CN115279042A - 一种化学镀镍金dpc陶瓷基板制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种化学镀镍金DPC陶瓷基板制备方法；本发明所达到的有益效果是：本发明重新设计了DCP化学镀镍金的工艺，避免了在蚀刻前需要对陶瓷基板镀保护锡导致工艺步骤延长，成本增加的缺点，且免去了退锡过程，有效减少了产品的外观不良率，有效提高了产品的表面形貌；且本发明还对DCP图案间距中所存在的铜层以及TiW底层的蚀刻进行了严格限定，严格规定了蚀刻液种类、工作温度与蚀刻时长，避免了蚀刻不良或过度蚀刻带来的不良影响，进一步提高了产品良率，降低生产成本与其表观性能，具有广阔的应用市场。

Description

一种化学镀镍金DPC陶瓷基板制备方法
技术领域
本发明涉及DPC覆铜板技术领域，具体为一种化学镀镍金DPC陶瓷基板制备方法。
背景技术
DPC，即直接镀铜陶瓷基板技术，主要应用于半导体技术领域，在半导体制冷器、光通信模块以及太阳能电池等封面具有的广泛的应用。现有DPC工艺主要是将陶瓷基板清洗后进行真空镀膜，并在其表面进行图形转移工艺，完成线路制作，再以电镀或化学镀的方式增加线路厚度，并最终完成陶瓷基板的金属化制作，但是现有工艺中，为了保证陶瓷基板产品良率，在蚀刻前往往需要在其表面镀锡层保护，时刻完成后再退锡，造成工艺流程延长、成本增加且易造成产品外观不良；其次因为DPC产品图形间距较小，蚀刻间距低铜时，间距底部铜层不易蚀刻干净，易导致化学镍金时渗金不良，但延长蚀刻时间又容易造成图形尺寸超差，造成产品良率下降。
发明内容
本发明的目的在于提供一种化学镀镍金DPC陶瓷基板制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：一种化学镀镍金DPC陶瓷基板制备方法包括以下步骤：
S1.清洗陶瓷基板；
S2.对陶瓷基板溅射TiW层作为底层，并在其上溅射Cu层；
S3.溅射后清洗陶瓷基板表面，对其表面进行贴膜、曝光、显影，进行图形转移制作；
S4.电镀铜增厚陶瓷基板；
S5.去除镀铜液表面干膜并蚀刻显影后图形间距残余铜层，之后使用双氧水浸泡覆铜基版，腐蚀TiW层；
S6.研磨覆铜板表层，去除氧化层并研磨至平整，喷砂处理，去除研磨痕迹；
S7.镀铜板表面镀镍金，清理覆铜板表面，封孔，得到所述化学镀镍金DPC陶瓷基板。
进一步的，具体包括以下步骤：
S1.清洗陶瓷基板并烘干；
S2.陶瓷基板两侧表面磁控溅射TiW层作为底层，并在TiW层上溅射Cu层，并清洗陶瓷基板表面，烘干；
S3.对陶瓷基板除油处理后，酸洗去除表面杂质，对其进行贴膜、曝光、显影，进行图形转移制作；
S4.图形转移完成后，将陶瓷基板浸没在电镀液中，并对其显影区域电镀镀铜增厚；
S5.使用NaOH溶液去除陶瓷基板表面干膜后，蚀刻液腐蚀显影图像间距残余铜层，暴露TiW层，清洗覆铜板并将其置于双氧水中，去除暴露TiW层；
S6.研磨陶瓷基板表面，去除氧化区域与不平整区域，并对其表面采用水平湿喷砂工艺处理，去除表面研磨痕迹；
S7.对陶瓷基板表面化学镀镍金，并使用去离子水清洗陶瓷基板表面，封孔，得到化学镀镍金DPC陶瓷基板。
进一步的，步骤S2中，所述TiW层厚度为0.1-0.2μm；所述Cu层厚度为1.0-2.0μm。
进一步的，步骤S4中，所述电镀液包括以下物质：铜离子浓度为15～25g/L，硫酸浓度范围为10～14％，氯离子浓度范围为40～80ppm，整平剂浓度为10～20ml/L，光泽剂浓度为0.1～0.3ml/L，余量为水；
其中，所述电镀液工作温度为20-28℃；
所述整平剂为
Figure BDA0003764701420000021
UNIVERSAL MS LEVELLER；所述光泽剂为CUPRACID GSCORRECTION。
进一步的，步骤S4中，镀铜增厚厚度为20-50μm。
进一步的，步骤S5中，所述NaOH溶液浓度为20-50wt％，处理时长为2-3min。
进一步的，步骤S5中，所述蚀刻液包括以下组分：过硫酸钠浓度范围为80～120g/L，硫酸浓度为3～7％，余量为水。
进一步的，步骤S5中，所述蚀刻液的处理时长为10-20s，工作温度为20-30℃；所述双氧水的处理时长为2-3min，工作温度为80-85℃。
进一步的，步骤S7中，化学镀镍时，镀镍液参数为：镍离子浓度为4.3-4.8g/L、次磷酸钠浓度为20-35g/L，pH值为4.5-4.7，P含量为5-9％，工作温度为78-82℃。
进一步的，步骤S7中，化学镀金时，镀金液参数为：金浓度为0.8-1.2g/L，TCL-61-M5浓度为160-240mL/L，pH值为4.4-4.8，工作温度为83-87℃。
在制备DPC陶瓷基板时，需要在保护图形显影区域的镀铜层的同时，去除图形间隙中的铜层，因此往往需要在铜层之外镀一层保护锡，以防止蚀刻液对显影区域铜的腐蚀，但在此情况下，在后续退锡过程中，由于电化学反应与锡金属的浸润性，往往会导致退锡之后的铜层粗糙度变差，造成后续镀镍金效果不良，同时由于锡层的保护，往往还会导致图形间距底部的铜层不易腐蚀，在化学镀镍金时造成渗金不良，并导致图形尺寸超差，造成产品无法使用的现象。
本发明在电镀过程去除了电镀保护锡层，增加了电镀铜铜厚，并严格限定了蚀刻液的组分含量与蚀刻时间，并将Ti层置换为TiW层，使用具有双氧水在高温下去除TiW层，并去除依附在TiW层表面的未反应的图形间距铜，从而防止陶瓷镀铜板出现短路异常；之后为进一步提高产品的表面性能，本发明又进一步增加了研磨工艺处理，进一步去除蚀刻造成的不平整现象，提高产品表面良率。
与现有技术相比，本发明所达到的有益效果是：本发明重新设计了DCP化学镀镍金的工艺，避免了在蚀刻前需要对陶瓷基板镀保护锡导致工艺步骤延长，成本增加的缺点，且免去了退锡过程，有效减少了产品的外观不良率，有效提高了产品的表面形貌；且本发明还对DCP图案间距中所存在的铜层以及TiW底层的蚀刻进行了严格限定，严格规定了蚀刻液种类、工作温度与蚀刻时长，避免了蚀刻不良或过度蚀刻带来的不良影响，进一步提高了产品良率，降低生产成本与其表观性能，具有广阔的应用市场。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是实施例1的成品图；
图2是实施例2的成品图。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1.
一种化学镀镍金DPC陶瓷基板制备方法，包括以下步骤：
S1.清洗陶瓷基板并烘干；
S2.陶瓷基板两侧表面磁控溅射一层厚度为0.1μm的TiW层作为底层，并在TiW层上溅射一层厚度为1.0μm的Cu层，清洗陶瓷基板表面，并以60℃热风烘干；
S3.对陶瓷基板表面除油处理，酸洗去除表面杂质，之后按设计图案对陶瓷基板表面进行贴膜、曝光、显影，进行图形转移制作；
S4.图形转移完成后，将陶瓷基板浸没在电镀液中，并对其显影区域电镀增厚；
其中，电镀液组分为：铜离子浓度为15g/L，硫酸浓度为10％，氯离子浓度为40ppm，整平剂浓度为10ml/L，光泽剂浓度为0.1ml/L，药水温度控制为20℃，电镀增厚铜层厚度为20μm；
其中，所述整平剂为
Figure BDA0003764701420000041
UNIVERSAL MS LEVELLER；所述光泽剂为CUPRACID GS CORRECTION；
S5.使用浓度为20wt％的NaOH溶液浸泡清洗陶瓷基板2min，去除陶瓷基板表面干膜，使用蚀刻液对图像间距残余铜层进行腐蚀，其中，所述蚀刻液含有以下组分：过硫酸钠为80g/L，硫酸浓度为3％，余量为水，将其升温至20℃，浸泡腐蚀10s后，暴露TiW层，之后清洗覆铜板表面并将其置于双氧水中，升温至80℃，并浸泡处理2min，去除暴露TiW层；
S6.研磨陶瓷基板表面，去除氧化区域与不平整区域，并对其表面采用水平湿喷砂工艺处理，去除表面研磨痕迹；
S7.对陶瓷基板表面化学镀镍，其中镀镍液参数为：镍离子浓度4.3g/L、次磷酸钠浓度20g/L，pH值为4.5，P含量为5％，工作温度为78℃，镀镍层厚度为10μm；去离子水陶瓷基板表面，再次将其置于镀金液中表面镀金，镀金液参数为：金浓度为0.8g/L，TCL-61-M5浓度为160mL/L，pH值为4.4，工作温度为83℃，镀金层厚度为0.5μm；镀金结束后，使用去离子水洗涤表面，封孔处理后，60℃热风干燥，得到化学镀镍金陶瓷基板。
实施例2.
与实施例1相比较，本实施例增大了步骤S4中铜离子浓度；
一种化学镀镍金DPC陶瓷基板制备方法，包括以下步骤：
S1.清洗陶瓷基板并烘干；
S2.陶瓷基板两侧表面磁控溅射一层厚度为0.1μm的TiW层作为底层，并在TiW层上溅射一层厚度为1.0μm的Cu层，清洗陶瓷基板表面，并以60℃热风烘干；
S3.对陶瓷基板表面除油处理，酸洗去除表面杂质，之后按设计图案对陶瓷基板表面进行贴膜、曝光、显影，进行图形转移制作；
S4.图形转移完成后，将陶瓷基板浸没在电镀液中，并对其显影区域电镀增厚；
其中，电镀液组分为：铜离子浓度为25g/L，硫酸浓度为10％，氯离子浓度为40ppm，整平剂浓度为10ml/L，光泽剂浓度为0.1ml/L，药水温度控制为20℃，电镀增厚铜层厚度为20μm；
其中，所述整平剂为
Figure BDA0003764701420000051
UNIVERSAL MS LEVELLER；所述光泽剂为CUPRACID GS CORRECTION；
S5.使用浓度为20wt％的NaOH溶液浸泡清洗陶瓷基板2min，去除陶瓷基板表面干膜，使用蚀刻液对图像间距残余铜层进行腐蚀，其中，所述蚀刻液含有以下组分：过硫酸钠为80g/L，硫酸浓度为3％，余量为水，将其升温至20℃，浸泡腐蚀10s后，暴露TiW层，之后清洗覆铜板表面并将其置于双氧水中，升温至80℃，并浸泡处理2min，去除暴露TiW层；
S6.研磨陶瓷基板表面，去除氧化区域与不平整区域，并对其表面采用水平湿喷砂工艺处理，去除表面研磨痕迹；
S7.对陶瓷基板表面化学镀镍，其中镀镍液参数为：镍离子浓度4.3g/L、次磷酸钠浓度20g/L，pH值为4.5，P含量为5％，工作温度为78℃，镀镍层厚度为10μm；去离子水陶瓷基板表面，再次将其置于镀金液中表面镀金，镀金液参数为：金浓度为0.8g/L，TCL-61-M5浓度为160mL/L，pH值为4.4，工作温度为83℃，镀金层厚度为0.5μm；镀金结束后，使用去离子水洗涤表面，封孔处理后，60℃热风干燥，得到化学镀镍金陶瓷基板。
实施例3.
与实施例1相比，本实施例增加了步骤S5中的蚀刻液处理时长；
一种化学镀镍金DPC陶瓷基板制备方法，包括以下步骤：
S1.清洗陶瓷基板并烘干；
S2.陶瓷基板两侧表面磁控溅射一层厚度为0.1μm的TiW层作为底层，并在TiW层上溅射一层厚度为1.0μm的Cu层，清洗陶瓷基板表面，并以60℃热风烘干；
S3.对陶瓷基板表面除油处理，酸洗去除表面杂质，之后按设计图案对陶瓷基板表面进行贴膜、曝光、显影，进行图形转移制作；
S4.图形转移完成后，将陶瓷基板浸没在电镀液中，并对其显影区域电镀增厚；
其中，电镀液组分为：铜离子浓度为15g/L，硫酸浓度为10％，氯离子浓度为40ppm，整平剂浓度为10ml/L，光泽剂浓度为0.1ml/L，药水温度控制为20℃，电镀增厚铜层厚度为20μm；
其中，所述整平剂为
Figure BDA0003764701420000061
UNIVERSAL MS LEVELLER；所述光泽剂为CUPRACID GS CORRECTION；
S5.使用浓度为20wt％的NaOH溶液浸泡清洗陶瓷基板2min，去除陶瓷基板表面干膜，使用蚀刻液对图像间距残余铜层进行腐蚀，其中，所述蚀刻液含有以下组分：过硫酸钠为80g/L，硫酸浓度为3％，余量为水，将其升温至20℃，浸泡腐蚀15s后，暴露TiW层，之后清洗覆铜板表面并将其置于双氧水中，升温至80℃，并浸泡处理2min，去除暴露TiW层；
S6.研磨陶瓷基板表面，去除氧化区域与不平整区域，并对其表面采用水平湿喷砂工艺处理，去除表面研磨痕迹；
S7.对陶瓷基板表面化学镀镍，其中镀镍液参数为：镍离子浓度4.3g/L、次磷酸钠浓度20g/L，pH值为4.5，P含量为5％，工作温度为78℃，镀镍层厚度为10μm；去离子水陶瓷基板表面，再次将其置于镀金液中表面镀金，镀金液参数为：金浓度为0.8g/L，TCL-61-M5浓度为160mL/L，pH值为4.4，工作温度为83℃，镀金层厚度为0.5μm；镀金结束后，使用去离子水洗涤表面，封孔处理后，60℃热风干燥，得到化学镀镍金陶瓷基板。
实施例4.
与实施例1相比，本实施例增加了步骤S5中双氧水的处理时长；
一种化学镀镍金DPC陶瓷基板制备方法，包括以下步骤：
S1.清洗陶瓷基板并烘干；
S2.陶瓷基板两侧表面磁控溅射一层厚度为0.1μm的TiW层作为底层，并在TiW层上溅射一层厚度为1.0μm的Cu层，清洗陶瓷基板表面，并以60℃热风烘干；
S3.对陶瓷基板表面除油处理，酸洗去除表面杂质，之后按设计图案对陶瓷基板表面进行贴膜、曝光、显影，进行图形转移制作；
S4.图形转移完成后，将陶瓷基板浸没在电镀液中，并对其显影区域电镀增厚；
其中，电镀液组分为：铜离子浓度为15g/L，硫酸浓度为10％，氯离子浓度为40ppm，整平剂浓度为10ml/L，光泽剂浓度为0.1ml/L，药水温度控制为20℃，电镀增厚铜层厚度为20μm；
其中，所述整平剂为
Figure BDA0003764701420000071
UNIVERSAL MS LEVELLER；所述光泽剂为CUPRACID GS CORRECTION；
S5.使用浓度为20wt％的NaOH溶液浸泡清洗陶瓷基板2min，去除陶瓷基板表面干膜，使用蚀刻液对图像间距残余铜层进行腐蚀，其中，所述蚀刻液含有以下组分：过硫酸钠为80g/L，硫酸浓度为3％，余量为水，将其升温至20℃，浸泡腐蚀10s后，暴露TiW层，之后清洗覆铜板表面并将其置于双氧水中，升温至80℃，并浸泡处理3min，去除暴露TiW层；
S6.研磨陶瓷基板表面，去除氧化区域与不平整区域，并对其表面采用水平湿喷砂工艺处理，去除表面研磨痕迹；
S7.对陶瓷基板表面化学镀镍，其中镀镍液参数为：镍离子浓度4.3g/L、次磷酸钠浓度20g/L，pH值为4.5，P含量为5％，工作温度为78℃，镀镍层厚度为10μm；去离子水陶瓷基板表面，再次将其置于镀金液中表面镀金，镀金液参数为：金浓度为0.8g/L，TCL-61-M5浓度为160mL/L，pH值为4.4，工作温度为83℃，镀金层厚度为0.5μm；镀金结束后，使用去离子水洗涤表面，封孔处理后，60℃热风干燥，得到化学镀镍金陶瓷基板。
实施例5.
一种化学镀镍金DPC陶瓷基板制备方法，包括以下步骤：
S1.清洗陶瓷基板并烘干；
S2.陶瓷基板两侧表面磁控溅射一层厚度为0.2μm的TiW层作为底层，并在TiW层上溅射一层厚度为2.0μm的Cu层，清洗陶瓷基板表面，并以60℃热风烘干；
S3.对陶瓷基板表面除油处理，酸洗去除表面杂质，之后按设计图案对陶瓷基板表面进行贴膜、曝光、显影，进行图形转移制作；
S4.图形转移完成后，将陶瓷基板浸没在电镀液中，并对其显影区域电镀增厚；
其中，电镀液组分为：铜离子浓度为25g/L，硫酸浓度为14％，氯离子浓度为80ppm，整平剂浓度为20ml/L，光泽剂浓度为0.3ml/L，药水温度控制为28℃，电镀增厚铜层厚度为20μm；
其中，所述整平剂为
Figure BDA0003764701420000081
UNIVERSAL MS LEVELLER；所述光泽剂为CUPRACID GS CORRECTION；
S5.使用浓度为50wt％的NaOH溶液浸泡清洗陶瓷基板3min，去除陶瓷基板表面干膜，使用蚀刻液对图像间距残余铜层进行腐蚀，其中，所述蚀刻液含有以下组分：过硫酸钠为120g/L，硫酸浓度为7％，余量为水，将其升温至30℃，浸泡腐蚀20s后，暴露TiW层，之后清洗覆铜板表面并将其置于双氧水中，升温至82℃，并浸泡处理3min，去除暴露TiW层；
S6.研磨陶瓷基板表面，去除氧化区域与不平整区域，并对其表面采用水平湿喷砂工艺处理，去除表面研磨痕迹；
S7.对陶瓷基板表面化学镀镍，其中镀镍液参数为：镍离子浓度4.8g/L、次磷酸钠浓度35g/L，pH值为4.7，P含量为9％，工作温度为82℃，镀镍层厚度为10μm；去离子水陶瓷基板表面，再次将其置于镀金液中表面镀金，镀金液参数为：金浓度为1.2g/L，TCL-61-M5浓度为240mL/L，pH值为4.8，工作温度为87℃，镀金层厚度为0.5μm；镀金结束后，使用去离子水洗涤表面，封孔处理后，60℃热风干燥，得到化学镀镍金陶瓷基板。
对比例1.
与实施例1相比，本对比例仅使用现行常规镀镍金工艺处理陶瓷基板；
一种化学镀镍金DPC陶瓷基板制备方法，包括以下步骤：
S1.清洗陶瓷基板并烘干；
S2.陶瓷基板两侧表面磁控溅射一层厚度为0.1μm的Ti层作为底层，并在TiW层上溅射一层厚度为0.5μm的Cu层，清洗陶瓷基板表面，并以60℃热风烘干；
S3.对陶瓷基板表面除油处理，酸洗去除表面杂质，之后按设计图案对陶瓷基板表面进行贴膜、曝光、显影，进行图形转移制作；
S4.图形转移完成后，将陶瓷基板浸没在电镀液中，并对其显影区域电镀增厚；
其中，电镀液组分为：铜离子浓度为15g/L，硫酸浓度为10％，氯离子浓度为40ppm，整平剂浓度为10ml/L，光泽剂浓度为0.1ml/L，药水温度控制为20℃，电镀增厚铜层厚度为3μm；
其中，所述整平剂为
Figure BDA0003764701420000091
UNIVERSAL MS LEVELLER；所述光泽剂为CUPRACID GS CORRECTION；
S5.对陶瓷基板表层电镀保护锡层，其中电镀保护锡层厚度为。。。μm；
S6.使用浓度为20wt％的NaOH溶液浸泡清洗陶瓷基板2min，去除陶瓷基板表面干膜，使用蚀刻液对图像间距残余铜层进行腐蚀，其中，所述蚀刻液含有以下组分：过硫酸钠为80g/L，硫酸浓度为3％，余量为水，将其升温至20℃，浸泡腐蚀10s；
S7.退去保护锡层；
S8.对陶瓷基板表面化学镀镍，其中镀镍液参数为：镍离子浓度4.3g/L、次磷酸钠浓度20g/L，pH值为4.5，P含量为5％，工作温度为78℃，镀镍层厚度为10μm；去离子水陶瓷基板表面，再次将其置于镀金液中表面镀金，镀金液参数为：金浓度为0.8g/L，TCL-61-M5浓度为160mL/L，pH值为4.4，工作温度为83℃，镀金层厚度为0.5μm；镀金结束后，使用去离子水洗涤表面，封孔处理后，60℃热风干燥，得到化学镀镍金陶瓷基板。
检测：使用SE300粗糙度仪检测实施例1-5与对比例1的产品表面粗糙度，测试其产品良率，检测结果见下表：
项目 表面粗糙度Ra 产品良率(％)
实施例1 0.154 87.34
实施例2 0.163 86.42
实施例3 0.166 85.97
实施例4 0.156 87.21
实施例5 0.169 85.62
对比例1 0.307 79.21
对实施例1与实施例5产品表观进行检测，观察其渗金效果，无明显渗金现象，检测结果见图1、图2。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种化学镀镍金DPC陶瓷基板制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.清洗陶瓷基板；
S2.对陶瓷基板溅射TiW层作为底层，并在其上溅射Cu层；
S3.溅射后清洗陶瓷基板表面，对其表面进行贴膜、曝光、显影，进行图形转移制作；
S4.电镀铜增厚陶瓷基板；
S5.去除镀铜液表面干膜并蚀刻显影后图形间距残余铜层，之后使用双氧水浸泡覆铜基版，腐蚀TiW层；
S6.研磨覆铜板表层，去除氧化层并研磨至平整，喷砂处理，去除研磨痕迹；
S7.镀铜板表面镀镍金，清理覆铜板表面，封孔，得到所述化学镀镍金DPC陶瓷基板。
2.根据权利要求1所述的一种化学镀镍金DPC陶瓷基板制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
S1.清洗陶瓷基板并烘干；
S2.陶瓷基板两侧表面磁控溅射TiW层作为底层，并在TiW层上溅射Cu层，并清洗陶瓷基板表面，烘干；
S3.对陶瓷基板除油处理后，酸洗去除表面杂质，对其进行贴膜、曝光、显影，进行图形转移制作；
S4.图形转移完成后，将陶瓷基板浸没在电镀液中，并对其显影区域电镀镀铜增厚；
S5.使用NaOH溶液去除陶瓷基板表面干膜后，蚀刻液腐蚀显影图像间距残余铜层，暴露TiW层，清洗覆铜板并将其置于双氧水中，去除暴露TiW层；
S6.研磨陶瓷基板表面，去除氧化区域与不平整区域，并对其表面采用水平湿喷砂工艺处理，去除表面研磨痕迹；
S7.对陶瓷基板表面化学镀镍金，并使用去离子水清洗陶瓷基板表面，封孔，得到化学镀镍金DPC陶瓷基板。
3.根据权利要求2所述的一种化学镀镍金DPC陶瓷基板制备方法，其特征在于：步骤S2中，所述TiW层厚度为0.1-0.2μm；所述Cu层厚度为1.0-2.0μm。
4.根据权利要求2所述的一种化学镀镍金DPC陶瓷基板制备方法，其特征在于：步骤S4中，所述电镀液包括以下物质：铜离子浓度为15～25g/L，硫酸浓度范围为10～14％，氯离子浓度范围为40～80ppm，整平剂浓度为10～20ml/L，光泽剂浓度为0.1～0.3ml/L，余量为水；
其中，所述电镀液工作温度为20-28℃；
所述整平剂为
Figure FDA0003764701410000021
UNIVERSAL MS LEVELLER；所述光泽剂为CUPRACID GSCORRECTION。
5.根据权利要求2所述的一种化学镀镍金DPC陶瓷基板制备方法，其特征在于：步骤S4中，镀铜增厚厚度为20-50μm。
6.根据权利要求2所述的一种化学镀镍金DPC陶瓷基板制备方法，其特征在于：步骤S5中，所述NaOH溶液浓度为20-50wt％，处理时长为2-3min。
7.根据权利要求2所述的一种化学镀镍金DPC陶瓷基板制备方法，其特征在于：步骤S5中，所述蚀刻液包括以下组分：过硫酸钠浓度范围为80～120g/L，硫酸浓度为3～7％，余量为水。
8.根据权利要求2所述的一种化学镀镍金DPC陶瓷基板制备方法，其特征在于：步骤S5中，所述蚀刻液的处理时长为10-20s，工作温度为20-30℃；所述双氧水的处理时长为2-3min，工作温度为80-85℃。
9.根据权利要求2所述的一种化学镀镍金DPC陶瓷基板制备方法，其特征在于：步骤S7中，化学镀镍时，镀镍液参数为：镍离子浓度为4.3-4.8g/L、次磷酸钠浓度为20-35g/L，pH值为4.5-4.7，P含量为5-9％，工作温度为78-82℃。
10.根据权利要求2所述的一种化学镀镍金DPC陶瓷基板制备方法，其特征在于：步骤S7中，化学镀金时，镀金液参数为：金浓度为0.8-1.2g/L，TCL-61-M5浓度为160-240mL/L，pH值为4.4-4.8，工作温度为83-87℃。
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