JPH03149896A - 薄膜多層配線回路基板 - Google Patents
薄膜多層配線回路基板Info
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- JPH03149896A JPH03149896A JP28910489A JP28910489A JPH03149896A JP H03149896 A JPH03149896 A JP H03149896A JP 28910489 A JP28910489 A JP 28910489A JP 28910489 A JP28910489 A JP 28910489A JP H03149896 A JPH03149896 A JP H03149896A
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
基板としてガラスやセラミックを用いる薄膜多層配線回
路基板、特にＣｕ−ポリイミド系の薄膜多層配線回路基
板の構成に関し、 製造工程の簡略化と信幀性の向上が可能なＣｕ −ポリ
イミド系薄膜多層配線回路基板の提供を目的とし、 Ｃｕの薄膜からなる導体層とポリイミドからなる絶縁層
が、基板上に交互に積層されてなるＣｕ−ポリイミド系
ｆ！膜多層配線回路基板であって、導体層と絶縁層との
間にＴｉＷからなる密着層を有し、且つ、絶縁層と密着
層との間にＣｒからなる中間層を介在せしめてなるよう
に構成する。
路基板、特にＣｕ−ポリイミド系の薄膜多層配線回路基
板の構成に関し、 製造工程の簡略化と信幀性の向上が可能なＣｕ −ポリ
イミド系薄膜多層配線回路基板の提供を目的とし、 Ｃｕの薄膜からなる導体層とポリイミドからなる絶縁層
が、基板上に交互に積層されてなるＣｕ−ポリイミド系
ｆ！膜多層配線回路基板であって、導体層と絶縁層との
間にＴｉＷからなる密着層を有し、且つ、絶縁層と密着
層との間にＣｒからなる中間層を介在せしめてなるよう
に構成する。
本発明は基板としてガラスやセラミックを用いる薄膜多
層配線回路基板に係り、特にＣｕ−ポリイミド系の薄膜
多層配線回路基板の構成に関する。
層配線回路基板に係り、特にＣｕ−ポリイミド系の薄膜
多層配線回路基板の構成に関する。
ガラスやセラミック等を基板とした薄膜多層配線回路基
板は、絶縁性や熱伝導性に優れ半導体集積回路の高密度
実装が可能なことから、近年、大型電子計算機における
メインボード等に利用されるようになうできた。しかし
ガラスエポキシ等を基板とした従来の多層配線回路基板
に比べ、かかる薄膜多層配線回路基板は製造工程が複雑
で歩留りが低く高価である。そこで製造工程の簡略化と
信頼性の向上によるコスト低減が要望されている。
板は、絶縁性や熱伝導性に優れ半導体集積回路の高密度
実装が可能なことから、近年、大型電子計算機における
メインボード等に利用されるようになうできた。しかし
ガラスエポキシ等を基板とした従来の多層配線回路基板
に比べ、かかる薄膜多層配線回路基板は製造工程が複雑
で歩留りが低く高価である。そこで製造工程の簡略化と
信頼性の向上によるコスト低減が要望されている。
第４図は従来の薄膜多層配線回路基板における層構成を
示す側断面図である。
示す側断面図である。
図において従来のＣｕ−ポリイミ−ド系薄膜多層配線回
路基板は、ガラス、セラミック、或いはガラスセラミッ
ク等からなる基板ｌ上に、銅（Ｃｕ）の薄膜からなる導
体層２とポリイミドからなる絶縁層３とが交互に積層さ
れている。
路基板は、ガラス、セラミック、或いはガラスセラミッ
ク等からなる基板ｌ上に、銅（Ｃｕ）の薄膜からなる導
体層２とポリイミドからなる絶縁層３とが交互に積層さ
れている。
導体層２の両面は厚さ５００人程度のクロム（Ｃｒ）か
らなる密着層４で被覆されており、両面がＣｒからなる
密着層４で被覆されたＣｕ薄膜からなる導体層２には、
フォトエッチング法によって各種の導体パターンが形成
されている。
らなる密着層４で被覆されており、両面がＣｒからなる
密着層４で被覆されたＣｕ薄膜からなる導体層２には、
フォトエッチング法によって各種の導体パターンが形成
されている。
フォトエッチング法によって導体パターンを形成する際
用いるレジストには、高分子量のものほど溶解度が小さ
いことを利用したネガ形レジストと、露光により生じた
ケテンがアルカリ水溶液に溶けることを利用したポジ形
レジストがあり、薄膜多層配線回路基板の製造では一般
にネガ形レジストによるエッチングより、ポジ形レジス
トによるエッチングの方が製造工程を簡略化できる。
用いるレジストには、高分子量のものほど溶解度が小さ
いことを利用したネガ形レジストと、露光により生じた
ケテンがアルカリ水溶液に溶けることを利用したポジ形
レジストがあり、薄膜多層配線回路基板の製造では一般
にネガ形レジストによるエッチングより、ポジ形レジス
トによるエッチングの方が製造工程を簡略化できる。
しかし両面がＣｒからなる密着層４で被覆されたＣｕｉ
ｌ膜からなる導体層２は、ポジ形レジストを用い酸素系
エッチング液でエッチングするとオーバーエッチングが
激しい、そこで従来の薄膜多層配線回路基板では導体パ
ターン形成時に、ネガ形レジストを用いてアルカリ系エ
ッチング液でエッチングしており、その結果、製造工程
の簡略化が阻害されるという問題があった。
ｌ膜からなる導体層２は、ポジ形レジストを用い酸素系
エッチング液でエッチングするとオーバーエッチングが
激しい、そこで従来の薄膜多層配線回路基板では導体パ
ターン形成時に、ネガ形レジストを用いてアルカリ系エ
ッチング液でエッチングしており、その結果、製造工程
の簡略化が阻害されるという問題があった。
またＣ「からな名膜は密着層として優れているが膜応力
が太きく、膜厚が大きくなるとポリイミドからなる絶縁
層に亀裂が生じるため、適切な密着層を形成するための
膜厚管理が極めて困難であり、しかも酸に弱いため最上
層パターンを保護膜で被覆しなければならないという問
題があった。
が太きく、膜厚が大きくなるとポリイミドからなる絶縁
層に亀裂が生じるため、適切な密着層を形成するための
膜厚管理が極めて困難であり、しかも酸に弱いため最上
層パターンを保護膜で被覆しなければならないという問
題があった。
本発明の目的は製造工程の簡略化と信頼性の向上が可能
なＣｕ−ポリイミド系薄膜多層配線回路基板を掛供する
ことにある。、− 〔課題を解決するための手段〕 第１図は本発明になるｆＩｍ多層配線回路基板の層構成
を示す側断面図である。なお全図を通し同じ対象物は同
一記号で表している。
なＣｕ−ポリイミド系薄膜多層配線回路基板を掛供する
ことにある。、− 〔課題を解決するための手段〕 第１図は本発明になるｆＩｍ多層配線回路基板の層構成
を示す側断面図である。なお全図を通し同じ対象物は同
一記号で表している。
上記課題はＣｕの薄膜からなる導体層２とポリイミドか
らなる絶縁層３が、基板ｌ上に交互に積層されてなるＣ
ｕ−ポリイミド系薄膜多層配線回路基板であって、導体
層２と絶縁層３との間にＴｉＷからなる密着層５を有し
、且つ、絶縁層３と密着層５との間にＣｒからなる中間
層６を、介在せしめてなる本発明のＥｌｌ！多層配線回
路基板によって達成される。
らなる絶縁層３が、基板ｌ上に交互に積層されてなるＣ
ｕ−ポリイミド系薄膜多層配線回路基板であって、導体
層２と絶縁層３との間にＴｉＷからなる密着層５を有し
、且つ、絶縁層３と密着層５との間にＣｒからなる中間
層６を、介在せしめてなる本発明のＥｌｌ！多層配線回
路基板によって達成される。
第１図において導体層と絶縁層との間にＴｉＷからなる
密着層を設けることによって、導体パターン形成時にポ
ジ形レジストによるエッチングが可能になり、絶縁層と
密着層との間にＣｒからなる中間層を介在せしめること
によって、ＴｉＷからなる密着層の絶縁層に対する密着
性を大幅に高めることができる。しかち密着層の膜応力
低減と耐酸性の強化が可能になり信頼性の向上を図るこ
とができる。即ち、薄膜多層配線回路基板における製造
工程が簡略化され信頼性が向上する。
密着層を設けることによって、導体パターン形成時にポ
ジ形レジストによるエッチングが可能になり、絶縁層と
密着層との間にＣｒからなる中間層を介在せしめること
によって、ＴｉＷからなる密着層の絶縁層に対する密着
性を大幅に高めることができる。しかち密着層の膜応力
低減と耐酸性の強化が可能になり信頼性の向上を図るこ
とができる。即ち、薄膜多層配線回路基板における製造
工程が簡略化され信頼性が向上する。
以下添付図により本発明の実施例について詳細に説明す
る。第２図は金属層とポリイミドの密着性を示す図、第
３図は本発明の一実施例を示す図である。
る。第２図は金属層とポリイミドの密着性を示す図、第
３図は本発明の一実施例を示す図である。
第１図において本発明になるＣｕ−ポリイミド系ｉｉｎ
多層配線回路基板は、ガラス、セラミック、或いはガラ
スセラミック等からなる基板ｌ上に、Ｃｕの薄膜からな
る導体層２とポリイミドからなる絶縁層３とが交互に積
層されており、導体層２の両面は厚さ５００〜１０００
人程度のＴｉＷからなる密着層５で被覆されている。
多層配線回路基板は、ガラス、セラミック、或いはガラ
スセラミック等からなる基板ｌ上に、Ｃｕの薄膜からな
る導体層２とポリイミドからなる絶縁層３とが交互に積
層されており、導体層２の両面は厚さ５００〜１０００
人程度のＴｉＷからなる密着層５で被覆されている。
両面がＴｉＷからなる密着層５で被覆されたＣｕ薄膜か
らなる導体層−２は、ポジ形レジストを用い酸素系エッ
チング液でエッチングしても、密着層５の耐酸性が優れ
ているためオーバーエッチングは僅少である。またＴｉ
Ｗからなる膜は膜応力が小さく膜厚が大きくなっても絶
縁層に亀裂が生じない。
らなる導体層−２は、ポジ形レジストを用い酸素系エッ
チング液でエッチングしても、密着層５の耐酸性が優れ
ているためオーバーエッチングは僅少である。またＴｉ
Ｗからなる膜は膜応力が小さく膜厚が大きくなっても絶
縁層に亀裂が生じない。
しかも耐酸性に優れているため最上層パターンの保護膜
は不要になる。
は不要になる。
第２図はスクラッチ法により測定した膜の密着強度を示
す図で、縦軸の密着強度は試験針に掛かる力の大きさを
表している。５〜２０％のＴｉと残りがＷからなる膜の
ポリイミドに対する密着強度は、図示の如く２５０〜３
８０ｇでＣｒからなる膜の密着強度５５０〜６５０ｇに
比べ小さいが、ポリイミドとの間に１０〜５０人のＣｒ
からなる膜を設けることにより、第２図に示す如くＣｒ
からなる膜の密着強度とほぼ同等にまで高めることがで
きる。
す図で、縦軸の密着強度は試験針に掛かる力の大きさを
表している。５〜２０％のＴｉと残りがＷからなる膜の
ポリイミドに対する密着強度は、図示の如く２５０〜３
８０ｇでＣｒからなる膜の密着強度５５０〜６５０ｇに
比べ小さいが、ポリイミドとの間に１０〜５０人のＣｒ
からなる膜を設けることにより、第２図に示す如くＣｒ
からなる膜の密着強度とほぼ同等にまで高めることがで
きる。
そこで本発明になる基板はＴｉＷからなる密着層５とポ
リイミドからなる絶縁層３との間に、厚さ１０〜５０人
のＣｒからなる中間層６が設けられている。
リイミドからなる絶縁層３との間に、厚さ１０〜５０人
のＣｒからなる中間層６が設けられている。
なおＣｒからなる中間層６は従来のＣｒからなる密着層
に比べて極く薄く、ＴｉＷからなる密着層の特徴である
優れた耐酸性等を損なうことはない。
に比べて極く薄く、ＴｉＷからなる密着層の特徴である
優れた耐酸性等を損なうことはない。
本発明になるＣｕ−ポリイミド系薄膜多層配線回路基板
の一実施例は、第３図に示す如く絶縁層３の上に直接密
着層５が形成されている。ＴｉＷからなる膜はＣｒから
なる膜に比ベポリイミドに対する密着強度が小さい、し
かし逆スパッタ等によって絶縁層の表面を活性化するこ
とによって、ＴｉＷからなる膜の密着強度をＣｒからな
る膜と同等まで高めることができる。そこでＣｒからな
る中間層６を省略し工程の一層の簡略化を図っている。
の一実施例は、第３図に示す如く絶縁層３の上に直接密
着層５が形成されている。ＴｉＷからなる膜はＣｒから
なる膜に比ベポリイミドに対する密着強度が小さい、し
かし逆スパッタ等によって絶縁層の表面を活性化するこ
とによって、ＴｉＷからなる膜の密着強度をＣｒからな
る膜と同等まで高めることができる。そこでＣｒからな
る中間層６を省略し工程の一層の簡略化を図っている。
このように導体層と絶縁層との間にＴｉＷからなる密着
層を設けることによって、導体パターン形成時にポジ形
レジストによるエッチングが可能になり、絶縁層と密着
層との間にＣｒからなる中間層を介在せしめることによ
って、ＴｉＷからなる密着層の絶縁層に対する密着性を
大幅に高めることができる。しかも密着層の膜応力低減
と耐酸性の強化が可能になり信頼性の向上を図ることが
できる。
層を設けることによって、導体パターン形成時にポジ形
レジストによるエッチングが可能になり、絶縁層と密着
層との間にＣｒからなる中間層を介在せしめることによ
って、ＴｉＷからなる密着層の絶縁層に対する密着性を
大幅に高めることができる。しかも密着層の膜応力低減
と耐酸性の強化が可能になり信頼性の向上を図ることが
できる。
即ち、薄膜多層配線回路基板における製造工程が簡略化
され信頼性が向上する。
され信頼性が向上する。
上述の如く本発明によれば製造工程の簡略化と信頼性の
向上が可能な、Ｃｕ−ポリイミド系薄膜多層配線回路基
板を提供することができる。
向上が可能な、Ｃｕ−ポリイミド系薄膜多層配線回路基
板を提供することができる。
第１図は本発明になる薄膜多層配線回路基板の層構成を
示す側断面図、 第２図は金属層とポリイミドの密着性を示す図、第３図
は本発明の一実施例を示す図、 第４図は従来の薄膜多層配線回路基板における層構成を
示す側断面図、 である。図において ｌは基板、 ２は導体層、 ３は絶縁層、 ５は密着層、 ６は中間層、 をそれぞれ表す。 本発明になる専腰多層記線回路基板のＪＩＩｉｌ＃Ｌと
示す側断面図ｖ１１ 目 ド ド ト 金属層とポリイミドの嘗＠姓を示す図 本発明の一実施例を示す図 第 ３ 目 ！ Ｗ薄膜多層色沫組勇展５Ｉ反にお【する肩構戚と示す暑
相ｍ石図第４図
示す側断面図、 第２図は金属層とポリイミドの密着性を示す図、第３図
は本発明の一実施例を示す図、 第４図は従来の薄膜多層配線回路基板における層構成を
示す側断面図、 である。図において ｌは基板、 ２は導体層、 ３は絶縁層、 ５は密着層、 ６は中間層、 をそれぞれ表す。 本発明になる専腰多層記線回路基板のＪＩＩｉｌ＃Ｌと
示す側断面図ｖ１１ 目 ド ド ト 金属層とポリイミドの嘗＠姓を示す図 本発明の一実施例を示す図 第 ３ 目 ！ Ｗ薄膜多層色沫組勇展５Ｉ反にお【する肩構戚と示す暑
相ｍ石図第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 銅（Ｃｕ）の薄膜からなる導体層（２）とポリイミド
からなる絶縁層（３）が、基板（１）上に交互に積層さ
れてなるＣｕ−ポリイミド系薄膜多層配線回路基板であ
って、 該導体層（２）と該絶縁層（３）との間にチタンタング
ステン（Ｔｉ Ｗ）からなる密着層（５）を有し、且つ
、該絶縁層（３）と該密着層（５）との間にクロム（Ｃ
ｒ）からなる中間層（６）を、介在せしめてなることを
特徴とする薄膜多層配線回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28910489A JPH03149896A (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | 薄膜多層配線回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28910489A JPH03149896A (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | 薄膜多層配線回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03149896A true JPH03149896A (ja) | 1991-06-26 |
Family
ID=17738844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28910489A Pending JPH03149896A (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | 薄膜多層配線回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03149896A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0677651A (ja) * | 1992-08-28 | 1994-03-18 | Kyocera Corp | 回路基板 |
| CN115279042A (zh) * | 2022-07-26 | 2022-11-01 | 江苏富乐华半导体科技股份有限公司 | 一种化学镀镍金dpc陶瓷基板制备方法 |
-
1989
- 1989-11-07 JP JP28910489A patent/JPH03149896A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0677651A (ja) * | 1992-08-28 | 1994-03-18 | Kyocera Corp | 回路基板 |
| CN115279042A (zh) * | 2022-07-26 | 2022-11-01 | 江苏富乐华半导体科技股份有限公司 | 一种化学镀镍金dpc陶瓷基板制备方法 |
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