WO2010088898A2 - Siliziumsolarzelle - Google Patents

Siliziumsolarzelle Download PDF

Info

Publication number
WO2010088898A2
WO2010088898A2 PCT/DE2010/000148 DE2010000148W WO2010088898A2 WO 2010088898 A2 WO2010088898 A2 WO 2010088898A2 DE 2010000148 W DE2010000148 W DE 2010000148W WO 2010088898 A2 WO2010088898 A2 WO 2010088898A2
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
metal
silicon
emitter
solar cell
Prior art date
Application number
PCT/DE2010/000148
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2010088898A3 (de
Inventor
Mike Becker
Dietmar LÜTKE NOTARP
Original Assignee
Nb Technologies Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nb Technologies Gmbh filed Critical Nb Technologies Gmbh
Priority to CN201080007688.6A priority Critical patent/CN102365751B/zh
Priority to JP2011548528A priority patent/JP5606454B2/ja
Priority to EP10721925A priority patent/EP2394305A2/de
Publication of WO2010088898A2 publication Critical patent/WO2010088898A2/de
Publication of WO2010088898A3 publication Critical patent/WO2010088898A3/de
Priority to US13/205,133 priority patent/US8759120B2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Definitions

  • the invention relates to a silicon solar cell with an emitter silicon layer and to a method for producing such a solar cell.
  • a silicon solar cell has an n-doped and p-doped silicon layer. If photons impinge on a side of the solar cell acting as an emitter, a charge balance or current flow occurs between the two layers, which can be dissipated via contacts. On the upper side of such a solar cell usually a contact band made of metal with many contact fingers is applied, whereas on the underside a continuous metal layer is present as a contact. The contact band and the metal surface form the electrical poles of the solar cell.
  • a contact band and metal fingers are formed by a silver paste, which are applied in a printing process on the surface.
  • a disadvantage here is that the electrical leads formed from the silver paste have a relatively high line resistance, since the silver paste is porous.
  • the contact resistance of the silver paste to the underlying silicon layer is relatively high and the adhesion to the ground is relatively poor.
  • Another approach to improving solar cells is to increase the efficiency.
  • a higher efficiency can be achieved for example by a smaller thickness of the emitter layer.
  • the thickness of the emitter layer is only a few hundred nanometers. If an even thinner emitter layer is used, the efficiency can theoretically be increased, however, the metallic electrical leads can penetrate such a thin emitter layer, so that such a solar cell is electrically short-circuited.
  • the silicon solar cell according to the invention has a silicon layer with an emitter layer and at least one region which is porosified by chemical or electrochemical etching within the emitter layer, wherein at least a part of the porosified region is formed as a metal silicide and at least one metal layer is applied thereon.
  • a directly applied to silicon metal has a relatively low electrical conduction resistance, but the mechanical adhesion is still relatively poor, since the metal applied can easily dissolve in subsequent process steps from the silicon.
  • a metal-silicon compound in the form of a metal silicide by providing a metal-silicon compound in the form of a metal silicide, a low electrical contact resistance between the metal and silicon can be achieved.
  • the metal silicide is formed in the solar cell according to the invention in an area porosified by chemical or electrochemical etching within the emitter layer. This is advantageous because the etching creates a fissured structure which can be metallized well and ensures good adhesion between the metal and the silicon.
  • the metal silicide forms faster than in the adjacent, non-porosified region, so that much of the metal silicide formed can be confined to the porosified region.
  • the porosified region thus causes a limitation in the height of the metal silicide.
  • the height of the porous area can be adjusted very precisely in a simple manner and only up to a small height, since an etching process can be precisely limited in time.
  • the metal silicide does not extend along the entire emitter height, but only in a region extending from an upper side of the emitter layer whose height is less than the height of the entire emitter layer. A through metallization or a short circuit with the silicon layer adjacent to the emitter layer can thus be prevented.
  • the etching thus allows a very controlled porosification, so that an area can be produced with a metal silicide in a very thin emitter layer whose thickness is only a few hundred nanometers to about 50 nanometers.
  • a metal layer is applied to the metal silicide.
  • a metal layer adheres very well to a metal silicide layer, achieving a low electrical contact resistance between these two layers.
  • the metal layer then forms an electrical supply line of the solar cell together with the metal silicide. It is advantageous if the metal layer has nickel, copper or silver, and it is particularly advantageous if this metal layer is applied chemically or electrochemically and thus is non-porous in comparison to a printed paste and thus has a lower line resistance.
  • the silicon layer preferably has a layer with highly n-doped silicon. It has been observed that such a silicon layer is attacked differently when exposed to an etching medium in comparison to a lightly doped silicon layer. A layer with high n-doping can be etched in a shorter time than a layer with low doping. This observation can be used advantageously for the production of the solar cell according to the invention. With a highly n-doped silicon layer it is achieved that the etch depth in the emitter and thus the height of the porosified region or the height of the subsequently formed metal silicide can be limited in a simple manner.
  • an emitter layer which has a thickness of only a few hundred nanometers up to 50 nanotransmitters without an electrical short circuit of the solar cell occurring.
  • an antireflection layer is applied to the emitter layer. This causes a smaller proportion of the incident light is reflected by the solar cell, so that a higher efficiency of the solar cell can be achieved.
  • the antireflection layer preferably comprises silicon nitride, silicon oxide or tin oxide, the latter, in contrast to the others, being electrically conductive.
  • the anti-reflection layer is formed of porous silicon.
  • This layer is formed over the entire surface of the surface of the solar cell.
  • this layer is a part of the emitter and is limited to a thickness of a few hundred nanometers up to 50 nanometers.
  • the advantage is that such an antireflection layer does not need to be patterned to perform the metallization.
  • the porosification can be unstructured and without masking layer. Thus, no masking layer is required, which must be resistant to hydrofluoric acid. After the porosification, a masking layer can then be applied, which is patterned so that regions with and without a masking layer are formed. In the areas without masking layer, a coating with a metal layer can take place. This is followed by heating of the emitter layer and metal layer, so that a metal silicide layer is formed
  • the metal of the metal silicide and the metal of the metal layer deposited on the metal silicide are identical.
  • the metal of the metal silicide and the metal of the metal layer deposited on the metal silicide are identical.
  • For a relatively simple production is possible.
  • the invention also relates to a method for producing a silicon solar cell as described above from a wafer having a silicon layer, the method comprising the steps:
  • the masking layer can either be applied in a structured manner, for example by means of a screen printing method, or applied over the entire surface and subsequently structured, for example, by using a laser.
  • the structuring takes place in such a way that a region with masking layer and a region without masking layer are formed, wherein in the region without masking layer the structuring is carried out until the emitter layer has been exposed. If another layer, for example an antireflection layer, is present under the masking layer, the structuring is carried out until the antireflection layer in the region without masking layer is removed and the emitter layer underneath is exposed.
  • the structuring makes it possible to produce a narrow region or channel whose bottom or base, in this embodiment the exposed emitter layer, can be attacked with an etching medium.
  • the etching in the region without the masking layer or the exposed emitter layer results in that a porous structure can be produced on the surface of the layer.
  • Such etching and generation of a porous structure on the surface can take place with very limited time, so that the etching attack of the emitter layer takes place only to a small depth.
  • the porosification is particularly advantageous, since a surface treated in this way has a fissured structure which can easily absorb and mechanically anchor a metal layer to be applied.
  • a small electrical contact resistance between the metal layer and the silicon emitter layer is achieved.
  • a material which is porosified by etching is very reactive, so that when heating the emitter layer and the metal layer in a simple manner at low temperatures, a metal silicide layer is formed which adheres well and has a low electrical conductivity Has resistance. Only by the porous structure can a satisfactory adhesion and a low electrical resistance be achieved.
  • the order described can also be changed.
  • the emitter layer is etched with an etching medium, so that the emitter layer is porosified.
  • the etching attack may be limited to one zone or take place over the entire surface of the emitter layer.
  • the step in which a structured masking layer is produced, so that a region with masking layer and a region without masking layer are present can follow.
  • the coating of the porosified emitter layer in the area without masking layer is performed with a first metal layer, then heating the emitter layer and the first metal layer, and then removing the masking layer. This is advantageous because thus the etching without masking takes place and no masking layer is required, which must be resistant to an etching medium.
  • the etching may take place of a silicon layer which is not yet an emitter layer and is formed by doping to form an emitter layer only in a further method step.
  • the doping thus does not take place in this embodiment before the etching, as described above, but only after the etching. If the emitter layer is formed, then, as mentioned above, the steps may follow that a structured masking layer is produced, a coating is carried out with a first metal layer, then a metal silicide is formed and then the masking layer is removed.
  • the coating with a metal layer preferably takes place without external current or chemically or electrochemically. This can be done for example in such a way that with an n-doped emitter silicon layer, the coating is carried out by contacting the porous silicon with a metal-containing electrolyte and depositing metal in and / or on the porous and cathodically poled silicon.
  • the masking layer causes the lateral extent of the metal layer to be built up to take place within the etched-away channel of the masking layer.
  • the deposited metal Partially penetrates into the depths of the porous structure and, depending on the selected process parameters (voltage, current, electrolyte concentration or time), can be built up to a predetermined height. However, it is also possible that the deposition of the metal takes place in such a way that the metal only reaches the depths of the porous structure and fills the free spaces there, but then no further layer is built up.
  • the patterning of the masking layer makes it possible to produce a narrow channel, so that the metal silicide and any metal layer formed thereon have a narrow line width. This is advantageous because it is thus possible to form a solar cell with supply lines which, due to their narrow width, only cause a slight coverage of the irradiated area of the solar cell.
  • a feed line produced in this way has a smaller coverage than in the conventional method, in which for a feed line, a silver paste is applied to the surface in a printing process. With such a silver paste only metal fingers or leads can be produced, the width of which is greater than their height, so that should not be less than a minimum height for a sufficiently low electrical resistance of a metal finger.
  • the structured masking layer makes it possible to produce line widths of less than 100 ⁇ m, so that a smaller area is covered with the same dimensions of a solar cell and greater efficiency of the solar cell can be achieved.
  • the metal deposition can also take place under the action of light on the emitter layer.
  • the back side of the silicon wafer receives a cathodic contact with the anode in the electrolyte.
  • the cell is then poled in the reverse direction, while by the action of light on the emitter layer, an increased photocurrent flows, which ensures the electroplating on the emitter surface.
  • This is advantageous, since thus no contacting of the emitter layer within the medium must take place and the usual problems such as galvanization of the contact or layer thickness variation on the emitter layer due to the external field influence of the contact point are avoided.
  • the photocurrent avoids the disadvantage that on the surface of the emitter layer no highly conductive starting layer is present, as is otherwise usual in a galvanic coating.
  • the silicon layer can be porosified by electrochemical etching with anodic polarization of the silicon layer, the silicon layer being immersed in the etching medium.
  • This is advantageous because the same arrangement as in the coating can be selected, but with a reversed polarity.
  • the silicon layer is anodically poled during the etching so that the layer is porosified.
  • For the subsequent coating there is now no need to rebuild or expand the silicon wafer and no rinsing steps u.a., Which saves time. There are also no wetting problems, since the electrolyte is already contained in the pores during the etching and does not have to penetrate for the coating first.
  • the electrical contacting for the cathodic or anodic polarity of the silicon can take place outside of the electrolyte, so that the contacts and the lead are not exposed to an electric field in the electrolyte and are not galvanized or etched.
  • the etching medium is the metal-containing electrolyte, so that the same electrolyte can be used for the etching and the coating.
  • the etching medium may include hydrofluoric acid, a relaxant such as a surfactant, alcohol or acetic acid, and a metal salt, preferably in the composition 25 vol.% Hydrofluoric acid, 25 vol.% Ethanol, 25 vol.% Nickel sulfate solution or nickel chloride solution with 80 to 185 g / l nickel, and 25 vol.% water.
  • Another advantageous composition dispenses with ethanol, makes do with less than 25% by volume of hydrofluoric acid and provides nickel acetate up to the limit of solubility.
  • the concentration of hydrofluoric acid may be 25% by volume, with nickel acetate included up to the solubility limit, so that higher current densities of up to 60mA / cm 2 are achievable in the porosification.
  • concentrations between 5% by volume and 10% by volume of hydrofluoric acid it is possible to porosify with a current density of up to 30 mA / cm 2 .
  • a high nickel content allows high current densities in the Nickel deposition, with a lower nickel concentration, the current carrying capacity of the electrolyte drops correspondingly lower.
  • a further advantageous composition comprises:. 150g / l hydrofluoric acid with 5 vol .-% to 10 vol%, up to 180g / l nickel acetate up to the solubility dissolved, an expansion means, such as anionic sodium dodecyl sulfate (C 2 H 25 NaO 4 S), or cationic with cetyltrimethylammonium bromide (Ci 9 H 42 BrN) or nonionic with a / 7-terf-octylphenol derivative, for example in the product Triton® X-100.
  • an expansion means such as anionic sodium dodecyl sulfate (C 2 H 25 NaO 4 S), or cationic with cetyltrimethylammonium bromide (Ci 9 H 42 BrN) or nonionic with a / 7-terf-octylphenol derivative, for example in the product Triton® X-100.
  • the step of heating for forming the metal silicide layer may preferably be in a range from 250 0 C to 400 ° C in a range from 250 0 C to 700 ° C.
  • silicide formation is already possible in the low temperature range of 250 ° C to 400 ° C, so that less thermal stress is applied to the silicon.
  • a selectivity can be achieved in the depth between porous silicon and nonporosified silicon.
  • the low temperature is sufficient to form a metal silicide with the porous silicon, but the formation of a metal silicide with the nonporous region requires higher temperatures or runs at a significantly slower rate at the temperature.
  • the remaining first metal layer can be removed and a first metal layer can be deposited thereon again. This ensures that reaction layers such as oxide layers are removed after the metal silicide formation, so that the subsequently applied first metal layer can adhere securely.
  • a second metal layer is subsequently formed in the region in which the metal silicide layer is formed.
  • the metal silicide layer is a nickel silicide, for example, three further metal layers may be used in the order of nickel, copper and tin or in the order nickel, copper, silver are applied.
  • the second metal layer may comprise silver.
  • no heating is carried out after the application of the first metal layer to the porous silicon, but a second metal layer is formed on this first metal layer.
  • the masking layer can remain on the wafer, in particular on an antireflection layer, so that there is no incorrect deposition at porous sites in the antireflection layer.
  • the deposition still takes place in the etched area of the masking layer, whereby the lateral spread of the metal layers can be reliably limited to the width of the etched area.
  • the heating then takes place after the complete deposition of the metal layers and removal of the masking layer. Because the metallization is on porous silicon with good adhesion, the masking layer can be removed without peeling off the metal layers.
  • the formation of metal silicide would not be possible after removal of a masking layer. Because the silicon is in a porous form, upon heating, the first metal layer can reliably form a metal silicide with the silicon without loss of adhesion.
  • the masking layer preferably has a lacquer which can be applied by means of screen printing. It is not necessary to use a photoimageable varnish. Rather, the paint may have vacancies in the areas where the metallization is to take place later.
  • the paint is resistant to hydrofluoric acid, acetone, ethanol, nitric acid, alkalis such as potassium hydroxide or sodium hydroxide.
  • Fig. 1 is a cross-sectional view of a wafer as a starting material of a
  • FIG. 2 shows a cross-sectional view of the wafer according to the first embodiment after a second method step
  • FIG. 3 shows a cross-sectional view of the wafer according to the first embodiment after a third method step
  • FIG. 4 shows a cross-sectional view of the wafer according to the first embodiment after a fourth method step
  • FIG. 5 shows a cross-sectional view of the wafer according to the first embodiment after a fifth method step
  • FIG. 6 shows a cross-sectional view of the wafer according to the first embodiment after a sixth method step
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the wafer according to the first embodiment after a seventh process step
  • Fig. 8 is a cross-sectional view of the wafer as a starting material of a
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the wafer according to the second embodiment after a sixth process step
  • FIG. 10 shows a cross-sectional view of the wafer according to a third embodiment after a first method step
  • FIG 11 is a cross-sectional view of the wafer according to the third embodiment after a fifth process step.
  • FIG. 1 shows a cross-sectional view of a wafer 20 which has an n-doped silicon layer 1 and a p-doped silicon layer 2.
  • the n-doped layer has a height of, for example, 200 nanometers and acts as an emitter layer, while the p- doped layer as a carrier material (bulk) has a height of 100 to 200 micrometers.
  • an antireflection layer 3 of, for example, silicon nitride is formed, which has a height of, for example, 100 nanometers.
  • the antireflection layer 3 is not absolutely necessary, but advantageous because it serves to reduce a reflection of the incident light on the n-doped emitter layer 1.
  • FIG. 1 shows a cross-sectional view of a wafer 20 which has an n-doped silicon layer 1 and a p-doped silicon layer 2.
  • the n-doped layer has a height of, for example, 200 nanometers and acts as an emitter layer, while
  • a masking layer 4 is applied on the surface of one side of the wafer 20, which has the emitter layer 1. Since an antireflection layer 3 is provided in this embodiment, the masking layer 4 is not located directly on the n-doped silicon layer 1 but on the antireflection layer 3.
  • the masking layer 4 has at least one free space 5 which extends to the underlying layer, in this case Embodiment, the anti-reflection layer 3, enough.
  • the free space can be created by structuring the masking layer. However, it is also possible that the masking layer is applied to the anti-reflection layer with an already existing clearance.
  • the etching medium is allowed to act in a second process step until the antirefiction layer is completely etched away at the bottom of the free space 5, see FIG. 2. With prolonged exposure of the etching medium this also the underlying layer, here the n-doped silicon layer 1, to, see Fig. 3. This n-doped silicon layer 1 is then porous in structure, see reference numeral 7. With a short exposure time of the etching medium on the n-doped Silicon layer 1, the etching attack can be limited in depth.
  • the first metal layer 9 can also be further applied, so that the first metal layer 9 is provided not only inside but also on the porous structure 7, see FIG. 4.
  • the metal layer 9 is located inside of the masking layer 4 existing free space 5 and has a width which corresponds to the width of the free space 5.
  • the masking layer 4 is removed in the first embodiment. Subsequently, a heating of at least the porous silicon layer takes place together with the first metal layer, so that a metal silicide layer 10, for. As a result of the porous structure 7, a good adhesion arises between the metal 9 and the silicon 1.
  • a second metal layer 11 can be applied to the first metal layer 9 be constructed, whereby a solar cell 30 is formed.
  • a second metal layer 11 can be applied to the first metal layer 9 in a second embodiment with a masking layer 4 still present, see FIG further method step, the heating of at least the porous silicon 7 with the first metal layer 9, see Figure 9, so that a metal silicide 10 is formed. Thereafter, the masking layer 4 is removed so that a solar cell 30 is formed also in this second embodiment, see Fig. 7. Should the masking layer 4 not survive the temperature generated upon heating to form the metal silicide without being damaged, it will become before the step of heating away.
  • the wafer has a silicon layer which can simultaneously act as an antireflection layer.
  • a first method step the entire surface of the silicon layer 1 is etched, so that the layer is porosified.
  • a masking layer 4 is applied, which is already structured or still structured got to. This results in a region without a masking layer, which can be coated with a first metal layer 9 and a second metal layer 11.
  • the silicon layer 1 and the first metal layer 9 are heated so that a metal silicide 7 forms, see FIG. 11.
  • the two metal layers 9 and 11 remain on the surface, whereby the solar cell according to the invention is formed.

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Siliziumsolarzelle, aufweisend: - eine Siliziumschicht mit einer Emitter-Schicht und - mindestens einen durch chemisches oder elektrochemisches Ätzen porösifizierten Bereich innerhalb der Emitter-Schicht, wobei mindestens ein Teil des porösifizierten Bereiches als Metallsilizid ausgebildet ist und darauf mindestens eine Metallschicht aufgebracht ist.

Description

Siliziumsolarzelle
Die Erfindung betrifft eine Siliziumsolarzelle mit einer Emitter-Siliziumschicht sowie ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Solarzelle.
Eine Siliziumsolarzelle weist eine n-dotierte und p-dotierte Siliziumschicht auf. Treffen auf eine als Emitter wirkende Seite der Solarzelle Photonen auf, kommt es zu einem Ladungsausgleich bzw. Stromfluss zwischen beiden Schichten, welcher über Kontakte abgeleitet werden kann. Auf der Oberseite einer solchen Solarzelle ist üblicherweise ein Kontaktband aus Metall mit vielen Kontaktfingern aufgebracht, wohingegen auf der Unterseite eine durchgehende Metallschicht als Kontakt vorhanden ist. Das Kontaktband und die Metallfläche bilden die elektrischen Pole der Solarzelle.
Bisher werden ein Kontaktband und Metallfinger durch eine Silberpaste gebildet, die in einem Druckverfahren auf die Oberfläche aufgebracht werden. Ein Nachteil besteht hierbei darin, dass die aus der Silberpaste gebildeten elektrischen Zuleitungen einen relativ hohen Leitungswiderstand besitzen, da die Silberpaste porös aufgebaut ist. Außerdem ist der Übergangswiderstand von der Silberpaste zu der darunter angeordneten Siliziumschicht relativ hoch und die Haftung zum Untergrund relativ schlecht.
Ein weiterer Ansatz zur Verbesserung von Solarzellen besteht in einer Erhöhung des Wirkungsgrades. Ein höherer Wirkungsgrad kann zum Beispiel durch eine geringere Dicke der Emitterschicht erzielt werden. Bei den Solarzellen nach dem Stand der Technik beträgt die Dicke der Emitterschicht nur wenige hundert Nanometer. Wird eine noch dünnere Emitterschicht verwendet, kann der Wirkungsrad zwar theoretisch erhöht werden, jedoch können die metallischen elektrischen Zuleitungen eine solch dünne Emitterschicht durchdringen, so dass eine solche Solarzelle elektrisch kurzgeschlossen wird.
Es ist daher eine Aufgabe der Erfindung, eine Solarzelle zu schaffen, deren elektrische Zuleitungen einen geringen elektrischen Leitungswiderstand besitzen, zu der Siliziumschicht einen geringen elektrischen Übergangswiderstand aufweisen und haftfest sind. Zusätzlich soll dies bei einer Solarzelle mit einer sehr dünnen Emitterschicht von wenigen hundert Nanometern bis ca. 50 Nanometer zuverlässig erreicht werden, ohne dass die Solarzelle elektrisch kurzgeschlossen wird. Diese Aufgaben sollen auch bei einer Solarzelle erreicht werden, welche mit einer Antireflektionsschicht versehen ist. Ferner ist es eine Aufgabe der Erfindung, dass eine solche Solarzelle einfach und kostengünstig herstellbar ist.
Die Aufgaben werden für die Solarzelle durch den Gegenstand des Patentanspruchs 1 und für das Verfahren zur Herstellung der Solarzelle durch den Gegenstand des Patentanspruchs 8 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
Die erfindungsgemäße Siliziumsolarzelle weist eine Siliziumschicht mit einer Emitterschicht und mindestens einen durch chemisches oder elektrochemisches Ätzen porösifizierten Bereich innerhalb der Emitterschicht auf, wobei mindestens ein Teil des porösifizierten Bereichs als Metallsilizid ausgebildet ist und darauf mindestens eine Metallschicht aufgebracht ist.
Ein direkt auf Silizium aufgebrachtes Metall besitzt zwar einen relativ geringen elektrischen Leitungs widerstand, jedoch ist die mechanische Haftung noch relativ schlecht, da sich das aufgebrachte Metall bei nachfolgenden Prozessschritten leicht vom Silizium lösen kann. Indem aber erfindungsgemäß eine Verbindung aus Metall und Silizium in Form eines Metallsilizids geschaffen wird, lässt sich ein geringer elektrischer Übergangswiderstand zwischen dem Metall und dem Silizium erreichen.
Das Metallsilizid ist bei der erfindungsgemäßen Solarzelle in einem durch chemisches oder elektrochemisches Ätzen porösifizierten Bereich innerhalb der Emitterschicht ausgebildet. Dies ist vorteilhaft, da durch das Ätzen eine zerklüftete Struktur entsteht, welche sich gut metallisieren lässt und eine gute Haftung zwischen dem Metall und dem Silizium sicherstellt. Außerdem bildet sich das Metallsilizid in dem nach dem Ätzen porösifizierten und mit einer reaktionsfreudigen Oberfläche versehenen Bereich schneller als in dem benachbarten, nicht porösifizierten Bereich, so dass sich ein großer Teil des gebildeten Metallsilizids auf den porösifizierten Bereich begrenzen lässt. Der porösifizierte Bereich bewirkt somit eine Begrenzung in der Höhe des Metallsilizids. Außerdem kann der porösifizierte Bereich in seiner Höhe auf einfache Weise sehr genau und nur bis zu einer geringen Höhe eingestellt werden, da sich ein Ätzvorgang zeitlich genau begrenzen lässt. Dies bedeutet, dass sich bei einer solchen Solarzelle das Metallsilizid nicht entlang der gesamten Emitterhöhe erstreckt, sondern nur in einem von einer Oberseite der Emitterschicht ausgehenden Bereich, dessen Höhe geringer ist als die Höhe der gesamten Emitterschicht. Ein Durchmetallisieren oder ein Kurzschluss mit der zu der Emitterschicht benachbarten Siliziumschicht lässt sich damit verhindern. Das Ätzen ermöglicht somit ein sehr kontrolliertes Porösifizieren, so dass sich ein Bereich mit einem Metallsilizid in einer sehr dünnen Emitterschicht herstellen lässt, deren Dicke nur wenige hundert Nanometer bis ca. 50 Nanometer beträgt.
Gemäß der Erfindung ist auf dem Metallsilizid eine Metallschicht aufgebracht. Eine Metallschicht haftet auf einer Metallsilizidschicht sehr gut, wobei ein niedriger elektrischer Übergangswiderstand zwischen diesen beiden Schichten erreicht wird. Die Metallschicht bildet dann zusammen mit dem Metallsilizid eine elektrische Zuleitung der Solarzelle. Es ist vorteilhaft, wenn die Metallschicht Nickel, Kupfer oder Silber aufweist, wobei es besonders vorteilhaft ist, wenn diese Metallschicht chemisch oder elektrochemisch aufgebracht ist und somit im Vergleich zu einer gedruckten Paste nicht porös ist und damit einen geringeren Leitungswiderstand besitzt.
Bevorzugt weist die Siliziumschicht eine Schicht mit hoch n-dotiertem Silizium auf. Es wurde beobachtet, dass eine derartige Siliziumschicht im Vergleich zu einer gering dotierten Siliziumschicht bei Einwirkung eines Ätzmediums unterschiedlich stark angegriffen wird. Eine Schicht mit hoher n-Dotierung lässt sich in kürzerer Zeit ätzen als eine Schicht mit niedriger Dotierung. Diese Beobachtung kann für die Herstellung der erfindungsgemäßen Solarzelle vorteilhaft genutzt werden. Mit einer hoch n-dotierten Siliziumschicht wird erreicht, dass sich die Ätztiefe in dem Emitter und damit die Höhe des porösifizierten Bereiches bzw. die Höhe des anschließend gebildeten Metallsilizids auf einfache Weise begrenzen lässt. Dies gelingt auch bei einer Emitterschicht, die eine Dicke von nur wenigen hundert Nanometern bis zu 50 Nanotnetern besitzt, ohne dass ein elektrischer Kurzschluss der Solarzelle auftritt. Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung ist auf der Emitterschicht eine Antireflektionsschicht aufgebracht. Diese bewirkt, dass ein geringerer Anteil des einfallenden Lichtes von der Solarzelle reflektiert wird, so dass ein höherer Wirkungsgrad der Solarzelle erreicht werden kann. Die Antireflektionsschicht weist vorzugsweise Siliziumnitrid, Siliziumoxid oder Zinnoxid auf, wobei letztere im Unterschied zu den übrigen elektrisch leitfähig ist.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung ist die Antireflektionsschicht aus porösem Silizium gebildet. Diese Schicht ist vollflächig über die Oberfläche der Solarzelle ausgebildet. Vorzugsweise ist diese Schicht ein Teil des Emitters und ist auf eine Dicke von wenigen hundert Nanometern bis zu 50 Nanometern begrenzt. Der Vorteil besteht darin, dass eine solche Antireflektionsschicht nicht mehr strukturiert werden muss, um die Metallisierung durchzuführen. Die Porösifizierung kann unstrukturiert und ohne Maskierschicht erfolgen. Somit ist keine Maskierschicht erforderlich, die gegen Flusssäure beständig sein muss. Nach dem Porösifizieren kann dann eine Maskierschicht aufgebracht werden, welche strukturiert wird, so dass Bereiche mit und ohne Maskierschicht entstehen. In den Bereichen ohne Maskierschicht kann eine Beschichtung mit einer Metallschicht erfolgen. Daran schließt sich ein Erwärmen der Emitterschicht und Metallschicht an, so dass sich eine Metallsilizidschicht bildet
Vorzugsweise sind das Metall des Metallsilizids und das Metall der auf dem Metallsilizid aufgebrachten Metallschicht identisch. Damit ist eine relativ einfache Fertigung möglich.
Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung einer wie vorstehend beschriebenen Siliziumsolarzelle aus einem Wafer mit einer Siliziumschicht, wobei das Verfahren die Schritte aufweist:
Ätzen der Siliziumschicht, welche als Emitterschicht vorgesehen ist, oder der bereits gebildeten Emitterschicht mit einem Ätzmedium, so dass die Schicht mindestens in einer Zone porösifiziert wird;
Erzeugen einer strukturierten Maskierschicht auf der Oberfläche einer Waferseite, welche die Emitterschicht aufweist, so dass ein Bereich mit Maskierschicht und ein Bereich ohne Maskierschicht vorliegt; Beschichten der porösifizierten Emitterschicht in dem Bereich ohne
Maskierschicht mit einer ersten Metallschicht;
Erwärmen der Emitterschicht und der ersten Metallschicht, bis sich eine
Metallsilizidschicht bildet;
Entfernen der Maskierschicht.
Die Maskierschicht kann entweder bereits strukturiert aufgebracht werden, zum Beispiel mittels eines Siebdruckverfahrens, oder vollflächig aufgebracht und zum Beispiel durch Einsatz eines Lasers nachträglich strukturiert werden. Die Strukturierung erfolgt derart, dass ein Bereich mit Maskierschicht und ein Bereich ohne Maskierschicht entstehen, wobei in dem Bereich ohne Maskierschicht die Strukturierung so lange durchgeführt wird, bis die Emitter-Schicht freigelegt ist. Falls unter der Maskierschicht eine weitere Schicht, zum Beispiel eine Antireflektionsschicht, vorliegt, wird die Strukturierung so lange durchgeführt, bis in dem Bereich ohne Maskierschicht auch die Antireflektionsschicht entfernt ist und die darunter befindliche Emitterschicht freigelegt ist. Durch die Strukturierung ist es möglich, einen schmalen Bereich oder Kanal herzustellen, dessen Boden oder Basis, bei dieser Ausführungsform die freigelegte Emitterschicht, mit einem Ätzmedium angegriffen werden kann.
Das Ätzen in dem Bereich ohne Maskierschicht bzw. der freigelegten Emitterschicht führt dazu, dass eine poröse Struktur an der Oberfläche der Schicht erzeugt werden kann. Ein solches Ätzen und Erzeugen einer porösen Struktur an der Oberfläche kann zeitlich stark begrenzt erfolgen, so dass der Ätzangriff der Emitterschicht nur bis zu einer geringen Tiefe erfolgt. Damit wird auch bei einer sehr dünnen Emitterschicht sichergestellt, dass der porösifizierte Bereich nicht bis zu der unter der Emitterschicht befindlichen Schicht gelangt, wodurch ein Kurzschluss vermieden werden kann. Das Porösifizieren ist besonders vorteilhaft, da eine derart behandelte Oberfläche eine zerklüftete Struktur besitzt, die eine aufzubringende Metallschicht gut aufnehmen und mechanisch verankern kann. Zudem wird ein kleiner elektrischer Übergangswiderstand zwischen der Metallschicht und der SiliziumEmitterschicht erreicht. Ferner ist ein durch Ätzen porösifizierter Werkstoff sehr reaktionsfreudig, so dass beim Erwärmen der Emitterschicht und der Metallschicht auf einfache Weise bei bereits niedrigen Temperaturen eine Metallsilizidschicht gebildet wird, die gut haftet und einen niedrigen elektrischen Widerstand besitzt. Nur durch die poröse Struktur lassen sich eine befriedigende Haftung und ein niedriger elektrischer Widerstand erreichen.
Die beschriebene Reihenfolge kann jedoch auch geändert werden. So ist es ebenfalls möglich, dass zuerst die Emitterschicht mit einem Ätzmedium geätzt wird, so dass die Emitterschicht porösifiziert wird. Der Ätzangriff kann dabei auf eine Zone begrenzt sein oder auf der gesamten Oberfläche der Emitterschicht stattfinden. Anschließend kann der Schritt folgen, bei dem eine strukturierte Maskierschicht erzeugt wird, so dass ein Bereich mit Maskierschicht und ein Bereich ohne Maskierschicht vorliegen. Daraufhin erfolgt das Beschichten der porösifizierten Emitterschicht in dem Bereich ohne Maskierschicht mit einer ersten Metallschicht, dann das Erwärmen der Emitterschicht und der ersten Metallschicht und dann das Entfernen der Maskierschicht. Dies ist vorteilhaft, da somit das Ätzen ohne Maskierschicht stattfindet und keine Maskierschicht erforderlich ist, die gegen ein Ätzmedium beständig sein muss.
Ferner ist es möglich, dass das Ätzen einer Siliziumschicht erfolgt, die noch keine Emitterschicht ist und erst in einem weiteren Verfahrensschritt durch Dotieren zu einer Emitterschicht gebildet wird. Das Dotieren findet bei dieser Ausführungsform somit nicht vor dem Ätzen, wie oben beschrieben, sondern erst nach dem Ätzen statt. Ist die Emitterschicht gebildet, können anschließend wie oben erwähnt die Schritte folgen, dass eine strukturierte Maskierschicht erzeugt wird, eine Beschichtung mit einer ersten Metallschicht erfolgt, dann ein Metallsilizid gebildet wird und daraufhin die Maskierschicht entfernt wird.
Sollte die Maskierschicht die beim Erwärmen zur Bildung des Metallsilizids entstehende Temperatur nicht ohne Beschädigung überstehen, kann sie vor dem Schritt des Erwärmens entfernt werden. Bevorzugt erfolgt das Beschichten mit einer Metallschicht außenstromlos bzw. chemisch oder elektrochemisch. Dies kann zum Beispiel derart geschehen, dass bei einer n-dotierten Emitter-Siliziumschicht das Beschichten durch Kontaktieren des porösifizierten Siliziums mit einem Metall aufweisenden Elektrolyten und Abscheiden von Metall in und/oder auf dem porösifizierten und kathodisch gepolten Silizium erfolgt. Die Maskierschicht bewirkt, dass die laterale Ausdehnung der aufzubauenden Metallschicht innerhalb des freigeätzten Kanals der Maskierschicht erfolgt. Das abgeschiedene Metall dringt zum Teil in die Tiefen der porösifϊzierten Struktur ein und kann je nach gewähltem Prozessparameter (Spannung, Stromstärke, Elektrolytkonzentration oder Zeit) zusätzlich bis zu einer vorbestimmten Höhe aufgebaut werden. Es ist jedoch auch möglich, dass die Abscheidung des Metalls derart erfolgt, dass das Metall nur in die Tiefen der porösifϊzierten Struktur gelangt und dort die Freiräume ausfüllt, anschließend aber keine weitere Schicht aufgebaut wird.
Die Strukturierung der Maskierschicht ermöglicht es, einen schmalen Kanal herzustellen, so dass das Metallsilizid und eine eventuell darauf gebildete Metallschicht eine schmale Linienbreite besitzen. Dies ist vorteilhaft, da sich somit eine Solarzelle mit Zuleitungen bilden lässt, die aufgrund ihrer schmalen Breite nur eine geringe Abdeckung der bestrahlten Fläche der Solarzelle bewirken. Eine auf diese Weise hergestellte Zuleitung weist eine geringere Abdeckfläche auf als bei dem herkömmlichen Verfahren, bei dem für eine Zuleitung eine Silberpaste in einem Druckverfahren auf die Oberfläche aufgebracht wird. Mit einer solchen Silberpaste können nur Metallfinger oder Zuleitungen hergestellt werden, deren Breite größer ist als deren Höhe, so dass für einen genügend geringen elektrischen Widerstand eines Metallfingers eine Mindesthöhe nicht unterschritten werden sollte. Dies bedeutet jedoch eine Mindestbreite von größer als 100 μm, so dass eine Mindestfläche der Solarzelle durch Metallfinger bedeckt ist. Durch die strukturierte Maskierschicht lassen sich Linienbreiten von weniger als 100 μm erzeugen, so dass bei gleichen Abmessungen einer Solarzelle eine geringere Fläche abgedeckt wird und ein größerer Wirkungsgrad der Solarzelle erreichbar ist.
Bei einer galvanischen Abscheidung kann der Metallauftrag auch unter Einwirkung von Licht auf die Emitterschicht erfolgen. In einem solchen Fall erhält die Rückseite des Siliziumwafers einen kathodischen Kontakt, wobei sich die Anode im Elektrolyten befindet. Die Zelle ist dann in Sperrrichtung gepolt, während durch Einwirken von Licht auf die Emitterschicht eine erhöhter Fotostrom fließt, der für die Galvanisierung an der Emitteroberfläche sorgt. Dies ist vorteilhaft, da somit keine Kontaktierung der Emitterschicht innerhalb des Mediums erfolgen muss und die üblichen Probleme wie Galvanisierung des Kontaktes oder Schichtdickenschwankung auf der Emitterschicht aufgrund des Fremdfeldeinflusses der Kontaktstelle vermieden werden. Durch den Fotostrom lässt sich der Nachteil umgehen, dass auf der Oberfläche der Emitterschicht noch keine hochleitfähige Startschicht vorhanden ist, wie dies sonst bei einer galvanischen Beschichtung üblich ist.
Bei einer n-dotierten Emitter-Siliziumschicht kann das Porösifizieren der Siliziumschicht durch elektrochemisches Ätzen mit anodischer Polung der Siliziumschicht erfolgen, wobei die Siliziumschicht in das Ätzmedium getaucht wird. Dies ist vorteilhaft, da die gleiche Anordnung wie beim Beschichten gewählt werden kann, jedoch mit einer vertauschten Polarität. Die Siliziumschicht wird beim Ätzen anodisch gepolt, so dass die Schicht porösifiziert wird. Für das anschließende Beschichten bedarf es nun keines Umbaus oder Ausbaus des Silizium wafers und kein Durchführen von Spülschritten u.a., wodurch Zeit eingespart wird. Es gibt auch keine Benetzungsprobleme, da der Elektrolyt beim Ätzen bereits in den Poren enthalten ist und für das Beschichten nicht erst darin eindringen muss.
Bei dem Verfahren kann die elektrische Kontaktierung zur kathodischen oder anodischen Polung des Siliziums außerhalb des Elektrolyten erfolgen, so dass die Kontakte und die Zuleitung keinem elektrischen Feld im Elektrolyten ausgesetzt sind und nicht mitgalvanisiert oder mitgeätzt werden.
Vorzugsweise ist das Ätzmedium der Metall aufweisende Elektrolyt, so dass für das Ätzen und das Beschichten der gleiche Elektrolyt zum Einsatz kommen kann. Das Ätzmedium kann Flusssäure, ein Entspannungsmittel wie zum Beispiel ein Tensid, Alkohol oder Essigsäure, und ein Metallsalz aufweisen , bevorzugt in der Zusammensetzung 25 Vol.-% Flusssäure, 25 Vol.-% Ethanol, 25 Vol.-% Nickelsulfatlösung oder Nickelchloridlösung mit 80 bis 185 g/l Nickel, und 25 Vol.-% Wasser.
Eine andere vorteilhafte Zusammensetzung verzichtet auf Ethanol, kommt mit weniger als 25 Vol.-% Flusssäure aus und sieht Nickelacetat bis zur Löslichkeitsgrenze vor. Bei einer anderen Zusammensetzung kann die Konzentration der Flusssäure 25Vol.-% betragen, wobei Nickelacetat bis zur Löslichkeitsgrenze enthalten ist, so dass höhere Stromdichten von bis zu 60mA/cm2 bei der Porösifϊzierung erreichbar sind. Bei Konzentrationen zwischen 5 Vol.-% und 10 Vol.-% Flusssäure kann mit einer Stromdichte bis zu 30mA/cm2 porösifiziert werden. Ein hoher Nickelgehalt ermöglicht hohe Stromdichten bei der Nickelabscheidung, bei geringerer Nickelkonzentration fallt die Strombelastberkeit des Elektrolyten entsprechend geringer aus.
Eine weitere vorteilhafte Zusammensetzung weist auf: Flusssäure mit 5 Vol.-% bis 10 Vol.%, 150g/l bis 180g/l Nickelacetat bis zur Löslichkeitsgrenze gelöst, ein Entspannungsmittel , z.B. anionisch mit Natriumdodecylsulfat (Ci2H25NaO4S), oder kationisch mit Cetyltrimethylammoniumbromid (Ci9H42BrN) oder nicht ionisch mit einem /7-terf-Octylphenol-Derivat z.B. im Produkt Triton® X-100.
Wenn nur eine Seite der herzustellenden Solarzelle einem Elektrolyten ausgesetzt wird, somit eine Seite trocken kontaktiert werden kann, lässt sich eine einfache Kontaktierung erreichen.
Der Schritt des Erwärmens zur Bildung der Metallsilizidschicht kann in einem Bereich von 250 0C bis 700 °C, bevorzugt in einem Bereich von 250 0C bis 400 °C, erfolgen. Bei porösifiziertem Silizium ist bereits eine Silizidbildung in dem niedrigen Temperaturbereich von 250 °C bis 400 °C möglich, so dass auf das Silizium eine geringere thermische Belastung ausgeübt wird. Hierdurch lässt sich bei der Metallsilizidbildung eine Trennschärfe in die Tiefe zwischen porösifiziertem Silizium und nichtporösifiziertem Silizium erreichen. Die niedrige Temperatur reicht aus, um ein Metallsilizid mit dem porösen Silizium zu bilden, die Bildung eines Metallsilizids mit dem nichtporösifizierten Bereich benötigt jedoch höhere Temperaturen oder verläuft bei der Temperatur mit deutlich geringer Geschwindigkeit.
Gemäß einer Ausführungsform kann nach Bildung der Metallsilizidschicht die verbleibende erste Metallschicht entfernt und darauf erneut eine erste Metallschicht abgeschieden werden. Damit wird erreicht, dass Reaktionsschichten wie zum Beispiel Oxidschichten nach der Metallsilizidbildung entfernt werden, so dass die anschließend aufgebrachte erste Metallschicht sicher haften kann.
Bevorzugt wird in dem Bereich, in dem die Metallsilizidschicht gebildet wird, anschließend eine zweite Metallschicht gebildet. Damit lässt sich insgesamt der Leitungswiderstand verringern. Ist die Metallsilizidschicht ein Nickelsilizid, können zum Beispiel drei weitere Metallschichten in der Reihenfolge Nickel, Kupfer und Zinn oder in der Reihenfolge Nickel, Kupfer, Silber aufgebracht werden. Bei einem Silbersilizid als Metallsilizid kann die zweite Metallschicht Silber aufweisen.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird nach dem Aufbringen der ersten Metallschicht auf das porösifizierte Silizium noch kein Erwärmen durchgeführt, sondern auf diese erste Metallschicht eine zweite Metallschicht gebildet. Dadurch kann die Maskierschicht auf dem Wafer verbleiben, insbesondere auf einer Antireflexionsschicht, so dass keine Fehlabscheidung an porösen Stellen in der Antireflexionsschicht erfolgt. Die Abscheidung findet noch in dem geätzten Bereich der Maskierschicht statt, wodurch sich die laterale Ausbreitung der Metallschichten zuverlässig auf die Breite des geätzten Bereiches begrenzen lässt. Das Erwärmen findet dann nach dem vollständigen Auftrag der Metallschichten und Entfernen der Maskierschicht statt. Da die Metallisierung auf porösem Silizium mit gutem Haftverbund vorliegt, kann die Maskierschicht entfernt werden, ohne dass die Metallschichten abgelöst werden. Bei einer Beschichtung von Metall ohne porösifiziertem Untergrund wäre die Bildung von Metallsilizid nach Entfernung einer Maskierschicht nicht möglich. Da das Silizium in poröser Form vorliegt, kann bei dem Erwärmen die erste Metallschicht mit dem Silizium zuverlässig ein Metallsilizid bilden, ohne dass ein Verlust an Haftung auftritt.
Bevorzugt weist die Maskierschicht einen Lack auf, der sich mittels Siebdruck aufbringen lässt. Es ist nicht erforderlich, einen fotostrukturierbaren Lack einzusetzen. Vielmehr kann der Lack freie Stellen in den Bereichen aufweisen, in denen später die Metallisierung erfolgen soll.
Vorzugsweise ist der Lack gegen Flusssäure, Aceton, Ethanol, Salpetersäure, Laugen wie Kalilauge oder Natronlauge beständig.
Die Erfindung wird mit Bezug auf die nicht maßstäblichen Figuren genauer erläutert, in welchen zeigen:
Fig. 1 eine Querschnittsansicht eines Wafers als Ausgangsmaterial einer
Siliziumsolarzelle gemäß einer ersten Ausführungsform; Fig. 2 eine Querschnittsansicht des Wafers gemäß der ersten Ausführungsform nach einem zweiten Verfahrensschritt;
Fig. 3 eine Querschnittsansicht des Wafers gemäß der ersten Ausführungsform nach einem dritten Verfahrensschritt;
Fig. 4 eine Querschnittsansicht des Wafers gemäß der ersten Ausführungsform nach einem vierten Verfahrensschritt;
Fig. 5 eine Querschnittsansicht des Wafers gemäß der ersten Ausführungsform nach einem fünften Verfahrensschritt;
Fig. 6 eine Querschnittsansicht des Wafers gemäß der ersten Ausführungsform nach einem sechsten Verfahrensschritt;
Fig. 7 eine Querschnittsansicht des Wafers gemäß der ersten Ausführungsform nach einem siebten Verfahrensschritt;
Fig. 8 eine Querschnittsansicht des Wafers als Ausgangsmaterial einer
Siliziumsolarzelle gemäß einer zweiten Ausführungsform nach einem fünften Verfahrensschritt;
Fig. 9 eine Querschnittsansicht des Wafers gemäß der zweiten Ausführungsform nach einem sechsten Verfahrensschritt;
Fig. 10 eine Querschnittsansicht des Wafers gemäß einer dritten Ausführungsform nach einem ersten Verfahrensschritt; und
Fig. 11 eine Querschnittsansicht des Wafers gemäß der dritten Ausführungsform nach einem fünften Verfahrensschritt.
In Fig. 1 ist eine Querschnittsansicht eines Wafers 20 dargestellt, der eine n-dotierte Siliziumschicht 1 und eine p-dotierte Siliziumschicht 2 aufweist. Die n-dotierte Schicht besitzt eine Höhe von z.B. 200 Nanometern und wirkt als Emitterschicht, während die p- dotierte Schicht als Trägermaterial (bulk) eine Höhe von 100 bis 200 Mikrometern besitzt. Auf der n-dotierten Schicht 1 ist eine Antirefiektionsschicht 3 aus z.B. Siliziumnitrid gebildet, welche eine Höhe von z.B. 100 Nanometern besitzt. Die Antirefiektionsschicht 3 ist nicht zwingend erforderlich, jedoch vorteilhaft, da sie dazu dient, eine Reflektion des eingestrahlten Lichtes auf die n-dotierte Emitterschicht 1 zu verringern. Bei der in Fig. 1 dargestellten Ausführungsform ist eine Maskierschicht 4 auf der Oberfläche einer Seite des Wafers 20 aufgebracht, welche die Emitterschicht 1 aufweist. Da bei dieser Ausführungsform eine Antirefiektionsschicht 3 vorgesehen ist, befindet sich die Maskierschicht 4 nicht direkt auf der n-dotierten Siliziumschicht 1, sondern auf der Antirefiektionsschicht 3. Die Maskierschicht 4 weist mindestens einen Freiraum 5 auf, der bis zur darunter gelegenen Schicht, bei dieser Ausführungsform die Antirefiektionsschicht 3, reicht. Der Freiraum kann durch Strukturieren der Maskierschicht entstehen. Es ist jedoch ebenfalls möglich, dass die Maskierschicht mit einem bereits vorhandenen Freiraum auf die Antirefiektionsschicht aufgebracht wird.
Wenn der Wafer einem Ätzmedium ausgesetzt wird, welches in den Freiraum 5 gelangt, lässt man in einem zweiten Verfahrensschritt das Ätzmedium so lange einwirken, bis am Boden des Freiraumes 5 die Antirefiektionsschicht vollständig abgeätzt ist, siehe Fig. 2. Bei längerem Einwirken des Ätzmediums greift dieses auch die darunter befindliche Schicht, hier die n-dotierte Siliziumschicht 1, an, siehe Fig. 3. Diese n-dotierte Siliziumschicht 1 wird daraufhin in ihrer Struktur porös, siehe Bezugszeichen 7. Bei einer kurzen Einwirkzeit des Ätzmediums auf die n-dotierte Siliziumschicht 1 kann der Ätzangriff in seiner Tiefe begrenzt werden. Dies wird zusätzlich unterstützt, wenn der Ätzvorgang elektrochemisch erfolgt und wenn die n-dotierte Schicht 1 einen Bereich besitzt, der hoch n-dotiert ist und darunter schwach n-dotiert ist. Der hoch n-dotierte Bereich wird relativ schnell von einem Ätzmedium angegriffen, während der darunter angeordnete Bereich nur wenig angegriffen wird. Damit lässt sich erreichen, dass die poröse Struktur nicht bis in den Grenzbereich 8 zwischen n-dotierter und p-dotierter Schicht gelangt, so dass ein elektrischer Kurzschluss vermieden werden kann. Wird beim Porösifizieren eine Strom-Spannungskurve aufgenommen, lässt sich das Erreichen der niedrig n-dotierten Schicht in einfacher Weise dadurch erkennen, dass die Spannung ansteigt. Nach dem Porösifizieren wird in einem weiteren Verfahrensschritt eine erste Metallschicht 9, z.B. Nickel, in die poröse Struktur 7 eingebracht.
Bei entsprechend gewählten Prozessparametern kann die erste Metallschicht 9 auch noch weiter aufgebracht werden, so dass nicht nur innerhalb, sondern auch auf der porösen Struktur 7 die erste Metallschicht 9 vorgesehen wird, siehe Fig. 4. Die Metallschicht 9 befindet sich innerhalb des von der Maskierschicht 4 vorhandenen Freiraums 5 und besitzt eine Breite, welche der Breite des Freiraums 5 entspricht.
Im nächsten Verfahrensschritt, siehe Fig. 5, wird bei der ersten Ausführungsform die Maskierschicht 4 entfernt. Anschließend erfolgt ein Erwärmen mindestens der porösifizierten Siliziumschicht zusammen mit der ersten Metallschicht, so dass sich eine Metallsilizidschicht 10, z. B. ein Nickelsilizid, bildet, siehe Fig. 6. Aufgrund der porösen Struktur 7 entsteht eine gute Haftung zwischen dem Metall 9 und dem Silizium 1. In einem weiteren Verfahrensschritt, siehe Fig. 7, kann auf die erste Metallschicht 9 eine zweite Metallschicht 11 aufgebaut werden, wodurch eine Solarzelle 30 gebildet ist.
Alternativ zu dem fünften Verfahrensschritt bei der ersten Ausführungsform, bei dem die Maskierschicht entfernt wird, kann bei einer zweiten Ausführungsform bei einer noch vorhandenen Maskierschicht 4 auf die erste Metallschicht 9 eine zweite Metallschicht 11 aufgebracht werden, siehe Fig. 8. Daran schließt sich in einem weiteren Verfahrensschritt das Erwärmen mindestens des porösifizierten Siliziums 7 mit der ersten Metallschicht 9 an, siehe Figur 9, so dass ein Metallsilizid 10 gebildet wird. Daraufhin wird die Maskierschicht 4 entfernt, so dass auch bei dieser zweiten Ausführungsform eine Solarzelle 30 gebildet ist, siehe Fig. 7. Sollte die Maskierschicht 4 die beim Erwärmen zur Bildung des Metallsilizids entstehende Temperatur nicht ohne Beschädigung überstehen, wird sie vor dem Schritt des Erwärmens entfernt.
Fig. 10 zeigt eine dritte Ausführungsform des Wafers nach einem ersten Verfahrensschritt. Der Wafer weist eine Siliziumschicht auf, welche gleichzeitig als Antireflektionsschicht wirken kann. In einem ersten Verfahrensschritt wird die gesamte Oberfläche der Siliziumschicht 1 geätzt, so dass die Schicht porösifiziert wird. Anschließend wird eine Maskierschicht 4 aufgebracht, die bereits strukturiert ist oder noch strukturiert werden muss. Somit entsteht ein Bereich ohne Maskierschicht, der mit einer ersten Metallschicht 9 und einer zweiten Metallschicht 11 beschichtet werden kann. Anschließend erfolgt ein Erwärmen der Siliziumschicht 1 und der ersten Metallschicht 9, so dass sich ein Metallsilizid 7 bildet, siehe Fig. 11. Nach Entfernen der Maskierschicht 4 verbleiben die beiden Metallschichten 9 und 1 1 auf der Oberfläche, wodurch die erfindungsgemäße Solarzelle gebildet ist.

Claims

Patentansprüche:
1. Siliziumsolarzelle, aufweisend: eine Siliziumschicht mit einer Emitterschicht und mindestens einen durch chemisches oder elektrochemisches Ätzen porösifizierten Bereich innerhalb der Emitterschicht wobei mindestens ein Teil des porösifizierten Bereiches als Metallsilizid ausgebildet ist und darauf mindestens eine Metallschicht aufgebracht ist.
2. Solarzelle nach Anspruch 1 , wobei die Metallschicht Nickel, Kupfer oder Silber aufweist.
3. Solarzelle nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Metallsilizidschicht eine Höhe von weniger als 100 Nanometern besitzt.
4. Solarzelle nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das Metall des Metallsilizids und das Metall der auf dem Metallsilizid aufgebrachten Metallschicht identisch sind.
5. Verfahren zur Herstellung einer Siliziumsolarzelle aus einem Wafer mit einer Siliziumschicht nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Verfahren die Schritte aufweist:
Ätzen der Siliziumschicht, welche als Emitterschicht vorgesehen ist, oder der bereits gebildeten Emitterschicht mit einem Ätzmedium, so dass die Schicht mindestens in einer Zone porösifiziert wird; Erzeugen einer strukturierten Maskierschicht auf der Oberfläche einer Waferseite, welche die Emitterschicht aufweist, so dass ein Bereich mit Maskierschicht und ein Bereich ohne Maskierschicht vorliegen; Beschichten der porösifizierten Emitterschicht in dem Bereich ohne Maskierschicht mit einer ersten Metallschicht;
Erwärmen der Emitterschicht und der ersten Metallschicht, bis sich eine Metallsilizidschicht bildet; Entfernen der Maskierschicht.
6. Verfahren nach Anspruch 5, wobei das Verfahren den zusätzlichen Schritt aufweist:
Dotieren der Siliziumschicht, welche als Emitterschicht vorgesehen ist, so dass eine Emitterschicht gebildet wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 oder 6, wobei das Beschichten außenstromlos oder galvanisch erfolgt.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, wobei bei einer n-dotierten Emitter- Siliziumschicht das Beschichten durch Kontaktieren des porösifizierten Siliziums mit einem Metall aufweisenden Elektrolyten und Abscheiden von Metall in und/oder auf dem porösifizierten und kathodisch gepolten Silizium erfolgt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 8, wobei bei einer n-dotierten Emitter- Siliziumschicht das Porösifizieren der Siliziumschicht durch elektrochemisches Ätzen mit anodischer Polung der Siliziumschicht erfolgt.
10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei bei elektrochemischem Ätzen der anodisch gepolte Bereich mit dem Ätzmedium derart versehen wird, dass der Bereich in das Ätzmedium getaucht wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10, wobei die elektrische Kontaktierung zur kathodischen oder anodischen Polung des Siliziums außerhalb des Elektrolyten erfolgt.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 11, wobei das Ätzmedium der Metall aufweisende Elektrolyt ist.
13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei das Ätzmedium Flusssäure, ein Entspannungsmittel wie zum Beispiel ein Tensid, Alkohol oder Essigsäure, und ein Metallsalz aufweist.
14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei das Ätzmedium 5 Vol.-% bis 10 Vol.-% Flusssäure, 150g/l bis 180g/l Nickelacetat bis zur Löslichkeitsgrenze gelöst und ein Entspannungsmittel in Form von Natriumdodecylsulfat aufweist.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 14, wobei nur eine Seite der herzustellenden Solarzelle einem Elektrolyten ausgesetzt wird.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 15, wobei das Erwärmen zur Bildung der Metallsilizidschicht in einem Bereich von 250 °C bis 700 °C, bevorzugt in einem Bereich von 250 °C bis 400 °C, erfolgt.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 16, wobei nach Bildung der Metallsilizidschicht die verbleibende erste Metallschicht entfernt und darauf erneut eine erste Metallschicht abgeschieden wird.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 17, wobei in dem Bereich, in dem die Metallsilizidschicht gebildet wird, anschließend eine zweite Metallschicht gebildet wird.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 17, wobei vor dem Erwärmen auf die erste Metallschicht eine zweite Metallschicht gebildet wird.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 17, wobei die Maskierschicht einen Lack aufweist, der sich mittels Siebdruck aufbringen lässt.
PCT/DE2010/000148 2009-02-09 2010-02-09 Siliziumsolarzelle WO2010088898A2 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201080007688.6A CN102365751B (zh) 2009-02-09 2010-02-09 具有金属触点的硅太阳能电池
JP2011548528A JP5606454B2 (ja) 2009-02-09 2010-02-09 シリコン太陽電池
EP10721925A EP2394305A2 (de) 2009-02-09 2010-02-09 Siliziumsolarzelle
US13/205,133 US8759120B2 (en) 2009-02-09 2011-08-08 Silicon solar cell

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009008152A DE102009008152A1 (de) 2009-02-09 2009-02-09 Siliziumsolarzelle
DE102009008152.6 2009-02-09

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US13/205,133 Continuation-In-Part US8759120B2 (en) 2009-02-09 2011-08-08 Silicon solar cell

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2010088898A2 true WO2010088898A2 (de) 2010-08-12
WO2010088898A3 WO2010088898A3 (de) 2011-04-14

Family

ID=42338575

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/DE2010/000148 WO2010088898A2 (de) 2009-02-09 2010-02-09 Siliziumsolarzelle

Country Status (9)

Country Link
US (1) US8759120B2 (de)
EP (1) EP2394305A2 (de)
JP (1) JP5606454B2 (de)
KR (1) KR20110117702A (de)
CN (1) CN102365751B (de)
DE (1) DE102009008152A1 (de)
MY (1) MY155744A (de)
TW (1) TWI492390B (de)
WO (1) WO2010088898A2 (de)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120048371A1 (en) * 2010-08-25 2012-03-01 Wonseok Choi Solar cell and method for manufacturing the same
US20120305066A1 (en) * 2011-06-06 2012-12-06 International Business Machines Corporation Use of metal phosphorus in metallization of photovoltaic devices and method of fabricating same
NL2008742A (en) * 2011-11-30 2013-06-03 Taiwan Semiconductor Mfg Method for forming interconnect in solar cell.
NL2009382A (en) * 2012-08-29 2014-03-03 M4Si B V Method for manufacturing a solar cell and solar cell obtained therewith.
JP2016515302A (ja) * 2013-05-06 2016-05-26 ハンワ ケミカル コーポレイション 太陽電池の電極の製造方法およびこれを用いた太陽電池
US11016563B2 (en) 2016-03-14 2021-05-25 Jeffrey T. Haley Image changes based on voice

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ITMI20100407A1 (it) 2010-03-12 2011-09-13 Rise Technology S R L Cella foto-voltaica con regioni di semiconduttore poroso per ancorare terminali di contatto
EP2463410B1 (de) * 2010-12-13 2018-07-04 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Elektrochemisches Ätzen von Halbleitern
CN103137475B (zh) * 2011-11-23 2015-09-16 中国科学院微电子研究所 一种半导体结构及其制造方法
KR101149891B1 (ko) * 2011-12-09 2012-06-11 한화케미칼 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
TWI552372B (zh) * 2012-08-16 2016-10-01 聯華電子股份有限公司 製作太陽能電池的方法
ES2573137T3 (es) 2012-09-14 2016-06-06 Atotech Deutschland Gmbh Método de metalización de sustratos de célula solar
DE102020103531A1 (de) * 2020-02-11 2021-08-12 RENA Technologies GmbH Elektrode, deren Verwendung, Akkumulator sowie Verfahren zur Herstellung einer Elektrode
CN115274884A (zh) * 2022-08-10 2022-11-01 无锡爱尔华光电科技有限公司 一种硅基太阳能电池金属电极的制备工艺

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3664874A (en) * 1969-12-31 1972-05-23 Nasa Tungsten contacts on silicon substrates
US4321283A (en) * 1979-10-26 1982-03-23 Mobil Tyco Solar Energy Corporation Nickel plating method
WO1989000341A1 (en) * 1987-07-07 1989-01-12 Mobil Solar Energy Corporation Method of fabricating solar cells with anti-reflection coating
US5011567A (en) * 1989-12-06 1991-04-30 Mobil Solar Energy Corporation Method of fabricating solar cells
JPH03250671A (ja) * 1990-01-31 1991-11-08 Sharp Corp 半導体光電変換装置及びその製造方法
JPH07230983A (ja) * 1994-02-15 1995-08-29 Sony Corp 多孔質状シリコンの形成方法およびその多孔質状シリコンを用いた光半導体装置
KR100366349B1 (ko) * 2001-01-03 2002-12-31 삼성에스디아이 주식회사 태양 전지 및 그의 제조 방법
TWI258819B (en) * 2002-05-14 2006-07-21 Matsushita Electric Works Ltd Method for electrochemical oxidation
JP2004266023A (ja) * 2003-02-28 2004-09-24 Sharp Corp 太陽電池およびその製造方法
JP2005136148A (ja) * 2003-10-30 2005-05-26 Kyocera Corp 太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法
US20060022330A1 (en) * 2004-02-23 2006-02-02 Jonathon Mallari Porous silicon heat sinks and heat exchangers and related methods
CN101305454B (zh) * 2005-11-07 2010-05-19 应用材料股份有限公司 形成光致电压接点和连线的方法
ITMI20060478A1 (it) * 2006-03-16 2007-09-17 Eles Semiconductor Equipment Spa Sistema per contattare dispositivim elettronici e relativo metodo di produzione basato su filo conduttore annegato in materiale isolante
US7799182B2 (en) * 2006-12-01 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Electroplating on roll-to-roll flexible solar cell substrates
TW200849627A (en) * 2007-05-17 2008-12-16 Day4 Energy Inc Photovoltaic cell with shallow emitter
TW200939509A (en) * 2007-11-19 2009-09-16 Applied Materials Inc Crystalline solar cell metallization methods
US8222516B2 (en) * 2008-02-20 2012-07-17 Sunpower Corporation Front contact solar cell with formed emitter
DE102008011175B4 (de) 2008-02-26 2010-05-12 Nb Technologies Gmbh Mikromechanischer Aktuator und Verfahren zu seiner Herstellung
DE202008012829U1 (de) 2008-09-26 2008-12-04 Nb Technologies Gmbh Siebdruckform

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None
See also references of EP2394305A2

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120048371A1 (en) * 2010-08-25 2012-03-01 Wonseok Choi Solar cell and method for manufacturing the same
US9985162B2 (en) * 2010-08-25 2018-05-29 Lg Electronics Inc. Solar cell and method for manufacturing the same
US20120305066A1 (en) * 2011-06-06 2012-12-06 International Business Machines Corporation Use of metal phosphorus in metallization of photovoltaic devices and method of fabricating same
US9284656B2 (en) * 2011-06-06 2016-03-15 International Business Machines Corporation Use of metal phosphorus in metallization of photovoltaic devices and method of fabricating same
US10269993B2 (en) 2011-06-06 2019-04-23 International Business Machines Corporation Use of metal phosphorus in metallization of photovoltaic devices and method of fabricating same
NL2008742A (en) * 2011-11-30 2013-06-03 Taiwan Semiconductor Mfg Method for forming interconnect in solar cell.
NL2009382A (en) * 2012-08-29 2014-03-03 M4Si B V Method for manufacturing a solar cell and solar cell obtained therewith.
WO2014035242A1 (en) * 2012-08-29 2014-03-06 M4Si B.V. Method for manufacturing a solar cell and solar cell obtained therewith
JP2016515302A (ja) * 2013-05-06 2016-05-26 ハンワ ケミカル コーポレイション 太陽電池の電極の製造方法およびこれを用いた太陽電池
US11016563B2 (en) 2016-03-14 2021-05-25 Jeffrey T. Haley Image changes based on voice
US11782507B2 (en) 2016-03-14 2023-10-10 Jeffrey T. Haley Image changes based on facial appearance
US11816257B2 (en) 2016-03-14 2023-11-14 Jeffrey T. Haley Image changes based on gaze location

Also Published As

Publication number Publication date
US8759120B2 (en) 2014-06-24
WO2010088898A3 (de) 2011-04-14
JP5606454B2 (ja) 2014-10-15
EP2394305A2 (de) 2011-12-14
DE102009008152A1 (de) 2010-08-19
CN102365751A (zh) 2012-02-29
JP2012517690A (ja) 2012-08-02
MY155744A (en) 2015-11-30
CN102365751B (zh) 2015-07-22
US20110318872A1 (en) 2011-12-29
TWI492390B (zh) 2015-07-11
TW201041152A (en) 2010-11-16
KR20110117702A (ko) 2011-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2394305A2 (de) Siliziumsolarzelle
DE2036139A1 (de) Dunnfümmetallisierungsverfahren fur Mikroschaltungen
EP2134887A2 (de) Verfahren zur präzisionsbearbeitung von substraten und dessen verwendung
DE102018202513B4 (de) Verfahren zur Metallisierung eines Bauelements
WO2009006988A1 (de) Kontakt-struktur für euin halbleiter-bauelement sowie verfahren zur herstellung desselben
DE1080696B (de) Transistor, insbesondere Unipolartransistor, mit einem ebenen Halbleiterkoerper und halbleitenden, zylindrischen Zaehnen auf dessen Oberflaeche und Verfahren zu seiner Herstellung
EP2404323A2 (de) Solarzellen mit rückseitenkontaktierung sowie verfahren zu deren herstellung
DE102009010816B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements
EP2561557B1 (de) Verfahren zur herstellung einer solarzelle
DE112015002551T5 (de) Ausrichtungsfreie Solarzellenmetallisierung
WO2009021713A1 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiter-bauelements, halbleiter-bauelement sowie zwischenprodukt bei der herstellung desselben
DE112017001811T5 (de) Dreischichtige Halbleiterstapel zum Bilden von Strukturmerkmalen auf Solarzellen
DE102014222749B3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Kontaktstruktur zwischen einem Kantenabschnitt eines 2D-Materials und einem Metall
DE3312053A1 (de) Verfahren zum verhindern von kurz- oder nebenschluessen in einer grossflaechigen duennschicht-solarzelle
DE1564424C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer strahlungsdurchlässigen Elektrodenschicht auf einer ein Korn dicken Halbleiterkornschicht
DE102010010813A1 (de) Verfahren zur Dotierung eines Halbleitersubstrats und Solarzelle mit zweistufiger Dotierung
DE3006716A1 (de) Verfahren zum elektroplattieren
DE102007051725B4 (de) Verfahren zur Kontaktierung von Solarzellen
DE102004034435B4 (de) Halbleiterbauelement mit einem auf mindestens einer Oberfläche angeordneten elektrischen Kontakt
DE102011055912A1 (de) Solarzelle und Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle
DE102018251777A1 (de) Chemisches Polieren von Solarzellenoberflächen und daraus resultierenden Strukturen
WO2015044022A1 (de) Verfahren zur strukturierung von schichten oxidierbarer materialien mittels oxidation sowie substrat mit strukturierter beschichtung
DE102008029107B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Metallstruktur auf einer Oberfläche eines Halbleitersubstrates
DE3919693A1 (de) Solarzelle mit ueberhaengender dielektrischer schicht und verfahren zu ihrer herstellung
DE102021000956A1 (de) Verfahren zur Metallisierung eines Bauelements sowie auf diese Weise hergestellte Bauelemente

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201080007688.6

Country of ref document: CN

DPE1 Request for preliminary examination filed after expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2011548528

Country of ref document: JP

Ref document number: 12011501601

Country of ref document: PH

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20117020917

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2010721925

Country of ref document: EP

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10721925

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2