DE1564424A1 - Sandwichfoermiges Elektrodensystem,insbesondere Halbleiterelektrodensystem,und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Sandwichfoermiges Elektrodensystem,insbesondere Halbleiterelektrodensystem,und Verfahren zu seiner Herstellung

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DE1564424A1 DE1966N0028946 DEN0028946A DE1564424A1 DE 1564424 A1 DE1564424 A1 DE 1564424A1 DE 1966N0028946 DE1966N0028946 DE 1966N0028946 DE N0028946 A DEN0028946 A DE N0028946A DE 1564424 A1 DE1564424 A1 DE 1564424A1
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Description

Dipl.-lng. ERICH E. WALTHER 1564424 Kts/OVn
Patentanwalt
Anmelder: H. V. PH;LI?3' CLOE.LAMPEMFABRIEKEH
Akte: "PTTN- V?O
Anmeldung vom. ?n. Juli 1 1^
"Sandwichförmiges Elektrodensystem, insbesondere Halbleiteralektrodensystem, und Verfahren zu seiner Herstellung"
Dia Erfindung bezieht sich auf ein sandwiohförmig aufgebautes Elektrodensystem, das eine zwischen zwei Elektroden angebrachte Kornschicht, insbesondere eine Halbleiterkornschicht, enthält, die praktisch ein Korn dick ist, und wenigstens auf einem 5 Teil der Schichtdicke einen elektrisch isolierenden Füllstoff in
i£> den Zwischenräumen zwischen den Körnern enthält, während mindestens
co .
ro eine der Elektroden eine Elektrodenschicht ist) die für Strahlung
"**» durchlässig ist. Diese Strahlung kann entweder elektromagnetischer
^ oder korpuskularer Art sein.
10 Die Erfindung betrifft weiter Verfahren zur Herstellung
eines aolchen Elektrodensystem^·
Elektrodensystem» der vorliegenden Art kommen unter anderem in Betracht für Anwendung in Strahluigsnachweisgeräten, bei denen Strahlungsenergie auf eine photoempfindliche Schicht trifft und in dieser elektrischen Spannungsdifferenzen oder Impedanzdifferenzen herbeiführt» die mittels auf der Schicht angebrachter Elektroden, von denen mindestens eine für die einfallende Strahlung durchlässig sein euss, abgenommen werden. Auch bei einer Umwandlung von Strahlungeenergie in elektrische Energie, wie sie ua. y»\ sogenannten Sonnenbatterien erfolgt, lassen sich solche Elektrodensysteme anwenden.
Ein anderes Anwendungegebiet für Vorrichtungen nach der Erfindung besteht in der Umwandlung elektrischer Energie in Strahlungsenergie, wie dies z.B. durch Hekombinatimestrahlung in pn-Uebergängen in Halbleitern, durch Elektrolumineszenz, usw. erfolgen kann.
In all diesen Fällen ist ee vorteilhaft, Kornechichten zu verwenden, die praktisch nur ein Kern dick sind, weil dabei die UebergangswiderstMnde zwischen den Körnern vermieden werden und ausserdem der Wirkungsgrad infolge des Fehlens von durch andere Körner gegen Strahlung abgeschirmten Körnern ,sowie las Verhältnis zwischen 3ewicht und Materialverbrauch einsrf;e;ts und wirksamer Oberfläche andererseits möglichst günstig sind.
Bei solchen Elektrodeneysteae tritt die Schwierigkeit auf, dass auf der empfindlichen bzw. wirksamen Schicht mindestens eine Elektrode zur Stromzuleitung oder Stromableitung angebracht werden muss, die zwei entgegengesetzte Anforderungen erfüllen muss, nämlich, dass sie einerseits einen geringen seitlichen elektrischen Widerstand aufweisen muss und andererseits dennoch die in die Schicht
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BAD
einfallende bzw. aus ihr austretende Strahlung nicht oder nahezu nicht hindern darf·
Es eind Versuche angestellt worden, dieseβ Problem dadurch «u lösen, dasβ Materialien benutzt wurden, die eine ausreichend· Durchlässigkeit für die verwendete Strahlung, aber gleichseitig «ine erhebliche elektrische Leitfähigkeit aufweisen. Der Nachteil solcher Lösungen ist, dass die Wahl von Materialien, wie z.B. IndiuBOxyd und Zinnoxyd, beschränkt ist, während ausserdem die elektrische Leitfähigkeit dieser Materialien, wenn auch .in bestimmten Fällen brauchbar, dennoch fm allgemeinen erheblich niedriger ale die der üblicherweise für die Elektroden benutzten Metalle iet. Sine andere Möglichkeit ist die Verwendung von Tfetall-8chichten} die so dünn sind, daea die benutzte Strahlung nur sehr wenig absorbiert wird. Dabei wird jedoch bei Elektrodenoberflächen nit nicht sehr kleiner Auedehnung der seitliche Wideretand unzulässig hoch. Ausserdea kann die geringe mechanische Festigkeit solcher dünnen Elektroden ein Kachteil sein.
Die Erfindung beruht u.a. auf der Erkenntnis, dass die erwähnten Bit bekennten LBsungen verknüpften Nachteile dadurch behoben «erden kBnnen, dass eine Elektrodenschicht Bit inhomogenem Aufbau« in de* Sinne( dass die auf den Körnern befindlichen Teile für die verwendete Strahlung gut durchlässig sind, während die cwisehen den Körnern euf dem Füllstoff befindlichen Teile stärker leitend und wealger durchlässig eind, angebracht wird·
Deshalb-ist ein Elektrodeneyntein, insbesondere ein halbleitendee Elektrodensystem der «ingange bAechriebenen Art nach der Erfindung dadurch gekennieiehnet, dase die für Strahlung durch« er* Slektr^^nsehi^ht am «»inen·. 5\:ster v<?n ffitoinanier
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ORiGiNAL
, für die Strahlung weniger durchlÄsalgen, «!UkWiteh | besser leitenden Teilen und mehr durcnlfteelgftii, elektrischÜi
Tf ilen beoteht, vobel dt« ivn
r. mehr lurcblKBsigen Teilen auf den K8rne.ro «Hid dif »ur
rtroissuführung ?.u liefen wehr durch!Saeigen "MX«« weniger durchlHi *ig«n, elektrisch b«eß«r leitfcnden ViUtIl lh 4*n Zw; .^cLenrSunxn awiech«« den Körnern ftUf dem Willtoff «nfebraolrt
Ee eoi: ben%chdruokt werben, das· unter Ünetlnden dl·' tr ' i- E'. s'trode <1..uch einen Strom gelt<lem»r Teilchen^ ifi· tonen -.;·■;· ?!..·>♦.-^ r..*,-f g»>iilrfe-t werden kann, veiche Te Hohe*» auf die
' ι» i
K-:ri.nchi.cb' κ,-Γ tr-« f f^n -*/vJ das Ledunge transport' Te r sorgen*
"■•^ ir d*r £eschlldert«n Weise sueMMMiltfllltit· tltk tr 1VnXCh- ;!;> ;,..·'. gfj-ft-de zur 7erwenf'ung «uf nur «in Korn dicken K ■·':·-. Lichter ί :;βΙ-";κ r,riero geeignet, weil sich in diesem Fall» v.. :\»-r ^n K'drnerr. k<eJr> i-hotcecpf ΙηΊΤ i cfcee b*¥. photo·* ti te· K*-■■■··;. ι: '-'L-fin 1Pt, β.- daea !ort praktisch ohne Herabeetsunf d·· *f:; ·(·■;. -.^jgr· ^i>-« «rfcrier 1 i -5he»f al 1 β undur chi Seeige· Elektrodens'.Vri-i] ttnu*.7.t wurden kann, wiixrend in den Teilen der Schicht auf .'.#n rdrnerr ie:· "DurchlSaeigkei t besondere4 ae * werden k&nn>
Di>» erxSgiicht ··, fOr die
durchsichtige Elek*roden«aterialien, wie s.B. IndliwoajNtt^A· ozj-d, zu verwenden, wehrend für iIe besser leitend·«, .iiÄlj|»r dliröh-;' '
lässigen Teilen i.B. eine Ni Uli »chic ht alt niedrliei^-pkllfi- '' ' sehea Wideretand benutst werden kann, wob·!
Schichten gleich dlok Min können.
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Vortugeweieejjedoch «rgibt aich di® Pifferens in Durchlässigkeit und Leitfähigkeit wenigstens feüweiee dadu?eh, dass die zum Strahlungedurchlaes bestimmton feilen. &us Teilen der Elektrodenechicht uad die sur Stron»ufiita«s "Peilen aus diokeren Teilen der KLektrcdenechickt bestöh
Die dünnen und dicken Schic-httoile kBrjj.e» schiedenen Materialien mit gegebenenfalls verschiedene? läseigkeit und/oder Leitfähigkeit 'Bestekea* Gründen kann es jedoch manchmal sswecteleslg eaia«, di» dickeren Teile der Slektrodeneofeicht aus dem gleisjfeea Materi&l ■usteilen*
■ Die Brfindiing kann au? SsMeiitQE /«»©»d^üsg fiiaisa0 Am Κδϊ*η#ι- -Λ". Ui&h'BueÄiwDtngeeintert .xaid teilweis© okarsfe ais FEIllrsltta ei.Einander verbunden eind» ¥ors5KgsHeies firsfitt die Irfiadsig Kornechichten Anvendungy dl« diirsii Κοϊέ«? /sr-fc-il.dsü ii9?döa9 ö-i eines elektrisch praktisch. ίθοΙΙβ^βη&Κί, elß Εϊεκιο stoffes
-aur
forderliohenfall*
aofceß VerttilrkuBgi auf ei'H ι 'Ifvr f ,<-«->
Di* ÄBwenlüßg17 einer Slfck-tr'-iLeRf^sii-ßsiB essl- Ces:- &^ findung iet ir., etatlicfc*?! Vv^riGliturf'öz:·. ϊϊζ^-χ,ί^: ί1©:'. £■·■?£:? <ζ<·2ζιό Strahlung ίκ #ίκ« JCom»cÄicsr.t βίκ- ζΐ}®^ .-««ie i„v-r- AW-'^v-i^r küsr^r. ?··,Γ Die Erflnaune ie* «»a* «vteinÄ«»if für- Ar<"r-":^-::.:^ ?rv "r-.'^i::?a-i:;'·?"'"?;^ die durch -Körner gebildet wTvt>r>.;. di* w:ter irj Vi^'i^r-'vr:;; ίύ«?:· «it di« Elektrod«» gritgtout £jtannunga^^.?;>7*^j*!-- .;i:v·: ■?·""-■' '"?■ r.-s'<f>'.r·ί·';·.;-Γ>ν-StrahlUBg awseeMec k'6tmeet dit ^räi^f ί*ν; ■ ^ . ^;
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bereich liegt, der von mindestens einer der Elektroden durchgelassen werden kann.
In diesen Rahmen fallen mancherlei Formen von Elektro» lumineszenz, bei denen auf an sich bekannte Weise die verwendeten Körner präpariert und mit Kontakten verbunden werden müssen. Insbesondere sei die sogenannte Injektionslumineszenz erwähnt, bei der über die Elektrodensohichten in die Körner Ladungsträger entgegengesetzter Typen injiziert werden, die bei Rekombination Miteinander eine Strahlung aussenden. Qemäss einer anderen bevorzugten Aueführungsform eines Elektrodensystem» nach der Erfindung enthalten die Körner zwischen den Elektrodenschichten einen pn-Uebergang, der unter der Einwirkung einer in der Durchlassrichtung angelegten Spannungsdifferenz eine Rekorabin&tionsstrablung aussenden kann. Obgleich aucfc in a derer Weise, z.B. mit Hilfe von Ma tall-Halbleiter-Kontakten, Injektion und Lumineszenz erzielbar sind, ist die Injektion über einen pn-Uebergang häufig zu bevorzugen.
Las Elektrodensystem kann ferner als eine strahlungsempfindliche Vorrichtung ausgebildet sein, bei der die Kernschicht aus strahlungsempfindlich^ Körnern besteht, die unter der Einwirkung einer Strahlung, die von mindestens einer der Elektroden durchgelassen werden kann, eine Impedanzänderung erfahren können. Solche Vorrichtungen können z.B. als Photowiderstand benutzt werden, in welchem Falle die Körner aus einem photoleitenden Material bestehen. Bei einer anderen Aueführungsform eines solchen Elektrodensystem· nach der Erfindung wird die Kornechicht durch strahlungsempfindlich· Korner gebildet, die zwischen den Elektroden einen pn-Uebergang enthalten* so dass ein· einfallende Strahlung eine Photo-BUK erzeugen kann, wie die» s.B. bei einer Solarbatterie gewüncoht ist, während
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der pn-Uebergasig auch in dter Spesrielitttag ale Photodiode ge Behaltet werden ,kann«
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Kornköpfe durch Aetsen erfolgt, kann die gut leitende
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ohne weiteres auf der Auegangekornechicht angebracht werden. Io allgemeinen empfiehlt es eich jedoch, vor der Anbringung der gut leitenden porösen Elektrodenscbicht auf der Kornschicht mit Füllstoff eine Vorbehandlung durchzuführen, um die selektive Entfernung der gut leitenden Elektrodenechicht vcn den Kornköpfen zu erleichtern. Es kann z.B. auf die freiliegenden Kornteile eine Vor-
behandlung angewandt werden, bei der auf mechanischen oder chemisches Wege die Kornoberfläche aufgerauht wird. Dadurch weist infolge der auf der rauhen Kornoberflache auftretenden "Schattenwirkungen" der Unebenheiten die nachher z.B. durch Aufdampfen aufgebrachte gut leitende Elektrodenechicht auf den Körnern eine stärkere Porosität als auf dem Füllstoff. Infolgedessen kann beim Nachfolgenden Acts-
Vorgang die Aetzflüssigkeit die Körner leichter erreichen, wodurch die selektive Beseitigung der Elektrodenschicht von den Körnern gefördert wird.
Auch kann die erwähnte Vorbehandlung darin bestehen, da83 auf den Körnern eine Schicht gebildet wird, die aus einem Material besteht, das von Aetzmittel selektiv entfernt werden kann· Dies kann z.B- dadurch erfolgen, dass eine Oberflächenschicht der Körner chemisch in ein durch Aetzen selektiv entfernbares Material umgewandelt wird, oder dadurch, dass z.B. mittels des sogenannten stromlosen Verfahrens ein von einem Aetzmittel leicht selektiv entfernbarer Metallüberzug erzeugt wird. Dies hat den Vorteil, dass bei Verwendung eines Aetzmittela, das zwar die gebildete Oberflächenschicht, jedoch nicht die Körner selbst angreift, die Aetzzeit nicht kritisch ist and das Aetsen fortgesetzt werden kann, bis die freiliegenden Kornteile völlig gereinigt sind.
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Kit besonderem Vorteil kann eine solche Vorbehandlung auf Körner angewandt werden, die aua einem Sulfid bestehen, wobei die freien Kornteile auf chemischem Wege an der Oberfläche in Schwefel umgewandelt werden.
Ein anderes Verfahren zur Herstellung eines Elektrodensystems nach der Erfindung benutzt photograph!eche Techniken und ist dadurch gekennzeichnet, dass das erwähnte Muster in der durchlässigen 3lektrod*nschicht unter Verwendung eines Photoabdeckverfahrens gebildet wird, bei dem auf eine Seite der Kernschicht mit Füllstoff, aus dem die Körner teilweise herausragen, eine Photoabdecklackschicht aufgebracht wird, die in einem Spektralbereich empfindlich ist, in dem dia Körner und der Füllstoff unterschiedliche Durchlässigkeiten aufweisen, wobei durch Belichtung über die andere Seite der Kernschicht die Photoabdecklacksohicht infolge der erwähnten DurchlSssigk"*itsdifferenz selektiv gehärtet oder lösbar gemacht wird in einem J*jBter, das iem zu erzeugenden Muster in der Elektrodenechicht entapricht.
Es sei bemerkt, dass unter einem Photoabdecklack die bo; Ph vtoaMeckvarfahren üblichen photoehemiachen Stoffen verstanden werden. Man unterscheidet dabei »wischen einem negativen Photoabdecklack, i«r duroh einor» photochemisohen Prozess selektiv an den beiitrahl t«n Stellen gehärtet und im zugehörigen Entwickler unlöslich gemacht wird, jedoch an den unbestrahlten Stollen löslich bleibt, und einem positiven Photoabdeoklack, der durch einen photochemisehen Pro- ΤιβΒΊ an den bestrahlten Stellen selektiv im zugehörigen Entwickler löslich wird und an den unbestrahlten Stellen unlöslich bleibt»
Ein solches Verfahren kann selbstverständlich nur in den Fällen Anwandung finden, in denen für den Wellenlängenbereich, inner-
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halb dessen der verwendete Photoabdesklack härtbar ist, ein wesentlicher Durchlässigkaiteunterschied zwischen Körnern und Füllstoff besteht, vorzugsweise derart, dass is Spektralbereich, für den der Photoabdecklack empfindlich ist, die Körner weniger durchlässig sind als der zwischen ihnen befindliche Füllstoff.
Es gibt verschiedene Möglichkeiten der Anwendung dieses Fhoto^bdeckverfahrens.
Gemäse einer ersten bevorzugten Ausführungeform wird diases Photoabdeckverfahren 30 angewandt, dass auf die Kornachicht an ier Seite der freiliegenden Xornteile eine positive Pbotoabdecklackschicht aufgebracht wird, dass durch Belichtung von der anderen Seite her diese Photoabdecklackaehicht gemäse dem erwähnten Muster zwischen den Körnern selektiv in einem Entwickler löslich wird, dasa dann diese löslichen Teile der Photoabdacklackßobicht mittel« eines Entwickelvorgangs entfernt werden, dasa danach über dem Ganzen eine gut leitende poröee ElektrodenscLicht angeoracht wird, wonach diese Schicht ir.it einer Flüssigkeit in Berührung georacht wird, die durch die Poren iringt uni die Eigenschaft hat, nicht im Entwickler lösliche T»il9 der Photoabdecklackschicht zu Ionen, se dass diese auf den Körnern befindlichen Teile der Phctoabiecklackschicht zusammen mit der auf ihnen befindlichen Elektrodenacnieht entfernt werden können, wonach wenigstens auf den Körnern eine für die Strahlung mehr durchlässige, weniger gut leitende Elektrod^nachicht angebracht wird.
Gemäss einer zweiten bevorzugten Ausführungsform des Photoabieckverfahrens kann die durchlässige Elektroienschicht bereits anfangs angebracht werden. Deshalb wird geniäas einer anderen bevorzugten AusfÜhrungsform das Verfahren nach der Erfindung derart durchgeführt, dass auf der Kornschicht an der Seite der freiliegenden „..,-
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Kornteile eine für die Strahlung durchlässige, mit den Körnern einen elektrisch guten Kontakt machende Elektrodenschicht aufgebracht wird, dass auf dieser Elektrodenschicht eine positive Photoabdecklackechicht angebracht wird, dass dann durch Belichtung durch die durchlässige Elektrodenechicht hindurch dieser Phο toabdecklack zwischen den Körnern
selektiv in einem Entwickler löslich gemacht wird, wonach diese leile der Photoabdecklackschicht mittels eines Entwickelverfahrene entfernt werden, dass dann über dean Ganzen eine gut leitende, weniger durchlässige, poröse Elektrodenschicht angebracht wird, wonach diese Schicht nit einer Flüssigkeit in Berührung gebracht wird, die durch die Poren dringt und die Eigenschaft hat, die nicht im Entwickler löslichen Teile der Photoabdecklackechicht zu lösen, so dass die auf den Körnern befindlichen 1PeUe der Photoabdecklackschicht zusammen mit der auf ihnen befiniMchen gutleitenden ilektrodenschicht entfernt werden können.
OeniSss einer dritten bevorzugten Ausführungeform des
Photoabdeckverfahrens wird dieses so durchgeführt, dass auf der Kornechichti an der Seite der freiliegenden Kernteile eine Schicht aus einem negativen Photoabiecklack angebracht wird, dass durch Belichtung über die ander« Seite diese Photoabdecklaokschicht zwischen den Körnern selektiv gehärtet wird, dass dann auf der Pfcotoabdecklackechicht eine gut leitende poröse Elektrcdenschisht angebracht wird, . wonach diese Elektrodenschicht oit einer Flüssigkeit in Berührung gebracht wird, die durch die Poren dringt and durch die mittels eines Entwiekelvorgange8 die auf den Körnern befindlichen ungehärteten Teile der Phritoabdesklackeehicht mit der auf ihnen befindlichen gut leitenden Elektrcdenschicht entfernt werden, wonach wenigstens1auf d*n Körnern eine für die Strahlung stärker durchlässige, mit den
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Körnern einen elektrischen guten Kontakt machende , veniger gut ',
leitende Elektrodenschicht angebracht wird, die sich an die erst·, auf dem gehärteten Photoabdecklack befindliche, gut leitende, weniger durchlässige Schicht anschliesst.
Die durchlässige weniger gut leitende Elektrodeneohicht kann auf verschiedene Weisen angebracht werden, e.B. durch Aufdampfen» aber ea ist auch möglich, anders zu verfahren« Zu diesen Zweck wird geraäns einer bevorzugten Aueführungeform des Verfahrene nach der Erfindung lie für >iie Strahlung durchlässige, weniger gut leitende Elektrodenschicht auf den Körnern durch chemische Umwandlung ihrer Oberfl Sehen schicht in ein« aus einem elektrisch !«itonien Material bestehende Schicht hergestellt. Hierdurch wird eoroit die durchlässig« Eiektrodenechicht eeliktiv auf den Körnern angebrecht.
ΤΗ·* Aueführungflform des FleVtrodenaysteniB nach der Erfindung, er.vie ü· Verfahren ier Erfindung oin<i} vi» bereit« erwähnt, -it besonderem Vorteil auf kleine KorndurcVin*€seer anwendbar, 2.?. auf Schichten mit einem mittleren Korndurchmester von weniger «Ic 100 μα oder sogar als 50 poi; obgleich sie nicht »uf einen derartigen kleinen Durchmesser beschränkt sind*
-*pi iri+tols «i-ea ( 3«r rv^rer^r '«τ Υ-»ηΓΥ.ζ-ί*λ-**Γ*ι·. Verfahr*·η herg*- r.+«rt k'rdfr. ist.
Auafübrungtbeipjiiele der Erfir.iiir^ bird ir. den Zeichnungen J&;-y-- *i|1-lt und verier in· f rl gen-*** rShe:· ϊ·*α-}.ι leben. -Ee 7c>
. Fit- 1 I Jf PrHufeicht schematiech ein BeiBj-iel Ξ1»'- *.i- ler.tyfctor-L' räch *iv Erfir-lungj
Fig· 2 ecbenatisch ein?!, 1"r.^: ic-r linie TT-TT der Figur 1- £»r':h-**r 2:hr'Ai i·.. ch dieeeo El »V *v 'er ■-'.<; ·. +»-m j
0Ö9 8 20/U11 ... .^..,,V1*.
Die Figuren .3, 4 und 5 im Querschnitt schematisch ein Beiapi«! eines Elektrodeneystems nach «Jer Erfindung in aufeinanderfolgenden Stufen der Herstellung} - '
Die Figur«n 6 und 7 ins Querschnitt schematisch ein anderes Beispiel eines ElektrodeneyeteniB nach der Erfindung in aufeinanderfolgenden Herete11ungsstufen}
Die Figuren 8 u«d 9 im Querschnitt scheroatiech ein drittes Beispiel eineB Elektredeneyetems nach der Erfindung in aufeinanderfolgenden HerL-tellunfieatufen;
Die Figuren 10 und 1M im Querschnitt schematisch ein · viertes Beispiel eires Elektrodensystemeβ nach der Erfindung in aufeinanderfolgenden. Her&te1lungsetufen}
Die Figiaien 12, 13 und 14 im Querschnitt echematisch ein fünftes Beispiel einee Elektrodeney3tems nach der Erfindung in aufeinanderfolgenden Heretelluiigsstufen»
Ein Beispiel einea sandwichförmigen ElektrodeneyBteros nach der Erfindung ist in Fig. 1 in der Draufsicht und in Fig. 2 im länge der Linie TJ-II der Fig. 1 geführten Schnitt dargestellt. Dabei ist von einer ein Korn dicken Schicht ausgegangen, die aus Körnern 1 aus beispielsweise photoleitendem Kadmiumsulfid mit einer mittleren Dioke von z.B. 30 μπι besteht und mittels eines elektrisch praktisch isolierenden Binders 2, der z.B. auβ einem Epoxydharz oder einem gehärteten Photoabdecklack besteht, zusammenhängt· Der Binder 2 erstreckt eich mir auf einem Teil der Schichtdicke, so dass Teile der Körner 1 an beiden Seiten der Schicht aus dem Binder herausragen, wodurch •ine Kontaktierung mit den ElektrodenscMohtm (3) und (4,5) ermöglicht wird. Die Kornschicht ist dabei auf einer Seite durch «ine verhältniemäeeig dicke Elektrodenechicht 3, z.B. eine Indiumschicht mit
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einer Dicke von etwa 0,3 μιη, bedeckt. Auf der anderen Seite iet die Kernschicht mit einer zum Strahlungedurchlasa im sichtbaren Teil dee Spektrums bestimmten Elektrodenachicht (4,5/ bedeckt. Zu diesem Zweck besteht gemäes der Erfindung diese Elektrodenschicht (4,5) aus besser leitenden, weniger durchlässigen, miteinander zusammenhängenden Teilen 4 auf dem Füllstoff 2 zwischen den Körnern 1 und weniger leitenden, mehr durchläseigen Teilen 5 auf" den Körnern.
Dabei können z.B. die Teilen 4 durch eine 0,1 μπ> dicke Gcldschicht mit einem Schichtwiderstand von etwa 0,24 ß pro Quadrat und einer Absorption von etwa 99»5 % für Strahlung mit einer Wellenlange von 500C X gebildet werden. Die Teilen 5 können z.B. lurch eine 100 X dicke Kupfersohicht mit einem Schichtwiderstand von etwa 1,7 C pro Quadrat und einer Absorption von etwa 45 % für Strahlung mit einer Wellenlänge von 50C0 X gebildet werden.
Das Zusammensetzungsmueter der strahlungsdurchlSssigen Elektrodenschicht geht auch aus der Draufsicht (Fig. 1) hervor, die zeigt, wie die besser leitenden Teilen 4 miteinander zusammenhängen, so dass sie zur Stromzuführung zu den beseer durchläseigen Teilen 5 dienen können.
Die Schichtteile 4 und 5 können völlig aus verschiedenen Materialien bestehen, wobei z.B. die Schichtteile 5 aus Kupfer selektiv nur auf den freiliegenden Teilen der Körner 1 angebracht sein können. Eb ist jedoch bei der Herstellung einfacher und aueserdem unbedenklich, die zum Strahlungsdurchlass bestimmte meist dünnere Schickt 5 auf der ganzen Oberfläche der Kornschicht (1,2) anzubringen, so dass mithin die dickeren Schichtteile 4 beim vorliegenden Beispiel aus einer Auf einander schichtung der ursprünglichen C,1 μπ> dicken Goldachicht und der 100 X dicken Kupferechicht bestehen können.
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Im Falle eines Photowideretandes können die Körner z.B. aus einem praktisch homogenen !Cadmiumsulfid' mit hohem Dunkelwiderstand bestehen, das z.B. mit etwa 10 Gew.% Kupfer und Gallium aktiviert ist. Die Zusammensetzung und die Anbringungsweise der Elektrodenschichten 3 und (4,5) können dabei in an eich bekannter Weise so gewählt werden, dass sie praktisch ohmeche Verbindungen mit den zwischenliegenden Körnern 1 bilden.
Eine Kornschicht mit Gleichrichtereigenschaften, die z.B. ale Sonnenzelte, Photodiode oder Strahlungsquelle Verwendung finden kann, ist dadurch erzielbar, dass eine der beiden Elektrodenschichten 3 und (4,5) BO gewählt wird, daee sie einen gleichrichtenden Uebergang mit dem Korn bildet, z.B. nach Eindiffusion des Elektrodenmaterial, oder dadurch, dass eine Kornschicht Anwendung findet, bei der die Körner 1 zwischen diesen Elektroden (4,5) und 3 einen pn-Uebergang enthalten, wie dies in Fig. 2 durch die gestrichelte Linie 6 angegeben ist. Der Uebergang b kann auch die Grenze zwischen drei Gebieten vom gleichen Leitungetyp » jedoch mit unterschiedlichem spezifischem Widerstand bilden, wenn eine der Elektroden eine gleichrichtende Verbindung bildet. Sin einschlägiges Beispiel wird nachstehend eingehender beschrieben.
Die Kornschicht (1,2) mit den Elektroden 3 und (4,5) kann freitragend sein oder aber auf einem Träger 7 angebracht sein, der in Figur 2 durch eine gestrichelte Linie angegeben ist.
Nunmehr werden ausführlicher einige Beispiele von Verfahren nach der Erfindung zur Herstellung der vorerwähnten Elektrodensyeteme beschrieben.
Bei dem nachstehend zu beschreibenden Beispielen I bis V wird jedesmal vor. einer Kornschicht ausgegangen, die derjenigen der Fig. 1 enti:j-ri?ht, wer.n von dieser die Elektroden 3 und '4,5J weggelassen werden,
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Eine solche ein Korn dicke Schicht, die als Ausgangsprodukt für die nachstehend zu beschreibenden Verfahren nach der Erfindung betrachtet werden kann, kann z.B. in der nach- v stehenden V/eise, wie dies unter anderem in der gleichzeitig eingereichten Patentanmeldung "Elektrodensystem, insbesondere halbleitendes Elektrodensystem, und Verfahren zu seiner Herstellung", meine Akte PHN-930, beschrieben worden ist, erhalten werden. Auf einem durchsichtigen Träger, z.B. einer Glas-
e.ines platte, wird eine flüssige Schicht/mit V/psser leicht löslichen
Klebemittels angebracht, z.3. eine Schicht einer Lösung von
100 g Sacharose und 10 g Clucose im 50 era Wasser, der etv/a C, ?g eines Benetzers r»nf der Grundlage veresterter sulfonierter Fettsäuren zugesetzt werden kann. Vor der Anbringung der Klebeschicht w-i^d die Glasplatte vorzugsweise zunächst mit einer dünner., ?.."?. monomolekularen, Lezithinschicht überzogen. Die0ρ fördert nachher das "Kriechen" von Wasser zwischen Glasplatte und Klebeschicht, wodurch die letztere mit erheblicher
Beschleunigung in Lösung geht. Die Klebeschicht wird durch Eintauchen oder sonptv/ie angebracht und kann eine Dicke von etwa 5 /ur. haben, d^e kleiner als die Hälfte des mittleren Korndurchmessers ist.
Auf der nccn flüssigen Klebeschicht werden Kadmiumsulfidkörner mit einem mittleren Korndurchmesser von 30 /um angebracht und, gegebenenfalls unter Druck, in diese Schicht eingebettet, wonach die Schicht getrocknet wird. Dadurch wird die untere Kornschich-t an die Glasplatte geheftet. Nachdem die Klebeschicht getrocknet worden ist, können die losen überflüssigen Körner von der Platte abgeschüttelt oder geblasen werden, so daß eine eir. Korn dick«3 Schicht zurückbleibt. Diese wird mit einer Schicht 'eines negativen Photoabäecklacks, z.B. des im Handel erhältlichen "Kodak Photo Resist" (KPP.), überzogen, deren Dicke mehrere zehn /um beträgt, jedoch kleiner als die mittlere Korndicke ist. Der Photoabdecklack wird dann nach Trocknen durch die Glas-
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platte I I r-.lurc-h im't z.B. nir.f-r H.-n-h';ruck:;uer-ksi] by Ί ViTiJ-e in einer En4f'?rrung von f*wti 20 fm währen: ^iner solcher Zeit, ζ-.B. 1" Minuten, ar.ges+re-hl t, dass der Photoabdecklaokschicht auf Oer ganzen Picke in· den zwischen den Körnern liegvninr. Teilet; gehärtet wird, während durch Abtiorj: tion ir. den Körr-ern 4 '■» Strahlung der. auf den Körrern töfiniVichfin Phc-toabd eck lack rraktiEnh nicht erreicht. Mitte's einen Er, t wickelvcrg»ngee v,-:rd der auf dem Körnern befindliche Photoaldecklack selektiv entferr/t, während zwi^-hen den Körnern der ge-■härtete Phctoabdecklack als Binder zurürkfcleibt.
Die so erhaltene, noch am Träger haftende Kornschicht vrird bei den nachstehend zu erlSuterten Beiarielen ale Auegangeschicht, benutzt. Auf der von Träger abgekehrten Seite ior Korns'-hioh t wir J. mit Hilfe 'der Verf'ihr«n r.ich der Erfindung die atrahlungsdurchlaflsige Elektrodehschicht. 'ir.gebracht. Dann wird die zwischen GIaFflatte und Kornsohicht bfif indl if-he Klebeschicht in Wa&eer gp^öst, wcb^i die l-szithinschicht die T.ödur.g fördert, wodurch die Kordschicht frei1 vom Träger wird. Auf dieser Seite der Kornschicht, aii der Kcrnteila aue dem Binder herausj-agHr·, wir·.] dann «ine zweite Elektrodenschicht, angebracht. Bei&pie-l Γ.
Es wird vor einer mitteln einer Klebewchioht an einen Träger i'f hefte te-, infolge eines Bindere 2 (Fig. 3) zusammenhangenden Kornanhioht (1,2) mit freiliegenden Kornteilen, wie sie im vorptehenden beschrieben wurden, ausgegangen. Die Körner bestehen auB mit etwa 10 Gev.'^ Kupfer und Gallium aktiviertem Kadniumsulfid. Auf dieae Kornschicht wird eine Vorbehandlung angewendet, bei der die Kornechicht (1,2) mit verdünnter Salpetersäure in Berührung gebracht wird. Hierdurch wird in der Aussenechicht 8 der Körner 1 das Kadmiumßulfid in Schwefel umgewandelt, wobei die Oberfläche dieser Schwefel schicht 8
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im Vergleich zu der ursprünglichen glatten Kristallflächen der Kadmiumsulfidkörner und zur angrenzender. P inde rote rf lache rauh ist.
Auf der so zugerichteten Kornachicht wird eine gut leitende joröse Elektrodenschicht 4 an«;e brach*·, z.B. durch Aufdamjfer. einer 0,1 μπι dicken Gcldschicht.
Die ir.it der Goldsehicht 4 überzogene Seite 4er Kernschicht wird nunmehr bei SG C mit einem Aetzmittel in Berührung gebracht, das z.B. aus einer gesättigten IÖBung von Natriumsulfi i besteht. Diese Lösur.g dringt durch die Poren der Gclds-ihicht 4 binäurch und löst selektiv die auf der Körn«rn befindliche Schwefelachicbt of wcr.ach diese mit der auf ihr befindlichen Teilen der GcldecKuht 4 einfach von selbst oder erforderlichenfalls durch leichten Reiben entfernt wird, so daea -sich der Zustand der Figur 4 ergibt, in den· Teile der Körner 1 frei vcn der Goldschicht 4 sind.
Auf der ganzen Oberseite der Schicht, lie aus den Schichtteiler. 4 und den freien Teilen der Körner 1 beeteht, wird jetzt eine durchsichtige nur 1OC A dicke Kupferschicht 5 (Pig· 5) angebracht, z.B. durch Aufdampfen. Dabei kanr es vorteilhaft sein, vor der Anbringung der Schicht die freigelegten Kornteile ait einen- die Gcldschicht 4 nicht, angreifenden Löse- oder Aetzoittel, z.B. einer verdünnten Salzsäurelösung, au reinigen.
Dann wird durch Lösen der Klebeschicht die Kornschicht (1,2) mit der, auf ihr angetrachten Elektrodenschichten vom Träger beseitigt, wonach auf der in dieser Weise freigelegten Seite der Kornschicht (1,2) eine homogene undurchsichtige iMetal!schicht, z.B. eine 0,3 μπι dicke Indiumschicht 3» angebracht wird, die mit den Kornern 1 eine ohmsche Verbindung bildet.
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Die durchlässige Elektrodenechicht besteht nunmehr aus durchlässigen, weniger gut leitenden Bezirken auf den Körnern 1, die durch die Kupfereohicht 5 gebildet werden, und besser leitenden, weniger durchlässigen, miteinander zusammenhängenden Bezirken (4,3) zwischen den Körnern· Diese letzteren Bezirke bestehen aus den aufeinander liegenden Schichten 4 und 5 und dienen zur Stromzuführung zu den durch-1 lässigen Bezirken 1 auf den Körnern. Die Kupferschicht 5 bildet eine gleichrichtende Verbindung mit den Körnern, so dass eich eine Solarzelle ergibt, auf die eine Strahlung an der Oberseite durch die Elektrodenechicht (4,5) hindurch auffaller, kann.
Statt der Bildung der Schwefel schicht o, die gleichzeitig ein Beispiel einer Oberflächenaufrauhung und einer selektiven Aetzung -bildet, kann auf die Körner auch eine Oberflächenbearbeitung angewandt werden, bei der z.B. mittels eines "electroless platingn-Verfahrens die Kornköpfe selektiv mit einer Metallschicht überzogen werden. Diese Metallschicht, z.B. eine Cd- oder Zn-Schicht, kann dann ähnlich wie die Schwefel schicht S selektiv durch Aetzung mit einer durch die Poren in der Ooldechicht 4 hindurchdringende Säure, z.B. einer I5 ^"igen Salzsäure lösung, und gegebenenfalls durch leichtes Reiben entfernt werden. Jberfiächenarbeitungen, bei denen ein« selektiv bu ätzende Schicht c auf ien Körnern 1 erzeugt wird, haben den Vorteil, dass die Dauer der Aettzeit zur Beseitigung der nachher angebrachten Goldachicht Λ von den Körnern weniger kritisch ist.
Die Oberflächliche Aufrauhung der Körner 1 könnte u.U. auch ohne die Bildung einer selektiv abzuätzenden Schicht ö erfolgen, z.B. dadurch, dass auf chemischem Wege die Körner 1 selektiv so geätzt werden, dass sich eine rauhe Kornoberfläche ergibt, z.B. mit verdünnter Salzsäure.
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Obgleich die vorerwähnten Oberflächenbearbeitungen, die als Vorbehandlungen betrachtet werden können, bevorzugt angewendet werden, kann z.B. das Aetzverfahren auch ohne diese Vorbehandlungen durchgeführt werden, aber in diesem Falle muse die Dauer der ietzbehandlung genau überwacht werden. Ee ist z.B. möglich, die poröse Ooldschioht unmittelbar auf der Kornschicht anzubringen. Dann werden mit einer 14 /6-igen Salzsäurelesung, die durch die Poren in der Goldschicht 4 dringt, die Kadmiumsulfidkörner 1 selektiv abgeätzt, wobei gleichzeitig wegen der Entwicklung von Schwefelwasserstoff die Qoldsohicht von den Körnern 1 abgelöst und dann, gegebenenfalls unter leichtam Reiben, entfernt wird.
Bei tr. geschilderten Beispiel wurde nach der Freilegung der Kornköpfe die durchlässige Kupferschicht 5 über die ganze Kernschicht (1,2) angebracht. Es ist jedoch auch möglich, nach der Freilegung der Kornköpfe die Schicht 5 selektiv auf den Kornköpfen anzubringen, indem diese mit einer Lösung eines Kupfersalzes, z.B. Kupfersulfats, in Berührung gebracht werden. Dadurch wird auf den Kornköpfen das Kadmium durch Kupfer substituiert, wodurch selektiv auf den Körnern eine dünne durchlässige leitende Elektrodenschicht 5 aus Kupfersulfid gebildet wird. Beispiel II.
Auf einer Kornschicht (1,2) mit Binder (Fig. 6) und aus dem Binder 2 herausragenden Körnern 1 wird eine Schicht (10,11) eines positiven Photoabdecklackes (wie z.B. KaiIe Kopierlack PIRE 2327/50, der bei Kalle AG, Wiesbaden, Bundesrepublik Deutschland, erhältlich ist) mit einer Dicke von a.B. 1 μπ angebracht. Dann wird dieser Photoabdecklack, gegebenenfalls durch einen durchsichtigen Träger 7 hindurch, geaiäss den Pfeilen 12 mit einer Strahlung einer derartigen Wellenlänge
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und Stärke und solange belichtet, dass die zwischen den Körnern 1 befindlichen Fhotoabdecklackbezirke 10 selektiv lösbar werden, während die auf den Kornköpfen befindlichen Photoabdeoklackbezirke unlöslich bleiben.
Zu diesem Zweck ist es selbstverständlich erforderlich, dass die Körner 1 weniger für die betreffende Strahlung durchlässig sind als der Binder 2. Bai der verwendeten Beleuchtung (Hochdruckquecksilberdampfentladungslampe in Abstand von 20 cm, Beleuchtungsdauer 5 Minuten) wird diese Bedingung durch eine Schioht erfüllt, die aus in gehärtetem "Kodak Photo Resist" als Binder 2 eingebetteten Kadmium.-sulfidkörnern 1 besteht.
Nach der Belichtung wird die Photoabdecklackschicht (10,11) entwickelt, wodurch der zwischen den Körnern befindliche Photoabdecklack 10 entfernt wird und auf den Körnern Kappen 11 aus Photoabdecklack zurückbleiben. Hierdurch ergibt sich ein Muster aus einem positiven Photoabdecklack, das dem am Ende gewünschten Mueter der Elektroden entspricht«
Dann wird über dem Ganzen eine 0,1 μια dicke poröse Goldschicht 4, wie eis in Fig· 7 dargestellt ist, angebracht· Diese poröse Goldschicht 4 wird mit z.B. Azeton in Berührung gebracht, das die Kappen 11 schwellt und löst. Das Azeton dringt durch die Poren der Goldschicht 4 hindurch, und indem dia Photoabdecklackkappen 11 gelöst werden, werden die auf ihnen befindlichen !eilen der Goldechicht 4 beseitigt, gegebenenfalls unter leichtem Reiben. Die dadurch erhaltene Konfiguration entspricht grundsätzlich derjenigen der im vorigen Beispiel erläuterten Figur 4. Dann wird ähnlich wie in vorangehenden Beispiel (Fig· 5) über das Ganze eine dünne durchlässige Elektrodenschicht 5, z.B. eine 100 A dicke Kupferschicht, angebracht. Schileeelich wird auf der
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anderen Seite der Kornschicht 1,2 eine Elektrodenschicht 3, z.B. eine 0,3 μω dicke Indiumschicht, angebracht.
In diesem Beispiel und in den nachstehenden Beispielen wird von einer Goldschicht ausgegangen, deren Körner 1 in Spektralbereich, für den der Photoabdecklack empfindlich ist, weniger durchlässig sind als der Füllstoff oder Binder 2. Es ist jedoch unter Umstanden auoh möglich, von durchlässigen Körnern 1 auszugehen, die aittels eines veniger durchlässigen Binders 2 zusammenhängen, in welchem Falle bei der Herstellung der durchläseigen Elektrodenachicht statt eines positiven Photo abdecklacke s ein negativer Photoabdecklaok verwendet' wird. Beispiel III.
Gemäss einer abgeänderten Ausführungsfor« des Verfahrens nach Beispiel II wird die durchlässige Kupferschicht 5 (?ig· 8) nicht am Ende des Verfahrene, sondern als erster Arbeitsgang vor der Anbringung des positiven Photoabdeoklacks 11 angebracht. Dann werden auf der Schicht 5 (Fig. ö) über den Körnern 1 auf ahnliche Weise, wie dies in Bezug auf Fig. 6 des Beispiels II beschrieben wurde, Kappen 11 aus unlöslichem positivem Photoabdecklack gebildet.
Wegen der Absorption in der Schicht 5 ist dabei eine grSssere Lichtstärke und/oder eine längere Belichtungsdauer als im Beispiel II erforderlich, je nach den Eigenschaften der durchlässigen Schicht 5·
Bann wird wieder über das Ganze eine in Fig. 8 dargestellte poröse, z.B. 0,1 μπι dicke Goldschicht 4 angebracht, die anschliessend (Pig· 9) mit durch die Foren hindurchdringende« Azeton in der in Beispiel II beschriebene Weise selektiv oberhalb der Körner 1 entfernt wird. Auf die andere Seite der Kornschicht vird letztlioh eine llektrodenachioht 3, z.B. eine 0,3 μη dicke Indiueeohicht, duroh Aufdampfen aufgebracht, wodurch sieh im Querschnitt die Struktur nach
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Figur 9 ergibt.
Beispiel IV.
Bei einem anderen Verfahren nach der Erfindung wird (siehe Pig. IQ) eine Kornschicht (1,2) der beschriebenen Art auf einer Seite mit einer z.B. 10 μη dicken Schicht (20,21) eines negativen Photoabdecklacke, .z.B. dta unter der Bezeichnung MKPR" bekannten "Kodak Photo Resist", bedeckt. Diese Photoabdecklackechicht (?O,21) wird anschlieseend von der anderen Seite her, gegebenenfalls durch einen durchsichtigen Träger 7 hindurch, gemäße den Pfeilen 22 durch eine in einer Entfernung von etwa 2C cm angeordnete Hochdruckqueckeilberdampfentladungslainpe belichtet, wodurch die Bezirke 20 zwischen den Körnern auf dem Binder 2 unlöslich werden, wahrend die Bezirk« 21 auf den Körnern 1, die infolge von Absorption in diesen Körnern 1 nicht oder nur wenig belichtet werden, löslich bleiben. Dann wird auf die Photcabdecklackachicht (20,21) eine gut leitende poröse 0,1 μηι dicke Ooldnchicht 4 aufgebracht. Anschlieseend wird die Schicht 4 mit einem Entwickler in Berührung gebracht, der durch die Poren dringt und den auf den«Körnern 1 befindlichen Abdecklack ?1 erheblich stärker schwellt als die gehärteten Teile ?0 zwiechen den Körnern.
Hierdurch wird, gegebenenfalls unter leichtem Reiben, der Photoabdecklack 21 auf den Körnern mit den auf ihm befindlichen Teilen ier Ooldschicht 4 beseitigt. Der gehärtete Abdecklack ?C (Pig. 11} zwischen den Körnern 1 isi t den auf ihm befindlichen Teilen der Schicht 4 bleibt auf den Pinier 2 zurück. Anschlieesend wird über das Ganze, z.B. durch Aufdaapfen, eine 1C0 A dicke durchlässige Kupferechicht angebracht, während ausserie.m lie andere Seite der Kernschicht mit ^iner 0,3 pn dicker, Tn-üunpchi^ht 3 versehen wird, wodurch sich im Querschnitt die stur i*»r Fij-ur ?4 »»rgirt. Aucvi b^i .!!»serr. Verfahren, finiet s~.t**
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ein Photoabdeckverfahren Anwendung, wobei das zu bildend· Mueter tu· \ dicken Teilen (4,5) und dünnen Teilen 5 der Elektrode dadurch erhalten' wird, dass die Durchlässigkeitedifferens zwischen den Körnern 1 und dem Binder ?. benutzt vird# Beispiel. V.
SehliesHlioh wird ein Beispiel ein«a Verfahrens Rur Herstellung eir-e Elektrodensystem^ nach der Erfindung gegeben, bei de» die Körner (Fig. 1?^ λ inen Uebergang 6 «wischen »wi verschiedenen Materialien (31 und 3?^ enthalten. Die Körner bestehen z.B. aus einem Kern 31 aus n-lMtenf!«m Material, ss.B. n-leiten<ie«i Kadmiuratellurid, und einer UmMiII ungaschicht >2 aue p-l«itendem Ka^rrt-nt^llurid, die durch einen }.n-Ue borgfing vcn«ir.arder getrennt werben.
Tie p-leitenie S«:hicht 32, die ir. Fig. 12 nur einen T*il des Kern*s umgil t, ungitt irr, Aueeengsmaterial zum Beginn des HerBtellungarerfehrenr -1ae gare* Kern (siehe die geetrieh*? ten Trensen 33) tinä ist ζ.Ύ. duT'.h Eindiffueion von PhoepLcr erhalten. Solche KUrtter, die einen Χ'η-U«? her gang *rtth«l t.en fir ^e+ ζ,"B, Anwendung a3a Quelle ron Fek^nMnaticnsetrehlung oder ?ur "nwandlung von Strahlungeenergie in ^Vk+rit>}.« Energie, wie bei EonnenbaMerior..
Aisgphen1 von dieten Körr.ern wird tunächßt eine ein Korn dick*· Cchicht nrt Phc*;?ibdecklack air Birder 2 »>va an b»>i-ien Seiten von Binder fve' liegenden Kcrnk3jfen hergestellt. Dann werden an einer
df»r Schic}". He Körner abgcgtzt, r,?.. mi+ konzentrierter KaIi-, biß die Schicht 32 an der geätzten Seit«· vwrf^hwunden ist und der Kern }1 frei w;ri. Auf die Seite, auf der tfie Körner abgeStst worden sind, wird anschlieseend (Fig. 13) erneut eine Schicht aus negativem Phctoibdecklack 34 mit einer Dick« von wenigen μα aufgebracht, wonach erneut von der anderen Seite be-r gfr.Met* den Pfeilen
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belichtet lind anBchliessend entwickelt wird. Hierdurch wird erreicht, dass der gehärtete PhotoabdeekXack 34 den durch die Aetzung freigelegten pn-Uebergang 6 bedeckt. Durch Diffraktionserecheinungen werden nämlich auch die Teile des PhotoabdecklacVes (34), die uich unmittelbar am Rand dee "Kornschattens" innerhalb dieses Schattens befinden, durch Belichtung gehärtet. Dieser Effekt könnte auch durch diffuse Beleuchtung erhalten werden.
Auf der so erhaltenen Kernschicht,, bei der an einer Seite der Kern 31 und an der anderen Seite die Umhüllungsschicht 32 zur Kontaktheratellung zugänglich sind, können nunmehr gemäss den erläuterten Verfahren (Pig· 14) eine durchlässige Elektrodensohicht (4»5) und eine nicht durohlässige Elektrodenschicht angebracht werden, zwischen welchen Elektrodenschichten sämtliche pn-U«bergänge in den Körnern (31>32) parallel geschaltet sind« Dabei hängt es von der Struktur der Körner (31>32) und vom beabsichtigten Zweck ab, ob die durchlässige Slektrodenschicht (4,3) mit dem Kern 31 oder mit der Aussenschicht 32 Kontakt macht· Letzteres ist im allgemeinen gewünscht, wenn die Körner (31»32) einen strahlungsempfindlichen pn-Uebergang 6 enthalten, wie dies beim vorliegenden Beispiel der Fall ist»
Letztlich sei bemerkt, dass die Erfindung nicht auf die vorstehende Beispiele beschränkt ist, sondern dass im Rahmen der Erfindung manohe Abänderungen möglich sind· Es kann z.Bt statt eines PhotoabdecfcUckes ale Binder auoh «in andersartiger Binder Anwendung finden. Mftgi kann z.B- von einer Kornschicht auegehen, die daduroh gebildet wurden ist, dass auf einem leitenden Träger eine flüssige ' :
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Schicht, b>B. eine Schicht eine» Epoxybfaraes, angebracht wird, in dir
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die Körner versenkt werden, bis sie Kontakt mit der Elektrodeneohioht machen, wonach die Harzschicht gehärtet und abgeschliffen wird, bis
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eich eine ein Korn dicke Schicht ergibt, in der die Körner bis zu einem zur Kor.taktbildung geeigneten Durchmesser freiliegen. Las Elektrodensystem nach der Erfindung kann dabei auf der Oberseite angebracht werden. In liesem Falle können auch Kornschichten (Fig. 2), die einen pn-Uebergang 6 enthalten, der sich nicht parallel zur KornoberflSche erstreckt, als Ausgangesiaterial verwendet werden, Bofern die Körner an den Stellen, an ienen dieser pn-Uebergang die Kornoberflache erreicht, durch d»?n Einder 2 bedeckt sin<*.
Die dünnen und dicker Teilen der Elektrodenscbicht bestehen im allgemeinen beide aue metallischen Schichten. Es dürfte einleuchten, dass die vorerwähnten Verfahren auch auf die Fälle anwendbar sind, in denen die Körner wenigstens an der Oberfläche bereits ac gut leiten, dass die Anbringung der dünnen Schicht unterbleiben kann.
Ferner wird meistens zur Verstärkung nach der Anbringung der durchlässigen Elektrcdenschicbt auf dieser Schicht, eine im Strahlungsbereich, in dem das Elektrodensystem wirksam ist, durchlässige Schicht eines aue härtenden Kunststoffes angebracht. Dabei wird die Kornachicht freitragend gemacht und anschliessend die undurchlässige Elektrodenschicht 3 angebracht, nachdem die erwähnte Kunststoffschicht angebracht und gehärtet worden ist, so dass während und nach diesen Vorgängen keine Gefahr einer Beschädigung oder eines Bruch auftritt.
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Claims (1)

  1. - 27 - 1564A24 PHM.929
    PATENTANSPRÜCHE ι
    0Sandwichförmig aufgebautes Elektrodensystem, das eine zwischen zwei Elektroden angebrachte Kernschicht, insbesondere eine Halbleiterkornschicht, enthält, die praktisch ein Korn dick ist, und wenigstens auf einem Teil der Schichtdicke einen elektrisch isolierenden Füllstoff in den Zwischenräumen zwischen den Körnern enthält, während mindestens eine der Elektroden eine Elektrodenechicht ist, die für Strahlung durchlässig ist, dadurch gekennzeichnet, dass die für Strahlung durchlässige ElektrodenachicBt aus einem Muster von miteinander zusammenhängenden, für die Strahlung weniger durchlässigen, elektrisch besser leitenden Teilen und stärker durchlässigen, elektrisch weniger gut leitenden Teilen besteht, wobei die zum Strahlungsdurchlaes bestimmten stärker durchlässigen Teilen auf den Körnern und die zur Stromzuführung zu diesen stärker durchlässigen Teilen bestimmten weniger durchlässigen, elektrisch besser leitenden Teilen in den Zwischenräumen zwischen den Körnern auf dem Füllstoff angebracht sind.
    2. Elektrodensystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die zuEi Strahlungsdurchlsse bestimmten Teilen durch dünnere Teile der Elektrodenschicht und die zur Stromzuführung bestimmten Teilen durch dickere Teile dir Elektrodenechicht gebildet werden.
    3. Elektrodensystem nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die dünneren und dickeren Teile der Elektrodensohicht aus dem gleichen Material bestehen.
    4· Elektrodensystem nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3»
    dadurch gekennzeichnet, dass die Kornsehicht durch Körner gebildet wird, die mittels eines elektrisch praktisch isolierenden, als Binder wirksamen Füllstoffes miteinander zusammenhangen.
    009.820/U11 Eiju
    5· Elektrodensystem nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4,
    dadurch gekennzeichnet, dass das Elektrodensystem freitragend ist* 6. Elektrodensystem nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4,
    dadurch gekennzeichnet, dass das Elektrodensystem auf einem Träger angebracht ist·
    7· Elektrodensystem nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6,
    dadurch gekennzeichnet, dass die Kornschicht durch Körner gebildet wird, die unter der Einwirkung einer an die Elektroden gelegten Spannungsdifferenz eine elektromagnetische Strahlung aussenden können« die wenigstens teilweise im Frequenzbereich liegt, das durch mindestens eine der Elektroden hindurchgelassen werden kann.
    8. Elektrodensystem nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass
    die Körner zwischen den Slektrodenschichten einen pn-Uebergang enthalten, der unter der Einwirkung einer in der Durchlassrichtung angelegten Spannungsdifferenz eine Rekombinationastrahlung aussenden kann. 9· Elektrodensystem nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6,
    dadurch gekennzeichnet, dass die Kornschicht durch strahlungsenpfindliche Körner gebildet wird, die unter der Einwirkung einer Strahlung, die durch mindestens eine der Elektroden hindurchgelassen werden kann, eine Impedanzänderung erfahren können.
    10. Elektrodensystem nach eines oder mehreren der Ansprüche 1 bis
    6, dadurch gekennzeichnet, dass die Kornschicht durch strahlungsempfindlich^ Körner gebildet wird, die zwischen den Elektroden einen pn-Uebergang enthalten, so dass durch eine einfallende Strahlung eine Photo-EHK erzeugt werden kann.
    11. Elektrodensystem nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass der mittlere Korndurchmeaser kleiner als 130 μη, vorzugsweise kleiner als 50 pm ist.
    009820/ U11
    12. Verfahren zur Herstellung eines Elektrodensystems nach einen oder mehreren der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die erwähnte durchlässige Elektrodenschicht dadurch hergestellt wird, dass auf der Kornsohioht mit dem Füllstoff, aus dem die Körner teilweise herausragen, über den Körnern und dem Füllstoff eine zusammenhängende geschlossene poröse Elektrodenschicht angebracht wird, die gut leitend ist, wonach diese Elektrodenschicht mit einem Löse- oder Aetzmittel in Berührung gebracht wird, das durch die Poren dringt und selektiv die freiliegenden Teile der Körner derart abätzt, dasβ die Haftung zwischen der Elektrodenschicht und den Körnern wenigsten« grösstenteils unterbrochen wird und die oben auf den Körnern befindlichen Teile der Elektrodenschicht beseitigt werden, wonach wenigstens auf den Körnern aitPfür die Strahlung mehr durchlässige, weniger gut leitende Elektrodenschicht angebracht wird.
    13· Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass für den AetzVorgang ein Aetzmittel verwendet wird, das bei der Reaktion zwischen Korn und Aetzmittel eine Gasentwickelung herbeiführt, welche , die Ablösung der Elektrodenaohicht von den Körnern weiter fördert. 14· Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet) das8 vor der Anbringung der gut leitenden porösen Elektrodenschioht auf dis freiliegenden Kornteile einer Vorbehandlung angewandt wird; bei der auf mechanischem oder chemischem Wege die Kornoberfläch· aufgerauht wird*
    15· Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet! dass vor der Anbringung der gut leitenden porösen Elektrodenschicht auf - die freiliegenden Kornteile eine Vorbehandlung angewandt wird, bei der auf dan Körnern eine Schicht gebildet wird, die aus einem Material besteht, dass Vom Aetzmittel selektiv entfernt werden kann·
    #09820/1411
    16. Verfahren nach Anspruch 15 oder nach den Ansprüchen 14 und 15, dadurch gekennzeichnet, dasa die Korner aus einem Sulfid bestehen und dass die freien Kornteile auf chenischem Wege oberflächlich in Schwefel umgesetzt werden·
    17* Verfahren zur Herstellung eines Elektrodensystem nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet) dass das erwähnte Muster in der durchlässige Elektrodenschicht unter Verwendung eines Photoabdeckungsverfahrens gebildet wird, bei dem auf eine Seite der Kornschicht mit Füllstoff, aus dem die Körner teilweise herausragen, eine Photoabdecklackschioht aufgebracht wird, die in einem Spektralbereich empfindlich ist, in dem die Körner und der Füllstoff eine unterschiedliche Durchlässigkeit aufweisen, und bei den durch Belichtung von der anderen Seite der Kornschicht her die Photoabdecklackschicht infolge der erwähnte Durchläsaigkeitsdifferen* selektiv gehärtet oder löslich geaacht wird gemass einem Muster, das dem zu bildenden Küster in der Elektrodenschicht entspricht· Ί8. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass im Spektralbereich, für den der Photoabdecklack empfindlich ist, die Körner weniger durchlässig sind als der zwiechen ihnen befindliche Füllstoff.
    19* Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass auf die Kornschicht an der Seite der freiliegenden Kornteile eine positive Photoabdecklackechicht aufgebracht wird, dase durch Belichtung von der anderen Seite her diese Photoabdecklackechicht genäss des erwähnten Muster zwischen den Körnern selektiv in eines Entwickler löslich wird, daes anschliessend diese löslichen 'feile ά·τ Photoabdecklackschicht durch einen Entwiokelvorgang entfernt werden, dass dann über das Ganze eine gut leitende poröse Elektrodenschicht angebracht
    I820/U1 1
    156 U 424
    wird, wonach diese Schicht mit einer Flüssigkeit in Berührung gebracht wird, die durch die Foren dringt und die Eigenschaft hat, nicht in Entwickler lösliche Teile der Photoabdecklackschicht zu lösen, so dass diese auf den Körnern befindlichen Teile der Photoabdecklackschicht eusammen mit der auf ihnen befindlichen Elektrodenschicht entfernt werden können,, wonaoh wenigstens auf den Körnern eine für die Strahlung · mehr durchlässige, weniger gut leitende Elektrodenschicht angebracht wird.
    20. Verfahren nach Ariapruch 17, dadurch gekennzeichnet, das» auf di· Kernschicht an der Seite der freiliegenden Kornteile eine für die Strahlung durchlässige, mit den Körnern einen elektrisch guten Kontakt machende Elektrodenschicht aufgebracht wird, dass auf dieser Elektrodenschicht eine positive Photoabdecklacksehicht angebracht wird, dass dann durch Belichtung durch"die durchlässige Elektrodenschicht hindurch dieser Ptotoabdeeklack zwischen den Körnern selektiv in einem Entwickler löslich wird, wonach diese Teile der PhotoablecklackRcr.icht durch einen EntwiοkelVorgang entfernt werden, dasa anschliessend über das Ganze eine gut1leitende weniger durchlässige poröse Elektrodenschicht angebracht wird, wonach diese Schicht mit einer Flüssigkeit in Berührung gebracht wird, "äie durch die Poren dringt und die Eigenschaft hat, die nicht im Entwickler löslichen Teile der Photoabdecklackschicht zu lösen, so dasa die auf den Körnern befindlichen Teile der Photoabdecklackschicht zusassen mit der auf ihnen befindlichen gut leitenden Elektrodenschicht entfernt werden können.
    21. Verfahren nach .Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass auf die Kornschicht an der Seite der freiliegenden Kornteile eine negative Photoabdecklackschicht aufgebracht wird lass durch Belichtung von der anderen St'ite her diese Fhotcabdecklaokschi?ht zwischen den Körnern
    00 9 8 20/U11
    r. BAD ORfGi
    selektiv gehärtet wird, dass dann auf die Photoabdecklaoksohicht eine gut leitende poröse Elektrodenachicht angebracht wird, Wonach diese Elektrodenschicht mit ejlner Flüssigkeit in Berührung gebracht wird, die durch die Poren dringt und durch die mittele eines Bntwickelvorganges die auf den Körnern befindlichen ungehärteten Teile dfr Photoabdnrklackachicht zuisamjiten mit der auf ihnen befindlichen gut leitenden Eiektrodensohicht entfernt werden, wonach wenigstens auf den Körnern aine für din Strahlung mehr durchleseige, mit den Körnern einen guten el'ktrienhun Kontakt ma<sh<=>nde, weniger gut leitende Elektrodenschicht angebracht wird, die sich 'in lie erste auf dem gehärteten Photoab-.io^Vlack vorhandene gut leitende weniger durohlSeflige Schicht anechlieeet* T. Verfahren nach einen: d*?r Ansprüche 1? bis 21, dadurch gekenn* r.oichnet, due»'di« für die Strahlung durch!äff.ige veniger gut leitend· ElektroJena^hirht auf Sen Körnern dadurch gebildet wird, dass di· -A,- * Oberfiachpnechicht der Körner oheaifioh in *in* Schicht tm£ew&nd«ii , "! ':, wird, die au& eittt« elektrisch leitenler Kaierial besteht· •22. Elektrn.'tjr.oj'Btejn, h«irg·!«teilt mft+elt eires oder m«hi^i*er der ·ϊ
    ir ΐβη Aneprücben 12 bis 22,sngegebenen
    RAD Ο O 9 8 2 O / U 1 1 B*ü
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4984034A (en) * 1981-02-09 1991-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-single-crystalline light emitting semiconductor device matrix with insulation

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3900945A (en) * 1973-01-02 1975-08-26 Philco Ford Corp Organic semiconductor solar cell
US4143297A (en) * 1976-03-08 1979-03-06 Brown, Boveri & Cie Aktiengesellschaft Information display panel with zinc sulfide powder electroluminescent layers
US4320168A (en) * 1976-12-16 1982-03-16 Solarex Corporation Method of forming semicrystalline silicon article and product produced thereby
US4126812A (en) * 1976-12-20 1978-11-21 Texas Instruments Incorporated Spherical light emitting diode element and character display with integral reflector
US4173494A (en) * 1977-02-14 1979-11-06 Jack S. Kilby Glass support light energy converter
US4514580A (en) * 1983-12-02 1985-04-30 Sri International Particulate silicon photovoltaic device and method of making
US4917752A (en) * 1984-09-04 1990-04-17 Texas Instruments Incorporated Method of forming contacts on semiconductor members
US4728581A (en) * 1986-10-14 1988-03-01 Rca Corporation Electroluminescent device and a method of making same
US5415700A (en) * 1993-12-10 1995-05-16 State Of Oregon, Acting By And Through The State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Concrete solar cell
NL2008514C2 (en) * 2012-03-21 2013-09-25 Inter Chip Beheer B V Solar cell.
WO2023205839A1 (en) * 2022-04-28 2023-11-02 Newsouth Innovations Pty Limited Method of producing monograin membranes

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL66954C (de) * 1946-03-20
US2537257A (en) * 1947-01-17 1951-01-09 Bell Telephone Labor Inc Light-sensitive electric device
US2777040A (en) * 1955-08-17 1957-01-08 Rca Corp Large area photocell
US2904613A (en) * 1957-08-26 1959-09-15 Hoffman Electronics Corp Large area solar energy converter and method for making the same
US3038952A (en) * 1959-05-20 1962-06-12 Hoffman Electronics Corp Method of making a solar cell panel

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4984034A (en) * 1981-02-09 1991-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-single-crystalline light emitting semiconductor device matrix with insulation

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Publication number Publication date
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FR1488699A (fr) 1967-07-13

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