CN114310498A - 一种适用于dpc产品贴膜前处理工艺的研磨方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种适用于DPC产品贴膜前处理工艺的研磨方法，对磁控溅射工艺处理后的陶瓷基板进行表面平整，在处理时首先对陶瓷基板进行清洗热烘，以去除其表面杂质，接着在陶瓷基板通过磁控溅射沉积一层钛钨合金和一层薄铜层，其中钛钨合金可作为过渡层，以提高陶瓷基板与表面铜层的粘结附着力，薄铜层厚度为0.5～1μm，作为种子层并进行后续电镀铜层；此时铜层表面会呈现部分凹凸不平的现象，为了在图形电镀前获得一个相对平滑的表面，本申请追加治具辅助刷磨从而实现镀薄铜后的表面整平，主要是消除部分凸起处，去除轻微氧化点，为后续压膜工艺提供一个洁净平整的表面。
Description
技术领域
本发明涉及覆铜板加工技术领域，具体为一种适用于DPC产品贴膜前处理工艺的研磨方法。
背景技术
封装基板是连接内外散热通路的关键环节，可为芯片提供电连接、保护、支撑、散热、组装等功效。随着近年来科技不断升级，芯片输入功率越来越高，对高功率产品来讲，其封装基板要求具有高电绝缘性、高导热性、与芯片匹配的热膨胀系数等特性，而DPC陶瓷基板很符合这一要求。首先说基体材料—陶瓷：相对于其他金属材料或者树脂材料而言，陶瓷具有耐腐蚀性能好、机械强度高、绝缘性能强、加工工艺简单等特性；此外，DPC采用磁控溅射+图形电镀的特殊制作工艺：能实现50μm以下的微细线路，真正做到了精密度和性能两者兼顾。
目前的DPC工艺已基本成熟，但是仍存在一些业内难题有待解决，在覆铜板加工时，由于磁控溅射工艺稳定性差，因此电镀铜后覆铜板表面会呈现凹凸不平的现象，在后续覆铜板图形电镀过程中会影响图形精度和电路板加工；而目前的通用方法是通过镀厚铜后修板来实现表面缺陷修复，但该方法存在以下缺陷：一是成本、能耗的增加，另一方面，由于DPC产品尺寸一般小于3inch*3inch，作业人员需要在显微镜下进行作业，修正效率难以提升，而通过刷辊刷磨容易出现裂片、陶瓷基板飞出作业台等情况，实际应用不便。
此前也有人考虑参照PCB行业要求追加研磨工艺，但DPC产品尺寸一般小于3inch*3inch，刷辊接触产品时容易将产品直接甩出导致瓷裂，故多采用人员手动刷磨来替代，整平效果微乎其微，依然难以得到平整的表面。因此，我们公开了一种适用于DPC产品贴膜前处理工艺的研磨方法，以解决上述技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种适用于DPC产品贴膜前处理工艺的研磨方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：
一种适用于DPC产品贴膜前处理工艺的研磨方法，包括以下步骤：
(1)取陶瓷基板，浸入稀硫酸中清洗5～10min，再依次通过丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗，每次清洗时间均为10～15min，表面氮气吹干，180～200℃下烘烤5～8min，备用；
(2)取步骤(1)清洗后的陶瓷基板，以钛钨合金为靶材，在陶瓷基板两侧溅射钛钨合金层，所述钛钨合金层厚度为0.05～0.1μm；
(3)取溅射钛钨合金层的陶瓷基板，两侧磁控溅射薄铜层，所述薄铜层的厚度为0.5～1μm；
(4)将步骤(3)处理后的陶瓷基板置于电镀槽中，两侧电镀铜层，所述铜层的厚度为3～5μm，去离子水超声清洗20～30min，烘干，得到覆铜基板；
(5)取覆铜基板，热处理后表面除油、微蚀，再将覆铜基板置于治具中固定，对覆铜基板两侧表面进行刷磨，去离子水喷淋，氮气吹干，进行后续图形电镀。
较优化的方案，步骤(5)中，刷磨时将治具置于皮带上传动，通过尼龙刷对覆铜基板刷磨，尼龙刷目数为800目或1000目。
较优化的方案，刷磨时尼龙刷线速为0.9～1.1m/min，电流值为2.3A，空跑电流值为2.1A。
较优化的方案，步骤(5)中，所述治具与覆铜基板相互嵌合，治具内环四角为圆形，治具底部对称设有若干个通孔。
较优化的方案，步骤(2)、步骤(3)中，溅射工艺参数均为：真空度为9.0×10～8pa，溅射功率为300～400W，陶瓷基板温度为150～200℃。
针对磁控溅射工艺稳定性差导致电镀铜后表面呈现凹凸不平的现象，本申请公开了一种适用于DPC产品贴膜前处理工艺的研磨方法，对磁控溅射工艺处理后的陶瓷基板进行表面平整，在处理时首先对陶瓷基板进行清洗热烘，以去除其表面杂质，接着在陶瓷基板通过磁控溅射沉积一层钛钨合金和一层薄铜层，其中钛钨合金可作为过渡层，以提高陶瓷基板与表面铜层的粘结附着力，薄铜层厚度为0.5～1μm，作为种子层并进行后续电镀铜层；此时铜层表面会呈现部分凹凸不平的现象，为了在图形电镀前获得一个相对平滑的表面，本申请追加治具辅助刷磨从而实现镀薄铜后的表面整平，主要是消除部分凸起处，去除轻微氧化点，为后续压膜工艺提供一个洁净平整的表面。
本申请保留了除油、微蚀工艺，并按照DPC产品的尺寸和厚度研发了一系列的专用治具，将DPC产品置于治具中嵌合，并放置于皮带上进行传送，上方设置有尼龙刷，传送时覆铜板位于上方的一侧表面与尼龙刷接触并进行刷磨，不仅能够去除其表面的轻微氧化层，而且还能够通过刷磨将铜面整平；与常规工艺相比，本申请陶瓷基板表面的整个铜层的厚度较小，因此并不需要进行常规工艺中的铜层减薄工艺，而为了降低铜层表面凹凸不平的情况，本申请通过刷磨以去除铜面凸起，降低表面粗糙度，消除轻微氧化点，提高了产品表面洁净度，且保证了干膜与铜面附着力。
同时，在该方案中，由于刷磨的作用并非是铜面减薄，因此本申请刷磨工艺参数为“刷磨时尼龙刷线速为0.9～1.1m/min，电流值为2.3A，空跑电流值为2.1A，尼龙刷目数为800目或1000目”，电流设置数据较小，且限定了尼龙刷的线速，在该工艺参数下能够保证铜面平整，且不会对铜面造成损伤，实用性较高。
本申请治具采用镂空设计，且尺寸与覆铜基板匹配，以保证产品能刚好嵌在其中，避免被刷辊打散；治具底部采用9孔对称设计，保证刷磨液(去离子水)可迅速均匀从治具底部流出，治具底部采用条纹设计，进一步增大产品与治具间的净摩擦力，放置产品翘起和滑动；治具内环四角采用圆形处理，可兼容部分瓷片崩边产品，提高容错性；治具外环采用倒角设计，放置尖角对刷辊的损伤；为减小治具整体的翘曲度，治具采用两连片设计，维持通过性的同时可提升一倍产能；在刷磨时可使用该治具先进行单面研磨，而后在中检段将产品进行翻转，继续研磨另一面，实现双面研磨处理。
较优化的方案，步骤(4)中，电镀时电镀液各组分包括：硫酸铜100～110g/L、硫酸180～200g/L、氯离子50～60mg/L、硫酸高铈20～30mg/L、抑制剂160～180g/L、整平剂20～30g/L、光亮剂10～20g/L，余量为去离子水。
较优化的方案，所述整平剂为含氮杂环共聚物、2-巯基吡啶、烯丙基硫脲、苯并三氮唑中的任意一种或两种复配；
所述含氮杂环共聚物制备步骤为：取苯并三氮唑、2-氨基苯并三氮唑和去离子水，混合均匀，氮气环境下加入1,4-丁二醇二缩水甘油醚，75～80℃下聚合反应7～8h，反应结束后去除溶剂，四氢呋喃洗涤过滤，得到产物。
较优化的方案，所述光亮剂为聚二硫二丙基磺酸钠，所述抑制剂为聚乙二醇。
在上述方案基础上，为进一步降低电镀后覆铜基板的表面凹凸不平的现象，本申请对电镀镀液的组分进行改进，本申请镀液组分包括“硫酸铜100～110g/L、硫酸180～200g/L、氯离子50～60mg/L、硫酸高铈20～30mg/L、抑制剂160～180g/L、整平剂20～30g/L、光亮剂10～20g/L，余量为去离子水”，镀液中引入了硫酸高铈，稀土元素容易在活性点上产生吸附，减少析氢副反应的发生，同时能够降低铜面的粗糙度；抑制剂选择为聚乙二醇，能够与氯离子相互配合，吸附以减少活性位点，实现位阻效应，提高铜镀层的表面致密性，降低粗糙度；光亮剂为聚二硫二丙基磺酸钠，整平剂选择为含氮杂环共聚物、2-巯基吡啶、烯丙基硫脲、苯并三氮唑中的任意一种或两种复配，最优选的方案为含氮杂环共聚物、烯丙基硫脲以质量比2：1复配，本申请将苯并三氮唑、2-氨基苯并三氮唑混合后与1,4-丁二醇二缩水甘油醚共聚以制备含氮杂环聚合物，在电镀过程中，该含氮杂环聚合物会优先吸附于铜镀层中凸起的部分，并在其表面形成包覆保护层，因此铜单质会沉积于凹面，以实现铜镀层表面平整，同时由于该含氮杂环聚合物的体积较大，覆盖效果相比于常规的苯并三氮唑效果更加优异，镀铜面表面粗糙度小，且表面平整。
较优化的方案，步骤(5)中，热处理温度为600～700℃，热处理时间为2～3h。
本申请在覆铜板刷磨工艺前对覆铜基板进行热处理，热处理温度为600～700℃，热处理时间为2～3h，在该工艺参数下，覆铜板表面的钛层与铜层之间会产生原子扩散，并通过金属键结合，因此热处理之后铜镀层与钛钨合金层的结合力更强，该热处理步骤也避免了后续刷磨工艺对铜镀层、溅射钛钨合金的陶瓷基板之间的结合造成影响，保证了产品性能。
较优化的方案，步骤(5)中，除油步骤为：取热处理后的覆铜基板，依次通过丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗，每次清洗时间均为10～15min；微蚀步骤为：除油后在20～30℃的硫酸溶液中处理3～5min，溢流水洗，吹干。
与现有技术相比，本发明所达到的有益效果是：
本发明公开了一种适用于DPC产品贴膜前处理工艺的研磨方法，工艺设计合理，通过调整电镀工艺中镀液的组分以及追加治具刷磨工艺，处理得到的覆铜基板表面更加平整光亮，粗糙度降低，保证了后续图形电镀的精度和质量，具有较高的实用性。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是本发明实施例1制备的覆铜基板表面示意图；
图2是本发明的治具正面结构示意图；
图3是本发明的治具背面结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
实施例1：
一种适用于DPC产品贴膜前处理工艺的研磨方法，包括以下步骤：
(1)取陶瓷基板，浸入稀硫酸中清洗5min，再依次通过丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗，每次清洗时间均为10min，表面氮气吹干，180℃下烘烤8min，备用；
(2)取步骤(1)清洗后的陶瓷基板，以钛钨合金为靶材，在陶瓷基板两侧溅射钛钨合金层，所述钛钨合金层厚度为0.1μm；溅射工艺参数均为：真空度为9.0×10～8pa，溅射功率为300W，陶瓷基板温度为150℃。
(3)取溅射钛钨合金层的陶瓷基板，两侧磁控溅射薄铜层，所述薄铜层的厚度为1μm；溅射工艺参数均为：真空度为9.0×10～8pa，溅射功率为300W，陶瓷基板温度为150℃。
(4)将步骤(3)处理后的陶瓷基板置于电镀槽中，两侧电镀铜层，所述铜层的厚度为5μm，去离子水超声清洗20min，烘干，得到覆铜基板；
(5)取覆铜基板，在600℃下热处理时间为3h，取热处理后的覆铜基板，依次通过丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗，每次清洗时间均为10min；除油后在20℃的3g/L硫酸溶液中处理5min，溢流水洗，吹干；再将覆铜基板置于治具中固定，对覆铜基板两侧表面进行刷磨，去离子水喷淋，氮气吹干，进行后续图形电镀。刷磨时将治具置于皮带上传动，通过尼龙刷对覆铜基板刷磨，尼龙刷目数为800目，刷磨时尼龙刷线速为0.9m/min，电流值为2.3A，空跑电流值为2.1A。
本实施例中，电镀时电镀液各组分包括：硫酸铜100g/L、硫酸200g/L、氯离子50mg/L、硫酸高铈30mg/L、聚乙二醇160g/L、整平剂30g/L、聚二硫二丙基磺酸钠20g/L，余量为去离子水。
整平剂为含氮杂环共聚物、烯丙基硫脲以质量比2：1复配；所述含氮杂环共聚物制备步骤为：取苯并三氮唑、2-氨基苯并三氮唑和去离子水，混合均匀，氮气环境下加入1,4-丁二醇二缩水甘油醚，75℃下聚合反应8h，反应结束后去除溶剂，四氢呋喃洗涤过滤，得到产物。
实施例2：
一种适用于DPC产品贴膜前处理工艺的研磨方法，包括以下步骤：
(1)取陶瓷基板，浸入稀硫酸中清洗8min，再依次通过丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗，每次清洗时间均为12min，表面氮气吹干，190℃下烘烤5～8min，备用；
(2)取步骤(1)清洗后的陶瓷基板，以钛钨合金为靶材，在陶瓷基板两侧溅射钛钨合金层，所述钛钨合金层厚度为0.1μm；溅射工艺参数均为：真空度为9.0×10～8pa，溅射功率为300W，陶瓷基板温度为150℃。
(3)取溅射钛钨合金层的陶瓷基板，两侧磁控溅射薄铜层，所述薄铜层的厚度为1μm；溅射工艺参数均为：真空度为9.0×10～8pa，溅射功率为300W，陶瓷基板温度为150℃。
(4)将步骤(3)处理后的陶瓷基板置于电镀槽中，两侧电镀铜层，所述铜层的厚度为5μm，去离子水超声清洗25min，烘干，得到覆铜基板；
(5)取覆铜基板，在650℃下热处理时间为2.5h，取热处理后的覆铜基板，依次通过丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗，每次清洗时间均为12min；除油后在25℃的3g/L硫酸溶液中处理4min，溢流水洗，吹干；再将覆铜基板置于治具中固定，对覆铜基板两侧表面进行刷磨，去离子水喷淋，氮气吹干，进行后续图形电镀。刷磨时将治具置于皮带上传动，通过尼龙刷对覆铜基板刷磨，尼龙刷目数为800目，刷磨时尼龙刷线速为1.0m/min，电流值为2.3A，空跑电流值为2.1A。
本实施例中，电镀时电镀液各组分包括：硫酸铜100g/L、硫酸200g/L、氯离子50mg/L、硫酸高铈30mg/L、聚乙二醇160g/L、整平剂30g/L、聚二硫二丙基磺酸钠20g/L，余量为去离子水。
整平剂为含氮杂环共聚物、烯丙基硫脲以质量比2：1复配；所述含氮杂环共聚物制备步骤为：取苯并三氮唑、2-氨基苯并三氮唑和去离子水，混合均匀，氮气环境下加入1,4-丁二醇二缩水甘油醚，75℃下聚合反应8h，反应结束后去除溶剂，四氢呋喃洗涤过滤，得到产物。
实施例3：
一种适用于DPC产品贴膜前处理工艺的研磨方法，包括以下步骤：
(1)取陶瓷基板，浸入稀硫酸中清洗10min，再依次通过丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗，每次清洗时间均为15min，表面氮气吹干，200℃下烘烤5min，备用；
(2)取步骤(1)清洗后的陶瓷基板，以钛钨合金为靶材，在陶瓷基板两侧溅射钛钨合金层，所述钛钨合金层厚度为0.1μm；溅射工艺参数均为：真空度为9.0×10～8pa，溅射功率为300W，陶瓷基板温度为150℃。
(3)取溅射钛钨合金层的陶瓷基板，两侧磁控溅射薄铜层，所述薄铜层的厚度为1μm；溅射工艺参数均为：真空度为9.0×10～8pa，溅射功率为300W，陶瓷基板温度为150℃。
(4)将步骤(3)处理后的陶瓷基板置于电镀槽中，两侧电镀铜层，所述铜层的厚度为5μm，去离子水超声清洗30min，烘干，得到覆铜基板；
(5)取覆铜基板，在700℃下热处理时间为2h，取热处理后的覆铜基板，依次通过丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗，每次清洗时间均为15min；除油后在30℃的3g/L硫酸溶液中处理3min，溢流水洗，吹干；再将覆铜基板置于治具中固定，对覆铜基板两侧表面进行刷磨，去离子水喷淋，氮气吹干，进行后续图形电镀。刷磨时将治具置于皮带上传动，通过尼龙刷对覆铜基板刷磨，尼龙刷目数为800目，刷磨时尼龙刷线速为1.1m/min，电流值为2.3A，空跑电流值为2.1A。
本实施例中，电镀时电镀液各组分包括：硫酸铜100g/L、硫酸200g/L、氯离子50mg/L、硫酸高铈30mg/L、聚乙二醇160g/L、整平剂30g/L、聚二硫二丙基磺酸钠20g/L，余量为去离子水。
整平剂为含氮杂环共聚物、烯丙基硫脲以质量比2：1复配；所述含氮杂环共聚物制备步骤为：取苯并三氮唑、2-氨基苯并三氮唑和去离子水，混合均匀，氮气环境下加入1,4-丁二醇二缩水甘油醚，75℃下聚合反应8h，反应结束后去除溶剂，四氢呋喃洗涤过滤，得到产物。
检测实验：
1、取实施例1-3制备的覆铜基板，检测尼龙刷刷磨前、刷磨后的表面粗糙度，记录并取平均值。
2、取实施例1-3制备的覆铜基板，观察铜层表面情况，同时测量表面金属层与陶瓷基板之间的剥离强度，记录得到如下数据。
| 项目 | 实施例1 | 实施例2 | 实施例3 |
| 剥离强度(N/mm) | 8.17 | 8.26 | 8.21 |
| 铜层表面情况 | 表面平整光亮 | 表面平整光亮 | 表面平整光亮 |
实施例4：以实施例2所公开的方案进行处理，仅调整了整平剂的选择；实施例4中整平剂为含氮杂环共聚物、2-巯基吡啶1：1复配。
实施例5：以实施例2所公开的方案进行处理，仅调整了整平剂的选择；实施例5中整平剂为含氮杂环共聚物、苯并三氮唑1：1复配。
实施例6：以实施例2所公开的方案进行处理，仅调整了整平剂的选择；实施例6中整平剂为2-巯基吡啶、苯并三氮唑1：1复配。
对比例1：以实施例2所公开的方案进行处理，仅调整了镀液的组分选择；对比例1中电镀液各组分包括：硫酸铜100g/L、硫酸200g/L、氯离子50mg/L、聚乙二醇160g/L、整平剂30g/L、聚二硫二丙基磺酸钠20g/L，余量为去离子水。
对比例2：以实施例2所公开的方案进行处理，在电镀工艺后并未进行热处理。
检测实验：
3、取实施例2、4-6、对比例1-2制备的覆铜基板，进行以下性能检测：
| 样品编号 | 实施例2 | 实施例4 | 实施例5 | 实施例6 | 对比例1 | 对比例2 |
| 刷磨后Ra | 0.208 | 0.241 | 0.257 | 0.265 | 0.228 | 0.219 |
| 剥离强度(N/mm) | 8.26 | 8.34 | 8.28 | 8.23 | 8.33 | 6.71 |
结论：本发明公开了一种适用于DPC产品贴膜前处理工艺的研磨方法，工艺设计合理，通过调整电镀工艺中镀液的组分以及追加治具刷磨工艺，处理得到的覆铜基板表面更加平整光亮，粗糙度降低，保证了后续图形电镀的精度和质量，具有较高的实用性。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种适用于DPC产品贴膜前处理工艺的研磨方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)取陶瓷基板，浸入稀硫酸中清洗5～10min，再依次通过丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗，每次清洗时间均为10～15min，表面氮气吹干，180～200℃下烘烤5～8min，备用；
(2)取步骤(1)清洗后的陶瓷基板，以钛钨合金为靶材，在陶瓷基板两侧溅射钛钨合金层，所述钛钨合金层厚度为0.05～0.1μm；
(3)取溅射钛钨合金层的陶瓷基板，两侧磁控溅射薄铜层，所述薄铜层的厚度为0.5～1μm；
(4)将步骤(3)处理后的陶瓷基板置于电镀槽中，两侧电镀铜层，所述铜层的厚度为3～5μm，去离子水超声清洗20～30min，烘干，得到覆铜基板；
(5)取覆铜基板，热处理后表面除油、微蚀，再将覆铜基板置于治具中固定，对覆铜基板两侧表面进行刷磨，去离子水喷淋，氮气吹干，进行后续图形电镀。
2.根据权利要求1所述的一种适用于DPC产品贴膜前处理工艺的研磨方法，其特征在于：步骤(5)中，刷磨时将治具置于皮带上传动，通过尼龙刷对覆铜基板刷磨，尼龙刷目数为800目或1000目。
3.根据权利要求2所述的一种适用于DPC产品贴膜前处理工艺的研磨方法，其特征在于：刷磨时尼龙刷线速为0.9～1.1m/min，电流值为2.3A，空跑电流值为2.1A。
4.根据权利要求1所述的一种适用于DPC产品贴膜前处理工艺的研磨方法，其特征在于：步骤(5)中，所述治具与覆铜基板相互嵌合，治具内环四角为圆形，治具底部对称设有若干个通孔。
5.根据权利要求1所述的一种适用于DPC产品贴膜前处理工艺的研磨方法，其特征在于：步骤(2)、步骤(3)中，溅射工艺参数均为：真空度为9.0×10～8pa，溅射功率为300～400W，陶瓷基板温度为150～200℃。
6.根据权利要求1所述的一种适用于DPC产品贴膜前处理工艺的研磨方法，其特征在于：步骤(4)中，电镀时电镀液各组分包括：硫酸铜100～110g/L、硫酸180～200g/L、氯离子50～60mg/L、硫酸高铈20～30mg/L、抑制剂160～180g/L、整平剂20～30g/L、光亮剂10～20g/L，余量为去离子水。
7.根据权利要求6所述的一种适用于DPC产品贴膜前处理工艺的研磨方法，其特征在于：所述整平剂为含氮杂环共聚物、2-巯基吡啶、烯丙基硫脲、苯并三氮唑中的任意一种或两种复配；
所述含氮杂环共聚物制备步骤为：取苯并三氮唑、2-氨基苯并三氮唑和去离子水，混合均匀，氮气环境下加入1,4-丁二醇二缩水甘油醚，75～80℃下聚合反应7～8h，反应结束后去除溶剂，四氢呋喃洗涤过滤，得到产物。
8.根据权利要求6所述的一种适用于DPC产品贴膜前处理工艺的研磨方法，其特征在于：所述光亮剂为聚二硫二丙基磺酸钠，所述抑制剂为聚乙二醇。
9.根据权利要求1所述的一种适用于DPC产品贴膜前处理工艺的研磨方法，其特征在于：步骤(5)中，热处理温度为600～700℃，热处理时间为2～3h。
10.根据权利要求1所述的一种适用于DPC产品贴膜前处理工艺的研磨方法，其特征在于：步骤(5)中，除油步骤为：取热处理后的覆铜基板，依次通过丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗，每次清洗时间均为10～15min；
微蚀步骤为：除油后在20～30℃的硫酸溶液中处理3～5min，溢流水洗，吹干。
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114990533A (zh) * | 2022-04-13 | 2022-09-02 | 江苏富乐华半导体科技股份有限公司 | 一种改善陶瓷基板表面电镀铜结合力的方法 |
| CN115279042A (zh) * | 2022-07-26 | 2022-11-01 | 江苏富乐华半导体科技股份有限公司 | 一种化学镀镍金dpc陶瓷基板制备方法 |
| CN115394658A (zh) * | 2022-10-27 | 2022-11-25 | 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司 | 一种dpc陶瓷基板的表面处理工艺 |
| CN116170954A (zh) * | 2023-04-23 | 2023-05-26 | 四川富乐华半导体科技有限公司 | 具有三维引脚结构氧化铝dpc产品表面金属化方法 |
| CN116813388A (zh) * | 2023-07-07 | 2023-09-29 | 四川富乐华半导体科技有限公司 | 一种使陶瓷金属化方法制作的烧结治具 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0426496A2 (en) * | 1989-11-03 | 1991-05-08 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Planarizing surfaces of interconnect substrates by diamond turning |
| US20100258173A1 (en) * | 2009-04-13 | 2010-10-14 | Joseph Laia | Polishing a thin metallic substrate for a solar cell |
| JP2012106295A (ja) * | 2010-11-15 | 2012-06-07 | Avanstrate Inc | ガラス板端面の面取り方法および面取り装置 |
| JP2016046321A (ja) * | 2014-08-20 | 2016-04-04 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
| CN105845582A (zh) * | 2016-04-28 | 2016-08-10 | 东莞市凯昶德电子科技股份有限公司 | 一种igbt封装用陶瓷基板的制备方法 |
| CN209299589U (zh) * | 2018-09-03 | 2019-08-23 | 上海申和热磁电子有限公司 | 一种用于dbc基板自动曝光用的治具板 |
| CN110459668A (zh) * | 2019-08-16 | 2019-11-15 | 国网河南省电力公司邓州市供电公司 | 一种大功率led散热基板的制备方法 |
| CN210678286U (zh) * | 2019-10-11 | 2020-06-05 | 闳康技术检测(上海)有限公司 | 一种用于研磨led芯片的陶瓷基板的治具 |
| CN212422489U (zh) * | 2020-04-20 | 2021-01-29 | 江苏富乐德半导体科技有限公司 | 一种用于dbc基板印刷阻焊时的治具 |
-
2022
- 2022-01-13 CN CN202210035454.7A patent/CN114310498B/zh active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0426496A2 (en) * | 1989-11-03 | 1991-05-08 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Planarizing surfaces of interconnect substrates by diamond turning |
| US20100258173A1 (en) * | 2009-04-13 | 2010-10-14 | Joseph Laia | Polishing a thin metallic substrate for a solar cell |
| JP2012106295A (ja) * | 2010-11-15 | 2012-06-07 | Avanstrate Inc | ガラス板端面の面取り方法および面取り装置 |
| JP2016046321A (ja) * | 2014-08-20 | 2016-04-04 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
| CN105845582A (zh) * | 2016-04-28 | 2016-08-10 | 东莞市凯昶德电子科技股份有限公司 | 一种igbt封装用陶瓷基板的制备方法 |
| CN209299589U (zh) * | 2018-09-03 | 2019-08-23 | 上海申和热磁电子有限公司 | 一种用于dbc基板自动曝光用的治具板 |
| CN110459668A (zh) * | 2019-08-16 | 2019-11-15 | 国网河南省电力公司邓州市供电公司 | 一种大功率led散热基板的制备方法 |
| CN210678286U (zh) * | 2019-10-11 | 2020-06-05 | 闳康技术检测(上海)有限公司 | 一种用于研磨led芯片的陶瓷基板的治具 |
| CN212422489U (zh) * | 2020-04-20 | 2021-01-29 | 江苏富乐德半导体科技有限公司 | 一种用于dbc基板印刷阻焊时的治具 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114990533A (zh) * | 2022-04-13 | 2022-09-02 | 江苏富乐华半导体科技股份有限公司 | 一种改善陶瓷基板表面电镀铜结合力的方法 |
| CN115279042A (zh) * | 2022-07-26 | 2022-11-01 | 江苏富乐华半导体科技股份有限公司 | 一种化学镀镍金dpc陶瓷基板制备方法 |
| CN115394658A (zh) * | 2022-10-27 | 2022-11-25 | 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司 | 一种dpc陶瓷基板的表面处理工艺 |
| CN116170954A (zh) * | 2023-04-23 | 2023-05-26 | 四川富乐华半导体科技有限公司 | 具有三维引脚结构氧化铝dpc产品表面金属化方法 |
| CN116813388A (zh) * | 2023-07-07 | 2023-09-29 | 四川富乐华半导体科技有限公司 | 一种使陶瓷金属化方法制作的烧结治具 |
| CN116813388B (zh) * | 2023-07-07 | 2023-12-26 | 四川富乐华半导体科技有限公司 | 一种使陶瓷金属化方法制作的烧结治具 |
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