JPS6367731A - ステツパ用ｘ線マスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔Ｉ既　　要〕 タンタルＸ線吸収体と、金およびタンタルのＸ線プロ７
カを有するステッパ用Ｘ線マスク。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、ＬＳＩなどの半導体装置の製造において使用
するのに適するステッパ用）ｌマスクに関する。

〔従来の技術〕

ＬＳＩなどの半導体装置を製造するには、Ｘ線マスクを
使用してウェハに回路パターンを形成する。このときウ
ェハの区画ごとに順次Ｘ線を照射してパターンを段階的
に形成するが、１つの区画を照射している間、他の区画
にＸ線が当らないようにするために、ウェハの各区画に
対応してＸ線マスクの各区画の境を遮蔽するＸ線ブロッ
カを設ける。

Ｘ線マスクの製造には、シリコン基板にＸ線透過性メン
ブレンを成膜し、メンブレンと反対側の周辺部にリング
を接着した後にリングによって囲まれた領域をバックエ
ツチングしてシリコンを除去するが、このとき水酸化カ
リウム水溶液またはぶつ化水素、硝酸、酢酸の混酸をエ
ツチング液としてシリコンを溶解して、除去し、メンブ
レンがリングによって周囲から引張られた状態とし、こ
の上に回路パターン形成用Ｘ線吸収体を形成とするため
のタンタル薄膜を成膜する。

タンタルはシリコンと同様にエツチング液に溶解するの
で、従来はこれを厚み０．２〜０．５μｍのホトレジス
トまたはポリイミドで被膜していたが、これらの有機物
質はエツチング溶液の侵入を完全に防ぐことができなか
った。

〔発明の解決しようとする問題点〕

タンタルをＸ＆１吸収体とするステッパ用Ｘ線マスクは
、その製造において基板のシリコンをバンクエツチング
するときに、タンタルの溶解を防ぐ必要がある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題点は、Ｘ線透過性メンブレンの上に、Ｘ線吸収
体と、Ｘ線ブロッカとを有するステッパ用Ｘ＆１マスク
であって、Ｘ線吸収体をタンタルとし、Ｘ線ブロッカを
金およびタンタルとしたことを特徴とするＸ線マスクに
よって解決することができる。

〔実施例〕

第１図を参照して本発明のステッパ用ｘｌマスクの製造
工程を説明する。（ａ）常法によって、シリコン基Ｆｊ
、１の上に、Ｘ線透過性メンブレン２を成膜し、この上
に厚み０．８μｍのタンクル膜３をスパッタリングし、
これと反対側の面の周辺部にリング４を接着した。タン
タル膜３の上に、本発明によって厚み１μｍの金膜５を
スパッタリングして被覆した。（ｂ）常法によってバッ
クエツチングにより、リングに囲まれた領域のシリコン
を溶解して除去した。　（Ｃ）金膜５の上に厚み０．０
３μｍのクンタル膜６をスパッタリングし、（ｄ）常法
によって、これをバターニングしてブロッカ形成用のマ
スク６′を形成し、（ｅ）金膜５をイオンぐリングして
、金−タンタルのＸ線ブロッカ５′を形成した。（ｆ）
常法によって、タンタル膜３をパターニングしてＸ線吸
収体３′を形成し、（ｇ）全面にポリイミドを被覆して
二次電子防止膜７とした。

〔発明の効果〕

本発明のステッパ用Ｘ線マスクは、作成工程が単純であ
って製品の歩留りが高く、かつ内部応力が低い金をＸ線
プロフカとするので、メンブレンの歪みが少ない利点を
存する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のステッパ用Ｘ線マスクの製造工程図で
ある。 １・・・シリコンＭ板、　　２−・・メンブレン、３．
６・・・タンタル膜、３′・・・Ｘ線吸収体、４・・・
リング、　　　　５・・・金膜、５゛　・・・Ｘ線ブロ
ッカ、 ６°　・・・ブロッカ形成用マスク、 ７・・・二次電子防止膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、Ｘ線透過性メンブレンの上に、Ｘ線吸収体と、Ｘ線
   ブロッカとを有するステッパ用Ｘ線マスクであって、Ｘ
   線吸収体をタンタルで形成し、Ｘ線ブロッカを金および
   タンタルで形成したことを特徴とするＸ線マスク。