DE1614235A1 - Elektrodensystem,insbesondere Halbleiter-Elektrodensystem und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Elektrodensystem,insbesondere Halbleiter-Elektrodensystem und Verfahren zu seiner Herstellung

Info

Publication number
DE1614235A1
DE1614235A1 DE19671614235 DE1614235A DE1614235A1 DE 1614235 A1 DE1614235 A1 DE 1614235A1 DE 19671614235 DE19671614235 DE 19671614235 DE 1614235 A DE1614235 A DE 1614235A DE 1614235 A1 DE1614235 A1 DE 1614235A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
grains
layer
grain
electrode layer
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19671614235
Other languages
English (en)
Inventor
Te Velde Ties Siebolt
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1614235A1 publication Critical patent/DE1614235A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0384—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including other non-monocrystalline materials, e.g. semiconductor particles embedded in an insulating material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H05B33/28—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode of translucent electrodes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
  • Glanulating (AREA)

Description

DiPL-IHg-ERICHE1WALTHEIl
Anmelder: IJ.V.PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKfll 1614 235 dJ
AU»; ΪΗΪ- H61
1O«Aprll 1967 ,
"/ilektrodensysteiu, Insbesondere Halbleiter-iSlektrodensystein und Verfahren au ea.inor. Herstellung".
Dia,ürfindung betrifft ein, Verfahren zur Herstellung eines iilektrodensyotenis mit einer Kornschicht z.B. einer Halbleiter-Kornsohicht mit nahe der Dicke eines Korne, deren Körnor in einen isolierenden fQllstoiTf eingebettet sind, auf der mindestens eine mit den Körnern einen Kontakt herateilende Slektrodenachlcht angebracht ist, die öue einem Mueter zusammenhängender, elektrisch gut leittndtr Gebiete zwieohen den Körnern auf dem Füllstoff und elektrisch Eeist weniger gut leitender Gebiets auf den Körnern besteht, und zum bilden dieser Jilektrudenochicht auf der Kornschicht, eine zusammenhSngende^ ununterbrochene, elektrirch gut leitende Elektrodenechicht angebracht wird, worauf auf den KSrnern vorhandene Teile der £lektrodenochicht selektiv entfernt werden. Die Erfindung betrifft »eittx ein i.lektrodensyotem, das,durch das y«r#a.hren nach der Erfindung
BAD ORIGINAL
hergeotellt iat. · '
Bin solches ulektrodenayeteiE, so>\ie ein Verfahren tu seiner Herstellung ist Gegenstand eier Ulteren, nicht vorveröi'f entlichten, niederländischen Patentanmeldung Uo. 6*510.095. ta wird darin ein Verfahren vorer^Khnter Art beschrieben, bei dem eine tfut-leitende Eloktrodenochicht auf der gesamten Kernschicht angebracht wird, worauf entweder durch ein selektives Aetzverfahren oder durch Anwendung von tfhotocaskierungaverfuhren diese gut leitende alektrodenschicht selektiv von den Kornköpfen entfernt wird. Gewünochtenfalla kann auf den Kürnern eine zweite £lektrodenachicht angebracht werden.
Elektrodensystem dieser Art können z.B. atrahlunga-· empfindliche Körner enthalten und ala Strahlunoadetektoren verwendet werden, wobei die photo-empfindliehe Kernschicht treffende Strahlung.3 energie elektrische bpannunge- oder Impedanznnterschiede in den Körnern erzeugt, die durch auf der Körneohioht angebrachte Elektroden geoesaen werden können, von denen mindeatena eine für die einfallende Strahlung durchlöaaig sein muss. Beispiele dieser Anwendungen aind unter anderem Photowideratilnde und Photospannungazellen für Beleuchtungemeter, weiter lassen sich solche Elektrodensysterne zur Umwandlung von Strahlungeenergie in elektrische Energie verwenden, f.B. in sogenannten Sonnenbatterien, und auch zur Umwandlung elektrischer Energie in Strahlungsenergie, wobei in cen Körnern die Strahlung z.B. durch Rekombination von LadungatrSgern bei einem pn-Uebergang oder durch andere Formen von Elektrolumineszenz erzeugt vterden kann, bei denen JSlektrodensysteflie mit einer Kernschicht von Bedeutung sind.
In Qll^ii.eäe.n^F/ij.len können Körner, dia in allen
BAD ORIGINAL
■ ·. --"-■■
Richtungen annähernd gleiche Abmeaauntjen haben, so4e Körner in ion von Schuppen und Mädeln benutzt werden. Bei Elektrüdensysterr.en vorerwähnter Art tritt oft die Aufgabe auf, daaa -auf der Körnerschicht aiiiideutena eine lilektrudensehlcht für die Stromzufuhr oder cfie Stromabfuhr angebracht werden muea, die entgegengeüetzte Anforderungen erfüllen soll· .binereeita. müsa die £lektrodenbchicht einen geringeri Öchicht*idtrbtend haben, während andererseits die Elektrode an der Kontaktstellen mit den Körnern £igen&chaften t-ufweisen soll, die der förderung nachteinem niedrigen bchichtwiderstund entgegenüerichtet
let dae tlektrüdensysteiu mit einer Kornuchicht z.B.
eine elektro-optische Vorrichtung/ ec muae mindestens eine der auf * der Kornschicht angebrachten Elektroden wenigstens.auf den Kbrnern für die auf die Körner einfeilende oder die aus den KtJrnern heraustretende Strahlung durchlässig sein. Im 2uaaainienhang mit der eowbhnlich Geringen Leitfähigkeit BOleher durehlüesigen ElektrodenEChichten ist hier eine lilektrudenschicht unhomogenen Aufbaua erviUnschti die zusaamenhtLtigende, gut reitende Gebiete zwiechen den Körnern und weniger gut leitende Gebiete mit den gewünschten eigenschaften (etrahlungsdurchläeaig) auf den Körnern aufweist. Ferner kam, es in beütiHuaten Ffillen mit fiUcksicht auf die erforderliche Ijurchlässigkeit erwünscht sein, die aal" den Körnern anzubringende ilektrodenachicht teilweise wet;zulassen« ■<■-- ~
I)ie ßrfindung bezweckt, ein besondere ■ einfaches· und achnelles Verfahren .anzugeben, durcn A-elcned eine selcne unhcaogene xilektroder.Gchicht an^ebrucfct werden κ&ιϊλ.
"\ üer irfindung liegt dxe ^rkeiintnia zagrunde, üeas, . von einer Xürnsohieht ausge^siigen wird ,bei "der auf der Seite
O0S835/0A78
phi,.
der anzubringenden Elektrodeuüc-hicht der irullstofl zwischen den Körnern Senkungen aufweist, durch Ab-reiben dieser Seite der mit der £le):trodenschicht überzogenen Kernschicht selektiv auf den Körnern vorhandene Teile der Elektrodeuachicht enferrit werden können, während die 'an den Stellen der Senkungen zwischen den. Körnern auf· dem Füllstoff vorhandenen Teile der flektrodencchicht von dem Reibmittel praktisch nicht angegriffen werden.
Nach der Erfindung ißt ein Verfahren zur Herateilung eineq ülektrodensyütema eingar.gs erwähnter Art dadurch gekennzeichnet, daae von einer Kornbchicht ausgegangen wird, deren i'tillstoff zwischen den Körnern eine Dicke hut, die erheblich geringer ist als die n»ittiere Körndicke, ao dass die Kernschicht .wenigstens auf yiner beite zwischen den Körnern Senkungen.aufweist,· und dass die kernschicht auf dieser·üeite mit" einer elektrisch gut leitenden iilektrodensOhicht überzogen wird, worauf durch Abreiben der Kornschicht auf dieser üeite infolge der Senkungen zwischen den Körnern lediglich auf den Körnern vorhandene Teile der lilektroden.ichicht entfernt werden.
Zum Abreiben kann man verschiedene Schleif- oder !Reibmittel anwenden.' £s ist vorteilhaft, ein Reibmittel anzuwenden, desoen Körner eine s'olche Grönse haben, daea sie den Boden der Senkungen nicht erreichen kennen. Duher ist eine bevorzugte Ausführungcfor« des Verfahrens nach der Erfindung dadurch gejeennzeichr net, dcü£j die Kernschicht mit einem Reibmittel abgerieben wird, deeuen Körner einen Durchmeoaer haben, der gröeaer ist als der 'durchschnittliche Kornabstand der Korftüchicht, aο dass sie den Boden der Senkungen nicht erreichen können, a-s wird vorzugsweise ein -Reibmittel verwendet, deüeen Kürndurchmesser mehr als das Zwei-
BAD
■ : }■: - ;: - 5 - 16ΤΛ235; :;i>HwfT46i;. . ■"
■fache und weniger als das Fünffache des mittleren Körnabstanäea der K. oma chi ent beträgt. "-. : -Λ/:'.-.
Ea kann auch vorteilhaft ein Keibmittel verwendet
werden, dessen körner einen erheblich gerir:geren Durchmesser haben als! der mittlere Korndurehmeaser der ■■Kornschicht und eine weiterer wichtige Ausführunaisforir. des Verfahrens nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Kornschicht durch ein Reibmittel abgerieben ..wird/ dessen ft-Ömer einen Burchciesser haben» der erhäblicn ; kleiner ist als. der iaittlejre Korndurchmesüer derKorriscMcht, und
d£i3 auf einem TrStjer an^ei>racht ist. Ler TrSgeriet in diesetü ialie v eiwühßcht, um zu Verhüten, dass die Reibkörner die -tlefc-troäensehicht in den öenkungen zwischen den tb'rnern der KornsciTicht erreichen. Der
soll vorzugsweise eine solche Biegsamkeit Mben* dass er sich die Porm der Kornschicht anpaaseh kann, aodasa praktisch alle Körner der Kürnschicht mit dem Reibmittel in Bertihrung konunen,..--■
Vorteilhufterweise^ wird dabei ein Reibraittel verwen* dot, dessen Korndurchmeeaer weniger als ein PUnft^l, vorzugsweise weniger als ein Zehntel des mittleren JtorndurchmeBsera der £o?n~ ■ ■ ■ ." schicht "betragt. ;:, '■_ '.:*::' · ' ;
BqI .den voierwfihnten AuafÜhrungefοrmeh des Verfahrens nach der Erfindung ist es möglich, von einer Kornachicht auszugehen,-deren ytllistoff sich bis über die Körner erstreckt, Uie auf den KUrnerij, vurhandeneii Teile, des:-Füllstoff s werden gleicözaitig mit der Jilektrodenöchicht abgerieben'. Vorzugsweiae wird je doch, wegen der diesem Verfahren innewohnenden Nachteile, z.B. der pisstischen Jiigenüchaftexi, [wodurch die meiöten Füllstoffe für Schleif en oder Scheuern weniger gut geeignet aind, von einer KorhsehichV ausgegangen, deren Körner auf der Seite mit der anzubringenden ülektroden- ;
schicht aus dem Füllstoff heraustragen, so dass das Reibmittel xuLcht mit dem Füllstoff i'n Berührung zu kommen.braucht.
Vorteilhafterweise geht man in diesem Fallt von einer Kornaohioht aus, die durch Einbetten der Körner in einen erhärtenden FUllstoi'f erhalten wird, der sich zwischen den Kilrnern zusammenzieht, wobei Kornteile von dem FUlIetoff befreit werden.
In einer wichtigen, bevorzugten Ausführungsform dee
Ytriahrene nach der Erfindung wird eine* Kornschicht verwendet, deren Körner aus Cadmiumsulfid und deren Füllstoff aus Polyurethan bestehen. " '
• , - In einer anderen, wichtigen, bevorzugten Ausfuhrunge» form des Verfahrens nach der Erfindung werden durch das Abreiben Oeffnungen in den auf .den Kürnern liegenden Teilen der Elektroden-BChicht gemacht» wobei-der Kontakt zwischen der ilektrodenschlcht und den Körnern beibehalten wird. Dieses Verfahren hat den Vorteil, fluss in einem einsigen Arbeitsvorgang «ine Elektrode gebildet wird, Ale zwischen den'KCrnem gut leitend 1st, während auf den Körnern die' einfallende vund die heraustretende strahlung nicht gehemmt wer den und der so erhaltene Kontakt, obgleich nur auf einem Teil der Kornflüche vorhanden*, in vielen Fällen ausreichend ist. Vorteilhafter we ie« kann zur Verbesserung des Kontaktes die Kornschicht nach dem Reiben einem Ionen- oder Elektronenbeschuss ausgesetzt werden.
Obgleich in dieser Äeiae oft ein zufriedenstellender Kontakt erhalten, werden kann, ohne dass die von der rilektrodeneohicht frei gemachten Kornteile einer weiteren Bearbeitung ausge- ' setzt werden, ist es in anderen Fällen erwünscht, die frei gemachten Kornteile mit weiterem Kontaktsieterial zu überziehen, um bestimmte', gewünschte Kontaktei^enschaften zu erzielen. Dabei kann die ur- - '
009835/0*7$
' BAD ORIGINAL .
ν?-
eprUn^liche ülektrödenschiciit"gewUnachtenfalls vollefandig von den J&rnerfi entfernt werden., iine weitere, bevorsirgte/ Äusf.llhruiJgsf ornr. den "Verfahrene na oh der irfiridung ist dadurch 4eke«azeicliaett dass nach dem Entfernen der nur uui' den Körnern vorhandenen Töile der Elektrodenechlcht wenigßtene auf den frei ge.r.achteri Kornts'ilen olno mit der ersten iälektrodenachlcht leitend verbunderij, zweite ölektrodeubchicht an^elHrscht wird. In denjenigen FBllen, in denen die hlektrodenachicht auf den Körnern für die einfÄllende oder die heraue tretende .^Strahlung durchlässig sein soll, ,wird in einer wichtl{jenj bevorzugten AUefUhruntsforai eine zweite Elektrodenscliicht Terwendet, die für elektromagnetiaehe Strahlung, die von den hörnern
«erden kann oder für welche die Körner empfindlich sind, durchlässig i8t als die erste .alektroäenachicht. ; Dae geacfeilöerte Verfahren lllset eich toei verachiedenenartigen Kombinationen von Körnern und Jsiek.trcdenmaterialien anwenden» DlA Erfindung let jedoch besonders von Bedeutung zur Herstellung Ton JSIe ktrodenay sterne η mit einer Kornschicht, deren Körner In wesentlichen aue photo-leitenden Sulfiden oder Seleniden von üadaiua und Zink beetehenf wobei auf den Körnern eine Elektrodenschicht angebracht wird, die. indium oder eine Indiumlegierung-enthalt. Label wirdswiBöhen-der Elektrodenechieht und den Körnern sin ohaacher Kontakt hergestellt.
Die Elektrodenechicht kann ohne Vorbearbeitung der KornBehieht βη^βbracht *·erden. UBi einen guten ohtoacheti Kontakt zu erzielen, ist.ea oft erwünbcht, vor dea Anbrlneen der Elektroden-. achicht die Kornechicht einein Ionen- oder klektronenbeschuss aussusetzen. - .
iiie. ürfindung betrifft v;eiter ein £leJctrodenöystea!f
durch das Verfahren nach der Erfindung hergestellt ist.
Lie Erfindung wird nachstehend an Hand einiger AuafUhrucgobe!spiele und der Zeichnung näher erläutert. £a zeigen:.
die Pig. 1 bis 3 achematiech in Querschnitten aufeinanderfolgende heratellungastufen eines Teiles eines Photowiderstande, der durch ein Verfahren nach der .tarfindung hergestellt ist,
l'ig. 4 cchematiBch eine Draufsicht deo Thotowider-• ctandc ISn^s der Linie I-I in den Fig. 1 bis 3» und
die Fig. 5 und B schecaatiech in Querschnitten auf-
einanderfulkende iierBtellungastufen eines Teiles einer Sonnenzelle, die durch ein Verfahren nach der-Lrfindung hergestellt ist.. ·
An Hand der Fig. 1 bis 4 wird ein erstes Auofflhrun^abeitpiel eines Verfahrene fcur herstellung einesülektrodensystems erliiutert, das eine Kornechicht (1, 2) mit Körnern 1 (Pig. 3) eines Halbleitermaterial^* nahezu der Dicke eines Korns enthält, wobei die Körner in einen isolierenden lUilstolf 2 eingebettet sind, wobei auf der Kornachicht (1, 2) mindeetens eine mit den Körnern 1 einen kontakt herstellende ^lektrodenschicht (3, 4) angebracht iat, die aus eineu. Mustqr zuaauuaei hängender, elektrisch gut leitender Gebiete 3 zwischen den jvörnern auf dem Füllctoi'f 2 und elektrisch weniger ,3Ut leitender Gebiete 4 auf den Kürnern besteht, wobei ssuu Erzielen dieser rllektrodenechicht auf der Kernschicht (1, 2) eine viusaminenhüngende, ununterbrochene, elektriach gut leitende iSlektrbdenechicht 3 (siehe Pig. 1) angebracht wird, wor.vuf auf den Körnern vorhanden· Teile 5'der Jälektrodenochicht 3 selektiv entfernt werden.
£s wird von einer durch eine Klebeschicht 7 (Pig. Λ) auf einem Träger 8 gehafteten, mittels eines als Bindemittel wirk-
003835/0478
samen i'illlötpffs 2 zusammenhiingenden Kornuchieht (T, 2) mit von de© Füllutoff befreiten Kornteilen 9 auo^egangen, die mit einer Ülektrodenschicht 5 überzogen ist. ^ie Körner 1 bestehendabei aus photo-leitendem CadnixUiaBulfid, das mit etwa 10"? bis IG*** Gewichtsprozent Kupfer und Gallium aktiviert ist,
oiine solche Korrischicht kann auf verschiedenem Wege erhalten v/erden, üiit Rücksicht auf die üotwendlgkeit der Senkungen zwischen den Körnern wird in diesem Beispiel vörzugs.veisQ' das nachfolgend beschriebene besondere gut geeignete·Verfahren νerwendet.
: Auf einem Träger» ζ*Jb> e^ner Glasplatte 1* »drd durch"'üauchen in eine Lösung von Gelatine in 'Vi/aaaer eine,".hur einige /im dicke Gelatinschicht 7 angebracht. In die noch gesciLWüllene^ Golatinüchicht werden photü-leitende eadmiunisuli'Id-Körner mit einem Durchuesser von etwa 35/um geaankt, worauf durch Trocknen /lie GeIatiiiöachicht erhllrtet v/ird und die nicht an dew Träger haftenden Kö'rner entfernt werden. Darauf wird ale Bindemittel zwischen den Körnern auf der Gelatineschicht Polyurethan angebracht,-Meu kann durch Tauchen dea Trägers mit der kornschloht in eine Lösung der kauflich erhältlichen "Materialien "Pesmophen" und·"Besmodur" in Aethylaoetat erfolgen, worauf durch Hochziehen eine dünne oohicht auf der Kornechicht zurückbleibt, die wiihrend eines Erhärtungsproao33cs in z.B. 8 Stünden auf 75°C in iolyurethan umgewandslt wird. Dabei zieht sich das angange weniger viskos gewordene Gaxnisch von den Kvornköpfen zurÜcic» ao dasa nach iärhärtunß eine Kornschient entotanden ist, deren Kö'rner auf de.r von dea Träger ablia^enden oeite aus d9.ii] Ptlllatoff haraüeragen, wUhre'nd der tfüllstof^ tischen deii Körnern "eiiie Dicke hat, die^erheblich geringer, als die durcbachnittlicht Korndicke ist, ßo daes die -Kornüchicht ju;ul der vom; dem Trllger
009835/0478
#bli«£enden Seite Senkungen zwischen den Körnern aufweist/ '
Auf der so erhaltenen Kernschicht kann darauf direkt durclj Aufdampfen eine x>Xe kt rod ens chic ht J nngebracht werden, üum Verbessern des Kontaktes zwischen den Körnern und der .Elektroden-Bohicht wird-Jedoch vorzugsweise vor dem Anbringen der ilektrodenechicht 3 die Kornsohlcht einem Ionen- oder ülektrunenbesohuBs unterworfen. In diesem Ausführungabeispiel »vird die Kornschicht einer Gasentladung während etwa 4 Minuten bei einer Spannung von 1 kV (J2ntlad es tr on-«twa 50 mA bei einer £lektrodenoberflSehe von 1Ou cm ) aus-
gesetet. Auf der von dem -Trüger abliegenden aeite der Kernschicht wird die KlektrodeiiBchicht 3 angebracht, die mit den üadraiusasulfid-
jiörnern einen praktisoh ohmschen Kontakt herstellt; es wird z.B. eine Indiumachicht einer Dicke von 5000 S aufgedampft. . . Dit Kornechicht wird daruaX auf der von dem 'XrU^er '8 abliegenden Seite (siehe Pig.' 1) mittels Körner 10 aus Aluminiumokyd mit einem kortidurchmeeeer von etwa 150/um bis 250/um abgerieben. Dieser Korndurohaeaser -ist sehr als das Zweifache und weniger als da· Püifiache des mittleren Kornabetondes, hier etwus 70 bis 100/^°· Die Eeibkörner 10 werden im trocknen Zustand verwendet und mittels eines Tuoiio oder eines anderen, weichen uegenstands 16 (siehe Fig. 1) mit leichtem Druck Über· die Kornschicht gerieben. Infolge ihrer GrISese kBnnen die ReibkBrner die in den üenkun^en zwischen den Körnern auf der. FUllstofi" liegenden, üusammenhHngenden Teile 5 der Elektrodenschicht nicht erreichen, so dass lediglich auf den KBrnern vorhanäenfc* i'eile 5,der Elektrodens-Jhicht entlernt werden. £s entstehen infolge· de3scn au! den Körner:-, (siehe die Fig. 2 und 4) Löcher 4 in der
ßlektrodenöchlcht, während Qedock Teile G der filektrodenschicht aλ »- Ecnde der Löcher mit den Körnern in üerührung bleiben. Wenn die .
009835/0478
.Löcher gebildet aiud, was unter eiiteniüilikroskop kontrolliert beendet man die Beibarbelt., worauf £e*ünschtenl8lls auf den geriebenen itornteilen surücfcgebliebene Reate des Polyurethans durch einen Lösungs- oder Aetzungsvorgangentfernt Serien können. 4-uoi Verbesuerii cee ,Kontaktes auf den KSrnern wird die geriebene beite der Korneoulcht aufs neue einer Gasentladung ausgasetst*
...:.,. Darauf wird (siehe Pig. 5) auf: der Kornschicr-t eine
etwa. 50/um dioke^erhärtende, für Strahlung durchlässige, biegsame ivune1.s.to££6Chi£jit 11 angebracht, die 4.J3. aua Poly ure than besteht, worauf nach ürhürturio nieeer Schicht durch IiJaUn4; der Gelatirieeehicht Y in ».a^iatr di· Kornschicht von de& Trfiger S eilt lernt wird, wedurch aui der irSgtreeite die Körnte üe 12 frei werden, flacli dem Entfernen der lielatintrtet· in Wasser, wird auf der ireien Seite -öer üornechicht witder eine üaetntladung durchgeführt!-worauf in der vor-
'* etehffid gesohilocrten teeise eine zweit« filektrodenGchicht 13 (siehe ■. i - :» ..- " ": . · '
Viß, 3) durch Aufdaapfen einer etna 5000/un dicken Indiunschicht an-
gtttouqjnt wird. '
·,*' ; * Auf diese Veiee entsteht ein in Ii(J. j> ia ^uerüchnitt
\iMd In VIg. 4 in DraufLloht dargeetellter Photowiderstcr.d ir. /orm
ei^ßr biegsaaen Haut. Auf der iälektrodenschicht 13 und auf einen γόη dir bohleht 11 frei liegendeh Teil 14 der ilektrodenscfiicht (3, 4f o) können Kontakte aufgebracht »erden, zwischen denen die impeduns α ex Kornschicht öemeeben werden kann, inir ch.- -die Kun-tstoifeohicht 11 und die Löcher 4 kann«die Strahlung 15 die von der £lek-. trodenachicht (3r 4» ό) frei gelassenen Komteile treffen, αllhrend Alle KSrner awischen der ilektrodentchicht 13 und den reilen 6. der EleKtrodenBcliieh't (^1 4, 6) puruliei geochieltet sind, welche alle mit den Ammern T einen praktisch ohuibchex. Kontakt herstellen.
Als 2wcf+c Avt4Zkirvngs+or*. des Verfahrens nach der
copy
Järfindung wird an Hand der Fig. 5 bis θ die Herstellung einer Öpnnenzelle erläutert, Die Reichen Bezußöziifern der beiden Beispiele bezeichnen entsprechend· üinzelteile. ^a wird wieder (eäie fig. 5) von einer gleichen, durch eine Gelatineachicht 7 auf einem TrSger θ gehefteten Kernschicht (1, 2) ausgegangen, die aus Körnern 1 aus . photo-leitendem Cadmiumsulfid mit einem mittleren Durchmesser von etwu 35/um besteht, die in ein Bindemittel 2 aus Polyurethan elngebettet sind, das auf die vorstehend geschilderte «eise hergestellt ist, wobei die KornschiCht wieder auf der von dem Ti*#?r abliegenden L.eite Senkungen zwischen .den Körnern aufweist und wobei auf die ganzen Kornachicht z.B. uurch Aufdampfen eine Elektrodenschicht (3»' 5) uufgebracht let. Die £lektrodenschijht (3» 5) besteht in diesem Beispiel aus. einer Kupferechicht einer Dicke von 0,1 /um.
•Die Kornschicht wird dann auf der von deci TrMger ab- litgenden Seite abgerieben (siehe Fig. 1) mit Hilfe von fieibkörnern
2-1 aus Alualniuaoxyd eines Durchmessers von etwa 5/um, die auf einem biegsamen Träger 22. aus einem Bogen S'iliciungummi einer Dicke von etwa 0,2 am angebracht eind. Der Durchmesser der Reibkörner ist dann geringer ale 1/5-tel dee mittleren Lurchmessers der Körner der boaioht. Unter Ornat finden kann es jedoch vorteilhaft sein, noch kleinere HelbkSrner mit« einem Durchmesuer kleiner als 1/10-tel des mitt- leren Korndurchmeseers der Schicht anzuwenden. Die fieibkörnern 21 kennen auf dem Trfi^er 22 z.B. dadurch angebracht werden, daos das Üilioiumgummi im flüssigen Zustand auf eine ölasplatte ausgegossen wird und die Aluminiumoxydkörner darauf gestreut werden, wurtuf das Sillciuniguinmi zu ei nein biegsamen Bogen erhärtet, in άαη die tteibkörner teilweise versenkt sind1 Das Keiben erfolgt-dadurch, dass auf den :filr£&or 22 mit den Keibk'drnern (siehe Pi^. 5} ein Kissen H? aus
BAD ORIGINAL
tHli.1461
uchaumplastik öder aus einem anderen, sehr elastischen Material gelegt wird, auf den ein nicht elastischer, flacher Gegenstand 24- gelegt wird, worauf-der. Träger- mit den He ibkiJrnern von Hand oder nut Hilfaeiner Maschine unter leichtem Uruck über dietornsefricht bewegt wird, Dabei folgt der Tracer 22 den Umrissen der Koriiechicht, eo dass nur die auf den Körnern vorhandenen Teile 5 der-Hiektrodenächieht (3, 5) entfernt werden, und desa (siehe Pij. 5) eine -ihn-' liehe btruktur wie die der Pig. 2 in dem ersten Beispiel entsteht, liabel· bleiben £eile 5 der £lektrodenschicht 'mitten Körnern 1 in BerUhrungv oiogleicii'dies in diesem Beispiel mit HÜckaicht auf die später anzubringend^ ülektrodenschicht 25 nicht notwendig ist.
Auf der eo erhaltenen Kornschicht wird darauf auf
der rom Träger abliegenden Seite eine zweite, für $trähiun£ durch- > lüsüi^e, weniger gut leitende Älektrodenschicht 25 aus. Kupfer durch Aufdampfen mit einer JUicke von 100 S angebracht, die mit den Teilen \ 3 der ursprünglichen KupfeTechicht (3, 5) einen Kontaktnerstellt · und mit dtn Körnertt 1 eintn gleichrichtenden Kontakt -.bildet.. In
diesem Beispiel, in dem kein ohmbeher, Gondern eiü gleichrichtender Kontakt auf den Körnern gebildet wird, wird öelbstverBtßndlich eine Gasentladung vor dem'Anbringen der Elektrodeneehieht25 nicht angewendet. Auf der Schicht 25 wird dann wieder eine für Strahlung durchlSssige, erhfirtende, vQr&ügüwels-e-'biegsaae Kunststoff schicht 11 ariciebracht, die z.B. aus Polyurethan mit einer Dicke von etwa 50/um be&teht. V-
- Nach trhSrten der Schicht 11 wird die Xornschicht durch Lösung der üelatineschicht 7 in Was3er von dem. Träger enifernt, v/odurch auf der Seite des Trägers die Körnerteiio frei wertien. Auf der freien Seite der Kernschicht v/ird eine'"ö'a se nt ladung; durchsei Uhr t
_ 141-ß 14235 PHH.1461
lind (siehe Fig. 8) eine ilektrodenschicht 13 durch Aufdampfen einer et»·,» 5OQO X dicken'IndiuaiBchicht angebracht; diese Klektrodenschicht 13 stellt mit den Körnern einen chasch-n Kontakt her.
Auf diese »-.eise wird (sieh £±£. 6) eine Sonnenhelle erhalten, die auch die J&'oriu eines biegsamen Bozens hat, wobei eine otranlung 26 durch die für Strahlung durchiSasige Kunststoffschicht -
11 und durch die für strahlung durohlBaeige Kupferechicht 25 auf den
. gleichrichtenden Kupfer-Cadmiumsulfid-Kontakt einfallen kann. Auf der Elektrodenschicht 13 und auf einem von der Schicht 11 freien Teil 14 der £lektroden3chicht (3,.25)" können Kontakte angebracht · werden, denen die von der einfallenden Strahlung hervorgerufene " Photospannung entnommen werden kann.
j£a wird einleuchten, daea-die lirfindung uich nicht 'auf die vorstehend beuchriebenen AuafUhrungsformen be&c:iränkt und dass dem Pa'chmann innerhalb des Kahmene aer Erfindung viele Abarten möglich sind. Unter Umständen kann: Ä&n von einer Kornschicht auegehen, .bei der die Körner nicht üub dvta Füllstoff herauaragen, in welchem falle beim üelben. gleichzeitig mit auf den Körnern liegenden Teilen der ülektrodenschicht auch der darunter liegende Füllstoff entfernt-wird.' Da in dieaem Falle die verbleibenden Seile der iälektrodenschicht keinen Kontakt mit den Körnern mehr aachen ist es notwendig, eine zweite ilektrcdenschicht auf der betreffenden beite der kernschicht ^ei^iias dem zweiten AusführiÄgsbeispiel anzubringen, ötatt iihotowiderstünde und Photozellen können Llektrodensysteme mit Kornechichten hergestellt werden, welche Injektionarekoaibinationsstrahlung unter der nirkunf einer angelegten Spannung auasentien können, ferner können Körner aus anderen materialien als Cadmiumsuliid verwendet werden, die ausserdem in Abhängigkeit von der An-
0098357 0470 ^^ bad original
J614235
wendung des eielctrüäensyateffiß nicht phötifeitend zu sein brauchen,
B^B. zur Herstellung von Dioden, Kondensatoren, Boiotaetern( nicht-
linearrn Widerstünden, u.dgl. WIs gesagt, können auch Mlllstolfe aus jjaiiii anderen 4üateri«lien verwendet werden, z.B. epoxyharze oder photo-erhlirtende Lücke, Je nach der AnAendung anä der zur Bildung der
Kornschlcht bn^e»vandteη Technik, v.ährend auch die Abdeckeohiuht 11 (siehe Jr1Ig. 2, 7, 8) nicht nur'aus Polyurethan s.B.
• -
■auch aus aiethylaetacrylat oder einem anderen für btrahlung durch— lSüiritieh oder nicht 'durchlässigen, erhürtenden iiunatstolf bestehen
kann. ' :-■-'■' . · ■ ■ "■' ■ ■ " ■"■ ■ : " ; ■ . ; . ■ -
. ■""'-■" unter umatänden kann yorteilhafterweiae die hlektrodenochicht 13 C-Pi^. 3 und 6) weggelassen und durch einen otroip geledener Teilchen z.B, Ionen oder Elektronen ersetzt werden, die auf d*ie Jtorneohicht einfallen und die Ladungsfurderun^ besorgen, Bei der Anwendung de'r Korneqhlcht ala photoleitenden Schicht in der Xerographlt kann ein· Ülektrodenschicht durch eine Gasentladung ersetzt ■' werden, "unx ale photo-leitende Schicht örtlich zu entladen.
6chlleselich kann en für .bestimmte AnAoaaungen er*
wttncicht sein die. Kornschicht nicht v.n dem Trliger 9 zu öntfürnen, In4 welchen Falle vorher zwischen Träger und Kornachicht eine Elektroden« eohicht angebracht aein kann.

Claims (1)

- 1β - 16U235 -Hi..!ιβι dao3 nach dea Abreiben die Kernschicht einem Ionen- oder Elektronenbeschuss ausgesetzt wird. 11. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass nach den Entfernen lediglich der nuf den Körnern vorhandenen Teile der Elektrodenschicht wenigstens auf den freien Körnteilen eine mit der ersten Elektrodenachicht leitend verbundene, zweite Elektrodenachicht angebracht wird. 12« Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, lictao dl« «weite £lektrodenachicht für ίIektro-magnetische Strahlung, * ... · di,e von dtn Körnern -auageaanet werden kann oder für welche die · /turner empfindlich sind, durchlässiger iat als die erste Elektrodenschicht. 1?. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche ρ dadurch gekennzeichnet, dass von einer Kernschicht ausgegangen wird, deren Kürner im wesentlichen aus photo-leitenden Sulfiden und/oder Seltniden von*Cadmium und Zink bestehen, wobei auf den ktJrnern eine ülektrodensohicht angebracht wird, die Indium oder ein· Indiumlegierung enthält. 14. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass bevor eine £lektrodenschicht angebracht wird, die Kornöchicht einen Ionen- oder Llektronenbeochuea unterworfen'wird. 15· . Elektrodensyatem, das durch ein Verfahren nach vines oder mehreren der vorhergehenden*Ansprüche hergestellt ist. 009 835/0478 BAD original teersei te ab3tanc.;es der Kornschicht beträgt. ' i. Verfahren nach Anspruch X9 dadurch gekennzeichnet, dass, die Kornschicht mit IiiIiβ eines Reibmittel*; abgerieben wird, dessen Körner einen Durchmesser haben, der erheblich ^ringer ist ala der Eiittlere Korndurchaesser-der Kornachicht, wobei das Reibmittel auf einem Träger angebracht ist. 5. Verfahren nach Anspruch -X9 dadurch gekennzeichnet, dasu ein-Reibmittel verwendet wird, dessen Korhdurchmebüer weniger ala ein Fünftel, vorpu^siAeiee weniger als ein-üehntel deö mittleren Korndurchmeasers der Kornuchieht betragt. 6 Vorfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass.von einer Kurnschicht ausgegangen v.ird, deren Körner, auf, der Seite der Elektrodenschicht aus de/ü Füllstoff horauaragen. 7. , Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekannzeichnet, · dass von einer kornsohioht auegegan^en wird, die durch Einbetten \ der körner in einen erhärtenden Füllstoff erhalten ist, der sich ,· zwischen den Körnern zusammenzieht wobei Kornteile von dem Füllstoff befreit werden. ti» Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet^ dass Körner verwendet werden,-die aus Cad^iumsulfid bestehen, wa'hrend der Füllstoff-aus Polyurethan besteht. 9. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 6 ■bio B, dadurch gekennzeichnet, daaa durch das Abreiben Oeffnungen in der auf den Körnern liegenden Teilen der xvlöktrodenschicht &ea;ac!r werden, wobei der Kontakt zwiscnen. der Eloktrodeiibchicht und den Kürnern beibehalten v.ird ., ■■-."■..· 10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch ^ eke mis e lehnet-, 009835/0478 BAD ORIGINAL ig - _ ■-'.;.; T6T423S
1. Verfahren aur Herstellung β ines iSlektrödensysteBs mit einer Korneehicht z.B. einer halbleltenden Kernschicht mit nahezu der Dicke eines Korns, deren Körner in einen isolierenden füllstoff eingebettet alnd, auf welcher Kornschicht aindeetens «ine dit den Körnern «inen Kontakt herstellende iileirfcrodenscliieht ati^ebracht iait,
die auo «inem üuater misammenhöngender, elektrie;^ gut leitender Gebiete zwischen den Körnern auf dem FUllütoff und elektrisch mtietena weniger gut lettender Otbiete auf deri Körnern besteht» wobei tu« Horetellen 4iee^r üiektrodenschicht auf der KorBBchicnt; eine zueaaüfieÄ hilnoende, ununterbrochene, elektrisch.gut leitende; iiiektrodeiischicht angebracht wird,, worauf auf den Körnern vorhandene Teile der ülektrodenschicht selektiv entfernt" werden, dadurch gekennzeichnet, das« von einer Kornschicht ausgegangen wird, deren ^üll^torf B*ischen den Körnern eine üickö hat, die erheblich geringer ale die mittlere Jiorndicke ist, wodurch die Kornschicht wenigstens auf einer pelte awieohen den Körnern Senkungen'aufweist und dasa die Kornechioht auf dieser Leite mit einer elektrisch gut leitenden tlektrodenachicht ' überzogen wird, worauf durch Abreiben der Kernschicht auf dieser Seite wegen der Senkungen zwischen der; Körnern lediglich auf den KftTnexn rorhandene ielle der Elektrodenechicht entfernt werden.
2, Verfahren nach Anspruch 1, dadurcn g^kennieichiietr ; dass die Kernschicht mit Hilfe eines Ke ibiiiit te la angerieben wird, ; dessen Körner einen iiurchmesser haben, der ^rCseer Ist als der mittlere ftbstand zwischen den Körnern der Schicht, ao daäc üie üen Boden der Srenktingeir'nicht erreichen können. V"
?. ' -Verfahren naeh Amcprüch- 2f. d&ÜvreW ^keitiizkixäiiiet, dacs ein. üeiböitte1 verwendet wird,; deuoenι Äörnferehmeüaer fefef als das Zweifache xm<$ weniger al& daea Fünffache aätt-m&ttieren Kci
BAD
DE19671614235 1966-04-14 1967-04-11 Elektrodensystem,insbesondere Halbleiter-Elektrodensystem und Verfahren zu seiner Herstellung Pending DE1614235A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL6604959A NL6604959A (de) 1966-04-14 1966-04-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1614235A1 true DE1614235A1 (de) 1970-08-27

Family

ID=19796277

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19671614235 Pending DE1614235A1 (de) 1966-04-14 1967-04-11 Elektrodensystem,insbesondere Halbleiter-Elektrodensystem und Verfahren zu seiner Herstellung

Country Status (14)

Country Link
US (1) US3620832A (de)
JP (1) JPS4527028B1 (de)
AT (1) AT269238B (de)
BE (1) BE697072A (de)
CH (1) CH499184A (de)
DE (1) DE1614235A1 (de)
ES (1) ES339178A1 (de)
FR (1) FR1519071A (de)
GB (1) GB1186074A (de)
IL (1) IL27769A (de)
NL (1) NL6604959A (de)
NO (1) NO121223B (de)
OA (1) OA02586A (de)
SE (1) SE333025B (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1444951A (en) * 1973-06-18 1976-08-04 Mullard Ltd Electronic solid state devices
US4107724A (en) * 1974-12-17 1978-08-15 U.S. Philips Corporation Surface controlled field effect solid state device
US4728581A (en) * 1986-10-14 1988-03-01 Rca Corporation Electroluminescent device and a method of making same
DE8814637U1 (de) * 1987-12-16 1989-03-02 Reiling, Karl, 7535 Königsbach-Stein Schleifkörper
JP3156878B2 (ja) * 1992-04-30 2001-04-16 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
US6642656B2 (en) * 2000-03-28 2003-11-04 Ngk Insulators, Ltd. Corrosion-resistant alumina member and arc tube for high-intensity discharge lamp

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2201196A (en) * 1939-06-27 1940-05-21 Carborundum Co Manufacture of granular coated materials
NL85290C (de) * 1951-10-04
US3031344A (en) * 1957-08-08 1962-04-24 Radio Ind Inc Production of electrical printed circuits
US2904613A (en) * 1957-08-26 1959-09-15 Hoffman Electronics Corp Large area solar energy converter and method for making the same
US3108021A (en) * 1961-06-12 1963-10-22 Int Rectifier Corp Cadmium sulfide photo-cell

Also Published As

Publication number Publication date
ES339178A1 (es) 1968-04-16
IL27769A (en) 1971-01-28
JPS4527028B1 (de) 1970-09-04
NO121223B (de) 1971-02-01
FR1519071A (fr) 1968-03-29
AT269238B (de) 1969-03-10
OA02586A (fr) 1970-05-05
SE333025B (de) 1971-03-01
GB1186074A (en) 1970-04-02
NL6604959A (de) 1967-10-16
BE697072A (de) 1967-10-16
CH499184A (de) 1970-11-15
US3620832A (en) 1971-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1639152C3 (de) Sonnenzellenbattene und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2659604A1 (de) Substrat fuer miniaturisierte schaltungsvorrichtungen und verfahren zur herstellung solcher vorrichtungen
DE2631881A1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung
DE1521625A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstueckchen kleiner raeumlicher Abmessungen
DE1302727C2 (de) Verfahren zum herstellen einer mit wenigstens einer elektrode versehenen kornschicht, vorzugsweise fuer halbleiterbauelemente
DE1621761C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer ein Korn dicken, aus in einen Füllstoff eingebetteten Körnern aus Halbleitermaterial bestehenden Schicht
DE1614235A1 (de) Elektrodensystem,insbesondere Halbleiter-Elektrodensystem und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1621761B2 (de) Verfahren zur Herstellung einer ein Korn dicken, aus in einen Füllstoff eingebetteten Körnern aus Halbleitermaterial bestehenden Schicht
DE1564424A1 (de) Sandwichfoermiges Elektrodensystem,insbesondere Halbleiterelektrodensystem,und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2253830C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle und Solarzellenbatterie
DE3339417A1 (de) Kontaktierungssystem fuer duennschicht-solarzellen
DE1246898B (de) Verfahren zum Herstellen eines metallischen duennen Gitters fuer elektronische Festkoerperbauelemente
DE2337672B2 (de) Verfahren zur elektroosmotischen Verfestigung toniger Böden
DE2002404A1 (de) Spannungsabhaengige Widerstaende
DE2411619C3 (de) Verfahren zum Beschichten von Gläsern mit einem Antibewuchsmittel aus Kupfer oder einer Kupferlegierung für den Einsatz in Seewasser
DE1596170A1 (de) Elektrode fuer sekundaere Elemente
AT140155B (de) Lichtelektrische Zellen und Verfahren zur Herstellung derselben.
DE25623C (de) Nicht polarisirendes Element
Brakensiek et al. Landwirtschaft und Klima.
DE1789065B1 (de) Verfahren zur herstellung einer elektrischen vorric htung
EP2852976B1 (de) Verfahren für ein herstellen von verschalteten optoelektronischen bauteilen sowie verschaltete optoelektronische bauteile
Wiesener et al. Röntgenographische und rasterelektronen-mikroskopische untersuchungen an positiven elektroden von bleiakkumulatoren
DE2306059B2 (de) Verfahren zur herstellung eines elektrodensystems
Stuckert Propter Christum
DE2325723C3 (de) Verfahren zur Bildung einer Kupfersulfidschicht auf einer Kadmiumsulfidschicht bei der Herstellung einer Sperrschicht-Photo zelle