JPS616883A - 磁気抵抗素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は磁気抵抗素子に関し、特に強磁性薄膜からなる
磁気抵抗素子に関する。

従来技術 従来、この種の磁気抵抗素子では、第１図に示すように
５ｉ０２の絶縁躾を有するシリコン基板１の上にＦｅ、
Ｎｉ、Ｃｏ等の強磁性薄膜２及びＣｕ、Ａｎ等の電極３
を蒸着やスパッタリングにより形成して、しかる後にフ
ォトエツチングによりパターン化し保護膜を付けて１枚
の基板からチップ状態を製造し、そのチップ４をリード
フレーム５（あるいは細線端子）にダイボンディング、
ワイヤボンディングあるいは半田によって接続し、プラ
スチックパッケージ等でモールドするのが一般的である
。

かかる構成の磁気抵抗素子６は、第２図に示すように発
磁体との組合わせで磁性センサに応用される。一般には
、発磁体として多極着磁した磁気ドラム７が使用される
が、着磁密度が大きくなるに従い、漏洩磁束も少なくな
り磁気ドラムの曲率により従来の平面基板にパターン化
した磁気抵抗素子では効率的に磁束を感知できない。す
なわち、磁気ドラムの曲率が小さくなると磁気抵抗チッ
プ上に配置されたストライブが均一に感知できないとい
う欠点がある。

発明の目的 本発明は、従来の３次元的デバイスの構造を字疑似２次
元的構造として可撓性をもたせることによって従来の欠
点を解決した磁気抵抗素子を提供することを目的として
いる。

１１立鳳遣 本発明による磁気抵抗素子は、単一の可撓性フィルム上
に強磁性薄膜、薄膜状電極及びこれ等の間を配線する蕃
涛蕃巷棄子傳導体が一体的に形成されたことを特徴とす
る。

実施例 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。

第３図（ａ）、（ｂ）ｌにおいて、ボリミイド等の耐熱
性のある高分子樹脂フィルム８上にＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏ等
の強磁性薄膜９及びＣｕ、Ａｕ等の薄膜状電極１０を蒸
着、スパッタ、メッキ等により形成ししかる後に、フォ
トエツチングによって選択的にパターンニングすること
により形成される薄膜状導体１１によって配線及び引出
し線まで一体化する。

これにより、１枚のフィルム状の構造でかつＪ疑似２次
元的構造の可撓性を有する磁気抵抗素子１３が得られる
。

第４図（ａ）、（ｂ）は本発明による磁気抵抗素子１３
を発磁体として磁気ドラム７と組合わせて磁気センサに
応用した例を示す。第４図において、保持器１４の曲率
を磁気ドラム７の曲率に合わせてギャップが均一になる
ように加工すれば、磁気抵抗素子１３のストライブは均
一に変化することになる。

発明の効果 本発明による磁気抵抗素子は、可撓性を有しているので
、磁気ドラムの曲率に合わせた保持器と組合わせて使用
することにより、磁気ドラムの漏洩磁束を効率良く検出
可能となる。また、モールド等の外装部分が１枚の高分
子フィルムにより保護されているので、磁気ドラムと磁
気抵抗素子との距離も小さくし得るために調整も容易で
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は従来の磁気抵抗素子の内部構造を示す斜
視図、第１図（ｂ）はその外観を示す斜視図、第２図（
ａ）は従来の磁気抵抗素子の応用例を示す斜視図、第２
図（ｂ）はその縦断面図、第３図（ａ）は本発明の実施
例の斜視図、第３図（ｂ）はその縦断面図、第４図（ａ
）は実施例の応用例を示す斜視図、第４図（ｂ）は磁気
抵抗素子と保持器との関係を示す斜視図である。 主要部分の符号の説明 ８・・・・・・高分子樹脂フィルム ９・・・・・・強磁性薄膜 １０・・・・・・電極 １３・・・・・・磁気抵抗素子

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 単一の可撓性フィルム上に強磁性薄膜、薄膜状電極及び
   これ等の間を配線する導体が一体的に形成されたことを
   特徴とする磁気抵抗素子。