DE1521414C3 - Verfahren zum Aufbringen von nebeneinander liegenden, durch einen engen Zwischenraum voneinander getrennten Metallschichten auf eine Unterlage - Google Patents

Verfahren zum Aufbringen von nebeneinander liegenden, durch einen engen Zwischenraum voneinander getrennten Metallschichten auf eine Unterlage

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DE1521414C3
DE1521414C3 DE1521414A DE1521414A DE1521414C3 DE 1521414 C3 DE1521414 C3 DE 1521414C3 DE 1521414 A DE1521414 A DE 1521414A DE 1521414 A DE1521414 A DE 1521414A DE 1521414 C3 DE1521414 C3 DE 1521414C3
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Description

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möglichst die ganze Oberfläche der Emitterzone des von komplizierter Form sind. Nach dem Verfahren Halbleiters bedeckt. Besteht in den obenerwähnten gemäß der Erfindung lassen sich zu diesem Zweck Fällen einerseits das Bestreben nach einem möglichst Photomasken mit einem Spalt von für die Bedrahschmalen Zwischenraum zwischen den Metallschich- tung gewünschter Form und Breite zwischen zwei auf ten, muß andererseits der Zwischenraum groß genug 5 eine durchsichtige Unterlage aufgebrachten Metallsein, um einen Kurzschluß zwischen den Schichten schichten herstellen. Mit Hilfe einer solchen Photozu verhüten. Auch aus diesem Grund ist es von Be- maske können unter Anwendung bekannter photodeutung, daß der Abstand zwischen den Metall- graphischer Techniken, z.B. durch Verwendung schichten über die ganze Länge des engen Zwischen- eines photoempfindlichen Lackes sehr schmale Meraumes möglichst konstant ist. io tallstreifen konstanter Breite auf eine Unterlage auf-
Es ist üblich, solche häufig verwickelte Formen gebracht werden.
darstellenden Metallschichten durch Aufdampfen Es wird noch bemerkt, daß es an sich bekannt ist oder durch Anwendung photographischer oder gal- (US-PS 2 802159), auf einem Halbleiterkörper eine vanischer Techniken unter Zuhilfenahme örtlicher Gleichrichterelektrode durch das Aufschmelzen einer Maskierungen aufzubringen. In der Praxis wird im 15 Kugel anzubringen, anschließend mit Hilfe eines allgemeinen jede Metallschicht getrennt aufgebracht, elektrolytischen Ätzvorganges, bei dem der Aufwobei zweimal maskiert werden muß. Um sehr kleine schmelzkugel eine geeignete Vorspannung gegeben Zwischenräume zwischen zwei Metallschichten, ins- wird, unterhalb der Kugel eine Nut im Halbleiterkörbesondere kleiner als 10μΐη, z.B. wenige μΐη,zu erzie- per zu ätzen, worauf ein Metall aufgedampft wird, len, ist eine besonders genaue Anpassung der beiden 20 Dabei ist die Aufschmelzkugel als Schattengeber Masken aneinander und eine sehr genaue Anordnung wirksam, so daß die auf die Halbleiteroberfläche aufder zweiten Maske gegenüber der ersten erforderlich, gedampfte Schicht nicht in die Nut unter der Aufwodurch dieses Verfahren kompliziert wird. schmelzkugel reicht und daher nicht den PN-Über-
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein gang kurzschließt. Statt durch eine elektrolytische Verfahren zum Aufbringen von nebeneinanderliegen- 25 Ätzbehandlung läßt sich die Nut auch durch chemiden, durch einen engen Zwischenraum voneinander sches Ätzen bilden, wobei das Halbleitermaterial getrennten Metallschichten auf eine Unterlage aus beim PN-Übergang stärker weggeätzt wird als das einem anderen Werkstoff als dem der Schichten an- übrige Material des Halbleiterkörpers. Für die Herzugeben, mit welchem bei vergleichsweise einfacher stellung von Hochfrequenztransistoren, bei denen Maskierungstechnik eine gute Konstanz des Abstan- 30 statt einer aufgeschmolzenen Kugel eine dünne Medes der Metallschichten über die ganze Länge des en- tallschicht verwendet wird, wäre dieses Verfahren im gen Zwischenraumes erreicht wird und welchem die allgemeinen weniger geeignet, da das zweite aufgeerwähnten Nachteile nicht anhaften. dampfte Metall in die erste Metallschicht und mögli-
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch ge- cherweise sogar in den Übergang zwischen dieser löst, daß auf die Unterlage zuerst eine der beiden 35 Schicht und dem Halbleitermaterial eindringen kann, Metallschichten aufgebracht wird, die anschließend wodurch die Eigenschaften dieses Überganges ungemäß der endgültig herzustellenden Form dieser günstig beeinflußt werden können. Außerdem ist es Schicht mit einem ätzbeständigen Maskierungsmate- nach dem Aufbringen der Schichten häufig errial bedeckt wird, daß dann die Schicht einer Ätzbe- wünscht, zur Erzielung eines gut haftenden Kontakhandlung unterworfen wird mit einem Ätzmittel, wel- 40 tes von geringem Übergangswiderstand mit der Unches das Material der Unterlage nicht oder in gerin- terlage eine Heizbehandlung durchzuführen, wobei gerem Maße angreift als das Material der zuerst auf- aber das Material der ersten aufgebrachten Schicht gebrachten Metallschicht, wobei die Ätzbehandlung schmelzen und der Kontakt mit der Unterlage durch so lange fortgesetzt wird, bis die nicht maskierten das auf die erste Schicht aufgedampfte Material der Schichtteile entfernt sind und am Maskierungsrand 45 zweiten Schicht vergiftet werden kann. Weiterhin entlang ein schmaler Streifen der Schicht unter dem wird eine solche Metallschicht bei Transistoren mit Maskierungsmaterial gleichfalls entfernt ist und daß einer äußerst dünnen Basiszone angewendet. Das Ätschließlich unter Ausnutzung der Schattenwirkung zen einer Nut, wie es bei Anwendung einer Aufdes Maskierungsmaterials die zweite Metallschicht schmelzkugel vorgeschlagen wurde, ist in solchen auf wenigstens einen neben diesem Rand liegenden 5° Fällen schwer durchführbar, da die Gefahr eines Oberflächenteil der Unterlage aufgebracht wird, der Durchätzens der Basiszone bis zur Kollektorzone benicht vom Maskierungsmaterial überdeckt wird. Die steht. Beim elektrolytischen Ätzen muß überdies der Unterlage kann aus einem Halbleitermaterial, aber Aufschmelzkugel eine Vorspannung gegeben werden, auch aus einem anderen Material, z. B. einem Isolier- wozu an der Kugel ein elektrischer Anschluß angematerial, bestehen. Zur Herstellung einer Halbleiter- 55 bracht werden muß. Bei Transistoren sehr hoher vorrichtung ist in letzterem Fall nach dem Aufbrin- Frequenz mit metallischen leitenden Elektrodengen der beiden Schichten ein Halbleitermaterial ver- schichten werden Emitterelektroden mit wenigstens wendbar. in der Breite sehr kleinen Abmessungen angestrebt.
Die Erfindung beschränkt sich nicht auf die Her- Das Anbringen eines vorläufigen Anschlusses an
stellung von Halbleitervorrichtungen. Eine weitere 60 einer solchen Schicht ist sehr kompliziert, während
Anwendungsmöglichkeit ist z. B. die Herstellung sehr das Anbringen eines bleibenden Kontaktes hinderlich
schmaler optischer Spalte, indem nach dem Verfah- ist beim Aufdampfen einer zweiten Schicht, wobei
ren der Erfindung zwei Metallschichten auf einen sogar die mit dieser Metallschicht zu versehenden
durchsichtigen Träger, z.B. aus Glas, aufgebracht Oberflächenteile stellenweise überschattet werden
werden. 65 können.
In der Technik der Herstellung gedruckter Schal- Weiterhin wurde ein Verfahren zur Herstellung
tungen ist es häufig erwünscht, sehr schmale Metall- eines NPN-Typ-Transistors für hohe Frequenzen
streifen auf einen Träger aufzubringen, die häufig vorgeschlagen (FR-PS 1321294), wobei von einem
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N-leitenden Siliziumkörper ausgegangen wird, in der Unterlage einwirken. Hierdurch braucht prakdem durch Diffusion eines Donators und eines Ak- tisch kein Material der unter der dünnen Zone liezeptors untereinanderliegende Emitter- und Basiszo- genden Zone weggeätzt zu werden und dennoch nen gebildet sind. Auf der Emitterzone wird eine kann erreicht werden, daß die Stelle, an der nach SiO2-HaUt gebildet, welche auf photographischem 5 dem Ätzen der PN-Übergang frei gelegt ist, ausrei-Wege wieder teilweise weggeätzt wird. Die N-lei- chend von der Maskierung überschattet wird,
tende Emitterzone wird anschließend unter Verwen- Die ätzbeständige Maskierung kann auf photogradung der verbleibenden Oxidhaut als Maskierung phischem Wege angebracht werden. Hierzu kann ein weggeätzt, wobei nicht nur die neben dieser Maskie- ätzbeständiger Lack gewählt werden, der die Eigenrung liegenden Teile, sondern auch ein Streifen unter io schaft besitzt, von einem bestimmten Lösungsmittel der Oxidmaskierung, und zwar an deren Rand ent- gelöst werden zu können, jedoch nach Bestrahlung lang entfernt werden. Anschließend wird eine metal- z.B. mit ultravioletter Strahlung, in diesem Lösungslische Basiskontaktschicht unter Ausnutzung der mittel unlöslich zu sein. Es kann auch ein ätzbestän-Schattenwirkung der SiO2-HaUt aufgedampft, wo- diger Lack gewählt werden, der in einem bestimmten durch die verbleibende Emitterzone und deren Über- 15 Lösungsmittel unlöslich ist, aber nach Bestrahlung, gang zur Basiszone nicht bedeckt werden, der Basis- z. B. mit ultravioletter Strahlung, in diesem Lösungskontakt aber dennoch nahe am PN-Übergang zu lie- mittel löslich wird. Beide Arten dieses photoempgen kommt. Unter Anwendung einer zweiten Mas- findlichen Lacks manchmal als »photoresist« bekierung und völliger oder teilweiser Entfernung der zeichnet, sind bekannt.
verbleibenden Oxidhaut wird ein Teil der verbleiben- 20" Die Zusammensetzungen der beiden Metallschichden Emitterzone mit einer aufgedampften metalli- ten können entsprechend den gewünschten Eigenschen Emitterkontaktschicht bedeckt. Obwohl die schäften der herzustellenden Vorrichtung gewählt Basiskontaktschicht auf diese Weise nahe am werden; sie können einander gleich oder verschieden PN-Übergang zwischen der Emitterelektrode und der sein. Was die Durchführbarkeit des Verfahrens zum Basiselektrode angebracht werden kann, werden die 25 genauen Aufbringen der beiden Schichten anbelangt, vorstehend bereits besprochenen Nachteile der An- sind die meisten Metalle und Legierungen brauchbar. Wendung einer zweiten Maskierung nicht beseitigt. Hinsichtlich der Materialwahl für die zweite Schicht Weiterhin besteht auch hierbei der Nachteil, daß das wird vorzugsweise ein aufdampfbares Material be-Halbleitermaterial selbst weggeätzt werden muß. Da- nutzt, obwohl auch hier die Anwendung anderer bei tritt die Schwierigkeit auf, daß einerseits das Un- 3° Verfahren möglich ist, z.B. Aufspritzen oder Aufterätzen so weit fortgesetzt werden muß, daß der auf streifen von Verbindungen von Metallen, gegebenengeringer Tiefe liegende PN-Übergang an der Stelle, falls in Form von Suspensionen, die in die Metalle wo er nach dem Ätzen frei wird, von der maskieren- der Schicht umgesetzt werden können, z. B. durch den Siliziumoxidschicht ausreichend überschattet Erhitzung. Für die Materialwahl der ersten Schicht werden muß, und andererseits die sehr dünne Basis- 35 ist es nur erforderlich, daß die Schicht weggeätzt schicht nicht durchgeätzt werden darf. werden kann. Sogar ein Edelmetall wie Gold läßt
In der Halbleitertechnik werden häufig äußerst sich durch Ätzen entfernen, wobei man nicht auf Andünne Metallschichten, z. B. dünner als 1 μΐη ver- Wendung des auch auf viele andere Materialien stark wendet. Diese lassen sich bei Anwendung des Ver- einwirkenden Königswassers (ein Gemisch konzenfahrens nach der Erfindung ohne die Gefahr eines 40 trierter Salzsäure und konzentrierter Salpetersäure) nennenswerten Angriffs der Unterlage leicht wegät- beschränkt ist, sondern z.B. ein selektiveres Ätzmitzen. Die Maskierung bleibt dabei an ihrem Rand ent- tel, wie eine wässerige Lösung von Kaliumcyanid lang in sehr geringem Abstand von der Unterlage. und Wasserstoffperoxid, verwenden kann. Letztere
Das das Material der ersten Metallschicht von dem Lösung eignet sich z.B. auch zum Ätzen von Silber der Unterlage verschieden ist, läßt sich ein Ätzmittel 45 und Kupfer. Kupfer, Silber und Gold sind z. B. gewählen, das die Unterlage praktisch nicht oder we- eignete Elektrodenmaterialien für Halbleitervorrichnigstens in viel geringerem Maß angreift, als das Ma- tungen mit einem Halbleitermaterial aus Kadmiumterial dieser Metallschicht. Bei gegebener Material- sulfid, das von letzterem Ätzmittel praktisch nicht wahl für die Metallschicht und die Unterlage gibt es angegriffen wird. Kadmiumsulfid wird unter anderem unter den bekannten Ätzmitteln im allgemeinen aus- 5° in Photozellen und Feldeffekttransistoren verwendet, reichende Möglichkeiten, ein solches selektiv wirksa- Wie oben bereits erwähnt, sind bei solchen Vorrichmes Ätzmittel finden und anwenden zu können. Ge- tungen durch einen engen Zwischenraum mit konwünschtenfalls kann neben der verbleibenden ersten stanter Breite getrennte Metallschichten besonders Metallschicht eine Oberflächenzone der Unterlage nützlich.
durch die Wahl eines Ätzmittels weggeätzt werden, 55 Für die Herstellung von Halbleitervorrichtungen das auf die beiden Materialien einwirkt, z. B. falls die kann eine der Metallsehichten aus einem Material Unterlage aus Halbleitermaterial mit einer Oberflä- bestehen, das nach einer geeigneten Wärmebehandchenzone eines Leitungstyps entgegengesetzt zu dem lung, durch die im angrenzenden Halbleitermaterial des angrenzenden darunterliegenden Halbleitermate- einer oder mehrere Donatoren bzw. Akzeptoren aus rials besteht. Vorzugsweise wird aber in diesem Fall 60 dem Material dieser Schicht z. B. durch Legieren und zunächst ein Ätzmittel verwendet, welches das Mate- Wiederkristallisieren des Halbleitermaterials, durch rial der Metallschicht selektiv lösen kann, und an- Diffusion oder durch beides eingebaut wird bzw. schließend wird ein Material verwendet, welches das werden, im Halbleitermaterial stellenweise einen Lei-Material der Unterlage wegätzen kann. Nach dem tungstyp entgegengesetzt zu dem des an der anderen Wegätzen der Metallschicht unter einer Randzone 65 Metallschicht angrenzenden Halbleitermaterials inder Maskierung bei der ersten Ätzbehandlung kann duzieren kann.
nämlich das zweite Ätzmittel unmittelbar auf den Angrenzend an die zuerst genannte der beiden
von der Maskierung überschatteten Oberflächenteil Metallsehichten kann ursprünglich ein Halbleiterma-
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terial von gleichem Leitungstyp wie der des an der einem spezifischen Widerstand von etwa 2 Ohm-cm. anderen Metallschicht angrenzenden Materials vor- Durch das Eindiffundieren von Indium und Arsen handen sein. Durch eine geeignete Wärmebehand- sind auf einer Seite dieses Körpers untereinanderlielung wird dabei eine an die zuerst genannte Metall- gende Zonen von gegenseitig entgegengesetzter Leischicht grenzende Zone des Halbleitermaterials ge- 5 tungsart gebildet, und zwar eine P-Ieitende Zone 3 bildet, deren Leitungstyp dem des ursprünglich an mit einer Stärke von 1,0 μηι, die am ursprünglichen diese Metallschicht angrenzenden Halbleitermaterials N-Typ Material 2 angrenzt, und eine an der Oberentgegengesetzt ist. Dabei entsteht ein PN-Übergang, fläche des Germaniumkörpers liegende N-leitende der im schmalen Zwischenraum zwischen den beiden Zone4 mit einer Stärke von 0,4 μηι (s. Fig. 1). Zum Metallschichten an die Oberfläche tritt. Auf diese io Bilden dieser Zonen wird zunächst Indium 70 Minu-Weise können z.B. an einer Basiszone eines Transi- ten lang bei einer Temperatur von 8100C eindiffunstors ein Emitter- und ein Basiskontakt angebracht diert. Die entstandene P-leitende Schicht wird anwerden. Falls vor dem Aufbringen der zuerst ge- schließend von der nicht dargestellten Unterseite des nannten Metallschicht bereits ein PN-Übergang frei Körpers durch Ätzen entfernt, wobei die Oberseite wird, und dieser als ohmscher Kontakt an einem der 15 vorher mit einem ätzbeständigen Lack bedeckt beiden Teile des Halbleiterkörpers beiderseits des wurde. Nach der Ätzbehandlung und Entfernung des PN-Übergangs bestimmt ist, darf die betreffende Me- Lacks wird 5 Minuten lang Arsen eindiffundiert, wotallschicht beim Aufbringen den PN-Übergang über- bei der Germaniumkörper auf 650° C erhitzt und decken, da durch Anwendung .der erforderlichen bei 440° C mit Arsendampf gesättigter Wasserstoff Wärmebehandlung eine dünne Zone entsteht, die mit 20 längs des Germaniumkörpers geleitet wird,
der nebenliegenden Zone des Halbleiters einen Dabei wird außerdem an der nicht dargestellten
PN-Übergang bildet, wodurch Kurzschluß des Unterseite eine N-leitende Zone mit einem reduzier-PN-Übergangs verhütet wird. Die zum Aufbringen ten spezifischen Widerstand gebildet,
der beiden Metallschichten verwendete Maskierung Auf die Seite des Halbleiterkörpers 1 mit den N-
braucht daher nicht notwendigerweise sehr sorgfältig 25 und P-leitenden Zonen 3 und 4 wird eine dünne SiI-der ursprünglichen Lage des PN-Überganges ange- berschicht 5 mit einer Stärke von 0,2 μπι im Vakuum paßt zu werden. aufgedampft, wobei der Halbleiterkörper auf eine
Bei den im vorherigen Absatz beschriebenen Fäl- Temperatur von etwa 400° C erhitzt wird,
len ist es naturgemäß auch möglich, daß für beide Nach dem Aufbringen des ätzbeständigen Lacks
Metallschichten Materialien verwendet werden, die 30 auf die Unterseite des Körpers wird auf die Silberbei geeigneter Wärmebehandlung im angrenzenden - schicht 5 ein photoempfindlicher Lack aufgebracht, Halbleitermaterial jeweils einen bestimmten Lei- der die Eigenschaft hat, in einem bestimmten Lötungstyp induzieren können, und zwar vorzugsweise sungsmittel nur nach Belichtung in Lösung zu gehen, derart, daß das Material der einen Schicht einen Lei- Dieser Lack ist in verdünnter Kalilauge unlöslich, tungstyp induziert, der dem vom Material der ande- 35 wird darin aber nach Belichtung mit Ultraviolettren ,Schicht induzierten Leitungstyp entgegengesetzt strahlung löslich.
ist. Werden dabei in einer der beiden Schichten ein Nach ihrem Aufbringen wird diese photoempfind-
oder mehrere Donatoren angewendet, so werden in liehe Lackschicht mit Hilfe einer photographischen der anderen Schicht ein oder mehrere Akzeptoren Maske stellenweise belichtet, so daß kreisförmige angewendet. 40 Teile 6 der photoempfindlichen Schicht, mit Aus-
Die Erfindung wird an Hand von Ausführungsbei- nähme eines innerhalb jeden Teiles 6 liegenden etwa spielen und der Zeichnungen näher erläutert, in de- halbkreisförmigen Teiles 7, löslich werden (s. nen Herstellungsstadien eines NPN-Transistors und F i g. 2). Die kreisförmigen Teile haben einen Durcheines Feldeffekttransistors schematisch dargestellt messer von 55 μπι. Der halbkreisförmige Teil hat sind. Es zeigen 45 einen Radius von etwa 17 μπι. Der kürzeste Abstand
Fig. 2 und 7 einen Teil einer Draufsicht auf einen zwischen dem Umfang des Halbkreises und dem des NPN-Transistor, ganzen Kreises beträgt etwa 10 μΐη. Die kreisförmi-
Fig. 1, 3,4, 5, 6, 8 einen Teil eines senkrechten gen Teile sind in Reihen parallel zur Länge des Schnittes durch den NPN-Transistor nach den F i g. 2 Halbleiterkörpers und in einem gegenseitigen Ab- und 7 in verschiedenen Herstellungsstadien entspre- 5° stand von 0,75 mm angeordnet,
chend den Linien III-III und VIII-VIII in den Die Lackschicht wird dann mit einer wässerigen
F i g. 2 und 7, Lösung von 2 Gewichtsprozent KOH behandelt, wo-
Fi g. 12, 16 und 19 eine Draufsicht auf Feldeffekt- bei die belichteten Teile in Lösung gehen, so daß die transistoren in verschiedenen Herstellungsstadien, Silberschicht 5 dort frei wird, während die unbelich-
Fig.9, 10, 11, 13, 14, 15, 17 und 18 einen Teil 55 teten Teile 8 der photoempfindlichen Schicht das eines senkrechten Schnittes durch die Feldeffekttran- darunterliegende Silber unverändert überdecken (s. sistoren nach den Fig. 12, 16 und 19 in verschiede- Fig. 1).
nen Herstellungsstadien entsprechend den Linien Der Körper wird dann mit Salpetersäure, und zwar
X-X, XV-XV und XVIII-XVHI in den Fig. 12, 16 aus einem Gemisch von 2 Volumenteilen konzen-
und 19. 60 trierter Salpetersäure (65 Gewichtsprozent HNO3)
Beispiell un^ * Volumenteil Wasser bestehender Salpetersäure
behandelt. Die Dauer der Ätzbehandlung beträgt 2
Es wird von einem einkristallinen Germaniumkör- Sekunden. Dabei werden nicht nur die unbedeckten perl mit einer Länge von 10 mm einer Breite von 10 Teile der Silberschicht5 entfernt, sondern von den mm und einer Dicke von 150 μπι ausgegangen 65 Rändern der verbleibenden Teile 8 der Lackschicht zwecks Herstellung mehrerer Transistoren aus die- her wirkt das Ätzmittel auf die unter dieser Lacksem Körper. Der Körper besteht im wesentlichen aus schicht liegenden Teile der Silberschicht 5 ein, woeinem mit Antimon dotierten N-Typ Material 2 mit durch diese Schicht von unter den Randzonen 9 der
Lackschicht Teile 8 entfernt wird (s. F i g. 3). Die Breite der Randzonen 9, unter denen das Silber entfernt wurde, ist naturgemäß von der Dauer der Ätzbehandlung abhängig. Bei einer Ätzbehandlung von etwa 2 Sekunden hatten die Randzonen 9 eine Breite von 2 μηι, die am ganzen Rand jedes Teiles 8 entlang praktisch konstant ist. Das verwendete Ätzmittel hat eine nur geringe Ätzwirkung auf das Germanium des Körpers, wodurch die beiden durch Diffusion von Verunreinigungen erzielten Zonen 3 und 4, trotz ihrer geringen Dicke, stellenweise nicht durchgeätzt sind, obwohl die Ätzbehandlung lange genug dauerte, um von den Rändern der Maskierungsteile 8 her die unter diesen Teilen liegende Silberschicht über eine Breite von 2 μΐη zu entfernen.
An der Stelle, wo ursprünglich die halbkreisförmigen Oberflächenteile 7 des photoempfindlichen Lacks unbelichtet geblieben sind, verbleiben dann halbkreisförmige Teile 10 der Silberschicht mit einem etwas kleineren Radius. Diese sind für die Emitterkontaktschichten der herzustellenden Transistoren bestimmt.
Um einen kleinen Emitter- und einen ihn umgebenden metallischen leitenden Basisanschluß mit der für die Basiselektrode bestimmten P-leitenden Zone 3 zu erzielen, wird eine zweite Ätzbehandlung mit einer aus einem Gemisch von 1 Volumenteil konzentrierter Fluorwasserstoffsäure (50 Gewichtsprozent HF), 1 Volumenteil Wasserstoffperoxid (30 Gewichtsprozent) und 5 Volumenteilen Wasser bestehenden Ätzflüssigkeit durchgeführt. Dieses Ätzmittel wirkt auf das Germanium ein, während die Einwirkung auf das Silber kaum merklich ist. Diese Ätzbehandlung erfolgt so kurzzeitig, daß die N-leitende Zone 4 stellenweise über etwas weniger als ihre Gesamtdicke entfernt wird. Die Dauer der Ätzbehandlung beträgt etwa 6 Sekunden. Auch hier üben die Lackschichtteile 8 auf die darunterliegenden Teile eine Maskierungswirkung aus, jedoch nur insoweit sie noch mit dem darunterliegenden Silber in Kontakt sind. Das Ätzmittel hat aber unmittelbar Zutritt zur Germaniumoberfläche, die von den Randzonen 9 überschattet wird und nicht mit Silber bedeckt ist. Von der ganzen, mit dem Silber nicht überdeckten Oberflächenfront her kann somit das Ätzmittel unmittelbar auf die Germaniumoberfläche einwirken.
Nach Spülen mit deionisiertem Wasser, Trocknen und Entfernung der Lackschicht von der Unterseite des Körpers 1 wird zunächst Indium bis auf eine Schichtstärke von 0,04 μηι und anschließend Aluminium bis auf eine Schichtstärke von 0,4 μπι auf die Oberseite des Germaniumkörpers aufgedampft, wobei der Körper nicht erhitzt wird. Infolge der Schattenwirkung der Lackschichltcile 8 wird die Halbleiteroberfläche praktisch nur an jenen Stellen mit dem Indium und Aluminium bedeckt, die nicht von den Schichtteilen 8 einschließlich der Randzonen 9 überschattet werden (s. F i g. 4). Es ist möglich, daß die Randzonen 9 der dünnen Lackschicht etwas durchbiegen, wie in F i g. 4 dargestellt, gegebenenfalls bis auf die nach der zweiten Ätzbehandlung frei gewordenen tiefer liegenden Oberflächenteile, wodurch die auf die Halbleiteroberfläche aufgedampften dünnen Metallschichten 11 aus Aluminium und Indium schärfer begrenzt werden.
Nach dem Aufdampfen wird der verbliebene photoempfindliche Lack 8 mit Aceton entfernt, wobei gegebenenfalls darauf niedergeschlagenes Indium und Aluminium (nicht dargestellt) sich von der Unterlage löst. Das Ganze wird anschließend 4 Minuten lang bei einer Temperatur von etwa 635° C erhitzt. Das Indium und das Aluminium bilden dabei eine geschmolzene Legierung mit dem Germanium der Unterlage, wobei die Aluminium-Indium-Germanium-Schmelze eine Eindringtiefe hat, die gering ist gegenüber der Dicke der P-leitenden Zone 3, während jedoch ein etwa darunterliegender Rest der N-leitenden Zone 4 völlig in die Schmelze aufgenommen wird. Die angewendete Temperatur liegt unterhalb der eutektischen Schmelztemperatur von Silber-Germanium (657° C), so daß keine Gefahr des Auftretens einer Silber-Germanium-Schmelze besteht, welche die dünne N-Ieitende Zone 4 lösen könnte. Allerdings werden durch die Erhitzung die Haftung der Silberschicht am Germanium und der elektrische Kontakt zwischen dem Silber und der Zone 4 verbessert.
Sollte die Legierungsschmelze seitlich an die N-leitende Zone 4 angrenzen, so ist die Donatorkonzentration an dieser Grenze aber so gering, daß die Durchschlagspannung in der Sperrichtung zwischen dieser Zone und der nach Abkühlung aus der Legierungsschmelze rekristallisierten Zone etwa 1 Volt beträgt. Selbst wenn die zweite Ätzbehandlung so lange fortgesetzt würde, bis die N-leitende Zone 4 stellenweise bis zur darunterliegenden P-leitenden Zone 3 entfernt ist, ist ein Kontakt zwischen der Aluminium enthaltenden Legierungsschmelze und der N-leitenden Zone 4 unwahrscheinlich, da die Randzone 9 des photoempfindlichen Lacks praktisch keine Maskierungswirkung auf die zweite Ätzbehandlung, wohl aber eine Maskierungswirkung beim Aufdampfen der Schicht 11 ausübt.
Nach Abkühlung sind gut haftende metallische leitende Kontaktschichten mit den Zonen 3 und 4 gebildet (s. F i g. 5). Die unter den Silberkontaktschichten 10 liegenden Teile 12 der N-leitenden Zone 4 bilden die Emitterzonen und die auflegierten Metallschichten 11 die Basiskontaktschichten der herzustellenden Transistoren.
Zur Herabsetzung der Kapazität des Basis-Kollektor-Übergangs der herzustellenden Transistoren wird die P-leitende Zone 3 und ihr Übergang mit dem N-leitenden Material 2 des Körpers auf die unter den Kontaktelektroden 11 und den Emitterzonen 12 liegenden Teile beschränkt. Dazu wird wieder die Unterseite mit einem ätzbeständigem Lack bedeckt, und eine photoempfindliche Lackschicht auf die mit den metallischen leitenden Schichten 5 und 11 versehene Seite des Halbleiterkörpers 1 aufgebracht und mit Hilfe einer photographischen Maske werden sämtliche Oberflächenteile, mit Ausnahme der kreisförmigen Teile 14, welche die Elektroden 11 und die von diesen Teilen umschlossenen Emitterelektroden bedecken, mit Ultraviolettstrahlung belichtet, worauf die belichteten Teile des Lacks mit verdünnter Kalilauge (2 Gewichtsprozent KOH) gelöst werden, wobei die unbelichtet gebliebenen Teile 14 zurückbleiben.
Anschließend wird der Körper mit einem Silberätzmittel der oben bereits angegebenen Zusammensetzung behandelt, wobei die nicht mit den Lackteilen 14 bedeckten Teile der Silberschicht 5 entfernt werden. Anschließend wird der Körper mit einer aus 10 Volumenteilen konzentrierter Fluorwasserstoffsäure (50 Gewichtsprozent HF), 10 Volumenteilen
konzentrierter Salpetersäure (65 Gewichtsprozent HNO3), 1 Volumenteil Äthylalkohol und 15 Volumenteilen Wasser bestehenden Lösung behandelt. Eine 3 Sekunden dauernde Behandlung genügt, um zu sichern, daß die unmaskierten Teile der Zonen 4 und 3 und die darunterliegenden Teile des PN-Überganges zwischen der Zone 3 und dem N-leitenden Teil 2 des Germaniumkörpers entfernt sind (s. Fig. 6). Die verbleibenden Teile 13 der P-leitenden Zone 3 bilden dann die Basiszonen der Transistoren.
Nach Entfernung des Lacks von der Ober- und Unterseite des Germaniumkörpers wird der Körper in an sich bekannter Weise in getrennte Transistoren geteilt, die je an der nicht dargestellten Kollektorseite mit Hilfe von Gold auf einen Nickelzapfen montiert werden. Bei jedem Transistor werden dann die Silberkontaktschicht 10 und die Indium-Aluminium-Kontaktschicht 11 mit einem aus einem 7 μπι dicken Golddraht 15 bzw. 16 bestehenden Anschluß in an sich bekannter Weise' durch Druckschweißen verbunden (s. F ig. 7 und 8).
Die auf diese Weise hergestellten Transistoren haben für niedrige Frequenzen einen Stromverstärkungsgrad α'η von etwa 20. Die Kollektorkapazität bei einer Kollektorspannung von 10 Volt beträgt 0,15 pF. Für Signalfrequenzen von 800 MHz bei einer Kollektorspannung von 10 Volt und einem Emitterstrom von 2 mA beträgt die Energieverstärkung etwa 12 dB.
Es wird noch bemerkt, daß für die zweite photographische Maskierung keine außergewöhnlich hohen Anforderungen hinsichtlich der Anpassung an die erste photographische Maskierung gestellt zu werden brauchen. Es ist zulässig, daß die Elektrodenschicht 11 nicht völlig bis zum Außenrand mit der zweiten Maskierung 14 überdeckt ist, da die Entfernung einer kleinen Randzone bei der Ätzbehandlung auf die Eigenschaften des herzustellenden Transistors wenig Einfluß hat. Sollte die zweite Maskierung 14 die die Schicht 11 umgebende Silberschicht 5 (s. Fig. 5) über eine dünne Randzone überdecken, so wird beim Wegätzen des frei liegenden Silbers durch Unterätzen auch diese dünne Randzone entfernt.
Weiterhin wird bemerkt, daß kleine Unregelmäßigkeiten in der Form der ersten Maskierung 8 (s. F i g. 4) und demnach der Emitterelektrodenschicht 10 zulässig sind, da die Form der zweiten metallischen leitenden Elektrodenschicht 11 derselben Maskierung angepaßt und der Abstand zwischen den beiden Schichten unabhängig von der Form der Maskierung konstant ist.
Man kann das Abätzen des Materials der N-leitenden Zone 4 auch ein wenig langer vornehmen und an Stelle von Indium und Aluminium wieder Silber aufdampfen, so daß sowohl die zuerst angebrachte Metallschicht für den Emitterkontakt als die anschließend angebrachte Metallschicht für den Basiskontakt aus Silber bestehen. Silber kann nämlich sowohl mit niederohmigem N-Typ- als auch mit niederohmigem P-Typ-Germanium ohmsche Kontakte bilden. Sicherheitshalber kann vor dem Aufdampfen des Silbers für den Basiskontakt zuerst ein wenig Indium aufgedampft werden.
Beispiel2
Auf eine Seite einer Glasplatte wird eine Aluminiumschicht 22 in einer Stärke von etwa 0,1 μπι aufgetragen (s. F i g. 9) und anschließend die Schicht 22 mit einer photoempfindlichen Lackschicht 23 in einer Stärke von etwa 1 μπι bedeckt (s. F i g. 10). Durch Belichtung mit Ultraviolettstrahlung unter Anwendung einer geeigneten optischen Maskierung und Behandlung mit einer wässerigen Lösung von 2 Gewichtsprozent KOH, wobei die belichteten Teile der Schicht 23 in Lösung gehen, bleibt ein unbelichteter Lackteil 24 (s. Fig. 11) zurück mit der in
ίο Fig. 12 dargestellten Form, wobei der Lackteil aus einem breiten, sich zum Rand der Glasplatte 21 erstreckenden Streifen 25 und einem kammförmigen Teil 26 besteht, dessen Zähne je zwei breite Teile 27 und 28 und einen dazwischenliegenden schmalen Streifen 29 besitzen. Die schmalen Streifen 29 haben eine Länge von 2,5 mm und eine Breite von 10 μΐη. Durch die Behandlung mit der verdünnten Kalilauge können die freigewordenen Oberflächenteile der Schicht 22 etwas angegriffen werden, was aber in diesem Falle zulässig ist. Nach Waschen mit deionisiertem Wasser wird das Ganze einer Ätzbehandlung für Aluminium unterzogen. Dazu wird die Platte in eine wässerige Lösung von Orthophosphorsäure eingetaucht, die durch Mischen von gleichen Volumenteilen Wasser und konzentrierter Phosphorsäure (85 Gewichtsprozent H3PO4) gebildet ist. Die Ätzbehandlung wird 60 Minuten lang bei Zimmertemperatur (20° C) durchgeführt, worauf die Glasplatte 21 aus der Ätzflüssigkeit herausgenommen und sofort mit deionisiertem Wasser gespült wird. Dabei ist nicht nur das nicht von der maskierenden Lackschicht 24 bedeckte Aluminium infolge der Ätzbehandlung verschwunden, sondern gleichfalls ist vom Rand der Maskierung her ein unter der Maskierung 24 liegender Randteil 31 mit einer Breite von 0,5 μπι weggeätzt, so daß die entstandene Form 34 der Aluminiumschicht etwas schmaler ist als die Form 24 der photoempfindlichen Lackschicht (s. Fig. 13). Nachdem das Ganze bei 50° C getrocknet worden ist, wird zum zweiten Mal eine Aufdampfung vorgenommen, wobei zunächst etwas Chrom und anschließend Gold bis zu einer Schichtstärke von etwa 0,1 μπι aufgedampft wird. Mit Hilfe des Chroms ergibt sich eine bessere Haftung des Goldes an der Glasoberfläche. Durch Anwendung einer geeigneten Aufdampfmaske werden einige voneinander getrennte rechteckige Goldschichten 32 von 4x2 mm erzielt, die sich über die schmalen Lackstreifen 29 erstrekken (s. F i g. 14). Die Goldschichten 32 bestehen je aus zwei Teilen praktisch viereckiger Form 40 und 41, die an der gläsernen Unterlage 21 haften, während ein dazwischenliegender Teil 42 auf den Lackstreifen 29 angebracht ist. Die Teile 40 und 41 sind durch den schmalen unterätzten Streifen 31 vom Aluminium 34 getrennt. Mittels einer Spritzpistole wird Aceton über die Glasplatte gespritzt, wobei die verbliebene Lackschicht 24 gelöst und auf das daran angebrachte Gold 42 entfernt wird, so daß nur das auf dem Glas angebrachte Metall zurückbleibt (s.
F i g. 15 und 16). Die Form der übriggebliebenen Aluminiumschicht 34 besteht dann aus einem Streifen 35 und einem kammförmigen Teil 36, dessen Zähne aus je zwei breiten Teilen 37 und 38 und einem dazwischenliegenden schmalen Streifen 39 mit einer Länge von 2,5 mm und einer Breite von 9 μπι bestehen. Beiderseits der schmalen. Streifen 39 befinden sich die praktisch völlig aus Gold bestehenden Schichtteile 40 und 41, die jeweils vom dazwischen-
13 14
liegenden Streifen 39 durch einen infolge des Unter- von KCN und H2O2 in Wasser durchgeführt werden
ätzvorganges erzielten schmalen Zwischenraum von kann, weiche lang genug fortgesetzt werden kann,
0,5 μπι Breite getrennt sind. um die Unterätzung im gewünschten Maße zu erzie-
Das Aluminium wird darauf einer anodischen Oxi- len, und schließlich das Aluminium aufgedampft
dationsbehandlung unterzogen, wobei ein Elektrolyt- 5 werden kann.
bad verwendet wird, das aus einer Lösung von 7,5 g Weiterhin kann statt der Herstellung einer Isolier-
Borax und 30 g Borsäure pro Liter Wasser besteht. schicht für die Steuerelektrode durch Oxidation von
Am Streifen 35 ist ein Klemmenkontakt befestigt, der Aluminium auch auf andere Weise eine Isolierschicht
beim Eintauchen der Glasplatte den Flüssigkeitspe- auf das Steuerelektrodenmaterial aufgebracht wer-
gel überragt. In der Höhe des Flüssigkeitspegels io den, z. B. durch Aufdampfen, gegebenenfalls vor
wurde der Streifen 35 vorher mit einem isolierenden dem Anbringen der ätzbeständigen Maskierung. Die
ätzbeständigen Lack bedeckt. Der mit Metallschich- oben beschriebene Materialwahl bietet jedoch den
ten versehenen Seite der in den Elektrolyten einge- Vorteil, daß eine äußerst dünne, jedoch vollkommen
tauchten Glasplatte gegenüber ist eine Platinelek- dichte Isolierhaut zwischen der Steuerelektrode und
trode in den Elektrolyten eingetaucht. Diese Elek- 15 dem Halbleitermaterial erzielbar ist. Weiterhin ist es
trode wird als Kathode und die Aluminiumschicht 34 grundsätzlich möglich, unter Anwendung der Erfin-
als Anode geschaltet, wobei eine Anodenspannung dung Feldeffekttransistoren herzustellen, bei denen
von 30 Volt gegenüber der Kathode verwendet wird. sämtliche Elektroden auf dem Halbleitermaterial an-
Nach etwa einer V2 Stunde ist die Stromstärke auf 1 gebracht werden, vorausgesetzt, daß zwischen der
μηι abgefallen. Die elektrolytische Behandlung wird 20 Steuerelektrode und dem Halbleitermaterial eine Iso-
dann beendet, die Glasplatte herausgenommen, mit lierschicht gebildet wird. So kann z. B. auf eine Glas-
deionisiertem Wasser gespült, getrocknet, wieder mit platte zunächst eine Kadmiumsulfidschicht aufge-
Isopropylalkohol gespült und getrocknet. Durch die bracht und diese den erforderlichen Nachbehandlun-
anodische Behandlung der dem Elektrolyten ausge- gen unterzogen, anschließend Gold aufgedampft und
setzten Oberflächenteile des Aluminiums ist auf die- 25 dann die Goldschicht in der mit einer ätzbeständigen
sen Teilen eine Aluminiumoxidschicht 50 entstanden Maskierungsschicht gewünschten Form der Ein- und
(s. Fig. 17). Anschließend wird Kadmiumselenid Ausgangs-Elektrode bedeckt werden, worauf mit
(CdSe) aufgedampft, wobei durch Verwendung einer einer wässerigen Lösung von KCN und H2O2 das
geeigneten Maske einige viereckige Schichten 51 aus Gold von den nicht maskierten Oberflächenteilen
diesem Material mit den Abmessungen 2x2 mm 30 weggeätzt wird, wobei die Unterlage praktisch nicht
und mit einer Stärke von etwa 0,2 um gebildet wer- angegriffen wird und die Ätzbehandlung bis zum ge-
den, die je einen Teil der Goldschichten 40 und 41 wünschten Maß des Unterätzens fortgesetzt wird,
und den dazwischenliegenden Teil des schmalen und schließlich können dann das Isoliermaterial
Streifens 39 bedecken (s. Fig. 18 und 19). Während und das Steuerelektrodenmaterial aufgedampft wer-
des Aufdampfens wird die Glasplatte auf 100° C er- 35 den.
hitzt. Nach dem Aufdampfen wird das Ganze noch In den oben beschriebenen Beispielen werden
wenige Minuten auf 500° C nacherhitzt. beide Schichten durch Aufdampfen aufgebracht. Die
Auf diese Weise sind mehrere Feldeffekttransisto- Art des Aufbringens der ersten Schicht ist für die Er-
ren gebildet, bei denen die Goldschichten 60 und 61 findung nicht wesentlich und dieses Aufbringen kann
die Eingangs- bzw. die Ausgangs-Elektroden und die 4° auf verschiedene Weisen erfolgen, z. B. auf galvani-
Aluminiumstreifen 39 die Steuerelektroden bilden, schem Wege, durch Ausscheiden auf chemischem
die durch die Aluminiumoxidschicht 50 vom halblei- Wege aus einer Salzlösung des Metalls (sogenanntes
tenden Kadmiumselenid isoliert sind. Die frei liegen- »electrolessplating«), Aufspritzen und auf sonstige
den Teile 60 und 61 der Goldschichten 40 bzw. 41 bekannte Weisen.
können zum Herstellen elektrischer Anschlüsse an 45 Beim Aufbringen der zweiten Schicht muß bei der die Ein- und Ausgangs-Elektrode benutzt werden, Wahl der Aufbringweise der Bedingung Rechnung während die breiteren Streifenteile 37 und/oder 38 getragen werden, daß die unterätzte Randzone der für den elektrischen Anschluß an die Steuerelektrode Maskierung eine effektive Schattenwirkung ausüben dienen können. Die so hergestellten Feldeffekttransi- kann. Man ist dabei im allgemeinen auf gerichtete stören sind auch bei hohen Frequenzen von 30 bis 40 50 Aufbringverfahren, wie Aufspritzen oder Aufdamp-MHz gut verwendbar, und bei einer konstanten fen, angewiesen. Es ist aber auch möglich, bei Ver-Spannung von 6 Volt an der Ein- und Ausgangs- wendung eines thermoplastischen Lacks vor dem Elektrode und einer wechselnden Steuerspannung Aufbringen der zweiten Schicht den Lack durch Erzwischen 1 und 7 Volt an der Steuerelektrode beträgt hitzung derart zu plastifizieren, daß die frei von der die Steilheit der Strom-Spannungs-Charakteristik 55 Oberfläche liegenden Randzonen der Maskierung einige mA/V. nicht nur etwas durchbiegen, sondern sogar an der
Nach dem letzten Beispiel wird zunächst die Alu- Oberfläche der Unterlage festkleben. In letzterem
miniumschicht, dann die ätzbeständige Schicht in der Fall kann die zweite Schicht sowohl durch Aufdamp-
gewünschten Form, und darauf das Gold aufge- fen oder Aufspritzen als auch auf galvanischem
bracht. Es ist einleuchtend, daß auch zunächst das 60 Wege oder durch einen chemischen Vorgang aus
Gold aufgebracht und mit einer ätzbeständigen einer Lösung niedergeschlagen werden, wobei die
Schicht der gewünschten Form zum Bilden der Ein- ganze Maskierungsschicht, einschließlich ihrer Rand-
und Ausgangs-Elektroden bedeckt werden kann, zonen, den Niederschlag auf die unter der Maskie-
worauf z. B. eine Ätzbehandlung mit einer Lösung rung liegenden Oberflächenteile verhindert.
Hierzu 6 Blatt Zeichnungen

Claims (8)

ohmschen Kontakt und das Material der anderen Schicht einen gleichrichtenden Kontakt mit dem
1. Verfahren zum Aufbringen von nebeneinan- an der Oberfläche der verwendeten Unterlage liederliegenden, durch einen engen Zwischenraum genden Material bilden kann.
voneinander getrennten Metallschichten auf eine 5 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 4
Unterlage aus einem anderen Werkstoff als der bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß das HaIb-
der Schichten, dadurch gekennzeich- leitermaterial aus Silizium oder Germanium be-
n e t, daß auf die Unterlage zuerst eine der bei- steht, und wenigstens eine der Metallschichten
den Metallschichten aufgebracht wird, die an- Aluminium enthält.
schließend gemäß der endgültig herzustellenden io 10. Verfahren nach einem der Ansprüche 4
Form dieser Schicht mit einem ätzbeständigen bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß das HaIb-
Maskierungsmaterial bedeckt wird, daß dann die leitermaterial aus Silizium oder Germanium und
Schicht einer Ätzbehandlung unterworfen wird eine der beiden Metallschichten aus Silber be-
mit einem Ätzmittel, welches das Material der steht.
Unterlage nicht oder in geringerem Maße angreift 15 11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, daals das Material der zuerst aufgebrachten Metall- durch gekennzeichnet, daß nach dem Aufbringen schicht, wobei die Ätzbehandlung so lange fort- der beiden Metallschichten auf die halbleitende gesetzt wird, bis die nicht maskierten Schichtteile Unterlage das Ganze auf eine Temperatur über entfernt sind und am Maskierungsrand entlang der eutektischen Temperatur des Aluminium entein schmaler Streifen der Schicht unter dem Mas- 20 haltenden Materials und des Halbleitermaterials kierungsmaterial gleichfalls entfernt ist und daß und unter der eutektischen Temperatur von SiI-schließlich unter Ausnutzung der Schattenwir- ber und des Halbleitermaterials erhitzt wird, kung des Maskierungsmaterials die zweite Me- 12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, datallschicht auf wenigstens einen neben diesem durch gekennzeichnet, daß die Silberschicht Rand liegenden Oberflächenteil der Unterlage 25 zuerst aufgebracht und als Ätzmittel Salpeteraufgebracht wird, der nicht vom Maskierungsma- säure verwendet wird, terial überdeckt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge-
kennzeichnet, daß die Unterlage wenigstens an
der mit den beiden Metallschichten zu bedecken- 30
den Oberfläche aus einem Isoliermaterial besteht. Die Erindung betrifft ein Verfahren zum Aufbrin-
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch ge- gen von nebeneinanderliegenden, durch einen engen kennzeichnet, daß die Unterlage wenigstens an Zwischenraum voneinander getrennten Metallschichder mit den beiden Metallschichten zu bedecken- ten auf eine Unterlage aus einem anderen Werkstoff den Oberfläche aus einem durchsichtigen Mate- 35 als der der Schichten. Wo in der Beschreibung über rial besteht. einen anderen Werkstoff als der der Schichten ge-
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- sprachen wird, handelt es sich dabei nicht um einen kennzeichnet, daß die Unterlage wenigstens an Werkstoff, der nur hinsichtlich kleinerer Zusätze von der mit den Metallschichten zu bedeckenden Verunreinigungen vom Material einer oder beider Oberfläche aus einem Halbleitermaterial besteht. 40 Schichten verschieden ist.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch ge- Das Aufbringen solcher durch einen engen Zwikennzeichnet, daß die Unterlage an der mit den schenraum voneinander getrennten Schichten wird Metallschichten zu bedeckenden Oberfläche eine z.B. in der Halbleitertechnik für viele Zwecke angedünne Zone mit einem Leitungstyp enthält, der wendet, insbesondere dann, wenn Mikrominiaturisiedem Leitungstyp des darunterliegenden, angren- 45 rung wichtig ist. Die Abmessungen der Zwischenzenden Halbleitermaterials entgegengesetzt ist. räume sind oft für die Wirkung der Halbleitervor-
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch ge- richtung mitbestimmend. Bei Photozellen z. B. ist die kennzeichnet, daß die Unterlage von der mit den Breite des Zwischenraumes zwischen den beiden als Metallschichten zu bedeckenden Oberfläche her Elektroden dienenden Metallschichten für die Empmehrere untereinanderliegende dünne Zonen mit 50 findlichkeit mitbestimmend, während z. B. bei Feldabwechselnd verschiedenem Leitungstyp enthält. effekttransistoren die Breite dieses Zwischenraumes
7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch zwischen der Zu- und Abführungselektrode für den gekennzeichnet, daß nach der Ätzbehandlung der Verstärkungsgrad und den Frequenzbereich mitbezuerst aufgebrachten Schicht eine zweite Ätzbe- stimmend ist. Auch für die gegenseitige elektrische handlung mit einem Ätzmittel durchgeführt 55 Isolierung zweier Metallschichten sind oft solche wird, das ätzend auf das Halbleitermaterial ein- kleinen Zwischenräume erwünscht, z. B. bei Feldefwirkt, und bei dieser zweiten Ätzbehandlung das fekttransistoren, bei denen die Steuerelektroden-Halbleitermaterial der an der Oberfläche liegen- schicht zwischen der Zu- und Abführungselektrodenden Zone von gegebenem Leitungstyp an den schicht auf eine Trägerseite aufgebracht und durch Stellen, an denen sie nicht von der zuerst auf- 60 einen Zwischenraum von den anderen Elektroden gegebrachten Metallschicht bedeckt wird, wenig- trennt werden muß. Bei Hochfrequenztransistoren stens nahezu über die ganze Dicke dieser Zone mit nebeneinanderliegenden Metallkontaktschichten entfernt wird, worauf das Material der zweiten für die Basis- und Emitterelektrode ist es für einen Metallschicht aufgedampft wird. geringen Basiswiderstand wichtig, daß die Metall-
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 65 kontaktschicht für die Basiselektrode möglichst nahe bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Materia- dem Emitter-Basis-Übergang liegt, während es für lien der beiden Metallschichten derart gewählt eine gut wirkende Emitterelektrode vorteilhaft ist, werden, daß das Material der einen Schicht einen daß die Metallkontaktschicht der Emitterelektrode
DE1521414A 1964-04-21 1965-04-15 Verfahren zum Aufbringen von nebeneinander liegenden, durch einen engen Zwischenraum voneinander getrennten Metallschichten auf eine Unterlage Expired DE1521414C3 (de)

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Date Code Title Description
SH Request for examination between 03.10.1968 and 22.04.1971
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977