JPS6075590A - アルミニウム被膜のエツチング法 - Google Patents
アルミニウム被膜のエツチング法Info
- Publication number
- JPS6075590A JPS6075590A JP58180255A JP18025583A JPS6075590A JP S6075590 A JPS6075590 A JP S6075590A JP 58180255 A JP58180255 A JP 58180255A JP 18025583 A JP18025583 A JP 18025583A JP S6075590 A JPS6075590 A JP S6075590A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum film
- memory element
- etching
- magnetic bubble
- bubble memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/32—Alkaline compositions
- C23F1/36—Alkaline compositions for etching aluminium or alloys thereof
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は配線導体パターンと軟強磁性体パターンの中間
絶縁−にポリイミド系樹脂を用い、最外層にポンディン
グパッド形成用のアルミニウム被膜を積層した磁気バブ
ルメモリ素子の、アルミニウム被膜のエツチング法に関
する。
絶縁−にポリイミド系樹脂を用い、最外層にポンディン
グパッド形成用のアルミニウム被膜を積層した磁気バブ
ルメモリ素子の、アルミニウム被膜のエツチング法に関
する。
磁気バブルメモリ素子は、通常、磁性ガーネット膜等を
形成させた基板の上に、まず配線導体パターンを形成さ
せ、次いで中間絶縁層を形成させた後、バブル転送やバ
ブル検出のためのパーマロイ等の軟強磁性体パターンを
形成させ、その上に絶縁兼防湿保護膜として８ｉ０．膜
を形成させた後、最外部にポンディングパッド形成用の
アルミニウム被膜を形成させ、このアルミニウム被膜を
エッチしてポンディングパッドを形成させることにより
製造している。
形成させた基板の上に、まず配線導体パターンを形成さ
せ、次いで中間絶縁層を形成させた後、バブル転送やバ
ブル検出のためのパーマロイ等の軟強磁性体パターンを
形成させ、その上に絶縁兼防湿保護膜として８ｉ０．膜
を形成させた後、最外部にポンディングパッド形成用の
アルミニウム被膜を形成させ、このアルミニウム被膜を
エッチしてポンディングパッドを形成させることにより
製造している。
従来は、上記中間絶縁層にも蒸着やスパッタリングなど
で形成したｓ＋ｏ、ＩＩｋを用いていたが、配線導体パ
ターンが存在する個所と存在しない個所とでは特別な処
理をしない限り、中間絶縁層外表面に段差が生ずるのは
止むを得ない。この段差部に上記軟強磁性体パターンが
形成される場合が起きるのも轟然であるが、この段差が
あるために、高速なバブル転送が困−になるなどの不都
合が生ずる。このような不都合を抑制するために、中間
絶縁層として有機のポリイミド系樹脂を回転遠心力塗布
機を用いて塗布し、中間、￥ｒ！縁層の外表面をなるべ
く平坦にすることが行われている。
で形成したｓ＋ｏ、ＩＩｋを用いていたが、配線導体パ
ターンが存在する個所と存在しない個所とでは特別な処
理をしない限り、中間絶縁層外表面に段差が生ずるのは
止むを得ない。この段差部に上記軟強磁性体パターンが
形成される場合が起きるのも轟然であるが、この段差が
あるために、高速なバブル転送が困−になるなどの不都
合が生ずる。このような不都合を抑制するために、中間
絶縁層として有機のポリイミド系樹脂を回転遠心力塗布
機を用いて塗布し、中間、￥ｒ！縁層の外表面をなるべ
く平坦にすることが行われている。
しかし、従来、中間絶縁層に８ｉ０ｚ膜を用いていた場
合と同様に、苛性カリ等の無機系アルカリの水溶液を、
前記アルミニウム被膜のエツチング液として使用すると
、通常、前記絶縁兼防湿保護膜のＳｔＯ膜にも多少のピ
ンホールが存在しているため、このピンホールを通って
エツチング液が有機のポリイミド系樹脂よりなる中間絶
縁層に達し、この中間絶縁層を侵して更に此の層の下面
にも達してしまい、層間剥艦を生じていた。
合と同様に、苛性カリ等の無機系アルカリの水溶液を、
前記アルミニウム被膜のエツチング液として使用すると
、通常、前記絶縁兼防湿保護膜のＳｔＯ膜にも多少のピ
ンホールが存在しているため、このピンホールを通って
エツチング液が有機のポリイミド系樹脂よりなる中間絶
縁層に達し、この中間絶縁層を侵して更に此の層の下面
にも達してしまい、層間剥艦を生じていた。
本発明の目的は、前記ポリイミド系樹脂を用いた中間絶
縁層の界面での剥離が発生しないようにしたアルミニウ
ム被膜のエツチング法を提供することにめる。
縁層の界面での剥離が発生しないようにしたアルミニウ
ム被膜のエツチング法を提供することにめる。
上記目的を連成するために本発明においては、アルミニ
ウム被膜のエツチング液として、テトラアルキルアンモ
ニウムハイドロオキサイド例えばテトラメチルアンモニ
ウムハイドロオキサイドを主成分とＴる水溶液を用いる
こととした。エツチング液の浸透力を小さくすると共に
、中間絶縁層のポリイミド系樹脂を侵さない有機アルカ
リとして、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド等、より一般的には、テトラアルキルアンモニウムハ
イドロオキサイドが優れているからである。
ウム被膜のエツチング液として、テトラアルキルアンモ
ニウムハイドロオキサイド例えばテトラメチルアンモニ
ウムハイドロオキサイドを主成分とＴる水溶液を用いる
こととした。エツチング液の浸透力を小さくすると共に
、中間絶縁層のポリイミド系樹脂を侵さない有機アルカ
リとして、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド等、より一般的には、テトラアルキルアンモニウムハ
イドロオキサイドが優れているからである。
以下、本発明を図面を用いて説明する。
第１図は磁気バブルメモリ素子の断面構造図で、基板ｌ
の上に、配線導体パターン２、ポリイミド系ｗ脂よりな
る中間絶縁Ｍ３、パーマロイ等の軟強磁性体パターン４
．５ｉｎｓ膜よシなる絶縁兼防湿保護膜５、アルオニウ
ム被膜６が形成されている。
の上に、配線導体パターン２、ポリイミド系ｗ脂よりな
る中間絶縁Ｍ３、パーマロイ等の軟強磁性体パターン４
．５ｉｎｓ膜よシなる絶縁兼防湿保護膜５、アルオニウ
ム被膜６が形成されている。
なお、７，８は、それぞれ中間絶縁層３の上、下部界面
である。アルミニウム被＠６をエツチングすると、エツ
チングされた個所では、Ｓム０２Ｍよυなる保護膜５が
露出する。この膜にピンホールが存在すると、エツチン
グ液はピンホールを通って ３− ポリイミド系樹脂よりなる中間絶縁７ｍ ３に達する。
である。アルミニウム被＠６をエツチングすると、エツ
チングされた個所では、Ｓム０２Ｍよυなる保護膜５が
露出する。この膜にピンホールが存在すると、エツチン
グ液はピンホールを通って ３− ポリイミド系樹脂よりなる中間絶縁７ｍ ３に達する。
もし、従来の如く、苛性カリ水溶液などをエツチング液
として用いていれば、ポリイミド系４１！１脂よシなる
中間絶縁層３が浸さノし１、上部外ｌｌｉ＋７で剥離を
生じてしまう。更に、中間絶縁層３にもピンホールがあ
れば、エツチング准はピンホールを通って中間絶縁Ｊｆ
ｉ ３と導体パターン２や基板ｌとの下部界面８に達し
て剥離を生ずる。このように層間剥離した磁気バブルメ
モリ素子は動作不良となる。
として用いていれば、ポリイミド系４１！１脂よシなる
中間絶縁層３が浸さノし１、上部外ｌｌｉ＋７で剥離を
生じてしまう。更に、中間絶縁層３にもピンホールがあ
れば、エツチング准はピンホールを通って中間絶縁Ｊｆ
ｉ ３と導体パターン２や基板ｌとの下部界面８に達し
て剥離を生ずる。このように層間剥離した磁気バブルメ
モリ素子は動作不良となる。
しかし、本発明により、浸透力が小さく、ポリイミド系
樹脂を侵し難い有機アルカリとしてテトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイドのｌＯチ水浴液を使用すると
、エッチレートは約０．１μｍ ／ｍｉｎ （２５°Ｃ
）となシ、エツチングによる剥離も生じなくなった。
樹脂を侵し難い有機アルカリとしてテトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイドのｌＯチ水浴液を使用すると
、エッチレートは約０．１μｍ ／ｍｉｎ （２５°Ｃ
）となシ、エツチングによる剥離も生じなくなった。
以上説明したように本発明によれば、層間剥離が生じな
くなり、磁気バブルメモリ素子の製造歩留が大幅に向上
する。
くなり、磁気バブルメモリ素子の製造歩留が大幅に向上
する。
−今 −
第１図は磁気バブルメモｇ子の断面精造図である。
ｌ・・・・基板、２・・・・配線導体パターン、３・０
５．ポリイミド系樹脂よ如なる中間絶縁層、４・・・・
パーマロイ等の軟強磁性体パターン、５・・・・ＳｔＯ
，よりなる絶縁兼防湿保護膜、６・・・・アル＜ニウム
被膜、７．８・・・・界面。
５．ポリイミド系樹脂よ如なる中間絶縁層、４・・・・
パーマロイ等の軟強磁性体パターン、５・・・・ＳｔＯ
，よりなる絶縁兼防湿保護膜、６・・・・アル＜ニウム
被膜、７．８・・・・界面。
Claims (1)
- 配線導体パターンと軟強磁性体パターンの中間絶縁層と
してポリイミド系樹脂を、絶縁及び防湿層として８１０
ｍ層を用い、最外部にポンディングパッド形成用のアル
ミニウム被膜を積層した磁気バブルメモリ素子の、前記
ポンディングパッド形成のためのアルミニウム被膜のエ
ツチング工程において、エツチング液としてテトラアル
キルアンモニウムハイドロオキサイドを主成分とする水
溶液を用いたことを特徴とするアルミニウム被膜のエツ
チング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58180255A JPS6075590A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | アルミニウム被膜のエツチング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58180255A JPS6075590A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | アルミニウム被膜のエツチング法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6075590A true JPS6075590A (ja) | 1985-04-27 |
| JPH0524995B2 JPH0524995B2 (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=16080061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58180255A Granted JPS6075590A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | アルミニウム被膜のエツチング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6075590A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2739216A1 (fr) * | 1995-09-22 | 1997-03-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede de traitement de combustibles et/ou de cibles nucleaires a base d'aluminium metallique par des solutions d'hydroxyde de tetramethylammonium |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP58180255A patent/JPS6075590A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2739216A1 (fr) * | 1995-09-22 | 1997-03-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede de traitement de combustibles et/ou de cibles nucleaires a base d'aluminium metallique par des solutions d'hydroxyde de tetramethylammonium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0524995B2 (ja) | 1993-04-09 |
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