervorrichtung sowie ihr herstellungsverfahren
DE2514011A1 (de) * 1975-03-29 1976-10-07 Licentia Gmbh Gehaeuse fuer eine halbleiteranordnung
DE2618026A1 (de) * 1975-04-28 1976-11-04 Ncr Co Halbleitervorrichtung
DE2607083A1 (de) * 1976-02-21 1977-09-01 Standard Elektrik Lorenz Ag Kunststoffgehaeuse mit elektrischem bauelement
DE2734439A1 (de) * 1976-07-30 1978-02-02 Amp Inc Integrierte schaltungsbaugruppe und herstellungsverfahren dafuer
DE2843133A1 (de) * 1977-10-03 1979-04-19 Cii Honeywell Bull Integriertes schaltungsplaettchen und verbindungssubstrat fuer solche plaettchen sowie verfahren zu deren herstellung

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3469684A (en) * 1967-01-26 1969-09-30 Advalloy Inc Lead frame package for semiconductor devices and method for making same
US3610870A (en) * 1968-03-13 1971-10-05 Hitachi Ltd Method for sealing a semiconductor element
JPS525586Y1 (de) * 1969-03-28 1977-02-04
IE34521B1 (en) * 1969-10-02 1975-05-28 Gen Electric Semiconductor devices
US3793474A (en) * 1971-12-09 1974-02-19 Motorola Inc Lead configurations for plastic encapsulated semiconductor devices
US3778685A (en) * 1972-03-27 1973-12-11 Nasa Integrated circuit package with lead structure and method of preparing the same
JPS4924919U (de) * 1972-06-05 1974-03-02
GB1329810A (en) * 1972-06-19 1973-09-12 Williams T J Semiconductor device packaging
US3947953A (en) * 1974-08-23 1976-04-06 Nitto Electric Industrial Co., Ltd. Method of making plastic sealed cavity molded type semi-conductor devices
JPS5198969A (en) * 1975-02-26 1976-08-31 Shusekikairono moorudohoho
JPS5234670A (en) * 1975-08-18 1977-03-16 Matsushita Electronics Corp Semiconductor device
US4305897A (en) * 1978-12-28 1981-12-15 Hitachi Chemical Company, Ltd. Packaging process for semiconductors

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2557948A1 (de) * 1974-12-23 1976-09-16 Hitachi Ltd Halbleitervorrichtung sowie ihr herstellungsverfahren
DE2514011A1 (de) * 1975-03-29 1976-10-07 Licentia Gmbh Gehaeuse fuer eine halbleiteranordnung
DE2618026A1 (de) * 1975-04-28 1976-11-04 Ncr Co Halbleitervorrichtung
DE2607083A1 (de) * 1976-02-21 1977-09-01 Standard Elektrik Lorenz Ag Kunststoffgehaeuse mit elektrischem bauelement
DE2734439A1 (de) * 1976-07-30 1978-02-02 Amp Inc Integrierte schaltungsbaugruppe und herstellungsverfahren dafuer
DE2843133A1 (de) * 1977-10-03 1979-04-19 Cii Honeywell Bull Integriertes schaltungsplaettchen und verbindungssubstrat fuer solche plaettchen sowie verfahren zu deren herstellung

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3212442A1 (de) * 1981-04-06 1982-11-04 International Rectifier Corp., Los Angeles, Calif. Gehaeuseanordnung mit paarweise miteinander ausgerichteten leitungsanschluessen, insbesondere zur kapselung von halbleiterbauteilen
DE3217345A1 (de) * 1981-05-18 1982-12-02 Naamloze Vennootschap Philips' Gloeilampenfabrieken, 5621 Eindhoven Verfahren zum zusammenbauen einer halbleiteranordnung und des schutzgehaeuses derselben
DE3428881A1 (de) * 1983-08-10 1985-02-28 Rca Corp., New York, N.Y. Verfahren zum herstellen einer integrierten schaltungsvorrichtung
DE3520085A1 (de) * 1985-06-05 1986-12-11 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Verfahren zum herstellen eines hermetisch verschlossenen bauelementengehaeuses, insbesondere fuer schwingquarze
DE19806722A1 (de) * 1998-02-18 1999-08-19 Itt Mfg Enterprises Inc Sensor

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5623759A (en) 1981-03-06
SG64184G (en) 1985-03-15
HK37485A (en) 1985-05-24
GB2055508B (en) 1983-08-24
MY8500834A (en) 1985-12-31
GB2055508A (en) 1981-03-04
US4523371A (en) 1985-06-18

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