DE2136009C3 - Verfahren zur Herstellung von Photo Widerstandszellen - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Photowidcrstandszellen, bei dem eine Wi-Jerstandsplattc, die einen photoleitfähigen Teil sowie mit diesem elektrisch verbundene leitende Elektroden aufweist, und zwei Anschlußleitungen, die in elektrischen Kontakt mit den entsprechenden Elektroden gebracht werden, zwischen zwei filmartige, elektrisch isolierende Schichten, von denen die die Lichteinfallsseite der Widerstandsplattc bedeckende Schicht mindestens an der den lichtempfindlichen Teil der Widerstandsplatte bedeckenden Stelle transparent ist, eingebettet und die zwei filmartigen Schichten außerhalb des Randes der Widerstandsplatte miteinander dicht verbunden werden.

Durch bemerkenswerte Fortschritte bei der Herstellung von Halbleiterelementen können neuerdings die verschiedensten lichtempfindlichen Materialien zur Herstellung "on photoleilendcn Zellen verwendet werden. Bei diesen Materialien besteht aber stets das Problem, daß sie sehr anfällig gegen Feuchtigkeit sind, d. h. ihre Lichtempfindlichkeit in starkem Maße abfallt, sobald sie Feuchtigkeit absorbieren. Aus diesem Grund ist es notwendig, die lichtempfindlichen Werkstoffe durch Einkapselung vor der feuchten äußeren Atmosphäre zu schützen. In der Praxis ist es üblich, das lichtempfindliche Material in Metallgehäuse, Glaskolben oiler aus einem Harzmatcrial bestehende Kapseln einzuschließen.

In Fig. la ist beispielsweise eine konventionelle Photowidcrstands/elle dargestellt, die sich in einem Metallgehäuse mit Glasfenster befindet Bei der Herstellung einer solchen Zelle wird ein blankes Element 1, das mit einem lichtempfindlichen Material beschichtet ist, mittels einer Grundplatte 2, die mit von Isolierstücken la getragenen Leitungsdrähten 2b versehen ist, und mittels einer metallischen Kappe 3, in deren Oberseite sich ein Glasfenstei 3« befindet, eingekapselt Das blanke Element 1 ist mit einem lichtempfindlichen Teil la, das mit einem lichtempfindlichen Material, wie /.. B. CdS, beschichtet ist, sowie mil Elektrodenteilen lh, welche aus einem aufgedampfton leitenden Stoff, wie z. U. Indium, bestehen, der die Elektroden bildet, versehen. In die Befestigungslocher 1 c, die als Zentren der Sammelzonen der Elektrodenteile lh dienen, werden die Leitungsdrähte 2/) während der Montage des Photowiderstandes eingesetzt Ein leitendes Material, wie z. B. Silbe rpastc 4, wird auf die Bereiche der Befestigungslöcher, welche die eingesetzten Leitungsdrähte 2h halten, aufgebracht Eine solche Photowidersiandszelle in einem metallischen Gehäuse hat an sich den Vorteil, daß sie nicht wasseraufnahmefähig ist. Durch das obere Glasfenstei 3« ist aber seine Festigkeit gegen mechanische Beschädigungen gering. Außerdem ist das metallische Gehäuse relativ aufwendig und entsprechend kostspielig und muß unter Berücksichtigung der Wärmedehnungskoelfizienten von Metall und Glas sorgfältig ausgewählt werden. Ferner hat diese bekannte Photowiderstandszelle den Nachteil, daß /u viele Befestigungs- und Abdichtungsschritte bei seiner Herstellung erforderlich sind, und daß die Gestalt der Einzelteile teilweise für eine Massenproduktion ungeeignet ist.

Eine andere bekannte Photowiderstandszelle, die in ein Glasgehäuse 5 eingeschlossen ist, ist in F i g. 1 b dargestellt. Hei der Herstellung einer solchen Zelle werden die Leitungsdrähte 2b, die mit dem Element 1 durch Silberpaste 4 verbunden sind, während dei Einkapselung an den Auslaßteilen 5a, die im Bodenteil des Glasgehäuses 5 gebildet sind, an das Glas angeschmolzen. Hier muß man also das blanke Element 1 vor Hitze schützen. Aus diesem Grund muß ein he-

[riiclUlicher Abstand zwischen dein H<ideiiti.il des Glasgehäuse* 5 und dem hlemciit I eingehalten wer-Jcn, das oberhalb eines Vcrsteilungsglicdcs 6 monlitrt M. Bei dieser Anordnung ist es jedoch schwierig, Line genügend kleine oder kompakte Photowiderstandszelle zu schaffen. Ferner kann das Glasgehäuse naturgemäß durch Stöße beschädigt werden. Weiterhin besteht hei dem Glasgehäuse das Problem, daß us nur unter Schwierigkeiten eine genaue gleichmäßige äußere Gestalt erhalten kann. Ein weiterer Nachteil dieses bekannten Photowiderstandes besieht darin, daß er ähnlich wie im Falle des Metallgehäuses Schwierigkeiten bei der Massenproduktion bereitet.

I- ig. 1 c zeigt noch einen weiteren konventionellen l'hotowiderstand, der sich in einem Gehäuse aus Harzmatcrial befindet. Dieser Photowiderstand hat an sich den Vorteil, daß er sehr stoßfest ist und bei seiner Herstellung in der Massenfertigung eine gleichmäßige Gestalt besitzt. Andererseits kommt aber häufig zwischen der Kappe 7 und der Grundplatte 8, die beide aus dem Harzmaterial bestehen, nicht die Verbindung 9 in der gewünschten Weise zustande, und nach der Herstellung der Verbindung können sich feine durchgehende Poren oder Sprünge bilden. Durch diese Poren oder Sprünge kann das blanke Element 1 leicht der unerwünschten Feuchtigkeit ausgesetzt werden und diese absorbieren. Weitere Nachteile dieser bekannten Zelle bestehen darin, daß die erforderliche Festigkeit der Verbindung nicht gewährleistet ist, insbesondere hinsichtlich zeitlicher Änderungen beim Verbindungsverfahren. Im übrigen hat auch dieser bekannte Photowiderstand ähnliche Nachteile wie die beiden oben beschriebenen bekannten Bauelemente.

Aus der deutschen Patentschrift 829 194 ist ferner ein Halblciter-Fotowiderstand bekannt, bei dem ein lichtempfindliches Halbleiterelement und zugehörige Anschlußdrähle /wischen einer isolierenden Grundplatte aus einem durch ein Lösungsmittel lösbaren Kunststoll und einer (einzigen) Filmschicht aus dem gleichen Kunststoff eingeschichtet sind. Die Filmschicht wird im gelösten Zustand aufgebracht und muß dann tagelang getrocknet werden. Dieses Verfahren ist umständlich und zeitraubend und für eine Massenfertigung wenig geeignet.

Aus der USA.-Patentschrift 3 .137 XW ist ein licht empfindliches Bauelement bekannt, bei dem eine Schicht aus lichtempfindlichem Halbleitermaterial auf einer isolierenden Grundplatte liegt und ihrerseits getrennte Ilekliodenbelägc trägt.

Hm Verfahren der eingangs genannten Art ist bereits aus der deutschen Auslegeschrift 1 162011 bekannt. Durch das bekannte Verfahren soll ebenfalls eine photoleitende Zelle gegen atmosphärische Einflüsse geschützt werden, dtKh ist es relativ aufwendig bei der Massenfertigung von Bauelementen.

Aufgabe der Erfindung ist, dieses Verfahren auf möglichst einfache Weise so zu verbessern, daß es die gleichzeitige Herstellung einer Mehrzahl von Photowiderstandszellcn ermöglicht.

Die Erfindung löst diese Aufgabe bei einem Verfahren der eingangs genannten Art dadurch, daß gleichzeitigeine Mehrzahl von mit jeweils einer isolierenden Grundplatte versehenen Widerstandsplatten mit jeweils einem Paar von Anschlußleitungen zwischen den zwei filmartigen Schichten angeordnet, die Schichten dann durch Zusammendrücken außerhalb des Randes der Widerstandsplatten verbunden und die Schichten dann längs ihrer Verbindungsstellen zerschnitten werden.

Dieses Verfahren hat den Vorteil, daß es sich besonuers gut für die Massenfertigung eignet. Es ist einfacher als die bekannten Verfahren und ermöglicht die gleichzeitige Herstellung bzw. Einkapselung mehrerer Zellen in relativ kurzer Zeitdauer.

Die dichtende Verbindung der beiden filmartigen Schichten kann durch ein Vakuumverfahren erfolgen. Hierbei kann man sich eines Klebe- oder Bindemittels, eines Warmschweißverfahrens, eines Hochfrequenzschweißverfahrens oder eines Ultraschallschweißverfahrens bedienen.

Die Erfindung wird an Hand eines Ausführungsbeispiels näher eriäutert. In den sich darauf beziehenden Teilen der Zeichnung zeigt

Fi g. 2 eine Seitenansicht der Einzelteile einer Photowiderstandszelle, bevor sie gemäß der Erfindung zwischen zwei Schichten eingekapselt werden, die dicht und fest miteinander verbunden werden, Fi g. 3 eine Draufsicht auf eine Photowiderstandszelle, aus der die Anordnung der Einzelteile nach der Zusammenschichtung und Abdichtung erkennbar ist,

F i g. 4 »"inen Schnitt durch F i g. 3 längs der Ebene IVlV,

Fig. 5 eine Drauisicht auf einen Photowiderstand, der die für seine Verwendung geeignete Form erhalten hat,

Fig. 6 eine Draufsicht auf eine andere Ausführungsform eines Photowiderstandes, der eine andere Form als gemäß Fig. 5 erhallen hat,

Fig. 7 eine der Fig. 3 entsprechende Draufsicht auf eine Anordnung, wie sie beispielsweise für die Massenproduktion geeignet ist,

Fig. 8 eine perspektivische Ansicht einer transparcnteti filmartigen Schicht, der vorbereitend Leitungsdrähte einstückig angeformt worden sind,

Fig. 9 ein Diagramm zum Vergleich der Eigenschaften eines nach der Erfindung hergestellter·. Photowiderstandes mit denen eines bekannten Baueleinentes hinsichtlich des Anderungsverhaltens des Beleuchtungswiderstandes,

Fig. 10ein Diagramm, das das Ergebnis von Wärmeversuchen mit einem gemäß der Erfindung herge stellten Photowiderstand und einein bekannten Bauelement zeigt,

Fig. 11 ein Diagramm mit Vergleichseigcbnissen, die bei Feuchtigkeitssicherheitsversuchen mit einem erfindungsgemäß hergestellten Photowideistand und einem bekannten Photowidei stand erzielt wurden. In den Fig. 2 bis 6 ist eine elektrisch isolierende Grundplatte 10 dargestellt, die einen lichtempfindlichen Teil 10a, der durch Aufschichtung eines auf Licht ansprechenden Materials geschaffen wurde, und einen Elektrodenteil 10b aufweist, der durch Bcschichtung der Platte mit einem leitenden Material zustande kommt, und elektrisch mit dem lichtempfindlichen Teil 10a verbunden ist. Diese Grundplatte 10 entspricht dem oben als »blankes Element« bezeichneten Teil. Leitungsdrähte 11α und lib sind derarl fio angeordnet, daß ihre Positionen denjenigen der Elektrodcnteile 106 entsprechen. Eine flache, band- odei filmartige, elektrisch isolierende Schicht 12 ist optisch transparent oder durchscheinend. Eine weitere solche band- oder filmartige Schicht 13 ist ebenfalls elek trisch isolierend. Selbstverständlich müssen diese bei den Schichten 12 und 13 von ausgezeichnetem Feuch tigkeits- und Wetterbeständigkeit sein.

Nachlolgend soll das erfindungsgemäß durchge

führte Herstellungsverfahren eines Photowiderstandes erläutert werden. Seine Einzelteile 13, 10, 11a, 116 und 12 werden in der in F i g. 2 dargestellten Reihenfolge aufeinandergelegt. Dieser Stapel aus Einzelteilen wird in der in Fig. 3 gezeigten Weise in einen Raum 14 gebracht, der durch (nicht dargestellte) Teile gebildet ist, die dafür sorgen, daß dieser Raum (zwischen den Schichten 12 und 13) luftdicht ist. Von unterhalb der Schicht 13 wird dann die im Raum 14 vorhandene Luft zur Schaffung eines Vakuums abgesaugt. Die beiden Schichten 12 und 13 werden daraufhin in feste Berührung miteinander kommen, wobei zwischen ihnen sowohl die Grundplatte 10 als auch die an die Elektrodenteilc 106 angehefteten Leitungsdrähte 11a bzw. 116 eingeschlossen werden. Die eine der beiden Schichten, nämlich die Schicht 12, die zunächst noch flach gewesen war, deformiert sich dadurch und legt sich um die Grundplatte 10 herum. Es sei bemerkt, daß sich auch beide Schichten 12 und 13 deformieren können. Die Grundplatte 10 ist also nun eingekapselt. Nun werden die Berührungsbereiche 15 (Fig. 4) durch ein geeignetes Bindemittel fest miteinander verbunden, damit diese Bereiche luftdicht sind. Wenn der Stapel aus den Einzelteilen sich in diesem Zustand befindet, werden die Leitungsdrähte 11« und 116 unter Druck mit den Elektrodcnteilen 106 der Grundplatte 10 kontaktiert; sie dienen als Anschlußelcktroden, die aus der Schichtkapsel herausragen. Nach der Montage wird der Photowiderstand von an ihn angrenzenden ähnlichen Einheiten abgeschnitten und dabei in eine für die Verwendung geeignete Form gebracht, wie sie in F i g. 5 dargestellt ist. Wenn man die Leitungsdrähte Ha und 116 zuvor an geeignete Stellen gebracht hat, kann man auch einen Photowiderstand mit der in Fig. 6 dargestellten Form erhalten.

Oben wurde erläutert, wie ein Photowiderstand durch ein Vakuum-Einkapselungsverfahren montiert werden kann. Selbstverständlich kann die Montage aber auch auf andere Weise erfolgen. Eine Möglichkeit besteht z. B. darin, die Schicht 12 unter Verwendung einer geeigneten Schablone oder Spannvorrichtung direkt nach unten auf die Schicht 13 zu drücken. Statt dessen kann auch in der Schicht 12 durch eine Spann- oder Schablonenvorrichtung ein kappenartiger Bereich gebildet werden, worauf die so behandelte Schicht 12 nach unten auf die andere Schicht 13 gepreßt wird. Mit einem Bindemittel werden die beiden Schichten 12 und 13 fest miteinander verbunden, so ■ daß eine fertige Zelle entsteht, die beispielsweise die in Fi g. 4 dargestellte Form haben kann. Statt die einander eng berührenden Flächen der beiden Schichten durch einen Klebstoff miteinander zu verbinden, können die beiden Schichten auch durch Hochfrequenzerhitzen oder durch Ultraschallschwingungen zusammengeschweißt werden.

Fi g. 7 zeigt in verkleinertem Maßstab eine Teilansicht einer Anordnung von Teilen, wie sie bei dem erfindungsgemäß ausgeführten Verfahren in der Massenproduktion angewandt werden kann. Fig. 3 zeigt eine dieser Einheiten, nachdem sie aus der in der Teildarstellung der Fig. 7 gezeigten Anordnung herausgeschnitten worden ist. Aus Fig. 7 ist ersichtlich, daß man eine Anzahl im Abstand voneinander angeordneter Zelleneinheitcn, deren Einzelteile an den gewünschten Positionen liegen, gleichmäßig zur gleichen Zeit montieren kann. Sie müssen lediglich nach ihrer Montage in eine geeignete Form geschnitten werden.

Falls eine Anzahl von Photowiderständen mit einheitlicher Anordnung gleichzeitig hergestellt werden soll. kann man die Massenproduktivität noch dadurch verbessern, daß man aus dünnen Kupferstreifen gebildete Leitungsdrähte entsprechend den Drähten 11« und

I i/'diiekt auf die eine Seite der Schicht 12 aufdruckt, wie dies in Fig. S dargestellt ist.

Die Art und Weise, wie Photowidcrsliiiulc nach dem Verfahren der Erfindung hergestellt werden, soll ίο nun an einigen Beispielen noch näher erläutert werden.

Beispiel I

Es wurden Schichten 12 und 13 aus Polyimid verwendet. Auf die Oberfläche der Schicht 12 wurden als Leitungsdrähte 1 la und 116 dienende Streifen aus Kupferfolie durch ein Aufschmcl/vcrfahrcn aufgebracht. Eine Anzahl vorbereiteter Grundplatten 11) wurden im Abstand voneinander auf die Schicht 13 gelegt, wie dies in I· i g. 7 dargestellt ist. Auf die Oberseite aller dieser bcabstandeten Elemente wurde die Schicht 12 gelegt. Dann wurden die Schichten 12 uml 13 an entgegengesetzten Seiten zusammcngcpicßl, um sie in enge Berührung miteinander zu bringen Schließlich wurden die Bcrührungsbercichc der beiden Schichten 12 und 13 durch Erhitzen miteinander verschmolzen.

B c i s ρ i e I 11

Es wurden wieder Schichten 12und 13 aus Polyimid verwendet. Auf die Innenseite der Schicht 13 wurde ein Klebstoff aufgebracht. Eine Anzahl blanker Elemente wurde dann auf die gleiche Weise wie beim Beispiel I eingekapselt.

Beispiel Nl

Es wurden Schichten 12 und 13 aus transparentem Polyester verwendet. Auf die Innenfläche der Schicht 12 wurde ein Klebstoff in Form von mikroverkapseltem transparentem Epoxydharz aufgetragen. Andererseits wurde auf die Innenfläche der Schicht 13 ein mikroverkapseltes Epoxydhärtungsmittel aufgebracht. Grundplatten 10 und Leitungsdrähte 11 o, 11 b

wurden aufeinandergelegt zwischen die Schichten 12 und 13 gepackt. Die gegenseitigen Bcrührungsbcrciche der Schichten 12 und 13 wurden durch Anleger von Druck an diese Bereiche von entgegengesetzter Richtungen miteinander verbunden.

Die nach dem Beispiel III eingekapselten Photowiderstände wurden an ihren lichtempfindlichen Teiler nicht durch das Härtungsmittel chemisch beeinträchtigt. Die Berührungsbereiche der Schichten 12 unc 13 waren außerordentlich gut miteinander verbunden

Vergleicht man daher die gemäß Beispiel III hergestellten Photowiderstände mit Bauelementen, die nach dem konventionellen Metall-Glas-Einkapse lungsverfahrcn mit »hermetischem Abschluß« herge stellt wurden, wie eingangs erläutert wurde, so zeigi

sich, daß ein gemäß der Erfindung hergestellter Pho towiderstand in seinen Betriebseigenschaften den bc kannten Bauelementen in keiner Weise unterlegen ist Dies geht aus den Diagrammen der Fig. 9, 10 unc

I1 hervor. Fig. 9 zeigt einen Vergleich zwischen den Verhalten des Beleuchtungswidcrstandcs zweier ZeI

len, deren Beleuchtungsabhängigkeit γ konstant nahi bei 1 liegt. Die eine dieser Zellen ist cntspreehenc Ί·ίιι Verfahren cit-i vorliegenden Erfindung einge

kapselt worden (ausgezogene Linie), die andere auf konventionelle Weise (gestrichelte Linie).

Fig. 10 zeigt einen Vergleich zwischen den Ergebnissen einer Temperaturwechselprüfung. Bei dieser Prüfung wurde ein Photowiderstand zunächst 23 Stunden lang bei normaler Temperatur im Dunklen belassen. Danach wurde die Zelle eine Stunde lang mit 300 Lux beleuchtet. Als Referenzwert wurde der Widerstandswert verwendet, den die in der obenerwähnten Weise behandelte Zelle aufweist, wenn ihre dem Licht ausgesetzte Stirnfläche mit 1 Lux beleuchtet wird. Der Punkt α zeigt die Änderungsrate des Widerstandswertes der Zelle, die sich ergibt, wenn man sie zuerst 24 Stunden lang bei 70° C und dann noch 23 Stunden lang bei 25° C im Dunklen hält, sie dann eine Stunde lang mit 300 Lux beleuchtet, und ihre Oberfläche anschließend der Beleuchtung von 1 Lux aussetzt. Der Punkt b hingegen zeigt die Änderungsrate des Widerstandes, die sich ergibt, wenn die Zelle zunächst 24 Stunden lang bei -20° C und dann noch 23 Stunden lang bei 25° C im Dunklen beläßt, sie dann eine Stunde lang mit 300 Lux beleuchtet und ihre Lichtempfangsfläche anschließend der Beleuchtung von 1 Lux aussetzt. Bei diesem Diagramm entspricht die ausgezogene Linie wieder dem erfindungsgemäß hergestellten Photowiderstand, während die unterbrochene Linie den Widerstandswert der nach dem bekannten Verfahren hergestellten Zelle wiedergibt.

Fig. 11 zeigt einen Vergleich zwischen den Ergebnissen einer Wechselprüfung zur Feststellung dei Feuchtigkeitssicherheit. Bei dieser Prüfung wurde ein Photowiderstand zuerst 23 Stunden lang in der Dunkelheit auf Normaltemperatur gehalten. Danacli wurde er eine Stunde lang mit 300 Lux beleuchtet Der Widerstandswert, der sich ergab, wenn die in dei oben beschriebenen Weise behandelte Zelle mit ihrei Oberfläche der Beleuchtung von 1 Lux ausgesetzi wurde, diente wieder als Referenzwert. Der Punkt ( repräsentiert die Änderungsrate des Widerstandswertes der Zelle, die zunächst 8 Stunden lang bei 55° C

is und einer relativen Feuchtigkeit von 95% und danr 13 Stunden lang bei 25° C und einer relativen Feuch tigkeit von 50% im Dunklen gehalten wurde, danr eine Stunde lang mit 300 Lux beleuchtet wurde unc schließlich mit ihrer Lichtempfangsfläche der Be leuchtung von 1 Lux ausgesetzt wurde. Die Punkte t und e zeigen die jeweiligen Änderungsraten bei Wie derholung der Verhältnisse gemäß Punkt c. Auch ii diesem Diagramm entspricht die ausgezogene LinU dem Wert der durch das Verfahren gemäß der Erfin

a5 dung hergestellten Zelle, während die unterbrochene Linie einer konventionell hergestellten Zelle ent spricht.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche:

1. Verfahren zur Herstellung von Photowiderstandszellen, bei dem eine Widerstandsplatte, die einen photoleitfähigen Teil sowie mit diesem elektrisch verbundene leitende Elektroden aufwo··»!, und zwei Anschlußleitungen, die in elektrischen Kontakt mit den entsprechenden Elektroden gebracht werden, zwischen zwei filmartige, elekirisch isolierende Schichten, von denen die die Lichteinfallsseite der Widerstandsplatte bedekkende Schicht mindestens an der den lichtempfindlichen Teil der Widerstandsplatte bedeckenden Stelle transparent ist, eingebettet und die zwei filmartigen Schichten außerhalb des Randes der Widerstandsplatte miteinander verbunden werden, dadurch gekennzeichnet, daß gleichzeitig eine Mehrzahl von mit jeweils einer isolierenden Grundplatte (10) versehenen Widerstandsplattcn (10, 10«, IQb) mit jeweils einem Paar von Anschlußleitungen (Πα, 1l/>) zwischen den zwei filmartigen Schichten (12, 13) angeordnet, die Schichten (12, 13) dann durch Zusammendrucken außerhalb des Randes der Widerstandsplattcn verbunden und die Schichten (12, 13) dann längs ihrer Verbindungsstellen zerschnitten werden.

2. Verfahren nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußleitungen (Ht/, lib) vorbereitend auf die der Widerstandsplatte (10, 10«. 10/)) zugekehrte Oberfläche einer der filmartigen Schichten aufgebracht werden.

.V Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zwei filmartigen Schienten (12,13) jeweils auf ihrer Außenseite aus einem Polyiinid und an ihrer Innenseite aus einem transparenten Kunstharz bestehen, und daß das Verbinden der einander berührenden Bereiche (15) der beiden Schichten durch Warmverschmclziing erfolgt.

4. Verlaine η nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden filmartigen Schichten (12. 13) aus Polyester-Kunstharz bestehen, daß die Innenseite dei einen dieser Schichten mil der mikroverkapselten Hauptkomponente eines Epoxydharzklchstoffes bedeckt wird, daß die uncleie dieser Schichten auf ihrer Innenseite mit einem mikroverkapselten Epoxydhärtungsmiltel bedeckt wird, und daß die Berührungsbeieiche (15) der beiden Schichten (12, 13) durch Druck zusammengefügt und durch die Reaktion zwischen dem Epoxydharzkkhstoff und dem Hartungsniittel fest miteinander verbunden werden.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche I bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Verbinden der beiden filmartigen Schichten (12, 13) durch Hochfrequenz- oder Ultraschallverschweißen erfolgt